发明内容
本发明提供一种显示面板及显示装置,可以有效节省布局空间。
本发明公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本公开发明的实践而习得。
根据本发明公开实施例的第一方面,一种显示面板,包括设置于非显示区的栅极驱动器;至少一静电保护单元;
所述栅极驱动器包括:
多个相互级联的第一移位寄存器单元;
至少一个与所述第一移位寄存器单元相互级联的第二移位寄存器单元;
与所述第一移位寄存器单元和/或第二移位寄存器单元对应电连接的信号线;
其中,所述第二移位寄存器单元在所述非显示区具有的第二布置面积小于所述第一移位寄存器单元在所述非显示区具有的第一布置面积;
所述静电保护单元与所述第二移位寄存器单元相邻设置。
根据本公开实施例的第二方面,一种显示装置,包括上述任一所述的显示面板。
根据本发明一实施方式的显示面板中,作为只提供开启扫描信号的第二移位寄存器单元不必与提供栅极扫描信号的第一移位寄存器单元具有相同的结构,因此可以将第二移位寄存器单元做的更小,占用更小的空间,从而增大了第一移位寄存器单元与第二移位寄存器单元之间,以及两个第二移位寄存器单元之间的间隙。另外,静电保护单元放置于这些被做大的间隙中,有效的减少了布局空间,有利于显示面板的窄边化。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施例,本公开的上述和其它目标、特征及优点将变得更加显而易见。
图1A是根据一示例性实施方式示出的显示面板的布局示意图。
图1B是根据一示例性实施方式示出的栅极驱动器和静电保护单元的布局示意图。
图1C是根据一示例性实施方式示出的另一栅极驱动器和静电保护单元的布局示意图。
图2A是根据一示例性实施方式示出的栅极驱动器的结构示意图。
图2B是图2A中栅极驱动器的工作时序图。
图3A是根据一示例性实施例示出的第一移位寄存器单元和第二移位寄存器单元中晶体管的示意图。
图3B是根据一示例性实施例示出的第一移位寄存器单元和第二移位寄存器单元中另一晶体管的示意图。
图4根据一示例性实施例的静电防护单元的结构示意图。
图5是根据一示例性实施例示出的静电保护单元的电路示意图。
附图标记说明:
栅极驱动器100
非显示区200
显示区300
静电保护单元101
第一移位寄存器单元102
第二移位寄存器单元103
信号线104
第一布置面积S1
第二布置面积S2
第一间隙105
第二间隙106
第一晶体管310
第一晶体管的源极311
第一晶体管的漏极312
第二晶体管320
第二晶体管的源极321
第二晶体管的漏极322
栅极层410
源/漏极层420
过孔430
第一场效应管510
第二场效应管520
第一场效应管的栅极511
第一场效应管的漏极512
第一场效应管的源极513
第二场效应管520
第二场效应管的栅极521
第二场效应管的漏极523
第二场效应管的源极522
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。附图仅为本公开的示意性图解,并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分,因而将省略对它们的重复描述。
此外,所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下,不详细示出或描述公知结构、方法、装置、实现、材料或者操作。
图1A是根据一示例性实施方式示出的显示面板的布局示意图。图1B是根据一示例性实施方式示出的栅极驱动器和静电保护单元的布局示意图。图1C是根据一示例性实施方式示出的另一栅极驱动器和静电保护单元的布局示意图。
如图1A所示,显示面板可包括显示区300和至少一个非显示区200。例如,非显示区200可设置于显示区300四周。
显示面板可包括栅极驱动器100。为了避免出现静电放电现象,通常可通过设置静电保护装置释放例如栅极驱动器100中产生的静电电荷。
如图1B和1C所示,栅极驱动器100可设置在位于显示区300一侧或两侧的非显示区200中。
如图1B和1C所示,栅极驱动器100可包括:多个相互级联的第一移位寄存器单元102;至少一个与第一移位寄存器单元102相互级联的第二移位寄存器单元103;与第一移位寄存器单元102和/或第二移位寄存器单元103对应电连接的信号线104。
如图1B和1C所示,静电保护单元101可与第二移位寄存器单元103相邻设置。根据一示例实施例,栅极驱动器100中的每个信号线104可连接至少一个静电保护单元101。静电保护单元101可用于栅极驱动器100中产生的电荷的释放,举例来说,由于信号线104上经常会产生静电积累,如果不及时释放,则会产生静电击穿等现象,从而导致信号线104的损毁,影响整个驱动电路的工作性能。
根据示例实施例,第二移位寄存器单元103在非显示区200具有的第二布置面积S2可小于第一移位寄存器单元102在非显示区具有的第一布置面积S1。在相关技术中,第二移位寄存器单元103与第一移位寄存器单元102的布置面积是相同的,静电保护单元放置于面板的上边框或下边框,影响面板的窄边框化。而根据本发明实施例,由于第二移位寄存器单元103的第二布置面积S2可小于第一移位寄存器单元102的第一布置面积S1,静电保护单元101可与第二移位寄存器单元103相邻设置而不必占用额外的边框面积,从而有利于显示面板的窄边化。
根据一示例实施例,第二移位寄存器单元103与第一移位寄存器单元102之间可形成有第一间隙105,静电保护单元101可以设置在第一间隙105中。
根据另一示例实施例,在两个第二移位寄存器单元103之间可形成有第二间隙106,静电保护单元101可以设置在第二间隙106中。
图2A是根据一示例性实施例示出的栅极驱动器的结构示意图。图2B是图2A中栅极驱动器的工作时序图。
如图2A所示,栅极驱动器100可包括例如五级第一移位寄存器单元SR1(即第一移位寄存器单元102)至SR5(即第一移位寄存器单元102)、两个第二移位寄存器单元DSR1(即第二移位寄存器单元103)、DSR2(即第二移位寄存器单元103),分别设置在第一移位寄存器单元SR1(即第一移位寄存器单元102)至SR5(即第一移位寄存器单元102)两端。各移位寄存器单元还接收第一时钟信号CK1以及第二时钟信号CKB1。每一移位寄存器单元根据接收的信号在其输出端VOUT提供一输出信号。
根据一示例实施例,第二移位寄存器单元DSR1(即第二移位寄存器单元103)可接收由对应连接的第一信号线输入的第一起始信号STV。第一移位寄存器单元SR1(即第一移位寄存器单元102)可接收由对应级联的第二移位寄存器单元DSR1(即第二移位寄存器单元103)输出的第一输出信号DS1并输出有效栅极扫描信号S1至所对应的显示区域。
根据一示例实施例,第二移位寄存器单元DSR2(即第二移位寄存器单元103)可接收由对应级联的第一移位寄存器单元SR5(即第一移位寄存器单元102)输出的开启信号但不产生对下一级第一移位寄存器单元SR1(即第一移位寄存器单元102)的开启信号。
参考图2B,当进行正向扫描时,第二移位寄存器单元DSR1的第一输入端VIN1可接收由对应连接的第一信号线输入的第一起始信号STV,第二移位寄存器单元DSR1输出第一输出信号DS1以向第一移位寄存器单元SR1的第一输入端VIN1提供输入信号。第一移位寄存器单元SR1的第一输入端VIN1接收第一输出信号DS1后输出有效栅极扫描信号S1至所对应的显示区域。类似地,第一移位寄存器单元SR2~SR5的第一输入端VIN1接收前一级第一移位寄存器单元的输出信号,并输出有效栅极扫描信号S2~S5至所对应的显示区域。第一移位寄存器单元SR1~SR4的第二输入端VIN2接收后一级第一移位寄存器单元的输出信号作为复位信号。第二移位寄存器单元DSR2可设置在最末级的第一移位寄存器单元SR5之后。可利用第二移位寄存器单元DSR2的输出信号DS2向最末级的第一移位寄存器单元SR5的第二输入端提供输入信号作为复位信号。在反向扫描时,图示中VIN2为第一输入端,VIN1为第二输入端,原本第1级的第一移位寄存器单元SR1将成为最末级的第一移位寄存器单元。
由于第二移位寄存器单元并不真正向显示单元输出驱动信号,故也称为虚拟移位寄存器单元。
以上以图2A-2B为例描述了栅极驱动器的工作,但本公开不以此为限。易于理解,本公开可以应用于其他各种形式的包括第一移位寄存器单元和第二移位寄存器单元的栅极驱动器。例如,栅极驱动器可包括两组第一移位寄存器单元,每组中的第一移位寄存器单元以交错间隔的方式排列。相应地,每组第一移位寄存器单元两端则可以分别设置一个第二移位寄存器单元。
由于第二移位寄存器单元并不需要真正输出驱动信号,在对部分器件的相关物理性能要求上较低,这样,第二移位寄存器单元在非显示区具有的第二布置面积S2可小于第一移位寄存器单元在非显示区具有的第一布置面积S1。
图3A是根据一示例性实施例示出的第一移位寄存器单元和第二移位寄存器单元中晶体管的示意图。图3B是根据一示例性实施例示出的第一移位寄存器单元和第二移位寄存器单元中另一晶体管的示意图。
如图3A和3B所示,第一移位寄存器单元包括至少一个第一晶体管310,第二移位寄存器单元包括至少一个第二晶体管320,第二晶体管320小于第一晶体管310。
通常来讲,第一移位寄存器单元和第二移位寄存器单元具有相同的电路结构。由于第二移位寄存器单元并不需要真正输出驱动信号,因此,如图3所示,第二移位寄存器单元内部相应的第二晶体管320在宽度上可以做得更小,第一晶体管310的源极311与漏极312之间的宽度大于第二晶体管320的源极321与漏极322之间的宽度。这样使得第二移位寄存器单元整体占用的空间更小。因此,第二移位寄存器单元与第一移位寄存器单元也可具有不同的布置面积。
因此,根据本公开,第二移位寄存器单元不必与提供栅极扫描信号的第一移位寄存器单元具有相同的布置面积,可以将第二移位寄存器单元做的更小,占用更小的空间,从而增大了第一移位寄存器单元与第二移位寄存器单元之间或两个第二移位寄存器单元之间的空间。原本放置于上边框或者下边框的静电保护单元放置于这些被做大的间隙中,有效地减少了布局空间,有利于显示面板的窄边化。
图4根据一示例性实施例的静电防护单元的结构示意图。图5是根据一示例性实施例示出的静电保护单元的电路示意图。
如图4和图5所示,静电防护单元可包括一个TFT晶体管对,其中TFT晶体管对包括第一TFT晶体管510和第二TFT晶体管520。第一TFT晶体管510的栅极511通过导通栅极层410和源/漏极层420间的过孔430与第一TFT晶体管510的漏极512、第二TFT晶体管520的源极522连接,作为静电保护单元的输入端。第二TFT晶体管520的栅极521通过导通栅极层410和源/漏极层420间的过孔430与第二TFT晶体管520的漏极523、第一TFT晶体管510的源极513连接,作为静电保护单元的输出端。
虽然以图4和图5为例描述了静电防护单元,但本公开并不以此为限。易于理解,本公开也可采用其他各种形式的静电防护单元。例如,静电防护单元可以多行并联的形式设置,每行可包括多个串联的TFT晶体管对。
在显示面板的显示区包括多个薄膜晶体管,这些薄膜晶体管与静电保护单元中的第一场效应管510、第二场效应管520可由相同工艺制成。
上述已公开的特征能以任何适当方式与一或多个已公开的实施例相互组合、修饰、置换或转用,并不限定于特定的实施例。
本发明虽以各种实施例公开如上,然而其仅为范例参考而非用以限定本发明的范围,本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可做些许的变动与润饰。因此上述实施例并非用以限定本发明的范围,本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。