CN218939675U - 双向瞬态抑制器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种双向瞬态抑制器件，其第一瞬态电压抑制芯片的正极、第二瞬态电压抑制芯片的负极与第一引线框的支撑基区电连接，一位于支撑基区上方连接片的电极区与第一瞬态电压抑制芯片的负极、第二瞬态电压抑制芯片的正极电连接，连接片的电极区上间隔设置有若干个锥形通孔，此锥形通孔在面向瞬态电压抑制芯片的表面为广口，在背向瞬态电压抑制芯片的表面为窄口，电极区与瞬态电压抑制芯片之间具有一第一焊膏层；连接片的焊接端与第二引线框一端电连接。本实用新型双向瞬态抑制器件在实现了在2个方向上的浪涌电压钳位的基础上，既有效改善了焊膏的不均匀导致的翘曲，又有利于增加焊膏层的接触面积，从而降低了接触电阻。

Description

双向瞬态抑制器件

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种双向瞬态抑制器件。

背景技术

双向瞬态抑制器件具有响应时间块、瞬态功率大、电容低、漏电流低、击穿电压偏差小、钳位电压较易控制、体积小、易于安装等优点，目前已经广泛应用于计算机系统、通讯设备、消费类电子、电源、家用电器等各个领域。

现有的双向瞬态抑制器件在加工过程中，涂抹的焊膏分布不均匀导致芯片翘曲，影响器件整体的工作性能。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种双向瞬态抑制器件，该双向瞬态抑制器件在实现了在2个方向上的浪涌电压钳位，进一步提高了受保护电子设备的数量的基础上，既有效改善了焊膏的不均匀导致的翘曲，又降低了接触电阻。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种双向瞬态抑制器件，包括：第一瞬态电压抑制芯片、第二瞬态电压抑制芯片、第一引线框和一端具有支撑基区的第二引线框，所述第一瞬态电压抑制芯片、第二瞬态电压抑制芯片位于支撑基区上，且第一瞬态电压抑制芯片的正极、第二瞬态电压抑制芯片的负极与第一引线框的支撑基区电连接，一位于支撑基区上方连接片的电极区与第一瞬态电压抑制芯片的负极、第二瞬态电压抑制芯片的正极电连接；

所述连接片的电极区上间隔设置有若干个锥形通孔，此锥形通孔在面向瞬态电压抑制芯片的表面为广口，在背向瞬态电压抑制芯片的表面为窄口，所述电极区与瞬态电压抑制芯片之间具有一第一焊膏层，所述连接片的焊接端与第二引线框一端电连接，所述第一引线框、第二引线框各自的另一端从环氧树脂封装体两端延伸出。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1、上述方案中，所述锥形通孔的广口直径为其窄口直径的1~2倍。

2、上述方案中，所述第一瞬态电压抑制芯片、第二瞬态电压抑制芯片与第一引线框通过第二焊膏层连接。

3、上述方案中，所述第二焊膏层为铜焊膏层或者锡焊膏层。

4、上述方案中，所述第一焊膏层为铜焊膏层或者锡焊膏层。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型双向瞬态抑制器件，其第一瞬态电压抑制芯片的正极、第二瞬态电压抑制芯片的负极与第一引线框的支撑基区电连接，一位于支撑基区上方连接片的电极区与第一瞬态电压抑制芯片的负极、第二瞬态电压抑制芯片的正极电连接，实现了在2个方向上的浪涌电压钳位，进一步提高了受保护电子设备的数量；还有，其连接片的电极区上间隔设置有若干个锥形通孔，此锥形通孔在面向瞬态电压抑制芯片的表面为广口，在背向瞬态电压抑制芯片的表面为窄口，电极区与瞬态电压抑制芯片之间具有一第一焊膏层，既避免了电极区相对于瞬态电压抑制芯片翘曲，也有利于增加焊膏层与连接片的接触面积，从而降低了接触电阻。

附图说明

附图1为本实用新型双向瞬态抑制器件的整体结构示意图；

附图2为本实用新型双向瞬态抑制器件的内部结构示意图；

附图3为本实用新型双向瞬态抑制器件的横向剖面正视图；

附图4为本实用新型附图3的A处放大图；

附图5为本实用新型双向瞬态抑制器件的纵向剖面正视图。

以上附图中：1、瞬态电压抑制芯片；2、第二瞬态电压抑制芯片；3、第一引线框；301、支撑基区；4、第二引线框；5、连接片；501、电极区；502、焊接端；6、L形引脚；7、环氧树脂封装体；8、第一焊膏层；9、锥形通孔；91、广口；92、窄口；10、第二焊膏层。

具体实施方式

通过下面给出的具体实施例可以进一步清楚地了解本专利，但它们不是对本专利的限定。

实施例1：一种双向瞬态抑制器件，包括：第一瞬态电压抑制芯片1、第二瞬态电压抑制芯片2、第一引线框3和一端具有支撑基区301的第二引线框4，所述第一瞬态电压抑制芯片1、第二瞬态电压抑制芯片2位于支撑基区301上；

所述第一瞬态电压抑制芯片1的正极、第二瞬态电压抑制芯片2的负极与第一引线框3的支撑基区301电连接，一位于支撑基区301上方连接片5的电极区501与第一瞬态电压抑制芯片1的负极、第二瞬态电压抑制芯片2的正极电连接；

所述连接片5的电极区501上间隔设置有若干个锥形通孔9，此锥形通孔9在面向瞬态电压抑制芯片1的表面为广口91，在背向瞬态电压抑制芯片1的表面为窄口92，所述电极区501与瞬态电压抑制芯片1之间具有一第一焊膏层8；

有效改善了电极区与瞬态电压抑制芯片之间焊膏的不均匀导致的翘曲，从而避免了电极区相对于瞬态电压抑制芯片翘曲，同时，其锥形通孔在面向瞬态电压抑制芯片的表面为广口，在背向瞬态电压抑制芯片的表面为窄口，避免进入通孔内焊膏与通孔侧壁之间具有间隙。

所述连接片5的焊接端502与第二引线框4一端电连接，所述第一引线框3、第二引线框4各自的另一端从环氧树脂封装体7两端延伸出。

上述电极区501的中央区域具有2个分别面向第一瞬态电压抑制芯片1、第二瞬态电压抑制芯片2的凸台。

上述锥形通孔9的广口91直径为其窄口92直径的1.1倍。

上述第一瞬态电压抑制芯片1、第二瞬态电压抑制芯片2与第一引线框3通过第二焊膏层10连接。

上述第一焊膏层8为铜焊膏层。

上述第二焊膏层10为锡焊膏层。

实施例2：一种双向瞬态抑制器件，包括：第一瞬态电压抑制芯片1、第二瞬态电压抑制芯片2、第一引线框3和一端具有支撑基区301的第二引线框4；

所述第一瞬态电压抑制芯片1、第二瞬态电压抑制芯片2位于支撑基区301上，且第一瞬态电压抑制芯片1的正极、第二瞬态电压抑制芯片2的负极与第一引线框3的支撑基区301电连接；一位于支撑基区301上方连接片5的电极区501与第一瞬态电压抑制芯片1的负极、第二瞬态电压抑制芯片2的正极电连接；实现了在2个方向上的浪涌电压钳位，进一步提高了受保护电子设备的数量。

所述连接片5的电极区501上间隔设置有若干个锥形通孔9，此锥形通孔9在面向瞬态电压抑制芯片1的表面为广口91，在背向瞬态电压抑制芯片1的表面为窄口92，所述电极区501与瞬态电压抑制芯片1之间具有一第一焊膏层8；

所述连接片5的焊接端502与第二引线框4一端电连接，所述第一引线框3、第二引线框4各自的另一端从环氧树脂封装体7两端延伸出。

上述锥形通孔9的广口91直径为其窄口92直径的1.9倍。

上述第一瞬态电压抑制芯片1、第二瞬态电压抑制芯片2与第一引线框3通过第二焊膏层10连接。

上述第一焊膏层8为锡焊膏层。

上述第二焊膏层10为锡焊膏层。

上述第一引线框3、第二引线框4各自的另一端均为L形引脚6。

本实用新型双向瞬态抑制器件的工作原理如下，其连接片的电极区上间隔设置有若干个通孔，电极区与瞬态电压抑制芯片之间具有一焊膏层，有效改善了电极区与瞬态电压抑制芯片之间焊膏的不均匀导致的翘曲，从而避免了电极区相对于瞬态电压抑制芯片翘曲，同时，其锥形通孔在面向瞬态电压抑制芯片的表面为广口，在背向瞬态电压抑制芯片的表面为窄口，避免进入通孔内焊膏与通孔侧壁之间具有间隙，从而有利于增加焊膏层与连接片的接触面积，从而降低了接触电阻；

还有，其第一瞬态电压抑制芯片的正极、第二瞬态电压抑制芯片的负极与第一引线框的支撑基区电连接，一位于支撑基区上方连接片的电极区与第一瞬态电压抑制芯片的负极、第二瞬态电压抑制芯片的正极电连接，实现了在2个方向上的浪涌电压钳位，进一步提高了受保护电子设备的数量。

采用上述贴片式半导体器件时，其在实现了在2个方向上的浪涌电压钳位，进一步提高了受保护电子设备的数量的基础上，既有效改善了电极区与瞬态电压抑制芯片之间焊膏的不均匀导致的翘曲，从而避免了电极区相对于瞬态电压抑制芯片翘曲，又避免进入通孔内焊膏与通孔侧壁之间具有间隙，有利于增加焊膏层与连接片的接触面积，从而降低了接触电阻。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种双向瞬态抑制器件，其特征在于：包括：第一瞬态电压抑制芯片（1）、第二瞬态电压抑制芯片（2）、第一引线框（3）和一端具有支撑基区（301）的第二引线框（4），所述第一瞬态电压抑制芯片（1）、第二瞬态电压抑制芯片（2）位于支撑基区（301）上，且第一瞬态电压抑制芯片（1）的正极、第二瞬态电压抑制芯片（2）的负极与第一引线框（3）的支撑基区（301）电连接，一位于支撑基区（301）上方连接片（5）的电极区（501）与第一瞬态电压抑制芯片（1）的负极、第二瞬态电压抑制芯片（2）的正极电连接；

所述连接片（5）的电极区（501）上间隔设置有若干个锥形通孔（9），此锥形通孔（9）在面向第一瞬态电压抑制芯片（1）的表面为广口（91），在背向第一瞬态电压抑制芯片（1）的表面为窄口（92），所述电极区（501）与第一瞬态电压抑制芯片（1）之间具有一第一焊膏层（8），所述连接片（5）的焊接端（502）与第二引线框（4）一端电连接，所述第一引线框（3）、第二引线框（4）各自的另一端从环氧树脂封装体（7）两端延伸出。

2.根据权利要求1所述的双向瞬态抑制器件，其特征在于：所述锥形通孔（9）的广口（91）直径为其窄口（92）直径的1~2倍。

3.根据权利要求1所述的双向瞬态抑制器件，其特征在于：所述第一瞬态电压抑制芯片（1）、第二瞬态电压抑制芯片（2）与第一引线框（3）通过第二焊膏层（10）连接。

4.根据权利要求3所述的双向瞬态抑制器件，其特征在于：所述第二焊膏层（10）为铜焊膏层或者锡焊膏层。

5.根据权利要求1所述的双向瞬态抑制器件，其特征在于：所述第一焊膏层（8）为铜焊膏层或者锡焊膏层。

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