CN203085140U - 一种栅线集成驱动电路、阵列基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种栅线集成驱动电路、阵列基板及显示装置,在栅线集成驱动电路的第一级移位寄存器的信号输入端与帧开启信号输出端之间设置了静电缓解单元,静电缓解单元为帧开启信号输出端由于静电感应而积聚的静电电荷提供了静电释放路径,提高了栅线集成驱动电路的静电释放能力,防止因过大的静电电流而烧毁帧开启信号线与第一级移位寄存器的连接处,避免帧开启信号无法加载到第一级移位寄存器上,使得栅线集成驱动电路不能正常工作,进而影响整个显示面板不能正常显示的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种栅线集成驱动电路、阵列基板及显示装置。
背景技术
在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD,Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay)中,通常通过栅极驱动装置向像素区域的各个薄膜晶体管(TFT,ThinFilm Transistor)的栅极提供栅极驱动信号。栅极驱动装置可以通过阵列工艺形成在液晶显示器的阵列基板上,形成栅线集成驱动电路(GOA,Gate On Array),这种集成工艺不仅节省了成本,而且可以做到液晶面板(Panel)两边对称的美观设计,同时,也省去了栅极集成电路(IC,Integrated Circuit)的绑定(Bonding)区域以及扇出(Fan-out)的布线空间,从而可以实现窄边框的设计;并且,这种集成工艺还可以省去栅线方向的Bonding工艺,从而提高了产能和良率。
现有技术中的栅线集成驱动电路的电路图,如图1所示,栅线集成驱动电路由级联的多个移位寄存器(GOA单元)组成,每级移位寄存器的信号输出端向对应的栅线Gate输出栅极驱动信号,并与下一级移位寄存器的信号输入端连接。在栅线集成驱动电路中,时钟信号线CLK和CLKB,以及参考信号线VSS会与每级移位寄存器相连,而帧开启信号线STV仅与第一级位移寄存器的信号输入端相连,以便对其输入帧开启信号。在时钟信号线CLK和CLKB、参考信号线VSS以及帧开启信号线STV这四种信号线中,时钟信号线CLK和CLKB以及参考信号线VSS均与栅线集成驱动电路中的各移位寄存器存在连接处,这些连接处可以作为在这些信号线上由于静电感应而积聚的静电电荷的静电释放路径;而帧开启信号线STV仅与栅线集成驱动电路中的第一级移位寄存器1stGOA存在连接端,在帧开启信号线STV上由于静电感应而积聚的静电电荷仅能通过该连接端进行静电释放。
这样,由于在帧开启信号线STV上积累的静电电荷缺乏有效的静电释放路径,因此,过大的静电电流容易烧毁帧开启信号线STV与第一级移位寄存器的连接处,导致帧开启信号无法加载到第一级移位寄存器上,使得栅线集成驱动电路不能正常工作,进而影响整个显示面板不能正常显示。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种栅线集成驱动电路、阵列基板及显示装置,用以解决帧开启信号线上积累的静电容易烧毁栅线集成驱动电路的问题。
本实用新型实施例提供的一种栅线集成驱动电路,包括级联的多个移位寄存器,还包括:静电缓解单元,所述静电缓解单元的输入端与帧开启信号输出端连接,所述静电缓解单元的输出端与第一级移位寄存器的信号输入端连接,所述静电缓解单元用于缓解帧开启信号输出端积聚的静电。
本实用新型实施例提供的一种阵列基板,包括本实用新型实施例提供的上述栅线集成驱动电路。
本实用新型实施例提供的一种显示装置,包括本实用新型实施例提供的上述阵列基板。
本实用新型实施例的有益效果包括:
本实用新型实施例提供的一种栅线集成驱动电路、阵列基板及显示装置,在栅线集成驱动电路的第一级移位寄存器的信号输入端与帧开启信号输出端之间设置了静电缓解单元,静电缓解单元为帧开启信号输出端由于静电感应而积聚的静电电荷提供了静电释放路径,提高了栅线集成驱动电路的静电释放能力,防止因过大的静电电流而烧毁帧开启信号线与第一级移位寄存器的连接处,避免帧开启信号无法加载到第一级移位寄存器上,使得栅线集成驱动电路不能正常工作,进而影响整个显示面板不能正常显示的问题。
附图说明
图1为现有技术中栅线集成驱动电路的结构示意图;
图2为本实用新型实施例提供的栅线集成驱动电路的结构示意图;
图3为本实用新型实施例提供的栅线集成驱动电路中静电缓解单元的结构示意图;
图4a和图4b为本实用新型实施例提供的第一TFT器件的结构示意图;
图5为本实用新型实施例提供的包含静电释放子单元的静电缓解单元导的结构示意图;
图6为本实用新型实施例提供的静电释放子单元的结构示意图之一;
图7a至图7c为本实用新型实施例提供的静电释放子单元的结构示意图之二。
具体实施方式
下面结合附图,对本实用新型实施例提供的栅线集成驱动电路、阵列基板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
本实用新型实施例提供的一种栅线集成驱动电路,如图2所示,包括级联的多个移位寄存器(GOA单元),还包括:静电缓解单元,该静电缓解单元的输入端与帧开启信号STV输出端连接,该静电缓解单元的输出端与第一级移位寄存器1stGOA的信号输入端连接。该静电缓解单元用于缓解帧开启信号输出端积聚的静电。
本实用新型实施例提供的上述栅线集成驱动电路中,在第一级移位寄存器1stGOA的信号输入端与帧开启信号STV输出端之间增加的静电缓解单元,作为有效地静电释放路径,能防止因过大的静电电流而烧毁帧开启信号线与第一移位寄存器的连接处,避免帧开启信号无法加载到第一级移位寄存器上,使得栅线集成驱动电路不能正常工作,进而影响整个显示面板不能正常显示的问题。
具体地,本实用新型实施例提供的上述静电缓解单元,如图3所示,可以具体包括:第一薄膜晶体管TFT器件1;其中,该第一TFT器件1的栅极和源极相连,栅极与提供帧开启信号STV输出端相连,漏极与第一级移位寄存器1stGOA的信号输入端相连。该第一TFT器件1的作用是缓解从帧开启信号输出端输入的静电高电压,并将正常的帧开启信号导通到第一级移位寄存器的信号输入端,使第一级移位寄存器正常工作。
在具体实施时,为了能使第一TFT器件通过较大的电流而不被损坏,会通过增加第一TFT器件的沟道宽长比的方式增加其电流导通量,具体地,可以采用如图4a和图4b所示的结构,即第一TFT器件的源极103与漏极104具有插指结构,即源极103和漏极104相对的一侧分别具有梳齿状结构,两梳齿状结构交叉布置形成插指结构,这样在有源层102对应的区域就可以形成较大的宽长比的沟道结构,可以在不增加第一TFT器件整体面积的同时,增加电流导通量。
并且,在具体设计第一TFT器件时,可以通过在栅极和源极的相连处设置多个过孔的方式,以在保证第一TFT器件的栅极和源极短接的前提下,尽量增加栅极和源极相连处的电流导通量。
在具体实施时,可以如图4a所示,将第一TFT器件的栅极101和源极103直接通过多个过孔相连,即栅极101和源极103在重叠处通过绝缘层的多个过孔105相连;也可以如图4b所示,在第一TFT器件设置有连接部106,将第一TFT器件的栅极101和源极103分别通过多个过孔105与连接部106相连。具体地,连接部106需要与栅极101和源极103设置在不同的膜层中,例如,连接部106可以设置在源极103和漏极104之上,且通过绝缘层与源极103和漏极104所在的膜层绝缘。
具体地,该连接部106的材料可以为透明导电氧化物或金属,在此不做限定。
在帧开启信号加载到第一TFT器件的栅极101时,多个过孔105可以缓解帧开启信号输出端积聚的静电电荷,保证静电电荷能被有效释放,避免帧开启信号输出端直接和第一级移位寄存器连接时被烧毁的问题。
进一步地,本实用新型实施例提供的上述栅线集成驱动电路中的静电缓解单元,除了包括上述第一TFT器件,如图5所示,还可以包括:用于释放静电的静电释放子单元;其中,该静电释放子单元的信号输入端与第一TFT器件的漏极相连。
进一步地,为了增强静电缓解单元的静电释放能力,该静电释放子单元的信号输出端可以与公共电极COM(如图5所示)或公共电极线相连,或者,将该静电释放子单元的信号输出端直接接地。将静电释放子单元的信号输出端与公共电极、公共电极线或接地导通,能有效地将较大的静电电荷释放。
在具体实施时,如图6所示,静电释放子单元可以包括:由第二TFT器件和第三TFT器件组成的双向TFT结构;其中,第二TFT器件的栅极201和源极202相连,第二TFT器件的栅极201与第一TFT器件的漏极(图中未示出)相连,第二TFT器件的漏极203与第三TFT器件的栅极301相连;第三TFT器件的栅极301和源极302相连,第三TFT器件的漏极303与的二TFT器件的栅极201相连,第三TFT器件的栅极301作为静电释放子单元的信号输出端。
进一步地,为了增大静电释放子单元的静电释放能力,静电释放子单元的具体结构还可以包括:并联的多个上述双向TFT结构,并且,静电释放子单元还可以为如图7a至图7c所示的具体结构,在此不再详述。
在具体实施时,静电释放子单元的具体结构不限于以上介绍的几种具体实施方式,还可以为其他具有静电释放功能的结构,在此不做限定。
基于同一实用新型构思,本实用新型实施例还提供了一种阵列基板,包括本实用新型实施例提供的上述栅线集成驱动电路,该阵列基板的实施可以参见上述栅线集成驱动电路的实施例,重复之处不再赘述。
基于同一实用新型构思,本实用新型实施例还提供了一种显示装置,包括本实用新型实施例提供的上述阵列基板,该显示装置的实施可以参见上述阵列基板的实施例,重复之处不再赘述。
本实用新型实施例提供的一种栅线集成驱动电路、阵列基板及显示装置,在栅线集成驱动电路的第一级移位寄存器的信号输入端与帧开启信号输出端之间设置了静电缓解单元,静电缓解单元为帧开启信号输出端由于静电感应而积聚的静电电荷提供了静电释放路径,提高了栅线集成驱动电路的静电释放能力,防止因过大的静电电流而烧毁帧开启信号线与第一级移位寄存器的连接处,避免帧开启信号无法加载到第一级移位寄存器上,使得栅线集成驱动电路不能正常工作,进而影响整个显示面板不能正常显示的问题。
显然,本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样,倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内,则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种栅线集成驱动电路,包括级联的多个移位寄存器,其特征在于,还包括:静电缓解单元,所述静电缓解单元的输入端与帧开启信号输出端连接,所述静电缓解单元的输出端与第一级移位寄存器的信号输入端连接,所述静电缓解单元用于缓解帧开启信号输出端积聚的静电。
2.如权利要求1所述的栅线集成驱动电路,其特征在于,所述静电缓解单元包括:第一薄膜晶体管TFT器件;其中,
所述第一TFT器件的栅极和源极相连,栅极与所述帧开启信号输出端相连,漏极与所述第一级移位寄存器的信号输入端相连。
3.如权利要求2所述的栅线集成驱动电路,其特征在于,所述第一TFT器件的源极与漏极具有插指结构。
4.如权利要求2所述的栅线集成驱动电路,其特征在于,所述第一TFT器件设置有连接部;所述第一TFT器件的栅极和源极分别通过多个过孔与连接部相连;或,
所述第一TFT器件的栅极和源极通过多个过孔相连。
5.如权利要求4所述的栅线集成驱动电路,其特征在于,所述连接部的材料为透明导电氧化物或金属。
6.如权利要求2-5任一项所述的栅线集成驱动电路,其特征在于,所述静电缓解单元,还包括:用于释放静电的静电释放子单元;其中,
所述静电释放子单元的信号输入端与所述第一TFT器件的漏极相连。
7.如权利要求6所述的栅线集成驱动电路,其特征在于,所述静电释放子单元的信号输出端与公共电极或公共电极线相连;或,
所述静电释放子单元的信号输出端接地。
8.如权利要求7所述的栅线集成驱动电路,其特征在于,所述静电释放子单元包括:由第二TFT器件和第三TFT器件组成的双向TFT结构;其中,
所述第二TFT器件的栅极和源极相连,所述第二TFT器件的栅极与所述 第一TFT器件的漏极相连,所述第二TFT器件的漏极与所述第三TFT器件的栅极相连;
所述第三TFT器件的栅极和源极相连,所述第三TFT器件的漏极与所述的二TFT器件的栅极相连,所述第三TFT器件的栅极作为所述静电释放子单元的信号输出端;
或,
所述静电释放子单元包括:并联的多个所述双向TFT结构。
9.一种阵列基板,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的栅线集成驱动电路。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的阵列基板。
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