CN212161443U - 层叠型线圈部件 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种安装性和高频特性优秀的层叠型线圈部件。层叠型线圈部件具备层叠体和第1外部电极及第2外部电极，线圈是通过将与绝缘层一同在长度方向层叠的多个线圈导体电连接而成的，层叠体具有第1端面及第2端面、第1主面及第2主面、以及第1侧面及第2侧面，第1外部电极延伸而覆盖第1端面的至少局部与第1主面的局部，第2外部电极延伸而覆盖第2端面的至少局部与第1主面的局部，层叠体的层叠方向与线圈的线圈轴向平行于第1主面，在沿第1主面延伸的第1外部电极与层叠体之间设置有相对介电常数小于绝缘层的低介电常数层。

Description

层叠型线圈部件
技术领域
本实用新型涉及层叠型线圈部件。
背景技术
作为层叠型线圈部件，例如，在专利文献1中公开了一种绝缘片材的层叠方向与线圈轴线平行于安装面的层叠型线圈。
专利文献1：日本特开平09－129447号公报
然而，专利文献1所记载的层叠型线圈在安装面侧未设置有外部电极，因此虽能够抑制杂散电容，但存在安装性较差的问题。
另一方面，伴随着近年来的电气机械和设备的通信速度的高速化以及小型化，对层叠型电感器要求高频段(例如，50GHz以上的GHz频段)下的高频特性充分。但是，在专利文献1所记载的层叠型线圈中，存在在50GHz左右的高频段下特性不充分的担忧。另外，若在专利文献1所记载的层叠型线圈的安装面侧设置外部电极，则导致在外部电极与内部导体之间产生杂散电容，从而存在安装性与高频特性的兼得较困难的问题。
实用新型内容
本实用新型是为了解决上述的问题而完成的，目的在于，提供一种安装性与高频特性优秀的层叠型线圈部件。
本实用新型的层叠型线圈部件的特征在于，具备：层叠体，其通过多个绝缘层在长度方向层叠而成，并在内部内置线圈；第1外部电极以及第2外部电极，它们电连接于上述线圈，上述线圈是通过将与上述绝缘层一同在上述长度方向层叠的多个线圈导体电连接而成的，上述层叠体具有在上述长度方向上相对的第1端面以及第2端面、在与上述长度方向正交的高度方向上相对的第1主面以及第2主面、在与上述长度方向以及上述高度方向正交的宽度方向上相对的第1侧面以及第2侧面，上述第1外部电极延伸而覆盖上述第1端面的至少局部与上述第1主面的局部，上述第2外部电极延伸而覆盖上述第2端面的至少局部与上述第1主面的局部，上述层叠体的层叠方向与上述线圈的线圈轴向平行于上述第1主面，在沿上述第1主面延伸的上述第1外部电极与上述层叠体之间设置有相对介电常数小于上述绝缘层的低介电常数层。
也可以是，在沿所述第1主面延伸的所述第2外部电极与所述层叠体之间设置有所述低介电常数层。
也可以是，在所述层叠体的所述第1主面的整个面设置有所述低介电常数层。
也可以是，所述第1主面为安装面。
也可以是，所述绝缘层的相对介电常数εr1为12以上且20以下，所述低介电常数层的相对介电常数εr2为5以上且10以下。
也可以是，所述低介电常数层由包含磁性材料与非磁性材料的复合材料构成。
也可以是，所述非磁性材料包含含有Si和Zn的氧化物材料，Zn比Si的含量Zn/Si通过摩尔比换算则为1.8以上且2.2以下。
根据本实用新型，能够提供一种安装性与高频特性优秀的层叠型线圈部件。
附图说明
图1是示意性地表示本实用新型的层叠型线圈部件的一个例子的立体图。
图2的(a)是图1所示的层叠型线圈部件的侧视图，图2的(b)是图1所示的层叠型线圈部件的主视图，图2的(c)是图1所示的层叠型线圈部件的仰视图。
图3是示意性地表示层叠型线圈部件的内部构造的剖视图。
图4是示意性地表示构成图1所示的层叠型线圈部件的层叠体的一个例子的分解立体图。
图5是示意性地表示构成图1所示的层叠型线圈部件的层叠体的一个例子的分解俯视图。
图6是示意性地表示本实用新型的层叠型线圈部件的其它的一个例子的剖视图。
图7是示意性地表示本实用新型的层叠型线圈部件的又一其它的一个例子的剖视图。
图8是示意性地表示本实用新型的层叠型线圈部件的又一其它的一个例子的剖视图。
图9的(A)、图9的(B)、图9的(C)、图9的(D)、图9的(E)、图9的(F)以及图9的(G)是示意性地表示为了获得主层叠体而层叠起来的线圈片材的一个例子的俯视图。
图10是示意性地表示将主层叠体切断而得的层叠体的一个例子的分解立体图。
图11是示意性地表示图10所示的层叠体中的线圈导体的样子的透视立体图。
图12是示意性地表示在图10所示的层叠体配置有低介电常数层的情况下的一个例子的立体图。
图13是示意性地表示在图12所示的层叠体设置有外部电极的情况下的一个例子的立体图。
附图标记的说明
1、2、3、4、5…层叠型线圈部件；10、30…层叠体；11…第1端面；
12…第2端面；13…第1主面；14…第2主面；15…第1侧面；16…第2侧面；21…第1外部电极；22…第2外部电极；31a、31b(31b1～31bn)、31c(31c1～31cn)、31d(31d1～31dn)、31e(31e1～31en)、31f…绝缘层；32b(32b1～32bn)、32c(32c1～32cn)、32d(32d1～32dn)、32e(32e1～32en)…线圈导体；33a、33b(33b1～33bn)、33c(33c1～33cn)、33d(33d1～33dn)、33e(33e1～33en)…导通孔导体；41…第1连结导体；42…第2连结导体；50…低介电常数层；51a、51b、51c、51d、51e、51f、51g…绝缘层；52b、52c、52d、52e、52f…线圈导体；53a、53b、53c、53d、53e、53f、53g…导通孔导体；110…构造体；151a、151b、151c、151d、151e、151f、151g…绝缘片材；152b、152c、152d、152e、152f…线圈导体图案；154、155…切断线；A…线圈轴线；E1…覆盖第1主面这部分的第1外部电极的长度；E2…覆盖第1端面这部分的第1外部电极的高度；L1…层叠体的长度尺寸；L2…层叠型线圈部件的长度尺寸；T1…层叠体的高度尺寸；T2…层叠型线圈部件的高度尺寸；W1…层叠体的宽度尺寸；W2…层叠型线圈部件的宽度尺寸。
具体实施方式
以下，对本实用新型的层叠型线圈部件进行说明。
然而，本实用新型不限定于以下的实施方式，能够在不变更本实用新型的主旨的范围内适当地进行变更并应用。此外，将以下记载的各个优选的结构组合2个以上而得的技术方案也是本实用新型。
图1是示意性地表示本实用新型的层叠型线圈部件的一个例子的立体图。图2的(a)是图1所示的层叠型线圈部件的侧视图，图2的(b)是图1所示的层叠型线圈部件的主视图，图2的(c)是图1所示的层叠型线圈部件的仰视图。
图1、图2的(a)、图2的(b)以及图2的(c)所示的层叠型线圈部件1具备层叠体10、第1外部电极21、第2外部电极22。层叠体10呈具有6个面的大致长方体形状。对层叠体10的结构后述，但通过多个绝缘层在长度方向层叠而成，并在内部内置线圈。第1外部电极21以及第2外部电极22分别电连接于线圈。
在本实用新型的层叠型线圈部件以及层叠体中，将长度方向、高度方向、宽度方向设为图1的x方向、y方向、z方向。这里，长度方向(x方向)、高度方向(y方向)、宽度方向(z方向)相互正交。
如图1、图2的(a)、图2的(b)以及图2的(c)所示，层叠体10具有在长度方向(x方向)上相对的第1端面11以及第2端面12、在与长度方向正交的高度方向(y方向)上相对的第1主面13以及第2主面14、在与长度方向以及高度方向正交的宽度方向(z方向)上相对的第1侧面15以及第2侧面16。
虽未示于图1，但层叠体10优选对角部以及棱线部赋予弧度。角部是层叠体的3个面相交的部分，棱线部是层叠体的2个面相交的部分。
第1外部电极21配置为，如图1以及图2的(b)所示，覆盖层叠体10的第1端面11的局部，并且，如图1以及图2的(c)所示，从第1端面11延伸而覆盖第1主面13的局部。如图2的(b)所示，第1外部电极21覆盖第1端面11中的、包含与第1主面13相交的棱线部的区域，但也可以从第1端面11延伸起并覆盖第2主面14。
此外，在图2的(b)中，第1外部电极21的覆盖层叠体10的第1端面11这部分的高度为恒定，但只要覆盖层叠体10的第1端面11的局部，则第1外部电极21的形状不被特别地限定。例如，在层叠体10的第1端面11中，第1外部电极21也可以呈从端部朝向中央部增高的山形状。另外，在图2的(c)中，第1外部电极21的覆盖层叠体10的第1主面13这部分的长度为恒定，但只要覆盖层叠体10的第1主面13的局部，则第1外部电极21的形状不被特别地限定。例如，在层叠体10的第1主面13中，第1外部电极21也可以呈从端部朝向中央部增长的山形状。
如图1以及图2的(a)所示，第1外部电极21也可以进一步配置为从第1端面11以及第1主面13起延伸而覆盖第1侧面15的局部以及第2侧面16的局部。在该情况下，如图2的(a)所示，覆盖第1侧面15以及第2侧面16的部分的第1外部电极21优选均相对于与第1端面11相交的棱线部以及与第1主面13相交的棱线部倾斜地形成。此外，第1外部电极21也可以没有配置为覆盖第1侧面15的局部以及第2侧面16的局部。
第2外部电极22配置为覆盖层叠体10的第2端面12的局部，并且从第2端面12起延伸而覆盖第1主面13的局部。与第1外部电极21相同，第2外部电极22覆盖第2端面12中的、包含与第1主面13相交的棱线部的区域。
另外，也可以是，与第1外部电极21相同，第2外部电极22从第2端面12起延伸，并覆盖第2主面14的局部、第1侧面15的局部以及第2侧面16的局部。
与第1外部电极21相同，只要覆盖层叠体10的第2端面12的局部，则第2外部电极22的形状不被特别地限定。例如，也可以是，在层叠体10的第2端面12处，第2外部电极22呈从端部朝向中央部增高的山形状。另外，只要覆盖层叠体10的第1主面13的局部，则第2外部电极22的形状不被特别地限定。例如，也可以是，在层叠体10的第1主面13处，第2外部电极22呈从端部朝向中央部增长的山形状。
也可以是，与第1外部电极21相同，第2外部电极22进一步配置为从第2端面12以及第1主面13起延伸，并覆盖第2主面14的局部、第1侧面15的局部以及第2侧面16的局部。在该情况下，优选的是，覆盖第1侧面15以及第2侧面16这部分的第2外部电极22均相对于与第2端面12相交的棱线部和与第1主面13相交的棱线部倾斜地形成。此外，也可以是，第2外部电极22没有配置为覆盖第2主面14的局部、第1侧面15的局部以及第2侧面16的局部。
如以上说明那样，配置第1外部电极21以及第2外部电极22，因此在将层叠型线圈部件1安装于基板上的情况下，将层叠体10的第1主面13设为安装面，由此能够容易地安装层叠型线圈部件。
本实用新型的层叠型线圈部件的尺寸不被特别地限定，但优选为0603尺寸、0402尺寸或者1005尺寸。
在本实用新型的层叠型线圈部件为0603尺寸的情况下，层叠体的长度(在图2的(a)中，为由双向箭头L1表示的长度)优选为0.63mm以下，优选为0.57mm以上。
在本实用新型的层叠型线圈部件为0603尺寸的情况下，层叠体的宽度(在图2的(c)中，为由双向箭头W1表示的长度)优选为0.33mm以下，优选为0.27mm以上。
在本实用新型的层叠型线圈部件为0603尺寸的情况下，层叠体的高度(在图2的(b)中，为由双向箭头T1表示的长度)优选为0.33mm以下，优选为0.27mm以上。
在本实用新型的层叠型线圈部件为0603尺寸的情况下，层叠型线圈部件的长度(在图2的(a)中，为由双向箭头L2表示的长度)优选为0.63mm以下，优选为0.57mm以上。
在本实用新型的层叠型线圈部件为0603尺寸的情况下，层叠型线圈部件的宽度(在图2的(c)中，为由双向箭头W2表示的长度)优选为0.33mm以下，优选为0.27mm以上。
在本实用新型的层叠型线圈部件为0603尺寸的情况下，层叠型线圈部件的高度(在图2的(b)中，为由双向箭头T2表示的长度)优选为0.33mm以下，优选为0.27mm以上。
在本实用新型的层叠型线圈部件为0603尺寸的情况下，第1外部电极的覆盖层叠体的第1主面这部分的长度(在图2的(c)中，为由双向箭头E1表示的长度)优选为0.12mm以上且0.22mm以下。相同地，第2外部电极的覆盖层叠体的第1主面这部分的长度优选为0.12mm以上且0.22mm以下。
此外，在第1外部电极的覆盖层叠体的第1主面这部分的长度以及第2外部电极的覆盖层叠体的第1主面这部分的长度不恒定的情况下，优选最长的部分的长度在上述范围内。
在本实用新型的层叠型线圈部件为0603尺寸的情况下，第1外部电极的覆盖层叠体的第1端面这部分的高度(在图2的(b)中，为由双向箭头E2表示的长度)优选为0.10mm以上且0.20mm以下。相同地，第2外部电极的覆盖层叠体的第2端面这部分的高度优选为0.10mm以上且0.20mm以下。在该情况下，能够减少外部电极引起的杂散电容。
此外，在第1外部电极的覆盖层叠体的第1端面这部分的高度以及第2外部电极的覆盖层叠体的第2端面这部分的高度不恒定的情况下，优选最高的部分的高度在上述范围内。
在本实用新型的层叠型线圈部件为0402尺寸的情况下，层叠体的长度优选为0.38mm以上且0.42mm以下，层叠体的宽度优选为0.18mm以上且0.22mm以下。
在本实用新型的层叠型线圈部件为0402尺寸的情况下，层叠体的高度优选为0.18mm以上且0.22mm以下。
在本实用新型的层叠型线圈部件为0402尺寸的情况下，层叠型线圈部件的长度优选为0.42mm以下，优选为0.38mm以上。
在本实用新型的层叠型线圈部件为0402尺寸的情况下，层叠型线圈部件的宽度优选为0.22mm以下，优选为0.18mm以上。
在本实用新型的层叠型线圈部件为0402尺寸的情况下，层叠型线圈部件的高度优选为0.22mm以下，优选为0.18mm以上。
在本实用新型的层叠型线圈部件为0402尺寸的情况下，第1外部电极的覆盖层叠体的第1主面这部分的长度优选为0.08mm以上且0.15mm以下。相同地，第2外部电极的覆盖层叠体的第1主面这部分的长度优选为0.08mm以上且0.15mm以下。
在本实用新型的层叠型线圈部件为0402尺寸的情况下，第1外部电极的覆盖层叠体的第1端面这部分的高度优选为0.06mm以上且0.13mm以下。相同地，第2外部电极的覆盖层叠体的第2端面这部分的高度优选为0.06mm以上且0.13mm以下。在该情况下，能够减少由外部电极引起的杂散电容。
在本实用新型的层叠型线圈部件为1005尺寸的情况下，层叠体的长度优选为0.95mm以上且1.05mm以下，层叠体的宽度优选为0.45mm以上且0.55mm以下。
在本实用新型的层叠型线圈部件为1005尺寸的情况下，层叠体的高度优选为0.45mm以上且0.55mm以下。
在本实用新型的层叠型线圈部件为1005尺寸的情况下，层叠型线圈部件的长度优选为1.05mm以下，优选为0.95mm以上。
在本实用新型的层叠型线圈部件为1005尺寸的情况下，层叠型线圈部件的宽度优选为0.55mm以下，优选为0.45mm以上。
在本实用新型的层叠型线圈部件为1005尺寸的情况下，层叠型线圈部件的高度优选为0.55mm以下，优选为0.45mm以上。
在本实用新型的层叠型线圈部件为1005尺寸的情况下，第1外部电极的覆盖层叠体的第1主面这部分的长度优选为0.20mm以上且0.38mm以下。相同地，第2外部电极的覆盖层叠体的第1主面这部分的长度优选为0.20mm以上且0.38mm以下。
在本实用新型的层叠型线圈部件为1005尺寸的情况下，第1外部电极的覆盖层叠体的第1端面这部分的高度优选为0.15mm以上且0.33mm以下。相同地，第2外部电极的覆盖层叠体的第2端面这部分的高度优选为0.15mm以上且0.33mm以下。在该情况下，能够减少外部电极引起的杂散电容。
在本实用新型的层叠型线圈部件中，线圈导体之间的绝缘层由包含磁性材料以及非磁性材料中至少一者的材料构成。
图3是示意性地表示层叠型线圈部件的内部构造的剖视图。
图3示意性地表示绝缘层、线圈导体、连结导体、以及层叠体的层叠方向，未严格意义上地表示实际的形状以及连接等。例如，线圈导体经由导通孔导体被连接。
层叠体10的层叠方向以及线圈的轴向(在图3中，由A表示线圈轴线)平行于作为安装面的第1主面13。
如图3所示，层叠型线圈部件1具备内置通过将与绝缘层一同层叠的多个线圈导体32电连接而形成的线圈的层叠体10和电连接于线圈的第1外部电极21以及第2外部电极22。
在层叠体10的第1主面13设置有低介电常数层50。
低介电常数层50的相对介电常数εr2小于构成层叠体10的绝缘层的相对介电常数εr1。
低介电常数层50配置于在第1主面13延伸的第1外部电极21与层叠体10之间，因此能够减少在第1外部电极21与层叠体10内部的导体之间产生的杂散电容。
在图3所示的层叠型线圈部件中，第1外部电极21和与其对置的线圈导体32被第1连结导体41呈直线状连接，第2外部电极22和与其对置的线圈导体32被第2连结导体42呈直线状连接。第1连结导体41以及第2连结导体42分别与最接近成为安装面的第1主面13的部分的线圈导体32连接。
在从层叠方向俯视时，第1连结导体41以及第2连结导体42均与线圈导体32重叠，并且位于比线圈轴线靠成为安装面的第1主面13侧处。
第1连结导体41以及第2连结导体42均连接于线圈导体32的最接近安装面的部分，因此能够减小外部电极的大小，而提高高频特性。
因此，层叠型线圈部件1在第1外部电极21与层叠体10内部的导体之间产生的杂散电容较小，从而高频特性优秀。针对高频段(特别是，30GHz以上且80GHz以下)的高频特性，40GHz的透过系数S21优选为－1dB以上且0dB以下，50GHz的透过系数S21优选为－1dB以上且0dB以下。在层叠型线圈部件1满足上述条件的情况下，例如，能够适当使用于光通信电路内的偏置器(Bias－Tee)电路等。透过系数S21根据透过信号相对于输入信号的电力之比求得。每个频率的透过系数S21例如使用网络分析仪求得。透过系数S21基本上是无量纲量，但通常，取常用对数利用dB单位来表示。
图4是示意性地表示构成图1所示的层叠型线圈部件的层叠体的一个例子的分解立体图，图5是示意性地表示构成图1所示的层叠型线圈部件的层叠体的一个例子的分解俯视图。
如图4以及图5所示，层叠体10构成为多个绝缘层31a、31b(31b1～31bn)、31c(31c1～31cn)、31d(31d1～31dn)、31e(31e1～31en)以及31f在长度方向(x方向)层叠。
此外，将构成层叠体的多个绝缘层层叠的方向称为层叠方向。
即，在本实用新型的层叠型线圈部件中，层叠体的长度方向与层叠方向一致。
在绝缘层31b(31b1～31bn)、31c(31c1～31cn)、31d(31d1～31dn)以及31e(31e1～31en)分别设置有线圈导体32b(32b1～32bn)、32c(32c1～32cn)、32d(32d1～32dn)以及32e(32e1～32en)与导通孔导体33b(33b1～33bn)、33c(33c1～33cn)、33d(33d1～33dn)以及33e(33e1～33en)。在绝缘层31a以及31f分别设置有导通孔导体33a以及33f。
在线圈导体32b(32b1～32bn)、32c(32c1～32cn)、32d(32d1～32dn)以及32e(32e1～32en)分别具有线路部与配置于线路部的端部的连接盘部。如图4以及图5所示，连接盘部的尺寸略大于线路部的线宽。
线圈导体32b(32b1～32bn)、32c(32c1～32cn)、32d(32d1～32dn)以及32e(32e1～32en)分别设置于绝缘层31b(31b1～31bn)、31c(31c1～31cn)、31d(31d1～31dn)以及31e(31e1～31en)的主面上，而与绝缘层31a、31b(31b1～31bn)、31c(31c1～31cn)、31d(31d1～31dn)、31e(31e1～31en)以及31f一同层叠。在图4以及图5中，各线圈导体具有3/4匝形状，将绝缘层31b1、31c1、31d1以及31e1设为一个单位(3匝大小)，反复层叠。
导通孔导体33a、33b(33b1～33bn)、33c(33c1～33cn)、33d(33d1～33dn)、33e(33e1～33en)以及33f分别设置为沿层叠方向(在图4中为x方向)贯通绝缘层31a、31b(31b1～31bn)、31c(31c1～31cn)、31d(31d1～31dn)、31e(31e1～31en)以及31f。
如以上说明那样构成的绝缘层31a、31b(31b1～31bn)、31c(31c1～31cn)、31d(31d1～31dn)、31e(31e1～31en)以及31f如图4所示沿x方向层叠。由此，线圈导体32b(32b1～32bn)、32c(32c1～32cn)、32d(32d1～32dn)以及32e(32e1～32en)经由导通孔导体33b(33b1～33bn)、33c(33c1～33cn)、33d(33d1～33dn)以及33e(33e1～33en)电连接。其结果，在层叠体10内，形成线圈轴线沿x方向延伸的螺线管状的线圈。
另外，导通孔导体33a以及33f在层叠体10内成为连结导体，向层叠体10的两端面暴露。连结导体为，在层叠体10内，呈直线状连接第1外部电极21和与其对置的线圈导体32b1之间，或者呈直线状连接第2外部电极22和与第2外部电极22对置的线圈导体32en之间。
在从层叠方向俯视时，构成线圈的线圈导体优选相互重叠。另外，优选的是，在从层叠方向俯视时，线圈的形状呈圆形。此外，在线圈包含连接盘部的情况下，将除了连接盘部之外的形状(即线路部的形状)设为线圈的形状。
第1连结导体41呈直线状连接第1外部电极21与线圈之间，指的是在从层叠方向俯视时，构成第1连结导体41的导通孔导体33a彼此重叠，导通孔导体33a彼此也可以不是严格意义上呈直线状排列。
另外，第2连结导体42呈直线状连接第2外部电极22与线圈之间，指的是在从层叠方向俯视时，构成第2连结导体42的导通孔导体33f彼此重叠，导通孔导体33f彼此也可以不是严格意义上地呈直线状排列。此外，当在构成连结导体的导通孔导体连接有连接盘部的情况下，将除了连接盘部之外的形状(即导通孔导体的形状)设为连结导体的形状。
此外，图4以及图5所示的线圈导体呈反复图案成为圆形的形状，但也可以是反复图案成为四边形等多边形的线圈导体。
另外，图4以及图5所示的线圈导体不向层叠体的表面暴露，但线圈导体的局部也可以向层叠体的表面暴露。
但是，在线圈导体向层叠体的表面暴露的位置的表面优选设置有低介电常数层。
在从层叠方向俯视时，在线圈导体中，线路部的线宽优选为30μm以上且80μm以下，更加优选为30μm以上且60μm以下。在线路部的线宽小于30μm的情况下，存在线圈的直流电阻增大这种情况。在线路部的线宽大于80μm的情况下，线圈的电容增大，因此存在层叠型线圈部件的高频特性降低这种情况。
本实用新型的层叠型线圈部件优选在从层叠方向俯视时，连接盘部不位于比线路部的内周缘靠内侧，并且与线路部局部重叠。
若连接盘部位于比线路部的内周缘靠内侧处，则存在导致阻抗降低的情况。
另外，在从层叠方向俯视时，连接盘部的直径优选为线路部的线宽的1.05倍以上且1.3倍以下。
若连接盘部的直径不足线路部的线宽的1.05倍，则存在连接盘部与导通孔导体的连接变得不充分的情况。另一方面，若连接盘部的直径超过线路部的线宽的1.3倍，则由连接盘部引起的杂散电容增大，因此存在高频特性降低的情况。
从层叠方向俯视时的连接盘部的形状可以呈圆形状，也可以呈多边形状。在连接盘部的形状呈多边形状的情况下，将多边形的面积当量圆的直径设为连接盘部的直径。
在本实用新型的层叠型线圈部件中，在沿第1主面延伸的第1外部电极与层叠体之间设置有相对介电常数小于绝缘层的低介电常数层。
低介电常数层是相对介电常数小于构成层叠体的绝缘层的层，并配置于向层叠体的第1主面延伸的第1外部电极与层叠体之间。
如果在沿层叠体的第1主面延伸的第1外部电极与层叠体之间设置有低介电常数层，则能够减小在第1外部电极与层叠体之间产生的杂散电容，从而能够提高高频特性。
低介电常数层优选设置于向层叠体的第1主面延伸的第1外部电极与层叠体之间的整个面，以使第1外部电极与层叠体在层叠体的第1主面不接触。
若在沿层叠体的第1主面延伸的第1外部电极与层叠体之间的整个面设置有低介电常数层，则能够将在第1外部电极与层叠体之间产生的杂散电容形成最小限度，从而进一步有助于高频特性的提高。
参照图6、图7，对配置有低介电常数层的位置的其他的例子进行说明。
图6是示意性地表示本实用新型的层叠型线圈部件的其它的一个例子的剖视图。
在图6所示的层叠型线圈部件2中，低介电常数层50设置于向层叠体10的第1主面13延伸的第1外部电极21与层叠体10之间以及向层叠体10的第1主面13延伸的第2外部电极22与层叠体10之间。
在图6所示的层叠型线圈部件中，低介电常数层50设置于向层叠体10的第1主面13延伸的第1外部电极21以及第2外部电极22与层叠体10之间的整个面，以使向层叠体10的第1主面13延伸的外部电极不与层叠体10接触。
图7是示意性地表示本实用新型的层叠型线圈部件的又一其它的一个例子的剖视图。
在图7所示的层叠型线圈部件3中，低介电常数层50设置于层叠体10的第1主面13的整个面。因此，低介电常数层50设置于向层叠体10的第1主面13延伸的第1外部电极21与层叠体10之间以及向层叠体10的第1主面13延伸的第2外部电极22与层叠体10之间。
在本实用新型的层叠型线圈部件中，也可以是，第1外部电极以及第2外部电极分别从第1端面以及第2端面起延伸而覆盖第2主面的局部。
图8是示意性地表示本实用新型的层叠型线圈部件的又一其它的一个例子的剖视图。
在图8所示的层叠型线圈部件4中，第1外部电极21从第1端面11起延伸而覆盖第2主面14的局部，第2外部电极22从第2端面12延伸而覆盖第2主面14的局部。
低介电常数层50分别设置于在第1主面13延伸的外部电极(第1外部电极21以及第2外部电极22)与层叠体10之间以及在第2主面14延伸的外部电极(第1外部电极21以及第2外部电极22)与层叠体10之间。
在本实用新型的层叠型线圈部件中，安装面不被特别地限定，但优选作为供第1外部电极以及第2外部电极延伸的面的第1主面为安装面。
在第1主面上延伸设置有第1外部电极以及第2外部电极，因此安装性较高。另一方面，在延伸设置于第1主面的第1外部电极与层叠体之间产生的杂散电容增大，但在本实用新型的层叠型线圈部件中，在延伸设置于第1主面的第1外部电极与层叠体之间设置有低介电常数层，因此能够将产生的杂散电容抑制为最小限度，而提高高频特性。
此外，即便在第1主面不是安装面的情况下，也能够通过低介电常数层，抑制因外部电极在第1主面延伸而产生的杂散电容，因此高频特性优秀。
针对各线圈导体以及各连结导体的优选的尺寸的具体例，以下，划分成层叠型线圈部件1的尺寸为0603尺寸、0402尺寸、或者1005尺寸的情况，来进行说明。
(1)层叠型线圈部件1为0603尺寸的情况
·在从层叠方向俯视时，各线圈导体的内径(线圈直径)优选为50μm以上且100μm以下。
·各连结导体的长度尺寸优选为15μm以上且45μm以下，更加优选为15μm以上且30μm以下。
·各连结导体的宽度尺寸优选为30μm以上且60μm以下。
(2)层叠型线圈部件1为0402尺寸的情况
·在从层叠方向俯视时，各线圈导体的内径(线圈直径)优选为30μm以上且70μm以下。
·各连结导体的长度尺寸优选为10μm以上且30μm以下，更加优选为10μm以上且25μm以下。
·各连结导体的宽度尺寸优选为20μm以上且40μm以下。
(3)层叠型线圈部件1为1005尺寸的情况
·在从层叠方向俯视时，各线圈导体的内径(线圈直径)优选为80μm以上且170μm以下。
·各连结导体的长度尺寸优选为25μm以上且75μm以下，更加优选为25μm以上且50μm以下。
·各连结导体的宽度尺寸优选为40μm以上且100μm以下。
作为绝缘层所含的磁性材料，能够列举铁氧体材料。
作为铁氧体材料，优选为Ni－Zn－Cu系铁氧体材料。另外，铁氧体材料优选为，将Fe换算成Fe2O3则包含40mol％以上且49.5mol％以下，将Zn换算成ZnO则包含2mol％以上且35mol％以下，将Cu换算成CuO则包含6mol％以上且13mol％以下，将Ni换算成NiO则包含10mol％以上且45mol％以下。
此外，也可以是，在铁氧体材料中包含不可避免的杂质。
作为绝缘层所含的非磁性材料，能够列举含有Si以及Zn的氧化物材料(以下，也称为第1非磁性材料)。
作为这样的材料，为由通式aZnO·SiO2表示的材料，能够列举a的值，即Zn比Si的含量(Zn/Si)为1.8以上且2.2以下的材料。该材料是也被称为硅锌矿的材料。
另外，该材料进一步优选包含Cu，具体而言，也可以是Zn的一部分被Cu等不同种类金属置换而得的材料。
这样的材料能够通过调配为使氧化物原料(ZnO、SiO2、CuO等)成为规定的摩尔比，并以湿式进行混合粉碎后，在1000℃以上且1300℃以下进行预烧而制作。
另外，作为绝缘层所含的其它非磁性材料，能够列举包括向包含Si、K、B的玻璃材料添加填料而得的材料，填料包括从由石英和氧化铝构成的组中选择的至少1种材料(以下，也称为第2非磁性材料)。
玻璃材料优选为，将Si换算成SiO2则包含70重量％以上且85重量％以下，将B换算成B2O3则包含10重量％以上且25重量％以下，将K换算成K2O则包含0.5重量％以上且5重量％以下，将Al换算成Al2O3则包含0重量％以上且5重量％以下的材料。
这样的材料能够将玻璃与填料混合而制作。
例如，能够通过相对于玻璃100重量份，在40重量份以上且60重量份以下的范围内混合作为填料的石英，在0重量份以上且10重量份以下的范围内混合氧化铝来制作。
作为铁氧体材料与非磁性材料的组合，可以将铁氧体材料与第1非磁性材料组合，也可以将铁氧体材料与第2非磁性材料组合。
另外，也可以将铁氧体材料与第1非磁性材料以及第2非磁性材料组合。
优选铁氧体材料与第1非磁性材料的组合。
绝缘层所含的非磁性材料的比例发生变化，故绝缘层的相对介电常数发生变化。
绝缘层的相对介电常数εr1优选为12以上且20以下。
低介电常数层是相对介电常数小于绝缘层的层，至少包含非磁性材料。作为低介电常数层所含的非磁性材料，能够使用绝缘层所含的第1非磁性材料以及第2非磁性材料，从而优选使用第1非磁性材料。
除了非磁性材料之外，低介电常数层也可以包含磁性材料。
作为低介电常数层所含的磁性材料，能够列举与绝缘层所含的磁性材料相同的磁性材料。
低介电常数层的相对介电常数εr2优选为5以上且10以下。
低介电常数层优选由包含磁性材料与非磁性材料的复合材料构成。
非磁性材料包含含有Si和Zn的氧化物材料，上述氧化物材料的Zn比Si的含量(Zn/Si)通过摩尔比换算则更加优选为1.8以上且2.2以下。
作为使低介电常数层的相对介电常数εr2小于绝缘层的相对介电常数εr1的方法，能够列举使低介电常数层的非磁性材料的比例大于绝缘层的非磁性材料的比例这种方法。
低介电常数层的厚度不被特别地限定，但优选为10μm以上且15μm以下。
在本实用新型的层叠型线圈部件中，也可以在沿第1主面延伸的第2外部电极与层叠体之间设置有低介电常数层。
另外，也可以在层叠体的第1主面中的未设置第1外部电极以及第2外部电极的部分设置有低介电常数层。
[层叠型线圈部件的制造方法]
对本实用新型的层叠型线圈部件的制造方法的一个例子进行说明。
首先，制作成为绝缘层的陶瓷生片。
例如，向磁性材料以及非磁性材料加入聚乙烯醇缩丁醛系树脂等有机粘合剂、乙醇、甲苯等有机溶剂以及分散剂等并进行混炼，形成浆液状。之后，通过刮板涂装法等方法，获得厚度12μm左右的陶瓷生片。
作为磁性材料的铁氧体材料，例如能够使用通过将铁、镍、锌以及铜的氧化物原料混合并以800℃预烧1个小时之后，通过球磨机进行粉碎，并进行干燥，由此平均粒径约为2μm的Ni－Zn－Cu系铁氧体材料(氧化物混合粉末)。
另外，铁氧体材料优选为，将Fe换算成Fe2O3则包含40mol％以上且49.5mol％以下，将Zn换算成ZnO则包含2mol％以上且35mol％以下，将Cu换算成CuO则包含6mol％以上且13mol％以下，将Ni换算成NiO则包含10mol％以上且45mol％以下。
作为非磁性材料，能够使用含有Si和Zn的氧化物材料(上述第1非磁性材料)。
这样的材料能够通过调配为使氧化物原料(ZnO、SiO2、CuO等)成为规定的摩尔比，并以湿式进行混合粉碎后，在1000℃以上且1300℃以下进行预烧而制作。
另外，作为非磁性材料，能够使用包括向包含Si、K、B的玻璃材料中添加填料而成的材料，填料包括从由石英和氧化铝构成的组中选择的至少1种材料(上述的第2非磁性材料)。
玻璃材料优选为，将Si换算成SiO2则包含70重量％以上且85重量％以下，将B换算成B2O3则包含10重量％以上且25重量％以下，将K换算成K2O则包含0.5重量％以上且5重量％以下，将Al换算成Al2O3则包含0重量％以上且5重量％以下的材料。
这样的材料能够通过将玻璃与填料混合而制作。
例如，能够通过相对于玻璃100重量份，在40重量份以上且60重量份以下的范围内混合作为填料的石英，在0重量份以上且10重量份以下的范围混合氧化铝来制作。
对制作出来的陶瓷生片实施规定的激光加工，形成直径20μm以上且30μm以下这种程度的导通孔。在具有导通孔的特定的片材上使用Ag糊料，向导通孔中进行填充，另外，对具有11μm左右的厚度的规定的导体图案(线圈导体)进行丝网印刷，进行干燥，由此获得线圈片材。
按规定的顺序层叠线圈片材，以在单片化之后在与安装面平行的方向上具有卷绕轴线(线圈轴线)的线圈形成于层叠体的内部。另外，将形成有成为连结导体的导通孔导体的通路片材上下层叠。
在对层叠体进行热压接而获得压接体之后，进行切断，以成为规定的贴片件尺寸，而获得单片化的贴片件。对于单片化的贴片件，也可以进行旋转滚磨，而对角部以及棱线部赋予规定的弧度。
接着，制作成为低介电常数层的低介电常数陶瓷生片。
除了调整磁性材料以及非磁性材料的混合比，使低介电常数陶瓷生片的相对介电常数小于成为绝缘层的陶瓷生片的相对介电常数之外，通过与制作陶瓷生片的顺序相同的顺序，制作低介电常数陶瓷生片。
在将获得的低介电常数陶瓷生片粘贴于单片化了的贴片件中的、成为第1主面的面上之后，以规定的温度、时间实施脱粘合剂以及烧制，由此获得在内部内置线圈，并且在第1主面具有低介电常数层的烧制体(层叠体)。
此外，在按上述顺序获得的层叠体的第1主面已经设置有低介电常数层，但也可以没有在实施脱粘合剂以及烧制的贴片件(层叠体)的表面粘贴低介电常数陶瓷生片，在对单片化了的贴片件进行脱粘合剂以及烧制来获得层叠体之后，在该层叠体的第1主面粘贴低介电常数陶瓷生片，针对每个低介电常数陶瓷生片进行脱粘合剂以及烧制，由此获得具备低介电常数层的层叠体。
低介电常数陶瓷生片可以粘贴于层叠体的第1主面的整个面，也可以仅粘贴于形成第1外部电极的区域，也可以粘贴于形成第1外部电极的区域以及形成第2外部电极的区域双方。
另外，也可以是，代替将低介电常数陶瓷生片粘贴于层叠体的第1主面这种方法，而使用将用于制作低介电常数陶瓷生片的浆液涂覆于层叠体的第1主面，并进行干燥、烧制的方法。
使贴片件倾斜浸渍于将Ag糊料延长为规定的厚度所得到的层，并进行烧制，由此在层叠体的4个面(主面、端面以及两侧面)上形成外部电极的基底电极。此时，形成基底电极，并使第1主面与上述糊料接触，由此在低介电常数层的表面也形成基底电极。
在上述的方法中，与在层叠体的主面、端面分2次形成基底电极的情况相比，能够通过1次形成基底电极。
若使用使贴片件垂直地浸渍于将Ag糊料延长为规定的厚度而得到的层中这种方法，则能够在层叠体的5个面(除了各端面之外，为邻接的主面以及侧面的4个面)上形成外部电极的基底电极。
对于基底电极，通过镀敷，依次形成规定的厚度的Ni覆膜以及Sn覆膜，而形成外部电极。
在层叠体的第1主面与基底电极之间设置有低介电常数层，因此在通过上述工序形成的外部电极与层叠体的第1主面之间设置有低介电常数层。
据此，能够制作本实用新型的层叠型线圈部件。
图9的(A)、图9的(B)、图9的(C)、图9的(D)、图9的(E)、图9的(F)、图9的(G)以及图10～图13表示制造本实用新型的层叠型线圈部件的方法的其他的一个例子。
图9的(A)、图9的(B)、图9的(C)、图9的(D)、图9的(E)、图9的(F)、图9的(G)是示意性地表示为了获得主层叠体而被层叠的线圈片材的一个例子的俯视图，图10是示意性地表示切断将图9的(A)、图9的(B)、图9的(C)、图9的(D)、图9的(E)、图9的(F)以及图9的(G)所示的线圈片材层叠而获得的主层叠体而得的层叠体的一个例子的分解立体图。
在图9的(A)、图9的(B)、图9的(C)、图9的(D)、图9的(E)、图9的(F)以及图9的(G)中，示出了用于切断所获得的主层叠体的切断线154、155。
在图9的(A)、图9的(B)、图9的(C)、图9的(D)、图9的(E)、图9的(F)、图9的(G)中，在应该成为构成图10所示的层叠体30的绝缘层51a、51b、51c、51d、51e、51f以及51g的绝缘片材151a、151b、151c、151d、151e、151f以及151g分别形成有导通孔导体53a、53b、53c、53d、53e、53f以及53g。
另外，在应成为绝缘层51b、51c、51d、51e以及51f的绝缘片材151b、151c、151d、151e以及151f上分别形成有线圈导体图案152b、152c、152d、152e以及152f。
线圈导体图案152b～152f在邻接的层叠体中分别设置于绝缘片材151b～151f上，并使线圈导体彼此分离。
将上述的绝缘片材层叠起来的结果是，能够获得包含被层叠的多个绝缘片材、设置于绝缘片材之间的多个线圈导体图案、沿层叠方向贯通绝缘片材的1个以上导通孔导体的主层叠体。
通过切割器等切断所获得的主层叠体，由此分割成处于未烧制的状态的多个层叠体。
图10是示意性地表示将主层叠体切断而得的层叠体的一个例子的分解立体图。
沿着切断线154、155切断主层叠体，由此分割成9个层叠体。实际上，分割成更多的层叠体。
各层叠体30通过将设置于层叠的多个绝缘层51a～51g之间的多个线圈导体52b～52f与沿层叠方向贯通绝缘层51a～51g的1个以上导通孔导体53a～53g连接，而构成线圈。
在绝缘层51b、51c、51d、51e以及51f的主面上分别设置有线圈导体52b、52c、52d、52e以及52f。线圈导体52b～52f呈带拐角的U字型，并具有3/4匝的长度。
图11是示意性地表示图10所示的层叠体中的线圈导体的样子的透视立体图。如图11所示，在层叠体30内部，线圈导体52b、52c、52d、52e以及52f被导通孔导体53b、53c、53d以及53e相互连接，而形成线圈。
另外，如图9以及图11所示，层叠体30的第1主面13以及第2主面14是因沿着切断线155的切断而出现的面，层叠体30的第1侧面15以及第2侧面16是因沿着切断线154的切断而出现的面。线圈导体52b～52f在层叠体30的第1主面13、第2主面14、第1侧面15或者第2侧面16暴露。另外，导通孔导体53a在层叠体30的第1端面11暴露，导通孔导体53g在层叠体30的第2端面12暴露。
图12是示意性地表示在图10所示的层叠体配置低介电常数层的情况下的一个例子的立体图，图13是示意性地表示在图12所示的层叠体设置外部电极的情况下的一个例子的立体图。
如图12所示，在层叠体30的第1主面13、第2主面14、第1侧面15以及第2侧面上粘贴低介电常数陶瓷生片，进一步进行烧制，由此能够获得在层叠体30的第1主面13、第2主面14、第1侧面15以及第2侧面16上形成有低介电常数层50的构造体110。另外，形成第1外部电极21以及第2外部电极22，以从层叠体30的第1端面11以及第2端面12起向第1主面13、第2主面14、第1侧面15以及第2侧面16延伸，由此能够获得图13所示的层叠型线圈部件5。
第1外部电极21分别从层叠体30的第1端面11起向第1主面13、第2主面14、第1侧面15以及第2侧面16的局部延伸，第2外部电极22分别从层叠体30的第2端面12起向第1主面13、第2主面14、第1侧面15以及第2侧面16延伸。
在层叠型线圈部件5中，在层叠体30的第1主面13的整个面上设置有低介电常数层50，因此在在层叠体30的第1主面13延伸的第1外部电极21以及第2外部电极22与层叠体30之间分别配置有低介电常数层50。

Claims (7)

1.一种层叠型线圈部件，其特征在于，具备：
层叠体，其通过多个绝缘层在长度方向层叠而成，并在内部内置线圈；和
第1外部电极以及第2外部电极，它们电连接于所述线圈，
所述线圈是通过将与所述绝缘层一同在所述长度方向层叠起来的多个线圈导体电连接而成的，
所述层叠体具有在所述长度方向上相对的第1端面以及第2端面、在与所述长度方向正交的高度方向上相对的第1主面以及第2主面、在与所述长度方向以及所述高度方向正交的宽度方向上相对的第1侧面以及第2侧面，
所述第1外部电极延伸而覆盖所述第1端面的至少局部与所述第1主面的局部，
所述第2外部电极延伸而覆盖所述第2端面的至少局部与所述第1主面的局部，
所述层叠体的层叠方向和所述线圈的线圈轴向平行于所述第1主面，
在沿所述第1主面延伸的所述第1外部电极与所述层叠体之间，设置有相对介电常数小于所述绝缘层的低介电常数层。
2.根据权利要求1所述的层叠型线圈部件，其特征在于，
在沿所述第1主面延伸的所述第2外部电极与所述层叠体之间设置有所述低介电常数层。
3.根据权利要求2所述的层叠型线圈部件，其特征在于，
在所述层叠体的所述第1主面的整个面设置有所述低介电常数层。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠型线圈部件，其特征在于，
所述第1主面为安装面。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠型线圈部件，其特征在于，
所述绝缘层的相对介电常数εr1为12以上且20以下，
所述低介电常数层的相对介电常数εr2为5以上且10以下。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠型线圈部件，其特征在于，
所述低介电常数层由包含磁性材料与非磁性材料的复合材料构成。
7.根据权利要求6所述的层叠型线圈部件，其特征在于，
所述非磁性材料包含含有Si和Zn的氧化物材料，
Zn比Si的含量Zn/Si通过摩尔比换算则为1.8以上且2.2以下。
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