KR101154509B1 - 고효율 발광 다이오드 - Google Patents

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Abstract

고효율 발광 다이오드가 개시된다. 이 발광 다이오드는 지지기판과, 반도체 적층 구조체와, 지지기판과 반도체 적층 구조체 사이에 위치하여 반도체 적층 구조체에 오믹 콘택하고, 상기 반도체 적층 구조체의 외부로 노출된 영역을 갖는 제1 전극과, 제1 전극의 외부로 노출된 영역 상에 위치하고, 제1 전극에 전기적으로 접속된 제1 본딩 패드와, 제1 전극의 외부로 노출된 영역 상에 위치하고, 제1 전극으로부터 절연된 제2 본딩 패드와, 반도체 적층 구조체 상에 위치하는 제2 전극과, 제2 전극과 제2 본딩 패드를 연결하는 배선을 포함한다. 이에 따라, 본딩 패드들을 동일한 수준의 위치에 배치할 수 있어 와이어 본딩이 용이하고, 광 추출 효율을 개선할 수 있는 발광 다이오드가 제공된다.

Description

고효율 발광 다이오드{HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE}
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 분리 공정을 적용하여 성장기판을 제거한 질화갈륨 계열의 고효율 발광 다이오드에 관한 것이다.
일반적으로 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN) 등과 같은 Ⅲ족 원소의 질화물은 열적 안정성이 우수하고 직접 천이형의 에너지 밴드(band) 구조를 가지므로, 최근 가시광선 및 자외선 영역의 발광소자용 물질로 많은 각광을 받고 있다. 특히, 질화인듐갈륨(InGaN)을 이용한 청색 및 녹색 발광 소자는 대규모 천연색 평판 표시 장치, 신호등, 실내 조명, 고밀도광원, 고해상도 출력 시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다.
이러한 III족 원소의 질화물 반도체층은 그것을 성장시킬 수 있는 동종의 기판을 제작하는 것이 어려워, 유사한 결정 구조를 갖는 이종 기판에서 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정을 통해 성장된다. 이종기판으로는 육방 정계의 구조를 갖는 사파이어(Sapphire) 기판이 주로 사용된다. 그러나, 사파이어는 전기적으로 부도체이므로, 발광 다이오드 구조를 제한한다. 이에 따라, 최근에는 사파이어와 같은 이종기판 상에 질화물 반도체층과 같은 에피층들을 성장시키고, 상기 에피층들에 지지기판을 본딩한 후, 레이저 리프트 오프 기술 등을 이용하여 이종기판을 분리하여 수직형 구조의 고효율 발광 다이오드를 제조하는 기술이 개발되고 있다(예컨대, 미국등록특허공보 US7,704,763호 참조).
도 1은 종래의 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 수직형 구조의 발광 다이오드는 성장기판(도시하지 않음) 상에 질화갈륨계열의 n형 층(23), 활성층(25) 및 p형 층(27)을 차례로 형성하고, p형 층(27) 상에 p형 전극(48)을 형성하고, p형 전극을 본딩 메탈(43)을 통해 Si 서브마운트(41)에 플립본딩한 후, 성장 기판을 제거하고, 노출된 n형 층(23) 상에 n-전극을 형성함으로써 제조된다. 한편, Si 서브마운트(41)의 하부면에는 n형 전극(45)이 형성된다. 나아가, 상기 미국등록특허공보 US7,704,763호는 노출된 n형 층(23)의 표면에 건식 또는 PEC 식각 기술을 사용하여 거칠어진 면을 형성함으로써 광 추출 효율을 향상시킨다.
그러나, 종래기술에 따른 발광 다이오드는 n형 전극이 와이어를 본딩하기 위한 패드로서 이용된다. 이 때문에, 와이어 본딩 공정 동안, n형 전극(37)에 힘이 인가되고, 이 힘은 10㎛ 이하의 상대적으로 매우 얇은 두께를 갖는 에피층들(20)을 변형시키거나 손상시킬 수 있다. 나아가, n형 전극(37)은 와이어를 본딩하기에 충분한 크기로 상대적으로 크게 형성될 필요가 있다. n형 전극(37)은 광을 흡수하여 광 손실을 유발하기 때문에, 광 추출 면 상에 형성되는 n형 전극(37)의 크기가 증가할수록 광 손실이 증가한다.
한편, 종래 기술은 Si 서브마운트(41)의 바닥면에 n형 전극(45)을 형성하고, 이것을 다른 하나의 패드로 이용하고 있다. n형 전극(45)은 와이어를 본딩하기 위한 패드와 달리 Ag 페이스트 등의 도전성 접착제를 통해 인쇄회로기판 또는 리드에 전기적으로 접속한다. 그러나, 경우에 따라서는 p형 전극(39)에 전기적으로 접속하는 p형 패드로서 와이어를 본딩하기 위한 패드를 별도로 형성할 필요가 있다. 이때, 와이어를 본딩하기 위한 패드들을 동일한 수준의 높이에 위치시킬 필요가 있으나, 종래 기술은 n형 전극(37)이 에피층들(20) 상부에 위치하기 때문에 패드들을 동일한 수준에 배치하는 것이 곤란한다.
또한, 상기 종래 기술은 p형 전극(39)이 p형 층(27)의 거의 전면에 접촉하므로, p형 전극(39)을 통해 p형 층(27)에 고르게 전류를 분산시킬 수 있다. 이에 반해, n형 전극(37)은 광 추출 면 상에 형성되기 때문에, n형 층(23)의 일부분 상에 형성되며, 따라서 n형 층(23) 내에 전류를 고르게 분산시키기 어렵다. 상기 종래 기술은 n형 전극(37)에서 연장된 연장부들을 이용하여 전류를 분산시키는 기술을 개시하고 있으나, 칩 크기가 예컨대 1×1㎟ 이상의 대면적 칩에서 연장부를 이용한 전류 분산은 한계가 있다.
미국등록특허공보 US7,704,763호
본 발명이 해결하려는 과제는, 와이어를 본딩할 때, 패드에 인가되는 힘에 의해 에피층이 손상되는 것을 방지할 수 있는 고효율 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 전극 또는 패드에 의한 광 흡수를 감소시켜 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 고효율 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 또 다른 과제는, n형 패드와 p형 패드를 거의 동일한 수준의 위치에 배치함으로써 와이어 본딩 공정을 용이하게 수행할 수 있는 고효율 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 또 다른 과제는, 전류 분산 성능을 개선하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 고효율 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 태양에 따른 발광 다이오드는, 지지기판; 상기 지지기판 상에 위치하고, p형 화합물 반도체층, 활성층 및 n형 화합물 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체; 상기 지지기판과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 위치하여 상기 반도체 적층 구조체에 오믹 콘택하고, 상기 반도체 적층 구조체의 외부로 노출된 영역을 갖는 제1 전극; 상기 제1 전극의 외부로 노출된 영역 상에 위치하고, 상기 제1 전극에 전기적으로 접속된 제1 본딩 패드; 상기 제1 전극의 외부로 노출된 영역 상에 위치하고, 상기 제1 전극으로부터 절연된 제2 본딩 패드; 상기 반도체 적층 구조체 상에 위치하는 제2 전극; 및 상기 제2 전극과 상기 제2 본딩 패드를 연결하는 배선을 포함한다.
제1 본딩 패드와 제2 본딩 패드를 제1 전극 상에 형성함으로써, 이들을 거의 동일한 수준에 배치할 수 있다. 또한, 제2 본딩 패드를 제2 전극으로부터 떨어뜨려 제1 전극 상에 형성하기 때문에, 와이어 본딩 공정에서 반도체 적층 구조체가 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 제2 전극이 상대적으로 좁게 형성될 수 있어 제2 전극의 광 흡수를 감소시킬 수 있다.
상기 지지기판은 도전성일 필요가 없으며, 예컨대 사파이어 기판일 수 있다. 견고한 사파이어 기판을 지지기판으로 사용함으로써 발광 다이오드의 변형을 방지할 수 있다.
한편, 상기 제1 전극은 반사층을 포함할 수 있으며, 나아가 상기 반사층을 보호하기 위한 보호 금속층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 반사층은 상기 보호 금속층과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 매립되고, 상기 보호 금속층이 외부로 노출될 수 있다.
한편, 상기 발광 다이오드는 상기 제2 본딩 패드와 상기 제1 전극 사이에 개재된 절연층을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 본딩 패드는 상기 절연층에 의해 상기 제1 전극으로부터 절연된다.
또한, 상기 발광 다이오드는 상기 배선과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 개재된 절연층을 더 포함할 수 있다. 절연층에 의해 배선이 반도체 적층 구조체의 측면으로부터 절연된다. 나아가, 상기 절연층은 분포브래그 반사기(DBR)일 수 있다. 따라서, 활성층에서 생성된 광이 배선에 의해 흡수되는 것을 방지할 수 있다.
상기 p형 화합물 반도체층이 n형 화합물 반도체층보다 지지기판측에 가깝게 위치할 수 있으며, 상기 제1 전극은 p형 화합물 반도체층에 오믹 콘택할 수 있다.
한편, 상기 배선은 상기 제1 전극의 외부에 노출된 영역 상에서 상기 반도체 적층 구조체의 가장자리를 따라 상기 제2 본딩 패드로부터 서로 반대 방향으로 연장하는 수평 배선부들 및 상기 수평 배선부들로부터 상기 반도체 적층 구조체의 측면을 따라 상기 반도체 적층 구조체 상의 제2 전극에 연결되는 수직 배선부들을 포함할 수 있다. 나아가, 상기 제2 전극은 상기 반도체 적층 구조체 상에서 서로 이격된 복수의 부분들로 구성될 수 있다. 상기 수직 배선부들이 상기 제2 전극의 복수의 부분들에 연결된다.
본 발명의 또 다른 태양에 따르면, 지지기판; 상기 지지기판 상에 위치하고, p형 화합물 반도체층, 활성층 및 n형 화합물 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체; 상기 지지기판과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 위치하여 상기 반도체 적층 구조체에 오믹 콘택하고, 상기 반도체 적층 구조체의 외부로 노출된 영역을 갖는 제1 전극; 상기 제1 전극의 외부로 노출된 영역 상에 위치하고, 상기 제1 전극으로부터 절연된 복수개의 제2 본딩 패드들; 상기 반도체 적층 구조체 상에 위치하는 제2 전극; 및 상기 제2 전극과 상기 제2 본딩 패드들을 연결하는 배선들을 포함할 수 있다. 제1 전극 상에 복수의 제2 본딩 패드들을 배치하고, 이들 제2 본딩 패드들을 각각 배선을 통해 제2 전극에 연결함으로써 반도체 적층 구조체에 흐르는 전류를 분산시킬 수 있다.
나아가, 상기 배선들 중 적어도 하나는 상기 제1 전극의 외부에 노출된 영역 상에서 상기 반도체 적층 구조체의 가장자리를 따라 제2 본딩 패드로부터 연장하는 수평 배선부 및 상기 수평 배선부로부터 상기 반도체 적층 구조체의 측면을 따라 상기 반도체 적층 구조체 상의 제2 전극에 연결되는 수직 배선부를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 복수의 패드들을 거의 동일한 수준의 위치에 배치함으로써 와이어 본딩 공정을 용이하게 수행할 수 있는 고효율 발광 다이오드를 제공할 수 있다. 나아가, 반도체 적층 구조체 상의 전극과 본딩 패드를 떨어뜨려 형성함으로써 본딩 패드에 의한 광 흡수를 감소시켜 광 추출 효율을 향상시킬 수 있으며, 또한 와이어 본딩 공정에서 반도체 적층 구조체가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 더욱이, 반도체 적층 구조체의 가장자리를 따라 본딩 패드로부터 연장하는 수평 배선부를 채택함으로써 반도체 적층 구조체 내의 전류 분산 성능을 개선할 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 수직형 구조의 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 사시도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타내며, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다.
도 2는 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 발광 다이오드는 지지기판(71), 본딩 금속(73), 반도체 적층 구조체(50), p-전극(59, 61), n-전극(69), 절연층(63), p-본딩 패드(65), n-본딩 패드(67) 및 배선(68)을 포함한다.
지지기판(71)은 화합물 반도체층들을 성장시키기 위한 성장기판과 구분되며, 이미 성장된 화합물 반도체층들에 부착된 2차 기판이다. 상기 지지기판(71)은 사파이어 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 종류의 절연 또는 도전 기판일 수 있다. 특히, 성장 기판으로 사파이어 기판을 사용하는 경우, 성장 기판과 동일한 열팽창계수를 갖기 때문에 지지기판을 본딩하고 성장기판을 제거할 때, 웨이퍼 휨을 방지할 수 있으며, 또한 반도체 적층 구조체(50)를 견고하게 지지할 수 있다.
반도체 적층 구조체(50)는 지지기판(51) 상에 위치하며, p형 화합물 반도체층(57), 활성층(55) 및 n형 화합물 반도체층(53)을 포함한다. 여기서, 상기 반도체 적층 구조체(50)는 일반적인 수직형 발광 다이오드와 유사하게 p형 화합물 반도체층(57)이 n형 화합물 반도체층(53)에 비해 지지기판(71) 측에 가깝게 위치한다. 상기 반도체 적층 구조체(50)는 지지기판(71)의 일부 영역 상에 위치한다. 즉, 지지기판(71)이 반도체 적층 구조체(50)에 비해 상대적으로 넓은 면적을 가지며, 반도체 적층 구조체(50)는 상기 지지기판(71)의 가장자리로 둘러싸인 영역 내에 위치한다.
n형 화합물 반도체층(53), 활성층(55) 및 p형 화합물 반도체층(57)은 III-N 계열의 화합물 반도체, 예컨대 (Al, Ga, In)N 반도체로 형성될 수 있다. n형 화합물 반도체층(53) 및 p형 화합물 반도체층(57)은 각각 단일층 또는 다중층일 수 있다. 예를 들어, n형 화합물 반도체층(53) 및/또는 p형 화합물 반도체층(57)은 콘택층과 클래드층을 포함할 수 있으며, 또한 초격자층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 활성층(55)은 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조일 수 있다. 저항이 상대적으로 작은 n형 화합물 반도체층(53)이 지지기판(71)의 반대쪽에 위치함으로써 n형 화합물 반도체층(53)의 상부면에 거칠어진 면을 형성하는 것이 용이하며, 거칠어진 면은 활성층(55)에서 생성된 광의 추출 효율을 향상시킨다.
p-전극(59, 61)은 p형 화합물 반도체층(57)과 지지기판(71) 사이에 위치하며, p형 화합물 반도체층(57)에 오믹 콘택한다. p-전극은 반사층(59) 및 보호 금속층(61)을 포함할 수 있으며, 반사층이 반도체 적층 구조체(50)와 지지기판(71) 사이에 매립되도록 보호 금속층(61)이 반사층(59)을 감쌀 수 있다. 상기 반사층(59)은 예컨대 Ag와 같은 반사 금속으로 형성될 수 있으며, 보호 금속층(61)은 예컨대, Ni로 형성될 수 있다. 상기 p-전극, 예컨대 상기 보호 금속층(61)은 지지기판(71)의 전면 상에 위치할 수 있으며, 따라서, 상기 보호 금속층(61)은 반도체 적층 구조체(50)의 외부로 노출된 영역을 갖는다.
반도체 적층 구조체(50)의 외부로 노출된 p-전극, 예컨대 보호 금속층(61) 상에 p형 본딩 패드(65)가 위치할 수 있다. 상기 p형 본딩 패드(65)는 p-전극(59, 61)을 통해 p형 화합물 반도체층(57)에 전기적으로 접속한다.
또한, 상기 반도체 적층 구조체(50)의 외부로 노출된 p-전극, 예컨대 보호 금속층(61) 상에 n형 본딩 패드(67)가 위치한다. n형 본딩 패드(67)는 절연층(63)에 의해 p-전극(59, 61)으로부터 전기적으로 절연된다.
한편, n-전극(69)은 반도체 적층 구조체(50) 상에 위치하며, n형 화합물 반도체층(53)에 전기적으로 접속된다. 상기 n-전극(69)은 배선(68)을 통해 n형 본딩 패드(67)에 연결되며, 배선(68)은 절연층(63)에 의해 반도체 적층 구조체(50)의 측면으로부터 절연된다. 상기 배선(68), n형 본딩 패드(67), n-전극(69)은 동일한 공정에 의해 동일한 재료로 함께 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 서로 다른 재료로 형성될 수 있다.
한편, 상기 절연층(63), 특히 반도체 적층 구조체(50)의 측면에 형성된 절연층(63)은 분포 브래그 반사기(DBR)일 수 있다. 이 경우, 상기 절연층(63)이 활성층(55)에서 배선(68)으로 방출되는 광을 반사시킴으로써, 배선(68)에 의해 광이 흡수되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 본딩 금속(73)은 지지기판(71)과 p-전극(59, 61) 사이에 위치하여 반도체 적층 구조체(30)와 지지기판(71)을 결합시킨다. 본딩 금속(73)은 예컨대 Au-Sn으로 공융 본딩을 이용하여 형성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 도 2를 참조하여 설명한 발광 다이오드와 대체로 유사하나, 배선(88)과 전극(69)의 배치에 차이가 있다.
즉, 도 2의 배선(68)은 n형 본딩 패드(67)로부터 반도체 적층 구조체(50)의 측면을 따라 제2 전극(69)에 직접 연결된다. 이에 반해, 본 실시예에서, 배선(88)은 n형 본딩 패드(67)로부터 반도체 적층 구조체(50)의 가장자리를 따라 연장하는 수평 배선부(88a)와 상기 수평 배선부(88a)로부터 전극(63)으로 연장하는 수직 배선부(88b)를 포함한다. 나아가, 배선(88)은 반도체 적층 구조체(50)의 가장자리를 따라 본딩 패드(67)로부터 양측으로 연장할 수 있다.
예컨대, 수평 배선부들(88a)은 반도체 적층 구조체(50)의 가장자리를 따라 n형 본딩 패드(67)로부터 양측으로 연장할 수 있으며, 수직 배선부들(88b)이 반도체 적층 구조체(50)를 사이에 두고 서로 대향하여 위치하도록 상기 수평 배선부들(88a)로부터 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 적층 구조체(50)가 사각 기둥 형상을 갖는 경우, 상기 수직 배선부들(88b)은 반도체 적층 구조체(50)의 서로 대향하는 측면들 상에 각각 위치할 수 있다.
한편, 배선(88)은 절연층(63)에 의해 p-전극(59, 61) 및 반도체 적층 구조체(50)로부터 절연된다. 상기 절연층(63)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 적층 구조체(50)의 측면 전체를 덮을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 적층 구조체를 부분적으로 덮을 수도 있다. 더욱이, 상기 절연층(63)은 분포 브래그 반사기(DBR)로 형성될 수 있다.
한편, n-전극(63)은 반도체 적층 구조체(50) 상에서 서로 전기적으로 연결될 수 있으나, 도 3에 도시한 바와 같이, 서로 이격된 복수의 부분들을 포함할 수 있다. 상기 n-전극의 복수의 부분들은 서로 대향하여 대칭적으로 배치될 수 있으며, 상기 서로 이격된 부분들에 수직 배선부들(88b)이 각각 연결될 수 있다.
본 실시예에 따르면, n형 본딩 패드(67)로부터 수평 배선부들(88a)이 양측으로 연장하기 때문에, 수평 배선부들(88a)에서 전류가 미리 분산되어 n-전극(63)에 입력된다. 이에 따라, n-전극(63)의 각 부분들에 입력되는 전류 밀도가 감소되므로, 반도체 적층 구조체(50)에 입력되는 전류를 분산시킬 수 있다.
본 실시예에 있어서, 각각의 수평 배선부(88a)로부터 단일의 수직 배선부(88b)가 연장하는 것으로 설명하였지만, 도 4에 도시된 바와 같이, 각각의 수평 배선부(88a)로부터 복수개의 수직 연장부들(88a)이 연장하여 n-전극(63)에 접속할 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 사시도이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 도 3을 참조하여 설명한 발광 다이오드와 대체로 유사하나, 복수개의 n형 본딩 패드들(97)이 p-전극(59, 61) 상에 위치하는 것에 차이가 있다. 나아가, 지지기판(71)이 금속 또는 반도체와 같은 도전성이며, p형 본딩 패드(도 3의 65)는 지지기판(71)의 하부에 형성되거나 생략된다.
복수개의 n형 본딩 패드들(97)은 배선들(98)을 통해 n-전극(63)에 연결된다. 상기 배선들(98)은 각 본딩 패드(97)로부터 직접 n-전극(63)에 연결될 수 있다. 이와 달리, 상기 배선들(98)은, 도 5에 도시한 바와 같이, 수평 배선부들(98a)과 수직 배선부들(98b)을 통해 n-전극(63)에 연결될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 복수개의 n형 본딩 패드(97)를 채택함으로써 본딩 패드들(97)에서부터 전류를 분산시켜 입력할 수 있으며, 따라서 반도체 적층 구조체(50)에 입력되는 전류를 쉽게 분산시킬 수 있다. 나아가, 각 n형 본딩 패드(97)로부터 양측으로 연장하는 수평 배선부들(98a)을 채택함으로써 n-전극(63)에 입력되는 전류를 분산시킬 수 있으며, 따라서 반도체 적층 구조체(50) 내의 전류를 쉽게 분산시킬 수 있다.
앞에서 설명한 실시예들에 있어서, p형 화합물 반도체층(57)이 n형 화합물 반도체층(53)에 비해 지지기판(71)측에 가깝게 위치하는 것으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 그 역으로 배치될 수도 있다. 이 경우, n-전극(69) 및 n형 본딩 패드(67, 97)는 각각 p-전극(59, 61) 및 p형 본딩 패드(65)와 극성이 바뀐다.

Claims (13)

  1. 지지기판;
    상기 지지기판 상에 위치하고, p형 화합물 반도체층, 활성층 및 n형 화합물 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체;
    상기 지지기판과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 위치하여 상기 반도체 적층 구조체에 오믹 콘택하고, 상기 반도체 적층 구조체의 외부로 노출된 영역을 갖는 제1 전극;
    상기 제1 전극의 외부로 노출된 영역 상에 위치하고, 상기 제1 전극에 전기적으로 접속된 제1 본딩 패드;
    상기 제1 전극의 외부로 노출된 영역 상에 위치하고, 상기 제1 전극으로부터 절연된 제2 본딩 패드;
    상기 반도체 적층 구조체 상에 위치하는 제2 전극; 및
    상기 제2 전극과 상기 제2 본딩 패드를 연결하는 배선을 포함하는 발광 다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 지지기판은 사파이어인 발광 다이오드.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 전극은 반사층; 및
    상기 반사층을 보호하기 위한 보호 금속층을 포함하는 발광 다이오드.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 반사층은 상기 보호 금속층과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 매립되고, 상기 보호 금속층이 외부로 노출된 발광 다이오드.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 본딩 패드와 상기 제1 전극 사이에 개재된 절연층을 더 포함하고,
    상기 제2 본딩 패드는 상기 절연층에 의해 상기 제1 전극으로부터 절연된 발광 다이오드.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 배선과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 개재된 절연층을 더 포함하는 발광 다이오드.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 절연층은 DBR인 발광 다이오드.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 전극은 p형 화합물 반도체층에 오믹 콘택하는 발광 다이오드.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 배선은 상기 제1 전극의 외부에 노출된 영역 상에서 상기 반도체 적층 구조체의 가장자리를 따라 상기 제2 본딩 패드로부터 서로 반대 방향으로 연장하는 수평 배선부들; 및
    상기 수평 배선부들로부터 상기 반도체 적층 구조체의 측면을 따라 상기 반도체 적층 구조체 상의 제2 전극에 연결되는 수직 배선부들을 포함하는 발광 다이오드.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 반도체 적층 구조체 상에서 서로 이격된 복수의 부분들로 구성된 발광 다이오드.
  11. 지지기판;
    상기 지지기판 상에 위치하고, p형 화합물 반도체층, 활성층 및 n형 화합물 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체;
    상기 지지기판과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 위치하여 상기 반도체 적층 구조체에 오믹 콘택하고, 상기 반도체 적층 구조체의 외부로 노출된 영역을 갖는 제1 전극;
    상기 제1 전극의 외부로 노출된 영역 상에 위치하고, 상기 제1 전극으로부터 절연된 제2 본딩 패드;
    상기 반도체 적층 구조체 상에 위치하는 제2 전극; 및
    상기 제2 전극과 상기 제2 본딩 패드를 연결하는 배선을 포함하되,
    상기 배선은 상기 제1 전극의 외부에 노출된 영역 상에서 상기 반도체 적층 구조체의 가장자리를 따라 상기 제2 본딩 패드로부터 서로 반대 방향으로 연장하는 수평 배선부들; 및
    상기 수평 배선부들로부터 상기 반도체 적층 구조체의 측면을 따라 상기 반도체 적층 구조체 상의 제2 전극에 연결되는 수직 배선부들을 포함하는 발광 다이오드.
  12. 지지기판;
    상기 지지기판 상에 위치하고, p형 화합물 반도체층, 활성층 및 n형 화합물 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체;
    상기 지지기판과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 위치하여 상기 반도체 적층 구조체에 오믹 콘택하고, 상기 반도체 적층 구조체의 외부로 노출된 영역을 갖는 제1 전극;
    상기 제1 전극의 외부로 노출된 영역 상에 위치하고, 상기 제1 전극으로부터 절연된 복수개의 제2 본딩 패드들;
    상기 반도체 적층 구조체 상에 위치하는 제2 전극; 및
    상기 제2 전극과 상기 제2 본딩 패드들을 연결하는 배선들을 포함하는 발광 다이오드.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 배선들 중 적어도 하나는 상기 제1 전극의 외부에 노출된 영역 상에서 상기 반도체 적층 구조체의 가장자리를 따라 제2 본딩 패드로부터 연장하는 수평 배선부; 및
    상기 수평 배선부로부터 상기 반도체 적층 구조체의 측면을 따라 상기 반도체 적층 구조체 상의 제2 전극에 연결되는 수직 배선부를 포함하는 발광 다이오드.
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