CN203660898U - 电子设备内部低杂散电感及低成本的布局结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种电子设备内部低杂散电感及低成本的布局结构，该结构包括整流桥、多个IGBT模块、模块散热器、正极母排和负极母排；整流桥与模块散热器之间安设有多个电容组，每个IGBT模块均置于模块散热器的下方且安置在对应的电容组的侧边；正极母排与负极母排重叠排放且两者之间设置有隔离绝缘板，正极母排和负极母排的电流输入端分别通过多个电容组与整流桥电连接，正极母排和负极母排的电流输出端分别与多个IGBT模块电连接。本实用新型不仅有效减少了直流母线上的杂散电感，而且叠加走线，形成的环路少，出线布局优化，降低了成本；同时，整流桥与模块散热器分开设置，减少彼此的干扰，使散热更合理，成本又进一步降低。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子电力应用技术领域，尤其涉及一种电子设备内部低杂散电感及低成本的布局结构。
背景技术
多少年，国产变频器，光伏逆变，EPS电源等IGBT产品故障率较高，特别大功率产品，其内部存在很高的杂散电感，该杂散电感包括负极母排与IGBT模块连接处的寄生电感、正极母排与IGBT模块连接处的寄生电感及IGBT模块输出部分的内部寄生电感。由于这些电感的存在，直流母线上就会产生巨大的尖峰，而且在硬件及软件在保护不及时就会损坏IGBT并发生炸机现象，从而造成巨大的损失；另外，现有的电子设备内部母排铜条走线布局不合理，进而造成成本的提高；整流桥与模块散热器是设置在一起的，无法及时有效的排出内部的热量，缩短电子设备的使用寿命。
实用新型内容
针对上述技术中存在的不足之处，本实用新型提供一种结构简单、杂散电感少、出线布局优化、散热效果好且成本低的电子设备内部低杂散电感及低成本的布局结构。
为实现上述目的，本实用新型提供一种电子设备内部低杂散电感及低成本的布局结构，包括整流桥、多个IGBT模块、模块散热器、正极母排和负极母排；所述整流桥与模块散热器之间安设有多个电容组，每个IGBT模块均置于模块散热器的下方且安置在对应的电容组的侧边；所述正极母排与负极母排重叠排放且两者之间设置有隔离绝缘板，所述正极母排和负极母排的电流输入端分别通过多个电容组与整流桥电连接，所述正极母排和负极母排的电流输出端分别与多个IGBT模块电连接。
其中，所述布局结构还包括用于对整流桥进行散热的整流散热器，所述整流散热器与整流桥固定连接。
其中，所述每个IGBT模块与对应的电容组之间电连接有高频吸收器。
其中，所述多个电容组之间相互平行排放且均匀分布，且每个电容组内的电容之间相互平行且均匀分布。
其中，所述每个IGBT模块均由多个IGBT管并联而成的。
本实用新型的有益效果是：与现有技术相比，本实用新型提供的电子设备内部低杂散电感及低成本的布局结构，正极母排与负极母排重叠排放且两者之间设置有隔离绝缘板，且IGBT模块安置在电容组的侧边，两者之间距离小；上述两个结构不仅有效减少了直流母线上的杂散电感，而且叠加走线，形成的环路少，出线布局优化，降低了成本；同时，整流桥与模块散热器分开设置，减少彼此的干扰，使散热更合理，成本又进一步降低。该布局结构的设计，提高了电子设备的性能，减少了故障率，延长了电子设备的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型的立体图；
图2为图1的剖视图；
图3为图1的俯视图；
图4为本实用新型第一具体实施例的立体图；
图5为本实用新型第二具体实施例的立体图。
主要元件符号说明如下：
10、整流桥 11、IGBT模块
12、模块散热器 13、正极母排
14、负极母排 15、电容组
16、隔离绝缘板 17、整流散热器
18、高频吸收器 101、正极电流
102、负极电流 111、IGBT管
151、电容
具体实施方式
为了更清楚地表述本实用新型，下面结合附图对本实用新型作进一步地描述。
请参阅图1-3，本实用新型提供的电子设备内部低杂散电感及低成本的布局结构，包括整流桥10、多个IGBT模块11、模块散热器12、正极母排13和负极母排14；整流桥10与模块散热器12之间安设有多个电容组15，每个IGBT模块11均置于模块散热器12的下方且安置在对应的电容组15的侧边；正极母排13与负极母排14重叠排放且两者之间设置有隔离绝缘板16，正极母排13和负极母排14的电流输入端分别通过多个电容组15与整流桥10电连接，正极母排13和负极母排14的电流输出端分别与多个IGBT模块11电连接。在工作过程中，整流桥10上的正极电流101分别通过每个电容组15流至正极母排13，整流桥10上的负极电流102分别通过每个电容组15流至负极母排14。
在本实施例中，布局结构还包括用于对整流桥10进行散热的整流散热器17，整流散热器17与整流桥10固定连接。该整流桥10在工作过程中产生的热量由整流散热器17进行及时有效的吸收，提高了整流桥10的使用寿命。
在本实施例中，每个IGBT模块11与对应的电容组15之间电连接有高频吸收器18。高频吸收器18可有效减少电容151上的波形迅速减缓，使高频振荡迅速衰减，进一步减少直流母线上的杂散电感。
在本实施例中，多个电容组15之间相互平行排放且均匀分布，且每个电容组15内的电容151之间相互平行且均匀分布。如图1中是包括三个电容组15，每个电容组15内由四个电容151，当然，本实用新型并不局限于采用三个电容组15的实施方式，还可以三个、四个或者多个，只要是对电容组15数量的改变或电容组15上电容151的组成数量的改变，均属于对本实用新型的简单变体或者变换，落入本实用新型的保护范围。
在本实施例中，每个IGBT模块11均由多个IGBT管111并联而成的。 如图1中是由三个IGBT管111并联而成，图4中是由两个IGBT管111并联而成，图5是由四个IGBT管111并联而成，如果是对IGBT模块11上IGBT管111数量的改变，只要能保证是并联的，均落入本实用新型的保护范围。
采用此类布局结构的变频器，其在工作过程中基本没有大尖峰，并比较平滑，另外在现场使用时，基本解决了IGBT炸机问题，结构成本降低了15%左右。
本实用新型提供的电子设备内部低杂散电感及低成本的布局结构，其优势为：
1）正极母排13与负极母排14重叠排放且两者之间设置有隔离绝缘板16，且IGBT模块11安置在电容组15的侧边，两者之间距离小；上述两个结构不仅有效减少了直流母线上的杂散电感，而且叠加走线，形成的环路少。
2）出线布局优化，所有的母排大大减少，降低了成本。
3）整流桥10与模块散热器12分开设置，减少彼此的干扰，使散热更合理，成本又进一步降低。
4）该布局结构的设计，提高了电子设备的性能，减少了故障率，延长了电子设备的使用寿命。
以上公开的仅为本实用新型的几个具体实施例，但是本实用新型并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种电子设备内部低杂散电感及低成本的布局结构，其特征在于，包括整流桥、多个IGBT模块、模块散热器、正极母排和负极母排；所述整流桥与模块散热器之间安设有多个电容组，每个IGBT模块均置于模块散热器的下方且安置在对应的电容组的侧边；所述正极母排与负极母排重叠排放且两者之间设置有隔离绝缘板，所述正极母排和负极母排的电流输入端分别通过多个电容组与整流桥电连接，所述正极母排和负极母排的电流输出端分别与多个IGBT模块电连接。
2.根据权利要求1所述的电子设备内部低杂散电感及低成本的布局结构，其特征在于，所述布局结构还包括用于对整流桥进行散热的整流散热器，所述整流散热器与整流桥固定连接。
3.根据权利要求1所述的电子设备内部低杂散电感及低成本的布局结构，其特征在于，所述每个IGBT模块与对应的电容组之间电连接有高频吸收器。
4.根据权利要求1或3所述的电子设备内部低杂散电感及低成本的布局结构，其特征在于，所述多个电容组之间相互平行排放且均匀分布，且每个电容组内的电容之间相互平行且均匀分布。
5.根据权利要求3所述的电子设备内部低杂散电感及低成本的布局结构，其特征在于，所述每个IGBT模块均由多个IGBT管并联而成的。
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| CN104767397A (zh) * | 2015-03-25 | 2015-07-08 | 北京天诚同创电气有限公司 | Igbt模块并联结构及功率模块结构 |
| CN109599376A (zh) * | 2017-09-30 | 2019-04-09 | 西门子公司 | 一种绝缘栅双极型晶体管igbt端子 |
| CN110323952A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-11 | 本田技研工业株式会社 | 电力转换装置 |
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| CN110323952B (zh) * | 2018-03-30 | 2021-05-14 | 本田技研工业株式会社 | 电力转换装置 |
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