CN107026247B - 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法 - Google Patents

有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107026247B
CN107026247B CN201710063550.1A CN201710063550A CN107026247B CN 107026247 B CN107026247 B CN 107026247B CN 201710063550 A CN201710063550 A CN 201710063550A CN 107026247 B CN107026247 B CN 107026247B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
organic functional
electrode
pattern layer
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710063550.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107026247A (zh
Inventor
权宁吉
金圣雄
崔镇百
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020170002068A external-priority patent/KR20170092452A/ko
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Priority to CN202011246135.8A priority Critical patent/CN112366282A/zh
Publication of CN107026247A publication Critical patent/CN107026247A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107026247B publication Critical patent/CN107026247B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/221—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by lift-off techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
    • Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
    • Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P80/00—Climate change mitigation technologies for sector-wide applications
    • Y02P80/30—Reducing waste in manufacturing processes; Calculations of released waste quantities

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及一种有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法。所述制造有机发光显示装置的方法包括：在包括第一电极的基底上形成剥离层，剥离层包括含氟聚合物；在剥离层上形成图案层；利用第一溶剂蚀刻图案层的图案之间的剥离层，以暴露第一电极；在第一电极和图案层上形成有机功能层，有机功能层包括发射层；利用第二溶剂去除剥离层的剩余部分；以及在有机功能层上形成第二电极。

Description

有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法
相关申请的交叉引用
此申请要求2016年2月2日提交到韩国知识产权局(KIPO)的韩国专利申请第10-2016-0012908号和2017年1月5日提交到KIPO的第10-2017-0002068号的优先权和权益，其公开通过引用被整体合并于此。
技术领域
示例实施例的一个或多个方面涉及有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示装置包括空穴注入电极、电子注入电极和在空穴注入电极与电子注入电极之间的有机发射层。有机发光显示装置是自发射型显示装置，其中从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发射层中复合并消亡，以发射光。有机发光显示装置由于其诸如低功耗、高亮度和快速响应速度的高质量特性被认为是下一代显示装置。
发明内容
示例实施例的一个或多个方面涉及能够减少缺陷和制造成本的有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法。
另外的方面和特征将在下面的描述中部分地阐述，部分地将从描述中显而易见，或者可以通过对所提出的实施例的实践而获知。
根据发明构思的一个或多个实施例，一种制造有机发光显示装置的方法包括：在包括第一电极的基底上形成剥离层，剥离层包括含氟聚合物；在剥离层上形成图案层；利用第一溶剂蚀刻图案层的图案之间的剥离层，以暴露第一电极；在第一电极和图案层上形成有机功能层，有机功能层包括发射层；利用第二溶剂去除剥离层的剩余部分；以及在有机功能层上形成第二电极。
含氟聚合物可以包括约20重量％至约76重量％的氟。
图案层可以通过印刷法形成。
图案层可以包括具有比剥离层的表面能更大的表面能的材料。
图案层可以包括非氟基聚合物材料。
图案层可以包括含有小于20重量％的氟的氟基聚合物。
图案层可以包括：包括具有比剥离层的表面能更大的表面能的材料的第一图案层；以及包括具有比第一图案层的表面能更小的表面能的材料的第二图案层。
第一图案层可以包括非氟基聚合物材料，第二图案层可以包括含氟表面活性剂。
第一图案层可以围绕第二图案层。
有机功能层可以进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和/或电子注入层。
有机功能层可以通过沉积工艺形成。
第一溶剂可以包括氟。
第二溶剂可以包括氟。
当蚀刻图案层的图案之间的剥离层时，剥离层可以在图案层下形成底切轮廓。
所述方法可以进一步包括：形成围绕第一电极的边缘的像素限定层。
根据发明构思的一个或多个实施例，一种制造有机发光显示装置的方法包括：在基底上形成多个第一电极；执行第一单元工艺，执行第一单元工艺包括：在包括多个第一电极的基底上形成剥离层，剥离层包括含氟聚合物；在剥离层上形成具有设定形状的图案层；利用第一溶剂蚀刻在图案层的图案之间的剥离层，以暴露多个第一电极中的第一个第一电极；在第一个第一电极和图案层上形成第一有机功能层，第一有机功能层包括发射层；以及利用第二溶剂去除剥离层的剩余部分；在执行第一单元工艺之后，执行至少一次用于在第一电极中的与第一个第一电极不同的第二个第一电极上形成第二有机功能层的第二单元工艺，第二有机功能层被配置为发射与第一有机功能层的颜色不同的颜色的光；以及在执行第一单元工艺和第二单元工艺中的每个之后形成第二电极。
从通过第一单元工艺形成的第一有机功能层发射的光和从通过第二单元工艺形成的第二有机功能层发射的光可以被混合，以产生白光。
形成第二电极可以包括在多个有机功能层上一体地形成第二电极作为公共电极。
所述方法可以进一步包括在形成第二电极之前，分别在第一单元工艺和第二单元工艺中的每个中形成的第一有机功能层和第二有机功能层中的每个上形成辅助阴极。
根据发明构思的一个或多个实施例，一种有机发光显示装置包括：基底；在基底上的第一电极；在第一电极上的有机功能层，有机功能层包括发射层；以及在有机功能层上的第二电极。有机功能层的边界线的不均匀度大于第一电极的边界线的不均匀度。
附图说明
通过结合附图对实施例的以下描述，这些和/或其它方面和特征将变得显而易见并更易于理解，附图中：
图1是根据实施例的制造有机发光显示装置的方法的流程图；
图2是通过图1的方法制造的有机发光显示装置的示意性剖视图；
图3是示出了根据实施例的在图1的方法中被形成在基底上的多个阳极的示意性剖视图；
图4A至图4E是示出了根据实施例的图1的方法中的第一单元工艺的示意性剖视图；
图5A至图5E是示出了根据实施例的图1的方法中的第二单元工艺的示意性剖视图；
图6A至图6E是示出了根据实施例的图1的方法中的第三单元工艺的示意性剖视图；
图7是通过根据实施例的制造方法制造的有机发光显示装置的示意性剖视图；
图8是通过根据实施例的制造方法制造的有机发光显示装置的示意性剖视图；
图9A和图9B是示出了根据实施例的形成图案层的方法的示意性剖视图；
图10是示出了根据实施例的形成图案层的方法的示意性剖视图；并且
图11A至图11C是示出了在完成对应的单元工艺之后对应的有机层的边界线被不规则形成的状态的示意图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述示例实施例。然而，本发明构思可以以各种不同的形式体现，不应被解释为仅限于本文所示的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是充分和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达发明构思的方面和特征。因此，对于本领域普通技术人员来说对于完整理解发明构思的方面和特征并非必要的工艺、元件和技术可以不被描述。除非另有说明，在整个附图和书面描述中，相同的附图标记表示相同的元件，因此，其描述可以不再重复。
在图中，为了清楚起见，元件、层和区域的相对尺寸可能被夸大和/或简化。为了易于说明，在本文中使用了诸如“之下”、“下方”、“下”、“下面”、“上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描述的方位之外，空间相对术语意在包含设备在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件将被定向为在其它元件或特征的“上方”。因此，术语“下方”和“下面”可以包含上方和下方两种方位。设备可被另外定向(例如旋转90度或者在其它方向)，本文使用的空间相对描述符应被相应地解释。
将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语用来区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分。因此，在不脱离发明构思的精神和范围的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
将理解的是，当一个元件或层被称为在另一元件或层“上”、“被连接到”或“被结合到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上，被直接连接到或直接结合到另一元件或层，或者也可以存在一个或多个中间元件或中间层。另外，还将理解的是，当一个元件或层被称为在两个元件或两个层“之间”时，它可以是这两个元件或两个层之间的唯一元件或唯一层，或者也可以存在一个或多个中间元件或中间层。
本文使用的术语仅是为了描述特定的实施例的目的，并不旨在限制发明构思。如本文所使用，单数形式的“一”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确说明。将进一步理解的是，当在此说明书中使用时，术语“包括”和“包含”表明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如本文所使用，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。当放在一列元件之前时，诸如“至少一个”的表述修饰的是整列元件，而不是修饰该列中的单独元件。
如本文所使用，术语“基本上”、“大约”和类似术语被用作近似的术语，而不是作为程度的术语，并且旨在对由本领域普通技术人员将会认可的在测量值或计算值中的固有偏差做出解释。此外，当描述发明构思的实施例时，使用“可以”指的是“发明构思的一个或多个实施例”。如本文所使用，术语“使用”和“被用来”可以被认为分别与术语“利用”和“被利用来”同义。另外，术语“示例性”意指示例或例示。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明构思所属的技术领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，诸如那些在常用字典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文的含义一致的含义，而不应当以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此定义。
图1是根据实施例的制造有机发光显示装置的方法的示意性流程图。
参考图1，制造有机发光显示装置的方法包括：在包括第一电极的基底上形成剥离层，剥离层包括氟聚合物(例如，含氟聚合物)(S10)；在剥离层上形成特定形状的图案层(S20)；通过使用第一溶剂蚀刻图案层之间的剥离层来暴露第一电极(S30)；在第一电极和图案层的上部上形成有机功能层，有机功能层包括发射层(S40)；通过使用第二溶剂去除剩余的剥离层(S50)；以及在有机功能层上形成第二电极(S60)。
下面将参考图2至图6E更详细地描述根据实施例的制造有机发光显示装置的方法和通过该方法制造的有机发光显示装置1。
图2是通过图1的方法制造的有机发光显示装置1的示意性剖视图。图3是根据实施例的在图1的方法中在基底上形成多个阳极的工艺的示意性剖视图，图4A至图4E是根据实施例的图1的方法中的第一单元工艺的示意性剖视图，图5A至图5E是根据实施例的图1的方法中的第二单元工艺的示意性剖视图，图6A至图6E是根据实施例的图1的方法中的第三单元工艺的示意性剖视图。
参考图2，通过图1的方法制造的有机发光显示装置1包括在基底100上的包括第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的多个阳极。各自包括发射层的第一有机功能层151、第二有机功能层152和第三有机功能层153分别位于第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103上。阴极180被设置在第一有机功能层151、第二有机功能层152和第三有机功能层153上。
如将在后面描述的那样，在第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103上形成第一有机功能层151、第二有机功能层152和第三有机功能层153的工艺期间，包括非氟基树脂并且通过印刷法在包括具有低表面能的含氟聚合物的剥离层120(例如，参见图4D)上形成的图案层130(例如，参见图4D)可以用作沉积掩模。另外，具有差的铺展性的图案层130(例如，参见图4D)的边界可以不均匀，而可以是粗糙的。因为图案层130(例如，参见图4D)用作沉积掩模，所以图案层130的边界的粗糙形状可以影响第一有机功能层151、第二有机功能层152和第三有机功能层153的图案。因此，第一有机功能层151、第二有机功能层152和第三有机功能层153的边界可以被形成为比第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的边界更粗糙。
参考图3，包括第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的多个阳极被形成在基底100上。
基底100可以包括各种材料。例如，基底100可以包括玻璃材料或塑料材料。塑料材料可以包括具有优异的耐热性和耐久性的材料，诸如聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺和/或聚醚砜。
虽然在图3中未示出，但可以进一步提供用于在基底100上提供平坦表面并用于防止杂质元素渗透到基底100中的缓冲层。缓冲层可以具有包括氮化硅和/或氧化硅的单层结构或多层结构。
第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103是空穴注入电极，并且可以包括具有大功函数的材料。第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103可以各自包括选自由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌组成的组中的至少一种。
虽然在图3中未示出，但第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103可以被分别电连接到位于基底100与第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103之间的第一至第三薄膜晶体管。
参考图4A，包括含氟聚合物的剥离层120被形成在上面形成有第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的基底100上。
被包括在剥离层120中的含氟聚合物可以包括含有约20重量％至约76重量％的氟的聚合物。例如，被包括在剥离层120中的含氟聚合物可以包括聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚二氯二氟乙烯、氯三氟乙烯和二氯二氟乙烯的共聚物、四氟乙烯和全氟代烷基乙烯基醚的共聚物、氯三氟乙烯和全氟代烷基乙烯基醚的共聚物、和/或四氟乙烯和全氟代烷基乙烯基醚的共聚物。
如果含氟聚合物中的氟的量小于20重量％，则含氟聚合物不溶于氟基溶剂中，因此可能无法制造用于形成剥离层120的氟基树脂。另外，含氟聚合物中的氟的量可能无法超过76重量％，因为含氟聚合物中具有最大量的氟的特氟隆中的氟的量不大于76重量％。在实施例中，当含氟聚合物含有约60重量％至约70重量％范围内的氟时，剥离层120显示了相对于有机溶剂的优异耐受性和相对于氟基溶剂的优异溶解度。
剥离层120可以通过使用涂敷法、印刷法或沉积法形成在基底100上。当剥离层120通过涂敷法或印刷法形成时，如果需要，则可以在进行硬化工艺和聚合工艺之后进行图案化工艺。
剥离层120可以被形成为0.2μm至5μm的厚度。如果剥离层120太厚，则为了执行图案化而溶解剥离层120所花费的时间增加，从而增加了用于执行制造工艺的时间。如果剥离层120太薄，则难以剥离剥离层120。
参考图4B，具有形状(例如，设定或预定形状)的图案层130被形成在剥离层120上。
图案层130可以不形成在与第一阳极101对应的第一区域131处(例如，第一区域131上)，而是可以被形成在除了第一区域131之外的其余区域136处(例如，其余区域136上)。
图案层130可以包括具有比剥离层120的表面能更大的表面能的材料。
在一个实施例中，图案层130可以包括非氟基聚合物。例如，图案层130可以包括诸如丙烯酸基树脂、苯乙烯基树脂、酚醛清漆树脂和/或硅树脂的不含氟的粘合剂材料被溶解在非氟基普通有机溶剂中的复合材料。
在另一实施例中，图案层130可以包括含有少量氟的材料。例如，图案层130可以包括包含小于20重量％的氟的氟基聚合物被溶解在非氟基普通有机溶剂中的复合材料。
图案层130可以通过印刷法形成。
图4B示出了通过从包括多个喷嘴N1、N2和N3的喷墨印刷设备S直接滴落液滴J1、J2和J3而将图案层130印刷在剥离层120上的示例。
图4B示出了液滴J1、J2和J3从喷墨印刷设备S并行地(例如同时)滴落到第一像素区域PX1和第二像素区域PX2上以形成图案层130，但是发明构思不限于此。例如，喷墨印刷设备S可以首先在第一像素区域PX1上形成图案层130，然后可以移动到第二像素区域PX2以形成图案层130。此外，被提供在喷墨印刷设备S中的喷嘴的数量、尺寸和形状可以改变，并且可以调节从喷嘴滴落的液滴的喷射速度。
在通过印刷法直接在剥离层120上形成设定或预定形状的图案层130的情况下，因为包括含氟聚合物的剥离层120具有低表面能，所以即使当包括非氟基树脂或含有少量氟的聚合物的图案层130被直接印刷在剥离层120上时，图案层130也不会遍布在剥离层120上，而是保持或基本保持设定的或预定的图案。
如果图案层130通过光刻法形成，则光致抗蚀剂被涂敷在剥离层120上，通过使用曝光设备经由光掩模使光致抗蚀剂曝光，并且显影和剥离曝光后的光致抗蚀剂。因此，当使用光刻法时，执行复杂的制造工艺。然而，根据一个实施例，非氟基聚合物可以是不昂贵的普通聚合物，因此可以比光致抗蚀剂成本低。另外，当执行光刻法时，使用昂贵的设备并执行复杂的制造工艺。然而，根据实施例的印刷法可以使用简化的设备并且可以执行直接的制造工艺，因此，可以减少设备投资成本和加工成本。此外，当执行光刻工艺时，图案层130可能通过曝光、显影和剥离工艺而部分损失，而根据实施例的印刷法可以直接在要形成图案的区域(例如，除了第一区域131之外的区域136)上形成图案层130，因此，可以防止或减少材料的损失，并且可以降低制造成本。
尽管在图4B中未示出，但在执行图案层130的印刷工艺之后，可以执行干燥图案层130的工艺。在印刷图案层130之后，用于干燥图案层130的温度和时间可以取决于被包括在剥离层120中的含氟聚合物的玻璃化转变温度Tg、被包括在剥离层120中的溶剂的沸点和/或湿膜厚度。在一个实施例中，在含氟聚合物的玻璃化转变温度Tg为约75℃、溶剂(例如PGMEA)的沸点为约150℃、印刷工艺之后的湿膜厚度为约10μm的情况下，将图案层130在约70℃至约80℃的温度下干燥约3至6分钟。
参考图4C，通过使用由图4B所示的工艺形成的图案层130作为蚀刻掩模来蚀刻剥离层120。
蚀刻剂可以是包括氟的第一溶剂。因为剥离层120包括含氟聚合物并且图案层130包括非氟基聚合物，所以在使用包括氟的第一溶剂的蚀刻工艺期间，图案层130可以用作蚀刻掩模。
第一溶剂可以包括氢氟醚。氢氟醚是很少与其它材料相互作用的电化学稳定的材料，并且也是具有低全球变暖潜能(GWP)和低毒性的环保材料。
通过蚀刻工艺，在与第一区域131对应的位置上(也就是第一阳极101上)形成的剥离层120被蚀刻。
当剥离层120被蚀刻时，包括氟的第一溶剂在图案层130与第一区域131之间的界面下的剥离层120中形成第一底切轮廓UC1。
第一底切轮廓UC1可以允许第一有机功能层151在将在后面描述的沉积工艺中被精确地沉积，并且可以在将在后面描述的剥离工艺中干净地去除保留在基底100上的剥离层120。
参考图4D，包括第一有机发射层的第一有机功能层151被形成在图4C所示的结构上。
第一有机功能层151可以进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和/或电子注入层。
在实施例中，第一有机发射层被用作第一有机功能层151的示例。在下文中，第一有机功能层和第一有机发射层可以由相同的附图标记表示。
第一有机功能层151可以由真空沉积工艺形成。在沉积工艺中，剥离层120和图案层130用作掩模。在第一阳极101上形成第一有机发射层151的一部分，并且在图案层130的除了第一区域131之外的另一区域136上形成第一有机发射层151的另一部分。
参考图4E，在图4D所示的结构上执行剥离工艺。
因为剥离层120包括含氟聚合物，所以在剥离工艺中使用包括氟的第二溶剂。另外，因为在形成第一有机发射层151之后执行剥离工艺，所以第二溶剂可以包括与第一有机发射层151具有低反应度的材料。类似于第一溶剂，第二溶剂可以包括例如氢氟醚。
通过剥离被形成在图案层130的区域136(参见图4D)下方的剥离层120，被形成在图案层130的区域136(参见图4D)上的第一有机发射层151被去除，被形成在第一阳极101上的第一有机发射层151保留为图案。
图11A是在完成第一单元工艺之后不规则形成的第一有机发射层的边界线L151的示意图。被形成在具有低表面能的剥离层120(参见图4D)上的图案层130(参见图4D)具有差的铺展性，因此图案层130(参见图4D)的边界线不均匀，而不规则形成。因为图案层130(参见图4D)用作沉积掩模，所以图案层130的边界线的不规则形状可以影响第一有机发射层151的图案。因此，第一有机发射层151的边界线L151不规则地形成，同时产生微细波。第一有机发射层151的边界线L151可以比通过光刻法形成的第一阳极101的边界线L101更不规则。
根据实施例，在形成第一有机发射层151的工艺中，不使用具有开口的金属掩模，而是执行剥离工艺。因此，可以防止基底100与金属掩模之间的未对准。
在执行第一单元工艺之后，用于形成用于发射与第一有机发射层151的颜色不同的颜色的光的第二有机发射层152(例如，参见图5E)的第二单元工艺在第二阳极102所在的区域上执行。在下文中，将在下面参考图5A至图5E更详细地描述第二单元工艺。
参考图5A，包括含氟聚合物的剥离层120被形成在上面形成有第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的基底100上。
剥离层120可以包括与在第一单元工艺中使用的含氟聚合物相同或不同的材料。剥离层120可以通过涂敷法、印刷法或沉积法形成在基底100上。
参考图5B，图案层130被形成在剥离层120上。
包括非氟基聚合物的图案层130没有被形成在与第二阳极102对应的第二区域132处(例如，第二区域132上)，而是通过从包括多个喷嘴N1、N2和N3的喷墨印刷设备S滴下液滴J1、J2和J3被直接形成在除了第二区域132之外的区域137处(例如，区域137上)。
在图案层130的印刷工艺之后，可以进一步执行干燥图案层130的工艺。
参考图5C，通过使用由参考图5B所示的印刷工艺形成的设定或预定形状的图案层130作为蚀刻掩模来蚀刻剥离层120。
蚀刻剂可以是包括氟的第一溶剂。因为剥离层120包括含氟聚合物并且图案层130包括非氟基聚合物，所以图案层130可以在使用包括氟的第一溶剂的蚀刻工艺中用作蚀刻掩模。
第一溶剂可以包括氢氟醚。另外，第一溶剂可以包括与上述第一单元工艺的材料不同的材料。
根据蚀刻工艺，与第二区域132对应的剥离层120(也就是被形成在第二阳极102上的剥离层120)被蚀刻。
另外，当剥离层120被蚀刻时，包括氟的第一溶剂在第二区域132的边界下方的剥离层120中形成第二底切轮廓UC2。
参考图5D，在图5C所示的结构上形成包括第二有机发射层的第二有机功能层152。
第二有机功能层152可以进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
在实施例中，第二有机发射层被描述为第二有机功能层152的示例。在下文中，第二有机功能层和第二有机发射层可以由相同的附图标记表示。
第二有机发射层152可以由真空沉积工艺形成。在沉积工艺中，剥离层120和图案层130可以用作掩模。第二有机发射层152的一部分被形成在第二阳极102上，第二有机发射层152的另一部分被形成在图案层130中除了第二区域132之外的区域137上。
参考图5E，在图5D所示的结构上执行剥离工艺。
因为剥离层120包括含氟聚合物，所以在剥离工艺中使用包括氟的第二溶剂。另外，因为在形成第二有机发射层152之后执行剥离工艺，所以第二溶剂可以包括与第二有机发射层152具有低反应度的材料。类似于第一溶剂，第二溶剂可以包括例如氢氟醚。
通过剥离被形成在图案层130的区域137(参见图5D)下方的剥离层120，被形成在图案层130的区域137(参见图5D)上的第二有机发射层152被去除，被形成在第二阳极102上的第二有机发射层152保留为图案。
图11B是在完成第二单元工艺之后不规则形成的第二有机发射层152的边界线L152的示意图。因为被形成在具有低表面能的剥离层120(参见图5D)上的图案层130(参见图5D)具有差的铺展性，所以图案层130(参见图5D)的边界线不均匀，而不规则形成。因为图案层130(参见图5D)用作沉积掩模，所以图案层130的边界线的不规则形状影响第二有机发射层152的图案。因此，第二有机发射层152的边界线L152不规则地形成为例如微细波。第二有机发射层152的边界线L152可以被形成为比通过光刻法形成的第二阳极102的边界线L102更不规则。
在执行上述第二单元工艺之后，执行用于形成用于发射与第一有机发射层151和第二有机发射层152的颜色不同的颜色的光的第三有机发射层153(例如，参见图6E)的第三单元工艺。在下文中，将在下面参考图6A至图6E描述第三单元工艺。
参考图6A，包括含氟聚合物的剥离层120被形成在上面形成有第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的基底100上。
剥离层120可以包括与在第一单元工艺和/或第二单元工艺中使用的含氟聚合物相同或不同的材料。剥离层120可以通过涂敷法、印刷法或沉积法形成在基底100上。
参考图6B，图案层130被形成在剥离层120上。
包括非氟基聚合物的图案层130没有被形成在与第三阳极103对应的第三区域133处(例如，第三区域133上)，而是通过从包括多个喷嘴N1、N2和N3的喷墨印刷设备S滴下液滴J1、J2和J3被直接形成在除了第三区域133之外的区域138处(例如，区域138上)。
在图案层130的印刷工艺之后，可以进一步执行干燥图案层130的工艺。
参考图6C，通过使用由参考图6B所示的印刷工艺形成的设定或预定形状的图案层130作为蚀刻掩模来蚀刻剥离层120。
蚀刻剂可以包括包含氟的第一溶剂。因为剥离层120包括含氟聚合物并且图案层130包括非氟基聚合物，图案层130可以在使用包括氟的第一溶剂的蚀刻工艺中用作蚀刻掩模。
类似于在第一单元工艺和/或第二单元工艺中，第一溶剂可以包括氢氟醚。第一溶剂可以包括与第一单元工艺和第二单元工艺的材料不同的材料。
由于蚀刻工艺，与第三区域133对应的剥离层120(也就是被形成在第三阳极103上的剥离层120)被蚀刻。
另外，当剥离层120被蚀刻时，包括氟的第一溶剂在图案层130中的第三区域133的边界表面下方的剥离层120中形成第三底切轮廓UC3。
参考图6D，在图6C所示的结构上形成包括第三有机发射层的第三有机功能层153。
第三有机功能层153可以进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
在实施例中，第三有机发射层被描述为第三有机功能层153的示例。在下文中，第三有机功能层和第三有机发射层可以由相同的附图标记表示。
第三有机发射层153可以由真空沉积工艺形成。在沉积工艺中，剥离层120和图案层130可以用作掩模。第三有机发射层153的一部分被形成在第三阳极103上，第三有机发射层153的另一部分被形成在图案层130中除了第三区域133之外的区域138上。
参考图6E，在图6D所示的结构上执行剥离工艺。
因为剥离层120包括含氟聚合物，所以在剥离工艺中使用包括氟的第二溶剂。另外，由于在形成第三有机发射层153之后执行剥离工艺，所以第二溶剂可以包括与第三有机发射层15具有3低反应度的材料。类似于第一溶剂，第二溶剂可以包括例如氢氟醚。
通过剥离被形成在图案层130的区域138(参见图6D)下方的剥离层120，被形成在图案层130的区域138(参见图6D)上的第三有机发射层153被去除，被形成在第三阳极103上的第三有机发射层153保留为图案。
图11C是在完成第三单元工艺之后不规则形成的第三有机发射层153的边界线L153的示意图。因为被形成在具有低表面能的剥离层120(参见图6D)上的图案层130(参见图6D)具有差的铺展性，所以图案层130(参见图6D)的边界线不均匀，而不规则形成。因为图案层130(参见图6D)用作沉积掩模，所以图案层130的边界线的不规则形状影响第三有机发射层153的图案。因此，第三有机发射层153的边界线L153不规则地形成为例如微细波。第三有机发射层153的边界线L153可以被形成为比通过光刻法形成的第三阳极103的边界线L103更不规则。
再次参考图2，通过上述第一至第三单元工艺分别形成第一有机功能层151、第二有机功能层152和第三有机功能层153，然后，阴极180被形成为公共层。
在图2中，阴极180被示出为未一体形成，而是分离地形成在第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103上。然而，发明构思不限于此，在一些实施例中，阴极180可以被一体形成。
在实施例中，第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103被描述为空穴注入电极，阴极180被描述为电子注入电极，但是发明构思不限于此。也就是说，电子注入电极可以被形成在第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103所在的区域上，空穴注入电极可以被形成在阴极180所在的区域上。
第一有机发射层151、第二有机发射层152和第三有机发射层153可以发射彼此不同颜色的光。从第一有机发射层151、第二有机发射层152和第三有机发射层153发射的光可以彼此混合以形成白光。例如，第一有机发射层151、第二有机发射层152和第三有机发射层153可以分别发射红光、绿光和蓝光。例如，第一有机发射层151、第二有机发射层152和第三有机发射层153可以是构成有机发光显示装置1中的单元像素的子像素。
图2所示的有机发光显示装置1可以代表两个单元像素。此外，上述方法可以应用于包括多个如图2所示的单元像素的有机发光显示装置。也就是说，可以通过第一单元工艺并行地(例如，同时)形成用于发射第一颜色的光的多个第一有机发射层151。可以通过第二单元工艺并行地(例如，同时)形成用于发射第二颜色的光的多个第二有机发射层152。可以通过第三单元工艺并行地(例如，同时)形成用于发射第三颜色的光的多个第三有机发射层153。全彩色光可以通过第一至第三单元工艺实现。
图7是通过根据实施例的制造方法制造的有机发光显示装置2的示意性剖视图。
参考图7所示的有机发光显示装置2可以以与图2的有机发光显示装置1类似的方式制造。在下文中，将在下面更详细地描述用于制造图2的有机发光显示装置1的方法和用于制造图7的有机发光显示装置2的方法之间的差异。
参考图7，包括第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的多个阳极被形成在基底100上，像素限定层110被形成在基底100上以围绕第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的边缘。像素限定层110限定发射区域，并且防止或基本上防止第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103中的每个与阴极180之间的短路。
在实施例中，在形成第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103以及像素限定层110之后执行第一至第三单元工艺。
通过第一至第三单元工艺，第一有机发射层151、第二有机发射层152和第三有机发射层153被分别形成在第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103上。在执行第一至第三单元工艺之后，阴极180被形成为公共层。
像素限定层110可以通过光刻工艺形成。如在上述实施例中，因为图案层130(例如，参见图4D、图5D和图6D)用作沉积掩模，所以图案层130的边界处的不规则形状影响第一有机功能层151、第二有机功能层152和第三有机功能层153的图案。因此，第一有机功能层151、第二有机功能层152和第三有机功能层153的边界线可以比第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103以及像素限定层110的边界线更不规则。
图8是通过根据实施例的制造方法制造的有机发光显示装置3的示意性剖视图。
图8的有机发光显示装置3可以以与上述图7所示的有机发光显示装置2类似的方式制造。在下文中，将在下面描述用于制造参考图7所示的有机发光显示装置2的方法和用于制造参考图8所示的有机发光显示装置3的方法之间的差异。
参考图8，包括第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的多个阳极被形成在基底100上，像素限定层110被形成在基底100上以围绕第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的边缘。像素限定层110限定发射区域，并且防止或基本上防止第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103中的每个与阴极180之间的短路。
在实施例中，在形成第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103以及像素限定层110之后执行第一至第三单元工艺。
在第一单元工艺中，通过使用印刷法和蚀刻工艺来蚀刻被形成在第一阳极101上的剥离层120(例如，参见图4C)。接下来，通过沉积工艺在第一阳极101上形成第一有机发射层151。当形成第一有机发射层151时，在第一有机发射层151上连续形成第一辅助阴极181，然后执行剥离工艺。
在剥离工艺中，使用包括氟的第二溶剂。包括氟的第二溶剂可能破坏第一有机发射层151。第一辅助阴极181用作在剥离工艺期间用于保护第一有机发射层151的屏障。
在执行第一单元工艺之后，执行第二单元工艺。通过使用印刷法和蚀刻工艺蚀刻第二阳极102上的剥离层120(例如，参见图5C)。接下来，通过沉积工艺在第二阳极102上形成第二有机发射层152。当形成第二有机发射层152时，在第二有机发射层152上连续形成第二辅助阴极182，并且执行剥离工艺。
在剥离工艺中，使用包括氟的第二溶剂。第二溶剂可能破坏第二有机发射层152。第二辅助阴极182用作在剥离工艺期间用于保护第二有机发射层152的屏障。
在执行第二单元工艺之后，执行第三单元工艺。通过使用印刷法和蚀刻工艺蚀刻第三阳极103上的剥离层120(例如，参见图6C)。接下来，通过沉积工艺在第三阳极103上形成第三有机发射层153。当形成第三有机发射层153时，在第三有机发射层153上连续形成第三辅助阴极183，并且执行剥离工艺。
在剥离工艺中，使用包括氟的第二溶剂。包括氟的第二溶剂可能破坏第三有机发射层153。第三辅助阴极183用作在剥离工艺期间用于保护第三有机发射层153的屏障。
在执行第一至第三单元工艺之后，阴极180被形成为公共层。
根据参考图8所示的制造方法，当形成第一有机发射层151、第二有机发射层152和第三有机发射层153时，为了防止或减少在后剥离工艺中对第一有机发射层151、第二有机发射层152和第三有机发射层153的损坏，第一辅助阴极181、第二辅助阴极182和第三辅助阴极183被分别连续地形成在第一有机发射层151、第二有机发射层152和第三有机发射层153上。此后，为了防止或减少阴极180的电压下降，第一辅助阴极181、第二辅助阴极182和第三辅助阴极183被电连接到在第一至第三单元工艺之后遍及多个像素共同形成的阴极180。
图9A和图9B是根据实施例的形成图案层的方法的示意性剖视图。
在图9A中，通过从包括多个喷嘴N1、N2和N3的喷墨印刷设备S滴下包括具有比剥离层120的表面能更大的表面能的材料的液滴J1和J3，在剥离层120上形成第一图案层131。
在图9B中，通过从包括多个喷嘴N1、N2和N3的喷墨印刷设备S滴下包括具有比第一图案层131的表面能更小的表面能的材料的液滴J2，在剥离层120上形成第二图案层132。
参考图9A和图9B，首先形成包括具有比剥离层120的表面能更大的表面能的材料的第一图案层131，然后形成包括具有比第一图案层131的表面能更小的表面能的材料的第二图案层132。
第一图案层131包括非氟基聚合物，第二图案层132可以包括将氟基表面活性剂添加到第一图案层131的非氟基聚合物材料中的材料。例如，第二图案层132可以包括非离子聚合物含氟表面活性剂。
具有更大表面能的第一图案层131可以围绕具有更小表面能的第二图案层132。
如在一个或多个上述实施例中，当通过印刷法在剥离层120上直接形成设定或预定形状的图案层130(例如，参见图4B)时，因为包括含氟聚合物的剥离层120具有低表面能，所以即使包括非氟基树脂或具有少量氟的聚合物的图案层130被直接印刷在剥离层120上，图案层130也不会遍布在剥离层120上，而是保持或基本保持设定或预定的图案。然而，因为图案层130不扩散，所以图案层130的均匀性降低。
然而，由于根据图9A和图9B所示的方法形成具有高表面能的第一图案层131，因此可以提高图案层的均匀性，并且可以防止或减少可能在图案层的表面中出现的针孔缺陷。
图10是根据实施例的形成图案层的方法的示意性剖视图。
图10示出了通过使用包括多个喷嘴N1、N2和N3的喷墨打印设备S在剥离层120上并行地(例如同时)形成第一图案层131和第二图案层132。例如，包括具有大表面能的材料的液滴J1和J3经由喷嘴N1和N3滴落以形成第一图案层131，并行地(例如，同时或在同一时间)，包括具有小表面能的材料的液滴J2经由喷嘴N2滴落以形成第二图案层132。因此，处理速度可以比图9A和图9B所示的方法的处理速度快。
另外，虽然在图中未示出，但是上述有机发光显示装置中的一个或多个可以进一步包括用于封装有机发射层的封装构件。封装构件可以包括玻璃基底、金属箔或混合有无机层和有机层的薄膜封装层。
根据一个或多个实施例，可以通过直接的制造工艺来制造有机发光显示装置，并且可以防止或基本上防止图案之间的未对准。此外，可以减少用于提供设备和执行制造工艺的成本以及材料成本，因此可以减少制造成本。
应当理解的是，本文描述的实施例应当被认为仅是描述性的意义，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征和/或方面的描述通常应被视为可用于其它实施例中的其它类似特征和/或方面。
尽管已经参考图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在不脱离由所附权利要求书及其等同方案限定的精神和范围的情况下进行形式上和细节上的各种改变。

Claims (19)

1.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
在包括第一电极的基底上形成剥离层，所述剥离层包括含氟聚合物；
在所述剥离层上形成图案层；
利用第一溶剂蚀刻所述图案层的图案之间的所述剥离层，以暴露所述第一电极；
在所述第一电极和所述图案层上形成有机功能层，所述有机功能层包括发射层；
利用第二溶剂去除所述剥离层的剩余部分；以及
在所述有机功能层上形成第二电极，
其中所述图案层包括：包括具有比所述剥离层的表面能更大的表面能的材料的第一图案层；和包括具有比所述第一图案层的表面能更小的表面能的材料的第二图案层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氟聚合物包括20重量％至76重量％的氟。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案层通过印刷法形成。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一图案层和所述第二图案层同时形成在所述剥离层上。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述图案层包括非氟基聚合物材料。
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述图案层包括含有小于20重量％的氟的氟基聚合物。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一图案层包括非氟基聚合物材料，所述第二图案层包括含氟表面活性剂。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一图案层围绕所述第二图案层。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机功能层进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和/或电子注入层。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机功能层通过沉积工艺形成。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一溶剂包括氟。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二溶剂包括氟。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，当蚀刻所述图案层的图案之间的所述剥离层时，所述剥离层在所述图案层下形成底切轮廓。
14.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：形成围绕所述第一电极的边缘的像素限定层。
15.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
在基底上形成多个第一电极；
执行第一单元工艺，执行所述第一单元工艺包括：
在包括所述多个第一电极的所述基底上形成剥离层，所述剥离层包括含氟聚合物；
在所述剥离层上形成具有设定形状的图案层；
利用第一溶剂蚀刻在所述图案层的图案之间的所述剥离层，以暴露所述多个第一电极中的第一个第一电极；
在所述第一个第一电极和所述图案层上形成第一有机功能层，所述第一有机功能层包括发射层；以及
利用第二溶剂去除所述剥离层的剩余部分；
在执行所述第一单元工艺之后，执行至少一次用于在所述多个第一电极中的与所述第一个第一电极不同的第二个第一电极上形成第二有机功能层的第二单元工艺，所述第二有机功能层被配置为发射与所述第一有机功能层的颜色不同的颜色的光；以及
在执行所述第一单元工艺和所述第二单元工艺中的每个之后形成第二电极，
其中所述图案层包括：包括具有比所述剥离层的表面能更大的表面能的材料的第一图案层；和包括具有比所述第一图案层的表面能更小的表面能的材料的第二图案层。
16.根据权利要求15所述的方法，其中从通过所述第一单元工艺形成的所述第一有机功能层发射的光和从通过所述第二单元工艺形成的所述第二有机功能层发射的光被混合，以产生白光。
17.根据权利要求15所述的方法，其中形成所述第二电极包括在多个有机功能层上一体地形成所述第二电极作为公共电极。
18.根据权利要求17所述的方法，进一步包括：在形成所述第二电极之前，分别在所述第一单元工艺和所述第二单元工艺中的每个中形成的所述第一有机功能层和所述第二有机功能层中的每个上形成辅助阴极。
19.一种通过权利要求1－14中任一项所述的方法制造的有机发光显示装置，包括：
所述基底；
在所述基底上的所述第一电极；
在所述第一电极上的所述有机功能层；以及
在所述有机功能层上的所述第二电极，
其中在所述有机发光显示装置的平面图中，所述有机功能层的边界线的不均匀度大于所述第一电极的边界线的不均匀度。
CN201710063550.1A 2016-02-02 2017-02-03 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法 Active CN107026247B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011246135.8A CN112366282A (zh) 2016-02-02 2017-02-03 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20160012908 2016-02-02
KR10-2016-0012908 2016-02-02
KR1020170002068A KR20170092452A (ko) 2016-02-02 2017-01-05 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR10-2017-0002068 2017-01-05

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011246135.8A Division CN112366282A (zh) 2016-02-02 2017-02-03 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107026247A CN107026247A (zh) 2017-08-08
CN107026247B true CN107026247B (zh) 2020-11-27

Family

ID=59387678

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710063550.1A Active CN107026247B (zh) 2016-02-02 2017-02-03 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法
CN202011246135.8A Pending CN112366282A (zh) 2016-02-02 2017-02-03 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011246135.8A Pending CN112366282A (zh) 2016-02-02 2017-02-03 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法

Country Status (2)

Country Link
US (4) US10243175B2 (zh)
CN (2) CN107026247B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10243175B2 (en) * 2016-02-02 2019-03-26 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting apparatus fabricated using a fluoropolymer and method of manufacturing the same
KR102603867B1 (ko) * 2016-08-01 2023-11-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN107644951A (zh) * 2017-10-20 2018-01-30 东莞理工学院 一种印刷oled显示屏的制备方法
CN110265428B (zh) * 2018-03-12 2024-05-24 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN110148678A (zh) * 2019-04-29 2019-08-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 辅助电极转移结构及显示面板的制作方法
CN110911461B (zh) * 2019-11-26 2023-06-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
US20230006165A1 (en) * 2021-07-02 2023-01-05 Avalon Holographics Inc. Trilayer photoresist system and method for patterning organic devices

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200905402A (en) * 2007-03-28 2009-02-01 Jsr Corp Double-layered film and pattern-forming method using the same, resin composition for forming lower layer of double-layered film, and positive radiation-sensitive resin composition for forming upper layer of double-layered film
CN102169959A (zh) * 2010-01-11 2011-08-31 三星移动显示器株式会社 制造高分辨率有机薄膜图案的方法
CN102738406A (zh) * 2011-03-30 2012-10-17 索尼公司 有机发光器件和包括有机发光器件的显示单元
WO2012148884A2 (en) * 2011-04-25 2012-11-01 Orthogonal, Inc. Orthogonal solvents and compatible photoresists for the photolithographic patterning of organic electronic devices
CN105280835A (zh) * 2014-06-17 2016-01-27 佳能株式会社 有机发光装置
CN107111254A (zh) * 2014-08-01 2017-08-29 正交公司 装置的光刻图案化

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4092261B2 (ja) 2002-08-02 2008-05-28 三星エスディアイ株式会社 基板の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP3915734B2 (ja) * 2003-05-12 2007-05-16 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置
US20050088084A1 (en) * 2003-10-27 2005-04-28 Eastman Kodak Company Organic polarized light emitting diode display with polarizer
US7684868B2 (en) * 2004-11-10 2010-03-23 California Institute Of Technology Microfabricated devices for wireless data and power transfer
US8846301B2 (en) 2008-05-23 2014-09-30 Cornell University Orthogonal processing of organic materials used in electronic and electrical devices
KR100963075B1 (ko) * 2008-10-29 2010-06-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치
WO2011139771A2 (en) 2010-04-27 2011-11-10 Orthogonal Inc. Method for forming a multicolor oled device
US9246122B2 (en) * 2010-11-02 2016-01-26 Oji Holdings Corporation Organic light emitting diode, method for manufacturing same, image display device, and illuminating device
WO2013074617A1 (en) 2011-11-14 2013-05-23 Orthogonal, Inc. Process for imprint patterning materials in thin-film devices
US20130256639A1 (en) * 2012-03-28 2013-10-03 Sony Corporation Light emitting element and display apparatus
KR20130114996A (ko) * 2012-04-10 2013-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
KR102072798B1 (ko) * 2013-06-11 2020-02-04 삼성디스플레이 주식회사 보조 전극을 포함하는 유기 발광 소자
KR102105077B1 (ko) 2013-07-01 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102131248B1 (ko) * 2013-07-04 2020-07-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102081605B1 (ko) * 2013-07-31 2020-02-27 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기전계발광소자
JP6242121B2 (ja) * 2013-09-02 2017-12-06 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子表示装置及び発光素子表示装置の製造方法
TWI545735B (zh) * 2013-09-09 2016-08-11 Japan Display Inc Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof
CN103928626A (zh) * 2014-04-17 2014-07-16 上海和辉光电有限公司 Oled发光装置及其制造方法
JP6653316B2 (ja) * 2014-08-01 2020-02-26 オーソゴナル，インコーポレイテッド 有機ｅｌ素子のフォトリソグラフィによるパターン形成
KR102401987B1 (ko) * 2014-08-01 2022-05-25 올싸거널 인코포레이티드 유기 전자 장치의 포토리소그래피 패터닝
KR20160066650A (ko) * 2014-12-02 2016-06-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치
KR20160066651A (ko) * 2014-12-02 2016-06-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치
KR102495112B1 (ko) * 2015-03-26 2023-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102360093B1 (ko) * 2015-07-22 2022-02-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102313365B1 (ko) * 2015-08-25 2021-10-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US10243175B2 (en) * 2016-02-02 2019-03-26 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting apparatus fabricated using a fluoropolymer and method of manufacturing the same
KR102490889B1 (ko) * 2016-02-29 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102278608B1 (ko) * 2017-03-10 2021-07-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200905402A (en) * 2007-03-28 2009-02-01 Jsr Corp Double-layered film and pattern-forming method using the same, resin composition for forming lower layer of double-layered film, and positive radiation-sensitive resin composition for forming upper layer of double-layered film
CN102169959A (zh) * 2010-01-11 2011-08-31 三星移动显示器株式会社 制造高分辨率有机薄膜图案的方法
CN102738406A (zh) * 2011-03-30 2012-10-17 索尼公司 有机发光器件和包括有机发光器件的显示单元
WO2012148884A2 (en) * 2011-04-25 2012-11-01 Orthogonal, Inc. Orthogonal solvents and compatible photoresists for the photolithographic patterning of organic electronic devices
CN105280835A (zh) * 2014-06-17 2016-01-27 佳能株式会社 有机发光装置
CN107111254A (zh) * 2014-08-01 2017-08-29 正交公司 装置的光刻图案化

Also Published As

Publication number Publication date
US10243175B2 (en) 2019-03-26
US11165050B2 (en) 2021-11-02
CN107026247A (zh) 2017-08-08
US20190198823A1 (en) 2019-06-27
CN112366282A (zh) 2021-02-12
US20170222190A1 (en) 2017-08-03
US20200303688A1 (en) 2020-09-24
US11700762B2 (en) 2023-07-11
US10680212B2 (en) 2020-06-09
US20220052305A1 (en) 2022-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107026247B (zh) 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法
TWI764869B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
US11127902B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US10134991B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
CN107565063B (zh) Oled背板的制作方法与oled面板的制作方法
US10431744B2 (en) Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using barrier layer having high fluorine content
CN109873091B (zh) 有机发光设备及其制造方法
CN107665916B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US10930875B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US9947870B2 (en) Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus
TW200306757A (en) Method for manufacturing electroluminescent device
CN110164941B (zh) 像素界定层和制作方法、显示面板和制作方法、显示装置
KR20190033476A (ko) 발광층, 전자발광 디바이스 및 디스플레이 디바이스를 제조하기 위한 방법
KR20080024943A (ko) 소재에 기능성 물질을 패턴닝하는 방법
KR20170092452A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP2015185531A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2010061950A (ja) 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant