CN1967802A - 有源矩阵基板及其制造方法、以及电光学装置及电子设备 - Google Patents

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Abstract

一种有源矩阵基板，在基板上形成有第一布线(40)、和宽度比第一布线(40)窄且与第一布线(40)连接的第二布线(41)。其制造方法包括：形成跨过基板上的第一布线形成区域(52)以及第二布线形成区域(54)的第一导电层(F1)的工序；和形成在第一布线形成区域(52)中以层叠在第一导电层(F1)上的状态，并在第二布线形成区域(54)中相对于第一导电层(F1)以非层叠状态配置的第二导电层(F2)的工序。由此，可形成平坦性高的图案。

Description

有源矩阵基板及其制造方法、以及电光学装置及电子设备
技术领域
本发明涉及有源矩阵基板及其制造方法、以及电光学装置及电子设备。
背景技术
随着笔记本电脑、移动电话等便携设备的普及，薄且轻量的液晶显示装置等被广泛使用。这种液晶显示装置等是在上基板和下基板之间夹持有液晶层的设备。
图21表示所述下基板(有源矩阵基板)的一个例子。如该图所示，下基板1包括：玻璃基板2；在该玻璃基板2上以相互交叉的方式布线的栅极扫描电极3和源电极4；同样布线于玻璃基板2上的漏电极5；与该漏电极5连接的像素电极(ITO)6；介于栅极扫描电极3和源电极4之间的绝缘层7；和由薄膜半导体构成的TFT(Thin Film Transistor)8。
在上述下基板1中的各金属布线的形成中，例如如专利文献1所述，采用了反复多次进行组合了干法工艺和光致蚀刻的工序的方法。
可是，在该技术中，由于组合了干法工艺和光致蚀刻的处理进行多次，所以，存在着材料费和管理费容易增加，且成品率也难以提高的问题。
因此，近年来，作为电子装置的制造过程中使用的涂敷技术，液体喷出方式的利用具有扩大的倾向。基于液体喷出方式的涂敷技术，一般通过一边使基板和液滴喷头相对移动，一边从设置于液体喷头的多个喷嘴将液状体作为液滴进行喷出，在基板上反复附着该液滴，来形成涂敷膜，其具有液状体的消耗浪费少、不使用光刻等方法就可以直接涂敷任意图案的优点。
例如，在专利文献2、专利文献3等中公开有下述技术，即，通过从液滴喷头将含有图案形成用材料的功能液喷出到基板上，在图案形成面配置(涂敷)材料，形成半导体集成电路等的微细布线图案。
并且，在专利文献4中公开了一种在相对于栅极布线形成宽度窄的栅电极之际，通过将含有导电性材料的液滴涂敷于栅极布线用槽，并利用该液状体的自身流动(毛细管现象)，将液状体配置于栅电极用槽的构成。
但是，在上述那样的现有技术中存在着下述问题。
形成在栅电极上的TFT元件的特性被非晶硅(amorphous silicon)的平坦性左右，且非晶硅的平坦性受到栅电极的平坦性影响。
特别是在通过上述的液滴喷出方式形成了栅电极的情况下，例如，在使用了含有银微粒的液滴时，由于在煅烧时的加热中微粒发生热粘使得粒子变大，所以，表面变粗糙，产生了平坦性降低的问题。
专利文献1：专利第3261699号公报
专利文献2：特开平11-274671号公报
专利文献3：特开2000-216330号公报
专利文献4：特开2005-012181号公报
发明内容
本发明考虑了上述情况而提出，目的在于提供一种能够形成平坦性高的图案的有源矩阵基板及其制造方法、具备该有源矩阵基板的电光学装置以及电子设备。
为了实现上述目的，本发明采用了以下的构成。
本发明提供一种有源矩阵基板的制造方法，所述有源矩阵基板在基板上形成有第一布线、和宽度比所述第一布线窄且与该第一布线连接的第二布线，所述有源矩阵基板的制造方法包括：形成跨过基板上的第一布线形成区域及第二布线形成区域的第一导电层的工序；和形成第二导电层的工序，所述第二导电层在所述第一布线形成区域配置成层叠在所述第一导电层上的状态，并且在所述第二布线形成区域配置成相对于所述第一导电层为非层叠状态。
因此，在本发明的有源矩阵基板的制造方法中，通过利用与金或银等因加热而导致平坦性降低的材料不同的镍等材料来形成第一导电层，并利用银等材料形成第二导电层，从而能够使第二布线的平坦性提高，并且，在第一布线中可以确保低的电阻。
而且，在本发明中，可以优选采用在所述第二布线的至少一部分上形成开关元件的工序。
由此，在本发明中，可以使在平坦性提高后的第二布线上形成的开关元件的特性提高。
作为所述第一导电层以及所述第二导电层，优选喷出含有第一导电材料的第一液滴和含有第二导电材料的第二液滴来分别形成。
由此，在本发明中，具有液状体的消耗浪费少，不使用光刻等方法可以直接涂敷任意图案的优点。
作为所述第二布线形成区域中的所述第一导电层，可以优选采用使喷出在所述第一布线形成区域的所述第一液滴流动到所述第二布线形成区域而形成的工序。由此，在本发明中，例如即使对于宽度比第二液滴的飞翔直径窄的第二布线形成区域，也能够涂敷液滴，可以形成微细的图案。
而且，在本发明中，优选采用所述第一液滴具有有机系溶剂，所述第二液滴具有水系溶剂的构成。
由此，在本发明中，弹落于第一布线形成区域的第一液滴容易流动到宽度窄的第二布线形成区域，并且，能够抑制弹落于第一布线形成区域的第二液滴流动到第二布线形成区域。
并且，在本发明中，优选采用具有下述工序的次序，所述工序包括：在所述基板上形成格子状的布线图案的工序，所述格子状的布线图案由所述第一布线及所述第二布线的任意一方在交叉部被分断而成；在所述交叉部以及所述布线图案的一部分上形成由绝缘膜和半导体膜构成的层叠部的工序；在所述层叠部上，形成使所述被分断的布线图案电连接的导电层、以及经由所述半导体膜与所述布线图案电连接的像素电极的工序。
由此，在本发明中，可以通过经由绝缘膜而形成的导电层，将在同一平面上交叉的格子状布线图案中的在交叉部被分断的布线图案电连接。而且，在本发明中，可以减少组合了干法工艺和光致蚀刻的处理，由此，能够实现制造成本的降低和成品率的提高。
另外，优选还包括对所述半导体膜实施半曝光处理，形成所述开关元件的工序。
因此，在本发明中，能够容易地形成开关元件。
而且，在本发明中，所述布线图案具有源极布线、具有栅电极的栅极布线以及沿着栅极布线近似成直线状延伸的电容线，所述源极布线在所述交叉部被分断，所述第一布线包括所述栅极布线，所述第二布线包括所述栅电极。
在该构成中，由于避免了这些布线的接触，所以，能够在同一面上同时形成这些布线。
另一方面，本发明的有源矩阵基板，其特征在于，利用前面记述的制造方法而制造。
因此，在本发明中，可以得到具有平坦性优异的布线图案，且提高了开关元件特性的有源矩阵基板。
而且，本发明的电光学装置具备前面所述的有源矩阵基板。
并且，本发明的电子设备具备前面所述的有源矩阵基板。
由此，在本发明中，能够得到开关元件的特性提高了的高品质电光学装置以及电子设备。
附图说明
图1是有源矩阵基板的局部放大图；
图2是有源矩阵基板的等效电路图；
图3是液滴喷出装置的概略立体图；
图4是液滴喷头的剖视图；
图5是表示制造有源矩阵基板的顺序的图；
图6是表示后继于图5的顺序的图；
图7是表示形成栅极布线以及栅电极的顺序的图；
图8是表示形成栅极布线以及栅电极的顺序的图；
图9是表示形成栅极布线以及栅电极的顺序的图；
图10是表示形成栅极布线以及栅电极的顺序的图；
图11是表示后继于图6的顺序的图；
图12是表示后继于图11的顺序的图；
图13是表示后继于图12的顺序的图；
图14是表示后继于图13的顺序的图；
图15是表示后继于图14的顺序的图；
图16是表示后继于图15的顺序的图；
图17是表示后继于图16的顺序的图；
图18是从对置基板侧观察液晶显示装置的俯视图；
图19是液晶显示装置的剖视图；
图20是表示电子设备的具体例的图；
图21是表示现有的有源矩阵基板的图。
图中：F1-镍层(第一导电层)，F2-银层(第二导电层)，L1-液滴(第一液滴)，L2-液滴(第二液滴)，P-基板，S-催化剂，20-有源矩阵基板，30-TFT(开关元件)，35-层叠部，40-栅极布线(第一布线、布线图案)，41-栅电极(第二布线、布线图案)，42-源极布线(第二布线图案、布线图案)，46-电容线(布线图案)，49-导电层，51-围堰(隔壁)，52-开口部分(第一布线形成区域)，54-开口部分(第二布线形成区域)，56-交叉部，100-液晶显示装置(电光学装置)，600-移动电话主体(电子设备)，700-信息处理装置(电子设备)，800-时钟主体(电子设备)。
具体实施方式
下面，参照图1～图20，对本发明的有源矩阵基板及其制造方法、以及电光学装置及电子设备的实施方式进行说明。
<有源矩阵基板>
图1是表示放大了本发明所涉及的有源矩阵基板的一部分的图。
有源矩阵基板20上具备：布线成格子状的栅极布线(第一布线)40和源极布线42。即，多根栅极布线40形成为沿X方向延伸，源极布线42形成为沿Y方向延伸。
而且，作为栅极布线40的一部分，比栅极布线40宽度窄的栅电极(第二布线)41与栅极布线40连接，在栅电极41上隔着绝缘层配置有TFT(开关元件)30。另一方面，源极布线42与源电极43连接，源电极43的一端与TFT30连接。
而且，在由栅极布线40和源极布线42包围的区域配置有像素电极45，其经由漏电极44与TFT30连接。
并且，在有源矩阵基板20上，以与栅极布线40近似平行的方式配置有电容线46。电容线46隔着绝缘层配置在像素电极45以及源极布线42的下层。
另外，这些栅极布线40、栅电极41、源极布线42、电容线46构成本发明所涉及的布线图案，形成在同一面上。
图2是有源矩阵基板20的等效电路图，是用于液晶显示装置的情况。
在将有源矩阵基板20用于液晶显示装置的情况下，多个像素100a以矩阵状构成于图像显示区域。在这些像素100a的每一个中，形成有像素开关用的TFT30，供给像素信号S1、S2、...、Sn的源极布线42经由图1所示的源电极43与TFT30的源极电连接。提供给源极布线42的像素信号S1、S2、...、Sn可以按照该顺序依次进行供给，也可以对相邻接的多根源极布线42彼此之间，按每个组进行供给。
而且，栅极布线40经由图1所示的栅电极41与TFT30的栅极电连接。并且，以规定的定时将扫描信号G1、G2、...、Gm按照该顺序以脉冲方式顺次施加到栅极布线40。
像素电极45经由漏电极44与TFT30的漏极电连接。而且，通过使作为开关元件的TFT30仅在一定期间处于开启状态，从而以规定的定时将从源极布线42供给的像素信号S1、S2、...、Sn写入各像素。这样，经由像素电极45而被写入到液晶的规定电平的像素信号S1、S2、...、Sn，在图19所示的对置基板120的对置电极121之间被保持一定期间。
另外，为了防止所保持的像素信号S1、S2、...、Sn发生泄漏，通过电容线46，与形成在像素电极45和对置电极121之间的液晶电容并联地附加蓄积电容48。例如，像素电极45的电压，由蓄积电容48保持比被施加源极电压的时间长3位的时间。由此，电荷的保持特性被改善，可以实现对比度高的液晶显示装置100。
<液滴喷出装置>
下面，参照图3以及图4，对上述有源矩阵基板20的制造所使用的液滴喷出装置进行说明。
如图3所示，液滴喷出装置(喷墨装置)IJ是从液滴喷头对基板P喷出(滴落)液滴的设备，包括：液滴喷头301、X方向驱动轴304、Y方向导向轴305、控制装置CONT、台架307、清洁机构308、基台309和加热器315。台架307用于支承通过该液滴喷出装置IJ设置墨水(液体材料、液状体)的基板P，具备将基板P固定于基准位置的未图示的固定机构。
液滴喷头301是具备多个喷嘴的多喷嘴式液滴喷头，使其长边方向与X轴方向一致。多个喷嘴沿X轴方向排列以一定间隔设置于液滴喷头301的下面。从液滴喷头301的喷嘴对由台架307支承的基板P，喷出含有导电性微粒的墨水。
X方向驱动轴304与X方向驱动电动机302连接。X方向驱动电动机302是步进电动机等，如果从控制装置CONT被供给X方向的驱动信号，则使X方向驱动轴304旋转。如果X方向驱动轴304旋转，则液滴喷头301沿X轴方向移动。
Y方向导向轴305被固定为相对基台309不动。台架307具备Y方向驱动电动机303。Y方向驱动电动机303是步进电动机等，如果从控制装置CONT被供给Y方向的驱动信号，则沿Y方向移动台架307。
控制装置CONT对液滴喷头301提供液滴喷出控制用的电压。而且，将对液滴喷头301的X方向的移动进行控制的驱动脉冲信号提供给X方向驱动电动机302；将对台架307的Y方向的移动进行控制的驱动脉冲信号提供给Y方向驱动电动机303。
清洁机构308是对液滴喷头301进行清洁的装置。清洁机构308中具备未图示的Y方向驱动电动机。通过该Y方向驱动电动机的驱动，清洁机构沿着Y方向导向轴305移动。清洁机构308的移动也由控制装置CONT控制。
加热器315在这里是通过灯退火对基板P进行热处理的机构，对涂敷在基板P上的液体材料所含有的溶剂进行蒸发以及干燥。该加热器315的电源接通及断开也由控制装置CONT控制。
液滴喷出装置IJ一边相对地扫描液滴喷头301和支承基板P的台架307，一边对基板P喷出液滴。这里，在以下的说明中，将Y方向定义为扫描方向，将与Y方向垂直的X方向定义为非扫描方向。
因此，液滴喷头301的喷嘴以一定间隔配列设置在作为非扫描方向的X方向。另外，在图3中，虽然液滴喷头301相对于基板P的行进方向而垂直配置，但是，也可以调整液滴喷头301的角度，使其相对于基板P的行进方向交叉。由此，通过调整液滴喷头301的角度，可以调节喷嘴间的间距。另外，也可以任意调节基板P与喷嘴面的距离。
图4是液滴喷头301的剖视图。
在液滴喷头301中，与收容液体材料(布线用的墨水等)的液体室321邻接设置有压电元件322。经由包括对液体材料进行收容的材料容器的液体材料供给系统323，液状体被供给到液体室321。
压电元件322与驱动电路324连接，经由该驱动电路324将电压施加给压电元件322，由此使压电元件322变形，引起液体室325变形，从喷嘴325喷出液体材料。
该情况下，通过改变施加电压的值，控制压电元件322的形变量。而且，通过使施加电压的频率变化，控制压电元件322的形变速度。由于基于压电方式的液滴喷出不对材料施加热，所以，具有对材料的组成不易造成影响的优点。
另外，作为液滴喷出法的喷出技术，可举出：带电控制方式、加压振动方式、电气机械转换式、电热转换方式、静电吸引方式等。带电控制方式通过利用带电电极对材料赋予电荷，由偏向电极控制材料的飞翔方向，使其从喷嘴喷出。另外，加压振动方式通过对材料施加例如30kg/cm2左右的超高压，使材料从前端侧喷出，在不施加控制电压的情况下，材料直接进入，从喷嘴喷出；如果施加控制电压，则在材料间引起静电排斥，使得材料飞散而不从喷嘴喷出。此外，电气机械转换方式利用了压电元件受到脉冲电信号会变形的性质，通过压电元件发生变形，经由挠性物质对存留有材料的空间施加压力，从该空间挤出材料并从喷嘴喷出。
而且，电热转换方式通过利用在存留有材料的空间内设置的加热器，使材料急剧气化产生泡沫(bubble)，基于泡沫的压力使空间内的材料喷出。静电吸引方式通过在存留有材料的空间内施加微小压力，在喷嘴中形成材料的弯月面，并在该状态下，施加静电引力而引出材料。而且，除此之外，还可以采用下述技术，即，利用了基于电场而引起流体粘性变化的方式、利用放电火花进行飞溅的方式等。液滴喷出法具有材料使用的浪费少、且能够将希望数量的材料可靠地配置在所期望的位置的优点。另外，利用液滴喷出法喷出的液状材料(流动体)的一滴的量，例如为1～300毫微克。
此外，作为液滴而被喷出的溶液中所包含的导电性微粒，除了例如金、银、铜、锡、铅等金属微粒之外，还可以使用这些的氧化物以及导电性聚合物或超导电体的微粒等。为了提高分散性，这些导电性微粒也可以在表面涂敷有机物等而使用。
优选导电性微粒的粒径为1nm以上0.1μm以下。如果大于0.1μm，则具有在后述的液滴喷头的喷嘴中会发生阻塞的可能性。另外，若小于1nm，则涂敷剂相对于导电性微粒的体积比变大，所得到的膜中的有机物比例过多。
作为分散剂，只要是能够分散上述的导电性微粒且不引起凝聚即可，没有特别的限定。例如，除了水之外，还可以例示甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类，正庚烷、正辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、异丙基甲苯、杜烯、茚、二戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环己基苯等烃系化合物，另外还可以例示乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲乙醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、p-二噁烷等醚系化合物，进而还可以例示碳酸丙烯酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二价亚砜、环己酮等极性化合物。其中，从微粒的分散性和分散液的稳定性、以及对液滴喷出法(喷墨法)的适用容易度等方面考虑，优选使用水、醇类、碳水化合物、醚系化合物，作为更优选的分散剂，可举出水、碳氢化合物。
优选导电性微粒的分散液的表面张力例如处于0.02N/m以上0.07N/m以下的范围内。如果在基于喷墨法喷出液体之际，表面张力小于0.02N/m，则由于墨水组成物相对于喷嘴面的润湿性增大，所以容易产生飞行曲线，如果超过0.07N/m，则由于喷嘴前端处的弯月面的形成不稳定，所以，难以控制喷出量和喷出定时。为了调整表面张力，只要在不使与基板的接触角大幅降低的范围内，在上述分散液中微量添加氟系、硅酮系、非离子系等的表面张力调节剂为好。非离子系表面张力调节剂可起到下述作用，即，会提高液体向基板的润湿性，改良膜的水准测量性(leveling)，防止膜产生微细的凹凸等。根据需要，上述表面张力调节剂也可以含有醇、醚、酯、酮等有机化合物。
优选分散液的粘度例如为1mPa·s以上50mPa·s以下。在使用喷墨法将液体材料作为液滴喷出时粘度小于1mPa·s的情况下，喷嘴的周边部容易被墨水的流出污染，另外，在粘度大于50mPa·s的情况下，喷嘴孔处的阻塞频度变高，导致难以顺畅地喷出液滴。
<有源矩阵基板的制造方法>
下面，参照附图，对有源矩阵基板20的制造方法进行说明。
有源矩阵基板20基于在基板P上形成格子图案的布线的第一工序、形成层叠部35的第二工序、和形成像素电极45等的第三工序而制造。
下面，按照各工序进行详细说明。
(第一工序：形成布线)
图5、图6是说明作为第一工序的布线形成工序的图。另外，图5(b)和图6(b)分别是沿着图5(a)和图6(a)中的A-A’线的剖视图。
作为形成有栅极布线40和源极布线42等的格子图案布线的基板P，可以使用玻璃、石英玻璃、Si晶片、塑料薄膜、金属板等各种材料。而且，包括在这些各种原料基板的表面形成半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等作为基底层的基板。
首先，如图5所示，在基板P上形成由绝缘性的有机树脂构成的围堰51。围堰用于将后述的布线用墨水配置到基板P的规定位置。
具体而言，如图5(a)所示，在洗净后的基板P的上面，基于光刻法形成围堰51，该围堰51具有与格子图案的布线的形成位置相对应的多个开口部分52、53、54、55。
作为围堰51的材料，例如可以使用丙烯酸系树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、密胺树脂等高分子材料。
接着，为了除去围堰间的围堰形成时的抗蚀剂(有机物)残渣，针对基板P进行残渣处理。
作为残渣处理，可以选择通过照射紫外线进行残渣处理的紫外线(UV)照射处理，或在大气气氛中将氧气作为处理气体的O2等离子体处理等，这里实施O2等离子体处理。
具体而言，通过从等离子体放电电极对基板P照射等离子体状态的氧来进行。作为O2等离子体处理的条件，例如等离子体功率为50～1000W、氧气流量为50～100ml/min、基板P相对于等离子体放电电极的板搬运速度为0.5～10mm/sec、基板温度为70～90℃。
另外，在基板P是玻璃基板的情况下，虽然其表面对布线图案形成材料具有亲液性，但是，通过像本实施方式那样，为了残渣处理而实施O2等离子体处理或紫外线照射处理，可以提高基板表面的亲液性。
接着，为了在开口部分52、53、54、55内良好地配置布线图案用墨水，对围堰51实施疏液性处理。作为疏液性处理，实施CF4等离子体处理等(采用了具有氟成分的气体的等离子体处理)。
通过进行这样的疏液化处理，在构成围堰51的树脂中导入氟基，使得围堰51被赋与高的疏液性。另外，作为上述亲液化处理的O2等离子体处理也可以在围堰51形成之前进行，但如果进行基于O2等离子体的前续处理，则由于围堰51具有容易被氟化(疏液化)的性质，所以，优选在形成围堰51之后进行O2等离子体处理。
另外，通过对围堰51的疏液化处理，虽然多少会对先前进行了亲液化处理的基板P的表面造成影响，但是，特别是在基板P由玻璃等构成的情况下，由于难以基于疏液化处理引起氟基的导入，所以，实质上基板P其亲液性，即润湿性不会受到损害。
此外，通过由原本具有疏液性的材料(例如具有氟基的树脂材料)形成围堰51，也可以省略其疏液处理。
由该围堰51形成的开口部分52、53、54、55与栅极布线40和源极布线42等的格子图案的布线对应。即，通过将布线用金属材料配置于围堰51的开口部分52、53、54、55，从而形成了栅极布线40和源极布线42等的格子图案的布线。
具体而言，以沿X方向延伸的方式形成的开口部分52、53与栅极布线40、电容线46的形成位置对应。而且，与栅电极41的形成位置对应的开口部分54，和与栅极布线40的形成位置对应的开口部分52连接。并且，以沿Y方向延伸的方式而形成的开口部分55与源极布线42的形成位置对应。另外，沿Y方向延伸的开口部分55按照不与沿X方向延伸的开口部分52、53交叉的方式，形成为在交叉部56处被分断。
然后，通过上述的液滴喷出装置IJ，将含有导电性微粒的布线用墨水喷出、配置到开口部分52、53、54、55内，从而在基板P上形成由栅极布线40和源极布线42等构成的格子图案。
布线用墨水是由将导电性微粒分散到分散剂中的分散液、有机银化合物或氧化银纳米粒子分散到溶剂(分散剂)的溶液构成的。作为导电性微粒，例如除了金、银、铜、锡、铅等金属微粒之外，还可使用这些的氧化物及导电性聚合物或超电导体的微粒等。为了使分散性提高，这些导电性微粒也可以在表面涂敷有机物等而使用。
在本实施方式中，如图6(b)所示(在图6(b)中仅图示了源极布线42)，将栅极布线40、源极布线42、电容线46形成为三层构造，将栅电极41由一层构造形成布线图案。具体而言，在本实施方式中，栅极布线40、源极布线42、电容线46从下层起由镍层(第一导电层)F1、银层F2、镍层F3这三层构成，栅电极41由镍层F1一层构成。
另外，在此，参照图7～图10，对成膜栅极布线40以及栅电极41的情况进行说明。
为了在上述的开口部分52、54形成镍层F1，首先，如图7(a)所示，将使镍(Ni)作为导电性微粒分散到有机系分散剂的功能液L1的液滴(第一液滴)，通过液滴喷头301配置到开口部分52的规定位置。在将功能液L1的液滴配置到开口部分52时，使用液滴喷头301将液滴从开口部分52的上方喷出到开口部分52。在本实施方式中，如图7(a)所示，功能液L1的液滴沿着开口部分52的长边方向(X轴方向)以规定间隔配置。此时，功能液L1的液滴还被配置在开口部分52中的开口部分52与开口部分54连接的连接部37附近(交叉区域)。
如图7(b)所示，配置于开口部分52的功能液L1通过自身流动，在开口部分52内润湿扩展。并且，由于基板P的表面具有亲液性，因此配置于开口部分52的功能液L1通过基于毛细管现象以及表面张力引起的自身流动，在开口部分54也润湿扩展。由此，不直接对开口部分54喷出液滴，也可在开口部分54配置功能液L1。
在对基板P喷出布线用墨水之后，为了除去分散剂，根据需要来进行干燥处理、煅烧处理。通过这样的干燥、煅烧处理，导电性微粒间的电接触被确保，被变换成导电性膜。
作为干燥处理，可以利用例如对基板P加热的通常加热板、电炉等实现的加热处理来进行。例如进行60分钟左右180℃的加热。
作为煅烧处理的处理温度，需要考虑分散剂的沸点(蒸气压)、微粒的分散性或氧化性等的热举动、涂敷剂的有无或量、基材的耐热温度等来进行适当的决定。例如，为了除去由有机物构成的涂敷剂，需要以大约250℃进行煅烧。
由此，如图7(c)以及作为该图中A-A线剖视图的图8(a)所示，形成了跨过开口部分(第一布线形成区域)52以及开口部分(第二布线形成区域)54的镍层F1。
接着，为了形成银层F2，将使银(Ag)作为导电性微粒分散到水系分散剂后的功能液L2的液滴(第二液滴)，如图9(a)所示，利用液滴喷头301配置到开口部分52的规定位置(与镍层F1形成时同样的位置)。虽然配置于开口部分52的功能液L2通过自身流动而在开口部分52内润湿扩展，但是，由于功能液L2的分散剂是水系，且形成幅度窄的开口部分54的围堰51具有疏液性，所以，功能液L2的液滴不会流入到开口部分54，仅在开口部分52中润湿扩展。
然后，为了除去分散剂，通过进行干燥处理、煅烧处理，如图9(b)以及图8(b)所示，形成在开口部分52处以层叠在镍层F1上的状态，且在开口部分54处相对于镍层F1以非层叠状态配置的银层F2。
接着，为了形成镍层F3，将使镍作为导电性微粒而分散于水系分散剂的功能液L3的液滴，如图10(a)所示，利用液滴喷头301配置到开口部分52的银层F2上的规定位置(与镍层F1以及银层F2形成时同样的位置)。在该情况下，功能液L3与喷出功能液L2的情况同样，虽然通过自身流动在开口部分52内润湿扩展，但是，由于功能液L3的分散剂是水系，且形成幅度窄的开口部分54的围堰51具有疏液性，所以，功能液L3的液滴不会流入到开口部分54，仅在开口部分52中润湿扩展。
然后，为了除去分散剂，通过进行干燥处理、煅烧处理，如图10(b)以及图8(c)所示，形成了在开口部分52处以层叠在银层F2上的状态，且在开口部分54处相对于镍层F1以非层叠状态配置的镍层F3。
在如此成膜后的栅极布线40中，镍层F1起到基底层的作用，镍层F3起到保护膜的作用。该保护膜起到用于抑制由银或铜等构成的导电性膜的(电)迁移现象等的薄膜的作用。而且，镍层F1在开口部分54中作为栅电极41而发挥功能。
(第二工序：形成层叠部)
图11～图14是说明作为第二工序的层叠部形成工序的图。另外，图11(b)～图14(b)分别是沿着图11(a)～图14(a)中的A-A’线的剖视图，图12(c)～图14(c)分别时沿着图12(a)～图14(a)中的B-B’线的剖视图。
在第二工序中，在由围堰51以及格子图案的布线构成的层上的规定位置，形成由绝缘膜31和半导体膜(接触层33、活性层32)构成的层叠部35。
更详细而言，首先，利用等离子体CVD法，对基板P上的整个面进行绝缘膜31、活性层32、接触层33的连续成膜。具体而言，如图11所示，通过使原料气体和等离子体条件变化，连续形成氮化硅膜作为绝缘膜31、非晶硅膜作为活性层32、n+性硅膜作为接触层33。
接着，如图12所示，采用光刻法，将抗蚀层58(58a～58c)配置到规定位置。所谓规定位置如图12(a)所示，是指栅极布线40和源极布线42的交叉部56上(抗蚀层58a)、栅电极41上(抗蚀层58c)、以及电容线46上(抗蚀层58b)。
另外，在交叉部56上配置的抗蚀层58a和在电容线46上配置的抗蚀层58b，以不接触的方式分离配置。而且，通过对配置在栅电极41上的抗蚀层58c进行半曝光，如图12(b)所示，形成了槽59。
接着，对基板P的整个面实施蚀刻处理，将抗蚀层58(58a～58c)作为掩模，除去接触层33以及活性层32。进而，实施蚀刻处理，除去绝缘膜31。
由此，如图13所示，从配置有抗蚀层58(58a～58c)的规定位置以外的区域，除去接触层33、活性层32、绝缘膜31。另一方面，在配置有抗蚀层58的规定位置形成由绝缘膜31和半导体膜(接触层33、活性层32)构成的层叠部35。
另外，在形成于栅电极41上的层叠部35中，由于对抗蚀层58c进行半曝光形成了槽59，所以，通过在蚀刻前再次进行显影，使得槽贯通。如图13(b)所示，与槽59对应的接触层33被除去，形成被分断为两个的状态。由此，在栅电极41上作为由活性层32以及接触层33构成的开关元件而形成了TFT30。
然后，如图14所示，在基板P的整个面形成氮化硅膜作为保护接触层33的保护膜60。
这样，完成了层叠部35的形成。
(第三工序)
图15～图17是说明作为第三工序的像素电极45等的形成工序的图。另外，图15(b)～图17(b)分别是沿着图15(a)～图17(a)中的A-A’线的剖视图，图15(c)～图17(c)分别是沿着图15(a)～图17(a)中的B-B’线的剖视图。
在第三工序中，形成源电极43、漏电极44、导电层49以及像素电极45。
源电极43、漏电极44、导电层49以及像素电极45都可以由例如ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等透光性材料形成。而且，这些电极等的形成与第一工序同样，采用了液滴喷出法。
首先，基于光刻法，以覆盖栅极布线40以及源极布线42等的方式形成围堰61。即，如图15所示，形成近似格子状的围堰61。另外，在源极布线42和栅极布线40、以及源极布线42和电容线46的交叉部56形成开口部分62。
另外，开口部分62如图15(b)所示，按照在栅电极41上形成的层叠部35(TFT30)的一部分露出的方式形成。即，围堰61按照沿X方向将层叠部35(TFT30)两分割的方式而形成。
作为围堰61的材料例如与围堰51同样，可采用丙烯酸系树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、密胺树脂等高分子材料。而且，与围堰51同样，被实施了疏液性处理。
由围堰61形成的开口部分62，与连接被分断的源极布线42的导电层49或源电极43的形成位置相对应。而且，由围堰61包围的区域与像素电极45以及漏电极44的形成位置相对应。即，通过在围堰61的开口部分62内以及由围堰61所包围的区域配置透明导电性材料，从而形成连接被分断的源极布线42的导电层49、源电极43、漏电极44、像素电极45。另外，也可以将透明导电性材料以外的导电性材料配置到开口部分62。
接着，将围堰61作为掩模，通过蚀刻处理除去在基板P的整个面成膜的保护膜60。由此，如图16所示，在没有配置围堰61的区域上成膜的保护膜60被除去。另外，在格子图案的布线上形成的金属保护膜47也被除去。
接着，利用所述的液滴喷出装置IJ，将透明导电性材料喷出、配置到围堰61的开口部分62内以及由围堰61包围的区域内。透明导电性材料是使ITO的导电性微粒分散到分散剂的分散液。
然后，在将透明导电性材料喷出到基板P之后，为了除去分散剂，根据需要进行干燥处理、煅烧处理。通过干燥、煅烧处理，导电性微粒间的电接触被确保，被变换成导电性膜。
这样，在基板P上如图17所示，形成了连接被分断的源极布线42的导电层49、源电极43、漏电极44、像素电极45，由此，制造成有源矩阵基板20。
另外，在本实施方式中，虽然喷出、配置于围堰61的开口部分62内以及由围堰61所包围的区域内的材料采用了透明导电材料，但是，在重视连接电阻的情况下，连接被分断的源极布线42的导电层49、源电极43也可以使用银或铜那样的导电材料。
而且，在本实施方式中，虽然对于利用液滴喷出法配置透明导电性材料的方法进行了说明，但是，也可以通过进行溅射处理和蚀刻处理来配置。在该情况下，不要围堰61。
如以上所说明那样，在本实施方式中，由于栅电极41由镍层F1的一层构造形成，因此可以形成平坦性以及致密性优异的布线图案，不会如利用通过加热平坦性会降低的银等材料那样表面变粗糙。
因此，在本实施方式中，还可以提高在栅电极41上配置的、复制栅电极41的平坦度的TFT30的平坦度。特别是在底部栅极构造的TFT30中，由于在沟道部的非晶硅膜的活性层32中，电子在与绝缘膜31的界面侧流动，所以，如果活性层32的平坦性降低使得电子的移动距离变长，则会阻碍电子的流动。因此，通过提高成为活性层32的基底的栅电极41的平坦性，使得活性层32平滑化、电子的流动变得顺畅，可以提高TFT30的特性。
并且，在本实施方式中，由于使配置在开口部分52的功能液L1流动而配置到开口部分54处，所以，即使例如开口部分54的宽度比喷出后的液滴直径小，也能够填充功能液，由此，可容易地形成微细的图案。
另外，在上述实施方式中，可以减少将干法工艺和光致蚀刻进行组合的处理。即，由于同时形成了栅极布线40以及源极布线42，所以，可以将组合了干法工艺和光致蚀刻的处理减少一次。并且，在第一工序与第三工序中，通过采用液滴喷出法将导电性材料配置到基板P上，能够进一步减少组合了干法工艺和光致蚀刻的处理。
此外，在本实施方式中，由于在电容线46上形成的层叠部35(绝缘膜31、活性层32、接触层33)以不与在交叉部56上形成的层叠部35接触的方式而分断形成，所以，可避免流经源极布线42的电流流入到电容线46上的层叠部35的不良情况。
即，在形成层叠部35的层中，接触层33是导电性膜，而且，在交叉部56上的层叠部35(接触层33)上形成有连接源极布线42的导电层49。因此，流经源极布线42的电流也会流入到接触层33。因此，如果电容线46上的层叠部35与交叉部56上的层叠部35接触，则如上所述，会发生流经栅极布线42的电流流入到电容线46上的层叠部35的现象。
因此，根据本发明的有源矩阵基板20，可以避免这样的不良情况，因此，能够发挥所期望的性能。
<电光学装置>
下面，对作为使用了有源矩阵基板20的电光学装置的一个例子，即液晶显示装置100进行说明。
图18是从对置基板侧观察液晶显示装置100的俯视图，图19是沿着图18的H-H’线的剖视图。
另外，在以下说明所使用的各附图中，为了将各层和各部件在附图上形成为可识别程度的大小，按各层和各部件使比例尺不同。
在图18以及图19中，液晶显示装置(电光学装置)100通过光固化性的封闭材料，即密封材152将包含有源矩阵基板20的TFT阵列基板110和对置基板120粘贴在一起，并将液晶150封入、保持到由该密封材152所划分的区域内。密封材152在基板面内的区域中形成为封闭的框状，成为不具备液晶注入口且没有被封闭材料封闭的痕迹的构成。
在密封材152的形成区域的内侧区域，形成有由遮光性材料构成的周边分离部153。在密封材152的外侧区域，沿着TFT阵列基板110的一边形成有数据线驱动电路201和安装端子202，沿着与该一边邻接的两条边形成有扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板110的剩余一条边形成有多根布线205，用于对在图像显示区域的两侧设置的扫描线驱动电路204之间进行连接。而且，在对置基板120的角落部的至少一处设置有基板间导通材206，用于在TFT阵列基板110与对置基板120之间实现电导通。
另外，替代在TFT阵列基板110之上形成数据线驱动电路201以及扫描线驱动电路204，例如可以经由各向异性导电膜，通过电气以及机械方式将安装有驱动用LSI的TAB(Tape Automated Bonding)基板和在TFT阵列基板110的周边部形成的端子组进行连接。
而且，在液晶显示装置100中，根据所使用的液晶150的种类，即根据TN(Twisted Nematic)模式、C-TN法、VA方式、IPS方式模式等的动作模式，或正常白色模式/正常黑色模式的差别，沿规定的朝向配置相位差板、偏振板等，但在这里省略了图示。
而且，在将液晶显示装置100作为彩色显示用而构成的情况下，在对置基板120中，例如将红(R)、绿(G)、蓝(B)的彩色滤光器与其保护膜一同形成在与TFT阵列基板110的后述各像素电极对置的区域。
并且，作为使用了有源矩阵基板20的电光学装置，例如能够应用于有机EL(场致发光)显示装置。
有机EL显示装置具有由阴极和阳极夹持含有荧光性的无机以及有机化合物的薄膜的构成，是一种通过将电子和空穴注入所述薄膜使其激发，来生成激子(exciton)，利用该激子再次结合时放出的光(荧光、磷光)使其发光的元件。
而且，在具有TFT30的有源矩阵基板20上，通过将有机EL显示元件所使用的荧光性材料中，呈现红、绿以及蓝色的各种发光颜色的材料，即形成发光层形成材料以及空穴注入/电子输送层的材料作为墨水，对每一个进行图案形成，可以制造自发光全彩有机EL显示装置。
并且，有源矩阵基板20通过在膜面平行地使电子流到PDP(等离子显示面板)和在基板上形成的小面积薄膜，也可以应用于利用电子放射所产生的现象的表面传导型电子放射元件等。
<电子设备>
下面，对本发明的电子设备的具体例进行说明。
图20(a)是表示移动电话的一个例子的立体图。在图20(a)中，600表示移动电话主体，601表示具备上述实施方式的液晶显示装置100的显示部。
图20(b)是表示文字处理器、笔记本电脑等便携式信息处理装置的一个例子的立体图。在图20(b)中，700表示信息处理装置，701表示键盘等输入部，703表示信息处理主体，702表示具备上述实施方式的液晶显示装置100的显示部。
图20(c)是表示手表式电子设备的一个例子的立体图。在图20(c)中，800表示手表主体，801表示具备上述实施方式的液晶显示装置100的显示部。
这样，由于图20(a)～(c)所示的电子设备具有上述实施方式的液晶显示装置100，所以，能够得到高的品质和性能。
而且，在电视或监视器等大型液晶面板中也可以使用本实施方式。
另外，虽然本实施方式的电子设备是具备液晶显示装置100的设备，但也可以是具备有机场致发光显示装置、等离子式显示装置等其他电光学装置的电子设备。
以上，参照附图对本发明所涉及的优选实施方式进行了说明，但本发明不限定于所涉及的实例。在上述实例中所表示的各构成部件的各种形状与组合等仅是一个例子，在不脱离本发明的主旨范围内可以基于设计要求等进行各种变更。
例如，在上述实施方式中，对于在交叉部56处分割源极布线42的情况进行了说明，但是，也可以是在交叉部56处分割栅极布线40。而且，说明了按照电容线46上的层叠部35和交叉部56上的层叠部35成为非接触的方式，来避免流经源极布线42的电流流入到电容线46上的层叠部35的不良情况，但也可以通过在TFT30的形成时同时除去交叉部56上的层叠部35中的接触层33，来避免上述的不良情况。

Claims (11)

1.一种有源矩阵基板的制造方法，所述有源矩阵基板在基板上形成有第一布线、和宽度比所述第一布线窄且与该第一布线连接的第二布线，
所述有源矩阵基板的制造方法包括：
形成跨过基板上的第一布线形成区域及第二布线形成区域的第一导电层的工序；和
形成第二导电层的工序，所述第二导电层在所述第一布线形成区域配置成层叠在所述第一导电层上的状态，并且在所述第二布线形成区域配置成相对于所述第一导电层为非层叠状态。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，
具有：在所述第二布线的至少一部分上形成开关元件的工序。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，
所述第一导电层及所述第二导电层，通过喷出含有第一导电材料的第一液滴及含有第二导电材料的第二液滴而分别形成。
4.根据权利要求3所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，
所述第二布线形成区域中的所述第一导电层，通过使喷出到所述第一布线形成区域的所述第一液滴流动到所述第二布线形成区域而形成。
5.根据权利要求3或4所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，
所述第一液滴具有有机系溶剂，
所述第二液滴具有水系溶剂。
6.根据权利要求1～5的任一项所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，
具有：
在所述基板上形成格子状的布线图案的工序，所述格子状的布线图案由所述第一布线及所述第二布线的任意一方在交叉部被分断而成；
在所述交叉部及所述布线图案的一部分上形成由绝缘膜和半导体膜构成的层叠部的工序；和
在所述层叠部上，形成使所述被分断的布线图案电连接的导电层、及经由所述半导体膜与所述布线图案电连接的像素电极的工序。
7.根据权利要求6所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，
包括：对所述半导体膜实施半曝光处理而形成所述开关元件的工序。
8.根据权利要求6或7所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，
所述布线图案具有：源极布线、具有栅电极的栅极布线、及沿着栅极布线近似成直线状延伸的电容线，
所述源极布线在所述交叉部被分断，
所述第一布线包括所述栅极布线，所述第二布线包括所述栅电极。
9.一种有源矩阵基板，利用权利要求1～8的任一项所述的制造方法制造。
10.一种电光学装置，具备权利要求9所述的有源矩阵基板。
11.一种电子设备，具备权利要求10所述的电光学装置。
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