CN209526088U - 一种穿通型中低压平面tvs芯片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种穿通型中低压平面TVS芯片，包括设置在P‑型硅片正反两面的N+扩散区和P+扩散区，P‑型硅片、N+扩散区和P+扩散区周围环绕设置N‑穿通隔离区，N‑穿通隔离区内侧和P+扩散区交接处设置二氧化硅钝化层，P+扩散区外表面设置阳极电极，N+扩散区表面设置阴极电极。制备方法，1）氧化；2）光刻穿通环；3）磷穿通扩散；4）正面刻窗口；5）硼扩散；6）去除背面氧化层；7）磷扩散；8）光刻引线；9）表面金属化；10）正面光刻反刻；11）真空合金；芯片测试；砂轮划片分离；芯片整理。利用耐压较高的穿通环保护内部耐压较低的PN结，防止焊锡膏溢至侧壁导致芯片短路、提高封装良率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种穿通型中低压平面TVS芯片。
背景技术
市场需求的小型化封装中低压(≤18V)TVS产品，多采用P型衬底，平面钝化工艺：通过硼、磷液态源扩散的方式形成PN结，用二氧化硅进行钝化保护。此种工艺在进行小型化封装(如DFN2X2)时，因芯片版面较小，底板涂覆的焊锡膏很容易从芯片背面溢出至芯片边缘导致短路影响封装良率。
实用新型内容
为了解决上述问题，本实用新型公开了一种穿通型中低压平面TVS芯片。
本实用新型的技术方案为：一种穿通型中低压平面TVS芯片，包括设置在P-型硅片正反两面的N+扩散区和P+扩散区，P-型硅片、N+扩散区和P+扩散区周围环绕设置N-穿通隔离区，N-穿通隔离区内侧和P+扩散区交接处设置二氧化硅钝化层，P+扩散区外表面设置阳极电极，N+扩散区表面设置阴极电极。
进一步地，N-穿通隔离区宽度为160-280um。
进一步地，二氧化硅钝化层厚度在15000-30000A。
一种穿通型中低压平面TVS芯片的制备方法，包括下列步骤：
1）氧化：在P衬底材料的两面生长氧化层，氧化条件为：1100- 1180℃，氧化时间500-700min，DSIO2＝20±2KA；
2）光刻穿通环：在P衬底硅片材料两面生长的氧化层的两面刻上穿通环，采用BOE腐蚀液腐净穿通环内氧化层，暴露出硅；
3）磷穿通扩散：采用三氯氧磷作为掺杂源，在光刻穿通环后的硅层上进行两面预淀积磷，出炉后直接进行磷再扩散推结，形成N-穿通隔离区（2），预扩温度1160-1180℃，时间240-280min，Rs＝0.27-0.33Ω/□，再扩温度 1265-1275℃，时间280-320h，穿通环宽160-280um；
4）正面刻窗口：在硅片正面的氧化层上光刻窗口，用BOE腐蚀液腐净窗口内氧化层；
5）硼扩散：采用硼源扩散方法，在正面的光刻窗口内涂覆硼源，然后进行硼扩散推结形成P+扩散区，扩散温度为：1250-1270℃，时间为：50-60h，Bxj=70-90um；
6）去除背面氧化层：在衬底材料的正面涂覆光刻胶保护，然后用BOE腐蚀液腐净背面氧化层；
7）磷扩散：采用三氯氧磷作为掺杂源，先在衬底材料上预淀积磷，预淀积后泡净表面磷硅玻璃然后再进行磷再扩散推结形成N+扩散区；预扩温度860-880℃，时间30-50min，Rs＝21-23Ω/□；再扩温度 1180-1230℃，时间4-7h，Xj＝8-15μm；
8）光刻引线：采用引线版光刻引线孔，刻出需要进行金属化的部分，并将这些部分硅片表面氧化膜腐蚀掉，引出电极；
9）表面金属化：在硅片的正面蒸发铝，铝的蒸发厚度为5~7μm；在硅片的背面蒸发钛镍银，厚度分别为1.5±0.2KA/6.0±0.5KA/15±2KA；
10）正面光刻反刻：光刻出需要进行键合的部分，并将不需要键合的多余的金属膜腐蚀掉；
11）真空合金；芯片测试；砂轮划片分离；芯片整理。
优选地，BOE腐蚀液为HF:NH4F=1：5。
本实用新型的有益之处：通过对隔离窗口内磷予扩再高温扩散的方式，实现N型杂质对通隔离扩散结构。利用耐压较高的穿通环保护内部耐压较低的PN结，穿通环N-耐压较高，有效保护N+一端的耐压，在进行小型化封装时，即使背面焊锡膏溢出，因有穿通环耐压保护，不会短路影响封装良率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
其中：1、P-型硅片，2、N-穿通隔离区，3、N+扩散区，4、P+扩散区，5、钝化层，6、阳极电极，7、阴极电极。
具体实施方式
为了加深对本实用新型的理解，下面结合附图和实施例详细描述本实用新型的具体实施方式，该实施例仅用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的保护范围的限定。
一种穿通型中低压平面TVS芯片，包括设置在P-型硅片1正反两面的N+扩散区3和P+扩散区4，P-型硅片1、N+扩散区3和P+扩散区4周围环绕设置N-穿通隔离区2，N-穿通隔离区2内侧和P+扩散区交接处设置二氧化硅钝化层5，P+扩散区4外表面设置阳极电极6，N+扩散区3表面设置阴极电极7。
N-穿通隔离区2宽度为160-280um。
二氧化硅钝化层5厚度在15000-30000A。
一种穿通型中低压平面TVS芯片的制备方法，包括下列步骤：
1）氧化：在P衬底材料的两面生长氧化层，氧化条件为：1100- 1180℃，氧化时间500-700min，DSIO2＝20±2KA；
2）光刻穿通环：在P衬底硅片材料两面生长的氧化层的两面刻上穿通环，采用BOE腐蚀液腐净穿通环内氧化层，暴露出硅；
3）磷穿通扩散：采用三氯氧磷作为掺杂源，在光刻穿通环后的硅层上进行两面预淀积磷，出炉后直接进行磷再扩散推结，形成N-穿通隔离区2，预扩温度1160-1180℃，时间240-280min，Rs＝0.27-0.33Ω/□，再扩温度 1265-1275℃，时间280-320h，穿通环宽160-280um；
4）正面刻窗口：在硅片正面的氧化层上光刻窗口，用BOE腐蚀液腐净窗口内氧化层；
5）硼扩散：采用硼源扩散方法，在正面的光刻窗口内涂覆硼源，然后进行硼扩散推结形成P+扩散区4，扩散温度为：1250-1270℃，时间为：50-60h，Bxj=70-90um；
6）去除背面氧化层：在衬底材料的正面涂覆光刻胶保护，然后用BOE腐蚀液腐净背面氧化层；
7）磷扩散：采用三氯氧磷作为掺杂源，先在衬底材料上预淀积磷，预淀积后泡净表面磷硅玻璃然后再进行磷再扩散推结形成N+扩散区3；预扩温度860-880℃，时间30-50min，Rs＝21-23Ω/□；再扩温度 1180-1230℃，时间4-7h，Xj＝8-15μm；
8）光刻引线：采用引线版光刻引线孔，刻出需要进行金属化的部分，并将这些部分硅片表面氧化膜腐蚀掉，引出电极；
9）表面金属化：在硅片的正面蒸发铝，铝的蒸发厚度为5~7μm；在硅片的背面蒸发钛镍银，厚度分别为1.5±0.2KA/6.0±0.5KA/15±2KA；
10）正面光刻反刻：光刻出需要进行键合的部分，并将不需要键合的多余的金属膜腐蚀掉；
11）真空合金；芯片测试；砂轮划片分离；芯片整理。
BOE腐蚀液为HF:NH4F=1：5。
实施例1
一种穿通型中低压平面TVS芯片，其特征在于：包括设置在P-型硅片1正反两面的N+扩散区3和P+扩散区4，P-型硅片1、N+扩散区3和P+扩散区4周围环绕设置N-穿通隔离区2，N-穿通隔离区2内侧和P+扩散区交接处设置二氧化硅钝化层5，P+扩散区4外表面设置阳极电极6，N+扩散区3表面设置阴极电极7。
一种穿通型中低压平面TVS芯片的制备方法，包括下列步骤：
1）氧化：在P衬底材料的两面生长氧化层，氧化条件为：氧化温度为1100℃，湿氧氧化时间500min，DSIO2＝18KA；
2）光刻穿通环：在P衬底硅片材料两面生长的氧化层的两面刻上穿通环，采用BOE腐蚀液腐净穿通环内氧化层，暴露出硅；
3）磷穿通扩散：采用三氯氧磷作为掺杂源，在光刻穿通环后的硅层上进行两面预淀积磷，出炉后直接进行磷再扩散推结，形成N-穿通隔离区2，预扩温度1160℃，时间240min，Rs＝0.33Ω/□，再扩温度 1265℃，时间280h，穿通环宽160um；
4）正面刻窗口：在硅片正面的氧化层上光刻窗口，用BOE腐蚀液腐净窗口内氧化层；
5）硼扩散：采用硼源扩散方法，在正面的光刻窗口内涂覆硼源，然后进行硼扩散推结形成P+扩散区4，扩散温度为：1250℃，时间为：50h，Bxj=70um；
6）去除背面氧化层：在衬底材料的正面涂覆光刻胶保护，然后用BOE腐蚀液腐净背面氧化层；
7）磷扩散：采用三氯氧磷作为掺杂源，先在衬底材料上预淀积磷，预淀积后泡净表面磷硅玻璃然后再进行磷再扩散推结形成N+扩散区3；预扩温度860℃，时间30min，Rs＝23Ω/□；再扩温度 1180℃，时间4h，Xj＝8μm；
8）光刻引线：采用引线版光刻引线孔，刻出需要进行金属化的部分，并将这些部分硅片表面氧化膜腐蚀掉，引出电极；
9）表面金属化：在硅片的正面蒸发铝，铝的蒸发厚度为5μm；在硅片的背面蒸发钛镍银，厚度分别为1.5KA/6.0KA/15KA；
10）正面光刻反刻：光刻出需要进行键合的部分，并将不需要键合的多余的金属膜腐蚀掉；
11）真空合金；芯片测试；砂轮划片分离；芯片整理。
BOE腐蚀液为HF:NH4F=1：5。
实施例2
一种穿通型中低压平面TVS芯片，其特征在于：包括设置在P-型硅片1正反两面的N+扩散区3和P+扩散区4，P-型硅片1、N+扩散区3和P+扩散区4周围环绕设置N-穿通隔离区2，N-穿通隔离区2内侧和P+扩散区交接处设置二氧化硅钝化层5，P+扩散区4外表面设置阳极电极6，N+扩散区3表面设置阴极电极7。
一种穿通型中低压平面TVS芯片的制备方法，包括下列步骤：
1）氧化：在P衬底材料的两面生长氧化层，氧化条件为：1140℃，氧化时间600min，DSIO2＝20KA；
2）光刻穿通环：在P衬底硅片材料两面生长的氧化层的两面刻上穿通环，采用BOE腐蚀液腐净穿通环内氧化层，暴露出硅；
3）磷穿通扩散：采用三氯氧磷作为掺杂源，在光刻穿通环后的硅层上进行两面预淀积磷，出炉后直接进行磷再扩散推结，形成N-穿通隔离区2，预扩温度1170℃，时间260min，Rs＝0.3Ω/□，再扩温度 1270℃，时间300h，穿通环宽220um；
4）正面刻窗口：在硅片正面的氧化层上光刻窗口，用BOE腐蚀液腐净窗口内氧化层；
5）硼扩散：采用硼源扩散方法，在正面的光刻窗口内涂覆硼源，然后进行硼扩散推结形成P+扩散区4，扩散温度为：1260℃，时间为：55h，Bxj=80um；
6）去除背面氧化层：在衬底材料的正面涂覆光刻胶保护，然后用BOE腐蚀液腐净背面氧化层；
7）磷扩散：采用三氯氧磷作为掺杂源，先在衬底材料上预淀积磷，预淀积后泡净表面磷硅玻璃然后再进行磷再扩散推结形成N+扩散区3；预扩温度870℃，时间40min，Rs＝22Ω/□；再扩温度 1210℃，时间6h，Xj＝12μm；
8）光刻引线：采用引线版光刻引线孔，刻出需要进行金属化的部分，并将这些部分硅片表面氧化膜腐蚀掉，引出电极；
9）表面金属化：在硅片的正面蒸发铝，铝的蒸发厚度为5μm；在硅片的背面蒸发钛镍银，厚度分别为1.5KA/6.0KA/15KA；
10）正面光刻反刻：光刻出需要进行键合的部分，并将不需要键合的多余的金属膜腐蚀掉；
11）真空合金；芯片测试；砂轮划片分离；芯片整理。
BOE腐蚀液为HF:NH4F=1：5。
实施例3
一种穿通型中低压平面TVS芯片，其特征在于：包括设置在P-型硅片1正反两面的N+扩散区3和P+扩散区4，P-型硅片1、N+扩散区3和P+扩散区4周围环绕设置N-穿通隔离区2，N-穿通隔离区2内侧和P+扩散区交接处设置二氧化硅钝化层5，P+扩散区4外表面设置阳极电极6，N+扩散区3表面设置阴极电极7。
一种穿通型中低压平面TVS芯片的制备方法，包括下列步骤：
1）氧化：在P衬底材料的两面生长氧化层，氧化条件为：1160℃，氧化时间650min，DSIO2＝21KA；
2）光刻穿通环：在P衬底硅片材料两面生长的氧化层的两面刻上穿通环，采用BOE腐蚀液腐净穿通环内氧化层，暴露出硅；
3）磷穿通扩散：采用三氯氧磷作为掺杂源，在光刻穿通环后的硅层上进行两面预淀积磷，出炉后直接进行磷再扩散推结，形成N-穿通隔离区2，预扩温度1175℃，时间270min，Rs＝0.28Ω/□，再扩温度 1272℃，时间310h，穿通环宽250um；
4）正面刻窗口：在硅片正面的氧化层上光刻窗口，用BOE腐蚀液腐净窗口内氧化层；
5）硼扩散：采用硼源扩散方法，在正面的光刻窗口内涂覆硼源，然后进行硼扩散推结形成P+扩散区4，扩散温度为：1265℃，时间为：58h，Bxj=85um；
6）去除背面氧化层：在衬底材料的正面涂覆光刻胶保护，然后用BOE腐蚀液腐净背面氧化层；
7）磷扩散：采用三氯氧磷作为掺杂源，先在衬底材料上预淀积磷，预淀积后泡净表面磷硅玻璃然后再进行磷再扩散推结形成N+扩散区3；预扩温度875℃，时间45min，Rs＝21.5Ω/□；再扩温度 1220℃，时间6.5h，Xj＝14μm；
8）光刻引线：采用引线版光刻引线孔，刻出需要进行金属化的部分，并将这些部分硅片表面氧化膜腐蚀掉，引出电极；
9）表面金属化：在硅片的正面蒸发铝，铝的蒸发厚度为5μm；在硅片的背面蒸发钛镍银，厚度分别为1.5KA/6.0KA/15KA；
10）正面光刻反刻：光刻出需要进行键合的部分，并将不需要键合的多余的金属膜腐蚀掉；
11）真空合金；芯片测试；砂轮划片分离；芯片整理。
BOE腐蚀液为HF:NH4F=1：5。
实施例4
一种穿通型中低压平面TVS芯片，其特征在于：包括设置在P-型硅片1正反两面的N+扩散区3和P+扩散区4，P-型硅片1、N+扩散区3和P+扩散区4周围环绕设置N-穿通隔离区2，N-穿通隔离区2内侧和P+扩散区交接处设置二氧化硅钝化层5，P+扩散区4外表面设置阳极电极6，N+扩散区3表面设置阴极电极7。
一种穿通型中低压平面TVS芯片的制备方法，包括下列步骤：
1）氧化：在P衬底材料的两面生长氧化层，氧化条件为：1180℃，氧化时间700min，DSIO2＝22KA；
2）光刻穿通环：在P衬底硅片材料两面生长的氧化层的两面刻上穿通环，采用BOE腐蚀液腐净穿通环内氧化层，暴露出硅；
3）磷穿通扩散：采用三氯氧磷作为掺杂源，在光刻穿通环后的硅层上进行两面预淀积磷，出炉后直接进行磷再扩散推结，形成N-穿通隔离区2，预扩温度1180℃，时间280min，Rs＝0.27Ω/□，再扩温度 1275℃，时间320h，穿通环宽280um；
4）正面刻窗口：在硅片正面的氧化层上光刻窗口，用BOE腐蚀液腐净窗口内氧化层；
5）硼扩散：采用硼源扩散方法，在正面的光刻窗口内涂覆硼源，然后进行硼扩散推结形成P+扩散区4，扩散温度为：1270℃，时间为：60h，Bxj=90um；
6）去除背面氧化层：在衬底材料的正面涂覆光刻胶保护，然后用BOE腐蚀液腐净背面氧化层；
7）磷扩散：采用三氯氧磷作为掺杂源，先在衬底材料上预淀积磷，预淀积后泡净表面磷硅玻璃然后再进行磷再扩散推结形成N+扩散区3；预扩温度880℃，时间50min，Rs＝21Ω/□；再扩温度 1230℃，时间7h，Xj＝15μm；
8）光刻引线：采用引线版光刻引线孔，刻出需要进行金属化的部分，并将这些部分硅片表面氧化膜腐蚀掉，引出电极；
9）表面金属化：在硅片的正面蒸发铝，铝的蒸发厚度为5μm；在硅片的背面蒸发钛镍银，厚度分别为1.5KA/6.0KA/15KA；
10）正面光刻反刻：光刻出需要进行键合的部分，并将不需要键合的多余的金属膜腐蚀掉；
11）真空合金；芯片测试；砂轮划片分离；芯片整理。
BOE腐蚀液为HF:NH4F=1：5。
Claims (3)
1.一种穿通型中低压平面TVS芯片，其特征在于：包括设置在P-型硅片（1）正反两面的N+扩散区（3）和P+扩散区（4），所述P-型硅片（1）、N+扩散区（3）和P+扩散区（4）周围环绕设置N-穿通隔离区（2），所述N-穿通隔离区（2）内侧和P+扩散区（4）交接处设置二氧化硅钝化层（5），所述P+扩散区（4）外表面设置阳极电极（6），所述N+扩散区（3）表面设置阴极电极（7）。
2.根据权利要求1所述的一种穿通型中低压平面TVS芯片，其特征在于：所述N-穿通隔离区（2）宽度为160-280um。
3.根据权利要求1所述的一种穿通型中低压平面TVS芯片，其特征在于：所述二氧化硅钝化层（5）厚度在15000-30000A。
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| CN201920465189.XU CN209526088U (zh) | 2019-04-09 | 2019-04-09 | 一种穿通型中低压平面tvs芯片 |
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| CN201920465189.XU CN209526088U (zh) | 2019-04-09 | 2019-04-09 | 一种穿通型中低压平面tvs芯片 |
Publications (1)
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| CN209526088U true CN209526088U (zh) | 2019-10-22 |
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ID=68231971
Family Applications (1)
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| CN201920465189.XU Active CN209526088U (zh) | 2019-04-09 | 2019-04-09 | 一种穿通型中低压平面tvs芯片 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110010675A (zh) * | 2019-04-09 | 2019-07-12 | 捷捷半导体有限公司 | 一种穿通型中低压平面tvs芯片及其制备方法 |
| CN113707544A (zh) * | 2021-08-23 | 2021-11-26 | 江苏捷捷微电子股份有限公司 | 一种半导体器件芯片穿通扩散制造方法 |
| CN115472605A (zh) * | 2022-09-10 | 2022-12-13 | 江苏晟驰微电子有限公司 | 一种大功率低钳位保护器件的制作方法及保护器件 |
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2019
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| GR01 | Patent grant | ||
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