CN202949568U - 一种大功率mems麦克风 - Google Patents

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宣雷
杨利君
孙志斌
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Shanghai Xindao Electronic Technology Co ltd
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SHANGHAI PRISEMI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
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Abstract

本实用新型涉及一种大功率MEMS麦克风，包括封装电路板壳体、MEMS芯片封装结构和ASIC芯片封装结构。封装电路板壳体包括表面设有声舷窗的封装盖1和衬底基板2，MEMS芯片封装结构和ASIC芯片封装结构与衬底基板2通过芯片粘接材料层3固定连接，封装盖1和衬底基板2将MEMS芯片封装结构和ASIC芯片封装结构封装成MEMS麦克风整体，MEMS芯片封装结构包括MEMS芯片4、至少3条金线5和封装引脚，MEMS芯片4与封装引脚通过至少3条金线5电连接。本实用新型大功率MEMS麦克风相比采用单金线封装结构芯片的MEMS麦克具有芯片输出功率更高，废热排量少，可以满足更多大功率设备要求的特点。

Description

一种大功率MEMS麦克风
技术领域
本实用新型涉及一种MEMS麦克风，特别涉及一种采用多金线芯片封装结构的大功率MEMS麦克风，属于多媒体传声器领域。
背景技术
目前，现有常用的MEMS麦克风通常面临着输出功率较小不能满足现有大功率设备要求的问题，然而简单采用提高输入的办法来提高输出功率不仅不能有效提高输出而且增加了系统的废热排量，具体是现有的MEMS麦克风芯片通常采用单金线封装结构，这种结构限制了芯片的功率输出范围，具体是这种采用单金线封装的芯片仅能够承受40安培的浪涌电流，这种通流能力已经不能够满足现有大功率设备的要求，从而不适当缩小了MEMS麦克风的应用领域。
实用新型内容
本实用新型公开了新的方案，在MEMS芯片供电输入输出端与封装引脚间采用3条金线电连接，增大MEMS麦克风芯片的输出功率，解决了采用单金线芯片封装结构MEMS麦克风无法满足现有大功率设备的问题，扩大了MEMS麦克风的应用领域。
本实用新型大功率MEMS麦克风，包括封装电路板壳体、MEMS芯片封装结构和ASIC芯片封装结构。封装电路板壳体包括表面设有声舷窗的封装盖1和衬底基板2，MEMS芯片封装结构和ASIC芯片封装结构与衬底基板2通过芯片粘接材料层3固定连接，封装盖1和衬底基板2将MEMS芯片封装结构和ASIC芯片封装结构封装成MEMS麦克风整体，MEMS芯片封装结构包括MEMS芯片4、至少3条金线5和封装引脚，MEMS芯片4与封装引脚通过至少3条金线5电连接。
本实用新型大功率MEMS麦克风相比采用单金线封装结构芯片的MEMS麦克具有芯片输出功率更高，废热排量少，可以满足更多大功率设备要求的特点。
附图说明
图1是本实用新型大功率MEMS麦克风结构示意图。
图2是本实用新型MEMS芯片封装结构示意图。
图1～2中，1是封装盖，2是衬底基板，3是芯片粘接材料层，4是MEMS芯片，5是金线，6是供电输入输出端，7是功能模块端，8是ASIC芯片，9是球形封装。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型作进一步说明。
如图1所述，本实用新型大功率MEMS麦克风结构示意图。大功率MEMS麦克风，包括封装电路板壳体、MEMS芯片封装结构和ASIC芯片封装结构，本方案的ASIC芯片封装结构可以包括ASIC芯片8、球形封装9、若干金线5和封装引脚，球形封装9将ASIC芯片8封装固定在衬底基板2上，ASIC芯片8与封装引脚通过若干金线5电连接。封装电路板壳体包括表面设有声舷窗的封装盖1和衬底基板2，本方案的声舷窗可以包括若干规则排列的采音孔，衬底基板2是陶瓷引线框架结构。MEMS芯片封装结构和ASIC芯片封装结构与衬底基板2通过芯片粘接材料层3固定连接，封装盖1和衬底基板2将MEMS芯片封装结构和ASIC芯片封装结构封装成MEMS麦克风整体，MEMS芯片封装结构包括MEMS芯片4、至少3条金线5和封装引脚，MEMS芯片4与封装引脚通过至少3条金线5电连接。本方案的金线5直径优选是0.8mil。如图2所示，本方案的MEMS芯片4包括供电输入输出端6和若干功能模块端7，供电输入输出端6与封装引脚通过3条金线5电连接。
本方案采用了3条金线与MEMS芯片供电输入输出端电连接的方案，在总电流不变的前提下，单根金线的电流变为单金线电连接方案中金线电流的三分之一，同时采用0.8mil通径的金线代替1.5mil通径金线，根据电子的边缘效应原理，同样长度的金线，其截面周长与其通流能力成正比，具体到本方案就是3条金线的总通流能力显然比单金线强，而且在金线电阻值不变的前提下，金线的电流下降带来了金线能耗的下降，废热排量的下降，从而解决了在不改变芯片尺寸和发热量前提下提高芯片通流能力，从而提高芯片功率的问题，使得本方案的MEMS麦克风可以满足更多大功率设备的要求，扩大了MEMS麦克风的应用范围，解决了普通采用单金线封装结构芯片MEMS麦克风不能满足大功率设备的问题。
本方案并不限于实施例公开的范围，本领域技术人员根据本方案结合公知常识作出的替代方案也属于本方案的范围。

Claims (6)

1.一种大功率MEMS麦克风，包括封装电路板壳体、MEMS芯片封装结构和ASIC芯片封装结构，所述封装电路板壳体包括表面设有声舷窗的封装盖(1)和衬底基板(2)，所述MEMS芯片封装结构和ASIC芯片封装结构与衬底基板(2)通过芯片粘接材料层(3)固定连接，封装盖(1)和衬底基板(2)将所述MEMS芯片封装结构和ASIC芯片封装结构封装成MEMS麦克风整体，所述MEMS芯片封装结构包括MEMS芯片(4)、至少3条金线(5)和封装引脚，MEMS芯片(4)与所述封装引脚通过所述至少3条金线(5)电连接。
2.根据权利要求1所述的大功率MEMS麦克风，其特征在于，MEMS芯片(4)包括供电输入输出端(6)和若干功能模块端(7)，供电输入输出端(6)与所述封装引脚通过3条金线(5)电连接。
3.根据权利要求1或2所述的大功率MEMS麦克风，其特征在于，所述ASIC芯片封装结构包括ASIC芯片(8)、球形封装(9)、若干金线(5)和封装引脚，球形封装(9)将ASIC芯片(8)封装固定在衬底基板(2)上，ASIC芯片(8)与所述封装引脚通过所述若干金线(5)电连接。
4.根据权利要求3所述的大功率MEMS麦克风，其特征在于，金线(5)的直径是0.8mil。
5.根据权利要求3所述的大功率MEMS麦克风，其特征在于，所述声舷窗包括若干规则排列的采音孔。
6.根据权利要求3所述的大功率MEMS麦克风，其特征在于，衬底基板(2)是陶瓷引线框架结构。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106604190A (zh) * 2017-01-13 2017-04-26 无锡红光微电子股份有限公司 一种mems麦克风封装结构
CN106652988A (zh) * 2017-02-11 2017-05-10 常州东村电子有限公司 一种mems有源smd电磁式蜂鸣器及其生产工艺
WO2020113698A1 (zh) * 2018-12-07 2020-06-11 歌尔股份有限公司 组合传感器和电子设备
CN111479179A (zh) * 2013-11-06 2020-07-31 英飞凌科技股份有限公司 微机电系统

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111479179A (zh) * 2013-11-06 2020-07-31 英飞凌科技股份有限公司 微机电系统
CN111479179B (zh) * 2013-11-06 2021-12-21 英飞凌科技股份有限公司 微机电系统
US11225408B2 (en) 2013-11-06 2022-01-18 Infineon Technologies Ag System and method for a mems transducer
CN106604190A (zh) * 2017-01-13 2017-04-26 无锡红光微电子股份有限公司 一种mems麦克风封装结构
CN106652988A (zh) * 2017-02-11 2017-05-10 常州东村电子有限公司 一种mems有源smd电磁式蜂鸣器及其生产工艺
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