CN206627719U - 光模块 - Google Patents

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Abstract

一种光模块，具有：光元件，以高频进行驱动；电路基板，配置在与光元件不同的高度；及配线用次基台，包含用于将光元件与电路基板电连接的配线，即一端部的连接面的高度与另一端部的连接面的高度不同的配线。

Description

光模块
技术领域
本实用新型涉及包含通过高频信号进行驱动的光元件的光模块。
背景技术
为了满足近年来的互联网流量的增大，在长距离光通信中开始数字相干通信的导入，通信的大容量化不断进展。数字相干通信的下一目标是中距离的光通信，作为光收发器件，强烈地要求小型化、低消耗电力化。
作为当前的数字相干通信用发送机的调制器，主要使用LN(铌酸锂)调制器。当前的数字相干用的收发模块的尺寸为5英寸×7英寸，是足以放入LN调制器的大小。然而，将来，研讨向中距离光通信的导入的CFP2规格的尺寸是当前的大约1/7的80mm×40mm，作为发送模块，其一半的80mm×20mm左右成为标准。实际上，由于存在控制基板或光纤的回引，因此发送模块的尺寸要求抑制成25mm×20mm左右。因此，向CFP2尺寸的收发模块无法装入以单体计具有几cm级的尺寸的 LN调制器。
从这样的背景出发，作为发送模块使用的调制器，研讨了比LN 调制器容易小型化的半导体调制器的使用。例如，开始了采用半导体调制器作为100Gbit/sec用光组件并将收发包的尺寸收纳于CFP2规格内的尝试。
【在先技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本特开2005-128440号公报
实用新型内容
【实用新型要解决的课题】
另一方面，在包含半导体调制器那样的由高频信号进行驱动的光元件(以下，称为“高频光元件”)的光模块中，终端基板不可或缺。然而，终端基板包括电容器、终端电阻、偏压电极等电子部件，需要～10mm×5mm左右的大小，因此在CFP2规格、甚至更小的规格的发送模块中，终端基板可能会成为阻碍发送模块的尺寸缩小的主要原因。而且，不仅是上述那样的发送模块，在内置高频光元件的各种光模块中，在小型化时都存在同样的课题。
本实用新型的目的是关于包含高频光元件的光模块，提供一种小型化及向内置的终端基板的连接容易的光模块。
【用于解决课题的方案】
根据本实用新型的一观点，提供一种光模块，其特征在于，具有：光元件，以高频进行驱动；电路基板，配置在与所述光元件不同的高度；及配线用次基台，包含用于将所述光元件与所述电路基板电连接的配线，即一端部的连接面的高度与另一端部的连接面的高度不同的所述配线。
【实用新型效果】
根据本实用新型，使用沿高度方向引出配线的配线用次基台，将配线引出至与光调制器的安装面不同的高度，因此能够将终端基板等电路基板配置在与光元件不同的高度的空间。由此，能够提高电路基板的配置的自由度，能够实现光模块的小型化。
附图说明
图1是表示本实用新型的第一实施方式的光模块的结构的俯视图。
图2是表示本实用新型的第一实施方式的光模块的光调制器与终端基板之间的连接的俯视图。
图3是表示本实用新型的第一实施方式的光模块的光调制器与终端基板之间的连接的概略剖视图。
图4(a)和图4(b)是表示本实用新型的第一实施方式的光模块使用的配线用次基台的结构的概略剖视图，其中，图4(a)是沿着图2的A-A′线剖面的配线用次基台34的剖视图，图4(b)是沿着图2的B-B′线剖面的配线用次基台34的剖视图。
图5(a)、图5(b)、图5(c)、图5(d)是表示本实用新型的第一实施方式的光模块使用的配线基板的结构的俯视图及剖视图，其中，图5(a) 是形成有接地配线72G的表面的俯视图，图5(b)是形成有信号配线72S 的表面的俯视图，图5(c)是图5(b)的A-A′线剖视图，图5(d)是图5(b) 的C-C′线剖视图。
图6是表示本实用新型的第二实施方式的光模块的结构的俯视图。
图7是表示本实用新型的第三实施方式的光模块的结构的俯视图。
图8是表示本实用新型的第四实施方式的光模块的结构的俯视图。
图9是表示本实用新型的第五实施方式的光模块的结构的俯视图。
图10是表示本实用新型的第六实施方式的光模块的结构的概略剖视图。
图11是表示本实用新型的第七实施方式的光模块使用的配线用次基台的结构的概略剖视图(其1)。
图12是表示本实用新型的第七实施方式的光模块使用的配线用次基台的结构的概略剖视图(其2)。
图13是表示本实用新型的第七实施方式的光模块使用的配线用次基台的结构的概略剖视图(其3)。
图14是表示本实用新型的第七实施方式的光模块使用的配线用次基台的结构的概略剖视图(其4)。
具体实施方式
[第一实施方式]
关于本实用新型的第一实施方式的光模块，使用图1至图5进行说明。
图1是表示本实施方式的光模块的结构的俯视图。图2是表示本实施方式的光模块的光调制器与终端基板之间的连接的俯视图。图3 是表示本实施方式的光模块的光调制器与终端基板之间的连接的概略剖视图。图4是表示本实施方式的光模块使用的配线用次基台 (sub-mount)的结构的概略剖视图。图5是表示本实施方式的光模块使用的配线基板的结构的俯视图及剖视图。
如图1所示，本实施方式的光模块100在壳体10内具有激光光源 12、波长锁定器14、光调制器16、偏振合成器18、终端基板40。在图1中，为了明示激光光源12、波长锁定器14、光调制器16及偏振合成器18(以下，有时将它们总括地称为“光元件”)的光学的连接关系而利用虚线表示配置在与这些光元件不同的高度的终端基板40及用于将光调制器16与终端基板40电连接的配线基板38。
激光光源12用于生成作为输出信号光的源的种子光L1。波长锁定器14用于监控从激光光源12发出的种子光L1的输出、波长，且与激光光源12的光输出部相邻配置。激光光源12具有射出种子光L1的激光二极管、用于进行激光二极管的温度调整的温度调节机构(例如，珀耳帖元件等热电元件(TEC：Thermo-Electric Cooler))。种子光L1的波长由波长锁定器14监控，以使来自激光二极管的输出光成为所希望的波长的方式，根据监控的种子光L1的波长，通过热电元件进行温度调整。需要说明的是，波长锁定器14可以具备与激光光源12不同的温度调节机构(例如，TEC)，也可以使用波长锁定器14的热电元件以使来自激光二极管的输出光成为所希望的波长的方式进行微调。
光调制器16用于对经由波长锁定器14输入的种子光L1进行调制而输出，且与波长锁定器14的光输出部相邻地配置。光调制器16输出通过改变种子光L1的光相位而调制的2个信号光L2a、L2b、及从种子光L1分支的在光接收机中为了解调而使用的局部激振光(LO光)L3。例如，在将信号光L2a及信号光L2b的相位分别以4值进行调制并进行了光偏振复用的情况下，信号光L2a及信号光L2b合起来表示8值的状态。这样的调制方式称为双偏振正交相移键控(DP-QPSK： Dual Polarization-Quadrature Phase Shift Keying)调制。在图1值，假定光的入射端部和出射端部具有处于同一端面的U字状的光导波路的光调制器16，从与种子光L1的入射端面相同的端面射出信号光L2a、信号光L2b及LO光L3。
在此，波长锁定器14未必非要配置在激光光源12与光调制器16 之间，例如，在使用激光光源12的后方光的情况下，可以按照波长锁定器14、激光光源12、光调制器16的顺序配置。
本实施方式的光模块使用的光调制器16是半导体调制器，可以是将半导体光放大器(SOA：Semiconductor Optical Amplifier)集成于单片的结构。光调制器16为了得到规定的调制特性而与激光光源12同样地具有用于进行半导体调制器的温度调整的温度调节机构。经由配线基板28向光调制器16的输入侧输入调制用的高频信号，在光调制器 16的终端侧经由通过层叠基板形成的配线用次基台34及配线基板38 来连接终端基板40。
偏振合成器18是用于将从光调制器16输出的信号光L2a与信号光L2b合成(偏振合成)而得到信号光L4的结构，与光调制器16的调制光输出部相邻地配置。在偏振合成器18中，使用1/2波长板使通过光调制器16调制及输出的信号光L2a及信号光L2b中的一方的偏振波发生偏光，将它们合成而输出1个信号光L4。
此外，可以从光调制器16输出偏振波不同的信号光(例如，作为 TM模式光的信号光L2a和作为TE模式光的信号光L2b)，在偏振合成器18中将这些信号光进行偏振合成。
偏振合成器18的光输出部与设于壳体10的信号光输出端口20进行光学耦合，能够将信号光L4向外部输出。而且，光调制器16的LO 光输出部与设于壳体10的LO光输出端口22进行光学耦合，能够将 LO光L3向外部输出。
通过将从激光光源12至输出端口20、22的光路配置成图1所示的U字状，能够实现光模块整体的小型化。
在激光光源12、波长锁定器14、配线基板28及终端基板40上连接未图示的控制部及电源。电源根据各部件的种类而包含高频电源、直流电源或交流电源，至少一部分可以由蓄电池构成。控制部按照使用者对控制部的操作或者预先存储于控制部的程序，控制从电源对各部件的电力供给。
图2是从图1所示的本实施方式的光模块中抽出成为高频信号的传播路径的一部分的构成部分的图。图3是图2的A-A′线剖视图。需要说明的是，高频信号可以使用作为光调制器16的调制信号。
如图2所示，在光调制器16设有未图示的调制用高频配线的一端部即输入侧电极24和调制用高频配线的另一端部即终端侧电极30。终端侧电极30配置在光调制器16的光输入输出端面侧(在附图中为左侧) 的端部上，输入侧电极24配置在与光输入输出端面相对的端部上。
光调制器16的输入侧电极24经由金属线26而与配线基板28连接。由此，能够将作为调制信号的高频信号经由配线基板28向光调制器16输入。而且，光调制器16的终端侧电极30经由金属线32而与配线用次基台34的配线36的一端部36a连接。配线用次基台34的配线36的另一端部36b经由配线基板38而与终端基板40的电极42连接。由此，光调制器16的调制用高频配线的终端侧电极30与终端基板40电连接。
终端基板40包含电容器、终端电阻、偏压电极等电子部件。图2 及图3仅示出这些电子部件之一的电容器56。终端基板40通过由陶瓷等绝缘性材料构成的支柱44来支承。
在此，将光调制器16与终端基板40连接的配线用次基台34如图 3所示，配线36的一端部36a的连接面的高度具有与光调制器16的终端侧电极30的连接面的高度大致相等的第一高度h1。而且，配线用次基台34的配线36的另一端部36b的连接面的高度具有比第一高度h1高的第二高度h2。而且，配线用次基台34的配置有配线36的另一端部36b的部分的厚度比配置有配线36的一端部36a的部分的厚度厚。并且，终端基板40通过支柱44而配置成其电极42的表面高度与第二高度h2大致相等。配线用次基台34在功能上来说也可以称为将与光调制器16的终端侧电极30连接的配线沿高度方向引出的引出配线。
图4是表示配线用次基台34的结构的概略剖视图。图4(a)是沿着图2的A-A′线剖面的配线用次基台34的剖视图，图4(b)是沿着图2的B-B′线剖面的配线用次基台34的剖视图。
例如图4(a)及图4(b)所示，配线用次基台34内的配线36以将一端部36a与另一端部36b连接的方式从第一高度h1至第二高度h2形成。配线用次基台34内的配线36的布局可以根据终端侧电极30的配置等而适当决定。例如在图4的例子中，将信号配线36S与接地配线36G 交替地平行配置。也可以将2根信号配线36S与1根接地配线36G交替地平行配置。
需要说明的是，在本说明书中，具有一端部的连接面与另一端部的连接面具有互不相同的规定的高度的配线且设有配线的一端部的部分的厚度与设有配线的另一端部的部分的厚度不同的配线基板称为“配线用次基台”。在一实施方式中，配线用次基台34例如图4(a)所示，配线36的一端部36a的连接面与另一端部36b的连接面向配线用次基台34的相同面侧(在图4中为上侧)露出。
通过使用这样的配线用次基台34，在狭窄的基底面积内，能够使配线36的一端部36a的连接面的高度和另一端部36b的连接面的高度较大地变化。因此，使用配线用次基台34将光调制器16与终端基板 40连接，由此能够将终端基板40配置成与光元件的安装面(壳体10的底面)不同的高度。由此，相比较于将终端基板40布局在与光元件相同的安装面上的情况，能够提高终端基板40的配置的自由度。而且，通过将终端基板40配置成与光元件重叠，能够抑制终端基板40的尺寸对光模块整体的尺寸造成的影响，光模块的小型化变得容易。从这些观点出发，第二高度h2优选比光元件的高度高。
在光调制器16与终端基板40的连接中，也可以考虑取代配线用次基台34而使用柔性配线基板。然而，在高频信号的传播用中使用的配线的膜厚较厚，而且，将光调制器16与终端基板40连接的配线数多，因此即便在光调制器16与终端基板40的连接中使用柔性配线基板，也难以使其自由地弯曲。因此，柔性配线基板难以增大弯曲率而安装于狭窄的空间，不适合使用于小型化的目的。
使配线用次基台34的配线36的一端部36a的表面高度与光调制器16的终端侧电极30的表面高度为大致相等的第一高度h1的话，具有能够使基于引线接合的一端部36a与终端侧电极30的连接容易等的优点。但是，配线36的一端部36a的表面高度和终端侧电极30的表面高度未必非要相同，也可以为不同的高度。配线36的一端部36a的表面高度和终端侧电极30的表面高度可以考虑金属线32的连接的容易性或高频传播特性等而适当设定。
另外，通过将配线用次基台34的配线36的另一端部36b的表面高度和终端基板40的电极42的表面高度设为大致相等的第二高度h2，而这些电极间的连接变得容易，而且，这些电极间的连接可以使用平坦的配线基板。需要说明的是，在此所谓大致相等的高度包含容许基于配线基板的配线36的另一端部36b与终端基板40的电极42的连接的公差。而且，在此所说的平坦的配线基板是在平坦面上形成有高频配线的配线基板。
配线用次基台34与终端基板40之间的电连接所使用的配线基板没有特别限定，但是可以适用例如图5所示的配线基板38。图5所示的配线基板38通过包含形成在平坦的基板70的一方的表面上的接地配线72G和形成在另一方的表面上的信号配线72S的微带线构成高频配线。图5(a)是形成有接地配线72G的表面的俯视图，图5(b)是形成有信号配线72S的表面的俯视图。图5(b)所示的表面成为与配线用次基台34及终端基板40连接的面。而且，图5(c)相当于图5(b)的A-A′线剖视图，图5(d)相当于图5(b)的C-C′线剖面。
在配线基板38的与配线用次基台34连接的连接部及与终端基板 40连接的连接部上分别设有根据配线用次基台34的配线36及终端基板40的电极42的布局而排列的规定的连接用电极74。在此，作为一例，示出交替地配置有与接地配线36G连接的连接用电极74G和与信号配线36S连接的连接用电极74S的例子作为与图4所示的配线用次基台34连接的配线基板38。连接用电极74G、74S如图5(b)、(c)、(d) 所示设置在基板70的形成有信号配线72S的表面上。连接用电极74S 与信号配线72S的两端部连接而分别设置。如图5(d)所示，连接用电极74G经由形成在基板70内的通孔76而与设置在相对的表面上的接地配线72G连接。需要说明的是，在图5中示出在形成有信号配线72S 的表面上未形成接地配线的例子，但是也可以在该表面上交替地设置信号配线和接地配线。
使用图5所示那样的通过微带线构成高频配线的配线基板38时，接地被强化而在高频特性上有利。尤其是接地配线72G的距配线基板 38的配线方向的端部的距离配置成等于或大于连接用电极74G、74S 的距配线基板38的端部的距离时(参照图5(b))，能抑制信号的反射，因此优选。需要说明的是，配线方向的端部是位于信号配线72S的延长线上的配线基板38的端部。俯视观察的连接用电极74G、74S与接地配线72G的重叠越小，则抑制信号的反射的效果越大。而且，由此，接地配线72G与形成在配线用次基台34及终端基板40上的配线的俯视观察的重叠减小，成为能够进一步抑制信号的反射的结构。
配线用次基台34与配线基板38未必非要为不同的构件，可以是例如通过建起工艺连续制造的一体结构的层叠基板。同样，可以将配线基板38及终端基板40形成为一体结构的层叠基板，也可以将配线用次基台34、配线基板38及终端基板40形成为一体结构的层叠基板。形成为一体结构具有抑制这些构件间的连接部的信号的反射的效果。
需要说明的是，从将终端基板40配置在与光元件不同的高度这样的观点出发，也可考虑在比光元件靠下层处设置终端基板40的情况。在光元件的下层具有能够收容终端基板40的空间的情况下，可以采用这样的配置。但是，光元件用的温度调节机构例如图3所示的光调制器16用的温度调节机构46那样设置在壳体与光元件之间且具有沿壳体方向使热量逃散的结构的情况下，若在比终端基板40靠下层侧处设置光元件，则能够进一步小型化，因此优选。
这样，根据本实施方式，使用沿高度方向引出配线的配线用次基台，将配线引出至与光调制器的安装面不同的高度，因此能够将终端基板配置在与光元件不同的高度的空间。由此，能够提高终端基板的配置的自由度，能够实现光模块的小型化。而且，向相对于配线用次基台的其他的部件的连接能够以大致相等的高度进行，因此能够容易进行各部件的电连接。
[第二实施方式]
关于本实用新型的第二实施方式的光模块，使用图6进行说明。对于与图1至图5所示的第一实施方式的光模块相同的构成要素标注相同符号而省略或简化说明。
图6是表示本实施方式的光模块的结构的俯视图。
在第一实施方式的光模块中，以使光调制器16的设有终端侧电极 30一侧的侧面与终端基板40的设有电极42的一侧的侧面相对的方式配置光调制器16和终端基板40，并将它们通过配线用次基台34及配线基板38连接，但是光调制器16与终端基板40的位置关系没有限定于此。
在本实施方式的光模块中，如图6所示，以使光调制器16的设有终端侧电极30的一侧的侧面与终端基板40的设有电极42的一侧的侧面成为90度的角度的方式配置终端基板40。即使在这样配置光调制器 16和终端基板40的情况下，经由配线用次基台34及配线基板38也能够将光调制器16的终端侧电极30与终端基板40的电极42电连接。将配线用次基台34与电极42连接的配线基板38的高频配线考虑高频特性(避免反射，避免信号的定时错开等)而适当配置。
[第三实施方式]
关于本实用新型的第三实施方式的光模块，使用图7进行说明。对于与图1至图6所示的第一及第二实施方式的光模块相同的构成要素，标注同一符号而省略或简化说明。
图7是表示本实施方式的光模块的结构的俯视图。
本实施方式的光模块与第二实施方式的光模块的情况同样，将光调制器16和终端基板40配置成与第一实施方式的光模块不同的位置关系。
即，在本实施方式的光模块中，如图7所示，以使光调制器16的设有终端侧电极30的一侧的侧面与终端基板40的设有电极42的一侧的侧面朝向相同方向的方式配置终端基板40。作为一例，如图7所示，通过在光调制器16上配置终端基板40，能够实现这样的位置关系。即使将光调制器16和终端基板40这样配置的情况下，经由配线用次基台34及配线基板38也能够将光调制器16的终端侧电极30与终端基板40的电极42电连接。将配线用次基台34与电极42连接的配线基板38的高频配线考虑高频特性(避免反射，避免信号的定时错开等)而适当配置。
需要说明的是，从提高光调制器16的温度控制性的观点出发，与将包含发热的电阻元件的终端基板40配置在光调制器16上的本实施方式的结构相比，优选如第一实施方式及第二实施方式那样从光调制器16分离地配置终端基板40的结构。
[第四实施方式]
关于本实用新型的第四实施方式的光模块，使用图8进行说明。对于与图1至图7所示的第一至第三实施方式的光模块相同的构成要素，标注相同的符号而省略或简化说明。
图8是表示本实施方式的光模块的结构的俯视图。
在第一至第三实施方式的光模块中，设有1个终端基板40，但是终端基板40未必非要为1个。即，可以将终端基板40分割成2个或3 个以上地配置。
在本实施方式的光模块中，如图8所示，设置2个终端基板40A、 40B，并将它们经由配线基板38及配线用次基台34而与光调制器16 电连接。配线用次基台34与终端基板40A、40B的连接使用配线基板 38，该配线基板38具有将配线36的一部分与终端基板40A的电极42A 连接的高频配线、将配线36的另一部分与终端基板40B的电极42B连接的高频配线。通过将终端基板40分割成多个块，能够进一步提高终端基板40的配置的自由度。
终端基板40A、40B的配置没有限定为图8所示的结构，根据其他的构成部件的配置等能够适当选择。而且，终端基板40A、40B可以通过不同的配线用次基台34及/或不同的配线基板38连接。而且，可以将终端基板40分割成3个以上的块。将配线用次基台34与电极42A、 42B连接的配线基板38的高频配线考虑高频特性(避免反射，避免信号的定时错开等)而适当配置。
[第五实施方式]
关于本实用新型的第五实施方式的光模块，使用图9进行说明。对于与图1至图8所示的第一至第四实施方式的光模块相同的构成要素，标注同一符号而省略或简化说明。
图9是表示本实施方式的光模块的结构的俯视图。
本实施方式的光模块除了光元件的配置即从激光光源12至输出端口20、22的光路不同之外，与第一至第四实施方式的光模块相同。
在本实施方式的光模块中，与第一实施方式的情况同样，将激光光源12、波长锁定器14、光调制器16及偏振合成器18以使通过它们形成的光路描绘U字状的方式配置。但是，在本实施方式的光模块中，种子光L1在光调制器16内分支时，使成为信号光L2a、L2b的种子光 L1和成为LO光L3的种子光L1在光调制器16内向不同的方向弯曲。即，成为信号光L2a、L2b的种子光L1在光调制器16内，以在附图中逆时针地描绘U字状的方式在光导波路中传播，在此期间调制成信号光L2a、L2b。而且，成为LO光L3的种子光L1在光调制器16内，以在附图中顺时针地描绘U字状的方式在光导波路中传播，作为LO光 L3而输出。
将从激光光源12至输出端口20的光路与从激光光源12至输出端口22的光路以描绘图9所示那样的不同U字状的方式配置，由此也与第一实施方式的情况同样地能够实现光模块整体的小型化。
[第六实施方式]
关于本实用新型的第六实施方式的光模块，使用图10进行说明。对于与图1至图9所示的第一至第五实施方式的光模块相同的构成要素，标注相同的符号而省略或简化说明。
图10是表示本实施方式的光模块的结构的概略剖视图。
在第一至第五实施方式的光模块中，将配线用次基台34与终端基板40经由配线基板38进行电连接，但是配线用次基台34与终端基板 40未必非要通过配线基板38进行电连接。
在本实施方式的光模块中，如图10所示，将配线用次基台34与终端基板40通过金属线48进行电连接。在如图10那样将配线用次基台34与终端基板40接近配置等情况下，不用大幅降低高频传播特性，通过引线接合等简便的手法能够将配线用次基台34与终端基板40电连接。
[第七实施方式]
关于本实用新型的第七实施方式的光模块，使用图11至图14进行说明。对于与图1至图10所示的第一至第六实施方式的光模块相同的构成要素，标注相同的符号而省略或简化说明。
图11至图14是表示本实施方式的光模块的配线用次基台的结构的概略剖视图。
第一至第六实施方式的光模块所使用的配线用次基台34未必非要限定为图4所示的结构。作为配线用次基台34的其他的例子，可列举例如图11至图14所示的结构。
图11所示的配线用次基台34在配线用次基台34内的配线36的弯曲部50形成具有圆角的曲面。使配线36的弯曲部50具有圆角而平缓，由此能够抑制弯曲部50的高频信号的反射。
图12所示的配线用次基台34通过交替地层叠有焊盘部52和通孔部54的层叠基板来形成配线36。也可想到由于配线用次基台34的高度而难以一下子挖通陶瓷的基体的情况。通过交替地层叠焊盘部52和通孔部54而形成配线36，具有高度的配线用次基台34也能够容易地制造。需要说明的是，图12的焊盘部52与通孔部54的层叠数是一例，根据配线用次基台34所需的高度可以适当增减。
图13所示的配线用次基台34是具有第一基板60和第二基板64 的层叠基板，该第一基板60埋入有沿着与光元件的安装面平行的方向延伸的第一配线部62，该第二基板64埋入有沿着与光元件的安装面交叉的方向延伸的第二配线部66。在第一基板60上以连接第一配线部 62和第二配线部66的方式接合第二基板64，由此能够制造配线用次基台34。
图14所示的配线用次基台34在具有高度不同的2个上表面82、 84的基板80的表面上以从上表面82至上表面84的方式形成有配线 36。在从上表面82朝向上表面84垂直地上升的部分的基板80的角部、从上表面84朝向上表面82垂直地下降的部分的基板80的角部可以与图11同样地设置弯曲部。
[变形实施方式]
本实用新型并不局限于上述实施方式，能够进行各种变形。
例如，在上述实施方式中，作为包含高频光元件的光模块的一例，说明了能够利用于数字相干通信用的光收发模块的发送模块，但是包含高频光元件的光模块没有限定于此。能够广泛地适用于包含高频光元件的全部光模块。例如，作为包含高频光元件的其他的光模块，可列举由激光光源和光调制器构成的光模块。
另外，在上述实施方式中，将激光光源和光调制器设为不同的部件，但也可以使用一体形成有激光光源和光调制器的光半导体元件。
另外，在上述实施方式中，说明了在与光元件的安装面不同的高度配置有终端基板40的光模块，但是配置在与光元件的安装面不同的高度的基板没有限定为终端基板40。例如，可以将终端基板以外的电路基板例如包含光元件驱动用的驱动电路的控制基板配置在与光元件的安装面不同的高度。可以将包含终端基板40的多个种类的电路基板配置在与光元件的安装面不同的高度。即使在这种情况下，配置于不同高度的基板间的连接也可以使用与配线用次基台34同样的配线用次基台。
【标号说明】
10…壳体
12…激光光源
14…波长锁定器
16…光调制器
18…偏振合成器
34…配线用次基台
36…配线
36a…配线的一端部
36b…配线的另一端部
38…配线基板
40…终端基板

Claims (11)

1.一种光模块，其特征在于，具有：
光元件，以高频进行驱动；
电路基板，配置在与所述光元件不同的高度；及
配线用次基台，是具有一端部的连接面与另一端部的连接面具有互不相同的规定的高度的配线、且设有配线的一端部的部分的厚度与设有配线的另一端部的部分的厚度不同的配线基板，所述配线用于将所述光元件与所述电路基板电连接。
2.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，
所述配线具有沿着与所述光元件的安装面平行的方向延伸的第一配线部、及连接在所述第一配线部上且沿着与所述光元件的安装面交叉的方向延伸的第二配线部。
3.根据权利要求2所述的光模块，其特征在于，
在所述配线的所述第一配线部与所述第二配线部之间的连接部形成有曲面。
4.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，
所述光模块还具有将所述配线用次基台与所述电路基板电连接的配线基板。
5.根据权利要求4所述的光模块，其特征在于，
所述配线基板具有微带线，该微带线包含形成在基板的一方的表面上的信号配线、及形成在所述基板的另一方的表面上的接地配线，
所述信号配线具有设置在与所述配线用次基台及所述电路基板的连接部上的连接用电极，
所述接地配线及所述连接用电极以所述接地配线距所述配线基板的配线方向的端部的距离等于或大于所述连接用电极距所述配线基板的所述端部的距离的方式配置。
6.根据权利要求4或5所述的光模块，其特征在于，
所述配线用次基台、所述电路基板和所述配线基板为一体结构。
7.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，
所述配线用次基台与所述电路基板由金属线电连接。
8.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，
所述光元件是半导体光调制器。
9.根据权利要求8所述的光模块，其特征在于，
所述光模块还具有激光光源、波长锁定器及偏振合成器，通过所述激光光源、所述波长锁定器、所述半导体光调制器及所述偏振合成器形成的光路以描绘U字状的方式配置。
10.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，
所述配线用次基台是层叠基板。
11.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，
所述电路基板包含终端电阻。
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