CN210516746U - 发光元件 - Google Patents

发光元件 Download PDF

Info

Publication number
CN210516746U
CN210516746U CN201921681432.8U CN201921681432U CN210516746U CN 210516746 U CN210516746 U CN 210516746U CN 201921681432 U CN201921681432 U CN 201921681432U CN 210516746 U CN210516746 U CN 210516746U
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
light emitting
lec
substrate
blocking film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201921681432.8U
Other languages
English (en)
Inventor
李贞勋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seoul Viosys Co Ltd
Original Assignee
Seoul Viosys Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seoul Viosys Co Ltd filed Critical Seoul Viosys Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN210516746U publication Critical patent/CN210516746U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本实用新型提供一种发光元件。发光元件包括：基板，具有第一面及与第一面相对的第二面；多个发光单元，布置于基板的第一面上；以及阻光膜，在多个发光单元之间填充从第一面及第二面中的至少一个向基板内部延伸的凹陷部的至少一部分。

Description

发光元件
技术领域
本实用新型涉及一种发光元件，尤其涉及一种包括多个发光单元的发光元件。
背景技术
发光二极管作为无机光源，被广泛用于显示装置、车辆用灯具、一般照明等多种领域。发光二极管具有寿命长、功耗低且响应速度快的优点，因此正快速地替代现有光源。
最近，发光二极管逐渐被轻薄小巧化，以用作包括移动电话在内的各种显示装置的背光源，进而出现颜色在相邻的发光单元之间被混合等问题。
实用新型内容
本实用新型要解决的课题在于提供一种防止颜色混合而颜色再现性优异的发光元件。
本实用新型要解决的技术问题并不局限于以上提到的技术问题，未提到的其他技术问题能够通过下文的记载而被本领域技术人员明确地理解。
为了达成要解决的课题，根据本实用新型的实施例的发光元件包括：基板，具有第一面及与所述第一面相对的第二面；多个发光单元，布置于所述基板的第一面上；以及阻光膜，在多个所述发光单元之间填充从所述第一面及第二面中的至少一个向所述基板内部延伸的凹陷部的至少一部分。
根据实施例，所述发光单元中的至少一个可以具有垂直层叠的第一发光部、第二发光部及第三发光部。
进而，所述发光元件还可以包括布置于至少一个所述发光单元上的公共垫、第一垫至第三垫，所述公共垫可以共同电连接于所述第一发光部、第二发光部及第三发光部，所述第一垫、第二垫及第三垫分别电连接于所述第一发光部、第二发光部及第三发光部。
根据实施例，所述阻光膜可以由Ti、Ni、Al、Ag、Cr、光刻胶、环氧、聚二甲基硅氧烷或黑矩阵构成。
根据实施例，所述阻光膜可以布置于所述基板的第一面，并且在所述基板的第一面上填充所述发光单元之间，从而具有与各个所述发光单元的上部面相同的上部面
根据实施例，所述发光元件还可以包括：垫，布置于所述阻光膜上，并且与各个所述发光单元电连接。
根据实施例，所述发光元件还可以包括：绝缘膜，布置于所述阻光膜上；贯通电极，贯通所述绝缘膜及所述阻光膜而与各个所述发光单元电连接；以及垫，布置于所述绝缘膜上，并且与所述贯通电极电连接。
根据实施例，所述凹陷部可以包括：第一凹陷部，从所述基板的第一面向所述基板内部延伸；以及第二凹陷部，从所述基板的第二面向所述基板内部延伸，所述阻光膜包括：第一阻光膜，填充所述第一凹陷部的至少一部分；以及第二阻光膜，填充所述第二凹陷部的至少一部分。
根据实施例，所述第一阻光膜的基板内端部与所述第二阻光膜的基板内端部可以相互重叠。
根据实施例，所述第一阻光膜可以包括沿第一方向延伸的垂直部以及沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的水平部，所述第一阻光膜的所述垂直部及所述水平部相互交叉，所述第二阻光膜包括沿所述第一方向延伸且相互平行的多个垂直部以及沿所述第二方向延伸的多个水平部，所述第二阻光膜的所述多个垂直部的每一个与所述多个水平部的每一个相互交叉。
根据实施例，在所述第二阻光膜的多个垂直部之间可以布置有所述第一阻光膜的垂直部，在所述第二阻光膜的多个水平部之间布置有所述第一阻光膜的水平部。
根据实施例，所述基板可以包括布置多个所述发光单元的单元区域以及除了所述单元区域之外的周围区域，各个所述单元区域分别包括通过所述第一阻光膜及所述第二阻光膜定义的出光区域，各个所述出光区域小于各个所述单元区域。
根据实施例，在各个所述出光区域可以具有凹凸结构。
根据实施例，所述阻光膜可以布置于所述基板的第二面，并且所述出光元件还包括贯通所述基板并将所述阻光膜与所述发光单元电连接的贯通电极。
根据实施例，所述阻光膜可以由Ti、Ni、Al、Ag或Cr构成。
根据实施例，所述发光元件还可以包括：垫，布置于所述基板的第一面与所述发光单元之间，并且与所述发光单元电连接。
根据实施例，所述基板可以包括布置多个所述发光单元的单元区域以及除了所述单元区域之外的周围区域，所述单元区域分别包括通过所述阻光膜定义的出光区域，各个所述出光区域小于各个所述单元区域。
根据实施例，在各个所述出光区域可以具有凹凸结构。
根据实施例，从截面上看，所述凹陷部可以包括“V”字形结构、所述基板的第一面或第二面开放的多边形结构以及“U”字形结构中的一种。
根据实施例，所述阻光膜可以填充所述凹陷部的至少一部分并沿所述基板的第一面或第二面延伸。
其他实施例的具体事项包含在具体实施方式以及附图中。
对于根据本实用新型的实施例的发光元件而言，在包括多个发光单元的基板形成凹陷部，并且布置填充凹陷部的至少一部分的阻光膜，从而从相邻的发光单元发出的光分别被阻光膜阻断、吸收或反射而相互不造成影响，进而防止颜色混合等问题，因此能够提高发光元件的颜色再现性。
并且，将阻光膜布置于基板的两面，从而能够防止包括较薄的基板的发光元件由于外部冲击而损伤。
对布置各个发光单元的单元区域的一部分进行阻光而将出光区域形成为小于单元区域，从发光单元穿过出光区域的光更集中而射出，从而能够提高发光元件的对比度。
附图说明
图1a是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光元件的平面图。
图1b是将图1a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。
图1c是放大图1b的发光元件的凹陷部的图。
图1d至图1f是图1c的凹陷部的变形例。
图2a至图2d是用于说明根据本实用新型的实施例的阻光膜的结构的剖视图。
图3a是用于说明根据本实用新型的另一实施例的发光元件的平面图。
图3b是沿图3a的A-A'截取的剖视图。
图4a是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图。
图4b是将图4a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。
图5a是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图。
图5b是将图5a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。
图6a是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图。
图6b是将图6a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。
图7a及图7b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图。
图7c是将图7a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。
图8a及图8b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图。
图8c是将图8a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。
图9a及图9b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图。
图9c是将图9a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。
图10a及图10b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图。
图10c是将图10a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。
图11a是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图。
图11b是将图11a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。
图12a、图13a、图14a、图15a及图16a是用于说明制造根据本实用新型的一实施例的发光元件的方法的平面图。
图12b、图13b、图14b、图15b及图16b分别是将图12a、图13a、图14a、图15a及图16a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。
图17a、图18a及图19a是用于说明根据本实用新型的另一实施例的发光元件的制造方法的平面图。
图17b、图18b及图19b分别是将图17a、图18a及图19a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。
具体实施方式
为了充分理解本实用新型的构成及效果，参照附图对本实用新型的优选实施例进行说明。然而，本实用新型并不局限于以下公开的实施例，可以实现为多种形态，并且能够进行多样的变更。
并且，在本实用新型的实施例中使用的术语除非被另外定义，否则可以被解释为对相应技术领域中具有通常知识的人员通常所知晓的含义。
以下，参照附图对根据本实用新型的实施例的发光元件进行详细说明。
图1a是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光元件的平面图，图1b是将图1a的发光元件沿A-A'截取的剖视图，图1c是放大图1b的发光元件的凹陷部106的图，图1d至图1f是图1c的凹陷部106的变形例。
参照图1a至图1c，发光元件可以包括基板100以及布置于基板100上的多个发光单元LEC_1、LEC_2。
基板100作为能够使氮化镓系半导体层生长的基板100，可以包括蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铝(AlN)、氧化镓(Ga2O3)、砷化镓(GaAs)或硅(Si)。并且，基板100可以是柔性(flexible)基板或者形成有电路的基板。
基板100可以包括布置发光单元LEC_1、LEC_2的第一面102和与第一面102相对的第二面104。基板100的第二面104可以是从发光单元LEC_1、LEC_2发出的光的出光面。
根据一实施例，基板100可以具有尽可能薄的厚度。基板100有可能发挥使从发光单元LEC_1、LEC_2发出的光能够移动的导光板的功能，从而为了丧失这样的导光板的功能而可以具有尽可能薄的厚度。例如，基板100可以具有约80至200μm的厚度。
在基板100的第一面102可以通过对基板100进行蚀刻而形成从第一面102向内部延伸的凹陷部106。凹陷部106可以包括沿第一方向DR1延伸的垂直部VL和沿与第一方向DR1垂直的第二方向DR2延伸的水平部HL。垂直部VL及水平部HL可以相互交叉。
参照图1c，凹陷部106可以具有包括从基板100的第一面102向基板100内部一点聚集的两条边的“V”字形结构。凹陷部106的深度DT可以是基板100的厚度DT_S的1/3至2/3。作为一例，当基板100具有80μm至100μm的厚度DT_S时，凹陷部106可以具有25μm至70μm的深度DT。并且，凹陷部106的两条边之间的最大宽度WT可以是20μm至30μm。凹陷部106的两条边之间的角度β可以是40度至80度。
凹陷部106不仅可以具有“V”字形结构，而且可以具有多样的结构。参照图1d，凹陷部106可以包括从基板100的第一面102向内部延伸且相互平行的两个垂直面和连接垂直面之间的水平面。从截面上看，凹陷部106可以具有与基板100的第一面102相对应的面“开放的四边形(open square)”结构。参照图1e，凹陷部106可以包括从基板100的第一面102向内部延伸且相互平行的两个垂直面和聚集到两个垂直面之间的交点的两个面。从截面上看，凹陷部106可以具有与基板100的第一面102相对应的面“开放的五边形(open pentagon)”结构。参照图1f，凹陷部106从基板100的第一面102向内部延伸且具有曲面，从截面上看，可以具有“U”字结构。这些实施例中所述的凹陷部106的结构为示意性的，凹陷部106可以是多样的，在本实用新型中，凹陷部106的结构并不局限于此。
在凹陷部106内部可以布置有在凹陷部106的至少一部分形成的阻光膜140。阻光膜140可以在相邻的两个发光单元LEC_1、LEC_2之间，例如第一发光单元LEC_1及第二发光单元LEC_2之间将在第一发光单元LEC_1发出的光向第一发光单元LEC_1方向反射或者进行阻断或吸收，以防止在第一发光单元LEC_1发出的光对第二发光单元LEC_2造成影响。同样，可以将在第二发光单元LEC_2发出的光向第二发光单元LEC_2方向反射或者进行阻断或吸收，以防止在第二发光单元LEC_2发出的光对第一发光单元LEC_1造成影响。例如，阻光膜140可以包括Ti、Ni、Al、Ag、Cr等金属，或者可包括光刻胶(photoresist)、环氧(epoxy)、聚二甲基硅氧烷(PDMS：polydimethylsiloxane)及黑矩阵(black matrix)等物质。
以下，对阻光膜140的结构进行详细说明，在此，以形成于图1c所示的凹陷部106的阻光膜140为例进行说明。
图2a至图2d是用于说明根据本实用新型的实施例的阻光膜的结构的剖视图。
参照图2a，阻光膜140可以不完全地填满凹陷部106，而是沿凹陷部106的内侧壁连续且共形地(comformally)形成。参照图2b，阻光膜140可以不完全地填充凹陷部106，而是在凹陷部106的内侧壁上共形地形成，并向基板100的第一面102上延伸，进而覆盖基板100的第一面102的至少一部分。参照图2c，阻光膜140可以埋设凹陷部106并在与基板100的第一面102相同的平面具有上部面。参照图2d，阻光膜140可以埋设凹陷部106，并向基板100的第一面102上延伸而覆盖基板100的第一面102的至少一部分。
在本实施例中以凹陷部106是图1c所示的凹陷部106结构为例进行说明，但是也可以相同地应用于图1d至图1f所示的凹陷部106结构，因此省略其详细说明。
参照图1a及图1b，发光单元LEC_1、LEC_2可以在基板100上间隔一距离而布置。发光单元LEC_1、LEC_2的间隔距离可以根据贴装发光元件的装置而进行变更。
根据一实施例的发光单元LEC_1、LEC_2分别可以具有105度至150度的指向角α。如上所述，发光单元LEC_1、LEC_2之间的间隔距离可以根据贴装发光单元LEC_1、LEC_2的装置而变化。因此，在具有105度至150度的指向角α的第一发光单元LEC_1与第二发光单元LEC_2之间，在基板100布置有形成有阻光膜140的凹陷部106，而且凹陷部106可布置在由第一发光单元LEC_1(或第二发光单元LEC_2)发出的光能够被阻光膜140反射、阻断或吸收而不对第二发光单元LEC_2(或第一发光单元LEC_1)造成影响的位置。
另外，布置于基板100上的多个发光单元LEC_1、LEC_2可以是一次贴装于目标装置的单位。作为一例，在基板100上形成有四个发光单元LEC_1、LEC_2的发光元件可以通过一次的工序将四个发光单元LEC_1、LEC_2贴装于目标装置。在本实施例中以四个发光单元LEC_1、LEC_2为例进行了说明，但是在本实用新型中发光元件内发光单元LEC_1、LEC_2的数量并不局限于此。
发光单元LEC_1、LEC_2分别可以包括第一导电型半导体层110、活性层112、第二导电型半导体层114及欧姆层116。第一导电型半导体层110可以是包括掺杂有Si的氮化镓系半导体层的n型半导体层。第二导电型半导体层114可以是包括掺杂有Mg的氮化镓系半导体层的p型半导体层。与此不同，第一导电型半导体层110可以是p型半导体层，第二导电型半导体层114可以是n型半导体层。活性层112可以包括多量子阱结构(Multi Quantum Well：MQW)，并且可以确定其组成比以发出所期望的峰值波长的光。欧姆层116可以使用ZnO(ZincOxide，氧化锌)、ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)、ZITO(Zinc-doped Indium TinOxide，掺杂锌的氧化锌铟)、ZIO(Zinc Indium Oxide，氧化铟锌)、GIO(Gallium IndiumOxide，氧化镓铟)、ZTO(Zinc Tin Oxide，氧化锌锡)、FTO(Fluorine-doped Tin Oxide，掺杂氟的氧化锡)、GZO(Gallium-doped Zinc Oxide，掺杂镓的氧化锌)、AZO(Aluminum-dopedZinc Oxide，掺杂铝的氧化锌)等透明氧化物层(Transparent Conductive Oxide：TCO)。
并且，发光单元LEC_1、LEC_2分别还可以包括与第一导电型半导体层110电连接的第一垫120以及与欧姆层116电连接的第二垫130。第一垫120及第二垫130分别可以包括从由Au、Ti、Ni、Cr及Al构成的组中选择的至少一种。
图3a是用于说明根据本实用新型的另一实施例的发光元件的示意性平面图，图3b是沿图3a的A-A'截取的剖视图。
参照图3a及图3b，根据本实施例的发光元件与参照图1a及图1b所述的发光元件大致相似，但是差异在于发光单元LEC_1、LEC_2分别包括垂直层叠的(vertically stacked)第一发光部LEC_1_1、LEC_2_1、第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2及第三发光部LEC_1_3、LEC_2_3。以下，为了避免重复，针对差异点进行说明。在基板100的第二面104为出光面的情况下，第一发光部LEC_1_1、LEC_2_1可以发出波长最短的光，第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2发出波长大于从第一发光部LEC_1_1、LEC_2_1发出的光并小于从第三发光部LEC_1_3、LEC_2_3发出的光的光，第三发光部LEC_1_3、LEC_2_3发出波长最长的光。例如，第一发光部LEC_1_1、LEC_2_1可以发出蓝色光，第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2发出绿色光，第三发光部LEC_1_3、LEC_2_3发出红色光。但是，本公开并不局限于此。例如，第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2可以相比于第一发光部LEC_1_1、LEC_2_1发出短波长的光。第一发光部LEC_1_1、LEC_2_1可以包括第一n型半导体层、第一活性层、第一p型半导体层及第一欧姆层。第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2可以包括第二n型半导体层、第二活性层、第二p型半导体层及第二欧姆层。第三发光部LEC_1_3、LEC_2_3可以包括第三n型半导体层、第三活性层、第三p型半导体层及第三欧姆层。第一n型半导体层、第二n型半导体层及第三n型半导体层分别可以是掺杂有Si的氮化镓系半导体层。第一p型半导体层、第二p型半导体层及第三p型半导体层分别可以是掺杂Mg的氮化镓系半导体层。第一活性层、第二活性层及第三活性层分别可以包括多量子阱结构，并且可以确定其组成比以发出所期望的峰值波长的光。第一欧姆层、第二欧姆层及第三欧姆层分别可以使用ZnO(Zinc Oxide，氧化锌)、ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)、ZITO(Zinc-doped Indium Tin Oxide，掺杂锌的氧化锌铟)、ZIO(Zinc Indium Oxide，氧化铟锌)、GIO(Gallium Indium Oxide，氧化镓铟)、ZTO(Zinc Tin Oxide，氧化锌锡)、FTO(Fluorine-doped Tin Oxide，掺杂氟的氧化锡)、GZO(Gallium-doped Zinc Oxide，掺杂镓的氧化锌)、AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide，掺杂铝的氧化锌)等透明氧化物层(Transparent Conductive Oxide：TCO)。
发光单元LEC_1、LEC_2分别还可以包括将第一欧姆层、第二欧姆层及第三欧姆层(未图示)一同电连接的公共垫120a、与第一n型半导体层电连接的第一垫120b、与第二n型半导体层电连接的第二垫120c以及与第三n型半导体层电连接的第三垫120d。与此不同，发光单元LEC_1、LEC_2分别还可以包括将第一n型半导体层、第二n型半导体层及第三n型半导体层一同电连接的公共垫120a、与第一欧姆层电连接的第一垫120b、与第二欧姆层电连接的第二垫120c以及与第三欧姆层电连接的第三垫120d。
作为一例，在发光单元分别包括垂直层叠的第一发光部LEC_1_1、LEC_2_1、第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2及第三发光部LEC_1_3、LEC_2_3的情况下，第三发光部LEC_1_3、LEC_2_3可以使第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2的至少一部分暴露，第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2可以使第一发光部LEC_1_1、LEC_2_1的至少一部分暴露，从而使公共垫120a、第一垫120b、第二垫120c及第三垫120d分别与第一发光部LEC_1_1、LEC_2_1、第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2及第三发光部LEC_1_3、LEC_2_3电连接。在这种情况下，第三发光部LEC_1_3、LEC_2_3可以比第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2小，第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2可以比第一发光部LEC_1_1、LEC_2_1小。
作为另一例，第一发光部LEC_1_1、LEC_2_1、第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2及第三发光部LEC_1_3、LEC_2_3可以分别具有相同的尺寸，发光单元LEC_1、LEC_2分别可以还包括使公共垫120a、第一垫120b、第二垫120c及第三垫120d分别与第一发光部LEC_1_1、LEC_2_1、第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2及第三发光部LEC_1_3、LEC_2_3电连接的多个过孔结构物(未图示)。
作为又一例，第一发光部LEC_1_1、LEC_2_1及第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2可以分别具有相同的尺寸，第三发光部LEC_1_3、LEC_2_3使第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2的至少一部分暴露，从而使公共垫120a、第一垫120b、第二垫120c及第三垫120d分别与第一发光部LEC_1_1、LEC_2_1、第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2及第三发光部LEC_1_3、LEC_2_3电连接。此时，第一发光部LEC_1_1、LEC_2_1及第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2与公共垫120a、第一垫120b及第二垫120c可以通过多个过孔结构物(未图示)电连接。
在本实施例中，凹陷部106及阻光膜140不仅可以采用参照图1a至图1f所述的构成，参照图2a至图2d所述的构成也可以相似地进行采用。
在本实施例中，虽然对三个发光部垂直层叠的情形进行说明，但是并不局限于此，也可以是两个发光部或四个以上的发光部垂直层叠。
进而，布置于基板100上的发光单元可以全部具有垂直层叠的发光部，但是本实施例并不局限于此，一部分发光单元也可以具有单个发光部。
并且，在本实施例中所述的垂直层叠的发光部也可以应用于后文中说明的多样的实施例的发光单元。
图4a是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图，图4b是将图4a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。图5a是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图，图5b是将图5a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。
参照图4a、图4b、图5a及图5b，发光元件可以包括基板100以及布置于基板100上的多个发光单元LEC_1、LEC_2。
基板100可以包括布置发光单元LEC_1、LEC_2的第一面102和与第一面102相对的第二面104。在基板100的第一面102可以形成有从第一面102向内部延伸的凹陷部106。基板100及凹陷部106与在图1a及图1b中所述的情形实质相同，因此省略其详细说明。
虽然未详细图示，但是凹陷部106的结构可以具有图1c至图1f所述的凹陷部106的结构。本实用新型的凹陷部106的结构并不局限于以上的结构。
发光单元LEC_1、LEC_2可以在基板100的第一面102上间隔一距离而布置。在本实施例中，发光单元LEC_1、LEC_2分别可以包括垂直层叠的第一导电型半导体层110、活性层112、第二导电型半导体层114、欧姆层116、与第一导电型半导体层110电连接的第一垫120、与欧姆层116电连接的第二垫130。
阻光膜140可以填充凹陷部106并在第一面102上覆盖发光单元LEC_1、LEC_2而布置。在这种情况下，阻光膜140可以包括光刻胶、环氧、聚二甲基硅氧烷(PDMS)及黑矩阵(black matrix)等绝缘物质。
根据一实施例，发光单元LEC_1、LEC_2的各个活性层112发出的光向活性层112上下左右四方发出，其中，阻光膜140可以布置于发光单元LEC_1、LEC_2之间而防止光混合。若更具体地进行说明，则在基板100的第一面102上部，阻光膜140可以布置于相邻的发光单元LEC_1、LEC_2之间，例如第一发光单元LEC_1及第二发光单元LEC_2之间，从而第一发光单元LEC_1的活性层112发出的光向基板100的第一面102方向照射而不对第二发光单元LEC_2造成影响，而第二发光单元LEC_2的活性层112发出的光向基板100的第一面102方向照射而不对第一发光单元LEC_1造成影响。向基板100照射的第一发光单元LEC_1的光和第二发光单元LEC_2的光分别可以在基板100内向四方照射，但是第一发光单元LEC_1的光和第二发光单元LEC_2的光分别可以在填充凹陷部106的阻光膜140被反射、阻断或吸收，从而不对彼此造成影响。
并且，阻光膜140形成为填充凹陷部106并覆盖发光单元LEC_1、LEC_2，从而能够防止较薄的基板100由于外部冲击而裂开或损伤。
参照图4a及图4b，阻光膜140的上部面可以是与欧姆层116的上部面实质相同的平面。并且，阻光膜140可以使欧姆层116暴露。作为一例，第一垫120可以埋设于阻光膜140，进而通过贯通阻光膜140的贯通电极122与布置于阻光膜140上的第三垫124电连接。第二垫130可以布置于在阻光膜140上暴露的欧姆层116上。
参照图5a及图5b，在阻光膜140上还可以布置有绝缘膜150。绝缘膜150可以包括与阻光膜140实质相同的物质。与此不同，绝缘膜150也可以包括硅氧化物或硅氮化物。发光元件还可以包括：第一贯通电极122，贯通绝缘膜150并与第一垫120电连接；第二贯通电极132，与第二垫130电连接；第三垫124，布置于绝缘膜150上并与第一贯通电极122电接触；第四垫134，与第二贯通电极132电接触。在这种情况下，当第一垫120与第二垫130之间的间隔距离与要贴装的装置所要求的间隔距离不同时，可以变更与第一垫120电连接的第三垫124以及与第二垫130电连接的第四垫134的位置来调整要贴装的装置的目标距离。
图4a、图4b、图5a及图5b图示的基板100、凹陷部106、阻光膜140及多个发光单元LEC_1、LEC_2的被省略的详细说明与在图1a至图1f、图2a至图2d中所述的基板100、凹陷部106、阻光膜140及多个发光单元LEC_1、LEC_2实质相同，因此省略其详细说明。
图6a是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图，图6b是将图6a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。
参照图6a及图6b，发光元件可以包括基板100以及布置于基板100上的多个发光单元LEC_1、LEC_2。
基板100可以包括布置发光单元LEC_1、LEC_2的第一面102和与第一面102相对的第二面104。在基板100的第一面102可以形成有从第一面102向内部延伸的第一凹陷部106。第一凹陷部106可以包括沿第一方向DR1延伸的垂直部VL和沿与第一方向DR1垂直的第二方向DR2延伸的水平部HL。第一凹陷部106的垂直部VL及水平部HL可以相互交叉。在基板100的第二面104可以形成有从第二面104向内部延伸的第二凹陷部108。第二凹陷部108可以包括沿第一方向DR1延伸并相互平行的多个垂直部VL和沿第二方向DR2延伸并相互平行的多个水平部HL。第二凹陷部108的多个垂直部VL及多个水平部HL可以相互交叉。
从平面上看，第一凹陷部106的垂直部VL与第二凹陷部108的多个垂直部VL可以不重叠，第一凹陷部106的水平部HL与第二凹陷部108的多个水平部HL可以不重叠。作为一例，第一凹陷部106的垂直部VL可以布置于第二凹陷部108的相邻的两个垂直部VL之间。第一凹陷部106的水平部HL可以布置于第二凹陷部108的相邻的两个水平部HL之间。并且，第二凹陷部108可以相比于第一凹陷部106更靠近发光单元LEC_1、LEC_2布置。
从截面上看，第一凹陷部106的垂直部VL可以布置于第二凹陷部108的相邻的两个垂直部VL之间。参照图6b的A部分，第一凹陷部106的垂直部VL的端部与第二凹陷部108的各个垂直部VL的端部可以相互重叠。
在本实施例中图示了第一凹陷部106及第二凹陷部108各自的结构使用图1c所述的结构的情形，但是第一凹陷部106及第二凹陷部108各自的结构可具有图1d至图1f所述的凹陷部106的结构。另外，本实用新型的第一凹陷部106及第二凹陷部108各自的结构并不局限于以上的结构。
在第一凹陷部106内部可以布置有填充第一凹陷部106的至少一部分的第一阻光膜140。在第二凹陷部108内部可以布置有填充第二凹陷部108的至少一部分的第二阻光膜145。第一阻光膜140及第二阻光膜145分别可以包括Ti、Ni、Al、Ag、Cr等金属，或者包括光刻胶、环氧、聚二甲基硅氧烷(PDMS)及黑矩阵(black matrix)等物质。图示了第一阻光膜140及第二阻光膜145分别使用图2a的结构的情形，但是第一阻光膜140及第二阻光膜145各自的结构可以具有图2a至图2d所述的阻光膜140结构。另外，本实用新型的第一阻光膜140及第二阻光膜145各自的结构并不局限于以上的结构。
分别从多个发光单元LEC_1、LEC_2发出的光，例如分别从第一发光单元LEC_1及第二发光单元LEC_2发出的光可以被邻近发光单元LEC_1、LEC_2布置的第二阻光膜145反射、阻断及吸收，而穿过除了第二阻光膜145之外的空间的光可以被第一阻光膜140反射、阻断及吸收。通过在第一发光单元LEC_1与第二发光单元LEC_2之间布置第二阻光膜145及第一阻光膜140，第一发光单元LEC_1发出的光能够难以对第二发光单元LEC_2造成影响，第二发光单元LEC_2发出的光难以对第一发光单元LEC_1造成影响。因此，能够防止发生从多个发光单元发出的光混合的问题。
图6a及图6b图示的基板100、第一凹陷部106、第二凹陷部108、第一阻光膜140、第二阻光膜145及多个发光单元LEC_1、LEC_2的被省略的详细说明与图1a至图1f、图2a至图2d所述的基板100、凹陷部106、阻光膜140及多个发光单元LEC_1、LEC_2实质相同，因此省略其详细说明。
图7a及图7b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图，图7c是将图7a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。图7a是从一侧观察发光元件，例如从布置有垫的位置观察发光元件的平面图，图7b是从与一侧相对的另一侧观察发光元件，例如从出光面观察发光元件的平面图。
参照图7a至图7c，发光元件可以包括基板100以及布置于基板100上的多个发光单元LEC_1、LEC_2。
基板100可以包括布置发光单元LEC_1、LEC_2的第一面102和与第一面102相对的第二面104。在基板100的第一面102可以形成有第一凹陷部106，在基板100的第二面104可以形成有第二凹陷部108。第一凹陷部106可以包括垂直部VL和水平部HL，第二凹陷部108可以包括多个垂直部VL和多个水平部HL。发光单元LEC_1、LEC_2可以布置于基板100的第一面102上，并且发光单元LEC_1、LEC_2可以分别包括第一导电型半导体层110、活性层112、第二导电型半导体层114及欧姆层116。并且，发光元件还可以包括与发光单元LEC_1、LEC_2的第一导电型半导体层110分别电连接的第一垫120以及与欧姆层116分别电连接的第二垫130。基板100、第一凹陷部106、第二凹陷部108、发光单元LEC_1、LEC_2、第一垫120及第二垫130与图6a及图6b所述的基板100、第一凹陷部106、第二凹陷部108、发光单元LEC_1、LEC_2、第一垫120及第二垫130实质相同，因此省略其详细说明。
基板100可以包括布置发光单元LEC_1、LEC_2的单元区域CA和除了单元区域CA之外的周围区域PA。各个单元区域CA可以包括射出光的出光区域EA。出光区域EA可以小于单元区域CA。
参照图7a及图7c，在基板100的第一面102上可以提供有填充第一凹陷部106的至少一部分的第一阻光膜140。第一阻光膜140可以以使单元区域CA暴露的方式覆盖周围区域PA的一部分而布置。
参照图7b及图7c，在基板100的第二面104上可以提供有填充第二凹陷部108的至少一部分的第二阻光膜145。第二阻光膜145可以覆盖周围区域PA并覆盖单元区域CA的一部分而使出光区域EA暴露。作为一例，从平面上看，在单元区域CA具有四边形结构的情况下，出光区域EA可以具有与单元区域CA具有同心的四边形结构，并且可以小于单元区域CA。
在本实施例中，对于第一阻光膜140及第二阻光膜145分别以图2b所述的结构为例进行说明，但是可以采取图2a、图2c至图2d所示的阻光膜140的结构中的至少一种，并且本实用新型的第一阻光膜140及第二阻光膜145的结构并不局限于此。
在这种情况下，从发光单元发出的光通过尺寸小于发光单元的出光区域EA照射，且除了出光区域EA之外的部分被第二阻光膜145阻光，从而从发光单元发出的光能够集中于出光区域EA而射出。据此，发光元件可以具有优异的对比度(contrast)。
此外，基板100的厚度较薄，但在基板100的第一面102形成第一阻光膜140，在第二面104形成第二阻光膜145，从而能够防止发生基板100由于外部冲击破损而造成发光元件损伤的情况。并且，基板100可以包括玻璃(glass)材料，当基板100的第二面104为射出面时，通过基板的第二面104的第二阻光膜145能够防止外部的光被反射至作为射出面的第二面104而在视觉上识别到非目标的外部物体的现象。
根据一实施例，在基板100的第二面104的对应于出光区域EA的区域可以利用粗糙化(roughing)工序形成凹凸结构PT。各个出光区域EA具有凹凸结构PT，从而通过小于各个发光单元LEC_1、LEC_2的出光区域EA射出的光被凹凸结构PT散射，从而能够提高发光元件的光提取效果。另外，在基板100的第二面104的对应于出光区域EA的区域，凹凸结构PT也可以被省略。
图7a至图7c所示的基板100、第一凹陷部106、第二凹陷部108、第一阻光膜140、第二阻光膜145及多个发光单元LEC_1、LEC_2的被省略的详细说明与图1a至图1f、图2a至图2d所述的基板100、凹陷部106、阻光膜140及多个发光单元LEC_1、LEC_2实质相同，因此省略其详细说明。
图8a及图8b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图，图8c是将图8a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。图8a是从一侧观察发光元件，例如从布置有垫的位置观察发光元件的平面图，图8b是从与一侧相对的另一侧观察发光元件，例如从出光面观察发光元件的平面图。
参照图8a至图8c，发光元件可以包括基板100以及布置于基板100上的多个发光单元LEC_1、LEC_2。
基板100可以包括布置发光单元LEC_1、LEC_2的第一面102和与第一面102相对的第二面104。基板100可以包括发光单元LEC_1、LEC_2所在的单元区域CA和除了单元区域CA之外的周围区域PA。各个单元区域CA可以包括出光区域EA。出光区域EA可以小于单元区域CA。在基板100的第一面102可以形成有第一凹陷部106，在基板100的第二面104可以形成有第二凹陷部108。第一凹陷部106可以包括垂直部VL和水平部HL，第二凹陷部108可以包括多个垂直部VL和多个水平部HL。
基板100、第一凹陷部106及第二凹陷部108与图7a及图7c所述的基板100、第一凹陷部106及第二凹陷部108实质相同，因此省略其详细说明。
发光元件还可以包括形成于第一凹陷部106的第一阻光膜140以及形成于第二凹陷部108的第二阻光膜145。第一阻光膜140可以填充第一凹陷部106的至少一部分而布置，具有图2b所示的结构。第二阻光膜145可以填充第二凹陷部108的至少一部分而布置，具有图2b所示的结构。
以第一阻光膜140及第二阻光膜145分别具有图2b所述的结构为例进行了图示，但是可以采取图2a、图2c至图2d所示的阻光膜140的结构中的至少一种，并且本实用新型的第一阻光膜140及第二阻光膜145的结构并不局限于此。
根据一实施例，第一阻光膜140可以包括Ti、Ni、Al、Ag、Cr等金属，或者包括光刻胶、环氧、聚二甲基硅氧烷(PDMS)及黑矩阵(black matrix)等物质。第二阻光膜145可以包括Ti、Ni、Al、Ag、Cr等金属。
发光单元LEC_1、LEC_2分别可以包括第一导电型半导体层110、活性层112、第二导电型半导体层114及欧姆层116。第一导电型半导体层110可以为n型半导体层，第二导电型半导体层114为p型半导体层。与此不同，第一导电型半导体层110可以为p型半导体层，第二导电型半导体层114为n型半导体层。
根据一实施例，发光单元LEC_1、LEC_2各自的第一导电型半导体层110可以通过贯通电极VE与第二阻光膜145电连接。如上所述，第二阻光膜145可以包括Ti、Ni、Al、Ag、Cr等金属，从而起到电极的作用。即，通过第二阻光膜145可以向各个第一导电型半导体层110供应电流，第二阻光膜145可以起到向第一导电型半导体层110供应电流的公共垫的作用。
根据一实施例，分别从相邻的两个发光单元LEC_1、LEC_2发出的光，例如分别从第一发光单元LEC_1及第二发光单元LEC_2发出的光借助于第一阻光膜140及第二阻光膜145而不会相互混合，从而发光元件可以具有优异的颜色再现性。并且，第一阻光膜140布置于基板100的第一面102，第二阻光膜145布置于基板100的第二面104，从而能够防止厚度较薄的基板100由于外部冲击而损伤。并且，第二阻光膜145可以包括金属，从而能够起到向第一导电型半导体层110供应电流的公共垫的作用。
根据一实施例，如图8b所示，通过选择性地使出光区域EA暴露并对其他部分进行阻光，从而能够使得从发光单元LEC_1、LEC_2发出的光通过小于单元区域CA的出光区域EA射出。因此，从发光单元发出的光能够集中于出光区域EA而射出。据此，发光元件可以具有优异的对比度(contrast)。
发光元件还可以包括布置于各个欧姆层116的垫120。各个垫120可以包括Ti、Ni、Al、Ag、Cr等金属。垫120可以通过欧姆层116向各个第二导电型半导体层114供应电流。
另外，虽然未图示，但是在通过第二阻光膜145暴露的基板100的第二面104的出光区域EA可以形成有凹凸结构PT。各个出光区域EA具有凹凸结构PT，从而通过小于各个发光单元LEC_1、LEC_2的出光区域EA射出的光被凹凸结构PT散射，从而能够提高发光元件的光提取效果。
图8a至图8c所示的基板100、第一凹陷部106、第二凹陷部108、第一阻光膜140、第二阻光膜145及多个发光单元LEC_1、LEC_2的被省略的详细说明与图7a至图7c所述的基板100、第一凹陷部106、第二凹陷部108、第一阻光膜140、第二阻光膜145及多个发光单元LEC_1、LEC_2实质相同，因此省略其详细说明。
图9a及图9b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图，图9c是将图9a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。图9a是从一侧观察发光元件，例如从布置有垫的位置观察发光元件的平面图，图9b是从与一侧相对的另一侧观察发光元件，例如从出光面观察发光元件的平面图。
参照图9a至图9c，发光元件可以包括：基板100；多个发光单元LEC_1、LEC_2，布置于基板100的第一面102上；第一垫120和第二垫130，布置于基板100的第一面102上而与多个发光单元LEC_1、LEC_2电连接；以及阻光膜145，布置于与基板100的第一面102相对的第二面104。
基板100可以包括布置发光单元LEC_1、LEC_2的单元区域CA和除了单元区域CA之外的周围区域PA，单元区域CA分别可以包括小于单元区域CA的出光区域EA。
发光单元LEC_1、LEC_2分别可以包括垂直层叠的第一导电型半导体层110、活性层112、第二导电型半导体层114及欧姆层116。第一垫120可以共同电连接第一导电型半导体层110。第一垫120可以向第一导电型半导体层110供应电流。例如，第一垫120可以包括Ti、Ni、Al、Ag、Cr、Au、Cu等金属。
根据一实施例，第一垫120可以布置于第一导电型半导体层110与基板100的第一面102之间。并且，第一垫120可以布置于基板100的中央部位并覆盖单元区域CA的一部分，且使各个出光区域EA暴露。从各个发光单元LEC_1、LEC_2发出的光可以在被第一垫120覆盖的部分阻断、反射或吸收，并通过出光区域EA向基板100照射。因此，第一垫120可以起到阻光膜的作用。
从平面上看，基板100可以为四边形结构，发光单元LEC_1、LEC_2在基板100的各个边角与基板100的边缘部位隔开而布置。作为一例，第一垫120可以具有使基板100的各个边角暴露的十字结构。在这种情况下，第一垫120不仅使出光区域EA暴露，还可以使各个出光区域EA至基板100的各个边角为止也暴露。作为另一例，第一垫120可以具有包括暴露出光区域EA的开口的四边形结构。在这种情况下，第一垫120可以仅使出光区域EA选择性地暴露。
各个第二垫130可以与各个欧姆层116电接触而布置。第二垫130可以通过欧姆层116向各个第二导电型半导体层114供应电流。
在基板100的第二面104可以包括从第二面104向基板100内部凹陷的凹陷部108。凹陷部108可以包括沿第一方向DR1延伸并相互平行的多个垂直部VL和沿第二方向DR2延伸并相互平行的多个水平部HL。凹陷部108的多个垂直部VL及多个水平部HL可以相互交叉。
在本实施例中图示了凹陷部108的结构使用图1c所述的结构的情形，但是凹陷部108的结构可以具有图1d至图1f所述的凹陷部106的结构。另外，本实用新型的凹陷部108的结构并不局限于以上的结构。
阻光膜145可以布置于基板100的第二面104。根据一实施例，阻光膜145可以包括：第一部分145-1，填充凹陷部108的至少一部分；第二部分145-2，在基板100的第二面104分别布置于边角，并以使出光区域EA暴露的方式布置。
虽然图示了阻光膜145的第一部分145-1使用图2a的结构的情形，但是阻光膜145可以具有图2b至图2d所述的阻光膜140结构。另外，本实用新型的阻光膜145的结构并不局限于以上的结构。
阻光膜145的第二部分145-2可以对应于未形成第一垫120的部分而布置，并且使出光区域EA暴露。第二部分145-2分别可以具有“L”字结构。根据另一实施例，如图7b所示，阻光膜145可以具有选择性地暴露出光区域EA并将其他部分全部覆盖的结构。
从各个发光单元LEC_1、LEC_2发出的光可以被阻光膜145的第一部分145-1反射、阻断或吸收，从而防止各个发光单元LEC_1、LEC_2的光混合，进而能够提高发光元件的颜色再现性。
并且，阻光膜145的第二部分145-2分别可以覆盖未被第一垫120覆盖的周围区域PA及单元区域CA的一部分，进而定义出光区域EA。被定义的出光区域EA在单元区域CA内可以小于各个单元区域CA。因此，从各个发光单元LEC_1、LEC_2发出的光可以通过出光区域EA选择性地集中而射出。因此，发光元件可以具有优异的对比度。
图9a至图9c所示的基板100、凹陷部108、阻光膜145及多个发光单元LEC_1、LEC_2的被省略的详细说明与图8a至图8c所述的基板100、第二凹陷部108、第二阻光膜145及多个发光单元LEC_1、LEC_2实质相同，因此省略其详细说明。
图10a及图10b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图，图10c是将图10a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。图10a是从一侧观察发光元件的平面图，图10b是从与一侧相对的另一侧观察发光元件的平面图。
参照图10a至图10c，发光元件可以包括：基板100；多个发光单元LEC_1、LEC_2，布置于基板100的第一面102上；第一垫120和第二垫130，布置于基板100的第一面102上并与多个发光单元LEC_1、LEC_2电连接；以及阻光膜145，布置于与基板100的第一面102相对的第二面104。
基板100可以包括布置发光单元LEC_1、LEC_2的单元区域CA和除了单元区域CA之外的周围区域PA，单元区域CA分别可以包括小于单元区域CA的出光区域EA。
从平面上看，基板100可以为四边形结构，发光单元LEC_1、LEC_2在基板100的各个边角与基板100的边缘部位隔开而布置。
各发光单元LEC_1、LEC_2可以包括垂直层叠的第一导电型半导体层110、活性层112、第二导电型半导体层114及欧姆层116。各个第一垫120可以与各个第一导电型半导体层110电连接。各个第一垫120可以向各个第一导电型半导体层110供应电流。例如，第一垫120可以包括Ti、Ni、Al、Ag、Cr、Au、Cu等金属。
根据一实施例，各个第一垫120可以布置于第一导电型半导体层110与基板100的第一面102之间。并且，各个第一垫120可以分别布置于基板100的边角并以使出光区域EA暴露的方式布置。作为一例，第一垫120可以具有“L”字结构。
各个第一垫120可以覆盖各个单元区域CA的一部分而使各个出光区域EA暴露。从各个发光单元LEC_1、LEC_2发出的光可以在被第一垫120覆盖的部分被阻断、反射或吸收，并通过出光区域EA向基板100照射。因此，第一垫120可以起到阻光膜的作用。
第二垫130可以布置于基板100的中央部位，并且与多个欧姆层116共同电连接而向基板100的第一面102延伸。根据一实施例，发光元件还可以包括第一导电型半导体层110、活性层112、第二导电型半导体层114、欧姆层116以及布置于基板100与第二垫130之间的钝化膜PVT。第二垫130可以包括Ti、Ni、Al、Ag、Cr、Au、Cu等金属，钝化膜PVT可以包括SiO2或SiN等绝缘物。钝化膜PVT可以包括使各个欧姆层116的至少一部分暴露的开口。第二垫130可以通过开口与欧姆层116电连接。
根据一实施例，第二垫130可以覆盖各个欧姆层116的上部。在这种情况下，从各个活性层112向四方发出的光中的一部分可以被第二垫130反射至基板100方向。
根据一实施例，各个第一垫120可以与第二垫130的一部分重叠。各个第一垫120可以覆盖单元区域CA的一部分而使出光区域EA暴露，第二垫130可以覆盖各个包括出光区域EA的单元区域CA。
阻光膜145可以填充凹陷部108的至少一部分而布置，所述凹陷部108形成于基板100的第二面104。在本实施例中图示了凹陷部108的结构使用图1c所述的结构的情形，但是凹陷部108的结构可以具有图1d、图1e及图1f所述的凹陷部106的结构。另外，本实用新型的凹陷部108的结构并不局限于以上的结构。并且，在本实施例中图示了阻光膜145使用图2b的结构的情形，但是阻光膜145的结构可以具有图2a、图2c及图2d所示的阻光膜140结构。另外，本实用新型的阻光膜145的结构并不局限于以上的结构。
根据一实施例，阻光膜145可以填充凹陷部108并相互连接，从而覆盖基板100的第二面104的一部分。阻光膜145可以布置于基板100的第二面104的中心区域。并且，阻光膜145可以使出光区域EA暴露并以对应于未布置第一垫120的区域的方式布置。作为一例，阻光膜145可以具有“十字”结构，从而使出光区域EA暴露。例如，阻光膜145可以包括Ti、Ni、Al、Ag、Cr等金属，或者包括光刻胶、环氧、聚二甲基硅氧烷(PDMS)及黑矩阵(black matrix)等物质。
从各个发光单元LEC_1、LEC_2发出的光可以被阻光膜145反射、阻断或吸收，从而防止各个发光单元LEC_1、LEC_2的光混合，进而能够提高发光元件的颜色再现性。并且，阻光膜145可以覆盖未被第一垫120覆盖的周围区域PA及单元区域CA的一部分，进而定义出光区域EA。被定义的出光区域EA在单元区域CA内，可以小于各个单元区域CA。因此，从发光单元LEC_1、LEC_2发出的光可以通过出光区域EA选择性地集中而射出。因此，发光元件可以具有优异的对比度。
发光元件还可以包括在第一垫120上部与各个第一垫120电连接的第一焊料SD1以及在第二垫130上部与各个第二垫130电连接的第二焊料SD2。
图10a至图10c所示的基板100、凹陷部108、阻光膜145及多个发光单元LEC_1、LEC_2的被省略的详细说明与图9a至图9c所述的基板100、凹陷部108、阻光膜145及多个发光单元LEC_1、LEC_2实质相同，因此省略其详细说明。
图11a是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图，图11b是将图11a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。图11a是从一侧观察发光元件，例如从布置有垫的位置观察发光元件的平面图，从与一侧相对的另一侧观察发光元件，例如从出光面观察发光元件的平面图与图10b实质相同，因此参照图10b。
参照图10b、图11a及图11b，发光元件可以包括：基板100；多个发光单元LEC_1、LEC_2，布置于基板100的第一面102上；第一垫120和第二垫130，布置于基板100的第一面102并与发光单元LEC_1、LEC_2电连接；第一阻光膜140，布置于基板100的第一面102并布置于发光单元LEC_1、LEC_2之间；以及第二阻光膜145，布置于与基板100的第一面102相对的第二面104。
基板100可以包括布置发光单元LEC_1、LEC_2的单元区域CA和除了单元区域CA之外的周围区域PA，各单元区域CA可以包括小于单元区域CA的出光区域EA。
各发光单元LEC_1、LEC_2可以包括垂直层叠的第一导电型半导体层110、活性层112、第二导电型半导体层114及欧姆层116。各个第一垫120可以布置于各个第一导电型半导体层110与基板100之间，各个第一垫120可以与各个第一导电型半导体层110电接触。根据一实施例，基板100可以具有四边形结构，当各个发光单元LEC_1、LEC_2布置于基板100的各个边角时，第一垫120布置于基板100的各个边角并使各个出光区域EA暴露。各个第一垫120可以包括Ti、Ni、Al、Ag、Cr、Au、Cu等金属。
各个第二垫130可以与各个欧姆层116电连接。根据一实施例，还可以包括第一导电型半导体层110、活性层112、第二导电型半导体层114、欧姆层116以及布置于基板100与第二垫130之间的钝化膜PVT。第二垫130可以包括Ti、Ni、Al、Ag、Cr、Au、Cu等金属，钝化膜PVT可以包括SiO2或SiN等绝缘物。钝化膜PVT可以包括使各个欧姆层116的至少一部分暴露的开口。各个第二垫130可以通过开口与欧姆层116电连接。
根据一实施例，各个第二垫130可以覆盖各个欧姆层116的上部。在这种情况下，从各个活性层112向四方发出的光中的一部分可以被第二垫130反射至基板100方向。
根据一实施例，各个第一垫120可以与各个第二垫130重叠。各个第一垫120可以覆盖单元区域CA的一部分而使出光区域EA暴露，第二垫130可以覆盖各个包括出光区域EA的单元区域CA。
第一阻光膜140可以填充第一凹陷部106的至少一部分而布置，所述第一凹陷部106形成在基板100的第一面102。例如，第一阻光膜140可以包括Ti、Ni、Al、Ag、Cr等金属，或者包括光刻胶、环氧、聚二甲基硅氧烷(PDMS)及黑矩阵等物质。
在本实施例中图示了第一凹陷部106的结构使用图1c所述的结构的情形，但是第一凹陷部106的结构可以具有图1d至图1f所述的凹陷部106的结构。另外，本实用新型的第一凹陷部106的结构并不局限于以上的结构。并且，在本实施例中图示了第一阻光膜140使用图2b的结构的情形，但是第一阻光膜140可以具有图2a、图2c及图2d所示的阻光膜结构。另外，本实用新型的第一阻光膜140的结构并不局限于以上的结构。
第二阻光膜145与图10a至图10c所述的第二阻光膜145实质相同，从而省略其详细说明。
从各个发光单元LEC_1、LEC_2发出的光可以被第一阻光膜140及第二阻光膜145反射、阻断或吸收，从而防止各个发光单元LEC_1、LEC_2的光混合，进而能够提高发光元件的颜色再现性。并且，第二阻光膜145可以覆盖未被第一垫120覆盖的周围区域PA及单元区域CA的一部分，进而定义各个出光区域EA。被定义的出光区域EA在单元区域CA内，可以小于各个单元区域CA。因此，从发光单元LEC_1、LEC_2发出的光可以通过出光区域EA选择性地集中而射出。因此，发光元件可以具有优异的对比度。
图11a至图11b所示的基板100、第一凹陷部106、第二凹陷部108、第一阻光膜140、第二阻光膜145、发光单元LEC_1、LEC_2、第一垫120及第二垫130的被省略的详细说明与图6a至图6b所述的基板100、第一凹陷部106、第二凹陷部108、第一阻光膜140、第二阻光膜145、发光单元LEC_1、LEC_2、第一垫120及第二垫130实质相同，因此省略其详细说明。
以下，对根据本实用新型的一实施例的发光元件的制造方法进行详细说明。以图7a至图7c所示的发光元件的制造方法为例进行说明。
图12a、图13a、图14a、图15a及图16a是用于说明制造根据本实用新型的一实施例的发光元件的方法的平面图，图12b、图13b、图14b、图15b及图16b分别是将图12a、图13a、图14a、图15a及图16a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。
参照图12a及图12b，可以在基板100的第一面102上形成单元。
可以在基板100的第一面102上利用金属有机化学气相沉积(MOCVD：Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)、分子束外延(MBE：Molecular Beam Epitaxy)、氢化物气相外延(HVPE：Hydride Vapor Phase Epitaxy)、金属有机氯化物(MOC：Metal-Organic Chloride)等生长法形成第一导电型半导体层110、活性层112及第二导电型半导体层114。
接着，可以在第二导电型半导体层114上利用沉积工序形成欧姆层116。
可以蚀刻欧姆层116、第二导电型半导体层114及活性层112而形成使第一导电型半导体层110的一部分暴露的台面结构物。在形成台面结构物之后，各个台面结构物可以通过回流(reflow)工序具有倾斜的侧壁。
可以对第一导电型半导体层110进行图案化而形成多个发光单元LEC_1、LEC_2。
在另一实施例中，为了形成图3a及图3b的发光单元LEC_1、LEC_2，可以在基板100的第一面102上形成欧姆层116之后，将形成于其他基板上的半导体层依次键合于欧姆层116上，并且对这些层进行图案化而形成包括第一发光部LEC_1_1、LEC_2_1、第二发光部LEC_1_2、LEC_2_2及第三发光部LEC_1_3、LEC_2_3的发光单元LEC_1、LEC_2。
参照图13a及图13b，可以形成与通过台面结构物暴露的各个第一导电型半导体层110电连接的第一垫120和与各个欧姆层116电连接的第二垫130。
可以在形成有多个发光单元LEC_1、LEC_2的基板100上通过常规的沉积工序共形地形成垫膜。垫膜可以包括从由Ti、Ni、Al、Ag、Cr、Au及Cu构成的组中选择的至少一种。对垫膜进行图案化，进而可以在第一导电型半导体层110上形成第一垫120，在欧姆层116上形成第二垫130。
参照图14a及图14b，可以通过化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing)等工序对与基板100的第一面102相对的第二面104进行研磨，进而较薄地形成基板100。
参照图15a及图15b，可以在基板100的第一面102形成第一凹陷部106。作为一例，可以通过激光工序或蚀刻工序等在基板100的第一面102形成第一凹陷部106。
在基板100的第一面102可以通过镀覆、腐蚀、沉积、胶带、喷涂、丝网印刷等工序形成填充第一凹陷部106的至少一部分的第一阻光膜140。第一阻光膜140可以包括Ti、Ni、Al、Ag、Cr等金属，或者包括光刻胶、环氧、聚二甲基硅氧烷(PDMS)及黑矩阵等物质。
根据一实施例，可以通过图12a至图15a及图12b至图15b的工序完成图1a及图1b所示的发光元件。
参照图16a及图16b，可以在基板100的第二面104形成第二凹陷部108。作为一例，可以通过激光工序或蚀刻工序等在基板100的第二面104形成第二凹陷部108。
在基板100的第二面104可以形成填充第二凹陷部108的至少一部分并包括使基板100的出光区域EA暴露的开口的第二阻光膜145。第二阻光膜145可以通过镀覆、腐蚀、沉积、胶带、喷涂、丝网印刷等工序形成。第二阻光膜145可以包括Ti、Ni、Al、Ag、Cr等金属，或者包括光刻胶、环氧、聚二甲基硅氧烷(PDMS)及黑矩阵等物质。
在本实施例中对在形成第一凹陷部106及第一阻光膜140之后形成第二凹陷部108及第二阻光膜145的情形进行了说明，但是也可以在形成第一凹陷部106及第二凹陷部108之后形成第一阻光膜140及第二阻光膜145。
在此工序中，若形成为仅在第二凹陷部108内残留第二阻光膜145，则可以通过图12a至图16a及图12b至图16b的工序完成图6a及图6b所示的发光元件。
参照图7a及图7b，可以在基板100的第二面104的对应于出光区域EA的区域形成凹凸结构PT。作为一例，凹凸结构PT可以通过对基板100的第二面104进行喷砂(sandblast)、蚀刻(etching)、磨削(grinding)等工序而形成。
以下，对根据本实用新型的另一实施例的发光元件的制造方法进行详细说明。以图10a至图10c所示的发光元件的制造方法为例进行说明。
图17a、图18a及图19a是用于说明根据本实用新型的另一实施例的发光元件的制造方法的平面图，图17b、图18b及图19b分别是将图17a、图18a及图19a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。
参照图17a及图17b，可以在基板100的第一面102上形成包括第一垫120的电路图案。
基板100可以包括多个单元区域CA和除了单元区域CA之外的周围区域PA。各个单元区域CA可以分别包括小于单元区域CA的出光区域EA。
各个第一垫120可以使出光区域EA暴露而布置。作为一例，在基板100具有四边形结构的情况下，各个第一垫120可以布置于基板100的各个边角。为了使出光区域EA暴露，各个第一垫120可以具有“L”字结构。
参照图18a及图18b，可以在形成有包括第一垫120的电路图案的基板100的第一面102上形成第一导电型半导体层110、活性层112、第二导电型半导体层114及欧姆层116之后，进行蚀刻，进而在各个单元区域CA形成多个发光单元LEC_1、LEC_2。对此的说明参照图12a及图12b。
根据一实施例，各个发光单元LEC_1、LEC_2的第一导电型半导体层110可以与第一垫120电接触而布置。各个第一垫120包括从由Ti、Ni、Al、Ag、Cr、Au及Cu构成的组中选择的至少一种。
根据一实施例，各个第一垫120可以选择性地暴露出光区域EA而覆盖其他部分，从而起到阻光膜的作用。
参照图19a及图19b，可以在发光单元LEC_1、LEC_2上共形地形成钝化膜PVT，蚀刻钝化膜PVT而形成使各个欧姆层116的一部分暴露的开口。可以在钝化膜PVT上形成填满开口并向基板100的第一面102上延伸的第二垫130。第二垫130可以与多个欧姆层116共同电连接。
根据一实施例，第二垫130可以覆盖各个欧姆层116的上部面而形成。这样，第二垫130覆盖各个欧姆层116的上部面，从而从活性层112发出的光能够向基板100方向反射。并且，第二垫130在欧姆层116上部可以覆盖出光区域EA，但是在基板100的第一面102可以使各个出光区域EA暴露。
参照图10a至图10c，可以在与基板100的第一面102相对的第二面104利用激光或蚀刻工序形成凹陷部108。在基板100的第二面104上可以形成填充凹陷部108的至少一部分并使各个出光区域EA暴露阻光膜145。阻光膜145可以包括Ti、Ni、Al、Ag、Cr等金属，或者包括光刻胶、环氧、聚二甲基硅氧烷(PDMS)及黑矩阵等物质。
通过形成于基板100的第一面102的第一垫120和形成于基板100的第二面104的阻光膜145可以定义出光区域EA。
以上，虽然参照附图对本实用新型的实施例进行了说明，但是在本实用新型所属技术领域中具有通常知识的人员可以理解本实用新型能够在不改变其技术思想或必要特征的情况下实施为其他具体的形态。因此，应该理解以上所述的实施例在所有方面均为示意性而并非限定性的。

Claims (20)

1.一种发光元件，其特征在于，包括：
基板，具有第一面及与所述第一面相对的第二面；
多个发光单元，布置于所述基板的第一面上；以及
阻光膜，在多个所述发光单元之间填充从所述第一面及第二面中的至少一个向所述基板内部延伸的凹陷部的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述发光单元中的至少一个具有垂直层叠的第一发光部、第二发光部及第三发光部。
3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，还包括：
布置于至少一个所述发光单元上的公共垫、第一垫至第三垫，
所述公共垫共同电连接于所述第一发光部、第二发光部及第三发光部，所述第一垫、第二垫及第三垫分别电连接于所述第一发光部、第二发光部及第三发光部。
4.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述阻光膜由Ti、Ni、Al、Ag、Cr、光刻胶、环氧、聚二甲基硅氧烷或黑矩阵构成。
5.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述阻光膜布置于所述基板的第一面，并且在所述基板的第一面上填充所述发光单元之间，从而具有与各个所述发光单元的上部面相同的上部面。
6.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，还包括：
垫，布置于所述阻光膜上，并且与各个所述发光单元电连接。
7.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，还包括：
绝缘膜，布置于所述阻光膜上；
贯通电极，贯通所述绝缘膜及所述阻光膜而与各个所述发光单元电连接；以及
垫，布置于所述绝缘膜上，并且与所述贯通电极电连接。
8.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述凹陷部包括：第一凹陷部，从所述基板的第一面向所述基板内部延伸；以及第二凹陷部，从所述基板的第二面向所述基板内部延伸，
所述阻光膜包括：第一阻光膜，填充所述第一凹陷部的至少一部分；以及第二阻光膜，填充所述第二凹陷部的至少一部分。
9.根据权利要求8所述的发光元件，其特征在于，
所述第一阻光膜的基板内端部与所述第二阻光膜的基板内端部相互重叠。
10.根据权利要求8所述的发光元件，其特征在于，
所述第一阻光膜包括沿第一方向延伸的垂直部以及沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的水平部，所述第一阻光膜的所述垂直部及所述水平部相互交叉，
所述第二阻光膜包括沿所述第一方向延伸且相互平行的多个垂直部以及沿所述第二方向延伸的多个水平部，所述第二阻光膜的所述多个垂直部的每一个与所述多个水平部的每一个相互交叉。
11.根据权利要求10所述的发光元件，其特征在于，
在所述第二阻光膜的多个垂直部之间布置有所述第一阻光膜的垂直部，
在所述第二阻光膜的多个水平部之间布置有所述第一阻光膜的水平部。
12.根据权利要求8所述的发光元件，其特征在于，
所述基板包括布置多个所述发光单元的单元区域以及除了所述单元区域之外的周围区域，
各个所述单元区域包括通过所述第一阻光膜及所述第二阻光膜定义的出光区域，
各个所述出光区域小于各个所述单元区域。
13.根据权利要求12所述的发光元件，其特征在于，
在各个所述出光区域具有凹凸结构。
14.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述阻光膜布置于所述基板的第二面，
所述发光元件还包括贯通所述基板并将所述阻光膜与所述发光单元电连接的贯通电极。
15.根据权利要求14所述的发光元件，其特征在于，
所述阻光膜由Ti、Ni、Al、Ag或Cr构成。
16.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包括：
垫，布置于所述基板的第一面与所述发光单元之间，并且与所述发光单元电连接。
17.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述基板包括布置多个所述发光单元的单元区域以及除了所述单元区域之外的周围区域，
所述单元区域分别包括通过所述阻光膜定义的出光区域，
各个所述出光区域小于各个所述单元区域。
18.根据权利要求17所述的发光元件，其特征在于，
在各个所述出光区域具有凹凸结构。
19.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
从截面上看，所述凹陷部包括“V”字形结构、所述基板的第一面或第二面开放的多边形结构以及“U”字形结构中的一种。
20.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述阻光膜填充所述凹陷部的至少一部分并向所述基板的第一面或第二面延伸。
CN201921681432.8U 2018-10-05 2019-10-08 发光元件 Active CN210516746U (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862741924P 2018-10-05 2018-10-05
US62/741,924 2018-10-05
US16/589,593 US11282984B2 (en) 2018-10-05 2019-10-01 Light emitting device
US16/589,593 2019-10-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN210516746U true CN210516746U (zh) 2020-05-12

Family

ID=70050875

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980065526.9A Pending CN113261117A (zh) 2018-10-05 2019-10-02 发光元件
CN201921681432.8U Active CN210516746U (zh) 2018-10-05 2019-10-08 发光元件

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980065526.9A Pending CN113261117A (zh) 2018-10-05 2019-10-02 发光元件

Country Status (7)

Country Link
US (3) US11282984B2 (zh)
EP (1) EP3863069A4 (zh)
JP (1) JP2022504319A (zh)
KR (1) KR20210058808A (zh)
CN (2) CN113261117A (zh)
BR (1) BR112021006417A2 (zh)
WO (1) WO2020071810A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7348520B2 (ja) * 2018-12-25 2023-09-21 日亜化学工業株式会社 発光装置及び表示装置
WO2023044215A1 (en) 2021-09-14 2023-03-23 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Catalyst feeder and processes thereof

Family Cites Families (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07263752A (ja) 1994-03-18 1995-10-13 Sony Corp 半導体カラー発光素子
US6406196B1 (en) * 1995-08-03 2002-06-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical device and method for producing the same
JP3176856B2 (ja) * 1995-12-14 2001-06-18 沖電気工業株式会社 端面発光型ｌｅｄ、端面発光型ｌｅｄアレイ、光源装置及びそれらの製造方法
US6633120B2 (en) * 1998-11-19 2003-10-14 Unisplay S.A. LED lamps
TW408497B (en) * 1997-11-25 2000-10-11 Matsushita Electric Works Ltd LED illuminating apparatus
JP3002180B1 (ja) * 1998-07-13 2000-01-24 松下電子工業株式会社 光半導体装置
JP2002139630A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Alps Electric Co Ltd 導光板およびその製造方法、面発光装置並びに液晶表示装置
JP3991220B2 (ja) * 2001-02-28 2007-10-17 日本電気株式会社 光学回路素子の製造方法
JP2002280602A (ja) * 2001-03-21 2002-09-27 Toshiba Corp 垂直共振器型発光ダイオード及びその発光ダイオードを用いた光送信モジュール
US6547249B2 (en) * 2001-03-29 2003-04-15 Lumileds Lighting U.S., Llc Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates
EP1658642B1 (en) * 2003-08-28 2014-02-26 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
US7339198B2 (en) * 2004-01-16 2008-03-04 Yu-Nung Shen Light-emitting diode chip package body and packaging method thereof
US7064356B2 (en) * 2004-04-16 2006-06-20 Gelcore, Llc Flip chip light emitting diode with micromesas and a conductive mesh
JP2005327979A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Toshiba Corp 半導体発光素子および半導体発光装置
EP1780464A4 (en) * 2004-08-06 2009-08-19 Kuraray Co LIGHT GUIDE PLATE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SUPERFICIAL LIGHT SOURCE DEVICE WITH SAID PLATE
JP4667803B2 (ja) * 2004-09-14 2011-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2006134975A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi Displays Ltd 照明装置及びこの照明装置を用いた表示装置
US7221044B2 (en) * 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
EP1897151A4 (en) * 2005-06-22 2010-03-10 Seoul Opto Device Co Ltd ILLUMINATING ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
CA2640083A1 (en) * 2006-02-06 2007-08-16 Kyosemi Corporation Light receiving or emitting semiconductor module
JP2007305708A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Rohm Co Ltd 半導体発光素子アレイおよびこれを用いた照明用器具
US7626210B2 (en) * 2006-06-09 2009-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED
JP4698660B2 (ja) * 2006-12-12 2011-06-08 サムスンコーニング精密素材株式会社 ディスプレイ装置用外光遮蔽フィルムおよびこの製造方法、これを含むディスプレイ装置用フィルタ
US8188497B2 (en) * 2007-02-02 2012-05-29 Sanyo Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US8058663B2 (en) 2007-09-26 2011-11-15 Iii-N Technology, Inc. Micro-emitter array based full-color micro-display
US8716723B2 (en) * 2008-08-18 2014-05-06 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Reflective layer between light-emitting diodes
JP5047243B2 (ja) * 2008-09-26 2012-10-10 シャープ株式会社 光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
KR101533817B1 (ko) 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
JP2010219377A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
KR101601624B1 (ko) * 2010-02-19 2016-03-09 삼성전자주식회사 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
US8716049B2 (en) * 2010-02-23 2014-05-06 Applied Materials, Inc. Growth of group III-V material layers by spatially confined epitaxy
KR101650518B1 (ko) * 2010-09-13 2016-08-23 에피스타 코포레이션 발광 구조체
JP2012142410A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Rohm Co Ltd 発光素子ユニットおよびその製造方法、発光素子パッケージならびに照明装置
JP5765000B2 (ja) * 2011-03-25 2015-08-19 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及びプロジェクター
KR20130109319A (ko) * 2012-03-27 2013-10-08 삼성전자주식회사 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
CN103378238B (zh) * 2012-04-25 2016-01-20 清华大学 发光二极管
US9318530B2 (en) * 2012-08-07 2016-04-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array and method for manufacturing same
JP5900284B2 (ja) * 2012-10-25 2016-04-06 豊田合成株式会社 半導体発光素子および発光装置
JP5368620B1 (ja) * 2012-11-22 2013-12-18 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
US9269745B2 (en) * 2012-11-23 2016-02-23 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode having a plurality of light emitting units
KR20140066397A (ko) * 2012-11-23 2014-06-02 서울바이오시스 주식회사 복수개의 단위 발광소자들을 갖는 발광다이오드
KR20140073351A (ko) * 2012-12-06 2014-06-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
CN104885236B (zh) * 2012-12-21 2017-12-19 首尔伟傲世有限公司 发光二极管
US9356212B2 (en) * 2012-12-21 2016-05-31 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
JP6176032B2 (ja) * 2013-01-30 2017-08-09 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US9431590B2 (en) * 2013-03-15 2016-08-30 Cree, Inc. Ceramic based light emitting diode (LED) devices and methods
US9673254B2 (en) * 2013-07-22 2017-06-06 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
US20160161326A1 (en) * 2013-12-01 2016-06-09 Mao-Jen Wu Flexible Optical Sensor Module
JP2015156431A (ja) * 2014-02-20 2015-08-27 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
US10278243B2 (en) * 2014-03-06 2019-04-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight module with MJT LED and backlight unit including the same
US20150323379A1 (en) * 2014-05-07 2015-11-12 Mao-Jen Wu Optical Inertial Sensing Module
KR102197082B1 (ko) * 2014-06-16 2020-12-31 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
JP6413460B2 (ja) * 2014-08-08 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US20160056351A1 (en) * 2014-08-22 2016-02-25 Epistar Corporation Light-emitting device
JP6606517B2 (ja) * 2015-02-13 2019-11-13 シチズン電子株式会社 発光装置の製造方法
CN104752586A (zh) * 2015-03-27 2015-07-01 华南理工大学 一种led图形优化封装基板、led封装体及其制备方法
EP4273944A3 (en) * 2015-04-02 2024-02-07 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
US10069037B2 (en) * 2015-04-20 2018-09-04 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
US10236413B2 (en) * 2015-04-20 2019-03-19 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
TWI699902B (zh) * 2015-04-22 2020-07-21 新世紀光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
JP6569291B2 (ja) * 2015-05-13 2019-09-04 日亜化学工業株式会社 発光素子
EP3316244B1 (en) * 2015-06-26 2020-09-23 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight unit using multi-cell light emitting diode
KR102357188B1 (ko) * 2015-07-21 2022-01-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자
DE102015214219A1 (de) 2015-07-28 2017-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und ein Bauelement
JP2017032798A (ja) * 2015-07-31 2017-02-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 レンズ付き基板、積層レンズ構造体、カメラモジュール、並びに、製造装置および方法
JP6640872B2 (ja) * 2015-12-01 2020-02-05 シャープ株式会社 画像形成素子
EP3185293B1 (en) * 2015-12-25 2020-03-25 Nichia Corporation Light emitting element
KR20180091700A (ko) * 2016-01-05 2018-08-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR102540645B1 (ko) 2016-01-07 2023-06-08 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자
CN107195653A (zh) * 2016-03-14 2017-09-22 群创光电股份有限公司 显示装置
TWI588984B (zh) * 2016-03-14 2017-06-21 群創光電股份有限公司 顯示裝置
JP6384508B2 (ja) * 2016-04-06 2018-09-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10529696B2 (en) * 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof
KR102291493B1 (ko) * 2016-08-11 2021-08-20 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치
CN106299143B (zh) * 2016-09-05 2019-03-08 京东方科技集团股份有限公司 一种准直光源、其制作方法及显示装置
KR102658367B1 (ko) * 2016-09-28 2024-04-18 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치
DE102016123013A1 (de) * 2016-11-29 2018-05-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer Bildpunkte
KR20180081371A (ko) * 2017-01-06 2018-07-16 서울바이오시스 주식회사 전류 차단층을 가지는 발광 소자
CN107170773B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
TWI630729B (zh) * 2017-08-28 2018-07-21 友達光電股份有限公司 發光裝置
CN111279483A (zh) * 2018-01-11 2020-06-12 索尼半导体解决方案公司 固态成像装置和电子设备
WO2019147738A1 (en) * 2018-01-23 2019-08-01 Light Share, LLC Full-color monolithic micro-led pixels
JP6822429B2 (ja) * 2018-02-19 2021-01-27 日亜化学工業株式会社 発光素子
TWI770225B (zh) * 2018-07-12 2022-07-11 晶元光電股份有限公司 發光元件
JP7297751B2 (ja) * 2018-07-18 2023-06-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子および測距モジュール
KR102575580B1 (ko) * 2018-08-21 2023-09-06 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
CN109326614B (zh) * 2018-10-15 2022-07-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
KR20200047943A (ko) * 2018-10-26 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 광학필터 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US11482650B2 (en) * 2018-11-07 2022-10-25 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device including light shielding layer
US11271136B2 (en) * 2018-11-07 2022-03-08 Seoul Viosys Co., Ltd Light emitting device
CN111477647A (zh) * 2019-01-24 2020-07-31 晶元光电股份有限公司 发光元件及其制造方法
EP3974862A4 (en) * 2019-05-30 2022-06-15 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. CAMERA MODULE, CONTROL METHOD, COMPUTER STORAGE MEDIA AND ELECTRONIC DEVICE

Also Published As

Publication number Publication date
US20200111936A1 (en) 2020-04-09
WO2020071810A1 (ko) 2020-04-09
EP3863069A1 (en) 2021-08-11
EP3863069A4 (en) 2022-07-06
JP2022504319A (ja) 2022-01-13
US11282984B2 (en) 2022-03-22
KR20210058808A (ko) 2021-05-24
US11824141B2 (en) 2023-11-21
US20240088330A1 (en) 2024-03-14
BR112021006417A2 (pt) 2021-07-06
US20220285587A1 (en) 2022-09-08
CN113261117A (zh) 2021-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10559717B2 (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
US20190189867A1 (en) Light emitting diode module for surface mount technology and method of manufacturing the same
KR20190091124A (ko) 반도체 발광소자
CN213782016U (zh) 显示装置
KR20100036617A (ko) 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
US11545595B2 (en) Contact structures for light emitting diode chips
US20240088330A1 (en) Light emitting device
US20240154061A1 (en) Light emitting device
CN110797443A (zh) 发光元件
CN212934611U (zh) 显示装置
CN213878132U (zh) 发光元件以及包括该发光元件的led显示装置
CN106159073B (zh) 发光元件及其制造方法
US20210375980A1 (en) Light emitting device and display apparatus having the same
CN212934617U (zh) 发光元件及显示装置
CN115020440A (zh) 一种用于小间距高亮度的led显示屏制作方法及led显示屏
KR102217128B1 (ko) 발광 다이오드 및 그 제조 방법
CN212907741U (zh) 发光元件及具有此的显示装置
US12009466B2 (en) Light emitting device
US12002912B2 (en) Light emitting device and display apparatus having the same
US20220037570A1 (en) Light emitting device and display apparatus having the same
US20230071708A1 (en) Light emitting device
EP4310909A1 (en) Unit pixel for led display and display device comprising same
TWI764528B (zh) 發光元件及其製造方法
US20210036049A1 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
TWI799231B (zh) 發光元件及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant