CN217114383U - 一种半导体框架结构 - Google Patents

Abstract

本申请公开一种半导体框架结构，包括封装本体、基岛、芯片和若干个引脚PAD，其中所述基岛和所述芯片被封装于所述封装本体内，其中若干个所述引脚PAD被部分封装于所述封装本体内，并具有凸出所述封装本体的引脚，所述芯片被设置于所述基岛的顶部，所述基岛于所述封装本体的底部向下凸出预定的高度，其中所述预定的高度为0～0.15mm；本申请提供的半导体框架结构能够通过基岛向连接半导体框架结构的PCB覆铜板直接传递热量，在同等体积结构上散热效果更好。

Description

一种半导体框架结构

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种半导体框架结构。

背景技术

随着电子产品的不断发展，电子产品的产量越来越高，产品型号也变得多样化，竞争日益激烈，同时，对产品封装的高密度、高强度、高散热性、低成本等要求也越来越高；此外，电子产品的功率越来越大，而体积尺寸却在不断减小，这就对元器件的尺寸和散热等要求越来越高。

怎么才能在有限的空间内，同时集成高功率、强散热、小体积的技术成为业界内比较关注的一种趋势。

实用新型内容

本实用新型的一个优势在于提供一种半导体框架结构，其中基岛芯片被设置在基岛的顶部，而基岛于封装本体的底部凸出基岛预定的高度，使得半导体框架结构能够通过基岛向连接半导体框架结构的PCB覆铜板直接传递热量，在同等体积结构上散热效果更好。

本实用新型的一个优势在于提供一种半导体框架结构，其中引脚为平引脚，能够通过增加宽度来极大的缩小半导体框架结构的纵向空间，便于半导体框架结构的安装。

本实用新型的一个优势在于提供一种半导体框架结构，其中引脚为折弯引脚，且第一水平部和第二水平部之间的最大垂直距离为0.3mm～0.5mm，相对于传统技术，纵向厚度尺寸更小，适用范围广泛。

本实用新型的一个优势在于提供一种半导体框架结构，其中在基岛上还设置有限位结构，通过限位结构和基岛本体的配合形成锁胶台阶，能够有效提高基岛和封装本体的结合牢固性，防止基岛在封装本体上的脱落和分层。

为达到本实用新型以上至少一个优势，本实用新型提供一种半导体框架结构，包括封装本体、基岛、芯片和若干个引脚PAD，其中所述基岛和所述芯片被封装于所述封装本体内，其中若干个所述引脚PAD被部分封装于所述封装本体内，并具有凸出所述封装本体的引脚，所述芯片被设置于所述基岛的顶部，所述基岛于所述封装本体的底部向下凸出预定的高度，其中所述预定的高度为0～0.15mm。

根据本实用新型一实施例，所述引脚PAD被实施为三个、五个或者六个，并以预定的分布方式被布设于所述基岛的周边。

根据本实用新型一实施例，所述基岛与任意一个所述引脚PAD一体成型。

根据本实用新型一实施例，所述引脚PAD靠近所述基岛的端部的横截面为“一”字型或L型。

根据本实用新型一实施例，所述引脚为平引脚。

根据本实用新型一实施例，所述引脚的底部与所述封装本体的底部平齐，或所述引脚的底部向下凸出所述封装本体。

根据本实用新型一实施例，所述引脚为折弯引脚，具有与所述封装本体的底部平行的第一水平部和第二水平部，以及呈弧形连接于所述第一水平部和所述第二水平部之间的连接部，其中所述第一水平部和所述第二水平部之间的最大垂直距离为0.3mm～0.5mm，所述最大垂直距离包括所述第一水平部和所述第二水平部的厚度以及所述第一水平部和所述第二水平部之间的空间。

根据本实用新型一实施例，所述基岛包括基岛本体和限位结构，其中所述限位结构位于所述封装本体内，并形成于所述基岛本体的侧围，以能够与所述基岛本体相配合形成锁胶台阶。

根据本实用新型一实施例，所述限位结构位于所述基岛的顶部。

本实用新型的这些和其它目的、特点和优势，通过下述的详细说明，得以充分体现。

附图说明

图1示出了本申请平引脚式半导体框架结构的结构示意图。

图2示出了本申请图1中平引脚式半导体框架结构的局部结构示意图。

图3示出了本申请折弯引脚式半导体框架结构的结构示意图。

图4示出了本申请图3中折弯引脚式式半导体框架结构的局部结构示意图。

图5示出了本申请三个引脚PAD的半导体框架结构的俯视示意图。

图6示出了本申请五个引脚PAD的半导体框架结构的俯视示意图。

图7示出了本申请六个引脚PAD的半导体框架结构的俯视示意图。

图8示出了本申请平引脚式半导体框架结构的侧视示意图。

图9示出了本申请折弯引脚式半导体框架结构的侧视示意图。

附图标记：10-封装本体，20-基岛，21-基岛本体，22-限位结构，23-锁胶台阶，30-芯片，40-引脚PAD，41-引脚，411-第一水平部，412-连接部，413-第二水平部。

具体实施方式

以下描述用于揭露本实用新型以使本领域技术人员能够实现本实用新型。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本实用新型的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本实用新型的精神和范围的其他技术方案。

本领域技术人员应理解的是，在说明书的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此，上述术语不能理解为对本实用新型的限制。

可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。

参考图1至图9，依本实用新型一较佳实施例的一种半导体框架结构将在以下被详细地阐述，其中所述半导体框架结构包括封装本体10、基岛20、芯片30和若干个引脚PAD40，其中所述基岛20和所述芯片30被封装于所述封装本体10内，而若干个所述引脚PAD 40被部分封装于所述封装本体10内，并具有凸出所述封装本体10的引脚41。此外，需要注意的是，所述芯片30被设置于所述基岛20的顶部，以便于工作人员操作，提高作业的容易强度，同时，所述基岛20于所述封装本体10的底部向下凸出预定的高度，其中所述预定的高度为0～0.15mm，比如0.05mm或者0.1mm，其中所述预定的高度为0mm指的是所述基岛20仅仅是裸露在所述封装本体10的底部，并没有凸出所述封装本体10。这样一来，所述芯片30产生的热量一部分依次通过所述基岛20和所述引脚41传递至外接的PCB覆铜板上，另一部分直接通过所述基岛20传递至外接的PCB覆铜板上，散热效率更高。此外，还值得一提的是，金属的导热性比空气更高，相对直接通过空气或者空气对流的形式，其散热效果更好，甚至能够达到数倍的散热效率。在同等体积下，本申请提供的半导体框架结构的散热效果得到显著提高，极大的拓展了半导体框架结构的适用范围。

作为一较佳实施例，所述引脚PAD 40被实施为三个、五个或者六个，并以预定的分布方式被布设于所述基岛20的周边，一般以对称的方式进行分布。比如在所述引脚PAD 40被实施为三个时，三个所述引脚PAD 40成三角形分布的方式位于所述基岛20的周边；而在所述引脚PAD 40被实施为五个时，其中三个位于所述基岛20的其中一个长边的外侧，而另两个对于相对的另一个侧边的外侧；当所述引脚PAD 40被实施为六个时，以三个为一组，对称分布在所述基岛20的两个长边的外侧。

进一步优选地，所述基岛20与任意一个所述引脚PAD 40一体成型。

进一步优选地，所述引脚PAD 40靠近所述基岛20的端部的横截面为“一”字型或L型，可参考图5至图7，其中“一”字型引脚PAD 40在俯视方向靠近所述基岛20的中部，而L型引脚PAD 40位于所述基岛20的拐角处，从而使所述半导体框架的整体结构更加紧凑，缩小占用空间，提高安装适用范围。

作为一较佳实施例，结合图1和图2，所述引脚41为平引脚，使得该半导体框架结构通过在宽度方向的增加来减小纵向厚度的尺寸，节约纵向空间，尤其适用于薄型或超薄型电子产品。

进一步优选地，所述引脚41的底部与所述封装本体10的底部平齐，或所述引脚41的底部向下凸出所述封装本体10，以能够在所述引脚41的底部向外接的PCB覆铜板传递热量，进一步提高该半导体框架结构的散热效果。

作为另一较佳实施例，结合图3和图4，所述引脚41为折弯引脚，并具有与所述封装本体10的底部平行的第一水平部411和第二水平部413，以及呈弧形连接于所述第一水平部411和所述第二水平部413之间的连接部412，其中所述第一水平部411和所述第二水平部413之间的最大垂直距离为0.3mm～0.5mm，其中所述最大垂直距离包括所述第一水平部411和所述第二水平部413自身的厚度以及所述第一水平部411和所述第二水平部413之间的空间。通过限定所述引脚41在纵向的厚度尺寸，能够减小该半导体框架结构的纵向厚度，节约纵向空间，尤其适用于薄型或超薄型电子产品。

作为一较佳实施例，所述基岛20包括基岛本体21和限位结构22，其中所述限位结构22位于所述封装本体10内，并形成于所述基岛本体21的侧围，以能够与所述基岛本体21相配合形成锁胶台阶23，从而在所述基岛20被封装于所述封装本体10内时，能够通过所述锁胶台阶23有效提高所述基岛20和所述封装本体10的结合程度，防止所述基岛20在所述封装本体10上脱落或出现分层现象，进而提高该半导体框架结构的整体结构稳定性，提高产品质量。

考虑到所述基岛20的底部凸出所述封装本体10预定的高度，为了进一步增强所述基岛20与所述封装本体10的结合稳定性，进一步优选地，所述限位结构22位于所述基岛20的顶部。

本领域的技术人员应理解，上述描述及附图中所示的本实用新型的实施例只作为举例而并不限制本实用新型。本实用新型的优势已经完整并有效地实现。本实用新型的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本实用新型的实施方式可以有任何变形或修改。

Claims (9)

1.一种半导体框架结构，包括封装本体、基岛、芯片和若干个引脚PAD，其中所述基岛和所述芯片被封装于所述封装本体内，其中若干个所述引脚PAD被部分封装于所述封装本体内，并具有凸出所述封装本体的引脚，其特征在于，所述芯片被设置于所述基岛的顶部，所述基岛于所述封装本体的底部向下凸出预定的高度，其中所述预定的高度为0～0.15mm。

2.如权利要求1所述半导体框架结构，其特征在于，所述引脚PAD被实施为三个、五个或者六个，并以预定的分布方式被布设于所述基岛的周边。

3.如权利要求2所述半导体框架结构，其特征在于，所述基岛与任意一个所述引脚PAD一体成型。

4.如权利要求2所述半导体框架结构，其特征在于，所述引脚PAD靠近所述基岛的端部的横截面为“一”字型或L型。

5.如权利要求4所述半导体框架结构，其特征在于，所述引脚为平引脚。

6.如权利要求5所述半导体框架结构，其特征在于，所述引脚的底部与所述封装本体的底部平齐，或所述引脚的底部向下凸出所述封装本体。

7.如权利要求4所述半导体框架结构，其特征在于，所述引脚为折弯引脚，具有与所述封装本体的底部平行的第一水平部和第二水平部，以及呈弧形连接于所述第一水平部和所述第二水平部之间的连接部，其中所述第一水平部和所述第二水平部之间的最大垂直距离为0.3mm～0.5mm，所述最大垂直距离包括所述第一水平部和所述第二水平部的厚度以及所述第一水平部和所述第二水平部之间的空间。

8.如权利要求5至7任一项所述半导体框架结构，其特征在于，所述基岛包括基岛本体和限位结构，其中所述限位结构位于所述封装本体内，并形成于所述基岛本体的侧围，以能够与所述基岛本体相配合形成锁胶台阶。

9.如权利要求8所述半导体框架结构，其特征在于，所述限位结构位于所述基岛的顶部。

Images