CN102544253A - 发光装置及其制造方法、发光元件基底和质量管理方法 - Google Patents

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宋永僖
洪性在
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Abstract

本发明提供了一种用于制造发光元件的方法，所述方法包括：在发光元件基底上形成多个发光元件；在每个发光元件上形成识别部分，以使相关的发光元件与其它发光元件相区分。将所述多个发光元件分开以形成多个发光装置。识别部分可具有使每个发光元件与其它发光元件相区分的外观。

Description

发光装置及其制造方法、发光元件基底和质量管理方法
本申请要求于2010年9月28日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0093892号韩国专利申请的优先权，该申请的公开通过引用包含于此。
技术领域
本发明涉及一种制造发光装置的方法、发光装置、发光元件基底和质量管理方法。
背景技术
通过在晶圆上形成多个发光元件，然后切割对应的发光装置的基底，来制造诸如发光二极管(LED)等的传统发光装置。根据目的、散热结构等，每个划分的发光元件设置在包括电路的封装件中。这里，已知一种将特性数据的发光元件设置在封装件的表面上的技术(例如，请参照专利文献1)。
[现有技术文献]
[专利文献]
专利文献1：第2008-258584号日本出版公开
发明内容
然而，当在封装件上标记发光元件的特性数据时，通过匹配封装为发光元件之前测量的发光元件的特性会难以进行。即，由于发光元件不能被识别直到执行封装时，所以难以识别若干发光元件中的哪个为晶片上的封装发光元件。这样使得根据封装之后的检测结果，难以解释制造晶圆基体过程中出现的缺陷。另外，难以追踪检测晶圆基体的工艺的检测结果如何影响封装之后的产品质量。
根据本发明的一方面提供了一种制造发光元件的方法，所述方法包括：元件形成操作，在发光元件基底上形成多个发光元件；识别部分形成操作，在每个发光元件上形成识别部分，使相关的发光元件与其它相关的发光元件相区分；装置形成操作，将发光元件分开以形成多个发光装置。
根据本发明的另一方面，提供了一种发光装置，所述发光装置包括：元件基底；发光元件，设置在元件基底上；识别部分，使相关的发光元件与其它发光元件相区分。
根据本发明的另一方面，提供一种发光元件基底，所述基底包括其上形成的多个发光元件，所述基底包括使相关的发光元件与其它的发光元件相区分的识别部分。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于管理形成在发光元件基底上的多个发光元件的质量的质量管理方法，所述质量管理方法包括：测量操作，测量所述多个发光元件的每个发光元件的特性；结果存储操作，根据所述多个发光元件的每个发光元件的识别部分，识别所述多个发光元件的每个发光元件并存储所述多个发光元件的每个发光元件的特性的测量结果。
发明内容没有列举本发明的全部必要特性。另外，特性组合的子组合可构成本发明。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，本发明的以上和其它方面、特征和其它优点将更清楚地被理解，在附图中：
图1是示出用于制造多个发光装置的方法的工艺的流程图；
图2A示出了其上形成有多个发光元件的发光元件基底100的示例；
图2B示出了某个划线区域110的示例；
图3示出了发光元件10的上面的示例；
图4是沿发光元件10的线x-x’截取的剖视图；
图5是沿发光元件10的线y-y’截取的剖视图；
图6是发光元件10的上面的另一示例；
图7是发光元件10的上面的另一示例；
图8是发光元件10的上面的另一示例；
图9是图8中示出的发光元件10的透视图；
图10示出了发光元件10的上面的另一示例；
图11示出了发光元件10的另一示例；
图12A示出了形成在延长的电极单元16b上的识别单元17的图案示例；
图12B示出了形成在延长的电极单元16b上的识别单元17的图案示例；
图12C示出了形成在延长的电极单元16b上的识别单元17的图案示例；
图13是示出了用于制造发光装置的方法的工艺的流程图；
图14A示出了发光元件基底100的示例；
图14B示出了与发光元件基底100对应的基底图像；
图15示出了发光装置700的构造示例；
图16示出了背光800的构造示例。
具体实施方式
将通过实施例描述本发明，但是在下文中描述的实施例不限于关于权利要求覆盖的本发明。另外，在实施例中描述的特性和特征的全部组合不是解决本发明所必需的。
图1是示出了用于制造多个发光装置的方法的工艺的流程图。首先，在元件形成操作S210中，在发光元件基底上形成多个发光元件。在元件形成操作S210之后或在元件形成操作S210的过程中，使每个发光元件与其它发光元件相区分的识别部分形成在每个发光单元上(识别部分形成操作(S220))。识别部分可具有使每个发光元件与其它发光元件相区分的外观。在这种情况下，识别部分可形成在发光元件的输出光的面上。因此，即使在对应的发光元件被封装之后，识别部分也可以被区分。
识别部分可具有二维标记，或者可通过在每个发光元件中以不同的形状形成每个半导体层或电极来形成识别部分。另外，用于区分发光元件的信息可包括发光元件基底的批号、一批内的晶圆的编号、发光元件基底上的发光元件的位置、序列号、生产日期等中的至少一个。
在装置形成操作S230中，将每个发光元件划分以形成多个发光装置。在装置形成操作S230中，可另外地执行相对于每个发光元件形成透镜，涂覆磷光体，将每个发光元件设置在具有特定电路和散热结构的封装件中等。在识别部分形成在每个发光元件处之后，将发光元件基底划分成发光元件，因此即使在分开之后也可以识别发光元件。
图2A示出了其上形成有多个发光元件的发光元件基底100的示例。发光元件基底100可为蓝宝石基底或半导体基底。如图2A所示，发光元件基底100具有多个划线区域120。可根据图案通过单次曝光被照射的范围来确定每个划线区域120。
图2示出了特定的划线区域110的示例。如图2B所示，多个发光元件10形成在划线区域110中。在每个发光元件10中形成识别部分，所述识别部分表示发光元件基底100的批号、一批中的发光元件基底100的编号、发光元件基底100中的划线区域110的位置和划线区域110中的发光元件10的位置。例如，在如图2B中阴影部分所示的发光元件10的情况下，提供了表示批号、发光元件基底100的编号、划线区域110的坐标(x，y)＝(4，5)和发光元件10的坐标(x，y)＝(6，6)的识别部分。
图3示出了发光元件10的上面。图4是沿着发光元件10的线x-x’截取的剖视图。图5是沿着发光元件10的线y-y’截取的剖视图。发光元件10包括发光元件基底11、半导体叠层单元12、透明电极14、第一电极单元15和第二电极单元16。半导体叠层单元12层叠在发光元件基底11的表面上。发光元件基底11可与发光元件基底100相同。
半导体叠层单元12包括第一导电类型(例如，n型)半导体层12a、第二导电类型(例如，p型)半导体层12b和活性层12c。活性层12c形成在半导体层12a和半导体层12b之间，并根据从两个半导体层注射的电子和空穴的结合来产生光。在本实施例中，半导体层12a、活性层12c和半导体层12b按顺序层叠在发光元件基底11的表面上。另外，透明电极14形成在半导体层12b的整个表面上方。
识别部分17形成在发光元件10中。识别部分17表示关于晶圆基体(waferbase)中的制造工艺的信息。识别部分17表示的信息可为发光元件基底100的批号、一批内的晶圆编号、发光元件基底100中的发光元件10的位置、序列号、生产日期等中的至少一个。利用根据对应信息的外观，识别部分17将每个发光元件10与其它发光元件10相区分。
根据本实施例的发光元件10具有透明电极14上的识别部分17。包含在识别部分17内的信息可以为字符、符号、图形等形式，并通过激光加工等形成在透明电极14上。像条形码一样，图形可规则或周期性地排列，并且根据排列图案来表达信息。另外，发光元件10在透明电极14上可具有多个识别部分17。另外，对于每个发光元件，可通过改变发光元件10的制造工艺中使用的掩模的部分来形成识别部分17。
发光元件10可具有有着同样外观的多个识别部分17，如识别部分17a和17e。另外，发光元件10可具有均具有不同外观的多个识别部分17，如识别部分17a、17b、17c和17d。根据表示的信息的类型预先确定识别部分17的设置面积。
发光元件10可具有形成在透明电极14的各个角落附近的识别部分17。另外，发光元件10可具有设置在透明电极14的短边中形成延长的电极单元15b的一个短边上的识别部分17，如识别部分17a，或者可具有位于透明电极14的没形成延长的电极单元15b的另一短边处的识别部分17。
另外，发光元件10可具有设置在延长的电极单元15b和延长的电极单元16b之间的识别单元17，如识别部分17e，其中，延长的电极单元15b和延长的电极单元16b平行延伸。另外，发光元件10可具有设置在电极焊盘15a和延长的电极单元16b之间的识别部分17，如识别部分17b。
另外，发光元件10可具有设置在透明电极14的长边和延长的电极单元16b之间的识别部分17，如识别部分17c。另外，发光元件10可具有设置在透明电极14上距离第一电极15和第二电极16最远距离的位置处的识别部分17。
识别部分17可不限于它们的外观可用肉眼区分开的识别部分。可使用诸如显微镜等观察设备来区分识别部分17的外观。另外，识别部分17可形成在半导体层12b的表面上。
透明电极14可形成为覆盖形成在半导体层12b的表面上的识别部分17。即，识别部分17可形成在由透明电极14覆盖的半导体层12b的表面上。在这种情况下，识别部分17形成在半导体层12b上，然后透明电极14形成在半导体层12b上。因此，可从外面监控识别部分17的外观，并可以保护识别部分17。
沿着发光元件10的外周台面蚀刻透明电极14、半导体层12b和活性层12c。关于此，也可以沿着发光元件10的外周蚀刻半导体层12a的一部分。因此，划线区域106形成在发光元件10的外周，使得当分离发光元件10时发光元件基底11容易被切割。另外，划线区域106可用作曝光区域，从该曝光区域半导体层12a的表面被暴露，将允许形成电极。
在图3中，边界线102表示通过台阶蚀刻形成的边的位置。另外，边界线104表示将发光元件10划分为单独的时发光元件10之间的边界。如图3所示，即使将发光元件10划分为单独的之后，划线区域106的一部分仍保留在每个发光元件10中。
划线区域106形成为沿发光元件10的外周具有规则的宽度。发光元件10的外周可具有矩形形状。划线区域106的宽度为在垂直于外周线的方向上的发光元件10的宽度。这里，划线区域106在发光元件10的外周中的一个短边处的宽度可大于不同区域的划线区域106的宽度。第一电极15的至少一部分可形成在由具有相对大的宽度的划线区域106暴露的半导体层12a的表面上。
第一电极单元15电连接到半导体层12a。在本实施例中，第一电极单元15形成在去除因透明电极14、半导体层12b和活性层12c而暴露的半导体层12a的表面上。第一电极单元15包括电极焊盘15a和延长的电极单元15b。
电极焊盘15a电连接到外电极或布线。电极焊盘15a可具有例如圆形截面。延长的电极单元15b的宽度小于电极焊盘15a的宽度。电极焊盘15a的宽度可表示电极焊盘15a的直径。延长的电极单元15b的宽度可表示横穿延长的电极单元15b的最短长度。延长的电极单元15b可从电极焊盘15a延伸。
如上所述，电极焊盘15a和延长的电极单元15b的至少一部分形成划线区域106处，划线区域106形成在发光元件10的一个短边处。另外，如图3和图4所示，可通过在透明电极14、半导体层12b和活性层12c处的蚀刻形成延伸区域112。
延伸区域112形成为从形成有第一电极15的一部分的划线区域106向透明电极14的中心等延伸。从延伸区域112去除透明电极14、半导体层12b和活性层12c。延伸区域112的下表面可与划线区域106共面。
在本实施例中，延伸区域112形成为从划线区域106的中心延伸，所述划线区域106位于第一电极15的至少一部分向透明电极14等的内部形成的短边处。延伸区域112的宽度可小于划线区域106的任意部分。如图3和图4所示，可在延伸区域112上形成延长的电极单元15b的至少部分。
延伸区域112具有扩展区域114，扩展区域114具有根据电极焊盘15a的外观的截面。例如，扩展区域114可具有圆形截面。扩展区域114的宽度可大于延伸区域112的宽度。扩展区域114的宽度为例如截面的直径。另外，扩展区域114的宽度可大于划线区域106的任意部分。电极焊盘15a形成在扩展区域114上。
延伸区域112可具有线形形状。另外，延伸区域112可延伸地形成为长于透明电极14的长边的一半。即，延伸区域112可延伸超过透明电极14的中心。另外，在延伸区域112的延伸方向上，扩展区域114可形成为靠近透明电极14的端部，而不是延伸区域112的中心。
第二电极16电连接到半导体层12b。在本实施例中，第二电极16形成在透明电极14上，并通过透明电极14电连接到半导体层12b。第二电极16包括电极焊盘16a和延长的电极单元16b。
电极焊盘16a设置在与电极焊盘15a相对的位置处。具体地讲，电极焊盘16a在透明电极14的短边方向上基本设置在中心处，并在透明电极14的长边方向上在透明电极14的中心的基础上设置在电极焊盘15a的相对侧。电极焊盘16a被设置成与透明电极14的任意边分开。
延长的电极单元16b的宽度小于电极焊盘16a的宽度。延长的电极单元16b从电极焊盘16a延伸。在本实施例中，延长的电极单元16b沿短边从靠近电极焊盘16a的相对的短边的区域延伸。延长的电极单元16b可沿短边方向从电极焊盘16a向两边延伸。
另外，延长的电极单元16b可以沿着透明电极14的短边延伸，然后进一步沿着透明电极14的长边延伸。延长的电极单元16b的沿着透明电极14的长边延伸的部分与该对应的长边分开特定距离。延长的电极单元16b与该对应的长边之间的距离可以基本等于延长的电极单元16b和透明电极14的短边之间的距离。延长的电极单元16b与透明电极14的长边平行的部分可以延伸到与电极焊盘15a相对的位置。
此外，将延长的电极单元16b平行于透明电极14的短边的部分与延长的电极单元16b平行于透明电极14的长边的部分连接的部分可以形成为曲线。这种结构可以防止电流在特定区域内集中。
延长的电极单元16b具有这样的图案，即，从电极焊盘15a和延长的电极单元15b的对应的点到第二电极的最近的点之间的距离在预定距离内。所述预定距离可以小于透明电极14的短边的一半。另外，该预定距离可以是延长的电极单元16b和透明电极14的短边之间的距离的两倍。通过将第一电极单元15和第二电极单元16之间的距离设置在预定范围内，可以改进电流分布的均匀性。
另外，如图4中所示，延长的电极单元15b的高度低于活性层12c与半导体层12a之间的界面。即，在划线区域106和延伸区域112中，将半导体层12a的表面部分去除为高于延长的电极单元15b的高度。因此，可以防止延长的电极单元15b连接到活性层12c和半导体层12a。
电极焊盘15a的高度可以基本等于第二电极16的电极焊盘16a的高度。即，电极焊盘15a可以从电极焊盘14的表面暴露出来。在这种情况下，可以在电极焊盘15a和半导体层12b之间(或透明电极14)之间形成绝缘材料。
例如，在延伸区域112上形成延长的电极单元15b之后，扩展区域114形成为穿透活性层12c、半导体层12b和透明电极14。然后，在扩展区域114的壁表面上形成绝缘材料。这里，绝缘材料也可以形成在延伸区域112的壁表面上。此后，用导电材料填充扩展区域114的内部。采用这种结构，电极焊盘15a和电极焊盘16a可以从发光元件10的同一表面暴露出来。
另外，电极焊盘15a的高度可以低于活性层12c和半导体层12a之间的界面。另外，电极焊盘15a的高度可以高于延长的电极单元15b。在这种情况下，绝缘材料可以不形成在电极焊盘15a和半导体层12b(或者透明电极14)之间。
此外，在其上层叠有半导体层12a的整个表面108上，发光元件基底11可以具有凹凸图案(或者凹陷和突起图案)。因此，可以提高光出射效率。发光元件10可以从与其上形成有第一电极15和第二电极16的侧面相对的侧面发射光。
图6示出了发光元件10的上面的另一示例。在根据本实施例的发光元件10中，识别部分17形成在划线区域106上。其它结构可以与以上参照图1至图5描述的发光元件的结构相同。因此，可以防止识别部分17对光发射的影响。按照这种方式，识别部分17可以形成在光或电流不经过的区域(即，非活性区域)上。
在沿着发光元件10的外围的四边形成的划线区域106的各个边上，发光元件10可以具有表示不同信息的识别部分17。例如，识别部分17a可以表示批号，识别部分17b和17c可以表示晶片中的标线，识别部分17d可以表示发光元件10在标线中的坐标。
在沿着发光元件10的外围的一侧的划线区域106中，发光元件10可以具有表示不同信息的多个识别部分17。当在沿着发光元件10的外围的一侧的划线区域106中形成多个识别部分17时，识别部分17可以形成在至少所述对应侧的两端。在本实施例中，识别部分17周期性地具有有着相同形状(图6中的规则方形)的凹进部分和凸出部分。识别部分通过对应图形的数量、位置、图案等来表示识别信息。
图7示出了发光元件10的上表面的另一示例。在发光元件10的示例中，与图6中示出的发光元件10类似，在划线区域106上形成识别部分17。另外，图6的发光元件10具有包括图形形式的识别信息的识别部分17，而在本示例中的发光元件10具有包括字符或标记形式的识别信息的识别部分17。
图8是发光元件10的上面的另一示例。图9是图8中示出的发光元件10的透视图。在本示例的发光元件10中，透明电极14、半导体层12a、半导体层12b和活性层12c具有根据关于发光元件10的晶片级别的制造工艺的信息的形状。具有透明电极14和半导体层叠单元12的相应形状的部分用作识别部分17。
在本示例的发光元件10中，透明电极14和半导体层叠单元12的外围部分的形状形成为允许发光元件10可以被识别。即，包括在发光元件基底100中的每个发光元件10的透明电极14、半导体层12a、半导体层12b和活性层12c中的至少一个具有与其它发光元件10的透明电极14、半导体层12a、半导体层12b和活性层12c中的至少一个的形状不同的形状。
当从发光元件10的上面观察时，具有凹凸图案的识别部分17可以形成在透明电极14和半导体层叠单元12的外围部分的至少一部分上。例如，透明电极14和半导体层叠单元12的外围部分具有矩形形状。另外，在透明电极14和半导体层叠单元12的至少一侧中，根据识别信息的数量和图案，识别部分17具有突出到对应的外围部分的外侧的凸出部分或者具有突出到对应的外围部分的内侧的凹进部分。
表示不同信息的识别部分17可以形成在透明电极14和半导体层叠单元12的每侧处。另外，可以在透明电极14和半导体层叠单元12的每侧上形成两个识别部分17。在这种情况下，可以在透明电极14和半导体层叠单元12的外围上从各侧的两端向对应侧的中心形成凹凸图案。
另外，在透明电极14和半导体层叠单元12上形成根据延伸区域112的侧面。可以在延伸区域112的侧面上形成识别部分17。在这种情况下，根据识别信息的数量和图案，识别部分17可以具有突出到对应侧的内侧的凹进部分。另外，在延伸区域112上形成面对的侧面。识别部分17可以形成在两侧或者一侧上。
当识别部分17形成在两侧上时，识别部分17可以形成在彼此不相对的部分上。例如，一个识别部分17可以从延伸区域112的前端向扩展区域114形成，另一个识别部分17可以从扩展区域114向延伸区域112的前端形成。
另外，如图9中所示，识别部分17可以沿着半导体层叠单元12的层叠方向形成为跨过半导体层12a、活性层12c和半导体层12b中的至少两个。即，识别部分17形成在半导体层12b和活性层12c的通过形成划线区域106的台面蚀刻而暴露的侧面上。可以通过对应的台面蚀刻形成对应的识别部分17。
识别部分17的凹进部分和凸出部分中的每个可以形成为沿着层叠方向延伸。识别部分17可以形成在透明电极14、半导体层12b和活性层12c的上方，或者可以形成在透明电极14、半导体层12b、活性层12c和半导体层12a的上方。在这种情况下，透明电极14、半导体层12b、活性层12c和半导体层12a的外围部分具有相同的形状。
此外，识别部分17可以通过对每个发光元件10的部分使用不同掩模的各向异性蚀刻形成。例如，当形成突出到划线区域106的边界线102的内侧的凹进部分时，在制造发光元件10的工艺中，除了限定边界线102的掩模图案之外，可以使用普通的掩模图案。
限定边界线102的掩模图案可以包括：第一掩模，以预定间隔具有特定图形的开口；第二掩模，选择是否屏蔽第一掩模的每个开口。另外，识别部分17可以通过电子束曝光或者激光曝光被图案印刷在每个发光元件10上。此外，识别部分17的各个图形的形状、尺寸等可以不同。另外，每个识别部分17设置的间隔可以大于识别部分17的图形的间隔。
图10示出了发光元件10的上面的另一示例。在该示例的发光元件10中，第一电极15和第二电极16中的至少一个具有根据关于发光元件10的晶片级别的制造工艺的信息的形状。在第一电极15和第二电极16中具有对应形状的部分用作识别部分17。
例如，在电极焊盘15a上形成凹进部分，从而当从发光元件10的上面观察时，凹进部分从电极焊盘15a的外周部分向内侧部分突出。另外，从外周部分向内侧或外侧突出的凹凸部分形成为电极焊盘16a上的识别部分17。另外，在形成在划线区域106上的延长的电极单元15b上形成向发光元件10的外侧突出的凸出部分。
另外，在延长的电极单元16b上形成凸出部分，使得所述凸出部分向延长的电极单元16b的外侧突出。可以在延长的电极单元16b上形成向发光元件10的外侧突出的凸出部分，可以在延长的电极单元16b上形成向发光元件10的内侧突出的凸出部分，并且可以在延长的电极单元16b上形成向两侧突出的凸出部分。向延长的电极单元16b的外侧突出的凸出部分与向发光元件10的外侧突出的凸出部分可以形成在延长的电极单元16b的不同位置处。
另外，可以在延长的电极单元16b的设置为与透明电极14的长边平行的区域中形成识别部分17的凸出部分。另外，可以在对应区域的与延长的电极单元15b相对的位置处形成识别部分的凸出部分。另外，可以在延长的电极单元16b向电极焊盘16a的两侧延伸的两侧上形成识别部分17，或者可以仅在延长的电极单元16b的一侧上形成识别部分17。此外，优选地，在形成在延伸区域112上的延长的电极单元15b上不形成识别部分17。
在该示例的发光元件10中，第一电极单元15和第二电极单元16具有允许发光元件10可以被识别的形状。即，包括在发光元件基底100中的每个发光元件10的第一电极单元15和第二电极单元16中的至少一个具有与其它发光元件10的第一电极单元15和第二电极单元16中的至少一个的形状不同的形状。
另外，可以通过对每个发光元件10局部使用不同掩模的图案化来形成第一电极单元15和第二电极单元16，从而形成识别部分17。另外，识别部分17可以仅形成在延长的电极单元15b和16b上。因此，可以防止识别部分17被键合到电极焊盘15a和16a的引线覆盖。
在延长的电极单元16b的图案被曝光之后，识别部分17的图案可以被曝光，以与延长的电极单元16b的图案叠置。在这种情况下，作为识别部分17的图案，横过延长的电极单元16b并且沿着延长的电极单元16b的延伸方向布置的具有矩形形状的图案可以被曝光。即，可以曝光识别部分17的图案，使得矩形图案的长边与延长的电极单元16b垂直。因此，即使当识别部分17的图案的曝光位置不一致，也可以减小延长的电极单元16b的图案和识别部分17的图案分开的可能性。
另外，本示例中的识别部分17由导电材料制成。因此，识别部分17用作电极的一部分。另外，识别部分17的凹凸图案的面积可以为第一电极单元15和第二电极单元16的总面积的5％或小于5％。
图11示出了发光元件10的另一示例。在该示例的发光元件10中，第一电极15形成在半导体层12a的表面上。另外，发光元件基底11是导电基底。发光元件基底11用作第二电极16。即，电极形成在半导体层12b的后表面上。这里，第一电极15可以通过透明电极层形成在半导体层12a上。
电极焊盘15a形成在半导体层12a的中心。另外，延长的电极单元15b从电极焊盘15a放射状地延伸，从而形成延长的电极单元15b。该示例中的识别部分17形成在至少一个延长的电极单元15b上。识别部分17的形状可以与以上参照图10描述的形成在延长的电极单元16b上的识别部分17的形状相同。
图12A至图12C示出了形成在延长的电极单元16b上的识别部分17的图案的示例。如图12A至图12C中所示，在每个发光元件10中，形成在延长的电极单元16b上的识别部分17可以具有相同数量的凸出部分。另外，如图12B和图12C中所示，识别部分17可以具有凸出部分，每个凸出部分具有不同的长度(即，从延长的电极单元16b突出的长度)。识别部分17通过具有第一长度的第一凸出部分17-1和具有第二长度的第二凸出部分17-2的阵列图案来表示识别信息。第一凸出部分的长度可以是第二凸出部分的长度的两倍。
按照这种方式，通过确定识别部分17的凸出部分的数量，而不是确定识别信息的各项内容，可以减少识别部分17的图案对电流分布的影响。在图1至图11中，尽管将垂直型的发光元件10示出为示例，但是发光元件10可以具有不同的结构。
另外，在上述示例中，识别部分17通过其外观来表示识别信息，但是识别部分17可以为具有根据识别信息的电学特性的识别元件，或者可以为存储识别信息的存储器。例如，识别元件可以具有电阻器，所述电阻器的电阻值与其它发光元件的识别元件的电阻器的电阻值不同。另外，存储器可以具有电容器，所述电容器聚集的电荷数量与其它发光元件的识别元件的电容器聚集的电荷数量不同。在封装发光器件之后或者在将发光器件投放市场之前，可以通过UV辐射等来估计处于相应数量的聚集的电荷。这些识别部分可以形成在划线区域106上。
图13是示出制造发光器件的方法的工艺的流程图。首先，在发光结构形成操作S212中，在发光元件基底100上形成发光结构。例如，在发光元件基底100的整个表面上形成与半导体层叠单元12的结构相同结构的层。
接下来，在蚀刻操作(S214)中，为了将发光结构划分成多个发光元件10，通过蚀刻形成划线区域106。这里，如以上参照图8和图9所述，可以在通过蚀刻(S222)暴露的发光结构的侧面上形成识别部分17。另外，在蚀刻操作(S214)之后，如上参照图3至图7所述，可以在划线区域106或者透明电极14上形成具有二维标记(字符、符号、图形等)的识别部分17(S224)。
然后，在电极形成操作(S216)中，形成第一电极15和第二电极16。这里，如上参照图10至图12C所述，识别部分17可以形成在第一电极15和第二电极16中的至少一个上(S226)。这里，操作S212至S216对应于以上参照图1描述的元件形成操作(S210)。另外，在电极形成操作(S216)之后，如上参照图3至图7所述，可以在划线区域106或透明电极14上形成具有二维标记(字符、符号、图形等)的识别部分17(S228)。
在下文中，在芯片分离操作(S230)中，沿着划线区域106划分发光元件基底11。因此，可以制造多个发光器件。另外，可以在蚀刻操作(S214)之前，在划线区域106或者透明电极14上执行形成具有二维标记(字符、符号、图形等)的识别部分17的操作(S224)。
此外，可以通过执行操作S222至S228形成识别部分17。例如，可以在操作S222或S224中形成表示与发光结构形成操作(S212)有关的诸如制造器件等的信息的识别部分17，并且可以在操作S226中形成表示与电极形成操作(S216)有关的诸如制造器件等的信息的识别部分17。
另外，关于分开的发光元件10，引入质量管理装置的探针与第一电极15和第二电极16接触，以测量芯片状态下发光元件10的电学特性和光学特性(第一次测量操作)。这里，质量管理装置基于发光元件10的识别部分17的外观来识别发光元件10。质量管理装置通过将对应的测量结果与发光元件10的识别信息匹配来管理对应的测量结果(第一次结果存储操作)。根据对应的测量结果，对发光元件10是否有瑕疵以及发光元件10的级别分类。
然后，将发光元件10设置在特定的封装件内，以形成发光器件。例如，所述封装件包括容纳发光元件10的腔、电连接到发光元件10的第一电极单元15和第二电极单元16的引线框架以及磷光体材料。此外，所述封装件包括包封发光元件10的透明树脂。还测量其中封装有发光元件10的发光器件的光学特性(第二次测量操作)。这里，质量管理装置观测发光元件10的识别部分17，并且通过将测量结果与发光元件10的识别信息匹配来管理测量结果。根据测量结果基于目的对发光器件分类。
按照这种方式，由于在发光元件10上形成识别部分17，所以在通过切割将发光元件基底划分之后得到的芯片状态或者封装件状态的电学特性和光学特性的测量结果可以与发光元件10匹配，从而管理测量结果。因此，可以解释测量结果与涉及晶片基座上的制造工艺有关的信息(批号、晶片上的位置等)之间的关系。因此，可以解释在晶片基座上的制造工艺对芯片状态或封装件状态的发光器件的特性的影响。
供参考，电学特性包括发光元件10或发光器件的驱动电压、驱动电流、正向电压等。另外，光学特性包括发光元件10或发光器件的光发射强度和光发射波长、根据温度变化的波长变化、色坐标、色温等。按照这种方式，可以管理每个发光器件的质量。
图14A示出了发光元件基底100的示例。如图14A中所示，用xy坐标表示发光元件基底100的每个发光元件10。在本示例中，质量管理装置通过批号、晶片数量和xy坐标管理每个发光元件10。每个发光元件10包括识别部分17，识别部分17具有根据发光元件基底100的批号、晶片数量和xy坐标的外观。
在封装完每个发光元件10之后，测量从对应的封装件发射的光的色坐标。这里，观察发光元件10的识别部分17的外观，然后将测量结果与发光元件10的识别信息匹配。
图14B示出了与发光元件基底100对应的基底图像。在基底图像中，在与各个发光元件10对应的位置处显示根据每个发光元件10的测量结果的图像。在与有缺陷的发光元件10对应的位置处，基底图像可以具有与其它发光元件10的颜色不同的颜色的标记。
另外，基底图像示出了相对于发光元件基底100的累积测量结果。例如，在对应的发光器件被高频率地确定为有缺陷的位置处，基底图像可以具有黑色标记。因此，在发光元件基底100中，可以解释非常可能有缺陷的发光元件10的位置。例如，在图14B的示例中，注意到在发光元件基底的上部区域和下部区域处存在许多有缺陷的发光元件10。
按照这种方式，当包括芯片状态或封装件状态的发光元件10的发光器件有缺陷时，可以针对设置在有缺陷的发光器件中的发光元件10来追踪关于晶片基座的制造工艺的信息。如图14B中所示，当有缺陷的发光器件中使用的发光元件10的分布集中在发光元件基底100的特定位置时，可以解释为有缺陷的发光器件是由晶片基座的制造工艺导致的。
另外，这种解释也可以在将发光元件10安装在例如发光系统等的产品中之后由测量结果进行。可以基于解释结果通过改进晶片基座的制造工艺来提高发光器件的产率等。
图15示出了发光设备700的结构示例。发光设备700包括多个发光元件10、树脂盖710、多个控制器720、多个功率传输单元730、支持单元740和安装基底750。每个发光元件10可以处于封装件状态。例如，发光元件10可以装载在形成在底基底上的凹陷中，并且可以用树脂包封凹陷部分。多个发光元件10安装在安装基底750上。另外，用于控制各个发光元件10的控制器720可以固定到安装基底750。控制器720和发光元件10可以穿过安装基底750通过诸如电缆等的导线连接。
设置树脂盖710，以覆盖多个发光元件10。树脂盖710可以具有半球形形状。树脂盖710可以具有中空形状。
支持单元740支持安装基底750。支持基底740可以具有形状与安装基底750的形状基本相同的开口。安装基底750固定到对应的开口。功率传输单元730向每个发光元件10传输用于驱动半导体发光元件10的功率。另外，支持单元740连接到商业电源等，并且将商业电源和功率传输单元730电连接。
图16示出了背光800的结构示例。背光800包括：器件阵列820，多个发光元件10一维或二维地布置在器件阵列820中；导光板810。另外，背光800还可以包括设置在与导光板810的光输出面面对的位置处的诸如漫射片、透镜片等的光学片。
器件阵列820可以设置为面对导光板810的各个长边。多个发光元件10中的每个发光元件从导光板810的侧部向导光板810的内部输出光。导光板810输出来自特定光输出面的入射光。另外，器件阵列810可以设置为面对导光板810的光输出面的相对侧。即，背光800可以为直下型背光。背光800可以用于电视的液晶监视器、移动电话的液晶屏等。
另外，如上参照图1至图14B描述的发光元件10可以用于各种其它目的。例如，发光元件10可以用作自动两轮或四轮车辆的前灯的光源。在这种情况下，前灯可以具有一个或多个发光元件10以及用于将从发光元件10输出的光向车辆的外面照射的透镜。
此外，发光元件10也可以用作荧光灯的光源。在这种情况下，荧光灯可以包括一维布置的多个发光元件10以及容纳多个发光元件10并且将从多个发光元件10输出的光向外照射的管。
此外，发光元件10也可以用作信息显示装置的像素。在这种情况下，信息显示装置可以包括二维布置的多个发光元件10和驱动每个发光元件10的驱动电路。多个发光元件10可以包括多种类型的器件，每个器件输出绿光、蓝光和红光。
另外，发光元件10也可以用作信号装置的光源。信号装置可以包括至少两种类型的发光元件10和用于驱动每个发光元件10的驱动电路，其中，每种发光元件10均输出不同颜色的光。信号装置可以具有用于每种颜色的多个发光元件10。
此外，发光元件10也可以用作指示电子器件的操作状态的指示灯的光源。例如，指示灯指示电视或笔记本电脑的电源状态等。指示灯包括发光元件10和用于驱动发光元件10的驱动电路。
因为在不脱离示例性实施例的特点的情况下，可以以几种形式实施示例性实施例，所以也应该理解，除非另外指出，否则上述实施例不受前面描述的任何细节限制，相反，应该在权利要求限定的范围内宽泛地解释上述实施例。因此，落入权利要求的范围或者这种范围的等同物之内的各种变化和修改由此意图被权利要求所包括。
除非另外特别地指出诸如“在......前面”、“在......之前”等，或者除非在后续工艺中使用前述工艺的输出，否则在权利要求、说明书和附图中公开或示出的设备、系统、程序和方法中的诸如操作、过程、任务等的工艺的执行顺序可以是任意的。应该理解，尽管为了方便，对于权利要求、说明书和附图的操作流程，使用“第一”、“下一个”等进行描述，但是该描述不意味着所述操作必须按照前述顺序执行。

Claims (31)

1.一种制造发光装置的方法，所述方法包括：
在发光元件基底上形成多个发光元件；
在每个发光元件上形成识别部分，以使相关的发光元件与其它发光元件相区分；
将所述多个发光元件分开，以形成多个发光装置。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，识别部分具有使每个发光元件与其它的发光元件相区分的外观。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，每个发光元件包括：
第一导电类型半导体层；
第二导电类型半导体层；
活性层，形成在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；
第一电极单元，电连接到第一导电类型半导体层；
第二电极单元，电连接到第二导电类型半导体层；
其中，在识别部分形成操作中，识别部分形成在第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、活性层、第一电极单元和第二电极单元中的至少一个上。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，第一电极单元包括形成在第一导电类型半导体层上的透明电极，在识别部分形成操作中，识别部分形成在透明电极上。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，第一电极单元包括形成在第一导电类型半导体层上的透明电极，在识别部分形成操作中，识别部分形成在第一导电类型半导体层上，其后，在元件形成操作中，透明电极形成在第一导电类型半导体层上。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，第二电极单元形成在因去除第一导电类型半导体层和活性层的部分而暴露的第二导电类型半导体层的暴露区域上，并且
在识别部分形成操作中，识别部分形成在暴露区域上。
7.根据权利要求3所述的方法，其中，第一电极单元和第二电极单元中的至少一个形成为具有使相关的发光元件可识别的形状，从而形成识别部分。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，第一电极单元和第二电极单元中的至少一个具有根据发光元件基底上的位置的形状，从而形成识别部分。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其中，第一电极单元和第二电极单元中的至少一个包括：
电极焊盘；
延长的电极单元，具有小于电极焊盘的宽度的宽度并从电极焊盘延伸以形成，
其中，延长的电极单元形成为具有使发光元件可识别的形状。
10.根据权利要求7至9中任意一项所述的方法，其中，形成所述多个发光元件，使得所述多个发光元件中的每个发光元件的第一电极单元和第二电极单元中的至少一个具有与其它的发光元件的第一电极单元和第二电极单元的形状不同的形状。
11.根据权利要求3所述的方法，其中，第二电极单元形成在因去除第一导电类型半导体层和活性层的部分而暴露的第二导电类型半导体层的暴露区域上，和
在识别部分形成操作中，识别部分形成在因去除第一导电类型半导体层和活性层而暴露的第一导电类型半导体层和活性层的边上。
12.根据权利要求3所述的方法，其中，第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和活性层的至少一个形成为具有使相关的发光元件可识别的形状，从而形成识别部分。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，识别部分沿第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和活性层的层叠方向形成在第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和活性层中的至少两部分上。
14.根据权利要求12或13所述的方法，其中，所述多个发光元件中的每个发光元件的第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和活性层中的至少一个具有与其它发光元件的第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和活性层的形状不同的形状。
15.根据权利要求1至14中的任一项所述的方法，其中，识别部分形成在发光元件的光输出面的面上。
16.一种发光装置，所述发光装置包括：
元件基底；
发光元件，设置在元件基底上；
识别部分，使相关的发光元件与其它发光元件相区分。
17.根据权利要求16所述的发光装置，其中，识别部分具有使每个发光元件与其它发光元件相区分的外观。
18.根据权利要求17所述的发光装置，其中，每个发光元件包括：
第一导电类型半导体层；
第二导电类型半导体层；
活性层，形成在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；
第一电极单元，电连接到第一导电类型半导体层；
第二电极单元，电连接到第二导电类型半导体层；
其中，识别部分形成在第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、活性层、第一电极单元和第二电极单元中的至少一个上。
19.根据权利要求18所述的发光装置，其中，第一电极单元包括形成在第一导电类型半导体层上的透明电极，识别部分形成在透明电极上。
20.根据权利要求18所述的发光装置，其中，第一电极单元包括形成在第一导电类型半导体层上的透明电极，第一导电类型半导体层被所述透明电极覆盖。
21.根据权利要求18所述的发光装置，其中，第一电极单元和第二电极单元中的至少一个具有使相关的发光元件与其它发光元件相区分的形状，从而用作识别部分。
22.根据权利要求21所述的发光装置，其中，第一电极单元和第二电极单元的至少一个包括：
电极焊盘；
延长的电极单元，具有小于电极焊盘的宽度的宽度，并从电极焊盘延伸以形成，
其中，延长的电极单元具有使相关的发光元件被识别的形状，从而用作识别部分。
23.根据权利要求21所述的发光装置，其中，第二电极单元形成在因去除第一导电类型半导体层和活性层的部分而暴露的第二导电类型半导体层的暴露区域上，和
识别部分形成在因去除第一导电类型半导体层和活性层的部分而暴露的第一导电类型半导体层和活性层的边上。
24.利要求18述的发光装置，其中，第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和活性层的至少一个具有使相关的发光元件可被识别的形状，从而用作识别部分。
25.根据权利要求24所述的发光装置，其中，在第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和活性层的层叠方向上，第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和活性层中的至少两个具有相同的形状，从而用作识别部分。
26.一种发光元件基底，所述发光元件基底包括形成在其上的多个发光元件，并且所述发光元件基底包括使相关的发光元件与其它发光元件相区分的识别部分。
27.根据权利要求26所述的基底，其中，识别部分具有使每个发光元件与其它发光元件相区分的外观。
28.根据权利要求27所述的基底，其中，每个发光元件包括：
第一导电类型半导体层；
第二导电类型半导体层；
活性层，形成在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；
第一电极单元，电连接到第一导电类型半导体层；
第二电极单元，电连接到第二导电类型半导体层，
其中，识别部分形成在第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、活性层、第一电极单元和第二电极单元中的至少一个上。
29.根据权利要求28所述的基底，其中，所述多个发光元件中的每个发光元件的第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、活性层、第一电极单元和第二电极单元中的至少一个的形状与其它发光元件的第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、活性层、第一电极单元和第二电极单元的形状不同。
30.一种用于管理形成在权利要求26至29中任一项所述的发光元件基底上的多个发光元件的质量的质量管理方法，所述质量管理方法包括：
测量所述多个发光元件的每个发光元件的特性；
基于所述多个发光元件中的每个发光元件的识别部分，识别所述多个发光元件中的每个发光元件，并存储所述多个发光元件的每个发光元件的特性的测量结果。
31.根据权利要求30所述的方法，其中，在测量所述特性的步骤中，发光元件基底被划分成多个发光元件，封装之后测量每个发光元件的特性。
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