CN102130257A - 发光器件、发光器件封装以及照明系统 - Google Patents

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Abstract

提供了一种发光器件、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括发光结构层和电极，发光结构层包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层以及在第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层之间的有源层；电极包括在发光结构层上的焊盘部分和指形部分。焊盘部分包括其中限定了至少一个开口的图案，并且指形部分包括电连接至焊盘部分并从焊盘部分线性地延伸的图案。

Description

发光器件、发光器件封装以及照明系统
交叉引用
本申请要求2009年12月11日提交的韩国专利申请No.10-2009-0123005的优先权，通过引用将其全部内容包括于此。
技术领域
各实施例涉及发光器件、发光器件封装以及照明系统。
背景技术
发光二极管(LED)是将电流转换成光的半导体器件。
从各种LED发射的光的波长根据用来制造LED的半导体材料而改变。这是因为所发射的光的波长依赖于半导体材料的带隙。各种带隙代表价带电子和导带电子之间的能量差。
近来，随着LED的亮度的增加，LED正被用作为用于显示、车辆和照明的光源。另外，可以通过使用荧光物质或组合具有各种颜色的LED来实现高效率发射白光的LED。
发明内容
各实施例提供具有新的结构的发光器件、发光器件封装以及照明系统。
各实施例还提供在电极和电极焊盘之间具有增强的接合力的发光器件、发光器件封装以及照明系统。
在一个实施例中，一种发光器件，包括：发光结构层，包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层和在所述第一导电类型的半导体层和所述第二导电类型的半导体层之间的有源层；以及，电极，包括在发光结构层上的焊盘部分和指形部分，其中，所述焊盘部分包括其中限定了至少一个开口的图案，并且所述指形部分包括电连接至所述焊盘部分并从所述焊盘部分线性地延伸的图案。
在另一实施例中，一种发光器件封装，包括：封装体；在所述封装体上的第一和第二电极层，所述第一和第二电极层彼此电隔离；在所述封装体上的发光器件，所述发光器件电连接至所述第一和第二电极层；以及模制部件，所述模制部件包围主体上的发光器件，其中，所述发光器件包括发光结构层和电极，所述发光结构层包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层以及在所述第一导电类型的半导体层和所述第二导电类型的半导体层之间的有源层；所述电极包括在所述发光结构层上的焊盘部分和指形部分，其中所述焊盘部分包括其中限定了至少一个开口的图案，并且所述指形部分包括电连接至所述焊盘部分并从所述焊盘部分线性地延伸的图案，其中，所述发光器件包括在所述焊盘部分上的电极焊盘。
在又一实施例中，一种照明系统，其使用发光器件作为光源，所述照明系统包括：基板；以及在所述基板上的至少一个发光器件，其中，所述发光器件包括发光结构层和电极，所述发光结构层包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层以及在所述第一导电类型的半导体层和所述第二导电类型的半导体层之间的有源层；所述电极包括在所述发光结构层上的焊盘部分和指形部分，其中所述焊盘部分包括其中限定了至少一个开口的图案，并且所述指形部分包括电连接至所述焊盘部分并从所述焊盘部分线性地延伸的图案。
在附图和下面的说明书中阐述一个或多个实施例的详情。根据说明书、附图和权利要求书，其它特征将变得明显。
附图说明
图1到图3是根据实施例的发光器件的示图。
图4是示出根据第一实施例的发光器件的电极的示图。
图5是示出根据第二实施例的发光器件的电极的示图。
图6是示出根据第三实施例的发光器件的电极的示图。
图7是示出根据第四实施例的发光器件的电极的示图。
图8是示出根据第五实施例的发光器件的电极的示图。
图9是示出根据第六实施例的发光器件的电极的示图。
图10是示出根据第七实施例的发光器件的电极的示图。
图11是示出根据第八实施例的发光器件的电极的示图。
图12是包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的示图。
图13是使用根据实施例的发光器件或发光器件封装的背光单元的示图。
图14是使用根据实施例的发光器件或发光器件封装的照明单元的示图。
具体实施方式
在实施例的说明中，应当理解，当提及到一层(或者膜)在另一层或者衬底“上”时，该层(或者膜)可以直接在另一层或者衬底上，或者还可以存在中间层。另外，应当理解，当提及到一层在另一层“下”时，该层可以直接在另一层下，并且还可以存在一个或多个中间层。另外，关于在各层“上”或“下”的涵义还可以根据附图得出。
在附图中，为了便于说明和清楚起见，各层的厚度或大小被夸大、省略或示意地示出。另外，各元件的大小并不完全反映实际的大小。
在下文中，将参照附图说明根据实施例的发光器件、发光器件封装以及照明系统。
发光器件包括发光结构层，发光结构层包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层。第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层电连接至用于施加功率源的电极。
第一导电类型的半导体层可以是N型半导体层，并且第二导电类型的半导体层可以是P型半导体层。另一方面，第一导电类型的半导体层可以是P型半导体层，并且第二导电类型的半导体层可以是N型半导体层。
发光器件可以包括侧边型发光器件和垂直型发光器件，在侧边型发光器件中，朝发光结构层的向上方向暴露出全体电极，在垂直型发光器件中，朝发光结构层的向上方向暴露出一个电极，并且朝发光结构层的向下方向暴露出另一个电极。
在发光器件中，电极布置在发光结构层上以允许电流从线焊电极焊盘施加，从而宽范围地流入半导体层。
图1到图3是根据实施例的发光器件的示图。
参照图1，发光器件包括：非掺杂氮化物层20，其包括设置在生长衬底10上的缓冲层；发光结构层，其设置在非掺杂氮化物层20上，并且包括第一导电类型的半导体层30、有源层40和第二导电类型的半导体层50；透明电极层60，其设置在第二导电类型的半导体层50上；第一电极90，其设置在第一导电类型的半导体层30上；第二电极70，其设置在透明电极60上；以及电极焊盘80，其设置在第二电极70上。
生长衬底10可以由蓝宝石(Al2O3)、Si、SiC、GaAs、ZnO或MgO中的一种形成。例如，蓝宝石衬底可以用作生长衬底10。
非掺杂氮化物层20可以包括基于GaN的半导体层。例如，可以使用通过将三甲基镓(TMGa)气体及氢气和氨气通入腔室而生长的非掺杂GaN层作为非掺杂氮化物层。
例如，第一导电类型的半导体层30可以包括N型半导体层。第一导电类型的半导体层30可以由组分式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)、并且掺杂有N型掺杂物(如Si，Ge和Sn)的半导体材料(例如，InAlGaN，GaN，AlGaN，AlInN，InGaN，AlN或InN)形成。
有源层40是如下这样的层：在有源层40中，经由第一导电类型的半导体层30注入的电子(或空穴)与经由第二导电类型的半导体层50注入的电子(空穴)相遇，从而借助于能带的带隙差(能带的带隙差依赖于有源层40的形成材料)发射光。
有源层40可以具有单量子阱结构，多量子阱(MQW)结构，量子点结构或者量子线结构，但不限与此。
有源层40可以由组分式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料形成。当有源层40具有MQW结构时，可以堆叠多个阱层和多个垒层来形成有源层40。例如，有源层40可以具有InGaN阱层/GaN垒层的堆叠结构。
可以在有源层40上/下布置其中掺杂有N型或P型掺杂物的包层(未示出)。包层(未示出)可以由AlGaN层或InAlGaN层实现。
例如，第二导电类型的半导体层50可以由P型半导体层实现。第二导电类型的半导体层50可以由组分式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)、并且掺杂有P型掺杂物(如Mg，Zn，Ca，Sr和Ba)的半导体材料(例如，InAlGaN，GaN，AlGaN，AlInN，InGaN，AlN或InN)形成。
第一导电类型的半导体层30可以包括P型半导体层，并且第二导电类型的半导体层50可以包括N型半导体层。另外，可以在第二导电类型的半导体层50上设置包括N型或P型半导体层的第三导电类型的半导体层(未示出)。因此，发光结构层可以具有np结结构、pn结结构、npn结结构或pnp结结构中的至少一种。另外，可以以均匀或非均匀的浓度将杂质掺杂到第一导电类型的半导体层30和第二导电类型的半导体层50中。也就是说，发光结构层50可以具有各种结构，但不限于此。
包括第一导电类型的半导体层30、有源层40和第二导电类型的半导体层50的发光结构层可以具有各种结构，而不限于实施例中所示例的发光结构层的结构。
在第二导电类型的半导体层50和第二电极70之间布置透明电极层60，以用作欧姆接触层。例如，透明电极层60可以由ITO，ZnO，RuOx，TiOx或IrOx中的至少一种形成。
透明电极层60的提供不是必需的。可以直接在第二导电类型的半导体层50上布置第二电极70。另外，替代透明电极层60，可以形成用作为另一种欧姆接触层的材料。
第二电极70可以具有预定的图案形状，并且电极焊盘80放置在第二电极70上。第二电极70的图案将在后面说明。
另外，在本实施例中，尽管第二电极70具有预定的图案形状，电极焊盘80布置在第二电极70上并且电极焊盘80经由布线连接至外部功率源，但上述结构还可以应用于第一电极90。
在本实施例中，由于第二电极70具有预定的图案，因此电极焊盘80的一部分与透明电极层60接触并且电极焊盘80的其它部分与第二电极70接触。
由于利用第二电极70的图案增加了电极焊盘80和第二电极70之间的接触区域，因此能够增大电极焊盘80和第二电极70之间的接合力。
图2的发光器件具有类似于图1的发光器件的结构。因此省略了与图1重复的说明。
参照图2，透明电极层60部分地布置在第二导电类型的半导体层50上，并且第二电极70布置在第二导电类型的半导体层50和透明电极层60上。
第二电极70具有预定的图案，并且第二导电类型的半导体层50被第二电极70的图案部分地朝上方暴露出来。电极焊盘80布置在第二电极70上，并且电极焊盘80的一部分与第二导电类型的半导体层50接触。
由于利用第二电极70的图案增加了第二电极70和电极焊盘80之间的接触区域，因此能够增加电极焊盘80和第二电极70之间的接合力。
不同于图1和图2的侧边型发光器件，图3的发光器件包括垂直型发光器件。
参照图3，发光器件包括在导电支撑衬底130上的反射层120，在反射层120上的欧姆接触层110，在欧姆接触层110上的第二导电类型的半导体层50，在第二导电类型的半导体层50上的有源层40，在有源层40上的第一导电类型的半导体层30，在第一导电类型的半导体层30上的第一电极90，以及在第一电极90上的电极焊盘95。
第一电极90具有预定的图案，并且第一导电类型的半导体层30的一部分被该图案部分地朝上方暴露出来。连接至布线100的电极焊盘95布置在第一电极90上，并且电极焊盘95的一部分与第一导电类型的半导体层30接触。
由于利用第一电极90的图案增加了第一电极90和电极焊盘95之间的接触区域，因此能够增加电极焊盘95和第一电极90之间的接合力。
如图1到图3所示，根据实施例的发光器件包括用于施加功率源的电极。另外，电极具有预定的图案以便增加电极和电极焊盘之间的接合力。
图4是示出根据第一实施例的发光器件的电极的示图。
参照图4，包括焊盘部分210和指形部分220的电极230布置在导电层200上。
导电层200可以是用于将功率源提供至第一导电类型的半导体层或第二导电类型的半导体层的层。也就是说，导电层200可以是发光结构层的一部分或电连接至发光结构层的层。例如，导电层200可以包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层和透明电极层的其中之一。
焊盘部分210具有近似为圆盘形状的图案。指形部分220连接至焊盘部分210并且具有从焊盘部分210线性地延伸的图案。在焊盘部分210中限定至少一个开口219以经由开口219朝向上方地暴露出导电层200。根据本实施例，在焊盘部分210中限定了多个开口219。
如图1到图3所示，电极焊盘80布置在焊盘部分210上。利用焊盘部分210的图案来增加电极焊盘80和焊盘部分210之间的接触区域，从而增大两者之间的接合力。
图5是示出根据第二实施例的发光器件的电极的示图。
在第二实施例的说明中，将省略与上述第一实施例重复的说明。
参照图5，包括焊盘部分210和指形部分220的电极230布置在导电层200上。
焊盘部分210具有近似圆盘形状的图案。指形部分220与焊盘部分210分隔开并具有线性地延伸的形状。指形部分220和焊盘部分210通过导电层200彼此电连接。在焊盘部分210中限定多个开口219从而经由开口219朝向上方地暴露出导电层200。
如图1到图3所示，电极焊盘80布置在焊盘部分210上。利用焊盘部分210的图案来增加电极焊盘80和焊盘部分210之间的接触区域，从而增大两者之间的接合力。
图6是示出根据第三实施例的发光器件的电极的示图。
在第三实施例的说明中，将省略与上述第一实施例重复的说明。
参照图6，包括焊盘部分210和指形部分220的电极230布置在导电层200上。
焊盘部分210包括具有同心圆形状的图案，并且指形部分220连接至焊盘部分210并具有从焊盘部分210线性地延伸的图案。焊盘部分210具有排布彼此连接的多个同心圆形状图案的形状，并且焊盘部分210和指形部分220具有彼此相同的图案宽度。
在本实施例中，设置有多个指形部分220，并且至少一个指形部分沿着该至少一个指形部分与另一指形部分成直角的方向从焊盘部分210延伸。
焊盘部分210在具有同心圆形状的多个图案之间具有开口，从而经由这些开口朝向上方地暴露出导电层200。
如图1到图3所示，电极焊盘80布置在焊盘部分210上。通过焊盘部分210的图案来增加电极焊盘80和焊盘部分210之间的接触区域，从而增大两者之间的接合力。
图7是示出根据第四实施例的发光器件的电极的示图。
在第四实施例的说明中，将省略与上述第一实施例重复的说明。
参照图7，包括焊盘部分210和指形部分220的电极230布置在导电层200上。
焊盘部分210包括具有圆盘形状的图案以及具有同心圆形状的图案。指形部分220连接至焊盘部分210并且具有从焊盘部分210线性地延伸的图案。焊盘部分210具有多个彼此分隔开的同心圆形状的图案，并且焊盘部分210的至少一部分与指形部分220具有彼此相同的图案宽度。
在本实施例中，设置有多个指形部分220，并且至少一个指形部分220沿着该至少一个指形部分与另一指形部分成直角的方向从焊盘部分210延伸。
焊盘部分210在具有圆盘形状的图案和具有同心圆形状的图案之间具有开口，从而经由这些开口朝向上方地暴露出导电层200。
如图1到图3所示，电极焊盘80布置在焊盘部分210上。通过焊盘部分210的图案来增加电极焊盘80和焊盘部分210之间的接触区域，从而增大两者之间的接合力。
图8是示出根据第五实施例的发光器件的电极的示图。
在第五实施例的说明中，将省略与上述第一实施例重复的说明。
参照图8，包括焊盘部分210和指形部分220的电极230布置在导电层200上。
焊盘部分210包括具有近似圆盘形状的图案以及具有同心圆形状的图案，并且指形部分220连接至焊盘部分210并具有从焊盘部分210线性地延伸的图案。焊盘部分210具有彼此部分地连接的多个同心圆形状的图案以及圆盘形状的图案。焊盘部分210的至少一部分与指形部分220具有彼此相同的图案宽度。
在本实施例中设置有多个指形部分220，并且至少一个指形部分沿着该至少一个指形部分与另一指形部分成直角的方向从焊盘部分210延伸。
焊盘部分210在具有同心圆形状的图案和具有圆盘形状的图案之间具有开口，从而经由这些开口朝向上方地暴露出导电层200。
如图1到图3所示，电极焊盘80布置在焊盘部分210上。通过焊盘部分210的图案来增加电极焊盘80和焊盘部分210之间的接触区域，从而增大两者之间的接合力。
图9是示出根据第六实施例的发光器件的电极的示图。
在第六实施例的说明中，将省略与上述第一实施例重复的说明。
参照图9，包括焊盘部分210和指形部分220的电极230布置在导电层200上。
焊盘部分210具有近似环形的图案，并且指形部分220连接至焊盘部分210并具有从焊盘部分210线性地延伸的图案。焊盘部分210具有环形图案，并且焊盘部分210的一部分在环形图案的内部延伸。
焊盘部分210的至少一部分与指形部分220具有彼此相同的图案宽度。
在本实施例中设置有多个指形部分220，并且至少一个指形部分沿着该至少一个指形部分与另一指形部分成直角的方向从焊盘部分210延伸。
焊盘部分210在环形图案内具有开口，从而经由该开口朝向上方地暴露出导电层200。
如图1到图3所示，电极焊盘80布置在焊盘部分210上。通过焊盘部分210的图案来增加电极焊盘80和焊盘部分210之间的接触区域，从而增大两者之间的接合力。
图10是示出根据第七实施例的发光器件的电极的示图。
在第七实施例的说明中，将省略与上述第一实施例的说明重复的说明。
参照图10，包括焊盘部分210和指形部分220的电极230布置在导电层200上。
焊盘部分210具有多个彼此分隔开的图案，并且图案的至少一部分具有弧形形状。指形部分220连接至焊盘部分210并且具有从焊盘部分210线性地延伸的图案。
分别连接至指形部分220的焊盘部分210彼此分隔开。另外，焊盘部分210和指形部分220具有彼此相同的图案宽度。
在本实施例中设置有多个指形部分220，并且至少一个指形部分沿着该至少一个指形部分与另一指形部分成直角的方向从焊盘部分210延伸。
如图1到图3所示，电极焊盘80布置在焊盘部分210上。通过焊盘部分210的图案来增加电极焊盘80和焊盘部分210之间的接触区域，从而增大两者之间的接合力。
图11是示出根据第八实施例的发光器件的电极的示图。
在第八实施例的说明中，将省略与上述第一实施例的说明重复的说明。
参照图11，包括焊盘部分210和指形部分220的电极230布置在导电层200上。
焊盘部分210包括具有螺旋形状的图案。指形部分220连接至焊盘部分210并且具有从焊盘部分210线性地延伸的图案。另外，焊盘部分210和指形部分220具有彼此相同的图案宽度。
如图1到图3所示，电极焊盘80布置在焊盘部分210上。通过焊盘部分210的图案来增加电极焊盘80和焊盘部分210之间的接触区域，从而增大两者之间的接合力。
图12是包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的示图。
参照图12，根据实施例的发光器件封装600包括封装体300、布置在封装体300上的第一和第二电极层310和320、布置在封装体300上并且电连接至第一和第二电极层310和320的发光器件150，以及包围发光器件150的模制部件500。
封装体300可以由硅材料、合成树脂材料或金属材料形成。可以在发光器件150的周围布置倾斜的表面。
第一和第二电极层310和320彼此间电隔离从而向发光器件150提供功率。另外，第一和第二电极层310和320可以反射在发光器件150中产生的光以便提高发光效率。此外，第一和第二电极层310和320可以散掉在发光器件150中产生的热量。
发光器件150可以包括侧边型发光器件或垂直型发光器件。另外，发光器件150可以布置在封装体300或者第一或第二电极层310或320上。
发光器件150可以经由布线100电连接至第一电极层310和/或第二电极层320。由于在实施例中作为示例说明了垂直型发光器件150，因此作为示例，将该实施例图示为使用一根布线100。可选地，当发光器件150包括如图1和图2中所示的侧边型发光器件时，可以使用两根布线100。另外，当发光器件150包括倒装芯片型发光器件时，可以不使用布线100。
模制部件500可以包围发光器件150以保护发光器件150。另外，模制部件500中可以包含磷以改变从发光器件150发射出的光的波长。
由于发光器件封装600使用因为电极70和电极焊盘80之间的增大的接合力而具有优良可靠性的发光器件，因此发光器件封装600可以具有优良的电特性和低的故障发生率。
在基板上排列多个发光器件封装600。可以在从发光器件封装600发射出的光的路径上布置光学部件(例如，光波导板、棱镜片、漫射片以及荧光片)。发光器件封装、基板和光学部件可以用作为背光单元或照明单元。例如，照明系统可以包括背光单元、照明单元、指示器件、灯以及路灯。
图13是使用根据实施例的发光器件或发光器件封装的背光单元的示图。然而，图13的背光单元1100是照明系统的示例，因而本公开不限于此。
参照图13，背光单元1100可以包括底框1140，布置在底框1140中的光波导部件1120，以及布置在光波导部件1120的至少一侧或下表面的上的发光模块1110。另外可以在光波导部件1120的下方布置反射片1130。
底框1140可以具有在上侧开口的盒形形状，以便容纳光波导部件1120、发光模块1110以及反射片1130。底框1140可以由金属材料或树脂材料形成，但不限于此。
发光模块1110可以包括基板700和安装在基板700上的多个发光器件封装600。多个发光器件封装600可以向光波导部件1120提供光。在根据实施例的发光模块1110中，尽管作为示例将发光器件封装600布置在基板700上，但可以直接布置根据实施例的发光器件150。
如图13所示，发光模块1110可以布置在底框1140的至少一个内表面上。因此发光模块1110可以至少向光波导部件1120的侧表面提供光。
发光模块1110可以布置在底框1140上从而向光波导部件1120的下表面提供光。根据背光单元1150的设计，发光模块1110的布置可以有多种变形，但不限于此。
光波导部件1120可以布置在底框1140中。光波导部件1120可以接收从发光模块1110提供的光从而产生平面光，然后将平面光引导至液晶面板(未示出)。
例如，光波导部件1120可以是光波导面板(LGP)。LGP可以由例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂或聚奈二甲酸乙二脂(PEN)树脂等基于树脂的材料中的一种形成。
可以在光波导部件1120上布置光学片1150。
例如，光学片1150可以包括漫射片、集光片、亮度增强片或荧光片中的至少一种。例如，可以堆叠漫射片、集光片、亮度增强片和荧光片以形成光学片1150。在这种情况下，漫射片可以均匀散布从发光模块1110发射出的光，并且被散布的光可以被集光片收集至显示面板(未示出)中。在此，从集光片发射出的光是被随机极化的光。亮度增强片可以增强从集光片发射出的光的极化度。例如，集光片可以是水平和/或垂直的棱镜片。另外，亮度增强片可以是双重亮度增强膜。荧光片可以是光传输板或者包含磷的膜。
反射片1130可以布置在光波导部件1120之下。反射片1130反射穿过光波导部件1120的下表面向光波导部件1120的发光表面发射的光。
反射片1130可以由具有较高反射率的材料，例如，PET树脂、PC树脂或PVC树脂形成，但不限于此。
图14是使用根据实施例的发光器件或发光器件封装的照明单元的示图。然而，图14的照明单元1200是照明系统的一个示例，因此在此公开的照明系统不限于此。
参照图14，照明单元1200可以包括罩体1210、布置在罩体1210上的发光模块1230，布置在罩体1210上以便接收来自外部功率源的功率的连接端子1220。
罩体1210可以由具有良好散热特性的材料(例如，金属材料或树脂材料)形成。
发光模块1230可以包括基板700和安装在基板700上的至少一个发光器件封装600。在根据实施例的发光模块1230中，尽管作为示例将发光器件封装600布置在基板700上，但可以直接布置根据实施例的发光器件150。
可以在电介质上印刷电路图案以形成基板700。例如，基板700可以包括印刷电路板(PCB)、金属核心PCB、柔性PCB或陶瓷PCB。
另外，基板700可以由高效反射材料形成，或者具有使光从其表面有效反射的颜色(例如，白色或银色)。
可以在基板700上安装至少一个发光器件封装600。发光器件封装600可以包括至少一个发光二极管(LED)。LED可以包括有色LED以及紫外(UV)LED，有色LED分别发射红色、绿色、蓝色以及白色的光，紫外(UV)LED发射UV光线。
发光模块1230可以具有LED的多种组合以便获得颜色效果和亮度。例如，可以相互组合白光LED、红光LED和绿光LED以确保高的显色指数(color rendering index，CRI)。另外，可以进一步在从发光模块1230发射光的路径上布置荧光片。荧光片改变从发光模块1230发射的光的波长。例如，当从发光模块1230发射的光具有蓝光波长带时，荧光片可以包括黄磷。因此，从发光模块1230发射的光通过荧光片从而最终发射出白光。
连接端子1220可以电连接至发光模块1230以向发光模块1230提供功率。参照图14，连接端子1220通过插口方式旋进接合至外部功率源，但接合方式不限于此。例如，连接端子1220可以具有管脚形状，因此可以插入至外部功率源。可选地，连接端子1220可以通过布线连接至外部功率源。
如上所述，在照明系统中，可以在从发光模块发射的光的路径上布置光波导部件、漫射片、集光片、亮度增强片以及荧光片中的至少之一来获得期望的光学效果。
由于照明系统使用因为电极70和电极焊盘80之间的增大的接合力而具有优良可靠性的发光器件，因此发光器件封装600可以具有优良的电特性和低的故障发生率。
本说明书中任何对于“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的引证表示与实施例相关联地说明的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。说明书中各处出现的这种表述并非必须指代同一实施例。另外，当与任何实施例相关联地说明特定特征、结构或特性时，应当认为这是在本领域技术人员结合其它实施例能够实现的范围之内。
尽管参照本发明的多个示例实施例对实施例进行了说明，但应当理解，本领域技术人员可以设计出落在本公开的原理的精神和范围内的多种其它变形和实施例。更具体地，在本公开、附图和随附权利要求书的范围内，各组成部分和/或对象组合安排的结构存在多种改变和变形。除了组成部分和/或结构的改变和变形以外，对于本领域技术人员来说选择性的应用也是明显的。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
发光结构层，包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层和在所述第一导电类型的半导体层和所述第二导电类型的半导体层之间的有源层；以及，
电极，包括在所述发光结构层上的焊盘部分和指形部分，
其中，所述焊盘部分包括其中限定了至少一个开口的图案，并且所述指形部分包括电连接至所述焊盘部分并从所述焊盘部分线性地延伸的图案。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述焊盘部分包括具有螺旋形状的图案。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述焊盘部分包括彼此分隔开的多个图案，并且所述指形部分包括分别连接至所述焊盘部分的所述多个图案并从所述焊盘部分线性地延伸的多个图案。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述指形部分与所述焊盘部分分隔开。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述焊盘部分包括具有环形形状或圆盘形状的图案。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述焊盘部分包括具有同心圆形状的图案。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述具有同心圆形状的图案彼此分隔开。
8.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述具有同心圆形状的图案被部分地相互连接。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述焊盘部分包括具有圆盘形状的图案和具有同心圆形状的图案。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电极布置在所述第一导电类型的半导体层和所述第二导电类型的半导体层中的至少之一上。
11.根据权利要求1所述的发光器件，包括在所述电极和所述发光结构层之间的至少一部分上的透明电极层。
12.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述焊盘部分和所述指形部分具有彼此相同的图案宽度。
13.根据权利要求1所述的发光器件，包括在焊盘部分上的电极焊盘。
14.一种发光器件封装，包括：
封装体；
在所述封装体上的第一和第二电极层，所述第一和第二电极层彼此电隔离；
在所述封装体上的发光器件，所述发光器件电连接至所述第一和第二电极层；以及
模制部件，所述模制部件包围主体上的所述发光器件，
其中，所述发光器件包括发光结构层和电极，所述发光结构层包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层以及在所述第一导电类型的半导体层和所述第二导电类型的半导体层之间的有源层；所述电极包括在所述发光结构层上的焊盘部分和指形部分，其中所述焊盘部分包括其中限定了至少一个开口的图案，并且所述指形部分包括电连接至所述焊盘部分并从所述焊盘部分线性地延伸的图案，
其中，所述发光器件包括在所述焊盘部分上的电极焊盘。
15.根据权要求14所述的发光器件封装，其中，所述电极焊盘的至少一部分与所述发光结构层接触。
16.根据权利要求14所述的发光器件封装，包括在所述电极和所述发光结构层之间的至少一部分上的透明电极层，其中，所述电极焊盘的至少一部分与所述透明电极层接触。
17.根据权利要求14所述的发光器件封装，其中，所述电极焊盘和所述第一或第二电极层经由布线彼此电连接。
18.根据权利要求14所述的发光器件封装，其中，所述焊盘部分包括彼此分隔开的多个图案，并且所述指形部分包括分别连接至所述焊盘部分的所述多个图案并从所述焊盘部分线性地延伸的多个图案。
19.根据权利要求14所述的发光器件封装，其中，所述指形部分与所述焊盘部分分隔开。
20.一种照明系统，其使用发光器件作为光源，所述照明系统包括：
基板；以及
在所述基板上的至少一个发光器件，
其中，所述发光器件包括发光结构层和电极，所述发光结构层包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层以及在所述第一导电类型的半导体层和所述第二导电类型的半导体层之间的有源层；所述电极包括在所述发光结构层上的焊盘部分和指形部分，其中所述焊盘部分包括其中限定了至少一个开口的图案，并且所述指形部分包括电连接至所述焊盘部分并从所述焊盘部分线性地延伸的图案。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103682023A (zh) * 2013-12-30 2014-03-26 杭州士兰明芯科技有限公司 Led结构及其电极的形成方法
JP2022527622A (ja) * 2020-03-03 2022-06-02 東莞市中麒光電技術有限公司 発光ダイオード及びその製造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101786094B1 (ko) * 2011-06-23 2017-10-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 라이트 유닛
US8564010B2 (en) * 2011-08-04 2013-10-22 Toshiba Techno Center Inc. Distributed current blocking structures for light emitting diodes
JP5960426B2 (ja) * 2011-12-16 2016-08-02 スタンレー電気株式会社 半導体素子及び半導体素子の製造方法
KR102075992B1 (ko) 2013-10-17 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102070089B1 (ko) * 2013-10-23 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 조명장치
CN106663918B (zh) * 2014-08-29 2020-03-24 国立大学法人京都大学 二维光子晶体面发射激光器
US10938177B2 (en) 2014-08-29 2021-03-02 Kyoto University Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05303106A (ja) * 1992-04-27 1993-11-16 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP2000174339A (ja) * 1998-12-04 2000-06-23 Mitsubishi Cable Ind Ltd ＧａＮ系半導体発光素子およびＧａＮ系半導体受光素子
US6599768B1 (en) * 2002-08-20 2003-07-29 United Epitaxy Co., Ltd. Surface mounting method for high power light emitting diode
CN1913186A (zh) * 2005-08-09 2007-02-14 三星电机株式会社 氮化物半导体发光器件
US20070131941A1 (en) * 2005-10-31 2007-06-14 Satoshi Tanaka Light emitting device having high optical output efficiency
US20080048172A1 (en) * 2004-01-30 2008-02-28 Showa Denko K.K. Gallium Nitride-Based Compound Semiconductor Light-Emitting Device
US20090273001A1 (en) * 2008-05-01 2009-11-05 Frank Shum Wire bonding to connect electrodes

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW329500B (en) * 1995-11-14 1998-04-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk Electro-optical device
TW516248B (en) * 2001-12-21 2003-01-01 Epitech Technology Corp Nitride light emitting diode with spiral-shaped metal electrode
JP2004055646A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光ダイオード素子のｐ側電極構造
US6958498B2 (en) * 2002-09-27 2005-10-25 Emcore Corporation Optimized contact design for flip-chip LED
KR100452751B1 (ko) 2003-06-03 2004-10-15 삼성전기주식회사 그물망 전극이 적용된 ⅲ-질화물 반도체 발광소자
US7202928B2 (en) * 2003-10-16 2007-04-10 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same
US7160741B2 (en) * 2003-11-06 2007-01-09 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Planar voltage contrast test structure and method
JP2005150675A (ja) * 2003-11-18 2005-06-09 Itswell Co Ltd 半導体発光ダイオードとその製造方法
US7227607B2 (en) * 2003-12-11 2007-06-05 Lg.Philips Lcd Co., Ltd Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR100603829B1 (ko) * 2003-12-12 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치
US20050161779A1 (en) * 2004-01-26 2005-07-28 Hui Peng Flip chip assemblies and lamps of high power GaN LEDs, wafer level flip chip package process, and method of fabricating the same
JP4907121B2 (ja) * 2005-07-28 2012-03-28 昭和電工株式会社 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ
EP1887634A3 (de) * 2006-08-11 2011-09-07 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
US7714340B2 (en) * 2006-09-06 2010-05-11 Palo Alto Research Center Incorporated Nitride light-emitting device
KR101272705B1 (ko) * 2006-11-09 2013-06-10 서울옵토디바이스주식회사 균일한 전류밀도 특성을 갖는 발광 다이오드
WO2008097911A1 (en) * 2007-02-05 2008-08-14 Rambus Inc. Semiconductor package with embedded spiral inductor
KR100765903B1 (ko) 2007-03-13 2007-10-10 (주)에피플러스 전류 분산 홀을 구비하는 발광 다이오드
TWI475716B (zh) * 2007-03-19 2015-03-01 Epistar Corp 光電元件
TWI362530B (en) * 2008-02-26 2012-04-21 Au Optronics Corp Pixel unit, liquid crystal display panel, electro-optical apparatus, and methods of manufacturing the same
CN101290446B (zh) * 2008-05-16 2011-10-05 京东方科技集团股份有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
US20100295088A1 (en) * 2008-10-02 2010-11-25 Soraa, Inc. Textured-surface light emitting diode and method of manufacture

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05303106A (ja) * 1992-04-27 1993-11-16 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP2000174339A (ja) * 1998-12-04 2000-06-23 Mitsubishi Cable Ind Ltd ＧａＮ系半導体発光素子およびＧａＮ系半導体受光素子
US6599768B1 (en) * 2002-08-20 2003-07-29 United Epitaxy Co., Ltd. Surface mounting method for high power light emitting diode
US20080048172A1 (en) * 2004-01-30 2008-02-28 Showa Denko K.K. Gallium Nitride-Based Compound Semiconductor Light-Emitting Device
CN1913186A (zh) * 2005-08-09 2007-02-14 三星电机株式会社 氮化物半导体发光器件
US20070131941A1 (en) * 2005-10-31 2007-06-14 Satoshi Tanaka Light emitting device having high optical output efficiency
US20090273001A1 (en) * 2008-05-01 2009-11-05 Frank Shum Wire bonding to connect electrodes

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103682023A (zh) * 2013-12-30 2014-03-26 杭州士兰明芯科技有限公司 Led结构及其电极的形成方法
JP2022527622A (ja) * 2020-03-03 2022-06-02 東莞市中麒光電技術有限公司 発光ダイオード及びその製造方法
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