CN1918723B - 电致磷光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明描述一种电致发光元件，包括阴极和阳极和至少一个发光层，其中该发光层包括至少一种含特定元素的基质材料A和至少一个从三重态发光的发光体层B。

Description

电致磷光元件
在一系列不同的最广义上归于电子工业的应用场合中，有机半导体用作功能材料已经成为现实有一段时间了，或者在不久的将来预期会发生。能够在可见光谱区发光的半导体有机化合物的应用正开始引入市场，例如用于有机电致发光器件(OLEDs)。对于较简单的器件，OLEDs已经引入市场，这由具有“有机显示器”的先锋汽车收音机或者柯达的数字式摄象机所证实。然而，仍需要显著的技术改进。
更新近的开发是使用显示磷光磷光(＝三重态发光)而不是荧光(＝单线态发光)的有机金属络合物(M.A.Baldo et al.，Appl.Phys.Lett.1999，75，4-6)。出于量子力学的原因，使用这种类型的发光体，实现高达四倍的量子，能量和功率效率增加是可能的。然而，对于这种目的必须发现在OLEDs中也能够实这些优点的相应器件组合物。在这里应该提到的实际应用的主要条件特别是转变为三重态发光体高效的能量传递，因此高效发光，长的使用寿命和低的使用工作电压。
有机电致发光器件一般的结构例如描述在US 4539507，US 5151629，及EP 01202358中。在磷光器件中的发光层通常由磷光染料例如三(苯基吡啶基)铱(Ir(ppy)3))组成，其掺杂进入基质材料中。这种基质材料具有特定的作用：它必须促进或者改善空穴和/或电子的电荷迁移和/或电荷载体的再结合，如果适当，将一经再结合产生的能量传递到所述的发光体。这些工作迄今为止主要借助于基于咔唑，比如4，4’-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)的基质材料进行。另外，酮和亚胺(WO04/093207)和氧化膦，亚砜，砜等等最近已经被描述为基质材料(未公开的申请DE 10330761.3)。
基于咔唑的基质材料在实践中具有一些缺点。这些缺点尤其经常的是器件的短寿命和高工作电压，这导致低功率效率。而且，已经发现CBP对于发蓝色的电致发光器件不适合，这导致低效率。另外，所述的包括CBP的器件结构是很复杂的，因为必须另外使用空穴阻挡层和电子传输层。如果不使用这些附加层，如Adachi等人(OrganicElectronics 2001，2，37)中的描述，观察到良好的效率，但是仅仅在极其低的明亮度下具有良好效率，而在更高的如使用时必要的明亮度下，所述的效率比低的明亮度下低一个以上数量级。因此，对于高亮度需要高电压，在这里意谓着所述的功率效率，特别是在无源驱动应用场合是非常低的。WO00/057676提到的基质材料选自喹啉氧化物(quinoxolates)，噁二唑和三唑的金属络合物，其中没有提到这些基质材料相对于其它材料的优点，提到的惟一实施例是Alq3(三(羟基喹啉)铝)。WO04/095598描述了元素碳，硅，锗，锡，铅，硒，钛，锆和铪的四芳基化合物作为三重态发光体基质材料。
在OLEDs中仍需要迫切改进的相当多的问题是：
1.因此特别是，OLEDs的使用寿命仍很短，意谓着它至今仅仅可以实现简单的商业应用。
2.尽管OLEDs的效率是可接受的，然而在这里仍希望改进一尤其是对于移动式应用。
3.所述需要的工作电压很高，特别是在高效磷光OLEDs中，因此必须减少工作电压以改善所述的功率效率。这至关重要，特别是对于移动式应用。
4.所述的多种层使得OLEDs结构复杂化，工艺非常复杂。这特别适用于磷光OLEDs，其中，除其他层之外，还必须使用空穴阻挡层。因此实现具有更少层更简单结构的OLEDs，但是仍具有良好或者改进的性能，是非常有利的。
这些原因使得有必要改进OLEDs的生产。
令人惊讶地是，现在发现使用与三重态发光体结合的某些基质材料导致相对于现有技术明显的改进，特别是效率，以及显著增加的寿命和减少的工作电压。另外，这些基质材料能够实现显著简化的OLED层状结构，因为它不必使用另外的空穴阻挡层或者另外的电子迁移和/或电子注入层。取决于所述的材料，也可以省略另外的空穴传输层，这也代表了显著的工艺的优点。在这里对于高效能量转移，含有至少一种原子序数≥15的元素是必要的。
本发明涉及一种有机电致发光器件，包括阴极和阳极和至少一个发光层，特征在于所述的发光层：
·包含至少一种基质材料A，所述的基质材料A包含至少一种原子序数≥15的元素，条件是所述的基质材料不包含元素Si，Ge，Sn，Pb，Al，Ga，In，或者Tl，而且不是惰性的气体化合物，进一步的条件是不包括具有部分结构L＝X的基质材料A，其中L代表取代的C，P，As，Sb，Bi，S，Se或者Te，X具有至少一个非键电子对，条件是不包括元素Se，Ti，Zr，和hf的四芳基化合物，条件是不包括喹啉氧化物，噁二唑和三唑的金属络合物作为基质材料；
及
·包含至少一种发光材料B，所述的发光材料B一经适当的激发从三重态发光，优选在可见区发光，包含至少一种原子序数大于20的元素。
上述使用的符号“＝”代表Lewis概念意义上的双键。X例如可以代表取代的O，S，Se或者N。
所述基质材料的最低的三重态能量优选为2-4ev。所述的最低三重态能量在这里定义为所述的分子单线态基态与最低的三重态之间的能量差异。所述的三重态能量可以通过各种各样的光谱法或者量子化学计算确定。这种三重态证明是有利的，因为所述的基质材料的能量到三重态发光体的转移然后非常有效地进行，因此导致从所述的三重态发光体高效的发光。对于高效的能量转移，<2ev的三重态能量通常不够，甚至对于发红光的三重态发光体。优选基质材料A，其三重态能量大于使用的三重态发光体B的三重态能量。所述基质材料A的三重态能量优选至少大于所述的三重态发光体B的能量0.1ev，特别是大于所述的三重态发光体B的能量至少0.5ev。
为了保证显示器的高热稳定性，优选玻璃化转变温度Tg(作为纯物质测定)大于90℃的无定形基体材料，特别是优选大于110℃，特别是大于130℃。
为了在蒸汽淀积过程期间稳定，它们应该优选具有高热稳定性，优选大于200℃，特别优选大于300℃。
所述的基质材料A优选包含不带电的化合物。这些优选盐，因为它们通常与带电的化合物相比更容易或者在较低的温度下蒸发，形成离子晶格。另外，盐具有对于结晶作用增加的倾向，这可阻止类玻璃相的形成。所述的基质材料A进一步优选包含定义的分子化合物。
为了阻止所述的基质材料与所述的三重态发光体之间的基态电子转移，优选基质材料A的LUMO(最低空分子轨道)比三重态发光体B的HOMO(最高占有分子轨道)要高。出于相同的理由，优选的是三重态发光体B的LUMO比所述的基质材料A的HOMO更高。
具有更高(更少负电)HOMO的发光层化合物主要提供空穴电流。在这里优选的是对于这种化合物的HOMO，不管它是基质材料A或者三重态发光体B，应为空穴传输层或者空穴注入层或者阳极的HOMO的±0.5ev的区域(取决于这些层的哪一个与所述的发光层直接相邻)。具有低级(更负电)的LUMO的发光层化合物主要提供电子电流。在这里优选的是对于这种化合物的LUMO，不管它是基质材料A或者三重态发光体B，应为空穴阻挡层或者电子传输层或者阴极的LUMO的±0.5ev的区域(取决于这些层的哪一个与所述的发光层直接相邻)。
所述的发光层的电荷-载流子迁移率在所述的OLED中产生的磁场强度下优选为10-8-10-1cm2/V·s。
通过各种各样的方法，例如通过溶液电化学，例如循环伏安法，或者通过紫外线光电子光谱学确定所述的HOMO或者LUMO的位置。另外，从电化学确定的HOMO及通过吸收光谱法光学确定的能带间距计算LUMO的位置。
进一步优选在电子转移(氧化和/或还原)期间显著稳定的材料，即显示显著的可逆还原或者氧化。因此，电子传导材料应该特别是在还原期间稳定，及空穴传导材料应该在氧化期间稳定。在这里“稳定的”或者“可逆”意谓着所述的材料在还原或者氧化期间很少有或没有分解或者化学变化，比如重排。
可以在宽广的范围调整所述基质材料的HOMO或者LUMO位置以适应器件的各自条件，因此进行优化。因此，它们可以通过化学修饰变化。例如通过保留所述配位体体系或者取代基变化中心原子，或者通过在所述配位体上引入其它的特别是供电子或者吸电子取代基，上述的变化是可能的。本领域普通技术人员能够以这样一种方法调整每一种三重态发光材料的基质性能以得到总的理想的发光性能。
进一步，具有非零偶极矩的基质材料A证明是特别有利的。然而，在材料包含多个相同的分子碎片情况下，总的偶极矩也可以被消除。出于这样的理由，在本发明中在此情况下对于确定优选的基质材料不是考虑总的偶极矩，相反考虑原子序数≥15元素周围的分子碎片(即所述分子的部分)的偶极矩。优选所述基质材料A的偶极矩(或者原子序数≥15元素周围的分子碎片)≥1D，特别优选≥1.5D。本发明所述偶极矩可以通过量子化学计算确定。
所述基质材料A可以或者是有机的或者无机的。它也可以包含有机金属化合物或者配位化合物，其中所述金属可以是主族或者过渡金属或者镧系元素，及所述化合物可以是单环的或者多环的。对于该申请的目的，有机金属化合物是至少具有一个直接金属-碳键的化合物。对于该申请的目的，配位化合物是不含直接金属-碳键的金属络合物，其中所述配位体可以是有机的，而且可以是完全无机的配位体。
如上所述，适当的基质材料A是至少具有一种原子序数≥15但是不包含元素Si，Ge，Sn，Pb，Al，Ga，In，或者Tl的元素的化合物，及所述的化合物不是元素Se，Ti，Zr或者Hf的四芳基化合物。出于实际的考虑，同样不包括惰性的气体化合物(不稳定的或者低熔融化合物)。出于健康原因放射性元素的化合物也不优选作为基质材料。适当的材料可以是主族元素的化合物及副族元素的化合物。适当的主族元素的基质材料因此可以是碱金属钾、铷或者铯的化合物，此外碱土金属钙、锶或者钡的化合物，第5主族(根据IUPAC第15族)的重元素即磷，砷，锑或者铋的化合物，第6主族(根据IUPAC第16族)的重元素即硫，硒或者碲的化合物，或者卤素氯，溴或者碘的化合物。在第5及6主族化合物情况下，特别适当的是有机分子化合物。同样适当的是副族元素的化合物，过渡金属化合物(元素Sc，Y，Ti，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Cr，Mo，W，Mn，Re，Fe，Ru，Os，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Ag，Au，Zn，Cd或者Hg的化合物)及镧系元素化合物(元素La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb或者Lu的化合物)。本发明中也可以优选的是所述基质材料包含两种或多种可以相同的或者不同的上述提到的元素。原则上，本发明适当的化合物是如描述在如下文献中的那些：Houben-Weyl，Methoden der Organischen Chemie[Methods of OrganicChemistry](4th edition，Georg Thieme Verlag，Stuttgart，1964)，第9卷(S，Se，Te)，12/1 and 12/2(P)，13/1(Li，Na，K，Rb，Cs，Cu，Ag，Au)，13/2a(Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Cd)，13/2b(Hg)，13/7(Pb，Ti，Zr，Hf，Nb，Ta，Cr，Mo，W)，13/8(As，Sb，Bi)，13/9a(Mn，Re，Fe，Ru，Os，Pt)，13/9b(Co，Rh，Ir，Ni，Pd)，及增补卷E1和E2(P)和E12，b(Te)，1982。
优选的化合物是离散分子或者配位化合物，它们也可以形成固态离散结构。因此不太适当的是盐，配位高聚物等等，因为这些通常仅能在很困难的条件下蒸发或者完全不能蒸发。由于它们的结晶倾向，盐同样是不太适当的。为了从溶液中处理加工，所述化合物必须可溶于其中所述三重态发光体也溶解的溶剂中。
优选过渡金属的化合物，及第5，6和7主族元素的化合物；特别优选过渡金属的化合物，和第5和6主族元素的化合物。
第5主族元素(磷，砷，锑和铋)的适当的化合物优选是有机磷化合物和相应的砷，锑和铋化合物。本发明特别适当的是芳香或者脂族膦或者亚磷酸盐，和相应的As，Sb和Bi化合物。有机磷卤化物或者氢氧化物(和相应的As，Sb和Bi化合物)也是可以的，其中特别是所述烷基化合物有时是自燃的，因此是不优选的。同样适当的是含元素-元素多重键化合物，含磷的-和含砷的芳族化合物(例如含磷的和含砷的苯衍生物)和不饱和五元环(例如磷杂环戊烯和砷杂环戊烯)。此外适当的是膦烷(五价的磷化合物)和五价的有机砷化合物，和相应的五价有机砷卤化物或者氢氧化物(和相应的Sb和Bi化合物)，其中热稳定性随着卤素含量增加而下降，因此这些化合物是优选的。此外优选不包含磷硫双键的硫化磷，例如P4S3，P4S4或者P4S5。
适当的第6主族(硫，硒和碲)元素的化合物特别是有机硫化合物(或者相应的硒和碲化合物)，比如芳香或者脂族硫醇(或者相应的硒和碲化合物)，有机硫卤化物(或者相应的硒和碲化合物)，芳香或者脂族硫醚(或者硒或者碲醚)，或者芳香或者脂族二硫化物(或者二硒化物或者二碲化物)。此外优选含硫芳族化合物，比如噻吩，苯并噻吩或者硫芴的衍生物(或者相应的硒和碲化合物)，比如硒苯，碲苯等的衍生物)。所述卤素适当的化合物例如是有机的卤素化合物，而且是其中氯，溴或者碘与上述提到的元素例如S，Se，Te，P，As，Sb或者Bi结合的化合物，其中由于高的水解敏感性这些不是优选的。
特别优选的基质材料是含至少一种第5或者6主族元素的化合物，所述的元素可以被至少一个取代或者未取代的芳香或者杂芳族具有3-60个碳原子的环系取代，特别是其中第5或者6主族元素上所有的取代基是芳香或者杂芳族具有3-60个碳原子的环系的那些，所述的环系具有通式(A)或者通式(B)：
X(Ar)3Y(Ar)2
通式(A)通式(B)
其中以下适用于使用的符号：
X在每一次出现中，是P，As，Sb或者Bi，优选P或者As，特别优选P；
Y在每一次出现中，是S，Se或者Te，优选S或者Se，特别优选S；
Ar在每一次出现中，相同或者不同的是具有3-60个碳原子的芳香或者杂芳族环系，所述的环系可被F或者具有1-40个碳原子的有机基团取代，优选芳香环系具有6-40个碳原子。
在本发明优选实施方式中，Ar代表苯基，联苯，三联苯，萘基，蒽基，菲基，吡喃基(pyryl)，芴基，螺二芴基，二氢菲基，四氢芘基，或者2或者3个这些体系的组合。特别优选，至少基团Ar之一代表芴基或者螺二芴基，非常特别优选，所有的基团Ar代表芴基或者螺二芴基。
在所述过渡金属元素化合物的情况下，如在镧系元素，碱金属和碱土金属化合物的情况下，三类物质原则上是可能的：有机金属化合物，有机的配位化合物和完全无机的金属络合物。在金属化合物情况下，优选过渡金属元素化合物。这些每一种包含一种或多种金属原子，乃至金属簇。在多核金属络合物中，所述金属可以通过桥连配体和/或也通过直接金属金属键连接。应该明确指出在这一点上由于另外的原因，也可以用作三重态发光体的化合物也非常适当并优选作为本发明基质材料。因此，例如，发绿光的三重态发光体，比如三(苯基吡啶基)铱(III)(IrPPy)，也可以是发红光三重态发光体良好的基质材料，以该组合可以导致效率很高的红色发光。
关于有机金属化合物的评论例如见ComprehensiveOrganometallic Chemistry：The Synthesis，Reactions and Structures ofOrganometallic Compounds，Volumes 1-9，Wilkinson Ed.，Pergamon Press，Oxford，1982，in Comprehensive Organometallic Chemistry-II，Volumes1-14，Abel Ed.，Pergamon Press，Oxford，1995 and in Elschenbroich，Salzer，Organometallchemie[Organometallic Chemistry]，TeubnerStudienbücher，Stuttgart，1993。关于非有机金属金属络合物的评论例如见Hollemann，Wiberg，Lehrbuch der Anorganischen Chemie[Textbook ofInorganic Chemistry]，Walter de Gruyter，Berlin，1985，in Huheey，Keiter，Keiter，Inorganic Chemistry，Harper Collins，New York，1993 and inComprehensive Coordination Chemistry。
也可以优选包含两种或多种原子序数≥15的相同的或者不同的元素化合物，比如卤化的主族元素化合物，多核金属络合物，含有膦或者卤素卤素配位体的金属络合物等等。同样进一步优选的是使用满足上述提到的条件的两种或多种基质材料的混合物。
为了用作功能材料，所述基质材料与发光体B一起以薄膜形式，通过通常本领域普通技术人员熟知的方法施加到基材上，比如真空气相沉积，在载气流中气相沉积，或者也可以从溶液中通过旋涂或者使用各种各样的印刷方法(例如喷墨印刷，平板印刷，LITI印刷等等)施加。取决于处理加工，对于基质材料A和三重态发光体B的进一步的要求是：如果意欲通过真空气相沉积制造层，那么必要的是使材料在减压下放置蒸发而不分解。这需要材料足够的挥发性和高热稳定性。如果意欲从溶液例如通过印刷术制造所述层，那么必要的是所述材料在适当的溶剂或者溶剂混合物中具有足够的高溶解度，优选≥0.5％。
上述基质材料A与磷光发光体B结合使用。因此生产的有机电致发光器件包含一经适当的激发就发光，优选在可见区发光的至少一种化合物作为发射体B，及另外包含至少一种原子序数大于20，优选大于38小于84，特别优选大于56小于80的原子。
使用的磷光发光体B优选是包含钼，钨，铼，钌，锇，铑，铱，钯，铂，银，金或者铕，特别是铱或者铂的化合物。
特别优选的混合物包含至少通式(1)-(4)的一种化合物作为发射体B：
Figure S05804389620060815D000101
Formula(1)
Figure S05804389620060815D000102
Formula(2)
Formula(3)
Formula(4)
其中以下适用于使用的符号和标记：
DCy在每一次出现中，相同或者不同的是包含至少一种施主原子优选氮或者磷的环状基团，经由施主原子所述环状基团结合到所述金属，而且环状基团继而可以载带一个或多个取代基R1；所述基团DCy和CCy经由至少一个共价键彼此结合；
CCy在每一次出现中，相同或者不同的是包含碳原子的环状基团，经由碳原子所述环状基团与金属结合，所述的环状基团继而载带一个或多个取代基R1；
R1在每一次出现中，相同或者不同的是H，F，Cl，Br，I，NO2，CN，具有1-40个碳原子的直链、支链或者环烷基或者烷氧基，其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被-O-，-S-，-NR2-或者-CONR2-取代，其中一个或多个H原子可以被F，或者具有4-14个碳原子的芳基或者杂芳基取代，所述的芳基或杂芳基可被一个或多个非芳基R1取代；在本发明中，在相同的环以及在两个不同的环上多个取代基R1继而可以彼此形成另外的单或者多环的，芳香或者脂族环系；
A在每一次出现中，相同或者不同的是双齿的，螯合配位体，优选二酮酸盐配位体，
R2在每一次出现中，相同或者不同的是H，或者具有1-20个碳原子的脂族或者芳烃基团；
在这里多个所述配位体也可以经由一个或多个取代基R1作为桥接单位连接以形成较大的多配体配位体。
上面描述的发光体例子见如下申请：WO 00/70655，WO 01/41512，WO 02/02714，WO 02/15645，EP 1191613，EP 1191612，EP 1191614，WO 04/081017和未公开的申请DE 10345572.8。
在这里也可以优选的是所述发光层包含两种或多种三重态发光体B。
也可以优选的是所述发光层，除所述至少一种基质材料A和所述至少一种发射体B之外，还包含一种或多种另外的化合物。
所述有机电致发光器件的发光层，基于所述发光层总的组合物，包含99-1wt％，优选97-5wt％，特别优选95-50wt％，特别是93-80wt％，的基质化合物A。
所述发光层进一步包含，基于发光层总的组合物，1-99wt％，优选3-95wt％，特别优选5-50wt％，特别是7-20wt％的发光体B。
除所述阴极，所述阳极和所述发光层之外，所述有机电致发光器件还可以包含另外的层，空穴注入层，空穴传输层，空穴阻挡层，电子传输层和/或电子注入层。这些层的每一个，但是特别是电荷注入和传输层也可以被掺杂。然而，应该指出在这一点上这些层每一个不必都存在。因此，已经发现例如既不包含另外的空穴阻挡层也不包含另外的电子传输层的OLED可以进一步显示良好的电致发光结果，特别是还显示显著更高的功率效率。这是特别令人惊讶的，因为包括含咔唑基质材料而不包括空穴阻挡和电子传输层的相应OLED仅仅显示极低的功率效率(cf.Adachi et al.，Organic Electronics 2001，2，37)。同样发现不包含另外的空穴迁移和/或空穴注入层的OLED可以进一步显示良好的电致发光结果。特别是利用空穴传导基质材料A时，就是所述的情况。
因此本发明进一步涉及一种有机电致发光器件，其中所述发光层与所述电子传输层直接相邻而不使用空穴阻挡层，或者与所述电子注入层或者阴极直接相邻而不使用空穴阻挡层和电子传输层。因此本发明进一步涉及一种有机电致发光器件，其中所述发光层与所述空穴注入层直接相邻而不使用空穴传输层，或者与所述阳极直接相邻而不使用空穴传输层和空穴注入层。
一种包括含基质材料A和三重态发光体B的发光层另外可能的器件结构，特征在于与所述层垂直的所述基质A中发光体B的掺杂区仅在所述基质层部分延伸。对于其它的基质材料这已经描述在未公开的申请DE10355381.9中。在该器件结构中，使用另外的空穴阻挡层不是必要的，另外的电子传输层也不必必须使用。
所述有机电致发光器件，比根据现有技术的使用CBP作为基质材料的OLEDs，显示更高效率，显著更长的寿命和特别是，不使用空穴阻挡层和电子传输层，显著更低的工作电压和更高的功率效率。如果不使用另外的空穴阻挡层和/或电子传输层或者另外的空穴传输层和/或空穴注入层，所述OLED结构进一步显著简化，这代表了重要的工艺优点。
本发明申请本文仅仅涉及有机发光二极管和所述相应的显示器。不管所述描述的限制，本领域普通技术人员可以在不需要另外创造性劳动的情况下，使用基质材料A和三重态发光体B的相应混合物用于其它的应用场合，特别是用于OLED相近或者有关的应用场合，比如有机太阳能电池(OSCs)，有机激光二极管(O-lasers)，有机场效应晶体管(O-FETs)，有机薄膜晶体管(O-TFTs)及其他。
实施例：
实施例1：通过量子化学计算确定适当的化合物
一些化合物的电子性能通过量子化学计算确定。所述几何形态借助于Hartree-Fock calculation(6-31g(d))优化。所述HOMO和LUMO的值及所述偶极矩通过DFT(密度功能理论)计算(B3PW91/6-31g(d))确定。所述三重态能级通过RPA(随机相位近似)(B3LYP/6-31+g(d))确定。所有的计算使用Gaussian 98软件包进行。一些量子化学性质(尽管其他性能比如玻璃化转变温度等不必要)适合于三重态基质材料的化合物列在表1中。
 
化合物 HOMO[eV] LUMO[eV]   三重态能量[eV]       偶极矩[D]   
三苯基膦二苯基甲基膦二甲基苯基膦二苯硫甲基苯基硫   -6.06-6.12-6.27-6.17-6.37 -1.86-1.79-1.74-1.84-1.80 3.623.643.813.583.80 1.511.491.471.891.94
表1：作为三重态基质材料适当的(基于这些性能)一些材料的计算的物理性质

Claims (24)

1.一种有机电致发光器件，包括阴极和阳极和至少一个发光层，特征在于所述发光层：
●包含至少一种基质材料A，其选自通式(A)或者通式(B)的化合物：
X(Ar)3            Y(Ar)2
通式(A)           通式(B)
其中以下适用于使用的符号：
X在每一次出现中是P，As，Sb或者Bi；
Y在每一次出现中是S，Se或者Te；
Ar在每一次出现中，相同或者不同的是具有3-60个碳原子的芳香或者杂芳族环系，所述的环系可被F或者具有1-40个碳原子的有机基团取代，优选具有6-40个碳原子的芳香环系，
及
·包含至少一种能发光的发光材料B，所述发光材料B经适当的激发从三重态发光，及包含至少一种原子序数大于20的元素。
2.根据权利要求1的有机电致发光元件，特征在于所述芳香环系选自苯基，联苯基，三联苯基，萘基，蒽基，菲基，吡喃基，芴基，螺二芴基，二氢菲基，四氢芘基，或者2或者3个这些体系的组合。
3.根据权利要求1或2的有机电致发光器件，特征在于所述发光层包含至少两种这些基质材料A的混合物。
4.根据权利要求1或2的有机电致发光器件，特征在于所述基质材料A的三重态能量为2-4ev。
5.根据权利要求1或2的有机电致发光器件，特征在于所述基质材料A的三重态能量大于使用的发光材料B的三重态能量。
6.根据权利要求1或2的有机电致发光器件，特征在于所述基质材料A是无定形的。
7.根据权利要求6的有机电致发光器件，特征在于所述基质材料A的玻璃化转变温度Tg大于90℃。
8.根据权利要求1或2的有机电致发光器件，特征在于所述基质材料A是不带电的化合物。
9.根据权利要求1或2的有机电致发光器件，特征在于所述基质材料A的LUMO比发光材料B的HOMO高，而且所述发光材料B的LUMO比所述基质材料A的HOMO高。
10.根据权利要求1或2的有机电致发光器件，特征在于在发光层中具有负值更小的HOMO的化合物的HOMO位于，在阳极面上邻近于所述发光层的层的HOMO±0.5ev的范围。
11.根据权利要求1或2的有机电致发光器件，特征在于在所述发光层中具有负值更大的LUMO的化合物的LUMO位于，在阳极面上邻近于所述发光层的层的LUMO±0.5ev的范围。
12.根据权利要求1或2的有机电致发光器件，特征在于在原子序数≥15元素周围的分子碎片的偶极矩是非零的。
13.根据权利要求1或2的有机电致发光器件，特征在于所述基质材料A是也可形成固态离散结构的离散的分子或者配位化合物。
14.根据权利要求1或2的有机电致发光器件，特征在于使用的基质材料A是其本身也可从三重态发光的化合物。
15.根据权利要求1或2的有机电致发光器件，特征在于通过真空气相沉积，在载气流中气相沉积，或者从溶液通过旋涂或者借助于印刷方法将基质材料A和发光材料B的层施加到基底上。
16.根据权利要求1或2的有机电致发光器件，特征在于所述发光材料B包含至少一个原子序数大于38但小于84的原子。
17.根据权利要求16的有机电致发光器件，特征在于所述发光材料B包含元素钼，钨，铼，钌，锇，铑，铱，钯，铂，银，金或者铕的至少一种。
18.根据权利要求16的有机电致发光器件，特征在于使用至少两种发光材料B的混合物。
19.根据权利要求1或2的有机电致发光器件，特征在于所述发光层，基于发光层总的组合物，包含1-99wt％的一种或多种基质材料A和99-1wt％的一种或多种发光材料B。
20.根据权利要求19的有机电致发光器件，特征在于所述发光层，基于所述发光层总的组合物，包含80-93wt％的一种或多种基质材料A和20-7wt％的一种或多种发光材料B。
21.根据权利要求1或2的有机电致发光器件，特征在于除所述阴极，阳极和发光体层之外，还有另外的层。
22.根据权利要求21的有机电致发光器件，特征在于包含至少一个也可是掺杂的空穴注入层，和/或至少一个也可是掺杂的空穴传输层，和/或至少一个也可是掺杂的空穴阻挡层和/或至少一个电子传输层，和/或也可是掺杂的至少一个电子注入层。
23.根据权利要求22的有机电致发光器件，特征在于所述发光层与所述电子传输层直接相邻而不使用空穴阻挡层，或者特征在于所述发光层与所述电子注入层或者阴极直接相邻而不使用空穴阻挡层和电子传输层。
24.根据权利要求22的有机电致发光器件，特征在于所述发光层与所述空穴注入层直接相邻而不使用空穴传输层，或者特征在于所述发光层与所述阳极直接相邻而不使用空穴传输层和空穴注入层。
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