CN101582391B - 图样形成方法、半导体装置制造方法以及显示器制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 62
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 33
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 12
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 10
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 10
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- -1 fluoroalkyl silanes Chemical class 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 2
- 238000007759 kiss coating Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yl)-[2-[13-[2-tri(propan-2-yl)silylethynyl]pentacen-6-yl]ethynyl]silane Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)=C(C=C4C(C=CC=C4)=C4)C4=C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)C3=CC2=C1 FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000004815 dispersion polymer Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000333 poly(propyleneimine) Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1292—Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
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Abstract
本发明公开了一种图样形成方法、半导体装置的制造方法以及显示器的制造方法。所述图样形成方法包括以下步骤：在基板上通过印刷形成树脂图样；通过这样的方式形成防水图样，即通过从树脂图样的顶部供给氟系材料而用氟系材料来覆盖树脂图样的开口底部；通过去除树脂图样而在防水图样中形成开口窗；并且通过将图样形成材料供给至防水图样的开口窗而形成由图样形成材料构成的目的图样。
Description
相关申请的交叉参考
本发明包含于2008年5月14日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2008-126820所披露的主题，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种图样形成方法、半导体装置的制造方法以及显示器的制造方法。
背景技术
与现有技术的非晶硅薄膜晶体管(TFT)相比，有机薄膜晶体管可在低温下形成，因此，有望应用于包括塑料基板的柔性显示器。此外，基板可通过便宜的处理(例如涂布、印刷等)、通过使用在溶剂中可溶的涂布材料来制造，而无需使用真空处理或光刻。因此，有望成本的降低。
附带地，关于应用喷墨法来图样化形成有机材料层，已经提出了很多种方法，其中预先由防水材料图样化形成障壁(堤)，从而通过障壁防止了溶有有机材料的小液滴的润湿和扩散，由此获得了期望形状的有机材料层(例如，参考日本未审查专利申请公开第2000-353594号、日本未审查专利申请公开第2006-86128号、日本未审查专利申请公开第2007-95379号和日本未审查专利申请公开第2007-200905号)。
特别地，关于有机半导体层的图样化形成，已经提出了将有机半导体小液滴涂布至压纹的(embossed)细微沟槽的方法(参考日本未审查专利申请公开(PCT申请的翻译)第2004-517737号)。除此之外，还提出了一种方法，其中，将用作形成有机半导体层的基板的源极和漏极的表面能和绝缘膜的表面能之间设置为有差异，从而，通过将半导体溶液涂布至源极和漏极之间的绝缘膜而形成图样(参考日本未审查专利申请公开第2006-60079号)。
发明内容
然而，在预先图样化形成防水障壁的方法中，使用了光刻处理或真空处理(例如氟等离子体处理)。因此，该方法并不符合可通过便宜的处理(例如不依赖于真空的处理或者不依赖于光刻的处理)来制造基板的有机薄膜晶体管(TFT)的方向。此外，在通过印刷来形成防水障壁的情况下，因为障壁是防水的，所以难以确保印刷图样的形状的精度。因此，难以在通过这样的障壁来防止润湿和扩散的同时确保通过图样化形成的半导体层的图样形状的精度。
此外，关于进行压纹的方法，担心用作基板的电极和绝缘膜在压纹期间容易被损坏，并且该方法不适用于形成具有大面积的基板。即使在利用源极和漏极的表面能和绝缘膜的表面能之间的差异的方法中，有机半导体层的膜形成状态也具有大的变化，因此该方法不适用于形成高清晰度显示底板等的细小图样。
因此，期望提供一种图样形成方法，其中可以仅通过涂布印刷法来形成具有良好的形状精度的目的图样；以及半导体装置的制造方法和显示器的制造方法，其中应用了上述图样形成方法。
根据本发明的实施方式，图样形成方法包括以下步骤：在基板上通过印刷形成树脂图样；形成防水图样，即通过从树脂图样的顶部供给氟系材料(fluorine based material)而用氟系材料来覆盖树脂图样的开口底部；通过去除树脂图样而在防水图样中形成开口窗；并且通过将图样形成材料供给至防水图样的开口窗而形成由图样形成材料构成的目的图样。
在上述图样形成方法中，防水图样是通过在树脂图样用作障壁的同时供给氟系材料而形成的。因此，通过印刷或涂布处理来形成具有良好的形状精度的防水图样，同时防止氟树脂材料的扩散。因此，在形成目的图案时，通过在防水图样用作障壁的同时供给图样形成材料，即通过印刷或涂布处理，形成具有良好的形状精度的目的图样。
此外，根据本发明的实施方式，还提供了一种半导体装置的制造方法和一种显示器的制造方法，其中通过应用上述图样形成方法来图样化形成半导体层。
如上所述，根据本发明的实施方式，通过应用涂布印刷法，以良好的形状精度形成了用作形成目的图样的障壁的防水图样，因此，可以仅通过应用涂布印刷法来形成具有良好的形状精度的目的图样。因此，形成有作为半导体层的目的图样的半导体装置可被制作为更微小，此外，包括该半导体装置的显示器可表现出更高的清晰度。
附图说明
图1是作为实施方式中的半导体装置而被制造的显示器的底板的平面构造图；
图2A～图2E是用于说明在显示器底板的制造中，底栅结构(交错型，staggered type)薄膜晶体管的形成过程的示图，其中根据本发明的实施方式的图样形成方法被应用于有机半导体层的图样化形成；并且图2A～图2E是与图1中所示的II-II部分相应的截面步骤示图；
图3是用于说明根据本发明的实施方式的显示器底板的制造的截面图；
图4是用于说明根据本发明的实施方式的液晶显示器的制造的截面图；以及
图5A是根据本发明的实施方式的被形成为目的图样的半导体层的平面图，而图5B是不使用防水图样而通过印刷形成的半导体层的平面图。
具体实施方式
在以下描述中，首先，将说明将根据本发明的实施方式的图样形成方法应用于显示器底板的制造过程中半导体层的形成，作为半导体装置的制造方法。接着，将说明包括所得底板的液晶显示器的制造方法，作为显示器的制造方法。
半导体装置的制造方法
图1示出了在此被作为半导体装置而制造的显示器的底板的平面构造。以下将参照图1并基于图2A～图2E所示的截面步骤示图(与图1中所示的II-II部分相应)来描述底栅结构(交错型)有机薄膜晶体管的形成过程，其中根据本发明的实施方式的图样形成方法被应用于有机半导体层的图样化形成。
如图2A所示，在基板1的每个像素区域上图样化形成栅极3，并且栅绝缘膜5形成为覆盖栅极3。此后，在栅绝缘膜5上图样化形成源极7s和漏极7d。
如下来图样化形成栅极3。例如，通过模压涂层法(die coating)将包括银细微颗粒的导电墨水涂布至由聚醚砜(PES)形成的塑料基板1。接着，在150℃下进行热处理，从而形成具有50nm膜厚的导电银膜。在导电膜上通过抗蚀墨水的丝网印刷形成期望形状的抗蚀图样。以抗蚀图样为掩模，使用银蚀刻溶液对导电膜进行湿蚀刻从而将导电膜图案化，从而形成栅极3。在形成栅极3之后，去除抗蚀墨水。
基板1并不限于塑料基板，而可以是玻璃基板。塑料基板并不限于由聚醚砜(PES)形成的基板，而可以由聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯硫醚(PPS)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等构成。此外，对于基板1，可以使用由不锈钢等构成的金属薄膜基板(金属箔)。金属箔具有低的水蒸气和氧气透过性，并且可用作柔性基板。
栅极3并不限于由银构成的电极。还可以使用例如金、铂、钯、铜、镍以及铝等的金属以及包括聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺(PANI)等的导电有机材料。
此外，在形成栅极3时导电膜的湿蚀刻中用作掩模的抗蚀图样可以通过使用喷墨法、光刻法或激光光绘法来形成。栅极3可通过喷墨法、丝网印刷法、微接触印刷法或胶印法等直接图样化而形成。然而，为了确保设置为覆盖栅极3的栅绝缘膜5的良好绝缘特性，优选栅极3的表面是平的，并且膜厚为最小值，例如100nm以下。
如图1所示，在与上述栅极3的形成相同的步骤中，例如，图样化形成以水平方向配置的连接至各个像素区域的栅极3的扫描线3a、平行于扫描线3a而设置的电源线3b、以及从电源线3b延伸而设置的电容器元件的下部电极3c。
栅绝缘膜5的膜形成是通过例如模压涂层法而进行的。此处，作为实例，栅绝缘膜5是通过将在丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)中溶解有10重量％的交联聚合物材料聚乙烯基苯酚(PVP)的溶液涂布至设置有栅极3的基板1、并在180℃下进行1小时的热处理而形成的。期望该栅绝缘膜5的膜被形成为具有1μm以下的膜厚以及平坦的表面，以使得晶体管可在低电压下进行工作。
关于栅绝缘膜5的膜形成，除了模压涂层法之外，还可以使用其他涂布方法，例如槽辊涂布法(gravure coating method)、辊涂法、吻合涂布(kiss coating)法、刮涂法、狭缝涂布法、刮刀涂布法、旋涂法以及喷墨法。关于用于构成栅绝缘膜5的材料，除了PVP之外，还可以使用聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯、聚丙烯酸酯、聚乙烯醇、环氧树脂、酚醛清漆树脂等。
源极7s和漏极7d被设置在栅极3上，同时隔着栅绝缘膜而彼此相对。这种源极7s和漏极7d通过与例如栅极3的形成类似的方式而形成。即，通过模压涂层法均匀地涂布银墨水，随后在150℃下进行热处理，从而由银形成具有50nm膜厚的导电膜。接着，通过丝网印刷法在导电膜上形成抗蚀墨水的图样。在抗蚀图样用作掩模的同时通过使用银蚀刻溶液来湿蚀刻导电膜，从而通过导电膜的图样化来形成源极7s和漏极7d，去除抗蚀墨水。
在这点上，关于源极7s和漏极7d，除了银之外，还可以使用与p型半导体具有良好的欧姆接触的金属(例如金、铂、钯、铜和镍)以及包括聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺(PANI)的导电有机材料。
此外，在形成源极7s和漏极7d时导电膜的湿蚀刻中用作掩模的抗蚀图样可以通过喷墨法、光刻法或激光光绘法而形成。此外，源极7s和漏极7d可通过喷墨法、丝网印刷法、微接触印刷法或胶印法等直接图样化而形成。
如图1所示，在与上述源极7s和漏极7d相同的步骤中，例如，图样化形成以垂直方向配置的连接至各个像素区域的源极7s的信号线7a、以及从漏极7d延伸而设置的电容器元件的上部电极7c。以此方式，获得了栅绝缘膜夹在下部电极3c和上部电极7c之间的电容器元件C。
到此为止的步骤可以按与现有技术类似的方式来进行。以下所描述的步骤具有本实施方式独有的结构。
如图2B所示，通过丝网印刷法、喷墨法、分配器法或例如蜡印的印刷法，在设置有源极7s和漏极7d的基板1上预先通过印刷形成具有期望形状的树脂图样9。
此处，将栅极3上源极7s和漏极7d之间的部分(即在以下步骤中用于形成作为目的图样的半导体层的部分A)用树脂图样9覆盖。树脂图样9设置有环形开口9a，其围绕用于形成半导体层的上述部分A。优选开口9a的开口宽度W小到这样的程度，该宽度足以至少吸收在以下步骤中在源极7s和漏极7d之间通过印刷形成的半导体层的位置精度的余量(margin)。例如，在此处，形成设置有环形开口9a的树脂图样9，该环形开口具有开口宽度W＝50μm左右，并且围绕用于形成半导体层的部分A。
上述树脂图样9的图样化形成是通过例如使用抗蚀墨水的印刷而进行的，而树脂图样9是在形状精度最优先的情况下通过印刷而形成的。此外，优选通过印刷形成的树脂图样的高度h足以在随后进行的防水图样的形成中使防水图样被阶梯式切割(cut stepwise)成为在树脂图样9上的上部和下部。因此，其中通过印刷容易形成具有一定程度膜厚的图样的丝网印刷法更适用于通过印刷形成树脂图样9。高度h约为0.5μm～10μm，在此具体地为约2μm。
接着，如图2C所示，从树脂图样9的顶部供给氟系材料，从而形成了用氟系材料覆盖树脂图样9的开口9a的底部的防水图样11。氟系材料可以是任何材料，只要其满足防水和对于基板具有粘附性的条件。例如，可以使用氟树脂，例如CYTOP CTX-807A(商标名，由旭硝子公司(ASAHI GLASS CO.，LTD.)生产)、Teflon AF(商标名，由杜邦(DuPont)生产)以及OPTOOL(商标名，由Daikin Industries，Ltd.生产)。例如，用氟系溶剂CT-SOLV180(商标名，由旭硝子公司生产)将CYTOP CTX-807A稀释至0.1重量百分比，并将其用狭缝涂布机涂布到基板1上。所得基板在100℃下焙烧1小时。以此方式，形成了用氟系材料覆盖树脂图样9的开口9a的底部的环形防水图样11(参照图1)。
氟系材料并不必须是树脂，而还可以通过涂布其中溶解有硅烷偶联剂(例如氟代烷基硅烷)的溶液而形成。
通过从树脂图样9的顶部供给氟系材料而形成的防水图样11由于树脂图样9的开口9a的侧壁的大高度差而被阶梯式切割，图样化形成为覆盖树脂图样9的开口9a的底部的形状。此时，被供给和涂布的氟系材料可能残留在树脂图样9的顶部，或者可能没有残留氟系材料。无论是哪种情况，都没有大问题。
优选上述氟系材料的供给通过涂布法来进行，因为预计可提高生产能力。然而，也可以应用将氟系材料供给至树脂图样9的开口9a的喷墨法。此外，可以应用其他的印刷方法。
接着，如图2D所示，去除树脂图样9。树脂图样9的去除通过使用N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)溶液的清洗处理来进行。此时，即使防水图样11不处于正在进行交联反应的状态，在除氟系溶剂之外的溶剂中的溶解度也非常小，因此，在该清洗和去除期间并不会除去防水图样11。
如上所述选择性地去除树脂图样9，从而在防水图样11的中心部形成开口窗11a，树脂图样9已从该开口窗去除。源极7s和漏极7d之间的栅绝缘膜5，以及此外源极7s和漏极7d的端部暴露于开口窗11a的底部。
此后，如图2E所示，将用作图样形成材料的半导体材料供给至防水图样11的开口窗11a，从而图样化形成了作为此处的目的图样的半导体层13(参照图1)。在此使用了适于涂布成型的半导体材料。例如，通过喷墨法向防水图样11的开口窗11a的内部涂布10重量％的6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(TIPS并五苯)的二甲苯溶液。随后，在90℃下进行1小时的焙烧，从而通过印刷形成作为目的图样的半导体层13。
此时，即使在用于供给半导体材料的喷墨释放位置相对于形成为具有预定宽度W(＝50μm)的防水图样11具有数十微米的误差的情况下，半导体材料也会被防水图样11所排斥。因此，半导体材料被保持在防水图样11的开口窗11a中，并且图样化形成对应于开口窗11a的岛状的半导体层13。该半导体层13以这样的方式被设置，即与源极7s和漏极7d之间的栅绝缘膜5以及源极7s和漏极7d的端部相接触。
半导体层13是通过使用适于通过涂布成型的半导体材料来形成的。除了上述TIPS并五苯之外，还可以使用高分子材料(例如，聚噻吩、芴-噻吩共聚物以及聚丙烯胺)和低分子材料(例如，适于通过涂布成型的并五苯衍生物、红荧烯衍生物、噻吩低聚物、并四苯衍生物以及卟啉化合物)。半导体层13并不限于有机材料，而可以使用涂布型的硅系材料、氧化物材料以及化合物半导体材料，只要它们适于涂布成型。
在图样化形成半导体层13的时间点、在除了要设置半导体层13的部分之外的部分全部被防水图样11所覆盖的情况下，可以通过对基板1上的整个表面的涂布来供给用作图案形成材料的半导体材料。
以该方式，获得了底栅型薄膜晶体管Tr，其中栅极3被栅绝缘膜5所覆盖，设置在栅绝缘膜5上的源极7s和漏极7d的端部被设置在栅极3上，同时彼此相对，并且半导体层13被设置在源极7s和漏极7d之间。
如图3所示，通过在设置有薄膜晶体管Tr的基板1上印刷来形成层间绝缘膜15(参照图1)。此处，通过例如丝网印刷法来形成设置有连接孔15a的层间绝缘膜15。关于印刷中所使用的树脂浆料，可以使用聚酰胺树脂、环氧树脂、聚酯树脂、酚醛树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂等。然而，关于在此制造的具有底栅结构的薄膜晶体管Tr，由于在半导体层13上直接形成了层间绝缘膜15，所以选择并使用在树脂浆料中所含的溶剂和树脂浆料的热处理的影响下晶体管特性不会劣化的材料。
在层间绝缘膜15中形成的连接孔15a被定位在例如到达漏极7d的位置。在防水图样11保留在基板1上的情况下，优选连接孔15a被设置在避开防水图样11的位置处。防水图样11可在半导体层13形成之后、层间绝缘膜15形成之前从基板1上去除。
然后，在层间绝缘膜15上的各个像素区域中图样化形成通过连接孔15a连接至漏极7d的像素电极17。此时，像素电极17通过使用例如导电银浆的丝网印刷法来形成。关于导电银浆，使用XA-9024(商标名，由藤仓化成公司(Fujikura Kasei Co.，Ltd.)生产)，并且在印刷之后，在150℃下进行热处理以获得像素电极17。关于用于形成像素电极17的导电浆料，除了银浆之外，还可以使用金浆、铂浆、铜浆、镍浆、钯浆、它们的合金材料、以及包括聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺(PANI)的导电有机材料。此外，除了丝网印刷，像素电极17还可以通过利用喷墨法、微接触印刷法或胶印法的直接图样化而形成。
接着，形成了覆盖像素电极17的形状的取向膜19(orientationfilm)，从而获得了液晶显示器的底板(半导体装置)21。该底板21用作有源矩阵型液晶显示器的驱动基板。
显示器的制造方法
以下将参照图4中所示的截面图来描述包括所得底板21的液晶显示器的制造方法。
对向基板31设置在底板21的设置有取向膜19的表面侧上。该对向基板31由光透射材料形成。在面向取向膜19的表面上设置所有像素共有的由透明导电材料形成的光透射公共电极33。取向膜35被设置为覆盖公共电极33。在两个基板1和31的取向膜19和35之间填充液晶层LC以及间隔物(附图中未示出)，并进行封装。填充的液晶层LC可以是聚合物分散型液晶层。
尽管在附图中未示出，但是在基板1的外侧和对向基板31的外侧设置了偏转板，从而完成了液晶显示器40。
根据上述制造方法，如参照图2C所描述的，在树脂图样9用作障壁时通过供给氟系材料来形成防水图样11。因此，即使通过印刷或涂布处理也可以形成具有良好的形状精度的防水图样11，同时防止氟系材料的扩散。即，通常，氟系材料具有小的表面能，因此容易在基板1上润湿并且扩散。因此，难以直接通过丝网印刷法或喷墨法形成由氟系材料构成的防水图样11同时确保形状精度。然而，在树脂图样9用作障壁时由氟系材料形成防水图样11的情况下，如在上述实施方式中，可由氟系材料形成具有良好的形状精度的防水图样11。
因此，关于参照图2E所描述的步骤，可以通过供给半导体材料(图样形成材料)，即通过在防水图样11用作障壁时进行印刷或涂布，来以高生产能力形成具有高形状精度的半导体层(目的图样)。结果，可以促进半导体装置的小型化、生产率的提高、以及包括上述半导体装置的显示器的清晰度等级的提升。
图5示出了根据上述实施方式的工艺而图样化形成的半导体层13的显微照片。在此处所示的实例中，半导体层13形成在梳状的源极/漏极7s/7d上。如此处所示，确定在源极/漏极7s/7d上图样化形成了具有良好的形状精度的半导体层13。
另一方面，图5B示出了通过印刷、不形成防水图样而形成半导体层的情况下的显微照片。如此处所示，通过印刷、不形成防水图样而形成的半导体层扩散成为在供给部上的圆形，从而难以确保形状精度。由这些比较，可以确定本实施方式的构造具有改善通过印刷形成的半导体层的形状精度的效果。
至此，已经描述了将本发明应用于液晶显示器的制造过程的实施方式。然而，本发明并不限于对于液晶显示器的制造的应用，而可以广泛地应用于半导体装置和包括图样化形成半导体层的步骤的显示器的制造，以发挥相同的效果。因此，本发明可应用于例如电泳型显示器的制造和包括有机电致发光元件的有机EL显示器的制造，以发挥相同的效果。关于对于电泳型显示器的制造的应用，可在电极17和33之间保持将充电石墨细微颗粒以及氧化钛细微颗粒分散在硅酮离子中的微胶囊，而不在两个基板1和31上形成取向膜。此外，对于有机EL显示器的制造的应用，可在像素电极17上通过层压形成包括有机电致发光层的有机层，并可在其上形成公共电极。包括薄膜晶体管Tr和电容器元件C的像素电路的电路构造可改变为适于驱动显示器。
作为目的图样形成的图样并不限于半导体层。例如，可以应用于作为目的图样的滤色片的形成，且可通过印刷或涂布法来形成具有良好的形状精度的滤色片。此外，还可以应用于通过涂布形成有机EL显示器的发光部的有机层。
本领域的技术人员应该理解，根据设计要求和其他因素，可以有多种修改、组合、子组合和变形，均应包含在随附权利要求或等价物的范围之内。
Claims (10)
1.一种图样形成方法，包括以下步骤：
在基板上通过印刷形成树脂图样；
形成防水图样，即通过从所述树脂图样的顶部供给氟系材料而用所述氟系材料来覆盖所述树脂图样的开口底部；
通过去除所述树脂图样而在所述防水图样中形成开口窗；并且
通过将图样形成材料供给至所述防水图样的所述开口窗而形成由所述图样形成材料构成的目的图样。
2.根据权利要求1所述的图样形成方法，其中
在形成所述树脂图样时形成的所述树脂图样的开口为环形，其围绕在形成所述目的图样时形成所述目的图样的部分，
在形成所述开口窗时形成设置有所述开口窗的环形防水图样，并且
在形成所述目的图样时形成岛状目的图样。
3.根据权利要求1或2所述的图样形成方法，
其中，在形成所述防水图样时的所述氟系材料的供给是通过涂布或印刷而进行的。
4.根据权利要求1所述的图样形成方法，
其中，在形成所述目的图样时的所述图样形成材料的供给是通过涂布或印刷而进行的。
5.根据权利要求1所述的图样形成方法，
其中，在形成所述树脂图样时通过印刷形成的所述树脂图样具有这样的高度，使得在形成所述防水图样时所供给的所述氟系材料可被阶梯式切割为在所述树脂图样上的上部和下部。
6.根据权利要求1所述的图样形成方法，
其中，在形成所述树脂图样时通过丝网印刷形成所述树脂图样。
7.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：
在设置有源极和漏极的基板上通过印刷形成树脂图样，所述树脂图样覆盖所述源极和所述漏极之间并且具有围绕其周边的形状的开口；
形成防水图样，即通过从所述树脂图样的顶部供给氟系材料而用所述氟系材料来覆盖所述树脂图样的开口底部；
通过去除所述树脂图样而在所述防水图样中形成开口窗；并且
通过将半导体材料供给至所述防水图样的开口窗而在所述源极和所述漏极之间图样化形成由所述半导体材料构成的半导体层。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，
其中，在形成所述树脂图样时形成的所述树脂图样中的开口为环形，其围绕在图样化形成所述半导体层时形成所述半导体层的部分，
在形成所述开口窗时形成设置有所述开口窗的环形防水图样，并且
在所述图样化形成半导体层时图样化形成岛状半导体层。
9.一种显示器的制造方法，包括以下步骤：
在基板上方形成源极和漏极；
在所述基板上通过印刷形成树脂图样，所述树脂图样覆盖所述源极和所述漏极之间，并且具有围绕其周边的形状的开口；
形成防水图样，即通过从所述树脂图样的顶部供给氟系材料而用所述氟系材料来覆盖所述树脂图样的开口底部；
通过去除所述树脂图样而在所述防水图样中形成开口窗；
通过将半导体材料供给至所述防水图样的开口窗而在所述源极和所述漏极之间图样化形成由所述半导体材料构成的半导体层；
在设置有所述半导体层的所述基板上方形成具有连接孔的绝缘膜；以及
在所述绝缘膜上形成通过所述连接孔连接至所述源极和所述漏极的其中一个的像素电极。
10.根据权利要求9所述的显示器的制造方法，
其中，在形成所述树脂图样时形成的所述树脂图样中的开口为环形，其围绕在图样化形成所述半导体层时形成所述半导体层的部分，
在形成所述开口窗时形成设置有所述开口窗的环形防水图样，
在图样化形成所述半导体层时图样化形成岛状半导体层，并且
在形成所述绝缘膜时以使所述连接孔被设置在所述防水图案之外的位置的方式形成所述绝缘膜。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008126820A JP4466763B2 (ja) | 2008-05-14 | 2008-05-14 | パターン形成方法、半導体装置の製造方法、および表示装置の製造方法 |
| JP2008-126820 | 2008-05-14 | ||
| JP2008126820 | 2008-05-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101582391A CN101582391A (zh) | 2009-11-18 |
| CN101582391B true CN101582391B (zh) | 2011-04-06 |
Family
ID=41316567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009101429314A Expired - Fee Related CN101582391B (zh) | 2008-05-14 | 2009-05-14 | 图样形成方法、半导体装置制造方法以及显示器制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8097488B2 (zh) |
| JP (1) | JP4466763B2 (zh) |
| CN (1) | CN101582391B (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI476931B (zh) * | 2010-10-21 | 2015-03-11 | Au Optronics Corp | 薄膜電晶體與具有此薄膜電晶體的畫素結構 |
| US8982444B2 (en) | 2012-02-09 | 2015-03-17 | Amazon Technologies, Inc. | Electrowetting display device and manufacturing method thereof |
| EP3051579B1 (en) * | 2013-09-25 | 2018-03-21 | Toppan Printing Co., Ltd. | Thin film transistor array and image display device |
| JP6135427B2 (ja) | 2013-09-27 | 2017-05-31 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法 |
| KR101555753B1 (ko) * | 2013-11-18 | 2015-09-30 | 서울대학교산학협력단 | 단일 공정의 부식 방지된 구리 페이스트 제조와 다이폴 태그 안테나로의 응용 |
| JP2015148749A (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP6627437B2 (ja) * | 2015-11-10 | 2020-01-08 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
| EP3200253B1 (de) * | 2016-01-29 | 2021-06-30 | Novaled GmbH | Verfahren zum herstellen eines vertikalen organischen feldeffekttransistors und vertikaler organischer feldeffekttransistor |
| JP7172026B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2022-11-16 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ |
| KR102405161B1 (ko) * | 2017-12-18 | 2022-06-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 자유 형상 표시장치 |
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| JP3328297B2 (ja) | 1998-03-17 | 2002-09-24 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| GB0024294D0 (en) | 2000-10-04 | 2000-11-15 | Univ Cambridge Tech | Solid state embossing of polymer devices |
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| JP4595955B2 (ja) | 2003-10-23 | 2010-12-08 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器 |
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| JP2006060079A (ja) | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Ricoh Co Ltd | 半導体層のパターン形成方法及び電子素子、電子素子アレイ、表示装置 |
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-
2008
- 2008-05-14 JP JP2008126820A patent/JP4466763B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-05-13 US US12/465,249 patent/US8097488B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-14 CN CN2009101429314A patent/CN101582391B/zh not_active Expired - Fee Related
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|---|
| JP特开2008-58587A 2008.03.13 |
| JP特表2005-505420A 2005.02.24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101582391A (zh) | 2009-11-18 |
| US8097488B2 (en) | 2012-01-17 |
| US20090286361A1 (en) | 2009-11-19 |
| JP4466763B2 (ja) | 2010-05-26 |
| JP2009277832A (ja) | 2009-11-26 |
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