CN113161238B - 高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，包括以下步骤：在单晶硅片上生长一层氧化层，在芯片边缘进行对通隔离扩散，再进行背面阳极区及正面短基区P扩散；在正面短基区P上进行磷扩散；在正面进行局部腐蚀，形成深沟槽；在正面门极与阴极交界处附近进行腐蚀，形成浅沟槽；在表面及沟槽内沉积一层SIPOS，作为PN结最底层的钝化层；在沟槽内、SIPOS上填充一层玻璃层作为最终的保护钝化层；通过LPCVD方法在表面生长一层氧化层作为引线孔光刻的过渡层；在正面、背面光刻出引线窗口，同时在边缘开出划片槽；正、背面金属化后，得到芯片。通过提高门极灵敏型触发可控硅的温度特性，来提高产品使用的最高结温，提升产品的高温适应性能。
Description
技术领域
本发明涉及芯片制造技术领域，特别涉及一种半导体分立器件的制作工艺。
背景技术
目前市面上的可控硅芯片结构分为平面结构和台面结构，平面结构由于芯片面积及成本的原因，电压达到1000V以上成了瓶颈，故而目前采用此结构的厂家不多，主要还是以台面结构为主，台面结构的可控硅目前为市场主流结构。在台面可控硅家族中有一类门极灵敏型触发可控硅，该类产品的触发电流较为灵敏，一般为5-200µA。由于门极灵敏型触发可控硅触发电流较小，在低温及高温场合对产品的温度特性要求较高，正常情况下，低温下触发电流会成线性增大，容易出现低温状态下可控硅不导通现象，同样高温下触发电流会成线性减小，容易出现高温状态下可控硅误导通现象，常规的门极灵敏型触发可控硅最高结温不超过110℃，一般最高使用环境温度不超过80℃，结温较低，给使用带来一定的局限性。常规门极灵敏型触发可控硅主要结构图见图3，结温较低主要由于发射结为平面结构，表面PN结主要靠SiO2介质层保护，我们知道，平面PN结的表面杂质浓度最浓，电场分布最强，硅表面与SiO2介质层之间存在大量的可动电荷，这些可动电荷会导致高温下门极漏电流的增大，进而触发可控硅的电流会减少，可控硅容易出现误导通。因此无论平面结表面采用SiO2还是其他介质层，都无法进一步改善高、低温特性，结温达到110℃以后，器件就会完全失效。
发明内容
本发明的目的是提供一种高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，通过提高门极灵敏型触发可控硅的温度特性，来提高产品使用的最高结温，增大产品的高温适应性能。
本发明的目的是这样实现的：一种高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，包括以下步骤：
步骤1）在单晶硅片上生长一层氧化层作为穿通隔离扩散的掩蔽层；
步骤2）在氧化层边缘光刻穿通隔离扩散窗口；
步骤3）在穿通隔离扩散窗口内涂上一层硼源，然后进行高温预扩散，将硼杂质P+扩散到硅表面附近；
步骤4）进行高温对通隔离扩散，同时生长一层氧化层，使正反面的P+实现对通隔离；
步骤5）进行短基区P扩散，使用硼族元素对双面进行扩散，形成背面阳极区和正面短基区，同时表面生长一层氧化层，作为阴极扩散的掩蔽层；
步骤6）在正面氧化层上光刻阴极扩散窗口；
步骤7）在高温下对阴极扩散窗口处的正面阴极区进行磷扩散，同时表面生长一层氧化层，作为台面腐蚀的掩蔽层；
步骤8）在正面氧化层上光刻深槽腐蚀窗口；
步骤9）在深槽腐蚀窗口处进行腐蚀，形成深沟槽，使得阴极区外围边缘表面的PN结隔离；
步骤10）在正面门极附近光刻浅槽腐蚀窗口；
步骤11）在浅槽腐蚀窗口处进行腐蚀，形成浅沟槽，使得门极附近的表面PN结隔离；
步骤12）在表面及沟槽内沉积一层SIPOS，作为PN结最底层的钝化层；
步骤13）在沟槽内、SIPOS上填充一层玻璃层作为最终的保护钝化层；
步骤14）通过LPCVD方法，在表面生长一层氧化层作为引线孔光刻的过渡层；
步骤15）在正面、背面光刻出引线窗口，同时在边缘开出划线槽；
步骤16）正、背面金属化，得到芯片。
作为本发明的进一步改进，步骤1）氧化的温度为：1130℃~1200℃。
作为本发明的进一步改进，步骤3）预扩散的温度为：1000℃~1150℃。
作为本发明的进一步改进，步骤4）对通扩散的温度为：1250℃~1280℃。
作为本发明的进一步改进，步骤5）中的短基区P扩散的温度为：940℃~1250℃。
作为本发明的进一步改进，步骤7）中的磷扩散温度为：960℃~1200℃。
作为本发明的进一步改进，步骤9）中深沟槽的深度为50~70µm，对阴极区外围的表面PN进行隔离，进一步降低表面电场。
作为本发明的进一步改进，步骤11）中浅沟槽的深度为5~15µm，对初始导通区的表面PN进行隔离，进一步降低门极与阴极之间的表面漏电。
作为本发明的进一步改进，步骤12）中SIPOS厚度为5000~10000Å。在深槽与浅槽隔离区表面沉积的SIPOS层为掺氧多晶硅，比氧化层有更好的保护作用，可降低高温下的PN结漏电流，高温下的稳定性会更好。
作为本发明的进一步改进，步骤13）中玻璃钝化温度为：450℃~720℃，与步骤12中的SIPOS形成复合钝化层，提升器件的可靠性。
作为本发明的进一步改进，步骤14）中氧化层厚度为：2000~5000Å。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
a）发射区边缘全部采用沟槽隔离（对应步骤9、步骤11）、SIPOS+玻璃钝化的复合钝化技术（对应步骤12、步骤13），通过几个步骤相结合，产品的漏电流实现最小，批量生产触发电流的一致性更好，生产效率更高；
b）产品的可靠性更高，避免因氧化层沾污及其它原因导致的表面漏电，影响触发电流的变化率，进而影响产品在高低温环境下的使用（对应步骤9、步骤11、步骤12、步骤13）；
c）本发明的产品最高工作温度能达到120℃，而现有技术最高只能达到110℃，甚至更低，高低温下的失效率更低，现有技术典型温度变化率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明制得的可控硅芯片截面图。
图2为本发明制得的可控硅芯片正面图。
图3为现有技术中的可控硅芯片截面图。
图4-图19为本发明制作工艺中每一步骤制作示意图。
图20为本发明制得可控硅芯片与现有技术的IGT温度特性对比图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1-2所示的一种高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片，其制作工艺包括以下步骤：
步骤1）在单晶硅片上生长一层氧化层作为穿通隔离扩散的掩蔽层，氧化的温度为：1130℃~1200℃，见图4；
步骤2）在氧化层边缘光刻穿通隔离扩散窗口，见图5；
步骤3）在穿通隔离扩散窗口内涂上一层硼源，然后进行高温预扩散，预扩散的温度为：1000℃~1150℃，将硼杂质P+扩散到硅表面附近，见图6；
步骤4）进行高温对通隔离扩散，对通隔离扩散的温度为：1250℃~1280℃，同时生长一层氧化层，使正反面的P+实现对通隔离，见图7；
步骤5）进行短基区P扩散，使用铝、镓或硼源对双面进行扩散，形成背面阳极区和正面短基区，同时表面生长一层氧化层，作为阴极扩散的掩蔽层，扩散的温度为：940℃~1250℃，见图8；
步骤6）在正面氧化层上光刻阴极扩散窗口，见图9；
步骤7）在960℃~1200℃下对阴极扩散窗口处的正面阴极区进行磷扩散，同时表面生长一层氧化层，作为台面腐蚀的掩蔽层，见图10；
步骤8）在正面氧化层上光刻深槽腐蚀窗口，见图11；
步骤9）在深槽腐蚀窗口处进行腐蚀，形成深沟槽（深度为50~70µm），使得阴极区外围边缘表面的PN结隔离，见图12；
步骤10）在正面门极附近光刻浅槽腐蚀窗口，见图13；
步骤11）在浅槽腐蚀窗口处进行腐蚀，形成浅沟槽（深度为5~15µm），使得门极附近的表面PN结隔离，见图14；
步骤12）在表面及沟槽内沉积一层SIPOS，作为PN结最底层的钝化层，SIPOS厚度为5000~10000Å，见图15；
步骤13）在沟槽内、SIPOS上填充一层玻璃层作为最终的保护钝化层，玻璃钝化温度为：450℃~720℃，见图16；
步骤14）通过LPCVD方法，在表面生长一层氧化层作为引线孔光刻的过渡层，氧化层厚度为：2000~5000Å，见图17；
步骤15）在正面、背面光刻出引线窗口，同时在边缘开出划线槽，见图18；
步骤16）正、背面金属化，得到芯片，见图19。
本发明将可控硅阴极发射区边缘一圈的表面PN结通过台面腐蚀的方法进行隔离，然后在沟槽表面通过LPCVD方式沉积一层半绝缘掺氧多晶硅（Semi-InsulatingPolycrystalline-Silicon，SIPOS），用于固定表面电荷，降低表面漏电流，SIPOS作为介质层具有先天的优势，高温下稳定性比SiO2、Si3N4等半导体器件常用的介质层要明显好的多，故选用SIPOS替代常规的SiO2，然后在SIPOS上面做一层玻璃钝化，作为电压保护层，通过SIPOS+玻璃钝化的复合工艺所制造出来的可控硅温度特性最佳，最高结温能达到120℃，更适合一些环境恶劣的应用场合（比如极端高温、低温应用场合）；将本发明制得的芯片与现有芯片进行对比，本发明的产品最高工作温度能达到120℃，而现有技术最高只能达到110℃，甚至更低，高低温下的失效率更低，现有技术典型温度变化率，IGT（80℃）/ IGT（25℃）=0.1~0.5倍、IGT（-40℃）/ IGT（25℃）=2~5倍，采用新技术后IGT（80℃）/ IGT（25℃）=0.7~0.8倍、IGT（-40℃）/ IGT（25℃）=1.5~2倍，新技术的触发电流变化率更小，如图20所示。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
Claims (10)
1.一种高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1）在单晶硅片上生长一层氧化层作为穿通隔离扩散的掩蔽层；
步骤2）在氧化层边缘光刻穿通隔离扩散窗口；
步骤3）在穿通隔离扩散窗口内涂上一层硼源，然后进行高温预扩散，将硼杂质P+扩散到硅表面附近；
步骤4）进行高温对通隔离扩散，同时生长一层氧化层，使正反面的P+实现对通隔离；
步骤5）进行短基区P扩散，使用硼族元素对双面进行扩散，形成背面阳极区和正面短基区，同时表面生长一层氧化层，作为阴极扩散的掩蔽层；
步骤6）在正面氧化层上光刻阴极扩散窗口；
步骤7）在高温下对阴极扩散窗口处的正面阴极区进行磷扩散，同时表面生长一层氧化层，作为台面腐蚀的掩蔽层；
步骤8）在正面氧化层上光刻深槽腐蚀窗口；
步骤9）在深槽腐蚀窗口处进行腐蚀，形成深沟槽，使得阴极区外围边缘表面的PN结隔离；
步骤10）在正面门极附近光刻浅槽腐蚀窗口；
步骤11）在浅槽腐蚀窗口处进行腐蚀，形成浅沟槽，使得门极附近的表面PN结隔离；
步骤12）在表面及沟槽内沉积一层SIPOS，作为PN结最底层的钝化层；
步骤13）在沟槽内、SIPOS上填充一层玻璃层作为最终的保护钝化层；
步骤14）通过LPCVD方法，在表面生长一层氧化层作为引线孔光刻的过渡层；
步骤15）在正面、背面光刻出引线窗口，同时在边缘开出划线槽；
步骤16）正、背面金属化，得到芯片。
2.根据权利要求1所述的高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，其特征在于，步骤3）预扩散的温度为：1000℃~1150℃。
3.根据权利要求1或2所述的高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，其特征在于，步骤4）对通扩散的温度为：1250℃~1280℃。
4.根据权利要求1或2所述的高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，其特征在于，步骤5）中的短基区P扩散的温度为：940℃~1250℃。
5.根据权利要求1或2所述的高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，其特征在于，步骤7）中的磷扩散温度为：960℃~1200℃。
6.根据权利要求1或2所述的高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，其特征在于，步骤9）中深沟槽的深度为50~70µm。
7.根据权利要求1或2所述的高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，其特征在于，步骤11）中浅沟槽的深度为5~15µm。
8.根据权利要求1或2所述的高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，其特征在于，步骤12）中SIPOS厚度为5000~10000Å。
9.根据权利要求1或2所述的高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，其特征在于，步骤13）中玻璃钝化温度为：450℃~720℃。
10.根据权利要求1或2所述的高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，其特征在于，步骤14）中氧化层厚度为：2000~5000Å。
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| JP2019169563A (ja) * | 2018-03-22 | 2019-10-03 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、および半導体装置 |
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