CN207337026U - 阵列基板和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种阵列基板和显示面板，该阵列基板包括：若干个像素结构，每个像素结构包括：至少一个像素区域，像素区域的一侧设置有信号走线，像素区域内设置有像素电极，像素电极朝向信号走线的一侧设置有与像素电极同层设置的屏蔽电极，屏蔽电极与公共电极线电连接。本实用新型的技术方案通过在像素电极与信号走线之间设置屏蔽电极，该屏蔽电极与像素电极同层设置且与公共电极线电连接，其可与像素电极之间形成平面电场，该平面电场可有效屏蔽像素电极与信号走线之间形成的边缘电场，以避免该边缘电场对液晶分子造成影响，从而改善像素区域中对应像素电极与该信号走线之间区域的边缘部分的混乱电场，有利于降低漏光和提高开口率。

Description

阵列基板和显示面板
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
显示装置已被大量地用作于手机、笔记本电脑、个人电脑及个人数字助理等消费电子产品的显示屏幕。显示装置一般包括有源矩阵阵列基板，其中各个有源元件调节光束强度以显示出影像。阵列基板包括多条栅线、多条数据线以及电性连接至对应的栅线及数据线的多个像素结构；每个像素结构由薄膜晶体管单独控制光透过率。
图1为现有技术中阵列基板内一个像素结构的俯视图，如图1所示，阵列基板一般包括若干个像素结构，每个像素结构包括一个像素区域1，其中像素区域1是由相对设置的一条公共电极线5和一条栅线6与两条平行设置的数据线4所围成的区域，像素区域1内设置有像素电极2，像素电极2与设置于阵列基板或对盒基板上公共电极之间形成电场，以控制液晶分子进行转动，从而控制光透过率。
在实际应用中发现，像素电极2会与公共电极线5(与栅线6同层设置，与像素电极2异层设置)之间形成边缘电场，该边缘电场会使得像素区域1中对应像素电极2与公共电极线5之间的区域A的电场混乱，容易造成漏光。
为此，现有技术中往往在像素电极与公共电极之间的区域设置黑矩阵进行遮挡，以避免出现漏光。然而，黑矩阵的设置，会导致该像素区域的开口率下降。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种阵列基板和显示面板。
为实现上述目的，本实用新型提供了一种阵列基板，包括：若干个像素结构，所述像素结构包括：至少一个像素区域，所述像素区域的一侧设置有信号走线；
所述像素区域内设置有像素电极，所述像素电极朝向所述信号走线的一侧设置有与所述像素电极同层设置的屏蔽电极，所述屏蔽电极与公共电极线电连接。
可选地，所述信号走线包括：栅线或公共电极线。
可选地，当所述信号走线为所述公共电极线时，所述屏蔽电极包括：第一屏蔽子电极，所述第一屏蔽子电极通过过孔与所述公共电极线连接。
可选地，当所述信号走线为所述栅线时，所述屏蔽电极包括：第二屏蔽子电极，所述第二屏蔽子电极位于所述像素区域内；
所述像素区域内还设置有公共电极，所述公共电极与所述公共电极线电连接；
所述第二屏蔽子电极与所述公共电极电连接。
可选地，当所述信号走线为所述栅线时，所述屏蔽电极包括：第三屏蔽子电极，所述第三屏蔽子电极在所述栅线所处平面的正投影完成落入所述栅线所处区域；
所述像素区域内还设置有公共电极，所述公共电极与所述公共电极线电连接；
所述第三屏蔽子电极与所述公共电极电连接。
可选地，所述公共电极与所述像素电极同层设置，所述屏蔽电极与所述公共电极直接连接。
可选地，所述像素区域内还设置有公共电极，所述公共电极与所述公共电极线电连接；
所述公共电极为梳状电极，所述公共电极包括：若干个第一梳齿部，所述屏蔽电极的形状与所述第一梳齿部的形状相同。
可选地，所述像素结构包括：两个所述像素区域，两个所述像素区域之间设置有栅线，两个所述像素区域共用一条所述栅线。
可选地，所述像素结构包括：两个所述像素区域，两个所述像素区域沿第一方向设置；
所述像素区域的与所述第一方向平行的一侧设置有数据线，两个所述像素区域共用一条所述数据线。
可选地，所述像素电极为梳状电极。
可选地，还包括：与所述像素区域一一对应设置的薄膜晶体管。
为实现上述目的，本实用新型还提供了一种显示面板，包括：如上述的阵列基板。
本实用新型具有以下有益效果：
本实用新型提供了一种阵列基板和显示面板，其中，该阵列基板包括：若干个像素结构，每个像素结构包括：至少一个像素区域，像素区域的一侧设置有信号走线，像素区域内设置有像素电极，像素电极朝向信号走线的一侧设置有与像素电极同层设置的屏蔽电极，屏蔽电极与公共电极线电连接。本实用新型的技术方案通过在像素电极与信号走线之间设置屏蔽电极，该屏蔽电极与像素电极同层设置且与公共电极线电连接，其可与像素电极之间形成平面电场，该平面电场可有效屏蔽像素电极与信号走线之间形成的边缘电场，以避免该边缘电场对液晶分子造成影响，从而改善像素区域中对应像素电极与该信号走线之间区域的边缘部分的混乱电场，有利于降低漏光和提高开口率。
附图说明
图1为现有技术中阵列基板内一个像素结构的俯视图；
图2为本实用新型实施例一提供的一种阵列基板内一个像素结构的俯视图；
图3为本实用新型实施例二提供的一种阵列基板内一个像素结构的俯视图；
图4为本实用新型实施例三提供的一种阵列基板内一个像素结构的俯视图；
图5为本实用新型实施例四提供的一种阵列基板内一个像素结构的俯视图；
图6为本实用新型实施例五提供的一种阵列基板内一个像素结构的俯视图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型提供的一种阵列基板和显示面板进行详细描述。
图2为本实用新型实施例一提供的一种阵列基板内一个像素结构的俯视图，如图2所示，该阵列基板包括：若干个像素结构，每个像素结构包括：至少一个像素区域1，像素区域1的一侧设置有信号走线，像素区域1内设置有像素电极2，像素电极2朝向信号走线的一侧设置有与像素电极同层设置的屏蔽电极，屏蔽电极与公共电极线电连接。
需要说明的是，图2中仅示例性画出了一个像素结构包括一个像素区域1的情况，其不会对本实用新型的技术方案产生限制。
本实施例中，通过在像素电极2朝向信号走线的一侧设置与像素电极2同层设置的屏蔽电极，该屏蔽电极与公共电极线连接，其可与像素电极2之间形成平面电场，该平面电场可有效屏蔽像素电极2与位于像素区域1外的信号走线5之间形成的边缘电场，以避免该边缘电场对液晶分子造成影响，从而改善像素区域1中对应像素电极2与该信号走线之间区域的边缘部分的混乱电场，有利于降低漏光和提高开口率。
继续参见图2所示，作为一种具体方案，以该信号走线为公共电极线5为例，像素电极2朝向公共电极线5的一侧的屏蔽电极为第一屏蔽子电极7，第一屏蔽子电极7与像素电极2同层设置且通过过孔8与公共电极线5连接。
在本实用新型中，通过在像素电极2与公共电极线5之间设置与第一屏蔽子电极7，该第一屏蔽子电极7与像素电极2同层设置且通过过孔与公共电极线5连接，其可与像素电极2之间形成平面电场(与像素电极2所处平面平行)，该平面电场可有效屏蔽像素电极2与公共电极线5之间形成的边缘电场对液晶分子的影响，从而改善像素区域1中对应像素电极2与公共电极线5之间区域的边缘部分的混乱电场，有利于降低漏光和提高开口率。
需要说明的是，由于第一屏蔽子电极7上的电压与公共电极线5上的电压相同，因此第一屏蔽子电极7与公共电极线5之间不会产生边缘电场。
图3为本发明实施例二提供的一种阵列基板内一个像素结构的俯视图，附图3所示，本实施例中的信号走线为栅线6，像素电极2朝向公共电极线5的一侧的屏蔽电极为第二屏蔽子电极9，第二屏蔽子电极9与像素电极2同层设置且与公共电极线5电连接，第二屏蔽子电极9位于像素区域内。
在本实用新型中，通过在像素电极2与公共电极线5之间设置与第二屏蔽子电极9，该第二屏蔽子电极9与像素电极2同层设置且与公共电极线5电连接，其可与像素电极2之间形成平面电场(与像素电极2所处平面平行)，该平面电场可有效屏蔽像素电极2与栅线6之间形成的边缘电场对液晶分子的影响，从而改善像素区域1中对应像素电极2与栅线6之间区域的边缘部分的混乱电场，有利于降低漏光和提高开口率。
作为一种具体方案，像素区域1内还设置有公共电极，公共电极3通过过孔与公共电极线5电连接，第二屏蔽子电极9与公共电极3连接。更具体地，当公共电极3与像素电极2同层设置时，第二屏蔽子电极9与公共电极3直接连接；当公共电极3与像素电极2异层设置时，第二屏蔽子电极9与公共电极3通过过孔连接。
需要说明的是，上述第二屏蔽子电极9与公共电极连接以实现与公共电极线5电连接的情况，为本实施例中的一种可选方案，其不会对本发明的技术方案产生限制。在本实用新型中，还可使得第二屏蔽子电极通过过孔与公共电极线5连接(此种情况未给出相应附图)。
继续参见图3所示，在本实施例中，该像素区域1内不仅可设置第二屏蔽子电极9，还可以设置上述实施例一中的第一屏蔽子电极7(信号走线包括栅线6和公共电极线5)，此时既可有效改善像素区域1中对应像素电极2与栅线6之间区域的边缘部分的混乱电场，同时也能改善像素区域1中对应像素电极2与公共电极线5之间区域的边缘部分的混乱电场。
作为一种可选方案，公共电极3和像素电极2均为梳状电极，公共电极3包括：若干个第一梳齿部301和连接第一梳齿部301的第一连接部302；像素电极2包括：若干个第二梳齿部201和连接第二梳齿部201的第二连接部202，第一梳齿部301和第二梳齿部201交替设置。
优选地，第一屏蔽子电极7的形状与第一梳齿部301的形状相同，第二屏蔽子电极9的形状与第一梳齿部301的形状相同。此时可使得第一屏蔽子电极7与像素电极2之间形成的平面电场，以及第二屏蔽子电极9与像素电极2之间形成的平面电场，两者均与第一梳齿部301和第二梳齿部201之间的电场近似或相同，从而提升像素区域1内各位置光透过率的均一性。
具体地，以第一屏蔽子电极7为例，当该阵列基板为平面转换型(In-PlaneSwitching，简称IPS)显示面板中的阵列基板时，此时公共电极3与像素电极2同层设置。通过将第一屏蔽子电极7的形状设计为与第一梳齿部301的形状相同，并使得第一屏蔽子电极7与最接近的第二梳齿部201之间的距离等于相邻的第一梳齿部301与第二梳齿部201之间的距离，从而可使得第一屏蔽子电极7和像素电极2之间的平面电场，与第一梳齿部301和第二梳齿部201之间的平面电场完全相同，此时像素区域1内各位置光透过率的均一性最佳。
当公共电极3与像素电极2异层设置时，例如高级超维场转换型(Advanced-SuperDimension Switching，简称ADS)、边缘场开关技术型(Fringe Fi led Switching，简称FFS)等，通过将第一屏蔽子电极7的形状设计为与第一梳齿部301的形状相同，可在一定程度上使得第一屏蔽子电极7和像素电极2之间的平面电场，与第一梳齿部301和第二梳齿部201之间的电场近似，此时也能在一定程度上改善像素区域1内各位置光透过率的均一性。
对于本实施例中将第二屏蔽子电极9的形状设计的与第一梳齿部301的形状相同，以提升像素区域1内各位置光透过率的均一性的原理，此处不再赘述。
需要说明的是，在本实施例中，公共电极3既可以与像素电极2同层设置，也可与像素电极2异层设置，其均属于本实用新型的保护范围。
进一步地，当公共电极3与像素电极2同层设置时，第一屏蔽子电极7和公共电极3可通过同一过孔8与公共电极线5连接或者第一屏蔽子电极7直接连接至公共电极3上，第二屏蔽子电极9与公共电极3直接连接；当公共电极3与像素电极2异层设置时，第一屏蔽子电极7和公共电极3通过两个不同过孔分别与公共电极线5连接或第一屏蔽子电极7通过过孔与公共电极3连接，第二屏蔽子电极9通过过孔与公共电极连接(此种情况未给出相应附图)。
可选地，该像素结构中还包括：薄膜晶体管10，薄膜晶体管10的源极与栅线6连接，源极与对应的数据线4连接，漏极与对应的像素电极2连接。
图4为本实用新型实施例三提供的一种阵列基板内一个像素结构的俯视图，如图4所示，本实施例中的信号走线为栅线6，像素电极2朝向公共电极线5的一侧的屏蔽电极为第三屏蔽子电极11，第三屏蔽子电极11与像素电极2同层设置，第三屏蔽子电极11在栅线6所处平面上的正投影完成落入栅线6所处区域，第三屏蔽子电极11与公共电极3电连接。
相较于上述实施例二中的第二屏蔽子电极9，本实施例中的第三屏蔽子电极11与像素电极2之间形成的平面电场覆盖的区域更大，其对像素电极2与栅线6之间混乱电场的改善效果更佳。
此外，由于第三屏蔽子电极11处于栅线6所覆盖的区域(像素区域1外)，因此即便第三屏蔽子电极11与栅线6之间产生边缘电场，该边缘电场也位于像素区域1外，其不会对像素区域1的显示效果造成影响。
优选地，第三屏蔽子电极11的形状与第一梳齿部301的形状相同。此时可使得第三屏蔽子电极11和像素电极2之间形成的平面电场，与第一梳齿部301和第二梳齿部201之间的电场近似或相同，从而提升像素区域1内各位置光透过率的均一性，具体原理可参见前述相应内容，此处不再赘述。
继续参见图4所示，在本实施例中，该像素区域1内不仅可设置第三屏蔽子电极11，还可以设置上述实施例一中的第一屏蔽子电极7(信号走线包括栅线6和公共电极线5)，此时既可有效改善像素区域1中对应像素电极2与栅线6之间区域的边缘部分的混乱电场，同时也能改善像素区域1中对应像素电极2与公共电极线5之间区域的边缘部分的混乱电场。
对于本实施例中第三屏蔽子电极11与公共电极线5实现电连接的具体方式，可参见前述实施例二中第二屏蔽子电极9与公共电极线5实现电连接的方式，此处不再赘述。对于本实施例中第一屏蔽子电极7与公共电极线5实现电连接的具体方式，可参见上述实施例一和实施例二中的相应内容，此处不再赘述。
需要说明的是，上述实施例一～实施例三中所示像素电极2、公共电极3为梳状的情况，仅起到示例性作用，其不会对本实用新型的技术方案产生限制。本实用新型中的公共电极3和像素电极2还可以为其他形状，例如；条形、线形、螺旋形等，此处不再一一举例。
图5为本实用新型实施例四提供的一种阵列基板内一个像素结构的俯视图，如图5所示，与上述实施例二不同的是，本实施例提供的像素结构包括两个像素区域1，栅线6位于两个像素区域1之间，两个像素区域1共用一条栅线6，两个像素区域1与栅线6相对的一侧设置有对应的公共电极线5。
两个像素区域1沿第一方向设置，像素区域1的与第一方向平行的一侧设置有数据线4，两个像素区域1共用一条数据线4。
本实施例中的两个像素区域1均采用上述实施例一中的像素区域1，即每个像素区域1内均设置有一个第一屏蔽子电极7和一个第二屏蔽子电极9。对于本实施例中像素区域1的描述可参见上述实施例一中的相应内容此处不再赘述。
需要说明的是，在本实施例中的像素结构包括两个薄膜晶体管10，薄膜晶体管10与像素区域1一一对应，这两个薄膜晶体管10的栅极连接同一栅线6。
图6为本实用新型实施例五提供的阵列基板内一个像素结构的俯视图，如图6所示，与上述实施例四中的像素结构包括第二屏蔽子电极9不同的是，本实施例中的像素结构包括第三屏蔽子电极11，第三屏蔽子电极11像素电极2同层设置，第三屏蔽子电极11电极在栅线6所处平面上的正投影完成落入栅线6所处区域，第三屏蔽子电极11与公共电极线电连接。
对于该第三屏蔽子电极11的具体描述，可参见上述实施例二中的相应内容，此处不再赘述。
需要说明的是，在本实施例中为实现第三屏蔽子电极11能够与公共电极3连接，可使得两个像素区域1内的公共电极3(第二连接部202)在栅线6所处区域直接连接，第三屏蔽子电极11与公共电极3在栅线6所处区域的部分直接连接。
此外，上述实施例一～实施例五中仅示例性的给出了一个像素结构包括1个像素区域或2个像素区域的情况，推而广之，本实用新型中像素结构还可包括多个像素区域，其也应属于本实用新型的保护范围，对于一个像素结构包括多个像素区域的情况，此处不再详细描述。
本实用新型实施例一～实施例五提供了一种阵列基板，该阵列基板包括若干个像素结构，通过在像素结构中设置第一屏蔽子电极、第二屏蔽子电极、第三屏蔽子电极中的至少一者，可有效改善像素结构中像素区域的边缘处漏光，提高像素开口率。
本实用新型实施例六提供了一种显示面板，该显示面板包括阵列基板，该阵列基板采用上述实施例一～实施例五中的阵列基板，对于该阵列基板的具体描述，此处不再赘述。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

Claims (12)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：若干个像素结构，所述像素结构包括：至少一个像素区域，所述像素区域的一侧设置有信号走线；
所述像素区域内设置有像素电极，所述像素电极朝向所述信号走线的一侧设置有与所述像素电极同层设置的屏蔽电极，所述屏蔽电极与公共电极线电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述信号走线包括：栅线或公共电极线。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，当所述信号走线为所述公共电极线时，所述屏蔽电极包括：第一屏蔽子电极，所述第一屏蔽子电极通过过孔与所述公共电极线连接。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，当所述信号走线为所述栅线时，所述屏蔽电极包括：第二屏蔽子电极，所述第二屏蔽子电极位于所述像素区域内；
所述像素区域内还设置有公共电极，所述公共电极与所述公共电极线电连接；
所述第二屏蔽子电极与所述公共电极电连接。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，当所述信号走线为所述栅线时，所述屏蔽电极包括：第三屏蔽子电极，所述第三屏蔽子电极在所述栅线所处平面的正投影完成落入所述栅线所处区域；
所述像素区域内还设置有公共电极，所述公共电极与所述公共电极线电连接；
所述第三屏蔽子电极与所述公共电极电连接。
6.根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极与所述像素电极同层设置，所述屏蔽电极与所述公共电极直接连接。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素区域内还设置有公共电极，所述公共电极与所述公共电极线电连接；
所述公共电极为梳状电极，所述公共电极包括：若干个第一梳齿部，所述屏蔽电极的形状与所述第一梳齿部的形状相同。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素结构包括：两个所述像素区域，两个所述像素区域之间设置有栅线，两个所述像素区域共用一条所述栅线。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素结构包括：两个所述像素区域，两个所述像素区域沿第一方向设置；
所述像素区域的与所述第一方向平行的一侧设置有数据线，两个所述像素区域共用一条所述数据线。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极为梳状电极。
11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：与所述像素区域一一对应设置的薄膜晶体管。
12.一种显示面板，其特征在于，包括：如上述权利要求1-11中任一所述的显示面板。
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