CN1997919A - 相位差板、新型聚合物以及光学薄膜及图像显示装置 - Google Patents

相位差板、新型聚合物以及光学薄膜及图像显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种相位差板，其包括使显示双折射性的链状聚合物取向后的单层薄膜，聚合物作为重复单元具有以下述通式(V)表示的结构。通式(V)中，R3表示氢原子或碳数1～8的烷基。R4及R8各自独立，表示氢原子、碳数1～4的直链状或分支状的烷基、碳数1～4的直链状或分支状的烷氧基、碳数1～4的直链状或分支状的硫代烷氧基、卤素、硝基、氨基、羟基或硫醇基(其中，R4及R8不同时为氢原子)。R5、R6及R7各自独立，表示氢原子或取代基。所述相位差板可以制成比较薄的层，对于可见光区域大致全部的波长λ的光线，相位差显示近似λ/2或近似λ/4的波长分散性。

Description

相位差板、新型聚合物以及光学薄膜及图像显示装置
技术领域
本发明涉及相位差板及新型聚合物以及使用了该相位差板的光学薄膜及图像显示装置。
背景技术
相位差板是为了获得直线偏振光、圆偏振光、椭圆偏振光等偏振光而使用的光学构件。作为相位差板，已知其相位差相当于波长λ的1/4的λ/4板、相位差相当于波长λ的1/2的λ/2板。λ/4板是具有将直线偏振光变换为圆偏振光的光学的功能的构件，λ/2板是具有将直线偏振光的偏振光振动面变换90度的光学的功能的构件。一般来说，虽然这些相位差板相对于特定波长的光作为λ/4板或λ/2板发挥作用，然而相对于不同波长的光则不作为λ/4板或λ/2板发挥作用。例如，被以相对于波长550nm的光作为λ/4板发挥作用的方式设计的相位差板，相对于波长450nm或650nm的光就不作为λ/4板发挥作用。像这样，相位差板显示出其相位差依赖于波长的波长分散性。例如一般已知，对于聚合物薄膜的波长分散，越是在短波长侧则越大，越是在长波长侧则越小。
当向此种显示波长分散性的相位差板射入了可见光区域的光线混合存在的作为合成波的白色光时，由于波长分散性的缘故，各波长下的偏振的形式有很大的不同，产生偏振状态的分布。其结果是，会有所射入的白色光被变换为有色光的很大的问题。
为了应对该问题，在日本国专利申请公开平10-239518号公报中，提出过如下的相位差板，即，将波长分散值α(α＝Δn(450nm)/Δn(650nm))不同的2种以上的双折射介质以使各滞相轴正交的状态层叠，使得波长分散值α小于1。根据该公报所记载的相位差板，指出无论光线波长如何，可见光区域的全部的波长下的光学的相位差都一样，起到能够容易地获得白色光的作用效果。
但是，所述公报所记载的相位差板由于是由将2种以上的双折射介质层叠了的叠层体构成，因此需要层叠粘接工序。另外，在制造叠层体时，必须进行粘结剂的选定或2种以上的材料的选定等。另外，由叠层体构成的相位差板壁厚比较厚，作为期望进一步薄型化的液晶显示装置等用途，不能说是适合的材料。
发明内容
所以，本发明的目的在于，提供可以形成比较薄的层、相对于波长400～700nm的可见光区域大致全部的波长λ的光线显示出相位差例如为近似λ/2或近似λ/4的波长分散性的相位差板及适于作为该相位差板的材料的新型聚合物、光学薄膜及图像显示装置。
针对所述课题，对各种材料进行了深入研究，结果发现，通过使用在主链中导入了特定的侧链的链状聚合物，可以解决所述课题。
即，本发明提供一种相位差板(1)，其包括使显示双折射性的链状聚合物取向后的单层薄膜，该聚合物作为侧链(a)具有以下述通式(I)表示的基团。
Figure A20058001748200101
              式(I)
(通式(I)中，2个氧原子分别与构成主链的原子键合。R1、R2各自独立，表示氢原子、碳数1～8的烷基或芳香族基团。其中，R1及R2的至少任意一方为芳香族基团，R1或/和R2的芳香族基团的平面结构沿与连结所述2个氧原子的假想线大致正交的方向配置)。
由于该相位差板由单层薄膜构成，因此与以往的相位差板相比可以减小厚度。另外，该相位差板相对于400～700nm的可见光区域的大致全部的波长λ的光，相位差例如变为近似λ/2或近似λ/4，各波长下的偏振的形式基本上相同。所以，在白色光射入该相位差板时，它不会被变换为有色偏振光，可以获得无色偏振光。
另外，本发明提供一种相位差板(2)，其包括使显示双折射性的链状聚合物取向后的单层薄膜，聚合物作为侧链(a)具有以下述通式(II)或通式(III)表示的基团中的至少任意一方。
          式(II)
(通式(II)中，2个氧原子分别与构成主链的原子键合。R3表示氢原子或碳数1～8的烷基。R4及R8各自独立，表示氢原子、碳数1～4的直链状或分支状的烷基、碳数1～4的直链状或分支状的烷氧基、碳数1～4的直链状或分支状的硫代烷氧基、卤素、硝基、氨基、羟基或硫醇基(其中，R4及R8不同时为氢原子)。R5、R6及R7各自独立，表示氢原子或取代基)。
Figure A20058001748200112
                   式(III)
(通式(III)中，2个氧原子分别与构成主链的原子键合。R3表示氢原子或碳数1～8的烷基。A表示可以具有取代基的萘基、可以具有取代基的蒽基或可以具有取代基的菲基。构成萘基、蒽基或菲基的碳原子中的1个以上的碳原子也可以被氮原子取代)。
另外，还提供如下的所述(1)或(2)的相位差板(3)，即，聚合物具有以在主链的构成原子上结合了侧链(a)的结构作为一个构成单元、该构成单元被相邻地排列的部分。
另外，还提供如下的所述(1)～(3)的相位差板(4)，即，至少波长450～650nm中的面内相位差越是短波长侧越小，越是长波长侧越大。
另外，还提供如下的所述(1)～(4)的相位差板(5)，即，侧链(a)为侧链全量的1～50摩尔％。
另外，还提供如下的所述(1)～(5)的相位差板(6)，即，聚合物除了侧链(a)以外，作为侧链(b)具有羟基。
另外，还提供如下的所述(6)的相位差板(7)，即，聚合物除了侧链(a)及(b)以外，作为侧链(c)具有以下述通式(IV)表示的基团。
Figure A20058001748200121
           式(IV)
(通式(IV)中，R9表示氢原子或直链状、分支状或者环状的烷基，该烷基的碳原子也可以被不邻接的氧原子取代)。
另外，还提供如下的所述(7)的相位差板(8)，即，侧链(a)为侧链全量的1～50摩尔％，侧链(b)为侧链全量的5～95摩尔％，侧链(c)为侧链全量的1～90摩尔％。
另外，本发明提供一种相位差板(9)，其包括使显示双折射性的链状聚合物取向后的单层薄膜，聚合物作为重复单元(A)具有以下述通式(V)或通式(VI)表示的结构中的至少任一种。
Figure A20058001748200122
               式(V)
(通式(V)中，R3表示氢原子或碳数1～8的烷基。R4及R8各自独立，表示氢原子、碳数1～4的直链状或分支状的烷基、碳数1～4的直链状或分支状的烷氧基、碳数1～4的直链状或分支状的硫代烷氧基、卤素、硝基、氨基、羟基或硫醇基(其中，R4及R8不同时为氢原子)。R5、R6及R7各自独立，表示氢原子或取代基)。
Figure A20058001748200131
             式(VI)
(通式(VI)中，R3表示氢原子或碳数1～8的烷基。A表示可以具有取代基的萘基、可以具有取代基的蒽基或可以具有取代基的菲基。构成萘基、蒽基或菲基的碳原子中的1个以上的碳原子也可以被氮原子取代)。
另外，还提供如下的所述(9)的相位差板(10)，即，聚合物中的重复单元(A)是通过将聚乙烯醇的羟基用芳香族醛缩醛化而得到的。
另外，还提供如下的所述(9)或(10)的相位差板(11)，即，聚合物除了重复单元(A)以外，还具有以下述通式(VII)表示的重复单元(B)。
        式(VII)
(重复单元(A)及(B)的排列可以是嵌段状或无规状)。
另外，还提供如下的所述(11)的相位差板(12)，即，聚合物除了重复单元(A)及(B)以外，还具有以下述通式(VIII)表示的重复单元(C)。
        式(VIII)
(通式(VIII)中，R9表示氢原子或碳数1～12的直链状、分支状或者环状的烷基，烷基的碳原子也可以被不邻接的氧原子取代。重复单元(A)～(C)的排列可以是嵌段状或无规状)。
另外，本发明提供一种相位差板(13)，其包括使显示双折射性的链状聚合物取向后的单层薄膜，聚合物具有下述通式(IX)的结构。
Figure A20058001748200141
     式(IX)
(通式(IX)中，1表示5～30摩尔％，m表示20～80摩尔％，n表示1～70摩尔％)。
另外，本发明提供一种相位差板(14)，其包括使显示双折射性的链状聚合物取向后的单层薄膜，聚合物具有下述通式(X)的结构。
       式(X)
(通式(X)中，1表示5～30摩尔％，m表示20～80摩尔％，n表示1～70摩尔％)。
另外，本发明提供具有以下述通式(V’)表示的重复单元的聚合物。
Figure A20058001748200151
        式(V′)
(通式(V’)中，R3表示氢原子或碳数1～8的烷基。R4及R8各自独立，表示碳数1～4的直链状或分支状的烷基、碳数1～4的直链状或分支状的烷氧基、碳数1～4的直链状或分支状的硫代烷氧基、卤素、硝基、氨基、羟基或硫醇基。R5、R6及R7各自独立，表示氢原子或取代基)。
另外，本发明提供一种聚合物，其除了以所述通式(V’)表示的重复单元以外，还具有以下述通式(VIII)表示的重复单元。
Figure A20058001748200152
     式(VIII)
(通式(VIII)中，R9表示氢原子或碳数1～12的直链状、分支状或者环状的烷基，烷基的碳原子也可以被不邻接的氧原子取代。重复单元的排列可以是嵌段状或无规状)。
另外，本发明提供所述通式(V’)的R4及R8为碳数1～4的直链状或分支状的烷基或氯原子的所述聚合物。另外，本发明提供所述通式(V’)的R3、R5及R7都为氢原子、R4及R8都为甲基的所述聚合物。
另外，本发明提供以下述通式(IX)～(XII)表示的聚合物。
Figure A20058001748200161
   式(IV)
(通式(IX)中，1表示5～30摩尔％，m表示20～80摩尔％，n表示1～70摩尔％)。
     式(X)
(通式(X)中，1表示5～30摩尔％，m表示20～80摩尔％，n表示1～70摩尔％)。
Figure A20058001748200163
    式(XI)
(通式(XI)中，1表示5～30摩尔％，m表示20～80摩尔％，n表示1～70摩尔％)。
     式(XII)
(通式(XII)中，1表示5～30摩尔％，m表示20～60摩尔％，n表示20～60摩尔％，o表示1～55摩尔％)。
另外，本发明提供层叠了所述(1)～(14)的相位差板的光学薄膜(15)。
另外，本发明提供具有所述(1)～(14)的相位差板或所述(15)的光学薄膜的图像显示装置。
附图说明
图1是表示偏振光IR测定的结果的图表。
具体实施方式
本发明人等发现，将具有在-OCO-中导入了芳香族基团的侧链(a)的链状聚合物取向了的单层薄膜，至少波长450～650nm的可见光区域中的面内相位差越是短波长侧就越小。这样，通过专门利用该薄膜的性质，本发明提供厚度薄并且在波长400～700nm的可见光区域的大致全部中显示规定的相位差的相位差板及适于形成该相位差板的新型的聚合物。
以下将对本发明进行具体说明。而且，本说明书中，有时将可见光线区域中的面内相位差越是短波长侧就越小的本发明的相位差板的性质称作「反波长分散特性」。
本发明是包括使显示双折射性的链状聚合物取向后的单层薄膜的相位差板，该聚合物作为侧链(a)具有以下述通式(I)表示的基团。
    式(I)
(通式(I)中，2个氧原子分别与构成主链的原子键合。R1、R2各自独立，表示氢原子、碳数1～8的烷基或芳香族基团。其中，R1及R2的至少任意一方为芳香族基团，R1或/和R2的芳香族基团的平面结构沿与连结所述2个氧原子的假想线大致正交的方向配置)。
这里，本发明中的链状聚合物为主链是直链状的聚合物，也包括在局部具有短的分支链的聚合物。另外，链状聚合物的取向一般由薄膜的延伸造成。所以，聚合物的取向方向在单轴延伸的情况下可以说与其延伸方向等同，在双轴延伸的情况下可以说是与主要的延伸方向等同的方向。
另外，在侧链(a)中，所谓2个氧原子分别与构成主链的原子键合是指，各氧原子与作为构成主链的原子且各自并不相同的主链构成原子结合。所谓芳香族基是指带有以平面环状相连的π电子的芳香族化合物基团，包含苯环或缩合了2个以上的苯环的化合物或者含有碳原子以外的原子的杂芳香族化合物。所谓芳香族基团的平面结构沿与连结了2个氧原子的假想线大致正交的方向配置是指，当假想了连结2个氧原子的线时，以使与该假想线平行的线与芳香族基团的平面结构大致成直角地相交的方式配置芳香族基团，而不是连结了氧原子的假想线自身与芳香族基团的平面结构相交的意思。
在将所述聚合物取向时，2个氧原子沿着主链的取向方向排列。这样，该聚合物由于沿与该2个氧原子的假想线大致正交的方向配置侧链(a)的芳香族基团，因此该芳香族基团的平面结构就会朝向与主链的取向方向大致正交的方向(但是认为，侧链(a)的芳香族基团的平面结构不是与主链的取向方向严格地成90度配置，而是实际上成75～105度左右)。因该配置的侧链(a)的存在，本发明的相位差板就会显示与由通常的聚合物构成的相位差板相反的波长分散性，即，面内相位差在可见光区域中越是短波长侧就越小，越是长波长侧就越大的性质。
作为所述通式(I)的R1、R2的碳数1～8的烷基的具体例，可以例示出甲基、乙基、n-丙基、异丙基、n-丁基、异丁基、sec-丁基、t-丁基、n-戊基、异戊基、n-己基、2-乙基己基等。
作为以所述通式(I)表示的侧链(a)当中的仅R1或R2的任意一方为芳香族基团的侧链(a)，例如可以例示出下述通式(II)或通式(III)。
Figure A20058001748200191
           式(II)
(通式(II)中，2个氧原子分别与构成主链的原子键合。R3表示氢原子或碳数1～8的烷基。R4及R8各自独立，表示氢原子、碳数1～4的直链状或分支状的烷基、碳数1～4的直链状或分支状的烷氧基、碳数1～4的直链状或分支状的硫代烷氧基、卤素、硝基、氨基、羟基或硫醇基(其中，R4及R8不同时为氢原子)。R5、R6及R7各自独立，表示氢原子或取代基)。
Figure A20058001748200192
   式(III)
(通式(III)中，2个氧原子分别与构成主链的原子键合。R3表示氢原子或碳数1～8的烷基。A表示可以具有取代基的萘基、可以具有取代基的蒽基或可以具有取代基的菲基。构成萘基、蒽基或菲基的碳原子中的1个以上的碳原子也可以被氮原子取代)。
以该通式(II)表示的结构的侧链(a)的苯环的邻位R4、R8并不同时为氢原子，任意一方被烷基等取代基取代。通过像这样在邻位导入取代基，该取代基与氧原子之间的立体阻碍即增加。其结果是，该取代基配位于2个氧原子之间。这样，以通式(II)表示的侧链(a)被认为其苯环的平面结构沿与连结2个氧原子的假想线大致正交的方向配置。
另外，以通式(III)表示的侧链(a)具有2个以上的苯环缩合了的形式的芳香族基团。该缩合形式的芳香族基因在与-OCO-结合了的苯环中以缩合形式存在的苯环，在立体上体积变大，该缩合形式的芳香族基团与氧原子之间的立体阻碍增加。其结果是，该芳香族基团的平面结构被认为沿与连结2个氧原子的假想线大致正交的方向配置。
作为所述通式(II)的R3的碳数1～8的烷基的具体例，可以例示出甲基、乙基、n-丙基、异丙基、n-丁基、异丁基、sec-丁基、t-丁基、n-戊基、异戊基、n-己基、2-乙基己基等。另外，作为相同的R4及R8的碳数1～4的烷基的具体例，可以举出甲基、乙基、n-丙基、异丙基、n-丁基、异丁基、sec-丁基、t-丁基，作为碳数1～4的烷氧基，例如可以例示出甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、异丙氧基、n-丁氧基、异丁氧基等。另外，作为相同的R5、R6及R7的取代基，可以举出作为下述通式(III)的A的取代基例示的等。
以所述通式(II)表示的侧链(a)当中，由于受到与氧原子的立体阻碍，芳香族基团的平面结构容易沿大致正交方向配置，因此通式(II)的R3优选(立体上小的)的氢原子。特别是，由于芳香族基团的平面结构容易沿大致正交方向配置，因此优选通式(II)的R3为氢原子，R4及R8都为碳数1～4的直链状或分支状的烷基、烷氧基、硫代烷氧基、卤素、硝基、氨基、羟基或硫醇基的(R4及R8都不是氢原子)。另外，优选通式(II)的R3为氢原子，R4及R8都是碳数1～4的直链状或分支状的烷基、烷氧基或卤素的侧链(a)。另外，除了所述理由以外，出于缩醛结构的导入的容易性或缩醛结构的稳定性的观点，特别优选以通式(II)表示的R3、R5及R7各自为氢原子，R4、R6及R8各自为甲基的侧链(a)。
另外，在所述通式(III)中，当萘基、蒽基或菲基具有取代基时，该取代基没有特别限定，例如可以例示出如上所述的碳数1～8的直链状或分支状的烷基或烷氧基、碳数3～6的环烷基或环烷氧基、羟基、羧基、氨基、卤素、硝基、硫醇基、醛基、氰基、磺酸基等。它们既可以被取代1个，另外，也可以用同种或异种的取代基的2个以上取代。
另外，以所述通式(III)表示的侧链(a)当中，由于受到与氧原子的立体阻碍，苯环的平面结构容易沿大致正交方向配置，因此以通式(III)表示的A优选可以具有取代基的9-蒽基。而且，所谓可以具有取代基是指无取代或具有取代基的意思。
此外，以所述通式(I)表示的侧链(a)当中，作为R1及R2的哪一种都为芳香族基团的侧链(a)，可以例示出下述通式的例子。
Figure A20058001748200211
       式(XIII)
(式(XIII)中，R10～R19为氢原子或碳数1～4的直链状或分支状的烷基(其中，R10及R14不同时为氢原子。R15及R19不同时为氢原子)。另外，2个苯环也可以用单键局部地结合)。
作为以所述通式(XIII)表示的基团中所包括的具体例，可以例示出以式(XIV)表示的结构的基团。
   式(XIV)
在本发明的聚合物中，在主链上也可以结合所述例示的侧链(a)的至少任意一种，例如以通式(II)表示的基及以通式(III)表示的基双方也可以分别被导入主链。
从相位差板能够可靠地显示反波长分散特性的观点考虑，侧链(a)向主链中的导入量优选侧链全量的1摩尔％以上，更优选5摩尔％以上。另外，从作为具有正的双折射各向异性的相位差板利用的观点考虑，相同的导入量优选侧链全量的50摩尔％以下，更优选30摩尔％以下。
虽然被作为本发明的相位差板使用的链状聚合物是具有侧链(a)的聚合物，然而也可以是被导入侧链(a)以外的侧链的聚合物。该侧链(a)以外的侧链没有特别限定，例如可以例示出羟基、氨基、硫醇基、烷氧基、卤素、氰基、硝基、酯基、酮基、醛基、酰胺基、尿烷基、脲基、碳酸酯基、以下述通式(IV)表示的基团等。
Figure A20058001748200221
    式(IV)
(通式(IV)中，R9表示氢原子或直链状、分支状或者环状的烷基，烷基的碳原子也可以被不邻接的氧原子取代)。
它们当中，从提高反波长分散特性及制膜时的向溶剂中的溶解性变得良好的观点考虑，被作为本发明的相位差板使用的链状聚合物优选作为侧链(a)以外的侧链(b)具有羟基的聚合物。
另外，从可以提高透明性及降低玻璃化温度的观点考虑，相同的聚合物优选作为侧链(a)以外的侧链(c)具有以所述通式(IV)表示的基团的聚合物。在以该通式(IV)表示的基团中，优选从R9为氢原子或碳数1～12的直链状、分支状或环状的烷基(烷基的碳原子也可以被不邻接的氧原子取代)中选择的至少一种被作为侧链(c)导入。它们当中，更优选下述式(XV)所示的基团。
Figure A20058001748200222
       式(XV)
侧链(b)及/或侧链(c)的向主链中的导入量只要考虑作为目的的相位差板的特性，在侧链(a)的残量的范围中适当地调整即可。最理想的是，为了获得更为合适的反波长分散特性，实现溶解性的提高，作为羟基的侧链(b)相对于侧链全量优选5摩尔％以上，更优选20摩尔％以上。另一方面，侧链(b)的上限可以根据侧链(a)或侧链(c)的量适当地调整，优选95摩尔％以下，更优选80摩尔％以下左右。另外，对于侧链(c)的导入量也相同，在实现透明性的提高等实际效果方面，侧链(c)相对于侧链全量优选1摩尔％以上，更优选5摩尔％以上。另一方面，侧链(c)的上限优选90摩尔％以下，更优选50摩尔％以下左右。
本发明的相位差板中所用的链状聚合物是具有如上所述的侧链(a)及根据需要具有的除此以外的侧链(b)及/或侧链(c)的聚合物。该聚合物的主链没有特别限定，只要不妨碍本发明的目的，可以使用显示双折射性的各种主链结构的聚合物。而且，本发明中所谓主链是指由任何的结构构成的主链构成原子作为重复单元结合了的长链状的部分，也可以具有分支链。
作为该主链，例如可以例示出具有以下述通式(XVI)表示的重复单元的聚合物等。
E1-G-E2    式(XVI)
(通式(XVI)中，E1及E2各自独立，表示单键、-NH-、-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CO-NH-、-O-CO-NH-、-NH-CO-NH-、-CH＝CH-、-C≡C-、-CH＝N-、-N＝N-。G表示碳数1～12的亚烃基、-Si-、-C6H4-、-C5H3N-、-C6H10-、-C10H6-、-C5H9N-、-C4H3N-、-C4H2O-、-C4H2S-
)。
这些主链当中，优选通式(XVI)中的E1及E2都为单键的聚合物，因为容易导入侧链(a)及根据需要导入的侧链(b)、(c)并且稳定。另外，优选通式(XVI)中的G至少为亚烃基的聚合物。
在主链中具有该亚烃基的聚合物上键合了所述侧链(a)的聚合物当中的优选的聚合物，是作为重复单元(A)具有以下述通式(V)或通式(VI)表示的结构的至少某种的聚合物。
Figure A20058001748200241
  式(V)
(通式(V)中，R3表示氢原子或碳数1～8的烷基。R4及R8各自独立，表示氢原子、碳数1～4的直链状或分支状的烷基、碳数1～4的直链状或分支状的烷氧基、碳数1～4的直链状或分支状的硫代烷氧基、卤素、硝基、氨基、羟基或硫醇基(其中，R4及R8不同时为氢原子)。R5、R6及R7各自独立，表示氢原子或取代基)。
Figure A20058001748200242
   式(VI)
(通式(VI)中，R3表示氢原子或碳数1～8的烷基。A表示可以具有取代基的萘基、可以具有取代基的蒽基或可以具有取代基的菲基。构成萘基、蒽基或菲基的碳原子中的1个以上的碳原子也可以被氮原子取代)。
具有该通式(V)的重复单元(A)的聚合物的2个氧原子沿着所结合的主链的构成原子(碳原子)的取向方向排列。另外，由于苯环的邻位R4或/和R8的取代基与氧原子之间的立体阻碍增大，因此所述邻位的取代基配位于2个氧原子之间。其结果是，苯环的平面结构被认为是沿与连结2个氧原子的假想线大致正交的方向配置的结构。对于具有通式(VI)的重复单元(A)的聚合物也相同，缩合形式芳香环的平面结构被认为是沿与连结2个氧原子的假想线大致正交的方向配置的结构。
所述通式(V)及(VI)是具有以所述通式(II)及(III)表示的侧链的重复单元。所以，通式(V)及(VI)的R3～R8及A的优选的选择例或取代基的具体例，与所述通式(II)及(III)相同，例如优选所述通式(V)中R3为氢原子的基团。另外，对于通式(V)的R4及R8的，也优选都被(不是氢原子)所述取代基取代。而且，对于通式(V)的R4及R8的任意一个不是氢原子的基团，是技术方案15所记载的以通式(V’)表示的重复单元。该R4及R8优选碳数1～4的直链状或分支状的烷基或氯原子等卤素。更具体来说，是具有通式(V)的R3、R5及R7各自为氢原子，R4及R8各自为甲基的重复单元(A)的聚合物(而且，R6虽然无论是氢原子还是甲基的哪种都可以，然而优选甲基)。
另外，由于在作为相位差板使用的情况下更为良好地显示反波长分散特性，以及制膜时的向溶剂中的溶解性变得良好，因此还优选除了所述重复单元(A)以外，作为重复单元(B)还具有下述通式(VII)的聚合物。
Figure A20058001748200251
     式(VII)
另外，由于透明性提高以及达到较低的玻璃化温度，因此优选除了重复单元(A)及(B)以外还具有以下述通式(VIII)表示的重复单元(C)的聚合物。
       式(VIII)
(通式(VIII)中，R9表示氢原子或碳数1～12的直链状、分支状或者环状的烷基，烷基的碳原子也可以被不邻接的氧原子取代)。
所述重复单元(A)及(B)或重复单元(A)～(C)的排列可以是嵌段状或无规状。
而且，只要不妨碍本发明的目的，所述聚合物也可以是除了重复单元(A)及根据需要具有的重复单元(B)、(C)以外，还具有其他的结构的重复单元的聚合物。
被作为本发明的相位差板使用的链状聚合物是从在主链上已具有所述侧链(a)，根据需要具有侧链(b)或侧链(c)的聚合物中选择的。另外，相同的聚合物是具有重复单元(A)，并根据需要具有重复单元(B)或重复单元(C)的聚合物。像这样，本发明的相位差板中所用的链状聚合物包括选自所述之中的各种方式的聚合物，其中最为优选的是具有下述通式(IX)、下述通式(x)、下述通式(XI)或下述通式(XII)的至少某种的结构的聚合物。
       式(IX)
(通式(IX)中，1表示5～30摩尔％，m表示20～80摩尔％，n表示1～70摩尔％)。
Figure A20058001748200262
     式(X)
(通式(X)中，1表示5～30摩尔％，m表示20～80摩尔％，n表示1～70摩尔％)。
        式(XI)
(通式(XI)中，1表示5～30摩尔％，m表示20～80摩尔％，n表示1～70摩尔％)。
Figure A20058001748200272
     式(XII)
(通式(XII)中，1表示5～30摩尔％，m表示20～60摩尔％，n表示20～60摩尔％，o表示1～55摩尔％)。
如上所示，本发明的相位差板由于由单层薄膜构成，因此与以往的叠层相位差板相比，可以减小厚度。另外，本发明的相位差板对于400～700nm的可见光区域的大致全部的波长λ的光，可以用作面内相位差为近似λ/2或近似λ/4。所以，本发明的相位差板在各波长下的偏振光的形式大致相同，例如在白色光射入时不会被变换为有色偏振光，可以获得无色偏振光。此外，本发明的相位差板在透明性方面优良。本发明的相位差板中所用的聚合物在制膜时的溶解性良好，玻璃化温度也达到理想的范围。另外，本发明的相位差板还起到耐热性高、能够实现Z延伸之类的各种效果。
下面，对所述链状聚合物的制法进行说明。
本发明的相位差板中所用的聚合物的制法没有特别限定，可以用各种制法来制造。
各种制法当中，从可以比较容易地获得所述侧链(a)被导入了主链的聚合物的观点考虑，因此最好使特定的芳香族醛或芳香族酮与在主链中具有羟基的原料聚合物反应而制造聚合物。特别是从可以稳定地导入侧链(a)、是波长分散性比较小的聚合物、是通用的聚合物等方面考虑，聚合物最好使用聚乙烯醇来制造。即，聚合物最好作为原料聚合物使用聚乙烯醇，使特定的芳香族醛或芳香族酮与聚乙烯醇的羟基反应而缩醛化(导入RCH(OR)(OR)结构)或缩酮化(导入RRC(OR)(OR)结构)来制造。
而且，由于当使特定的芳香族醛与聚乙烯醇反应时，即在侧链中导入缩醛结构，因此可以获得所述通式(V)及(VI)的R3为氢原子的聚合物。同样地，由于当使特定的芳香族酮与之反应时，即在侧链中导入缩酮结构，因此可以获得所述通式(V)及(VI)的R3为烷基的聚合物。
例如，在获得具有以通式(V)表示的重复单元(A)的聚合物的情况下，只要在酸性条件下，使在邻位的至少一方具有取代基的苯甲醛或相同的苯乙酮等与聚乙烯醇反应即可。作为该在邻位的一方至少具有取代基的苯甲醛或相同的苯乙酮的具体例，可以例示出2，4，6-三甲基苯甲醛(间三甲基苯甲醛)、2，4，6-三乙基苯甲醛、2，6-二甲基苯甲醛、2-甲基苯甲醛、2-甲基苯乙酮、2，4-二甲基苯乙酮等。
另外，在获得具有以通式(VI)表示的重复单元(A)的聚合物的情况下也相同，只要使缩合形式芳香族醛或缩合形式芳香族酮与聚乙烯醇反应即可。作为该缩合形式芳香族醛或酮的具体例，可以例示出具有取代基的1-萘醛、具有取代基的2-萘醛、9-蒽醛、具有取代基的9-蒽醛、萘乙酮等。
另外，在所述制法中，由于通过调整与聚乙烯醇反应的芳香族醛或芳香族酮的量，聚乙烯醇的羟基被芳香族基取代，并且未取代的羟基残存，因此可以获得具有重复单元(A)和重复单元(B)的聚合物。
另外，在所述制法中，通过与芳香族醛或芳香族酮一起，将碳数1～12的饱和脂肪族醛(例如丙醛或乙醛等)或甲醛、脂环族醛等同时及/或逐次地缩醛化，就可以获得具有重复单元(A)和重复单元(C)的聚合物。另外，由于通过调整与聚乙烯醇反应的芳香族醛或芳香族酮及所述饱和脂肪族醛、甲醛或脂环族醛等的量，同样地会使未取代的羟基残存，因此可以获得具有重复单元(A)～(C)的聚合物。
如此得到的聚合物的聚合度例如只要是适于作为相位差板理想地使用的程度，就没有特别限定。但是，从能够经受延伸的充分的薄膜强度的观点考虑，聚合物的聚合度例如为100～20000左右，优选500～10000左右的聚合度的聚合物。聚合物的聚合度可以通过适当地变更主链的种类或侧链(a)等的种类或量而调整。
另外，聚合物的玻璃化温度虽然根据主链的种类、侧链(a)至(c)的种类或量而不同，然而例如为80～180℃左右，是作为相位差板具有足够的耐热性的温度。另外，本发明的聚合物与例如能够显示出超过约200℃的高玻璃化温度的以往的聚合物不同，显示出适度的玻璃化温度，因此不仅可以实现单轴延伸，而且还可以实现利用以往公知的方法的Z延伸。
下面，对将所述聚合物制成薄膜而获得相位差板的方法进行说明。而且，本说明书中的所谓「薄膜」这样的术语也是包括一般被称作「薄片」的材料的意思。
本发明的相位差板是由将所述聚合物制膜后的单层薄膜构成的，其制膜方法没有特别限定，例如可以利用浇注法、熔融挤出法、压延法等制成薄膜状。其中，由于可以获得厚度精度更为优良、光学上更为均匀的薄膜，因此优选用浇注法成形。在浇注法中，由于通常要溶解聚合物，因此使用溶剂。在这一点上，作为侧链(b)具有羟基的本发明的聚合物有时对于在将由聚合物薄膜构成的以往的相位差板浇注成形时无法使用的溶剂，也会显示出良好的溶解性。作为本发明的聚合物的溶剂，例如可以例示出四氢呋喃、二甲亚砜、N，N-二甲替甲酰胺、N，N-二甲替乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、环戊酮、环己酮、甲基乙基酮、醋酸乙酯、二氯甲烷、甲苯等。而且，在溶解聚合物时，根据需要也可以加温。
通过将所得的薄膜延伸，就可以获得本发明的相位差板。延伸方法没有特别限定，例如可以采用展幅延伸法、辊间延伸法、辊间压缩延伸法等通常的单轴延伸法、利用全展幅方式的同时双轴延伸处理方式、利用辊·展幅法的逐次二次延伸处理方式等通常的双轴延伸法等。
另外，本发明中，根据聚合物的种类(特性)，在双轴延伸当中，也可以对该薄膜进行Z延伸。对于该Z延伸，例如可以利用如下的方法等通常的Z延伸法来进行，即，通过在将薄膜过热延伸时沿与延伸方向(X轴方向)正交的方向或交叉的方向(Y轴方向)使该薄膜收缩，在厚度方向(Z轴方向)上产生延伸应力。
而且，在薄膜中，出于提高其延伸性的目的，例如也可以添加邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二乙酯、邻苯二甲酸二丁酯等邻苯二甲酸酯、三甲基磷酸酯、三乙基磷酸酯、三苯基磷酸酯等磷酸酯、己二酸二乙酯、富马酸二丁酯等脂肪酸等增塑剂的1种以上。当考虑延伸性的提高效果及对所得的相位差板的波长分散性的影响时，该增塑剂的添加量优选相对于聚合物100重量份为1～20重量份左右。另外，除了增塑剂以外，例如也可以根据各自的目的适当地添加防氧化剂、紫外线吸收剂之类的添加剂。
延伸薄膜时的温度或倍率等延伸条件由于根据构成聚合物的主链的种类以及侧链(a)及根据需要导入的侧链(b)及(c)的种类或量而不同，因此是被适当地设定的条件，例如延伸温度优选50～200℃左右，延伸倍率优选1.1～4.0倍左右。
如此得到的本发明的相位差板在透明性方面优良，依照JIS K 7105的测定下的可见光线透过率为88～93％左右，雾值为0.1～3％左右。另外，其厚度通常为20～200μm左右，还可以被充分地缩小至40～100μm左右。
本发明的相位差板由具有侧链(a)的链状聚合物的单层薄膜构成，显示出反波长分散特性。由于该相位差板相对于可见光区域整体的大致全部的波长λ的光，用其自身1片例如就会显示出大约λ/2或大约λ/4的波长分散特性，因此能够实现向无色偏振光的变换。虽然本发明的相位差板具有反波长分散特性，然而在利用后述的条件测定的情况下，本发明的相位差板的波长分散根据构成高分子材料的主链的种类以及侧链(a)及根据需要导入的侧链(b)的种类或量而不同，但是大致上满足Re(450)/Re(550)≤0.97、Re(650)/Re(550)≥1.01的关系。这里，Re(450)、Re(550)及Re(650)是分别表示在波长450nm、550nm及650nm下测定的面内相位差的量。
另外，在本发明的相位差板例如由利用单轴延伸法得到的薄膜构成的情况下，折射率满足由式：nx＞ny＝nz表示的关系。其中，nx表示延伸方向(X轴方向(面内折射率最大的方向)的折射率，ny表示与延伸方向正交的方向(Y轴方向)的折射率，nz表示厚度方向(Z轴方向)的折射率。另一方面，在利用双轴延伸法当中的所述Z轴延伸法得到本发明的相位差板的情况下，这些折射率满足由式：nx＞nz＞ny表示的关系。但是，作为表示视觉特性的参数，通用以式：Nz＝(nx-nz)/(nx-ny)表示的Nz值。如果该Nz值为0.5，则即使在使相位差板沿滞相轴方向(X轴方向)倾斜的情况下，相对于倾斜核的相位差也不变化。即，很明显没有相位差的视觉依赖症。这样，当考虑视觉特性的提高效果时，特别优选关注三维折射率的控制而进行延伸。
另外，当向本发明的相位差板射入某个波长的光时，其对于异常光的折射率(以下称作ne与对于正常光的折射率(以下称作no)的折射率差：ne-no(以下称作Δn)在550nm的波长下为0.005以下。但是，例如在将向本发明的链状聚合物中混合液晶性化合物而制成的薄膜作为相位差板使用的情况下，由于通常来说由液晶性化合物得到的薄膜自身的Δn比较高，因此能够将该相位差板的Δn设为0.01以上。
当相位差板的Δn变高时，则能够减小用于体现所需的相位差的膜厚。特别是能够获得用100μm以下的膜厚对可见光区域整体的大致全部的波长的光提供λ/2的相位差的相位差板，这对于以往的相位差板来说是极为困难的。
作为该液晶性化合物，只要不妨碍本发明的目的，就没有特别限定，例如可以举出甲亚胺类、氧化偶氮类、氰基联苯类、氰基苯基酯类、苯甲酸酯类、环己烷羧酸苯基酯类、氰基苯基环己烷类、氰基取代苯基嘧啶类、烷氧基取代苯基嘧啶类、苯基二氧杂环己烷类、二苯乙炔类、烯烃基环己基氰苯类等液晶低分子化合物、在该液晶低分子化合物的分子末端例如具有(甲基)丙烯酰氧基、环氧基、乙烯基氧基、炔丙基、异氰酸酯基等聚合性基的液晶单体等。只要从它们当中，以使所得的相位差板的Δn达到所需的值的方式，或者根据所用的聚合物的种类，适当地选择1种以上使用即可。对于液晶性化合物的量，为了能够充分地体现因使用了它而带来的Δn提高效果，最好相对于所述链状聚合物100重量份在1重量份以上，优选设为3重量份以上。另外，为了维持相位差越是在长波长侧就越大的特性，液晶性化合物的量最好相对于所述链状聚合物100重量份在20重量份以下，优选设为10重量份以下。
本发明的相位差板通过与其他的光学材料等层叠，就能够以光学薄膜的形态使用。例如，通过在偏光片上层叠本发明的相位差板，就可以作为椭圆偏光片或圆偏光片等光学薄膜使用。另外，也可以将相位差被调整为λ/4的本发明的相位差板、相位差被调整为λ/2的本发明的相位差板与偏光片层叠而构成光学薄膜。本发明的相位差板既可以与偏光片的偏振镜直接层叠，也可以夹隔保护薄膜而与之层叠。另外，在本发明的相位差板上，也可以设置用于与液晶单元等其他构件粘接的粘接层。而且，当该粘接层向表面露出时，最好将粘接层用脱模纸覆盖。此外，对于以偏光片/本发明的相位差板/带通滤波片的顺序层叠了的光学薄膜，或在表面还附加了保护薄膜的光学薄膜等，本发明的相位差板通过与功能不同的光学材料层叠，能够以各种光学薄膜的形态使用。
另外，本发明的相位差板或层叠了该相位差板的光学薄膜可以作为液晶显示装置等各种图像显示装置等的构成部件理想地使用。例如，液晶显示装置可以设为将所述光学薄膜等配置于液晶单元的单侧或两侧而成的透过型或反射型或者透过·反射两用型等依照以往类型的适当的结构。所以，形成液晶显示装置的液晶单元是任意的，例如也可以是使用了以薄膜晶体管型为代表的单纯矩阵驱动型的类型等合适的类型的液晶单元。另外，当在液晶单元的两侧设置本发明的光学薄膜时，光学薄膜既可以是相同薄膜，也可以是不同的薄膜。另外，在液晶显示装置的形成之时，例如可以将棱镜阵列片或透镜阵列片、扩散片或背光灯等适当的部件在适当的位置配置1层或2层以上。
[实施例]
下面，基于以下的实施例，对本发明的相位差板进行进一步详细说明，然而本发明并不仅限于这些实施例。
而且，各特性的测定条件分别如下所示。
(组成比的测定)
将作为测定对象的聚合物取200mg，在10ml的THF中，在氮气下，室温下，添加咪唑0.93g、t-丁基二甲基氯硅烷1.37g，在室温下搅拌12小时。反应结束后，在甲醇中进行3次再沉淀而提纯。利用1H-NMR测定了所得的聚合物(CDC13溶剂)。
制造例1及2中得到的聚合物的测定中，利用0ppm附近、0.8ppm、6.8ppm的峰求得了组成比。
制造例3中得到的聚合物的测定中，利用0ppm附近、3.3-5.4ppm、6.8ppm的峰求得了组成比。
制造例4中得到的聚合物的测定中，利用0ppm附近、3.5-5.0ppm、6.8ppm的峰求得了组成比。
(玻璃化温度的测定)
使用示差扫描热量计(SEIKO DSC6200)，在以80ml/分钟吹入氮气的同时，从室温以10℃/分钟升温，测定2次，采用了第二次的数据。在各次的测定中，使用了粉末样品3mg。热量计使用标准物质(铟和锡)进行了温度校正。
(相位差变化率)
将薄膜样品投入被设定为80℃的干燥机中，测定了10小时后的相位差。根据试验前测定好的相位差、80℃10小时处理后的相位差，求得了相位差的变化率。
(面内相位差的测定)
使用王子计测机器(株)制、「KOBRA21-ADH」测定。
(厚度的测定)
使用千分尺(MITUTOYO制)测定。
(吸水率的测定)
基于JIS K 7209「塑料的吸水率及沸腾吸水率试验方法」测定。进行测定的样品为50mm×50mm，厚度为40～100μm。
(偏振光IR的测定)
在FT/IR-230(日本分光制)上作为IR偏振镜附装PL-82，在室温下测定。
制造例1
将在105℃下干燥了2小时的聚合度1800的PVA(日本合成化学，NH-18)5.0g溶解于DMSO 95ml中。向其中添加间三甲基苯甲醛3.78g、丙醛1.81g及p-甲苯磺酸·1水合物1.77g，在40℃下搅拌了4小时。在溶解了碳酸钠2.35g的水/甲醇＝2/1溶液中进行了再沉淀。将过滤而得的聚合物溶解于THF中，在二乙基醚中再沉淀。在过滤干燥后，得到了7.89g白色聚合物。将所得的聚合物在所述测定条件下测定后，乙烯基间三甲基苯甲醛、乙烯基丙醛、乙烯基醇的各部位的比为22∶46∶32，得到了以式(IX)表示的结构的新型聚合物。另外，该聚合物的玻璃化温度为102℃。
实施例1
将制造例1中得到的聚合物溶解于DMF中，使用敷贴器制膜。将干燥而得的薄膜使用延伸机在110℃下进行1.8倍延伸，得到了膜厚85μm的单轴延伸薄膜。所得的延伸薄膜的相位差为Re(450)＝116.4nm，Re(550)＝138.1nm，Re(650)＝147.6nm，形成反波长分散。另外，在试验了耐热性后，相位差变化率在1％以下。另外，所得的薄膜的吸水率为5％。
制造例2
除了使用了间三甲基苯甲醛2.10g、丙醛2.47g以外，与制造例1相同地进行。提纯后，得到了6.48g的白色聚合物。该聚合物的乙烯基间三甲基苯甲醛、乙烯基丙醛、乙烯基醇的各部位的比为18∶52∶30。该聚合物的玻璃化温度为97℃。
实施例2
将制造例2中得到的聚合物溶解于DMF中，使用敷贴器制膜。将干燥而得的薄膜使用延伸机在110℃下进行2倍延伸，得到了膜厚78μm的单轴延伸薄膜。所得的延伸薄膜的相位差为Re(450)＝263.9nm，Re(550)＝276.8nm，Re(650)＝280.6nm，形成反波长分散。另外；在试验了耐热性后，相位差变化率在1％以下。另外，所得的薄膜的吸水率为5％。
另外，进行了所得的延伸薄膜的偏振光IR测定。将绘制了偏振光的振动方向与进相轴所成的角度和对应于芳香族的C＝C伸缩振动的1465cm-1的吸收峰强度的关系的结果表示于图1中。发现由于在进相轴与偏振光所成的角度为0°、180°时吸收大，在90°、270°时小，因此芳香环与包括主链的平面正交地取向。
制造例3
除了使用了间三甲基苯甲醛3.03g、取代丙醛的1，1-二乙氧基乙烷4.30g以外，与制造例1相同地进行。提纯后，得到了7.24g的白色聚合物。该聚合物的乙烯基间三甲基苯甲醛、乙烯基乙醛、乙烯基醇的各部位的比为18∶47∶35，得到了以式(X)表示的结构的新型聚合物。该聚合物的玻璃化温度为120℃。
实施例3
将制造例3中得到的聚合物溶解于DMF中，使用敷贴器制膜。将干燥而得的薄膜使用延伸机在155℃下进行2倍延伸，得到了膜厚110μm的单轴延伸薄膜。所得的延伸薄膜的相位差为Re(450)＝246.7nm，Re(550)＝274.1nm，Re(650)＝283.7nm，形成反波长分散。另外，在试验了耐热性后，相位差变化率在1％以下。另外，所得的薄膜的吸水率为8％。
制造例4
将与制造例1相同的PVA 8.8g溶解于DMSO500ml中。向其中添加间三甲基苯甲醛3.0g、环己烷甲醛9.0g及p-甲苯磺酸·1水合物3.1g，在40℃下搅拌了4小时。添加1N的氢氧化钠水溶液而停止反应，在水中进行了再沉淀。将过滤而得的聚合物溶解于DMF中，在二乙基醚中进行了再沉淀。在过滤干燥后，得到了白色聚合物。利用1H-NMR确认，间三甲基苯甲醛、环己烷甲醛被以醛的形式导入PVA。在将所得的聚合物在所述测定条件下测定后，乙烯基间三甲基苯甲醛、乙烯基环己烷甲醛、乙烯基醇的各部位的比为10∶39∶51，得到了以式(XI)表示的结构的新型聚合物。该聚合物的玻璃化温度为107℃。
实施例4
将制造例4中得到的聚合物溶解于DMF中，使用敷贴器制膜。将干燥而得的薄膜使用延伸机在150℃下进行1.5倍延伸，得到了单轴延伸薄膜。测定了所得的延伸薄膜的相位差，为Re(450)/Re(550)＝0.934，Re(650)/Re(550)＝1.032，形成反波长分散。
比较例1
除了在制造例1中取代间三甲基苯甲醛而使用了苯甲醛2.71g以外，同样地进行了反应。提纯后，得到了6.02g的白色聚合物。
将所得的聚合物与实施例1相同地制膜、延伸，研究了其波长分散特性，Re(450)＝140.5nm，Re(550)＝140.1nm，Re(650)＝139.5nm，Re(450)/Re(550)＝1.003，Re(650)/Re(550)＝0.996，未显示反波长分散特性。

Claims (25)

1.一种相位差板，其特征是，包括使显示双折射性的链状聚合物取向后的单层薄膜，所述聚合物作为侧链(a)具有以下述通式(I)表示的基团，
式(I)
通式(I)中，2个氧原子分别与构成主链的原子键合，R1、R2各自独立，表示氢原子、碳数1～8的烷基或芳香族基团，其中，R1及R2的至少任意一方为芳香族基团，R1或/和R2的芳香族基团的平面结构沿与连结所述2个氧原子的假想线大致正交的方向配置。
2.一种相位差板，其特征是，包括使显示双折射性的链状聚合物取向后的单层薄膜，所述聚合物作为侧链(a)具有以下述通式(II)或通式(III)表示的基团中的至少任意一方，
式(II)
通式(II)中，2个氧原子分别与构成主链的原子键合，R3表示氢原子或碳数1～8的烷基，R4及R8各自独立，表示氢原子、碳数1～4的直链状或分支状的烷基、碳数1～4的直链状或分支状的烷氧基、碳数1～4的直链状或分支状的硫代烷氧基、卤素、硝基、氨基、羟基或硫醇基，其中，R4及R8不同时为氢原子，R5、R6及R7各自独立，表示氢原子或取代基；
Figure A2005800174820003C1
式(III)
通式(III)中，2个氧原子分别与构成主链的原子键合，R3表示氢原子或碳数1～8的烷基，A表示可以具有取代基的萘基、可以具有取代基的蒽基或可以具有取代基的菲基，构成萘基、蒽基或菲基的碳原子中的1个以上的碳原子也可以被氮原子取代。
3.根据权利要求1或2所述的相位差板，其中，所述聚合物具有以在主链的构成原子上键合了所述侧链(a)的结构作为一个构成单元、该构成单元被相邻地排列的部分。
4.根据权利要求1或2所述的相位差板，其中，至少波长450～650nm中的面内相位差越是在短波长侧就越小，越是在长波长侧就越大。
5.根据权利要求1或2所述的相位差板，其中，所述侧链(a)为侧链全量的1～50摩尔％。
6.根据权利要求1或2所述的相位差板，其中，所述聚合物除了侧链(a)以外，作为侧链(b)还具有羟基。
7.根据权利要求6所述的相位差板，其中，所述聚合物除了侧链(a)及(b)以外，作为侧链(c)还具有以下述通式(IV)表示的基团，
Figure A2005800174820003C2
式(IV)
通式(Ⅳ)中，R9表示氢原子或直链状、分支状或者环状的烷基，烷基的碳原子也可以被不邻接的氧原子取代。
8.根据权利要求7所述的相位差板，其中，所述侧链(a)为侧链全量的1～50摩尔％，所述侧链(b)为侧链全量的5～95摩尔％，所述侧链(c)为侧链全量的1～90摩尔％。
9.一种相位差板，其特征是，包括使显示双折射性的链状聚合物取向后的单层薄膜，所述聚合物作为重复单元(A)具有以下述通式(V)或通式(VI)表示的结构中的至少任一种，
Figure A2005800174820004C1
式(V)
通式(V)中，R3表示氢原子或碳数1～8的烷基，R4及R8各自独立，表示氢原子、碳数1～4的直链状或分支状的烷基、碳数1～4的直链状或分支状的烷氧基、碳数1～4的直链状或分支状的硫代烷氧基、卤素、硝基、氨基、羟基或硫醇基，其中，R4及R8不同时为氢原子，R5、R6及R7各自独立，表示氢原子或取代基；
Figure A2005800174820004C2
式(VI)
通式(VI)中，R3表示氢原子或碳数1～8的烷基，A表示可以具有取代基的萘基、可以具有取代基的蒽基或可以具有取代基的菲基，构成萘基、蒽基或菲基的碳原子中的1个以上的碳原子也可以被氮原子取代。
10.根据权利要求9所述的相位差板，其中，所述聚合物中的重复单元(A)是通过将聚乙烯醇的羟基用芳香族醛缩醛化而得到的单元。
11.根据权利要求9所述的相位差板，其中，所述聚合物除了所述重复单元(A)以外，还具有以下述通式(VII)表示的重复单元(B)，
式(VII)
重复单元(A)及(B)的排列可以是嵌段状或无规状。
12.根据权利要求11所述的相位差板，其中，所述聚合物除了所述重复单元(A)及(B)以外，还具有以下述通式(VIII)表示的重复单元(C)，
式(VIII)
通式(VIII)中，R9表示氢原子或碳数1～12的直链状、分支状或者环状的烷基，烷基的碳原子也可以被不邻接的氧原子取代，重复单元(A)～(C)的排列可以是嵌段状或无规状。
13.一种相位差板，其特征是，包括使显示双折射性的链状聚合物取向后的单层薄膜，所述聚合物具有下述通式(IX)的结构，
Figure A2005800174820005C3
式(IX)
通式(IX)中，1表示5～30摩尔％，m表示20～80摩尔％，n表示1～70摩尔％。
14.一种相位差板，其特征是，包括使显示双折射性的链状聚合物取向后的单层薄膜，所述聚合物具有下述通式(X)的结构，
式(X)
通式(X)中，1表示5～30摩尔％，m表示20～80摩尔％，n表示1～70摩尔％。
15.一种聚合物，其中，具有以下述通式(V’)表示的重复单元，
Figure A2005800174820006C2
式(V′)
通式(V’)中，R3表示氢原子或碳数1～8的烷基，R4及R8各自独立，表示碳数1～4的直链状或分支状的烷基、碳数1～4的直链状或分支状的烷氧基、碳数1～4的直链状或分支状的硫代烷氧基、卤素、硝基、氨基、羟基或硫醇基，R5、R6及R7各自独立，表示氢原子或取代基。
16.根据权利要求15所述的聚合物，其中，还具有以下述通式(VIII)表示的重复单元，
Figure A2005800174820006C3
式(VIII)
通式(VIII)中，R9表示氢原子或碳数1～12的直链状、分支状或者环状的烷基，烷基的碳原子也可以被不邻接的氧原子取代，重复单元的排列可以是嵌段状或无规状。
17.根据权利要求15所述的聚合物，其中，所述通式(V’)的R4及R8为碳数1～4的直链状或分支状的烷基或氯原子。
18.根据权利要求15所述的聚合物，其中，所述通式(V’)的R3、R5及R7都为氢原子，R4及R8都为甲基。
19.一种以下述通式(IX)表示的聚合物，
Figure A2005800174820007C1
式(IX)
通式(IX)中，1表示5～30摩尔％，m表示20～80摩尔％，n表示1～70摩尔％。
20.一种以下述通式(X)表示的聚合物，
Figure A2005800174820007C2
式(X)
通式(X)中，1表示5～30摩尔％，m表示20～80摩尔％，n表示1～70摩尔％。
21.一种以下述通式(XI)表示的聚合物，
式(XI)
通式(XI)中，1表示5～30摩尔％，m表示20～80摩尔％，n表示1～70摩尔％。
22.一种以下述通式(XII)表示的聚合物，
式(XII)
通式(XII)中，1表示5～30摩尔％，m表示20～60摩尔％，n表示20～60摩尔％，o表示1～55摩尔％。
23.一种光学薄膜，其中，层叠有权利要求1、2、9、13和14中任一项所述的相位差板。
24.一种图像显示装置，其中，具有权利要求1、2、9、13和14中任一项所述的相位差板。
25.一种图像显示装置，其中，具有权利要求23所述的光学薄膜。
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