CN1913186A - 氮化物半导体发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种高输出的氮化物发光器件。该发光器件包括按其顺序沉积在基板上的第一导电型氮化物半导体层、活性层、和第二导电型氮化物半导体层。该发光器件还包括：第一和第二绝缘层，形成在氮化物半导体发光器件的不同上表面部分上；以及第一和第二结合焊盘，分别形成在第一和第二绝缘层上。该发光器件还包括第一和第二延伸电极，从第一和第二结合焊盘延伸并分别连接至第一和第二导电型半导体层。根据本发明的电极排列可以防止结合焊盘与发光器件之间的直接连接，从而具有仅利用延伸电极就可获得更均匀电流分布的对称结构。

Description

氮化物半导体发光器件
优先权要求
本发明要求于2005年8月9日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.2005-72963的优先权，其内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种氮化物半导体发光器件，具体地说，涉及一种具有利于均匀电流分布的电极结构的氮化物半导体发光器件。
背景技术
通常，氮化物半导体是诸如GaN、InN和AlN的III-V族半导体晶体，这种氮化物半导体尤其广泛用作能够产生单一波长光(紫外线或绿光)，特别是蓝光的发光器件。这种氮化物发光器件是利用诸如蓝宝石基板或SiC基板的绝缘基板来制造的，这些绝缘基板可以满足晶体生长所需的点阵匹配条件。因此，氮化物发光器件通常具有平面结构，其中，分别连接至p-和n-氮化物半导体层的两个电极基本上水平地设置在发光结构的上表面上。
与其中的两个电极分别设置在发光结构上、下表面上的垂直结构发光器件相比较，这样的平面结构氮化物发光器件不能均匀地将电流分布在其整个发光区域内，从而具有不太大的发光有效区域，而且单位发光区域的发光效率低。在需要高输出的用于照明目的的大型发光器件中，这种不均匀电流分布问题更加严重。
作为电流分布问题的解决方案，可以将电极结构延伸到器件的整个区域上，如图1(a)和图1(b)所示的氮化物半导体发光器件的情况。
参照图1(a)和图1(b)，示出了氮化物半导体发光器件10，其中，第一导电型氮化物半导体层12、活性层(active layer)14、和第二导电型氮化物半导体层15按其顺序沉积在基板11上。在第二导电型氮化物半导体层15上可以另外形成用于欧姆接触的透明电极层16。
在氮化物半导体发光器件上表面的要形成第一电极的部分上进行台面蚀刻(mesa-etched)，以暴露第一导电型氮化物半导体层上表面的对应部分，该第一电极连接至第一导电氮化物半导体器件。这样，第一和第二电极18和19就分别形成在第一导电型氮化物半导体层的暴露部分和第二导电型氮化物半导体层(具体地说，是透明电极层16)的暴露部分上。
第一电极18由第一结合焊盘(bonding pad)18a和从第一结合焊盘18a延伸的第一延伸电极18b组成，而第二电极19由第二结合焊盘19a和从第二结合焊盘19a延伸的第二延伸电极19b组成。如图1a所示，第一和第二结合焊盘18a和19a分别设置在器件10的彼此相对的端部。第一延伸电极18b沿相对的纵向侧向第二结合焊盘19a延伸。结合焊盘第二延伸电极19b沿器件10的中心延伸，这样，第一延伸电极18b以预定间隔设置在相对于第二电极19b的相对侧。因此，利用第一和第二延伸电极18b和19b，第一和第二电极18和19可以以相对规则的间隔设置。
但是，当第一和第二结合焊盘18a和19a形成在用于引线接合(wire bonding)的相对较大的区域上时，几乎不可能以理想的规则间隔形成第一和第二电极18和19。例如，如图1所示，即使第一和第二延伸电极18b和19b以预定间隔d1彼此间隔地设置，由于第二结合焊盘19a具有相对较大的区域，所以第二结合焊盘19a与第一延伸电极18b的邻接部分之间的间隔d2就变窄了。通常，电流趋向于集中到电阻小的区域中，这样，即使利用延伸电极使间隔规则，电流也会集中到临近大结合焊盘的区域中，从而会阻碍均匀电流分布。
在用于照明目的的诸如LED的大型发光器件中，这样的问题更为严重。如上所述，几乎不可能期望发光效率随器件面积的增加而提高。
发明内容
为了解决现有技术的上述问题，提出了本发明。因此，本发明某些实施例的目的在于提供一种氮化物半导体器件，其将结合焊盘区域与发光结构绝缘，并使用从结合焊盘延伸的电极，实现均匀电流分布。
根据实现上述目的的本发明的一方面，提供了一种氮化物半导体发光器件，其包括按其顺序沉积在基板上的第一导电型氮化物半导体层、活性层、和第二导电型半导体层，该氮化物半导体发光器件包括：第一绝缘层和第二绝缘层，形成在氮化物半导体发光器件上表面的不同部分上；第一结合焊盘，形成在第一绝缘层上；第二结合焊盘，形成在第二绝缘层上；第一延伸电极，从第一结合焊盘延伸并连接至第一导电半导体层；以及第二延伸电极，从第二结合焊盘延伸并连接至第二导电半导体层。
优选地，第一和第二延伸电极相互平行地并且彼此以预定间隔设置。这样，第一和第二延伸电极可以分别设置在临近发光器件的相对两侧部分上。可替换地，可以设置多个第一和第二延伸电极，并可替换地彼此平行地设置。具体地，第一和第二延伸电极中的一个可以设置成一对，而该对延伸电极可以相互平行地设置在相对于剩余一个延伸电极的相对侧。
限定第一和第二结合焊盘形成区域的第一和第二绝缘层可以形成在不同位置上。例如，第一和第二绝缘层可以形成在第一导电型氮化物半导体层的通过除去第二导电型氮化物半导体层和活性层的对应部分而暴露的上表面部分上。可替换地，第一和第二绝缘层中的一个可以形成在第一导电型氮化物半导体层的通过除去第二导电型氮化物半导体层和活性层的对应部分而暴露的上表面部分上，而第一和第二绝缘层中的另一个可以形成在第二导电型氮化物半导体层的上表面部分上。此外，第一和第二绝缘层都可以形成在第二导电型氮化物半导体层的上表面部分上。
优选地，第一和第二绝缘层相对于半导体发光器件的中心而对称地形成，从而可以很容易地以对称结构设置从第一和第二结合焊盘延伸的且其间具有预定间隔的第一和第二延伸电极。
这样，第一和第二绝缘层可以形成在临接半导体发光器件的一对相对侧的部分上，从而可以有利地确保足够的有效发光区域。优选地，第一和第二延伸电极相互平行地且彼此间以预定间隔进行延伸。
此外，第一和第二延伸电极中的至少一个可以端接于在发光器件厚度方向上与不同极性结合焊盘相对的部分上，而延伸电极中的另一个可以从邻接不同极性结合焊盘的部分开始延伸。
在本发明实施例中，氮化物半导体发光器件具有平行六面体结构。在此结构中，邻接形成有第一和第二绝缘层的一对相对侧的长度可以短于第二对相对侧的长度。这样，优选地，第一和第二延伸电极沿第二对相对侧而分别形成。
在本发明另一实施例中，氮化物半导体发光器件包括平行六面体结构。在此结构中，邻接形成有第一和第二绝缘层的一对相对侧的长度可以长于第二对相对侧的长度。这样，第一和第二绝缘层都可以形成在第二对相对侧的中心部分上。
而且，在本发明的这个实施例中，优选地，第一和第二延伸电极沿邻接形成有第一和第二绝缘层的一对相对侧而延伸。这样，第一和第二延伸电极中的每一个均可以包括两个延伸部，该延伸部沿邻接形成有第一和第二绝缘层的一对相对侧在相对的方向上延伸。
优选地，根据本发明的氮化物半导体发光器件还可以包括形成在第二导电型氮化物半导体层上的透明电极层，从而进一步增强了在器件整个区域上的均匀电流分布效果。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，本发明的这些和其他目的、特征和优点将更容易理解，附图中：
图1示出了传统氮化物半导体发光器件，其中，(a)是其上部的平面图，而(b)是侧剖面图；
图2示出了根据本发明的氮化物半导体发光器件，其中，(a)是透视图，而(b)是其上部的平面图；
图3(a)是示出了根据本发明另一实施例的氮化物半导体发光器件的侧剖面图，而图3(b)是示出了根据本发明又一实施例的氮化物半导体发光器件的侧剖面图；
图4示出了根据本发明再一实施例的氮化物半导体发光器件，其中，(a)是透视图，而(b)是其上部的平面图；
图5(a)至图5(c)是根据本发明其它实施例的氮化物半导体发光器件上部的平面图；
图6是示出了根据本发明再一实施例的氮化物半导体发光器件上部的透视图；以及
图7是示出了根据本发明再一实施例的氮化物半导体发光器件的平面图。
具体实施方式
现在参照附图对本发明优选实施例进行详细描述。
图2示出了根据本发明实施例的氮化物半导体发光器件，其中，(a)是透视图，而(b)是其上部的平面图。
参照图2(a)，平行六面体氮化物半导体发光器件20包括按其顺序沉积在基板21上的第一导电型氮化物半导体层22、活性层24、第二导电型氮化物半导体层25。
第二导电型氮化物半导体层25上可以另外形成用于欧姆接触的透明电极层26。透明电极层26可以由诸如氧化铟锡(ITO)的材料制成，而且，透明电极层26可以通过在器件的整个发光区域上设置预定表面电阻而额外增强电流分布效果。
在此实施例中，对发光区域以外的部分进行台面蚀刻，以暴露第一导电型氮化物半导体层22上表面的对应部分。第一和第二绝缘层27a和27b分别设置在已暴露的第一导电型氮化物半导体层22的相对两端上。而第一和第二结合焊盘28a和29a分别形成在第一和第二绝缘层27a和27b上。第一和第二延伸电极28b和29b分别从第一和第二结合焊盘28a和29a延伸，并分别电连接至第一和第二导电型氮化物半导体层22和25。但是，第二延伸电极28b直接形成在透明电极层26上。
第一和第二绝缘层27a和27b防止第一和第二结合焊盘28a和29b直接连接至器件20上，从而，只有第一和第二绝缘层27a和27b直接连接至发光器件20上，并向发光器件20提供电流。因此，电流集中在结合焊盘28a和29a附近的问题得到了缓解，通过设置第一和第二延伸电极28b和29b而确保了均匀电流。
在如图2(b)所示的平行六面体发光结构中，第一和第二结合焊盘28a和29a分别设置在器件20的相对两端上。而第一和第二延伸电极28b和29b沿纵向的相对两侧从第一和第二结合焊盘28a和29a延伸。此外，第一和第二延伸电极28b和29b以预定间隔d彼此平行地设置。在这些电极结构28和29中，直接连接到器件20上的电极区域限定为第一和第二延伸电极28b和29b，因此实现了严格的对称结构，进而确保了电流更加均匀。
本实施例通过平行六面体发光器件进行示例，但本发明也可以适用于发光器件的各种结构。甚至可以采用多边形发光器件结构来设计电极结构，其中，可以通过绝缘层来防止结合焊盘区域直接连接至器件，而且仅使用延伸电极来有效确保电流分布。
此外，本实施例通过在经台面蚀刻的表面上形成结合焊盘而进行示例，但本发明并不仅限于此。当第一和第二电极的结合焊盘形成在绝缘层上时，结合焊盘并不仅限于形成在经台面蚀刻的表面上，而是也可以形成在其它区域上。结合焊盘结构可以以各种方式形成，如图3(a)和(b)所示。
图3(a)所示的氮化物发光器件30包括按其顺序形成在基板31上的第一导电型氮化物半导体层32、活性层34、和第二导电型氮化物半导体层35，以及形成在第二氮化物半导体层35上的透明电极层36。
在此实施例中，第一绝缘层37a形成在第一导电型氮化物半导体层32暴露部分的上表面区域上，而第二绝缘层37b直接形成在透明电极层36上。第一和第二结合焊盘38a和39a分别形成在第一和第二绝缘层37a和37b上。
在此结构中，分别从第一和第二结合焊盘38a和39b延伸的第一和第二延伸电极(未示出)，必须分别连接至第一和第二导电型氮化物半导体层32和35(在此实施例中，第二延伸电极实际上连接至透明电极层36)。因此，可以有利地形成第一和第二延伸电极(未示出)，而不会与第一和第二结合焊盘38a和39a有较大的高度差。
图3(b)所示的氮化物发光器件40包括按其顺序形成在基板41上的第一导电型氮化物半导体层42、活性层44、和第二导电型氮化物半导体层45，以及形成在第二导电型氮化物层45上的透明电极层46。
在此实施例中，第一和第二绝缘层47a和47b直接形成在未经过台面蚀刻的透明电极层46上。而第一和第二结合焊盘48a和49a分别形成在第一和第二绝缘层47a和47b上。通常，待连接至第一导电型氮化物半导体层42的第一电极结构，形成在第一导电型氮化物半导体层42的暴露部分上。但是，由于本发明中所采用的结合焊盘48a和49a形成在绝缘层47a和47b上，而且不是通过表面接触直接连接至器件40，所以，两个结合焊盘48a和49b都可以设置在透明电极层46上。当没有透明电极层时，它们可以形成在第二导电型氮化层45上。
还是在此结构中，从第一结合焊盘48a延伸的第一延伸电极(未示出)应该连接至第一导电型氮化物半导体层42。因此，器件的将形成有第一延伸电极的部分需要进行台面蚀刻，如图2(a)所示。
图4示出了根据另一实施例的氮化物半导体发光器件，其中，(a)是透视图，而(b)是其上部的平面。在此实施例中，改进了结构，使得有效发光区域还包括器件的形成有第二结合焊盘59a的区域。
参照图4(a)，类似于图2(a)所示的器件，平行六面体氮化物半导体发光器件50包括按其顺序沉积在基板51上的第一导电型氮化物半导体层52、活性层54、和第二导电型氮化物半导体层55。此外，在第二导电型氮化物半导体层55上可以另外形成用于欧姆接触的透明电极层57。
在此实施例中，选择性地仅对将形成第一结合焊盘58a和第一延伸电极58b的部分进行台面蚀刻，以暴露第一导电型氮化物半导体层52上表面的对应部分。第一和第二绝缘层57a和57b设置在第一导电型氮化物半导体层52的暴露端部上和透明电极层56的端部上。
第一和第二结合焊盘58a和59a分别形成在第一和第二绝缘层57a和57b上。第一和第二延伸电极58b和59b分别从第一和第二结合焊盘58a和59a延伸，并分别电连接至第一和第二导电型氮化物半导体层52和55。(但是，第二延伸电极59b直接形成在透明电极层56上)。
在此实施例中，如图4(b)所示，第一和第二延伸电极58b和59b沿纵向上的相对两侧延伸。具体地，第一延伸电极58b端接于在发光器件厚度方向上与第二结合焊盘59a相对的部分上。此外，第二延伸电极59b从与第二结合焊盘59a邻接的并与第一延伸电极58b的端接部分相对的器件侧部开始延伸。
由于设置有延伸电极，即使在位于第二结合焊盘59a下面的活性层区域A中也可以确保均匀电流，从而增加了很大的有效发光区域。第二绝缘层57b和第二结合焊盘59a可以形成为有限尺寸，以利于从第二结合焊盘59a下面的延伸的活性层区域A中提取(extraction)光。
如上所述，根据本发明的绝缘层和结合焊盘的位置可以变化。图5(a)至图5(c)是根据本发明各种实施例的氮化物半导体发光器件上部的平面图。
首先，如图5(a)所示，结合焊盘可以相对于发光器件60的中心而彼此对称地形成在第一和第二绝缘层67a和67b上。具体地，结合焊盘可以形成在角部区域上，以便可以获得由活性层(未示出)所限定的相对较大的整体发光区域。第一和第二结合焊盘68a和69a形成在第一和第二绝缘层67a和67b上。
第一和第二延伸电极68b和69b从相对于中心彼此相对的角部延伸。第一延伸电极68b端接于在器件厚度方向上与第二结合焊盘69a相对的部分上。第二延伸电极69b端接于在器件厚度方向上与第一结合焊盘68a相对的部分上。这确保了在器件整个区域上的均匀发光。
在图5(a)所示的实施例中，第一和第二结合焊盘可以设置成彼此充分地隔开，这有利于引线接合过程。但是，在此实施例中，结合焊盘位置不是获得均匀电流分布而考虑的关键因素，因此可以任意改变其位置。
图5(b)是其中的第一和第二结合焊盘78a和79a都形成在发光器件70的一个端部的结构。为此，一个端部上形成有绝缘层76，而且由于不象其它实施例那样，第一和第二结合焊盘78a和79a设置成彼此邻接，绝缘层76可以设置成为一个绝缘层，但也可以设置成为两个独立的绝缘层。
此外，对器件的将形成第一延伸电极78b的部分进行台面蚀刻，以暴露第一导电型氮化物半导体层72上表面的一部分。第一和第二延伸电极78b和79b沿与结合焊盘邻接的相对纵向侧延伸至第一和第二结合焊盘78a和79a侧，有效地增加了总发光区域。
图5(c)示出了一种结构，其中，第一和第二结合焊盘88a和89a设置在发光器件80的相对纵向侧的中心部分上。为此，绝缘层87形成在器件的中心部分上，并且类似于上述实施例，第一和第二结合焊盘88a和89a可以设置成彼此邻接。在此实施例中，当器件为平行六面体结构时，优选地，结合焊盘(绝缘层)位于相对较长的一对侧部上。
此外，对将形成第一延伸电极88b的部分进行台面蚀刻，以暴露第一导电型氮化物半导体层82的上表面的对应部分。第一和第二延伸电极88b和89b沿与结合焊盘88a和89a邻接的一对侧部延伸，有效地增加了总发光区域。可替换地，第一和第二延伸电极88b和89b中的每一个均可以由两个延伸部组成，这两个延伸部在相反方向上分别从第一和第二结合焊盘88a和89a延伸。
上述实施例中的发明是通过每一个均具有一个延伸电极的电极结构而示例的，但是也可以包括其中的第一或第二延伸电极包含多个延伸电极的结构。
图6示出了第一导电型氮化物半导体层92、活性层94和第二导电型氮化物半导体层95按其顺序沉积在基板91上，类似于图4(a)中的器件。用于欧姆接触的第一和第二透明电极层96a和96b可以另外形成在第二导电型氮化物半导体层95上。本实施例中所采用的透明电极层96a和96b沿一对第二延伸电极延伸的方向而对分。
在此实施例中，选择性地对要形成第一结合焊盘98a和第一延伸电极98b的部分进行台面蚀刻，以暴露第一导电型氮化物半导体层92的对应上表面部分。第一和第二绝缘层97a和97b分别设置在第一导电型氮化物半导体层92的暴露部分上以及第一和第二透明电极层96a和96b上。
第一和第二结合焊盘98a和99a形成在第一和第二绝缘层97a和97b上。第一延伸电极98b和一对第二延伸电极99b和99c分别从第一和第二结合焊盘98a和99a延伸，并分别电连接至第一和第二导电型氮化物半导体层92和95。在此实施例中，一对第二延伸电极99b和99c中的每一个分别沿透明电极层96a和96b中的每一个的侧部形成。当然优选地，一对第二延伸电极99b和99c中的每一个均形成在每一个透明电极层区域96a和96b中的与第一延伸电极98b相距最远的位置上。
如图6所示，一对第二延伸电极99b和99c平行于第一延伸电极98b而设置，有效地利用了发光部件的整个区域。具体地，当具有与氮化物类似电阻的透明电极层区域96a和96b被一对第二延伸电极99b和99c分隔时，可以期望在器件整个区域上获得更均匀的发光效果。
根据本发明的电极结构可以采用类似于梳子形的结构，具有多个第一和第二延伸电极。如前面实施例中所描述的，结合焊盘不是利用绝缘层直接连接至发光结构，而且第一和第二延伸电极相互平行地设置，以获得均匀电流分布。
作为实例，图7示出了一种发光器件，其中，设置有一对第二延伸电极，同时仅设置有一个第一延伸电极。
如图7所示，一对第二延伸电极119b和119b`设置在与一个第一延伸电极118b相对的一对纵向侧部上。第二延伸电极119b和119b`中的每一个均设置为与第一延伸电极118b平行，并与第一延伸电极118b具有相同间隔，以确保均匀电流分布。延伸电极118b、119b和119b`中的每一个均从相对的角部上所形成的第一和第二结合焊盘118a和119a延伸。通过第一和第二绝缘层117a和117b可以防止结合焊盘118a和119a直接连接至器件110。因此，只有设置为基本上对称的第一和第二延伸电极118b、119b和119b`可以直接连接至第一导电型氮化物半导体层112和透明电极层116，从而可以获得整个发光部件上的均匀电流分布。
根据上述本发明，绝缘层可以提前设置在将形成结合焊盘的位置上，从而可以防止结合焊盘与发光器件之间的直接连接。因此，只需使用延伸电极，而无需利用较大的结合焊盘，就可以很容易地确保电极之间的规则间隔，从而可以在发光部件整个区域上获得更均匀的电流分布。
虽然结合优选实施例已经示出并描述了本发明，但对于本领域的技术人员来说很显然，在不背离所附权利要求限定的本发明精神和范围的前提下，本发明可以有各种更改和替换。

Claims (20)

1.一种氮化物半导体发光器件，包括按其顺序沉积在基板上的第
一导电型氮化物半导体层、活性层、和第二导电型半导体层，所述氮化物半导体发光器件包括：
第一绝缘层和第二绝缘层，形成在所述氮化物半导体发光
器件的上表面的不同部分上；
第一结合焊盘，形成在所述第一绝缘层上；
第二结合焊盘，形成在所述第二绝缘层上；
第一延伸电极，从所述第一结合焊盘延伸，并连接至所述第一导电型半导体层；以及
第二延伸电极，从所述第二结合焊盘延伸，并连接至所述第二导电型半导体层。
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第一和第二延伸电极相互平行地并且彼此以预定间隔设置。
3.根据权利要求2所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第一和第二延伸电极具有相同宽度。
4.根据权利要求2所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第一和第二延伸电极分别设置在与所述发光器件的相对侧邻接的部分上。
5.根据权利要求2所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第一和第二延伸电极设置成多个，并且可替换地设置成相互平行。
6.根据权利要求2所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第一和第二延伸电极中的一个设置成一对，该对延伸电极相互平行地设置在相对于剩余一个延伸电极的相对侧上。
7.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第一和第二绝缘层形成在所述第一导电型氮化物半导体层的通过除去所述第二导电型氮化物半导体层和所述活性层的对应部分而暴露的上表面部分上。
8.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第一和第二绝缘层中的一个形成在所述第一导电型氮化物半导体层的通过除去所述第二导电型氮化物半导体层和所述活性层的对应部分而暴露的上表面部分上，以及
所述第一和第二绝缘层中的另一个形成在所述第二导电型氮化物半导体层的上表面部分上。
9.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第一和第二绝缘层都形成在所述第二导电型氮化物半导体层的上表面部分上。
10.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第一和第二绝缘层相对于所述半导体发光器件上表面的中心而对称地形成。
11.根据权利要求10所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第一和第二绝缘层形成在与所述半导体发光器件的一对相对侧邻接的部分上。
12.根据权利要求11所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第一和第二延伸电极相互平行地并且彼此间以预定间隔进行延伸。
13.根据权利要求12所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第一和第二延伸电极中的至少一个端接于在所述发光器件厚度方向上与不同极性结合焊盘相对的部分上，而所述延伸电极中的另一个从与不同极性的所述结合焊盘邻接的部分延伸。
14.根据权利要求12所述的氮化物半导体发光器件，具有平行六面体结构，其中，邻接形成有所述第一和第二绝缘层的一对相对侧的长度短于第二对相对侧的长度。
15.根据权利要求14所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第一和第二延伸电极沿所述第二对相对侧而分别形成。
16.根据权利要求12所述的氮化物半导体发光器件，具有平行六面体结构，其中，邻接形成有所述第一和第二绝缘层的一对相对侧的长度长于第二对相对侧的长度。
17.根据权利要求16所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第一和第二绝缘层都形成在所述第二对相对侧的中心部分上。
18.根据权利要求16所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第一和第二延伸电极沿邻接形成有所述第一和第二绝缘层的一对相对侧延伸。
19.根据权利要求17所述的氮化物半导体发光器件，其中，所述第一和第二延伸电极中的每一个均包括两个延伸部，所述两个延伸部沿邻接形成有所述第一和第二绝缘层的一对相对侧而延伸。
20.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，还包括形成在所述第二导电型氮化物半导体层上的透明电极层。
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