CN117936525A - 改善光晕现象的结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及电学领域，提供一种改善光晕现象的结构及其制备方法。改善光晕现象的结构的制备方法，步骤如下所述，首先将多个发光单元设置在电路基板上，再来铺设遮光层，使遮光层覆盖各个发光单元及各个发光单元之间的间隙，接着在遮光层上开孔，以暴露各个发光单元的上表面，并在各个发光单元周边形成遮光单元，再来铺设荧光粉层，使荧光粉层覆盖各个发光单元的上表面，最后削平荧光粉层，使各个发光单元的上表面上分别形成荧光单元，以获得改善光晕现象的结构。本申请可以避免相关技术容易导致光晕现象产生的问题。
Description
技术领域
本申请涉及电学领域，特别是涉及改善光晕现象的结构及改善光晕现象的结构的制备方法。
背景技术
次毫米发光二极管(Mini LED)显示器及微发光二极管(Micro LED)显示器相较于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,缩写为OLED)显示器或需要背光模块的液晶显示器(Liquid Crystal Display,缩写为LCD)，虽然次毫米发光二极管显示器及微发光二极管显示器的生产成本相对较高，但是在发光效率或亮度等方面都有更佳的表现，并且还具有低功耗及产品寿命较长等多项优点，因此目前次毫米发光二极管显示器及微发光二极管显示器均已应用在许多显示器产品中，例如穿戴式显示器、头戴式显示器、车用显示器、智能型手机或平板计算机等，涉及民众生活的方方面面，而未来若能克服部分工艺技术瓶颈，例如巨量转移及巨量修补等导致成本难以降低的问题，则有望发展出更庞大的市场。
不过当前在次毫米发光二极管显示器及微发光二极管显示器的生产上还有面临其他问题，以下以当前在次毫米发光二极管显示器及微发光二极管显示器的制备流程举例说明，并且为了简单叙述，本段中将毫米发光二极管及微发光二极管简称为发光二极管。在制备流程中首先会利用巨量转移工艺将发光二极管转移至印刷电路板上，接着再铺设荧光粉层，荧光粉层会覆盖各个发光二极管，并充填在各个发光二极管之间，最后再在荧光粉层上铺设黑色矩阵，但是由于前述的制备流程中各个发光二极管之间存在荧光粉，因此当发光二极管发射光线时，光线便会激发周围的荧光粉，而被激发的荧光粉也包括相邻的发光二极管之间的荧光粉，因此相邻的发光二极管之间的荧光粉会同时被多个发光二极管所激发，导致最后形成的光线彼此相互干扰，从而导致光晕现象，影响显示器的显示效果。
发明内容
本申请的目的在于解决相关技术所述的问题，因此本申请的目的旨在改善当前在次毫米发光二极管显示器及微发光二极管显示器的产品中会因为荧光粉被多个方向上次毫米发光二极管或微发光二极管的光线激发，而导致出现光晕现象并影响显示效果的问题。
基于本申请的一目的，本申请提供一种改善光晕现象的结构，包括电路基板，电路基板上设置多个发光单元，各个发光单元之间充填有遮光单元，而各个发光单元的上表面分别设置荧光单元。
在本申请的一实施例中，遮光单元的上表面高于发光单元的上表面。
在本申请的一实施例中，荧光单元的上表面与遮光单元的上表面齐平。
基于本申请的目的，本申请还提供一种改善光晕现象的结构的制备方法。一种改善光晕现象的结构的制备方法，步骤如下所述，首先将多个发光单元设置在电路基板上，再来铺设遮光层，使遮光层覆盖各个发光单元及各个发光单元之间的间隙，接着在遮光层上开孔，以暴露各个发光单元的上表面，残余的遮光层则作为遮光单元，遮光单元围绕各个发光单元，并且遮光单元也充填在各个发光单元之间，再来铺设荧光粉层，使荧光粉层覆盖各个发光单元的上表面，最后削平荧光粉层，使各个发光单元的上表面上分别形成荧光单元。
在本申请的一实施例中，在遮光层上开孔的方法为镭射钻孔法、机械钻孔法或蚀刻法。
在本申请的一实施例中，电路基板为印刷电路板或柔性电路板。
在本申请的一实施例中，发光单元为次毫米发光二极管或微发光二极管。
在本申请的一实施例中，发光单元为蓝光发光二极管、紫光发光二极管或紫外光发光二极管。
在本申请的一实施例中，遮光单元为黑色矩阵。
在本申请的一实施例中，荧光单元为由荧光粉所组成。
在本申请的一实施例中，荧光单元为由黄色荧光粉、红色荧光粉、绿色荧光粉或蓝色荧光粉中的任一者所组成。
在本申请的一实施例中，荧光单元为由红色荧光粉及绿色荧光粉所组成。
在本申请的一实施例中，荧光单元为由红色荧光粉、绿色荧光粉及蓝色荧光粉所组成。
综上所述，本申请所提供的改善光晕现象的结构及其制备方法可以避免相关技术容易导致光晕现象产生的问题。
附图说明
图1为本申请一个实施例提供的改善光晕现象的结构的制备方法的步骤图。
图2为本申请一个实施例提供的改善光晕现象的结构的制备方法中完成步骤S10后获得的结构的示意图。
图3为本申请一个实施例提供的改善光晕现象的结构的制备方法中完成步骤S20后获得的结构的示意图。
图4为本申请一个实施例提供的改善光晕现象的结构的制备方法中完成步骤S30后获得的结构的示意图。
图5为本申请一个实施例提供的改善光晕现象的结构的制备方法中完成步骤S40后获得的结构的示意图。
图6为本申请一个实施例提供的改善光晕现象的结构的制备方法中完成步骤S50后获得的结构的示意图。
附图标记说明：
1：电路基板；
2：发光单元；
3：遮光层；
4：荧光粉层；
30：遮光单元；
40：荧光单元；
S10、S20、S30、S40、S50：步骤。
具体实施方式
为了使本申请所属技术领域中具有通常知识者易于理解本申请的内容，以下结合实施例与附图对本申请作进一步的说明，各个实施例仅用于说明本申请的技术特征，提及的内容并非对本申请的限定。
本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或者位置关系，仅是为了便于描述本实用和简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位，以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，“第一”、“第二”、“第三”、“第四”仅用于描述目的，而不能理解为指示或者暗示相对重要性。
在整个说明书中所述的“一实施例”表示结合实施例所描述的特定特点、结构或特征包括在至少一个实施例中。因此在整个说明书的各个位置所述的“一实施例”无需全都指相同实施例。另外，特定特点、结构或特征可在一个或多个实施例中以任何方式组合。
请参阅图1、图2、图3、图4、图5及图6，一种改善光晕现象的结构的制备方法，包括步骤S10、步骤S20、步骤S30、步骤S40及步骤S50。
请参阅图1及图2，步骤S10为将多个发光单元2设置在电路基板1上。
请参阅图1及图3，步骤S20为铺设遮光层3，使遮光层3覆盖各个发光单元2及各个发光单元2之间的间隙。
请参阅图1及图4，步骤S30为在遮光层3上开孔，以暴露各个发光单元2的上表面，残余的遮光层3则作为遮光单元30，遮光单元30围绕各个发光单元2，并且遮光单元30也充填在各个发光单元2之间。
请参阅图1及图5，步骤S40为铺设荧光粉层4，使荧光粉层4覆盖各个发光单元2的上表面。
请参阅图1及图6，步骤S50为削平荧光粉层4，使各个发光单元2的上表面上分别形成荧光单元40。
请参阅图1、图2、图3、图4、图5及图6，在本申请的一实施例中，改善光晕现象的结构的制备方法的具体执行步骤如下所述。
请参阅图1及图2，步骤S10为使用巨量转移(mass transfer)设备将磊晶基板上的发光单元2转移至电路基板1上，且相邻的发光单元2之间包括有间隙；前述巨量转移设备所使用的巨量转移技术可为静电转移技术、磁转移技术、微转印技术或滚印转移技术等不同巨量转移技术，本申请并不特别限制；前述的发光单元2可为次毫米发光二极管(Mini LED)或微发光二极管(Micro LED)，此外发光单元2可为蓝光发光二极管、紫光发光二极管或紫外光发光二极管；前述次毫米发光二极管为指晶粒边长为100~200μm的发光二极管，而前述微发光二极管为指晶粒边长小于100μm的发光二极管；前述电路基板1可为印刷电路板(printed circuit board,缩写为PCB)或柔性电路板(flexible printed circuit,缩写为FPC)，本申请并不特别限制。
请参阅图1及图3，步骤S20为铺设遮光层3，使遮光层3覆盖各个发光单元2，并覆盖各个发光单元2之间的间隙，在本实施例中，遮光层3的上表面高于各个发光单元2，遮光层3为经由涂布工艺铺设黑色光阻后使其固化所形成，但实际实施时不限于此，遮光层3也可为黑色树脂或黑色油墨等其他遮光材料所形成，本申请并不特别限制。
请参阅图1及图4，步骤S30为在遮光层3上开孔，以暴露各个发光单元2的上表面，并且各个发光单元2之间充填有遮光单元30，在本实施例中在遮光层3上开孔的方式为利用镭射钻孔法，开设的孔洞会暴露发光单元2的上表面，在本实施例中孔洞位于各个发光单元2的正上方，而完成开孔后所残留的遮光层3即为遮光单元30，遮光单元30围绕各个发光单元2，并且遮光单元30也充填在各个发光单元2之间，并且由于在步骤S20中遮光层3的上表面高于各个发光单元2，因此遮光单元30的上表面也高于各个发光单元2。前述开孔方式仅为示范例，但是实际实施时不限于此，开孔方式也可为机械钻孔法、蚀刻法等方法，本申请并不特别限制。
请参阅图1及图5，步骤S40为涂敷荧光粉以形成荧光粉层4，荧光粉层4覆盖在各个发光单元2的上表面，在本实施例中为让荧光粉层4覆盖各个发光单元2及遮光单元30，因此荧光粉层4的上表面会高于各个发光单元2的上表面及遮光单元30的上表面，但是实际实施时不限于此，荧光粉也可为只充填在各个发光单元2的上表面，并且各个发光单元2的上表面上所铺设的荧光粉的高度大于或等于遮光单元30的高度，因此荧光粉层4即由各个发光单元2的上表面的荧光粉共同组成。
请参阅图1、图4及图6，步骤S50为削平荧光粉层4，以去除高于遮光单元30的上表面的荧光粉，因此当荧光粉层4被削平后，残余的荧光粉便会填充在步骤S30开孔所形成的孔洞中，而填充在各个孔洞中的荧光粉即为荧光单元40，荧光单元40覆盖在发光单元2上，因此发光单元2发射的光线时便能激发荧光单元40，使荧光单元40产生对应的光线；此外由于高于遮光单元30的上表面的荧光粉均被去除，因此相邻的荧光单元40之间没有荧光粉相互连结，所以相较于相关技术会因为相邻的发光二极管之间的荧光粉会被周边的发光二极管共同激发产生光线干扰，本申请中由于各个荧光单元40彼此相互独立，因此可以降低光线干扰的状况，从而改善出现光晕现象的问题；另外在本实施例中由于高于遮光单元30的上表面的荧光粉均被去除，因此荧光单元40的上表面会与遮光单元30的上表面齐平，荧光单元40的上表面和遮光单元30的上表面会共同形成一个平整面，此平整面可以让后续贴合至触控传感器或盖板玻璃时更加方便且容易。
前述步骤S40及步骤S50中所述的荧光粉可以根据发光单元2的种类及实务需求调整，在本实施例中以发光单元2为蓝光发光二极管作为举例，而所铺设的荧光粉以为黄色荧光粉为例，利用蓝光发光二极管发射蓝色光线激发黄色荧光粉，使黄色荧光粉释放黄光，让黄光与蓝光互补而形成白色光线，前述黄色荧光粉以钇铝石榴石荧光粉(YAG荧光粉)为例，但实际实施时不限于此，可以根据实际需求选择，例如也可为如硅酸盐荧光粉、氮化物荧光粉等其他态样的荧光粉，本申请并不特别限制；另外举例当发光单元2为蓝光发光二极管时，荧光粉也可为由绿色荧光粉及红色荧光粉所组成，利用蓝光发光二极管发射的蓝色光线，蓝色光线激发绿色荧光粉而产生绿色光线，蓝光发光也会激发红色荧光粉而产生红色光线，利用蓝色光线、绿色光线及红色光线复合而产生白色光线；此外再举例当发光单元2为紫光发光二极管或紫外光发光二极管时，荧光粉可为由红色荧光粉、绿色荧光粉及蓝色荧光粉所组成，利用紫光发光二极管发射的紫光或紫外光发光二极管发射的紫外光分别激发红色荧光粉、绿色荧光粉及蓝色荧光粉而产生红色光线、绿色光线及蓝色光线，并利用红色光线、绿色光线及蓝色光线复合形成白色光线。
请参阅图6，基于前述说明，本申请还提供一种改善光晕现象的结构，包括电路基板1，电路基板1上设置多个发光单元2，各个发光单元2之间充填有遮光单元30，而各个发光单元2的上表面分别设置荧光单元40。
请参阅图6，在本申请的一实施例中，改善光晕现象的结构中的电路基板1可为印刷电路板或柔性电路板，发光单元2可为次毫米发光二极管或微发光二极管，遮光单元30为黑色矩阵，遮光单元30的材料可为黑色光阻、黑色树脂或黑色油墨，而荧光单元40为由荧光粉所组成，荧光单元40可为由黄色荧光粉、红色荧光粉、绿色荧光粉或蓝色荧光粉中的任一者所组成，或者荧光单元40可为由红色荧光粉及绿色荧光粉所组成，又或者荧光单元40可为由红色荧光粉、绿色荧光粉及蓝色荧光粉所组成；另外在本实施例中，改善光晕现象的结构中的荧光单元40的上表面与遮光单元30的上表面齐平，且荧光单元40的上表面与遮光单元30的上表面均高于发光单元2的上表面，并且荧光单元40覆盖遮光单元30，同时荧光单元40的下表面与遮光单元30的上表面相接触。
综上所述，本申请所提供的改善光晕现象的结构及其制备方法可以避免相关技术容易导致光晕现象产生的问题。
各实施例仅用于说明本申请的技术内容，而非意图限定本申请的实施范围，因此依本申请权利要求所进行的均等变化与改变，均应仍属本申请的涵盖范围。
Claims (10)
1.一种改善光晕现象的结构，其特征在于，包括电路基板，所述电路基板上设置多个发光单元，各所述发光单元之间充填有遮光单元，而各所述发光单元的上表面分别设置荧光单元。
2.如权利要求1所述的改善光晕现象的结构，其特征在于，所述遮光单元的上表面高于所述发光单元的所述上表面。
3.如权利要求1所述的改善光晕现象的结构，其特征在于，所述荧光单元的上表面与所述遮光单元的上表面齐平。
4.如权利要求1所述的改善光晕现象的结构，其特征在于，所述遮光单元为黑色矩阵。
5.如权利要求1所述的改善光晕现象的结构，其特征在于，所述荧光单元由荧光粉所组成。
6.如权利要求1所述的改善光晕现象的结构，其特征在于，所述发光单元为次毫米发光二极管或微发光二极管。
7.一种改善光晕现象的结构的制备方法，其特征在于，包括：
将多个发光单元设置在电路基板上；
铺设遮光层，使所述遮光层覆盖各所述发光单元及各所述发光单元之间的间隙；
在所述遮光层上开孔，以暴露各所述发光单元的上表面，残余的所述遮光层则作为遮光单元，所述遮光单元围绕各所述发光单元，并且所述遮光单元也充填在各所述发光单元之间；
铺设荧光粉层，使所述荧光粉层覆盖各所述发光单元的所述上表面；
削平所述荧光粉层，使各所述发光单元的所述上表面上分别形成荧光单元。
8.如权利要求7所述的改善光晕现象的结构的制备方法，其特征在于，所述荧光单元的上表面与所述遮光单元的上表面齐平。
9.如权利要求7所述的改善光晕现象的结构的制备方法，其特征在于，在所述遮光层上开孔的方法为镭射钻孔法、机械钻孔法或蚀刻法。
10.如权利要求7所述的改善光晕现象的结构的制备方法，其特征在于，所述发光单元为次毫米发光二极管或微发光二极管。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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