CN1902770A - 用于形成构图涂覆膜的方法和设备 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 98
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 96
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 76
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 20
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 17
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 75
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 47
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 18
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 5
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 5
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 5
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 5
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 5
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 4
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Fluorinated zinc (fluorinated zinc oxide Chemical class 0.000 description 2
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- VEFXTGTZJOWDOF-UHFFFAOYSA-N benzene;hydrate Chemical compound O.C1=CC=CC=C1 VEFXTGTZJOWDOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 2
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920003225 polyurethane elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- CMXPERZAMAQXSF-UHFFFAOYSA-M sodium;1,4-bis(2-ethylhexoxy)-1,4-dioxobutane-2-sulfonate;1,8-dihydroxyanthracene-9,10-dione Chemical compound [Na+].O=C1C2=CC=CC(O)=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2O.CCCCC(CC)COC(=O)CC(S([O-])(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC CMXPERZAMAQXSF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 2
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 2
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N [Cd].[Sn] Chemical compound [Cd].[Sn] CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002168 ethanoic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000012453 solvate Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
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Abstract
一种诸如光生伏打电池或OLED的电致发光器件。所述电致发光器件(100)包括至少一个电极(110)和设置在所述至少一个电极(110)上的电致发光层(120)。所述电致发光层(120)包括电致发光聚合物材料,电致发光层(120)具有设置在与所述电极(110)邻接的表面上的第一图案(130)。所述电致发光层(120)具有基本均匀的厚度。还公开了一种通过沿相切方向(210)溶解和擦拭而对这样的电致发光层(单层或多层)(120)进行均匀构图的设备和方法。
Description
技术领域
本发明涉及电致发光器件,例如有机发光二极管。更具体而言,本发明涉及一种对这样的电致发光器件的电致发光层进行均匀构图的方法。
背景技术
诸如有机发光二极管(下文简称OLED)的电子有源器件在有机晶体管、燃料电池组件、微电子电路加工、微量分析测试程序以及专业电子设备中得到了广泛应用。这样的器件的特征之一是电致发光层,其由感光材料形成,并在接收电脉冲时发光。为了促进微型化,与器件几何形状相符,并使电致发光器件成品率最大化,必须经常对电致发光层进行构图,以形成各种纹理、构形和几何图形。
通常利用冲压(stamping)或激光烧蚀(ablation)实施对电致发光层的构图。在冲压过程中,利用构图冲模或冲头上的机械力将图案冲印在该层上,而在激光烧蚀中,已构图光掩模覆盖将要被构图的区域,而利用激光束有选择地蚀刻其余区域。
与电致发光层的此类构图相关的一个问题是冲压在层表面上留下大量的材料残留物。而且,通过冲压构图无法保证在大样品(specimen)上进行均匀的、可重现的精密构图。而激光烧蚀则能够获得均匀的、可重现的精密构图表面,该工艺需要高真空条件,并且在构图区域周围产生过多残留物,其价格昂贵,并且不能在大样品上或在野外工作中实施。
当前在有源电子器件中对电致发光层构图的方法采用机械或激光束技术,所述技术无法在最短的周转时间内对构图表面进行精确构图。因此,需要一种有源电子器件,其具有精密快速构图至均匀厚度的电致发光层。还需要一种对这样的电致发光层进行构图的方法,其凭借各种溶剂化物质(solvating species)适用于各种材料组分。还需要一种构图方法,其能够有效的独立于电致发光膜的加工或形成历史。
发明内容
本发明通过提供具有基本均匀的厚度的已构图电致发光层以及在衬底上形成这样的已构图电致发光层的方法满足这些及其他需求。通过这一方法可以对不同种类的电致发光层构图。还提供了一种具有至少一个这样的电致发光层的电致发光器件,例如光生伏打电池或OLED。本发明还包括用于通过从衬底表面有选择地去除至少一个涂层来制造电致发光层的设备。
因此,本发明的一个方面是提供一种电致发光器件。所述电致发光器件包括至少一个电极和设置在所述至少一个电极上的电致发光层。所述电致发光层包括电致发光聚合物材料,具有设置在与所述至少一个电极邻接的表面上的第一图案,并且具有基本均匀的厚度。
本发明的第二方面是提供一种用于电致发光器件的电致发光层。所述电致发光层包括电致发光聚合物材料。对所述电致发光层构图,所述电致发光层具有基本均匀的厚度;形成电致发光聚合物材料的连续片,通过沿与所述表面相切的方向擦拭所述连续片的表面而去除所述连续片的部分,由此形成所述电致发光层。
本发明的第三方面是提供一种电致发光器件。所述电致发光器件包括:至少一个电极;电致发光层;以及设置在所述至少一个电极和所述电致发光层之间的至少一个导电层。所述电致发光层包括电致发光聚合物材料,对其构图,使其具有基本均匀的厚度。形成电致发光聚合物材料的连续片,通过沿与所述表面相切的方向擦拭所述连续片的表面而去除所述连续片的部分,由此形成所述电致发光层。
本发明的第四方面是提供包括多个电致发光器件的光源。每一电致发光器件包括:至少一个电极;电致发光层;以及设置在所述至少一个电极和所述电致发光层之间的至少一个导电层。所述电致发光层包括电致发光聚合物材料,对其构图,使其具有基本均匀的厚度。形成电致发光聚合物材料的连续片,通过沿与所述表面相切的方向擦拭所述连续片的表面而去除所述连续片的部分,由此形成所述电致发光层。
本发明的第五方面是提供一种从衬底表面有选择地去除至少一个涂层的方法。所述方法包括的步骤有:提供具有设置在其表面上的涂层的衬底;沿相切方向使所述涂层的部分与擦拭头接触;并且采用擦拭头擦拭所述部分,从而从所述衬底去除所述涂层的部分。
本发明的第六方面是提供一种从衬底表面有选择地去除至少一个涂层的设备。所述设备包括:用于提供具有所述至少一个涂层的所述衬底的装置;用于去除所述涂层的部分的擦拭头,其中所述擦拭头沿相切方向接触所述涂层;以及在去除所述部分之后用于收集所述衬底的装置。
本发明的第七方面是提供一种用于去除设置在衬底表面上的至少一个涂层的部分的擦拭头。所述擦拭头包括用于接触和去除所述涂层的部分的接触面。所述接触面以相切的方式与所述部分接触,所述接触表面具有预定几何形状。
通过下述详细说明、附图和权利要求,本发明的这些和其他方面、优点和显著特征将变得清晰。
附图说明
图1是包括多个位于光屏板上的电致发光器件光源的示意图;
图2是电致发光器件的截面图;
图3是带有构成(constituent)图案的电致发光器件的实施例的示意图;
图4是具有涂覆部分和非涂覆部分的构图电致发光器件的第二实施例的示意图;
图5是通过擦拭(wiping)去除一部分连续片(continuous sheet)的实施例的示意图;
图6是本发明的擦拭头的接触面的示意性截面图;
图7A是从衬底表面有选择地去除至少一处涂层的方法的示意图;以及
图7B是从衬底表面有选择地去除至少一处涂层的方法的第二示意图。
具体实施方式
在下述说明中,始终以类似的附图标记表示附图中所示的几幅示意图中的类似或相应部分。还应当理解,诸如“顶部”、“底部”、“向外”、“向里”等措词是出于方便考虑的词语,不应将其视为限制性术语。
参照附图,具体而言,参照图1,应当理解图示的目的在于对本发明的优选实施例予以说明,而不是在于将本发明局限于所述图示。
可见光源以不同的方式产生光。这样的器件可以包括不同的产生光的部件和机制,一些光源可以比其他光源更有效地生成光。很多光源由电致发光材料构成,所述电致发光材料作为涂层或膜布置在电活性(electro-active)衬底(通常称为电极)上。因此,可以对所述膜构图或构纹(textured),以满足设计要求。
诸如墨喷印刷的通用膜构图方法每次淀积一滴涂层,所述方法通过构建聚酰亚胺井将所述液滴定位在膜表面上。通常在用于显示器的像素中采用这种方法。还可以用来对膜进行构图或构纹的方法包括但不限于丝网印刷、凹板印刷、胶版印刷、胶印平版印刷(offset lithographic printing)、旋涂、喷涂、弯月面涂覆和浸涂。但是,就后继溶剂(subsequent solvent)淀积而言,采用这样的方法难以布置具有均匀厚度的涂层并对其构图,在后继溶剂淀积中,在干化时溶剂将产生月牙凹(crater)或沟道。本发明的一个实施例公开了一种构图方法,其适用于具有均匀厚度涂层的大面积器件。一种制作构图电致发光膜的通用方法是从电致发光材料的连续膜上去除电致发光涂层的部分。通常利用冲模或冲头在高温或高压下,采用激光烧蚀、等离子蚀刻、膜表面刻划、带拉升(tape lifting)和剥离法完成这种处理。但是,仍然存在某些与这些方法中的每一种相关的缺点。例如,激光烧蚀和等离子蚀刻聚焦在样品的小处理区域内,因此,按比例扩大这种处理的成本可能非常高。刻划要求采用刚性刻针犁开连续涂层,其可能对下面的层或衬底带来潜在的损伤。以弹性模具冲压和提升(lifting)所提供的解决方案虽然可以从价格上接受但从质量上无法接受。剥离工艺与模具的构成材料特别相关,其可能导致涂层去除得不彻底,从而在冲压区上积淀残余物。所述残余物还可能影响电致发光器件的最终特性和性能。
本发明提供了一种有选择地去除一部分连续电致发光膜并制作清晰构图的电致发光膜的方法。
本发明还提供了一种以“润湿的(moistened)”软头擦拭而从连续电致发光膜去除涂层材料的方法。在另一个实施例中,擦拭头含有使电子发光膜成为溶剂化物(或利用水成或非水成溶剂使其变湿)的溶剂。采用擦拭头的相切擦拭作用有助于溶解区域的去除。
在另一个实施例中,本发明还提供了一种能够在单个步骤中去除多层膜的部分的溶剂系。所述的多个层可以彼此相同或不同。
在本发明的一个实施例中,如图1所示,光源50包括安装在光屏板75上的几个不同的电致发光器件100、102、104和106。所述电致发光器件可以在几何形状、处理工艺、空间装配和功能上彼此不同。图2中示意性地示出了一个这样的电致发光器件100的截面图。电致发光器件100包括电极110和设置于其上的电致发光层120。电致发光层120具有第一图案130,第一图案130设置在与电极110邻接的表面上。电致发光层120由电致发光聚合物材料构成,并且具有基本均匀的厚度。在另一个实施例中,如图3所示,电致发光器件100还包括设置在电极110和电致发光层120之间的导电层140。导电层140具有第二图案150,第二图案150设置在与电致发光层120邻接的表面上。在又一实施例中,第一图案130与第二图案150相同。导电层140包括下述材料中的至少一种:聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)(下文也称为“PEDOT”)、聚(3,4-丙烯基二氧噻吩)(下文也称为“PProDOT”)、聚苯乙烯磺酸盐(PSS)、聚乙烯基咔唑(下文也称为“PVK”)及其组合等。电极110包括下述材料中的至少一种:金属、氧化铟锡、硅及其组合。
在如图4所示的实施例中,在导电层140之一上设置电致发光层120,电致发光层120包括第一图案130。第一图案130包括至少一个具有涂覆表面区域的涂覆部分160和至少一个具有未涂覆表面区域的未涂覆部分170,其中,所述的至少一个未涂覆部分170与涂覆部分160交叉,以形成第一涂覆区域162和第二涂覆区域164。涂覆表面区域160通常大于非涂覆表面区域170。此外,未涂覆部分170包括至少一个沟道180,其裁通涂覆部分160,因而沟道180具有多个壁190。所述多个壁190中的每一个具有小于沟道180宽度的20%的边缘(boundary)宽度220。涂覆部分160所具有的厚度处于大约50nm到大约150nm的范围内。
电致发光层120所包括的聚合物材料可以是但不限于诸如聚合芴、聚苯撑(PPP)和聚para-亚苯基乙烯撑(PPV)的共轭聚合物。导电层140包括下述材料的至少一种:聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)(通常称为“PEDOT”)、聚(3,4-丙烯基二氧噻吩)(下文也称为“PProDOT”)、聚苯乙烯磺酸盐(本文也称为PSS)、聚乙烯基咔唑(本文也称为“PVK”)及其组合等。在本发明的其他实施例中,电致发光器件100还包括至少一个额外的聚合物层,其在电致发光器件100中执行导电、发射、电荷注入和电荷阻挡功能。电极110包括高功函数材料,所述材料能够与上部邻接层(导电层140)形成欧姆接触。电极110包括下述材料中的至少一种:氧化铟锡;氧化锡;氧化锌;氟化氧化锌(fluorinated zinc oxide);掺锡氧化锌;氧化镉锡;金;包括PEDOT、PProDOT、PSS、PVK中的至少一种的导电聚合物;及其组合。在本发明的其他实施例中,由衬底材料支撑电极110,所述衬底材料可以是但不限于:聚碳酸酯、聚烯烃、聚酯、聚酰亚胺、聚砜、丙烯酸盐、玻璃、金属箔及其组合。
在本发明的另一个实施例中,公开了一种用于电致发光器件100的电致发光层120。电致发光层120包括电致发光聚合物材料。对电致发光层120构图,电致发光层120具有基本均匀的厚度200,电致发光层120是通过形成电致发光聚合物材料的连续层115,并通过沿连续层115的表面118的切线210的方向擦拭连续层115的表面118而形成的,如图5所示。
邻接至少一个导电层140设置电致发光层120。电致发光层120具有图案130,图案130包括至少一个具有涂覆表面区域的涂覆部分160和至少一个具有未涂覆表面区域的未涂覆部分170,其中,所述的至少一个未涂覆部分与涂覆部分交叉,以形成第一涂覆区域162和第二涂覆区域164。通常,涂覆表面区域大于未涂覆表面区域。此外,未涂覆部分170包括至少一个沟道180,沟道180裁通涂覆部分160,使得沟道180具有多个壁190,所述多个壁190中的每一个具有小于沟道180的宽度的20%的边缘宽度220。涂覆表面区域160具有处于大约50nm到大约150nm范围内的厚度。
在一个实施例中,电致发光层120由连续聚合物片115构成。连续聚合物片115是通过在衬底的连续片上淀积PEDOT等聚合物膜,再对该聚合物膜构图,并在大约50℃和大约200℃之间的温度下烘焙所述聚合物膜而形成的。实际的烘焙温度取决于用来支撑连续聚合物片115的聚合物衬底。之后,以电致发光材料涂覆聚合物膜,从而在聚合物膜上形成电致发光层120,之后对电致发光层120构图。可以以任何次序执行对聚合物膜构图的步骤、对电致发光层120构图的步骤以及烘焙步骤。例如,可以根据表1所示的任何顺序执行聚合物膜和电致发光膜的涂敷、构图和烘焙。
表1:本发明的不同的、非限制性的实施例,示出了PEDOT膜的涂敷和构图过程中的各种处理方法。在表中,采用“EL”表示电致发光膜的涂敷。
编号 | 步骤1 | 步骤2 | 步骤3 | 步骤4 | 步骤5 | 步骤6 | 步骤7 |
1. | 涂敷PEDOT | 对PEDOT | 干燥 | 烘焙 | 涂敷EL | 对EL构图 | 干燥 |
构图 | |||||||
2. | 涂敷PEDOT | 对PEDOT构图 | 干燥 | 烘焙 | 涂敷EL | 干燥 | 对EL构图 |
3. | 涂敷PEDOT | 干燥 | 对PEDOT构图 | 烘焙 | 涂敷EL | 对EL构图 | 干燥 |
4. | 涂敷PEDOT | 干燥 | 对PEDOT构图 | 烘焙 | 涂敷EL | 干燥 | 对EL构图 |
5. | 涂敷PEDOT | 干燥 | 烘焙 | 对PEDOT构图 | 涂敷EL | 对EL构图 | 干燥 |
6. | 涂敷PEDOT | 干燥 | 烘焙 | 对PEDOT构图 | 涂敷EL | 干燥 | 对EL构图 |
7. | 涂敷PEDOT | 干燥 | 烘焙 | 涂敷EL | 对EL构图 | 干燥 | 对PEDOT构图 |
8. | 涂敷PEDOT | 干燥 | 烘焙 | 涂敷EL | 干燥 | 对EL构图 | 对PEDOT构图 |
9. | 涂敷PEDOT | 干燥 | 烘焙 | 涂敷EL | 干燥 | 同时对EL和PEDOT构图 | |
10. | 涂敷PEDOT | 干燥 | 涂敷EL | 对EL构图 | 干燥 | 对PEDOT构图 | 烘焙 |
11. | 涂敷PEDOT | 干燥 | 涂敷EL | 干燥 | 对EL构图 | 对PEDOT构图 | 烘焙 |
12. | 涂敷 | 干燥 | 涂敷EL | 干燥 | 同时对EL和 | 烘焙 |
PEDOT | PEDOT构图 | ||||||
13. | 涂敷PEDOT | 干燥 | 涂敷EL | 对EL构图 | 干燥 | 烘焙 | 对PEDOT构图 |
14. | 涂敷PEDOT | 干燥 | 涂敷EL | 干燥 | 烘焙 | 对EL构图 | 对PEDOT构图 |
15. | 涂敷PEDOT | 干燥 | 涂敷EL | 干燥 | 烘焙 | 同时对EL和PEDOT构图 |
为了促进电致发光膜的选定区域内的膜去除,由水、甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、甲苯、二甲苯及其组合物中的至少一种溶解连续聚合物片115的一部分。通过擦拭头230擦拭连续聚合物片115的被溶解部分的表面,从而去除至少一个膜的一部分,从而对所述膜或多个膜进行构图。擦拭头230包括下述材料中的至少一种:海绵、人造橡胶、热塑性塑料、热固塑料、纤维垫、多孔材料、聚氨酯橡胶、合成橡胶、天然橡胶、硅树脂、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、织物材料及其组合。
在本发明的一个实施例中,选择溶剂化物质,在不破坏下面的层的情况下通过每一次擦试动作去除单层膜。在另一个实施例中,选择溶剂化物质凭借每次擦拭促进多层的去除。例如,可以采用二甲苯作为溶剂,在不破坏下面的PEDOT层的情况下对具有两层结构的电致发光膜构图。在又一实施例中,也可以采用含有水和二甲苯的溶剂系在单个步骤中去除两个聚合物层。在这一具体实施例中,采用异丙醇促进水和二甲苯的混合,从而获得均质溶液。
在本发明的另一个实施例中,公开了一种从衬底表面有选择地去除至少一个涂层的方法,总体如图7A和图7B所示。所述方法包括的步骤有:提供衬底410,衬底410具有设置在其表面上的至少一个涂层420;采用擦拭头230以相切的方式与涂层420的部分460接触;并且采用擦拭头230沿与表面相切的方向210擦拭部分460,以便从衬底410上去除部分涂层420。涂层420可以是湿涂层或干涂层。或者,涂层420可以既包括湿区域又包括干区域。在一个实施例中,将涂层420烧固到衬底410的表面上。擦拭头230至少是干擦拭头和以溶剂250润湿的擦拭头之一。溶剂250包括下述溶剂中的至少一种:极性溶剂、非极性溶剂及其组合物。溶剂250的非限制性实例包括:水、甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、甲苯、二甲苯及其组合物。溶剂250的选择完全取决于将要去除的涂层。在一个实施例中,通过在擦拭头230擦拭涂层120的部分460时向头230内注入溶剂250使擦拭头230湿润。在另一个实施例中,在擦拭之前,通过将擦拭头230浸入(dipping)含有溶剂250的浴器内、在含有溶剂250的浴器内将擦拭头230浸透(soaking)、用溶剂250喷射擦拭头230或部分460中的至少一种方式使擦拭头230润湿。
溶剂250可以是极性或非极性的。对于每种聚合物涂层材料,通常具有三个溶解度参数,所述参数是导致聚合物的非极性、极性和氢键键合强度的因素。类似的,对于每种溶剂也具有三个相应的溶解度参数。一种聚合物的最佳溶剂是具有与该聚合物的参数相匹配的溶解度参数的溶剂。
实例1:涂层的去除,所述涂层包括具有极端溶解度特征(即完全极性和非极性材料共存)的聚合物。
在典型的实例中,电致发光层既包括:(i)诸如PEDOT的导电聚合物涂层,其完全是极性的(very polar),并且只在诸如水的氢键键合溶剂内溶解,还包括(ii)发光聚合物涂层,其为非极性的,并且只在诸如甲苯或二甲苯的非极性溶剂内溶解。为了在单次擦拭中去除具有极为不同的溶解度特征的多个聚合物涂层,在第三溶剂中分散适于每种聚合物的溶剂,以生成均质溶液。第三或分散溶剂从很多溶剂中选择,其可以是但不限于:醇(例如异丙醇、乙醇、甲醇等)、酮(例如丙酮、甲基乙基酮等)、乙酸酯、乙醚、二氯甲烷或任何具有中等溶解度参数的溶剂。在表1中列举了对用于典型发光塑料和PEDOT的溶剂的评估。
表1:聚合物的溶剂评估(1=低溶解度或不可溶解;5=高溶解度)。
溶剂 | 发光塑料 | PEDOT |
水 | 1 | 5 |
甲醇 | 2 | 2 |
乙醇 | 3 | 1 |
异丙醇 | 3 | 1 |
丙酮 | 1 | 1 |
甲苯 | 5 | 1 |
二甲苯 | 5 | 1 |
实例2:涂层的去除,所述涂层包括具有相似溶解度特征(即具有中等溶解度参数)的聚合物。
良好的溶剂包括溶解度参数与聚合物膜(单个或多个)的溶解度参数严格匹配的单组分系,或者包括具有与聚合物的溶解度参数匹配的有效溶解度参数的多组分溶剂系。多组分系中的溶剂未必一定是针对该聚合物的良好溶剂。例如,对于聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)而言,CCl4和乙醇都不是良好的单独溶剂,但是,CCl4和乙醇的双组分混合物却是PMMA的良好溶剂,因为所述混合物的有效溶解度参数与PMMA的溶解度参数匹配。
实例3:擦拭实例——在不破坏下层的情况下有选择地去除顶部涂层。
在这一实例中,将PEDOT层旋涂到涂敷了氧化铟锡(ITO)的玻璃衬底上,并在200℃的温度下焙烧1个小时。之后,将发光塑料层(即电致发光层)旋涂到PEDOT层的顶部。通过溶剂辅助的擦拭(SAW)擦拭已构图区域,在溶剂辅助擦拭(SAW)中,二甲苯是用来去除电致发光层的部分的唯一溶剂。
实例4:擦拭实例——同时除去两个涂覆层
将PEDOT层旋涂到涂敷了氧化铟锡(ITO)的玻璃衬底上,并在200℃的温度下焙烧1个小时。将发光塑料(或电致发光层)旋涂到PEDOT层的顶部。采用溶剂混合物通过溶剂辅助的擦拭(SAW)擦拭已构图区域,所述溶剂混合物包括水、异丙醇和二甲苯,从而既去除PEDOT层又去除电致发光层。
擦拭头230包括下述材料中的至少一种:海绵、人造橡胶、热塑性塑料、热固塑料、纤维垫、多孔材料、聚氨酯橡胶、合成橡胶、天然橡胶、硅树脂、PDMS、织物材料及其组合。在本发明的一个实施例中,擦拭头230是固定头。在另一个实施例中,擦拭头230可相对于衬底110运动。或者,擦拭头230和衬底110可以同时相互运动。在又一实施例中,擦拭头230可旋转。在之外的一个实施例中,擦拭头230是可旋转的轮子。
将所述的至少一个涂层420的部分460与擦拭头230以相切的方式接触的步骤(图7B)包括将所述的至少一个涂层420的部分460沿切线方向210与擦拭头230的接触面接触。图6示出了擦拭头230的接触面的示意性截面图。在一个实施例中,如图6所示,接触面240具有预定结构或几何形状。在一个实施例中,预定结构包括至少一个棱柱280(prism),所述的至少一个棱柱280具有预定角度290。所述的至少一个棱柱280具有的几何轮廓是尖角轮廓或尖端、方形轮廓、梯形轮廓、圆形轮廓或尖端等。在另一个实施例中,预定几何形状包括多个棱柱280,其中,所述的多个棱柱280通过预定间距300彼此分开,如图6所示。所述的多个棱柱可以包括具有相同轮廓的棱柱,或者以随机顺序或预定的规则顺序排列的具有不同轮廓的棱柱。在一个实施例中,间距300大约为50微米。擦拭头230具有包括多个突起的结构,例如包括多个棱柱280,从而将力集中施加到部分460上,以去除部分460,对所述膜构图。通过齿凹(indentation)将擦拭头的突起隔开,从而将溶剂携带至膜表面。采用液相溶剂使膜表面湿润,或者使其预湿润。在另一个实施例中,采用汽相溶剂使膜表面湿润,或者使其预湿润。
在所要求保护的方法的一个实施例中,所述接触面还包括至少一个侧壁260,所述至少一个侧壁260设置在所述接触面240的至少一个边缘上。在另一个实施例中,所述方法还包括在采用擦拭头230擦拭部分460之前使部分460(图7A)预湿润的步骤。以擦拭头擦拭部分460,以便从衬底410的至少一个涂层420上去除部分460的步骤(图7A)包括:相对于擦拭头230沿预定方向平移衬底410。在另一个实施例中,擦拭头230沿平行于所述预定方向的方向擦拭部分460。在另一个实施例中,擦拭头230沿一方向擦拭部分460,该方向不平行于所述预定方向。在另一个实施例中,提供衬底410的步骤包括从进给辊(supply roll)提供连续的衬底片。在另一个实施例中,所述方法还包括在卷集辊(take-up roll)上收集所述连续片。
在本发明的另一个实施例中,公开了一种设备,用于从衬底表面有选择地去除至少一个涂层420的部分460。所述设备包括:提供具有至少一个涂层420的衬底410的装置;用于去除所述至少一个涂层420的部分460的擦拭头230,其中,擦拭头230沿相切方向210接触所述至少一个涂层420;以及在去除部分460之后用于收集衬底的装置。
在本发明的另一个实施例中,公开了一种擦拭头230,用于去除设置在衬底表面上的至少一个涂层420的部分460。擦拭头230包括用于接触和去除部分460的接触面240,其中,接触面240沿切线方向210接触部分460,其中接触面240具有预定结构。
尽管上文所述的实例是针对场致发光器件的,但是,应当理解,本发明可以用于制造其他产品和器件的功能部件,所述产品和器件可以是但不限于:微电子器件、光电器件、薄膜晶体管、电子纸张和显示器、光子器件、波导、微机电系统(MEMS)、微射流(microfluidics)器件等。
尽管出于举例说明的目的已经对典型实施例进行了阐述,但是不应将上述说明认定为是对本发明的范围的限制。因此,在不背离本发明的精神和范围的情况下,本领域技术人员可以做出各种修改、改造和替换。
Claims (10)
1.一种电致发光器件(100),所述电致发光器件(100)包括:
a)至少一个电极(110);以及
b)设置在所述至少一个电极(110)上的电致发光层(120),其中,所述电致发光层(120)包括电致发光聚合物材料,并且其中,所述电致发光层(120)具有设置在与所述至少一个电极(110)邻接的表面上的第一图案(130),并且具有基本均匀的厚度。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件(100),还包括设置在所述至少一个电极(110)和所述电致发光层(120)之间的至少一个导电层(140)。
3.一种用于电致发光器件(100)的电致发光层(120),所述电致发光层(120)包括电致发光聚合物材料,其中,对所述层构图,所述层具有基本均匀的厚度;且其中,形成所述电致发光聚合物材料的连续片(115),并通过沿与所述连续片(115)的表面相切的方向(210)擦拭所述表面而去除所述连续片(115)的部分(460),由此形成所述电致发光层(120)。
4.根据权利要求3所述的电致发光层(120),其中,所述连续片(115)的形成方式如下:将聚合物膜涂敷到衬底上,对所述聚合物膜构图,在预定温度下烘焙所述聚合物膜,采用电致发光材料涂敷所述聚合物膜以形成所述电致发光层(120),并对所述电致发光层(120)构图。
5.一种电致发光器件(100),所述电致发光器件(100)包括:
a)至少一个电极(110);
b)电致发光层(120),所述电致发光层(120)包括电致发光聚合物材料,其中,对所述层构图,所述层具有基本均匀的厚度;且其中,形成所述电致发光聚合物材料的连续片(115),并通过沿与所述连续片(115)的表面相切的方向(210)擦拭所述表面而去除所述连续片(115)的部分(460),由此形成所述电致发光层(120);以及
c)设置在所述至少一个电极(110)和所述电致发光层(120)之间的至少一个导电层(140)。
6.根据权利要求5所述的电致发光器件(100),其中,所述连续片(115)的形成方式如下:将聚合物膜涂敷到衬底上,对所述聚合物膜构图,在预定温度下烘焙所述聚合物膜,采用电致发光材料涂敷所述聚合物膜以形成所述电致发光层(120),并对所述电致发光层(120)构图。
7.一种光源(50),所述光源(50)包括多个电致发光器件(100,102,104,106),其中,每一所述电致发光器件包括:
a)至少一个电极(110);
b)电致发光层(120),所述电致发光层(120)包括电致发光聚合物材料,其中,对所述层构图,所述层具有基本均匀的厚度;且其中,形成所述电致发光聚合物材料的连续片(115),并通过沿与所述连续片(115)的表面相切的方向(210)擦拭所述表面而去除所述连续片(115)的部分(460),由此形成所述电致发光层(120);以及
c)设置在所述至少一个电极(110)和所述电致发光层(120)之间的至少一个导电层(140)。
8.根据权利要求7所述的光源(50),其中,所述连续片(115)的形成方式如下:将聚合物膜涂敷到衬底上,对所述聚合物膜构图,在预定温度下烘焙所述聚合物膜,采用电致发光材料涂敷所述聚合物膜以形成所述电致发光层(120),并对所述电致发光层(120)构图。
9.一种从衬底(410)表面有选择地去除至少一个涂层(420)的方法,所述方法包括的步骤有:
a)提供所述衬底(410),所述衬底(410)具有设置在所述表面上的所述至少一个涂层(420);
b)以擦拭头(230)接触所述至少一个涂层(420)的部分(460);以及
c)采用所述擦拭头(230)沿与所述表面相切的方向(210)擦拭所述部分,以便从所述衬底(410)去除所述至少一个涂层(420)的所述部分(460)。
10.一种从衬底(410)表面有选择地去除至少一个涂层(420)的设备,所述设备包括:
a)用于提供具有所述的至少一个涂层(420)的所述衬底(410)的装置;
b)用于去除所述至少一个涂层(420)的部分(460)的擦拭头(230),其中,所述擦拭头沿相切方向(210)接触所述至少一个涂层(420);以及
c)在去除所述部分之后用于收集所述衬底(410)的装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/735,503 | 2003-12-12 | ||
US10/735,503 US20050129977A1 (en) | 2003-12-12 | 2003-12-12 | Method and apparatus for forming patterned coated films |
PCT/US2004/037014 WO2005062399A1 (en) | 2003-12-12 | 2004-11-08 | Method and apparatus for forming patterned coated films |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1902770A true CN1902770A (zh) | 2007-01-24 |
CN1902770B CN1902770B (zh) | 2010-10-13 |
Family
ID=34653633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2004800403789A Expired - Fee Related CN1902770B (zh) | 2003-12-12 | 2004-11-08 | 用于形成构图涂覆膜的方法和设备 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20050129977A1 (zh) |
EP (1) | EP1695398B1 (zh) |
JP (1) | JP4937757B2 (zh) |
KR (1) | KR101392781B1 (zh) |
CN (1) | CN1902770B (zh) |
AT (1) | ATE447770T1 (zh) |
DE (1) | DE602004023966D1 (zh) |
SG (1) | SG149015A1 (zh) |
WO (1) | WO2005062399A1 (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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- 2003-12-12 US US10/735,503 patent/US20050129977A1/en not_active Abandoned
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- 2004-11-08 JP JP2006543818A patent/JP4937757B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-08 WO PCT/US2004/037014 patent/WO2005062399A1/en active Application Filing
- 2004-11-08 DE DE602004023966T patent/DE602004023966D1/de active Active
- 2004-11-08 EP EP04810440A patent/EP1695398B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-11-08 AT AT04810440T patent/ATE447770T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-11-08 CN CN2004800403789A patent/CN1902770B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-08 SG SG200809187-8A patent/SG149015A1/en unknown
-
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- 2006-05-08 US US11/429,854 patent/US20060202612A1/en not_active Abandoned
- 2006-06-22 KR KR1020067012500A patent/KR101392781B1/ko not_active IP Right Cessation
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WO2005062399A1 (en) | 2005-07-07 |
DE602004023966D1 (de) | 2009-12-17 |
ATE447770T1 (de) | 2009-11-15 |
KR101392781B1 (ko) | 2014-05-09 |
SG149015A1 (en) | 2009-01-29 |
EP1695398B1 (en) | 2009-11-04 |
CN1902770B (zh) | 2010-10-13 |
EP1695398A1 (en) | 2006-08-30 |
JP4937757B2 (ja) | 2012-05-23 |
JP2007515756A (ja) | 2007-06-14 |
KR20060105789A (ko) | 2006-10-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20101013 Termination date: 20161108 |