CN207731919U - 一种功率器件封装结构 - Google Patents

一种功率器件封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN207731919U
CN207731919U CN201721828027.5U CN201721828027U CN207731919U CN 207731919 U CN207731919 U CN 207731919U CN 201721828027 U CN201721828027 U CN 201721828027U CN 207731919 U CN207731919 U CN 207731919U
Authority
CN
China
Prior art keywords
pin
chip
muscle
packaging material
dao
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201721828027.5U
Other languages
English (en)
Inventor
周正伟
任尚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changjiang Electronics Technology (suqian) Co Ltd
Original Assignee
Changjiang Electronics Technology (suqian) Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changjiang Electronics Technology (suqian) Co Ltd filed Critical Changjiang Electronics Technology (suqian) Co Ltd
Priority to CN201721828027.5U priority Critical patent/CN207731919U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN207731919U publication Critical patent/CN207731919U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49112—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting a common bonding area on the semiconductor or solid-state body to different bonding areas outside the body, e.g. diverging wires

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本实用新型涉及的一种功率器件封装结构，包括散热片、基岛、引脚、芯片、焊线、塑封料。所述散热片与基岛相连，所述基岛上设置有芯片，所述基岛左右两侧设置有第一连筋，所述芯片与引脚仅通过焊线相连，芯片焊线包覆在塑封料之内，所述散热片露出塑封料，所述第一连筋部分露出塑封料。本实用新型的基岛不与任何引脚直接相连，从而避免了电荷在露出塑封体的中间引脚上形成电荷集中而产生尖端放电的现象。

Description

一种功率器件封装结构
技术领域
本实用新型涉及半导体分装技术领域，尤其涉及一种功率器件封装结构。
背景技术
现有的 TO系列引线框架如图1所示，基岛靠中间的一只引脚连接引线框架中筋，作为对基岛的支撑，中间引脚的两侧管脚对称设置，用于打线，作为分立器件的输入/出端，如图2所示，为封装完成以后的封装结构示意图，在切筋时中间引脚会被切断，但是由于切筋时无法把中间引脚切到与塑封料齐平，所以在切筋后中间脚仍会有部分残留并露出于塑封体。
上述传统的TO系列封装具有以下缺点，首先，因为基岛仅靠其一侧的单个中间引脚连到框架引脚的连筋来作为支撑，因此基岛面会出现不平整的情况，将会增加后续封装作业的难度；其次，封装体在切筋后，由于部分中间引脚残留下来并露出塑封体，且端面是矩形，这种结构形式会导致封装在高压测试的时候中间引脚残留部分与相邻的引脚发生打火现象，影响产品的可靠性。
发明内容
本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种功率器件封装结构，其基岛不与任何引脚直接相连，从而避免了电荷在露出塑封体的中间引脚上形成电荷集中而产生尖端放电的现象。
本实用新型的目的是这样实现的：
一种功率器件封装结构，包括散热片、基岛、引脚、芯片、焊线、塑封料；所述散热片与基岛相连，所述基岛上设置有芯片，所述基岛左右两侧设置有第一连筋，所述芯片与引脚仅通过焊线相连，芯片焊线包覆在塑封料之内，所述散热片露出塑封料，所述第一连筋部分露出塑封料。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
本实用新型的一种功率器件封装结构，其基岛不与任何引脚直接相连，避免中间引脚露出塑封体，从而避免了电荷在中间引脚上形成电荷集中而产生尖端放电，提高了产品的可靠性。
附图说明
图1为现有的TO封装的引线框架结构图。
图2为现有的TO封装结构示意图
图3为本实用新型实施例1的引线框架整体结构图。
图4为本实用新型实施例1的引线框架局部结构图。
图5为本实用新型实施例1的封装结构示意图。
图6为本实用新型实施例2的引线框架整体结构图。
图7为本实用新型实施例2的引线框架局部结构图。
图8为本实用新型实施例2的封装结构示意图。
其中：
基岛1、引脚2、第一连筋3、中筋4、第二连筋5、散热片6、芯片7、焊线8、塑封料9。
具体实施方式
实施例1：
参见图3、图4，本实用新型涉及的一种功率器件引线框结构，它包括基岛1、引脚2、第一连筋3、中筋4、第二连筋5、散热片6，所述散热片6与基岛1相连，所述基岛1左右两侧均设置有第一连筋3，基岛1下方设有偶数个引脚2，左右对称布置，相邻单元之间设置有中筋4，所述基岛1通过第一连筋3与中筋4相连，所述引脚2与中筋4之间设置有第二连筋5，所述基岛1不与任何引脚2直接相连，所述基岛1由两侧的第一连筋3提供支撑。
参见图4、本实用新型涉及的一种功率器件封装结构，包括基岛1、引脚2、第一连筋3、散热片6、芯片7、焊线8、塑封料9，所述散热片6与基岛1相连，基岛1下方设有偶数个引脚2，所述基岛1上设置有芯片7，所述基岛1左右两侧设置有第一连筋3，所述芯片7与引脚2仅通过焊线8相连，芯片7、焊线8包覆在塑封料9之内，所述散热片6露出塑封料9，所述第一连筋3部分露出塑封料9。
实施例2：
参见图6、图7，本实用新型涉及的一种功率器件引线框结构，它包括基岛1、引脚2、第一连筋3、中筋4、第二连筋5、散热片6，所述散热片6与基岛1相连，所述基岛1左右两侧均设置有第一连筋3，所述基岛1下方设有奇数个引脚2，基岛1正下方的引脚2为中间引脚，其余引脚2以中间引脚为中心左右对称布置，相邻单元之间设置有中筋4，所述基岛1通过第一连筋3与中筋4相连，所述引脚2与中筋4之间设置有第二连筋5，所述基岛1不与任何引脚2直接相连，所述基岛1由两侧的第一连筋3提供支撑。
参见图8、本实用新型涉及的一种功率器件封装结构，包括基岛1、引脚2、第一连筋3、散热片6、芯片7、焊线8、塑封料9。所述散热片6与基岛1相连，所述基岛1下方设有奇数个引脚2，基岛1正下方的引脚2为中间引脚，其余引脚2以中间引脚为中心左右对称布置，所述基岛1上设置有芯片7，所述基岛1左右两侧设置有第一连筋3，所述芯片7与引脚2仅通过焊线8相连，芯片7、焊线8包覆在塑封料9之内，所述散热片6露出塑封料9，所述第一连筋3部分露出塑封料9。
以上仅是本实用新型的具体应用范例，对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本实用新型权利保护范围之内。

Claims (4)

1.一种功率器件封装结构，其特征在于，包括散热片、基岛、引脚、芯片、焊线和塑封料；所述散热片与基岛相连，所述基岛上设置有芯片，所述基岛左右两侧设置有第一连筋，所述芯片与引脚仅通过焊线相连，芯片焊线包覆在塑封料之内，所述散热片露出塑封料。
2.根据权利要求1所述的一种功率器件封装结构，其特征在于，所述第一连筋部分露出塑封料。
3.根据权利要求1所述的一种功率器件封装结构，其特征在于：所述基岛下方设有偶数个引脚，左右对称布置。
4.根据权利要求1所述的一种功率器件封装结构，其特征在于：所述基岛下方设有奇数个引脚，基岛正下方的引脚为中间引脚，其余引脚以中间引脚为中心左右对称布置。
CN201721828027.5U 2017-12-25 2017-12-25 一种功率器件封装结构 Active CN207731919U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201721828027.5U CN207731919U (zh) 2017-12-25 2017-12-25 一种功率器件封装结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201721828027.5U CN207731919U (zh) 2017-12-25 2017-12-25 一种功率器件封装结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN207731919U true CN207731919U (zh) 2018-08-14

Family

ID=63086305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201721828027.5U Active CN207731919U (zh) 2017-12-25 2017-12-25 一种功率器件封装结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN207731919U (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110137342A (zh) * 2019-05-07 2019-08-16 合肥久昌半导体有限公司 一种大功率霍尔器件用引线框架、封装结构及其封装工艺
CN110993786A (zh) * 2019-11-13 2020-04-10 合肥久昌半导体有限公司 一种多排大功率霍尔元件加工工艺
CN116314069A (zh) * 2023-05-23 2023-06-23 深圳市秀武电子有限公司 一种mos半导体功率器件及其封装方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110137342A (zh) * 2019-05-07 2019-08-16 合肥久昌半导体有限公司 一种大功率霍尔器件用引线框架、封装结构及其封装工艺
CN110993786A (zh) * 2019-11-13 2020-04-10 合肥久昌半导体有限公司 一种多排大功率霍尔元件加工工艺
CN110993786B (zh) * 2019-11-13 2023-05-30 合肥久昌半导体有限公司 一种多排大功率霍尔元件加工工艺
CN116314069A (zh) * 2023-05-23 2023-06-23 深圳市秀武电子有限公司 一种mos半导体功率器件及其封装方法
CN116314069B (zh) * 2023-05-23 2023-11-03 深圳市秀武电子有限公司 一种mos半导体功率器件及其封装方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN207731919U (zh) 一种功率器件封装结构
CN103824834A (zh) 一种具有改进型封装结构的半导体器件及其制造方法
CN104600061A (zh) 一种半导体芯片的堆叠式3d封装结构
CN207731924U (zh) 一种功率器件引线框结构
CN208596671U (zh) 大功率封装体
CN204257631U (zh) 新结构薄型桥式整流器
CN203733783U (zh) 一种引线框架
CN102651360A (zh) 一种可铜线键接的封装体结构及其制作方法
CN206274510U (zh) 一种五引脚ic结构
CN201829490U (zh) 芯片区打孔集成电路引线框架
CN203466185U (zh) 新型ic模封结构
CN210668355U (zh) 一种适用于mos管封装的共用型跳线结构
CN207947273U (zh) 一种用于二极管封装的引线框架
CN202495446U (zh) 一种新型结构晶闸管
CN203536411U (zh) 一种半导体封装结构
CN206432259U (zh) 贴片二极管框架
CN201732781U (zh) 一种引线框架
CN104851866A (zh) 一种利用金属硬度差优化管脚排布的封装件及其制造方法
CN201859874U (zh) 一种7p引线框架
CN205488112U (zh) 一种sot223引线框架结构
CN205194697U (zh) 一种加强型引线框架
CN202150453U (zh) 一种双扁平无载体无引线内引脚交错型ic芯片封装件
CN201820752U (zh) 一种大电流场效应管的内部结构
CN104409430B (zh) 一种半导体器件及其封装方法
CN108122900A (zh) 直流-直流转换电路的封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant