CN1949557A - 有机场致发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了包括其中层叠有阳极、发射层和阴极的结构的有机场致发光器件，其中由式1代表的荧光化合物用作发射层的发射材料或用作发射层的掺杂剂，在式1中，A1和A2独立地选自取代或未取代的C1－C6脂族基，C6－C20芳族基和含N、S或O的C5－C19杂环基，A3选自取代或未取代的C1－C6脂族基，C6－C20芳族基，含N、S或O的C5－C19杂环基和氢原子，A1、A2和A3的取代基分别是一个或多个，并且所述取代基选自：C1－C10烷基，C1－C10烷氧基，C1－C10烷基氨基，C1－C10烷基甲硅烷基，卤原子，C6－C10芳基，C6－C10芳基氧基，C6－C10芳基氨基，C6－C10芳基甲硅烷基和氢原子。本发明公开了包括其中层叠有阳极、发射层和阴极的结构的有机场致发光器件，其中由式1代表的荧光化合物用作发射层的掺杂剂并且由式2代表的荧光化合物用作发射层的基质：在式2中，A独立地选自取代或未取代的C6－C30芳族基，B独立地选自取代或未取代的C6－C30芳族基和氢原子，A和B的取代基可分别是一个或多个，并且所述取代基选自：C1－C10烷基和氢原子。

Description

有机场致发光器件
本申请要求2005年10月12日提交的韩国专利申请10-2005-0096003和10-2005-0096004的优先权，其被全文并入本文作为参考。
技术领域
本发明涉及有机场致发光器件，更特别地，本发明涉及包括其中层叠有阳极、发射层和阴极的结构的有机场致发光(EL)器件，其中式1的荧光化合物用作EL器件的发射层的发射材料、或用作EL器件的发射层的掺杂剂，式1的荧光化合物用作EL器件的发射层的掺杂剂并且式2的荧光化合物用作EL器件的发射层的基质。
最近，显示器尺寸的增加提高了对占据小空间的平板显示器的需求。其中包括平板显示器的有机场致发光(EL)器件(还称作有机发光二极管(OLED)的器件)及其各种领航产品的技术不断蓬勃发展。
背景技术
有机场致发光(EL)器件是这样一种体系，即当电子重新结合空穴从而形成电子空穴对时发光，然后通过向在电子注入电极(阴极)和空穴注入电极(阳极)之间形成的有机薄膜内注射电荷时光消失。有机场致发光器件表现出诸如以下的优点：能够在挠性和透明衬底如塑料材料上制造器件，能够在比等离子体显示板或无机场致发光显示器低的电压(小于10伏特)下工作，相对低的电能消耗，和优异的从发光颜色到所需颜色的可协调性。另外，有机EL器件可显示三种颜色，即绿光、蓝光和红光的光，并因此已作为能发射各种颜色的下一代显示器而吸引了大量的注意。
制造常规的有机EL器件的方法将在以下简略描述。
首先，将阳极材料淀积在透明衬底上。通常使用氧化铟锡(ITO)作为阳极材料。
然后，在阳极上淀积空穴注入层(HIL)。作为空穴注入层，通常在阳极上淀积铜酞菁(CuPc)到10到30纳米的厚度。
然后在空穴注入层上淀积空穴传输层(HTL)，作为空穴传输层(HTL)，在空穴注入层上淀积4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)到30到60纳米的厚度。
然后在空穴传输层上形成有机发射层。这里，如有必要，可添加掺杂剂到有机发射层。例如，如果希望制造发射绿光的有机EL器件时，将三(8-羟基-喹啉合(quinolate))铝(下文中简称为Alq3)作为有机发射层淀积到约30到60纳米的厚度。这里，主要使用N-甲基喹吖啶酮(MQD)作为掺杂剂。
然后，在有机发射层上顺序地淀积电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)，或者，在其上形成电子注入层/电子传输层。如果希望发射绿光，则电子注入层(EIL)/电子传输层(ETL)可能是不必要的，因为用于有机发射层的Alq3具有高的电子传输能力。
然后，在其上形成阴极，并且最终，在所得结构上另外包覆保护膜。
根据在所得结构中如何形成发射层而定，有可能根据需要制造发射蓝色、绿色或红光的器件。同时，作为发射化合物用来实现常规的发射器件的材料具有与差的工作寿命和发光效率有关的问题。
发明内容
因此，本发明涉及一种有机场致发光器件，其基本上避免了由于有关领域中的限制和缺陷所带来的一种或多种问题。
本发明的目的是通过式1和式2的化合物的合成提供具有高色纯度、高亮度和长寿命的有机场致发光器件。
本发明的其它优点、目的和特征将在某种程度上在随后的描述中被阐述，并且对于本领域的普通技术人员而言，根据以下描述或从实践本发明所获悉，本发明的其它优点、目的和特征将在某种程度上是显而易见的。本发明的目的和其它优点可通过本说明书和权利要求及其附图中所特别提及的结构而实现和获得。
为了实现这些目的和其它优点并根据本发明的目的，正如本文所具体地和广泛地描述的，本发明提供了包括其中层叠有阳极、发射层和阴极的结构的有机场致发光器件，其中由下式1代表的荧光化合物用作EL器件的发射层的发射材料。
本发明还提供了包括其中层叠有阳极、发射层和阴极的结构的有机场致发光器件，其中由下式1代表的荧光化合物用作EL器件的发射层的掺杂剂。
其中所述的式1化合物用作EL器件的发射层的发射材料，所述的EL器件将发射橙色光，橙色的坐标为CIE X＝0.45～0.60，CIE Y＝0.30～0.50。其中所述的式1化合物用作EL器件的发射层的掺杂剂，所述的EL器件将发射绿光，绿色的坐标为CIE X＝0.45～0.60，CIE Y＝0.30～0.50。
(式1)
其中A1和A2独立地选自取代或未取代的C1-C6脂族基，C6-C20芳族基和含N、S或O的C5-C19杂环基，A3选自取代或未取代的C1-C6脂族基，C6-C20芳族基，含N、S或O的C5-C19杂环基和氢原子。
在式1中，A1、A2和A3的取代基可分别是一个或多个，并且所述取代基选自：C1-C10烷基，C1-C10烷氧基，C1-C10烷基氨基，C1-C10烷基甲硅烷基，卤原子，C6-C10芳基，C6-C10芳基氧基，C6-C10芳基氨基，C6-C10芳基甲硅烷基和氢原子。
本发明还提供包括其中层叠有阳极、发射层和阴极的结构的有机场致发光器件，其中由上式1代表的荧光化合物用作掺杂剂并且由下式2代表的荧光化合物用作EL器件的发射层的基质，
(式2)
其中A独立地选自取代或未取代的C6-C30芳族基，B独立地选自取代或未取代的C6-C30芳族基和氢原子。
在式2中，A和B的取代基可分别是一个或多个，并且所述取代基选自：C1-C10烷基和氢原子。
其中式1的化合物用作发射层的掺杂剂，其掺杂浓度优选在0.5重量％到10重量％的范围内。
由式1代表的化合物的具体例子包括以下的化合物G-01到G-156：
Figure A20061013183800091
Figure A20061013183800101
Figure A20061013183800131
Figure A20061013183800141
Figure A20061013183800151
Figure A20061013183800161
Figure A20061013183800171
由式2代表的化合物的具体例子包括以下的化合物H-01到H-32：
Figure A20061013183800221
可以理解，本发明以上的一般说明和以下的详细说明是示例性的和说明性的，其意在提供对要求保护的本发明进一步的说明。
具体实施方式
被引入本申请并构成本申请的一部分的附图的目的是提供对本发明的进一步理解、说明本发明的方案并结合说明书用于说明本发明的原则，在附图中：
图1说明了4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)，铜(II)酞菁(CuPc)，三(8-羟基喹啉合)铝(Alq3)，H-1，H-2，H-3和D-1的各自的结构式，它们是在本发明的实施例中使用的化合物。
发明详述
现在将详细描述本发明的优选方案，其例子在附图中说明。只要可能，可贯彻整个附图使用相同的附图标记用于表示相同或相似的部分。
以下，描述本发明的绿色荧光化合物的合成法，例如，使用在根据本发明的有机场致发光器件中使用的绿色磷光化合物中的化合物G-02、G-68和G-101。
合成例
1.G-02的合成
(1)2，6-二溴代蒽醌的合成
在冰浴上的1000毫升烧杯中，将50克的2，6-二氨基蒽醌溶于500毫升的浓盐酸中，向其中逐渐滴加25克的NaNO2水溶液，得到的溶液回温到室温，然后向所得溶液中逐渐滴加25克的KI水溶液，混合物在室温下搅拌24小时。在反应完成后，将反应物质过滤并用水洗涤，经过洗涤的物质从二氯甲烷(MC)和甲醇重结晶，从而得到30克的褐色的2，6-二溴代蒽醌。
(2)2，6-二溴代蒽的合成
Figure A20061013183800232
将30克的2，6-二溴代蒽醌、5克的Zn和25克的NaOH在200毫升水中在100℃搅拌24小时，当反应完成时，过滤反应物质，将如此获得的有机物质和无机物质溶于氯仿，得到的混合物再次过滤。得到的过滤物施用于硅胶短柱上，从而分离无机物质。经过分离的物质从MC和甲醇重结晶，从而获得15克的2，6-二溴代蒽。
(3)G-02的合成
将2克的2，6-二溴代蒽、5克的4，4′-二甲苯基胺、0.05克的Pd(OAC)2、0.09克的BINAP和6克的NaOtBu溶于100毫升的甲苯中，混合物在回流条件下搅拌24小时，在反应完成后，首先除去甲苯，然后添加甲醇。得到的混合物经过过滤，将获得的有机物质施用于硅胶短柱上，使用二氯甲烷(MC)作为洗脱液。经过洗脱的物质从二氯甲烷和甲醇重结晶，从而获得1.5克的G-02。
2.G-68的合成
(1)2，6-二溴代-9，10-二苯基蒽的合成
Figure A20061013183800242
将6的苯基锂溶于Et2O，将得到的溶液逐渐滴加到含有溶于Et2O中的5克的2，6-二溴代蒽醌的溶液中，该反应在干冰浴上进行。然后，将反应物质的温度升高到室温，从而获得白色固体。将得到的固相溶于100毫升乙酸中，然后添加KI和NaH2PO2，得到的混合物在130℃搅拌24小时，在反应完成后，得到的物质通过添加水进行过滤。过滤物然后从二氯甲烷和甲醇重结晶，从而获得4.5克的2，6-二溴代-9，10-二苯基蒽。
(2)G-68的合成
Figure A20061013183800251
4.5克的2，6-二溴代-9，10-二苯基蒽、8克的4，4′-二甲苯基胺、0.10克的Pd(OAC)2、0.18克的BINAP和12克的NaOtBu溶于150毫升的甲苯中，得到的溶液在回流条件下搅拌24小时，在反应完成后，首先除去甲苯，然后添加甲醇。得到的混合物经过过滤，将由此获得的有机物质施用于硅胶短柱，使用二氯甲烷(MC)作为洗脱液。经过洗脱的物质从二氯甲烷和甲醇重结晶，由此获得2.5克的G-68。
3.G-101的合成
(1)2，6-二溴代-9，10-二-1-萘基蒽的合成
Figure A20061013183800252
将5克的1-萘基锂溶于Et2O中，将得到的溶液逐渐滴加到含有溶于Et2O中的5克的2，6-二溴代蒽醌的溶液中，该反应在干冰浴上进行，然后，将反应物质的温度升高到室温，从而获得中间产物，获得的中间产物经过过滤，从而获得白色固体。将如此获得的白色固体溶于100毫升的乙酸中，然后添加KI和NaH2PO2，混合物在130℃搅拌24小时。当反应完成后，对反应物质添加水进行过滤，过滤物从二氯甲烷和甲醇重结晶，由此获得4克的2，6-二溴代-9，10-二-1-萘基蒽。
(2)G-101的合成
将4克的2，6-二溴代-9，10-二-1-萘基蒽、8克的4，4′-二甲苯基胺，0.1克的Pd(OAC)2、0.18克的BINAP和12克的NaOtBu溶于150毫升的甲苯中，得到的溶液在回流条件下搅拌24小时，在反应完成后，首先除去甲苯，然后添加甲醇。得到的混合物经过过滤，将由此获得的有机物质施用于硅胶短柱，使用二氯甲烷(MC)作为洗脱液。经过洗脱的物质从二氯甲烷和甲醇重结晶，由此获得2.3克的G-101。
现在，将参考以下实施例更详细地描述本发明。提供这些实施例仅用于说明本发明，其不对本发明的范围和精神构成限制。
实施例
实施例1到8
将氧化铟锡(ITO)玻璃形成图形，以具有3mm×3mm的发射区并进行清洗。将衬底置于真空室上并设定标准压力为1×10-6托。然后，在ITO上按以下次序顺序地形成各个有机物质薄膜：CuPC(200)，NPB(400)，EML(200)，Alq3(300)，LiF(5)和Al(1000)，从而制备有机场致发光器件。
比较例1和2
与实施例1到8同样的方法制备有机场致发光器件，不同之处在于使用与本发明的化合物不同的基质。
在实施例1到8和比较例1和2之间比较了有机场致发光器件的特征和性能。如此获得的结果如表1所示。在表1中，各自的性能值是指在0.9毫安电流下测量的值，寿命是指亮度从1000尼特起始值降低到500尼特所需的时段(小时)。
表1
  EML   电压(V)   亮度(cd/m2)   电流效率(cd/A)   CIE(XY)   寿命(小时)
  实施例1   G-03   6.9   1233   12.3   (0.44 0.58)   10,000
  实施例2   G-12   6.4   1025   10.3   (0.41 0.55)   10,000
  实施例3   G-39   7.0   1130   13.0   (0.36 0.58)   8,000
  实施例4   G-42   6.8   1164   11.6   (0.37 0.60)   10,000
  实施例5   G-68   6.2   1267   12.7   (0.36 0.61)   10,000
  实施例6   G-72   6.7   1308   13.1   (0.38 0.60)   8,000
  实施例7   G-140   7.1   1207   12.1   (0.37 0.58)   7,000
  实施例8   G-153   7.0   1344   13.4   (0.36 0.56)   6,000
  比较例1   Alq3   7.8   786   7.9   (0.37 0.64)   2,000
  比较例2   D-a   8.3   603   6.0   (0.56 0.43)   1,000
实施例9到28
将氧化铟锡(ITO)玻璃形成图形，以具有3mm×3mm的发射区并进行清洗。将衬底置于真空室上并设定标准压力为1×10-6托。然后，在ITO上按以下次序顺序地形成各个有机物质薄膜：CuPC(200)，NPB(400)，基质(参见图1)+掺杂剂(式1)(0.5％-10％)(200)，Alq3(300)，LiF(5)和Al(1000)，从而制备有机场致发光器件。
比较例3到5
与实施例9到28同样的方法制备有机场致发光器件，不同之处在于使用与本发明的化合物不同的掺杂剂。
在实施例9到28和比较例3到5之间比较了有机场致发光器件的特征和性能。如此获得的结果如表2所示。在表2中，各自的性能值是指在0.9毫安电流下测量的值，寿命是指亮度从1000尼特起始值降低到500尼特所需的时段(小时)。
表2
  掺杂剂   基质   掺杂浓度   电压(V)   亮度(cd/m2)   电流效率(cd/A)   CIE(XY)   寿命(小时)
  实施例9   G-02   H-1   2％   6.8   1783   17.8   (0.26 0.65)   36,000
  实施例10   G-19   H-1   3％   6.8   1692   16.9   (0.27 0.64)   40,000
  实施例11   G-36   H-2   3％   6.5   1716   17.1   (0.28 0.65)   35,000
  实施例12   G-42   H-3   3％   6.6   1820   18.2   (0.29 0.67)   40,000
  实施例13   G-64   H-3   3％   6.5   1905   19.0   (0.31 0.65)   45,000
  实施例14   G-68   H-1   1％   6.6   2037   20.4   (0.29 0.66)   55,000
  实施例15   G-68   H-1   3％   6.6   2011   20.1   (0.29 0.66)   50,000
  实施例16   G-68   H-3   3％   6.5   1968   29.7   (0.29 0.66)   35,000
  实施例17   G-78   H-1   3％   6.9   1815   18.1   (0.30 0.66)   38,000
  实施例18   G-85   H-1   3％   6.5   2140   21.4   (0.28 0.67)   35,000
  实施例19   G-102   H-1   1％   6.4   2065   20.7   (0.31 0.65)   40,000
  实施例20   G-116   H-2   3％   6.7   2005   20.0   (0.28 0.67)   40,000
  实施例21   G-120   H-2   3％   6.9   2019   20.2   (0.30 0.66)   35,000
  实施例22   G-124   H-1   3％   6.4   1956   19.6   (0.27 0.63)   40,000
  实施例23   G-131   H-1   3％   6.4   2251   22.5   (0.31 0.64)   40,000
  实施例24   G-133   H-1   3％   6.2   2150   22.5   (0.29 0.64)   40,000
  实施例25   G-146   H-1   1％   6.3   2269   22.7   (0.31 0.64)   50,000
  实施例26   G-146   H-1   3％   6.4   2196   22.0   (0.31 0.64)   50,000
  实施例27   G-146   H-2   3％   6.3   2068   20.7   (0.31 0.63)   45,000
  实施例28   G-148   H-1   3％   6.4   2093   20.9   (0.28 0.63)   40,000
  比较例3   D-1   H-1   2％   6.6   1608   16.8   (0.34 0.65)   25,000
  比较例4   D-1   H-2   1％   6.3   1638   16.4   (0.33 0.66)   20,000
  比较例5   D-1   H-3   3％   6.7   1520   15.2   (0.36 0.63)   18,000
实施例29到48
将氧化铟锡(ITO)玻璃形成图形，以具有3mm×3mm的发射区并进行清洗。将衬底置于真空室上并设定标准压力为1×10-6托。然后，在ITO上按以下次序顺序地形成各个有机物质薄膜：CuPC(200)，NPB(400)，基质(式2)+掺杂剂(式1)(0.5％-10％)(200)，Alq3(300)，LiF(5)和Al(1000)，从而制备有机场致发光器件。
比较例6到8
与实施例29到48同样的方法制备有机场致发光器件，不同之处在于使用与本发明的化合物不同的掺杂剂。
在实施例29到48和比较例6到8之间比较了有机场致发光器件的特征和性能。如此获得的结果如表3所示。在表3中，各自的性能值是指在0.9毫安电流下测量的值，寿命是指亮度从1000尼特起始值降低到500尼特所需的时段(小时)。
表3
  掺杂剂   基质   掺杂浓度   电压(V)   亮度(cd/m2)   电流效率(cd/A)   CIE(XY)   寿命(小时)
  实施例29   G-02   H-11   2％   6.8   1783   17.8   (0.26 0.65)   36,000
  实施例30   G-19   H-11   3％   6.8   1692   16.9   (0.27 0.64)   40,000
  实施例31   G-36   H-4   3％   6.5   1716   17.1   (0.28 0.65)   35,000
  实施例32   G-42   H-14   3％   6.6   1820   18.2   (0.29 0.67)   40,000
  实施例33   G-64   H-14   3％   6.5   1905   19.0   (0.31 0.65)   45,000
  实施例34   G-68   H-11   1％   6.6   2037   20.4   (0.29 0.66)   55,000
  实施例35   G-68   H-11   3％   6.6   2011   20.1   (0.29 0.66)   50,000
  实施例36   G-68   H-14   3％   6.5   1968   29.7   (0.29 0.66)   35,000
  实施例37   G-78   H-11   3％   6.9   1815   18.1   (0.30 0.66)   38,000
  实施例38   G-85   H-11   3％   6.5   2140   21.4   (0.28 0.67)   35,000
  实施例39   G-102   H-11   1％   6.4   2065   20.7   (0.31 0.65)   40,000
  实施例40   G-116   H-4   3％   6.7   2005   20.0   (0.28 0.67)   40,000
  实施例41   G-120   H-4   3％   6.9   2019   20.2   (0.30 0.66)   35,000
  实施例42   G-124   H-11   3％   6.4   1956   19.6   (0.27 0.63)   40,000
  实施例43   G-131   H-11   3％   6.4   2251   22.5   (0.31 0.64)   40,000
  实施例44   G-133   H-11   3％   6.2   2150   22.5   (0.29 0.64)   40,000
  实施例45   G-146   H-11   1％   6.3   2269   22.7   (0.31 0.64)   50,000
  实施例46   G-146   H-11   3％   6.4   2196   22.0   (0.31 0.64)   50,000
  实施例47   G-146   H-4   3％   6.3   2068   20.7   (0.31 0.63)   45,000
  实施例48   G-148   H-11   3％   6.4   2093   20.9   (0.28 0.63)   40,000
  比较例6   D-1   H-11   2％   6.6   1608   16.8   (0.34 0.65)   25,000
  比较例7   D-1   H-4   1％   6.3   1638   16.4   (0.33 0.66)   20,000
  比较例8   D-1   H-14   3％   6.7   1520   15.2   (0.36 0.63)   18,000
本发明提供了比常规的有机场致发光器件具有更高色纯度、更高亮度和更长寿命的有机场致发光器件，通过使用式1的化合物作为EL器件的发射层的发射材料、或使用式1的化合物作为EL器件的发射层的掺杂剂，和通过使用式1的化合物作为EL器件的发射层的掺杂剂并且使用式2的化合物作为EL器件的发射层的基质进行。
对本领域的技术人员显而易见的是，可在本发明中进行各种改变和修改，而不脱离本发明的精神或范围。因此，本发明覆盖了这些被归入本发明的权利要求及其等价物的范围内的修改和改变。

Claims (8)

1.包括其中层叠有阳极、发射层和阴极的结构的有机场致发光器件，其中由下式1代表的化合物用作发射层的发射材料：
Figure A2006101318380002C1
(式1)
其中A1和A2独立地选自取代或未取代的C1-C6脂族基，C6-C20芳族基和含N、S或O的C5-C19杂环基，
A3选自取代或未取代的C1-C6脂族基，C6-C20芳族基，含N、S或O的C5-C19杂环基和氢原子，和
A1、A2和A3的取代基分别是一个或多个，并且所述取代基选自：C1-C10烷基，C1-C10烷氧基，C1-C10烷基氨基，C1-C10烷基甲硅烷基，卤原子，C6-C10芳基，C6-C10芳基氧基，C6-C10芳基氨基，C6-C10芳基甲硅烷基和氢原子。
2.包括其中层叠有阳极、发射层和阴极的结构的有机场致发光器件，其中由下式1代表的化合物用作发射层的掺杂剂：
(式1)
其中A1和A2独立地选自取代或未取代的C1-C6脂族基，C6-C20芳族基和含N、S或O的C5-C19杂环基，
A3选自取代或未取代的C1-C6脂族基，C6-C20芳族基，含N、S或O的C5-C19杂环基和氢原子，和
A1、A2和A3的取代基分别是一个或多个，并且所述取代基选自：C1-C10烷基，C1-C10烷氧基，C1-C10烷基氨基，C1-C10烷基甲硅烷基，卤原子，C6-C10芳基，C6-C10芳基氧基，C6-C10芳基氨基，C6-C10芳基甲硅烷基和氢原子。
3.权利要求1的器件，其中器件的发射颜色为橙色。
4.权利要求2的器件，其中器件的发射颜色为绿色。
5.权利要求3的器件，其中橙色的坐标为CIE X＝0.45～0.60，CIE Y＝0.30～0.50。
6.权利要求4的器件，其中绿色的坐标为CIE X＝0.00～0.45，CIE Y＝0.35～0.85。
7.包括其中层叠有阳极、发射层和阴极的结构的有机场致发光器件，其中式1的化合物用作发射层的掺杂剂并且式2的化合物用作发射层的基质：
Figure A2006101318380003C1
(式1)
其中A1和A2独立地选自取代或未取代的C1-C6脂族基，C6-C20芳族基和含N、S或O的C5-C19杂环基，
A3选自取代或未取代的C1-C6脂族基，C6-C20芳族基，含N、S或O的C5-C19杂环基和氢原子，和
A1、A2和A3的取代基分别是一个或多个，并且所述取代基选自：C1-C10烷基，C1-C10烷氧基，C1-C10烷基氨基，C1-C10烷基甲硅烷基，卤原子，C6-C10芳基，C6-C10芳基氧基，C6-C10芳基氨基，C6-C10芳基甲硅烷基和氢原子；
Figure A2006101318380004C1
(式2)
其中A独立地选自取代或未取代的C6-C30芳族基，B独立地选自取代或未取代的C6-C30芳族基和氢原子，和
A和B的取代基分别是一个或多个，并且所述取代基选自：C1-C10烷基和氢原子。
8.权利要求2或7的器件，其中掺杂剂的掺杂浓度在0.5重量％到10重量％的范围内。
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