CN202231626U - 陶瓷壳体高频三相整流桥结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种陶瓷壳体高频三相整流桥结构，包括壳体，壳体安装有5个铜引线脚，及一个三相整流桥电路板。所述三相整流桥电路板由一个正极铜带和三个负极铜带构成，每个正极铜带由一个铜带及3个管芯及管芯焊接区构成，每个负极铜带由一个铜带及一个管芯及管芯焊接区构成，三相整流桥电路板上管芯焊接区为钼片本实用新型结构简单巧妙，气密性封装良好，保证了芯片具有良好的散热效应，适应高频振荡电子线路的应用。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种陶瓷壳体高频三相整流桥结构。
背景技术
目前，国内通用的硅三相桥式整流器属于工频器件，一是只能应用于工业电网的交、直流转换。不能用于高频振荡电子线路中作高频(3KHZ以上)交、直流的转换，使用范围有局限。二是桥式整流器均为塑料浇注而成，非气密性封装的塑料外形产品用于高可靠工程上也有很大的风险。
实用新型内容
本实用新型需要解决的技术问题就在于克服现有技术的缺陷，提供一种陶瓷壳体高频三相整流桥结构，结构简单巧妙，气密性封装良好，保证了芯片具有良好的散热效应，适应高频振荡电子线路的应用。
为解决上述问题，本实用新型采用如下技术方案：
本实用新型提供了一种陶瓷壳体高频三相整流桥结构，包括壳体，壳体安装有5个铜引线脚，及一个三相整流桥电路板。
所述三相整流桥电路板由一个正极铜带和三个负极铜带构成，每个正极铜带由一个铜带及3个管芯及管芯焊接区构成，每个负极铜带由一个铜带及一个管芯及管芯焊接区构成，三相整流桥电路板上管芯焊接区为钼片。
所述壳体由钨铜合金底板和铁镍合金边框构成，所述钨铜合金底板上复合有一层氧化铍层，所述铜引线脚与铁镍合金边框连接处设置有绝缘子，每个铜引线脚绝缘子由94％的Al2O3陶瓷组成。
所述壳体上焊结有铁镍合金盖板。
本实用新型结构简单巧妙，气密性封装良好，保证了芯片具有良好的散热效应，适应高频振荡电子线路的应用。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图2为本实用新型所述正极铜带结构示意图。
图3为本实用新型所述负极铜带结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型提供了一种陶瓷壳体高频三相整流桥结构，包括壳体，所述壳体由钨铜合金底板1和铁镍合金边框2构成。所述钨铜合金底板上复合有一层氧化铍层，所述管壳上焊结有铁镍合金盖板(图1为装配图，故未标出)。壳体安装有5个铜引线脚3-1、3-2、3-3、3-4、3-5，及一个三相整流桥电路板。每个铜引线脚与铁镍合金边框连接处设置有绝缘子3-6，所述铜引线脚绝缘子由94％的Al2O3陶瓷组成。
如图1所示，所述三相整流桥电路板由一个正极铜带4和三个负极铜带5构成，如图2所示，正极铜带由一个铜带4-1和3个管芯4-2及管芯焊接区4-3构成，如图3所示，每个负极铜带由一个铜带5-1和一个管芯5-2及管芯焊接区5-3构成，三相整流桥电路板上管芯焊接区为钼片。本实用新型结构简单巧妙，气密性封装良好，保证了芯片具有良好的散热效应，适应高频振荡电子线路的应用。
当然，三相整流桥电路板6个管芯也可以直接焊接在管壳钨铜合金底板上，再用铜带连接。
本实用新型是一种气密性封装陶瓷壳体高频三相整流桥结构，壳体采用94％的Al2O3陶瓷绝缘子、钨铜合金底板、铁镍合金边框、紫铜内引线、氧化铍与底板绝缘、电极板上管芯焊接区为钼片等，保证了芯片具有良好的散热效应。盖板为4J42铁镍合金，器件封装采用氮气保护平行缝焊结。为适应高频振荡电子线路的应用，输入信号频率变化特别快时，为使管芯的导通与关断能够适应极速变化的高频，管芯制成具有导通速度快的芯片。为减少结电容，芯片面积在保证8.3A电流(该三相桥管芯取I0/6)的前提下越小越好，选择为10mm2(系数为0.8)。为防止沾污而造成器件性能变化和电压蠕变等现象，除了采用SiO2钝化外，还在SiO2层上淀积一层Si3N4氮化硅保护层。
本实用新型将管芯从正向导通转变为反向截止所经过的整个反向恢复过程的时间控制在数百纳秒级，从而用高频管芯制成的三相整流桥，满足了高频电子线路的需要。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。
Claims (3)
1.一种陶瓷壳体高频三相整流桥结构，其特征在于：包括壳体，壳体安装有5个铜引线脚，及一个三相整流桥电路板。
2.如权利要求1所述的陶瓷壳体高频三相整流桥结构，其特征在于：所述三相整流桥电路板由一个正极铜带和三个负极铜带构成，每个正极铜带由一个铜带及3个管芯及管芯焊接区构成，每个负极铜带由一个铜带和一个管芯及管芯焊接区构成，三相整流桥电路板上管芯焊接区为钼片。
3.如权利要求2所述的陶瓷壳体高频三相整流桥结构，其特征在于：所述壳体上焊结有铁镍合金盖板。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN107452723A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-12-08 | 济南市半导体元件实验所 | 一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法 |
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2011
- 2011-09-19 CN CN2011203498167U patent/CN202231626U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN107452723A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-12-08 | 济南市半导体元件实验所 | 一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法 |
| CN107452723B (zh) * | 2017-07-26 | 2023-09-15 | 济南市半导体元件实验所 | 一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法 |
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