CN208336191U - 大功率封装体 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种大功率封装体，其包括一框架，所述框架包括至少一个基岛及至少一个引脚，每一所述基岛上设置有至少一芯片，一导电片分别与所述芯片及所述引脚连接，以实现所述芯片与所述引脚的导通，所述导电片由多个凸部及多个凹部间隔连接而成，所述凹部的底面与所述芯片连接，所述凸部的底面与所述芯片间具有间隙。本实用新型的优点在于，摒弃传统的导电片的形状，将导电片的形状改造成类似弹簧形状，该形状的导电片抗应力拉伸能力变强，且能够平衡应力，同时能够为粘结剂的爬坡提供空间，使粘结剂爬坡更充分，减少气泡的发生。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及一种大功率封装体。
背景技术
大功率器件需要较大的导热导电要求，一般的焊线工艺无法满足要求。通常，会使用大面积的铜片连接来代替焊线连接，提高大功率器件的导电导热性能。图1是采用铜片代替焊线进行连接的示意图。请参阅图1，铜片10分别与多个芯片11及引脚12连接。对于某些封装尺寸较大的大功率器件，例如(power5060-8L)，其铜片10面积也相对较大，其缺点在于，会带来较大应力问题及焊料气泡问题。因此，为了克服大块铜片所带来的较大应力问题及焊料气泡问题，需要对连接铜片进行设计优化。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种大功率封装体，其导电片抗的应力拉伸能力变强，且能够平衡应力，同时能够为粘结剂的爬坡提供空间，使粘结剂爬坡更充分，减少气泡的发生。
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种大功率封装体，包括一框架，所述框架包括至少一个基岛及至少一个引脚，每一所述基岛上设置有至少一芯片，一导电片分别与所述芯片及所述引脚连接，以实现所述芯片与所述引脚的导通，所述导电片由多个凸部及多个凹部间隔连接而成，所述凹部的底面与所述芯片连接，所述凸部的底面与所述芯片间具有间隙。
在一实施例中，每一所述凸部具有至少一个贯穿所述导电片的贯穿孔，所述导电片与所述芯片的连接的粘结剂能够沿所述贯穿孔爬坡。
在一实施例中，每一所述凸部具有两个对称设置的贯穿孔。
在一实施例中，所述导电片与所述芯片的连接的粘结剂能够沿所述凸部的底面爬坡。
在一实施例中，所述导电片的至少一个凸部与所述引脚连接。
在一实施例中，所述凹部的宽度大于所述凸部的宽度。
在一实施例中，所述导电片的横截面呈波浪型。
本实用新型的优点在于，摒弃传统的导电片的形状，将导电片的形状改造成类似弹簧形状，该形状的导电片抗应力拉伸能力变强，且能够平衡应力，同时能够为粘结剂的爬坡提供空间，使粘结剂爬坡更充分，减少气泡的发生。
附图说明
图1是采用铜片代替焊线进行连接的示意图；
图2是在框架上焊接芯片后的结构示意图；
图3是在图2的结构上焊接导电片的示意图；
图4是图3中沿A-A向的剖面结构示意图；
图5是导电片的侧面结构示意图；
图6是粘结剂沿所述凸部的底面爬坡的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型提供的大功率封装体的具体实施方式做详细说明。
图2是在框架上焊接芯片后的结构示意图；图3是在图2的结构上焊接导电片的示意图，图4是图3中沿A-A向的剖面结构示意图。其中，为了清楚地描述本实用新型大功率封装体的结构，在图2及图3中，塑封体内部的结构被绘示出。
请参阅图2、图3及图4，本实用新型大功率封装体包括一框架20、至少一芯片21及塑封所述框架20及所述芯片21的塑封体22。
所述框架20包括至少一个基岛201及至少一个引脚202，在每一所述基岛201上设置有至少一芯片21。在本实施例中，示意性地绘示出一个基岛201。在该基岛201上设置有一个芯片21。
一导电片23分别与所述芯片21及所述引脚202连接，以实现所述芯片21与所述引脚202的导通，且所述导电片23能够提高封装体的散热。图5是导电片的侧面结构示意图。所述导电片23包括但不限于铜片。
所述导电片23由多个凸部231及多个凹部232间隔连接而成。所述凹部232的底面与所述芯片21连接，所述凸部231的底面与所述芯片21间具有间隙。在本实施例中，所述导电片23包括四个凸部231与三个凹部232。在本实用新型其他实施例中，所述凸部231与所述凹部232的数量也可根据实务需要进行设计。多个凸部231及多个凹部232间隔连接，使得所述导电片23的横截面为波浪形，形成类似弹簧的形态，使得导电片23的抗应力拉伸作用变强，从而避免应力集中造成对封装体造成损坏。
进一步，每一所述凸部231具有至少一个贯穿所述导电片23的贯穿孔233。该贯穿孔233能够导电片231的应力释放，其能够平衡应力。将所述导电片23与所述芯片21连接的粘结剂能够沿所述贯穿孔233爬坡，使得粘结剂爬坡更充分更平衡，减少粘结剂气泡的产生。优选地，每一所述凸部231具有两个对称设置的贯穿孔233。
进一步，在一实施例中，将所述导电片23与所述芯片21连接的粘结剂24能够沿所述凸部231的底面爬坡。图6是粘结剂24沿所述凸部231的底面爬坡的示意图。粘结剂沿所述凸部231的底面爬坡可以使粘结剂取得平衡，减少气泡的产生。
进一步，在一实施例中，所述导电片23的至少一个凸部231与所述引脚202连接，以将所述芯片21与引脚202连接。
进一步，在一实施例中，所述凹部232的宽度大于所述凸部231的宽度，以在平衡应力及减少气泡的同时加强所述导电片23与所述芯片21的连接强度。
本实用新型大功率封装体摒弃传统的导电片的形状，将导电片的形状改造成类似弹簧形状，该形状的导电片抗应力拉伸能力变强，且能够平衡应力，同时能够为粘结剂的爬坡提供空间，使粘结剂爬坡更充分，减少气泡的发生。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (7)
1.一种大功率封装体，包括一框架，所述框架包括至少一个基岛及至少一个引脚，每一所述基岛上设置有至少一芯片，一导电片分别与所述芯片及所述引脚连接，以实现所述芯片与所述引脚的导通，其特征在于，所述导电片由多个凸部及多个凹部间隔连接而成，所述凹部的底面与所述芯片连接，所述凸部的底面与所述芯片间具有间隙。
2.根据权利要求1所述的大功率封装体，其特征在于，每一所述凸部具有至少一个贯穿所述导电片的贯穿孔，所述导电片与所述芯片的连接的粘结剂能够沿所述贯穿孔爬坡。
3.根据权利要求2所述的大功率封装体，其特征在于，每一所述凸部具有两个对称设置的贯穿孔。
4.根据权利要求1所述的大功率封装体，其特征在于，所述导电片与所述芯片的连接的粘结剂能够沿所述凸部的底面爬坡。
5.根据权利要求1所述的大功率封装体，其特征在于，所述导电片的至少一个凸部与所述引脚连接。
6.根据权利要求1所述的大功率封装体，其特征在于，所述凹部的宽度大于所述凸部的宽度。
7.根据权利要求1所述的大功率封装体，其特征在于，所述导电片的横截面呈波浪型。
Priority Applications (1)
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| CN201821029273.9U CN208336191U (zh) | 2018-06-29 | 2018-06-29 | 大功率封装体 |
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Publications (1)
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| CN201821029273.9U Active CN208336191U (zh) | 2018-06-29 | 2018-06-29 | 大功率封装体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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2018
- 2018-06-29 CN CN201821029273.9U patent/CN208336191U/zh active Active
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