CN208596671U - 大功率封装体 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种大功率封装体，包括一框架，所述框架包括至少一个基岛及至少一个引脚，每一所述基岛上设置有至少一芯片，一导电片分别与所述芯片及所述引脚连接，以实现所述芯片与所述引脚的导通，所述导电片上具有至少两个对称设置的通孔，以释放所述导电片在与所述芯片及所述引脚粘合后产生的应力。本实用新型的优点在于，摒弃传统的导电片的形状，将导电片的形状改造成类似面具形，该形状的导电片能够平衡应力，且增大了塑封体与导电片之间的结合力，进而能够避免分层现象的发生。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及一种大功率封装体。
背景技术
对于大功率封装体，其散热性能至关重要。通常需要使用大块的铜片代替焊线进行高导电导热。
图1是在框架上焊接芯片后的结构示意图，图2是在图1的结构上焊接铜片的示意图。请参阅图1及图2，铜片10覆盖了芯片11，铜片10的面积较大。则铜片10与芯片11及后续塑封工艺中形成的塑封料之间的连接会相对较弱，而且应力也会较为集中，其会导致铜片10与芯片11之间分层及铜片10及后续塑封工艺中形成的塑封料之间分层，影响产品性能。
因此，为了避免上述分层的情况发生，需要改变铜片的设计。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种大功率封装体，其能够平衡应力，能够避免分层现象的发生。
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种大功率封装体，包括一框架，所述框架包括至少一个基岛及至少一个引脚，每一所述基岛上设置有至少一芯片，一导电片分别与所述芯片及所述引脚连接，以实现所述芯片与所述引脚的导通，所述导电片上具有至少两个对称设置的通孔，以释放所述导电片在与所述芯片及所述引脚粘合后产生的应力。
在一实施例中，所述导电片边缘间隔设置有多个朝向所述导电片内部凹陷的凹口。
在一实施例中，多个所述凹口等距设置。
在一实施例中，多个所述凹口左右对称设置。
在一实施例中，多个所述通孔左右对称设置。
在一实施例中，在所述导电片的四角分别具有一朝向外侧的凸起。
在一实施例中，所述封装体还包括一塑封体，所述塑封体塑封所述框架、芯片及所述导电片，所述塑封体还填充在所述凹口内。
在一实施例中，所述通孔的形状为长条形。
在一实施例中，所述导电片与所述芯片通过焊料粘结，所述焊料填充在所述通孔内。
本实用新型的优点在于，摒弃传统的导电片的形状，将导电片的形状改造成类似面具形，该形状的导电片能够平衡应力，且增大了塑封体与导电片之间的结合力，进而能够避免分层现象的发生。
附图说明
图1是在引线框架上焊接芯片后的结构示意图；
图2是在图1的结构上焊接铜片的示意图；
图3是在框架上焊接芯片后的结构示意图；
图4是在图3的结构上焊接导电片的示意图；
图5是导电片的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型提供的大功率封装体的具体实施方式做详细说明。
图3是在框架上焊接芯片后的结构示意图；图4是在图3的结构上焊接导电片的示意图。其中，为了清楚地描述本实用新型大功率封装体的结构，在图3及图4中，塑封体内部的结构被绘示出。
请参阅图3及图4，本实用新型大功率封装体包括一框架30、至少一个芯片31及塑封所述框架30及所述芯片31的塑封体32。
所述框架30包括至少一个基岛301及至少一个引脚302，在每一所述基岛301上设置有至少一芯片31。在本实施例中，示意性地绘示出两个基岛301及三个引脚302，在每一基岛上设置有一个芯片31。
一导电片33分别与所述芯片31及所述引脚302连接，以实现所述芯片31与所述引脚302的导通，且所述导电片33能够提高封装体的散热。图5是导电片的结构示意图。所述导电片33包括但不限于铜片。
其中，所述导电片33上具有至少两个对称设置的通孔331。所述通孔331能够释放所述导电片33在与所述芯片32及所述引脚302粘合后产生的集中的应力。在本实施例中，所述导电片33上具有两个左右对称设置的通孔331。在其他实施例中，所述导电片33上也可设置有三个、四个或者更多的通孔331，该些通孔331均对称设置，以加强释放应力的效果。进一步，所述导电片33与所述芯片31通过焊料粘结，所述焊料填充在所述通孔331内，进一步平衡应力。所述焊料包括但不限于锡膏。所述通孔331的形状可以为矩形等形状。
进一步，所述导电片33边缘间隔设置有多个朝向所述导电片33内部凹陷的凹口332。所述封装体的塑封体32填充在所述凹口332内。所述凹口332能够加强所述导电片33与所述塑封体32之间的结合，使导电片33与塑封体32的结合更牢固，避免分层现象的发生。其中，多个所述凹口332等距设置。优选地，在本实施例中，多个所述凹口332左右对称设置，进一步加强导电片33与所述塑封体32之间的结合，更好地避免分层现象的发生。
进一步，在所述导电片33的四角分别具有一朝向外侧的凸起333，所述凸起333能够进一步分散应力，避免分层现象的发生。
本实用新型大功率的封装体摒弃传统的导电片的形状，将导电片的形状改造成类似面具形，该形状的导电片能够平衡应力，且增大了塑封体与导电片之间的结合力，进而能够避免分层现象的发生。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (9)
1.一种大功率封装体，包括一框架，所述框架包括至少一个基岛及至少一个引脚，每一所述基岛上设置有至少一芯片，一导电片分别与所述芯片及所述引脚连接，以实现所述芯片与所述引脚的导通，其特征在于，所述导电片上具有至少两个对称设置的通孔，以释放所述导电片在与所述芯片及所述引脚粘合后产生的应力。
2.根据权利要求1所述的大功率封装体，其特征在于，所述导电片边缘间隔设置有多个朝向所述导电片内部凹陷的凹口。
3.根据权利要求2所述的大功率封装体，其特征在于，多个所述凹口等距设置。
4.根据权利要求2所述的大功率封装体，其特征在于，多个所述凹口左右对称设置。
5.根据权利要求4所述的大功率封装体，其特征在于，多个所述通孔左右对称设置。
6.根据权利要求1所述的大功率封装体，其特征在于，在所述导电片的四角分别具有一朝向外侧的凸起。
7.根据权利要求2所述的大功率封装体，其特征在于，所述封装体还包括一塑封体，所述塑封体塑封所述框架、芯片及所述导电片，所述塑封体还填充在所述凹口内。
8.根据权利要求1所述的大功率封装体，其特征在于，所述通孔的形状为长条形。
9.根据权利要求1所述的大功率封装体，其特征在于，所述导电片与所述芯片通过焊料粘结，所述焊料填充在所述通孔内。
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| CN201821025716.7U CN208596671U (zh) | 2018-06-29 | 2018-06-29 | 大功率封装体 |
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN110379791A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-10-25 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种电子零件及其引脚 |
| CN116667809A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-08-29 | 北京炬玄智能科技有限公司 | 内置晶振封装结构、半导体器件、封装工艺和生产方法 |
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2018
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| CN116667809A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-08-29 | 北京炬玄智能科技有限公司 | 内置晶振封装结构、半导体器件、封装工艺和生产方法 |
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