CN110071171B - 一种带有过压斩波特性的可控硅芯片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种带有过压斩波特性的可控硅芯片及其制备方法,芯片包含中部的N型长基区N1,P型短基区P2、P3、P4、P5、P6、P7,隔离墙P1,扩磷区域N2(或扩磷区域N2、N3、N4)等。尤其所述的:P型短基区P4与P2、P3之间由N型长基区N1隔开,P型短基区P7与P5、P6之间由N型长基区N1隔开;P型短基区P4、P7与N型长基区N1形成可控硅的斩波特性,使得可控硅既提升自身防护能力、又可以保护后端电路的器件,甚至可以取消前端的TVS保护器件,既提升了电路安全性、又简化了电路器件,且降低生产制造成本。
Description
技术领域
本发明涉及可控硅技术领域,一种带有过压斩波特性的可控硅及其制备方法。
背景技术
电力半导体器件可控硅,主要包括外壳、芯片、框架三部分,其核心部分在于芯片,芯片的阳极焊接在框架上,芯片的门极和阴极分别通过导线连接到框架相应的管脚上,外壳起到保护芯片的作用。
实际的应用场景中,在电路板的前端,通常需要压敏电阻、TVS等防护器件对可控硅、控制芯片等后端器件进行过压保护,防止电网尖峰、雷击、电磁干扰等恶劣工况对后端器件(可控硅、控制芯片等)的损坏。
普通的可控硅是没有过压保护功能的,一旦电路前端的压敏电阻、TVS等防护器件未能有效降低电路残压,会将可控硅、控制芯片等整个回路上的所有器件损毁,造成重大的经济损失。
发明内容
本发明的目的在于:提供一种带有过压斩波特性的可控硅芯片,将可控硅与TVS集成在一起,既可实现可控硅器件的半可控特性、又可实现TVS器件的过压斩波特性;使得该可控硅既提升自身防护能力、又可以保护后端电路的器件,甚至可以取消前端的TVS保护器件,既提升了电路安全性、又简化了电路器件,且降低生产制造成本。
为了达到上述目的,本发明的一个技术方案是提供一种带有斩波特性的可控硅芯片。
该芯片包括位于芯片中间的N型长基区N1,设置在N型长基区N1下侧的P型长基区P5、P6和P型短基区P7,设置在N型长基区N1上侧的P型长基区P2、P3和P型短基区P4。短基区P4、P7分别与N型长基区N1形成纵向TVS结构。
P型长基区P2上设置有扩磷区域N2,P型长基区P3上设置有扩磷区域N3、P型长基区P5上设置有扩磷区域N4;所述扩磷区域N3上设置门极。P型长基区P2、P型短基区P4、所述扩磷区域N2及N型长基区N1上设置阴极。P型长基区P5、P6、P型短基区P7,扩磷区域N4,隔离墙P1,N型长基区N1上设置阳极。
进一步的,P型短基区P4与P型长基区P2、P3之间由N型长基区N1隔开,P型短基区P7与P型长基区P5、P6之间由N型长基区N1隔开。
进一步的,隔离墙P1与所述门极、所述阴极之间设置有沟槽保护,
进一步的,该可控硅芯片为双向可控硅芯片,在所述隔离墙P1上设置有划切区域;在所述门极与阴极之间,设置有氧化层薄膜;所述沟槽内设有玻璃膜进行钝化保护。
一种带有过压斩波特性可控硅芯片的制作方法,包括以下步骤:
第一步,双面氧化并隔离扩散硅片;硅片中间设为N型长基区N1。
第二步,光刻P区长基区窗口,腐蚀干净窗口内的氧化层。
第三步,离子注入硼或铝,高温扩散后形成P型长基区P2、P3、P5、P6。
第四步,光刻P区短基区窗口,腐蚀干净窗口内的氧化层。
第五步,离子注入硼或铝,高温扩散后形成P型短基区P4、P7。
第六步,光刻K区,在硅片双面光刻扩磷区域。
第七步,磷扩散,形成扩磷区域N2、N3、N4。
第八步,正面刻槽并台面腐蚀,在硅片正面光刻沟槽区域,用硅腐蚀液腐蚀沟槽,沟槽槽深:70-120um。
第九步,玻璃钝化。
第十步,正面刻引线,正面刻出需要进行金属化的区域,并将区域内的氧化层腐蚀干净。
第十一步,双面金属化,在硅片正背面分别蒸发钛-镍-银,钛蒸发厚度要求1200-1600埃,镍蒸发厚度要求4500-5500埃,银蒸发厚度要求1.4-1.7um,形成门极、阴极和阳极。
第十二步,正面反刻,对不需要金属层覆盖的区域进行光刻,光刻后腐蚀去除该区域内的金属层,然后剥离去胶。
第十三步,合金,加强金属与硅的结合力。
第十四步,测试。
第十五步,硅片划切。
将划切后的芯片进行粘片、键合、包封、电镀、切筋、成品测试,最终的产品即为带有过压斩波特性的可控硅。
进一步的,P型短基区P4、P7与P型长基区P2、P3、P5、P6之间,间隔距离大于50um。
进一步的,P型短基区P4、P7的结深低于与P型长基区P2、P3、P5、P6的结深,结深差异大于10um;用于实现可控硅的双向过压斩波特性。
与现有技术相比,本发明带有斩波特性的可控硅芯片,包含N型长基区N1,P型长基区P2、P3、P5、P6,P型短基区P4、P7,隔离墙P1,扩磷区域N2、N3、N4,沟槽。其中P型短基区P4、P7是由硅片经隔离扩散后,双面经过氧化、光刻P区窗口并高温扩散形成P型长基区P2、P3、P5、P6区,然后再次光刻P区窗口并高温扩散形成P型短基区P4、P7。P型短基区P4、P7与P型长基区P2、P3、P5、P6之间由N型长基区N1隔开。本发明通过P型短基区P4、P7与N型长基区N1形成TVS结构,实现可控硅的斩波特性,使得可控硅既提升自身防护能力、又可以保护后端电路的器件,甚至可以取消前端的TVS保护器件,既提升了电路安全性、又简化了电路器件,且降低生产制造成本。
附图说明
图1为本发明芯片结构示意图。
图2为本发明等效电路示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。
本实施方式中的可控硅为带有斩波特性的双向可控硅,主要包含外壳、芯片、框架三部分,其核心部分在于芯片,芯片的阳极焊接在框架上,芯片的门极和阴极分别通过导线连接到框架相应的管脚上,外壳起到保护芯片的作用。
如图1所示,带有过压斩波特性双向可控硅芯片,包括N型长基区N1、隔离墙P1、P型长基区P2、P型长基区P3、P型短基区P4、P型长基区P5、P型长基区P6、P型短基区P7、扩磷区域N2、扩磷区域N3、扩磷区域N4、氧化层112、沟槽113、划切道114、门极115、阴极116、阳极117。短基区P4、P7经光刻、离子注入、高温扩散后推结而成,分别与N型长基区N1形成TVS结构(纵向),从而实现可控硅的双向过压斩波特性。
芯片中间为N型长基区N1,上下两侧依次分布为:P型长基区P3、P型短基区P4、P型长基区P2,P型长基区P5、P型短基区P7、P型长基区P6,四周有隔离墙P1环绕。扩磷区域N2在P型长基区P2之内,扩磷区域N3在P型长基区P3内,扩磷区域N4在P型长基区P5内。扩磷区域N2、P型长基区P2、N型长基区N1上方为阴极116。扩磷区域N3和P型长基区P3的上方为门极115。N型长基区N1、扩磷区域N4、隔离墙P1、P型长基区P5、P型长基区P6、P型短基区P7的下方为阳极117。隔离墙P1上方有划切道114。门极115和阴极116与隔离墙P1之间有沟槽113隔开。门极115与阴极116之间有氧化层112隔开。
一种带有过压斩波特性可控硅芯片的制作方法,步骤包括:
硅片来料检验:选取<111>晶向、直拉单晶或区熔单晶,电阻率20-100Ω·cm,硅片厚度200~400um。
双面氧化:高温湿氧法生长氧化层,厚度大于1um;
隔离扩散:扩散温度1200~1280℃,扩散时间20~60小时,以实现硅片厚度为200-500um的对通隔离;形成的隔离墙厚度为150~400um。
光刻P型长基区窗口:双面涂覆光刻胶,经曝光、显影、坚膜后,用BOE或氢氟酸腐蚀液腐蚀P型基区窗口内的氧化层;硫酸去除表面剩余的光刻胶。
双面注入硼:注入能量40~80KeV、注入硼剂量1~5E15。
高温扩散:扩散温度1200~1280℃,扩散时间15~30小时,扩散气氛:氮气与氧气比例1:1~2:1,其中,氮气流量2~6L/min,氧气流量1~3L/min,升温速率3~5℃/min、降温速率1~3℃/min;即,形成图1中P型长基区P2、P3、P5、P6,硼的结深为20-50um;
光刻P型短基区窗口:双面涂覆光刻胶,经曝光、显影、坚膜后,用BOE或氢氟酸腐蚀液腐蚀P型短基区窗口P4、P7内的氧化层;硫酸去除表面剩余的光刻胶。
双面注入硼:注入能量40~80KeV、注入硼剂量1~5E15。
高温扩散:扩散温度1200~1280℃,扩散时间15~30小时,扩散气氛:氮气与氧气比例1:1~2:1,其中,氮气流量2~6L/min,氧气流量1~3L/min,升温速率3~5℃/min、降温速率1~3℃/min;即,形成图2中P型短基区P4、P7,P型短基区P4、P7内硼的结深为30-50um;P型长基区P2、P3、P5、P6内硼的结深为40-80um;两者间隔大于50um,结深差异大于10um。
双面刻K区:在硅片双面光刻扩磷区域。
磷扩散:采用三氯氧磷(POCl3)液态源扩散,预扩温度1050~1150℃,预扩时间60-90分钟,源温15-20℃,磷再扩温度1150~1200℃,时间4-5小时,R□为0.3-1.00□,扩散结深为10-20um。即,形成了图1中所示的扩磷区域N2、N3、N4。
正面刻槽:在硅片正面光刻沟槽区域,并用BOE或氢氟酸腐蚀液腐蚀将沟槽内氧化层腐蚀干净。
台面腐蚀:用硅腐蚀液腐蚀沟槽,沟槽槽深:70-120um。
玻璃钝化:玻璃粉与粘结剂按一定配比搅拌成玻璃糊,搅拌均匀后,用刀片均匀刮涂在硅片正面;经高温烧结后,形成图1中玻璃钝化膜113。
正面刻引线: 正面刻出需要进行金属化的区域,并将区域内的氧化层腐蚀干净。
双面金属化: 在硅片正背面分别蒸发钛-镍-银,钛蒸发厚度要求1200-1600埃,镍蒸发厚度要求4500-5500埃,银蒸发厚度要求1.4-1.7um。即,在对应位置形成了图1中所示的门极115、阴极116和阳极117。
正面反刻:对不需要金属层覆盖的区域进行光刻。光刻后腐蚀去除上述区域内的金属层,然后进行剥离去胶。
合金:真空合金,加强金属与硅的结合力。
测试:按照芯片参数要求进行测试。
划切:硅片划切成互相分离的芯片。
将划切后的芯片进行粘片、键合、包封、电镀、切筋、成品测试,最终的产品即为带有过压斩波特性的可控硅。
Claims (7)
1.一种带有斩波特性的可控硅芯片,其特征在于:包括位于芯片中间的N型长基区N1,设置在N型长基区N1下侧的P型长基区P5、P6和P型短基区P7,设置在N型长基区N1上侧的P型长基区P2、P3和P型短基区P4;短基区P4、P7分别与N型长基区N1形成TVS结构;
所述P型长基区P2上设置有扩磷区域N2,P型长基区P3上设置有扩磷区域N3、P型长基区P5上设置有扩磷区域N4;所述扩磷区域N3上设置门极;
所述P型长基区P2、P型短基区P4、所述扩磷区域N2及N型长基区N1上设置阴极;
所述P型长基区P5、P6、P型短基区P7,扩磷区域N4,隔离墙P1,N型长基区N1上设置阳极。
2.按照权利要求1所述的一种带有斩波特性的可控硅芯片,其特征在于:所述P型短基区P4与P型长基区P2、P3之间由N型长基区N1隔开,P型短基区P7与P型长基区P5、P6之间由N型长基区N1隔开。
3.按照权利要求1所述的一种带有斩波特性的可控硅芯片,其特征在于:所述隔离墙P1与所述门极、所述阴极之间设置有沟槽保护。
4.按照权利要求3所述的一种带有斩波特性的可控硅芯片,其特征在于:该可控硅芯片为双向可控硅芯片,在所述隔离墙P1上设置有划切区域;在所述门极与阴极之间,设置有氧化层薄膜;所述沟槽内设有玻璃膜进行钝化保护。
5.一种带有过压斩波特性可控硅芯片的制作方法,其特征在于:包括以下步骤
第一步,双面氧化并隔离扩散硅片;
第二步,光刻P区长基区窗口,腐蚀干净窗口内的氧化层;
第三步,离子注入硼或铝,高温扩散后形成P型长基区P2、P3、P5、P6;
第四步,光刻P区短基区窗口,腐蚀干净窗口内的氧化层;
第五步,离子注入硼或铝,高温扩散后形成P型短基区P4、P7;
第六步,光刻K区,在硅片双面光刻扩磷区域;
第七步,磷扩散,形成扩磷区域N2、N3、N4;
第八步,正面刻槽并台面腐蚀,在硅片正面光刻沟槽区域,用硅腐蚀液腐蚀沟槽;
第九步,玻璃钝化;
第十步,正面刻引线,正面刻出需要进行金属化的区域,并将区域内的氧化层腐蚀干净;
第十一步,双面金属化,在硅片正背面分别蒸发钛-镍-银,形成门极、阴极和阳极;
第十二步,正面反刻,对不需要金属层覆盖的区域进行光刻,光刻后腐蚀去除该区域内的金属层,然后剥离去胶;
第十三步,合金,加强金属与硅的结合力;
第十四步,测试;
第十五步,硅片划切。
6.按照权利要求5所述的一种带有过压斩波特性可控硅芯片的制作方法,其特征在于:所述P型短基区P4、P7与P型长基区P2、P3、P5、P6之间,间隔距离大于50um。
7.按照权利要求5所述的一种带有过压斩波特性可控硅芯片的制作方法,其特征在于:所述P型短基区P4、P7的结深低于P型长基区P2、P3、P5、P6的结深,结深差异大于10um;用于实现可控硅的双向过压斩波特性。
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CN102244078A (zh) * | 2011-07-28 | 2011-11-16 | 启东市捷捷微电子有限公司 | 台面工艺可控硅芯片结构和实施方法 |
CN202206134U (zh) * | 2011-08-16 | 2012-04-25 | 江苏晟芯微电子有限公司 | Led过压及开路保护装置 |
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