CN1898806A - 半导体模块 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体模块(A1)，其包括：具有半导体芯片的半导体装置(10)；和通过粘接剂层(8)与所述半导体装置(10)粘接的电磁屏蔽用的导体盖(6)。在所述导体盖(6)的与所述粘接剂层(8)的相对面上，形成有向所述粘接剂层(8)侧突出的突出部(6a)；所述突出部(6a)的周边形成为用于滞留形成所述粘接剂层(8)的粘接剂的空间部(7)。

Description

半导体模块
技术领域
本发明涉及安装在电化制品的遥控器、个人计算机以及移动电话等中使用的红外线通信模块和其他的半导体模块。
背景技术
作为半导体模块的一个例子有红外线通信模块(例如日本特开2001-135859号公报)。
图10～图12是表示现有技术的红外线通信模块的一个例子的图。图10是红外线通信模块的立体图，图11是沿着图10的XI-XI线的截面图，图12是沿着图10的XII-XII线的纵截面图。
该红外线通信模块X包括半导体装置90和导体盖96。半导体装置90包括：基板91、LED92、光电二极管93和IC芯片94，构成为能够发送接收红外线。
LED92将红外线射出至外部，光电二极管93接收从外部入射的红外线。设置在基板91表面上的LED92、光电二极管93和IC芯片94利用密封树脂部95而被保护。透镜95a和透镜95b分别形成于密封树脂部95的LED92和光电二极管93的上部。透镜95a提高从LED92射出红外线的指向性；透镜95b将从外部射入的红外线集中在光电二极管93上。
从LED92发出的红外线利用在密封树脂部95上形成的透镜95a来提高指向性并向上方射出，入射到透镜95b上的红外线集中在光电二极管93的受光面上。
导体盖96形成为高度较低的长方体形状。导体盖96的下面开口，上面与透镜95a、95b相对的部分开口。在导体盖96的长度侧面的大致中央的下端，向外侧折返而突出设置有端子部96a。端子部96a用于使导体盖96与安装红外线通信模块X的基板的地面连接。通过导体盖96与地面连接，使设置在基板91的表面的LED92、光电二极管93和IC芯片94被屏蔽，从而可以抑制外部噪声的影响。
如图11所示，对于导体盖96来说，上面的背面侧利用粘接剂98而与由密封树脂部95的透镜95a和透镜95b夹持的部分粘接。如果使用粘接剂98，则可以很容易且牢固地对导体盖96与半导体装置90进行固定。
然而，由于导体盖96只通过粘接剂98而固定在密封树脂部95上，所以，当对导体盖96与半导体装置90进行粘接时，若按压导体盖96的上面，则粘接剂98被压开扩展，有时会从导体盖96的粘接部分向透镜95a或者透镜95b突出出来。特别是，当粘接剂98的涂敷量过多，导体盖96按压在半导体装置90上的力过强时，粘接剂98的突出量多。
由于产生这种问题，而破坏红外线通信模块X的外观，突出的粘接剂98附着在密封树脂部95的透镜95a、95b上，透镜95a使从LED92射出的红外线的照射方向产生变化，透镜95b使通向光电二极管93的红外线的集光量发生变化，会使红外线通信模块X的通信功能降低。
此外，当对导体盖96与半导体装置90进行粘接时，导体盖96的压紧力很容易不均匀，这样，粘接剂98的厚度不均匀，导体盖96有可能以倾斜的姿势与半导体装置90粘接。
如图12所示，当导体盖96的上面利用大致均匀的粘接剂层与密封树脂部95粘接时，由于接地用的端子部96a在与基板90的下面大致相同的位置突出，所以，当导体盖96以倾斜的姿势与半导体装置90粘接时，因导体盖96的倾斜而引起的端子部96a的位置偏移变大。若端子部96a的位置偏移变大，则不能适当地接地，导体盖96的电磁屏蔽效果不能充分发挥。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够消除或者抑制上述现有技术的问题的半导体模块。
本发明的第一方面提供一种半导体模块，其特征在于，包括：具有半导体芯片的半导体装置；和通过粘接剂层与上述半导体装置粘接的电磁屏蔽用的导体盖；其中，在上述导体盖与上述粘接剂层相对的面上，形成有向上述粘接剂层突出的突出部；上述突出部的周边成为滞留形成上述粘接剂层的粘接剂用的空间部。
优选上述突出部有三个以上，它们成非直线状配置。
优选上述突出部有两个以上，它们为细长形，被配置成中心轴互相不一致。
优选在上述半导体装置与上述粘接剂层相对的面上形成有凹部，上述突出部的至少一部分配置在避开上述凹部的位置上。
优选上述导体盖为金属制成，上述突出部通过压花加工形成。
优选上述半导体装置具有可发出红外线的发光元件、可接受感知红外线的受光元件、以及IC芯片；作为可接收发送红外线的红外线通信模块而构成。
本发明的第二方面提供的一种半导体模块，其特征在于，包括：具有半导体芯片的半导体装置；和通过粘接剂层与上述半导体装置粘接的电磁屏蔽用的导体盖；其中，在上述半导体装置与上述粘接剂层相对的面上，形成有向上述粘接剂层突出的突出部；上述突出部的周边成为滞留形成上述粘接剂层的粘接剂用的空间部。
附图说明
本发明的其它特征和优点可以从以下本发明的实施方式的说明中更清楚地得到了解。
图1是本发明的第一实施方式的红外线通信模块的全体立体图。
图2是沿着图1的II-II线的纵截面图。
图3是沿着图1的III-III线的纵截面图。
图4是本发明的第二实施方式的红外线通信模块的主要部分的立体图。
图5是本发明的第三实施方式的红外线通信模块的主要部分的立体图。
图6是本发明的第四实施方式的红外线通信模块的主要部分的立体图。
图7是本发明的第五实施方式的红外线通信模块的主要部分的立体图。
图8是沿着图7的VIII-VIII线的截面图。
图9是本发明的第六实施方式的红外线通信模块的主要部分的立体图。
图10是表示现有技术的红外线通信模块的全体的立体图。
图11是沿着图10的XI-XI线的截面图。
图12是沿着图10的XII-XII线的截面图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明优选实施方式进行具体说明。
图1～图3表示作为本发明的第一实施方式的半导体模块的红外线通信模块一个例子。图1是红外线通信模块的立体图，图2是沿着图1的I-I线的纵截面图，图3是沿着图1的II-II线的纵截面图。
红外线通信模块A1例如放置在便携型个人计算机(图示省略)中，用于双向通信，其具半导体装置10和导体盖6。半导体装置10包括：基板1、LED2、光电二极管3、IC芯片4和密封树脂部5。
基板1由玻璃环氧树脂等绝缘体制成，平面视图为长矩形形状。如图2所示，LED2是发出红外线的部件，其被安装在靠近基板1的一端(图2中的右端)。光电二极管3是接收红外线，并产生与接收红外线量相应的光起电力而使电流流动的部件，其被安装在靠近基板1的另一端(图2中的左端)。IC芯片4根据从放置上述个人计算机中的控制机器送出的信号而使LED2发光，将从光电二极管3发出的电流转换成输出信号，并输出至放置在上述个人计算机中的控制机器，其被安装在基板1的长度方向的中央附近。
密封树脂部5例如使用包含颜料的环氧树脂，利用转移模制法在基板1上形成。密封树脂部5密封LED2、光电二极管3和IC芯片4。密封树脂部5具有可见光不能透过，而红外线能够良好地透过的性质。
在密封树脂部5的LED92和光电二极管93的上部，形成有分别向上方膨出的透镜部5a、5b。透镜部5a可提高从LED2发出的红外线的指向性。透镜部5b可将从外部入射的红光线集中在光电二极管3的受光面上。
在密封树脂部5的上面形成有凹部5d。该凹部5d例如是在利用转移模制法的密封树脂部5的成形工序中，通过从金属模型突出微小尺寸的推出销的前端部而形成的。该凹部5d在如后所述的涂敷粘接剂8时而被利用。
导体盖6用于抑制从LED发生的电磁波泄漏到红外线通信模块A1外，或者用于抑制从红外线通信模块A1外的电磁波对IC芯片4的影响，即用于所谓的电磁屏蔽。该导体盖6利用金属薄板折曲加工而形成，其覆盖除透镜部5a、5b以外的密封树脂部5的上面和四个侧面。
导体盖6的上板部6u覆盖密封树脂部5的上面5c的一部分，导体盖6的侧板部6s覆盖密封树脂部5的侧面5s的一部分。如后所述，导体盖6利用粘接剂8而与密封树脂部5粘接。接地用的端子部6b在导体盖6的一个长度板部6s的大致中央的下部向外侧突出设置。该端子部6b也利用折曲加工而形成。该端子部6b与上述个人计算机的接地端子连接。
如图1所示，在导体盖6的上板部6u上形成有向下突出的四个突出部6a。这些突出部6a配置在避开凹部5d的位置。如图2所示，这些突出部6a例如利用压花加工形成，其下端与密封树脂部5的上面5c接触。因此，在导体盖6的突出部6a以外的下面6c和密封树脂5的上面5c之间形成空间部7。
粘接剂8用于对导体盖6与密封树脂部5进行粘接，充填在空间部7中。其中，粘接剂8的充填是在以从凹部5d鼓起的方式涂敷粘接剂8后，将导体盖6按压在密封树脂部5上，使粘接剂8在空间部7内压开扩展而进行的。
采用这种红线通信模块A1，通过突出部6a与密封树脂部5接触，而可以确保空间部7。因此，当使导体盖6与密封树脂部5粘接时，在凹部5d中涂敷粘接剂8后，将导体盖6按压在密封树脂部5上情况下，由于即使与凹部5d对抗的导体盖6的下面6c将粘接剂8按压扩展，粘接剂8仍可滞留在空间部7内，因此可以防止粘接剂8从导体盖6的上板部6u向透镜部95a或者透镜部95b突出。
这样，可防止损害红外线通信模块A1的外观，突出的粘接剂8附着在透镜部5a、5b上，透镜5a使从LED2射出的红外线的照射方向变化，由透镜部5b造成的通向光电二极管3的红外线的集光量变化，使红外线通信模块A1的通信功能降低。
此外，由于使四个突出部6a与密封树脂部5c的上面5c接触，所以导体盖6的上板部6u与该密封树脂部5的上面5c大致平行地而被支承，因此导体盖6的上板部6u不会倾斜地与密封树脂部5的上面5c粘接。
如图3所示，当导体盖6的上板部6u与密封树脂部5的上面5c大致平行地而被支承时，由于端子部6b在与基板10的下面大致相的位置上突出，因此当上板部6u以倾斜状态与上面5c粘接时，端子部6b的位置容易产生较大的偏移。当产生这种偏移时，由于端子部6b不能适当进行接地，因此不能很好发挥导体盖6的电磁屏蔽效果。
但是，在该第一实施方式中，如上所述，由于在导体盖6和密封树脂部5粘接时，不产生由粘接剂8的厚度不均而造成的导体盖6倾斜的结构，因此，可减少红外线通信模块A1对导体盖6的端子部6b的位置偏移，可适当发挥导体盖6的电磁屏蔽的效果。
此外，通过设置凹部5d，与不形成该凹部的情况比较，可涂敷多一个凹部5d容积的粘接剂8。因此，可提高导体盖6和密封树脂部5的粘接强度，抑制导体盖6的剥离。而且，由于四个突出部6a都配置在避开凹部5d的位置，可以方式四个突出部6a中的任何一个进入凹部5d中，而引起导体盖6相对密封树脂部5的不适当的倾斜。
图4～图6是表示本发明的第二～第四实施方式的红外线通信模块。
对于图4～图6所示的红外线通信模块来说，设置在导体盖6上的突出部6a的形状、个数和配置，与第一个实施方式的红外线通信模块不同。其中，在图4～图6中，对与上述实施方式相同或者共同的要素标注与上述第一个实施方式相同的符号。在以下的说明中，只说明不同的部分，省略重复部分的适当说明。
图4所示的第二实施方式的红外线通信模块的结构为在导体盖6上形成三个突出部6a。从平面观察时，各突出部6a的一部分与密封树脂部5的凹部5d的一部分重复配置。
即，第二实施方式是在第一个实施方式中，将导体盖6的突出部6a的个数减少至三个，同时，将这三个突出部6a配置在比通过第一实施方式的四个突出部6a的圆的大小要小的圆的圆周上。这样，三个突部分6a可以配置在第一实施方式的更内侧，因此，各突出部6a的一部分与密封树脂部5的凹部5d重复。
其中，即使各个突出部6a的一部分与凹部5d重复，各个突出部6a以外的部分也与密封树脂部的上面(图示省略)接触，各个突出部6a不能完全进入凹部5d中，因此，在第二实施方式中，导体盖6也不会倾斜地与密封树脂部5粘接。
为了避免突出部6a和密封树脂部5的凹部5d重复，也可以减小凹部5d的直径。
采用第二实施方式的红外线通信模块，由于三个突出部6a的配置区域比第一实施方式狭窄，在因红外线通信模块的小型化而必需减少导体盖6的上板部6u的面积的情况下，也可以有效地发挥防止当上述导体盖6和密封树脂部5粘接时，粘接剂8的突出所造成的透镜部5a、5b的污损或者红外线通信模块A1通信功能的降低，或者由端子部6b的位置偏移而造成的导体盖6的电磁屏蔽效果的降低。
其中，如从第二实施方式所理解的那样，若将三个突出部6a作成非直线形，更具体地说，作成三角形的配置，则可以防止导体盖6的倾斜。
图5所示的第三实施方式的红外线通信模块，以形成二个细长形状的突出部6a来代替第一实施方式的四个突出部6a。两个突出部6a的中心轴平行，但互相不一致地配置。具体地说，两个突出部6a分别在凹部5d和透镜部5a所夹住的区域与凹部5d和透镜部5b所夹住的区域内，大致平行地配置。
根据第三个实施方式，由于突部分6a的个数少，所以可以使用于形成突出部的金属模型的形状简单。此外，第三实施方式的突出部6a的个数为第一实施方式的突出部6a的个数的一半，比较图1和图5可以看出，由于第三实施方式的各突出部6a形成为分别与配置在第一实施方式的宽度方向的两个圆形突出部结合，呈细长形状，因此，这些突出部6a和密封树脂部5的上面5c的接触效果，不比第一实施方式差。
因此，在第三实施方式中，也可以达到与上述第一实施方式同样的效果。
其中，在图5中，设置有在导体盖6的上板部6u的宽度方向延伸的两个突出部6a，但也可以设置在导体盖6的上板部6u的长度方向延伸的两个突出部6a。
图6所示的第四实施方式的红外线通信模块的结构为，在导体盖6上设置有大致呈十字形的突出部6a。图6所示的突出部6a实质上与分别将图1所示的四个突部分6a中的对角线上的两个突出部6a结合，而形成为大致呈十字形的突出部6a相同，因此，在第四实施方式中，大致呈十字形的突出部6a和密封树脂部5的上面5c的接触效果不比第一个实施方式差。因此，在第四实施方式中，可以得到与上述第一
实施方式同样的效果。
此外，如将突出部6a的长度例如相对于凹部5d作得充分长，则即使凹部5d的位置多少有变更，突出部6a进入凹部5d的可能性也少。因此，能够可靠地使突出部6a的一部分与凹部5d以外的部分接触，能够适当地粘接导体盖6。
图7和图8表示本发明的第五实施方式的红外线通信模块。在第五实施方式的红外线通信模块A2中，对于在密封树脂部5的上面形成三个突出部5a这方面，与第一～第四实施方式的红外线通信模块A1不同。
如图8所示，三个突出部5a与导体盖6的下面6c接触，由这些突出部5a和凹部5d包围的部分形成用于滞留粘接剂8的空间部7。
利用第五实施方式的红外线通信模块A2，与上述红外线通信模块A1相同，能够抑制粘接剂8的突出以及导体盖6的不适当的倾斜。此外，在利用转移模制法使密封树脂部5成形的情况下，在密封树脂部5的成形中，可形成三个突出部5a，而不必新追加形成三个突出部5a的工序。其中，本发明中的突出部，不限于在密封树脂部5上形成，也可以在半导体装置10以外的部分上形成。
图9表示本发明的第六实施方式的红外线通信模块。在密封树脂部5上形成突出部5a的情况下，与在导体盖6上设置突出部6a的情况相同，突出部5a的形状、个数和配置等可进行各种变更。即，该第六实施方式的红外线通信模块具有两个细长形的突出部5a。
本发明半导体模块，并不仅限于上述实施方式，可以进行各种变更。
例如，在导体盖上形成的突出部，不是仅限于利用压花加工形成，也可以通过使作成给定形状的金属片与导体盖粘接等来设置。此外，也可以在导体盖和半导体装置两者上设置突出部，这些突出部彼此相对地配置。
导体盖和半导体装置的粘接位置并不是仅限于图2和图3所示的导体盖6的上板部6u和密封树脂部5的上面5c粘接的结构。例如，也可以在密封树脂部5的侧面5s形成凹部5d，在导体盖6的侧面6s形成突出部6a，将这些面粘接的结构。对于在密封树脂部上形成凹部的结构，优选可以涂敷大量的粘接剂，但本发明并不是仅限于此，也可以没有该凹部的结构。此外，导体盖并不是仅限于与密封树脂部粘接的结构，也可以是与密封树脂部以外的例如基板等粘接的结构。
本发明的半导体模块并不限于可以双向通信的红外线通信模块，在具有红外线发光元件和IC芯片的红外线发光模块或者具有红外线受光元件和IC芯片的红外线受光模块中也可以使用本发明。此外，也可以是能够接收和发出红外线以外的可见光的模块。本发明的半导体模块并不仅限于个人计算机的通信用途，在装入其以外的电子机器的遥控器或者移动电话等各种机器中也可以使用。本发明可广泛应用于具有半导体芯片的半导体装置和具半导体装置的电磁屏蔽中所使用的导体盖的半导体模块中。

Claims (7)

1.一种半导体模块，其特征在于，包括：
具有半导体芯片的半导体装置；和
通过粘接剂层与所述半导体装置粘接的电磁屏蔽用的导体盖，其中，
在所述导体盖的与所述粘接剂层相对的面上，形成有向所述粘接剂层侧突出的突出部，
所述突出部的周边形成为用于滞留形成所述粘接剂层的粘接剂的空间部。
2.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于：
所述突出部有三个以上，它们成非直线状排列。
3.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于：
所述突出部有两个以上，它们为细长形，被配置成中心轴互相不一致。
4.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于：
在所述半导体装置的与所述粘接剂层相对的面上形成有凹部，
所述突出部的至少一部分被配置在避开所述凹部的位置上。
5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体模块，其特征在于：
所述导体盖为金属制成，
所述突出部通过压花加工形成。
6.如权利要求1～4中任一项所述的半导体模块，其特征在于：
所述半导体装置具有可发出红外线的发光元件、可接受感知红外线的受光元件和IC芯片，
作为可接收和发送红外线的红外线通信模块而构成。
7.一种半导体模块，其特征在于，包括：
具有半导体芯片的半导体装置；和
通过粘接剂层与所述半导体装置粘接的电磁屏蔽用的导体盖，其中，
在所述半导体装置的与所述粘接剂层相对的面上，形成有向所述粘接剂层侧突出的突出部，
所述突出部的周边形成为用于滞留形成所述粘接剂层的粘接剂的空间部。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100709787B1 (ko) * 2005-10-07 2007-04-19 광전자 주식회사 수광소자 및 전기적 기능소자를 포함하는 발광다이오드
JP5005316B2 (ja) * 2006-10-26 2012-08-22 ローム株式会社 受光モジュール
EP2338319B1 (en) * 2008-09-26 2015-02-11 Parker-Hannifin Corporation Electrically-conductive foam emi shield
EP2224486A3 (en) * 2009-02-25 2012-09-12 Everlight Electronics Co., Ltd. Quad flat non-leaded chip package structure
TW201032319A (en) * 2009-02-25 2010-09-01 Everlight Electronics Co Ltd Semiconductor optoelectronic device and quad flat non-leaded optoelectronic device
JP2012019075A (ja) 2010-07-08 2012-01-26 Sony Corp 発光素子、および表示装置
JP2012019074A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Sony Corp 発光素子、および表示装置
JP7208501B2 (ja) * 2018-02-28 2023-01-19 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5118924A (en) * 1990-10-01 1992-06-02 Eastman Kodak Company Static control overlayers on opto-electronic devices
US5557142A (en) * 1991-02-04 1996-09-17 Motorola, Inc. Shielded semiconductor device package
US5485037A (en) * 1993-04-12 1996-01-16 Amkor Electronics, Inc. Semiconductor device having a thermal dissipator and electromagnetic shielding
US5355016A (en) * 1993-05-03 1994-10-11 Motorola, Inc. Shielded EPROM package
US5825042A (en) * 1993-06-18 1998-10-20 Space Electronics, Inc. Radiation shielding of plastic integrated circuits
US5406117A (en) * 1993-12-09 1995-04-11 Dlugokecki; Joseph J. Radiation shielding for integrated circuit devices using reconstructed plastic packages
WO1995031826A1 (en) * 1994-05-17 1995-11-23 Olin Corporation Electronic packages with improved electrical performance
JP3072235B2 (ja) * 1994-12-14 2000-07-31 シャープ株式会社 面実装型リモコン受光ユニット及びその製造方法
US5677511A (en) * 1995-03-20 1997-10-14 National Semiconductor Corporation Overmolded PC board with ESD protection and EMI suppression
US5679975A (en) * 1995-12-18 1997-10-21 Integrated Device Technology, Inc. Conductive encapsulating shield for an integrated circuit
JP4108162B2 (ja) * 1997-10-21 2008-06-25 シチズン電子株式会社 赤外線データ通信モジュールの製造方法
JP2001068722A (ja) * 1999-08-30 2001-03-16 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュールの電磁シールド用キャップ
US6590152B1 (en) * 1999-08-26 2003-07-08 Rohm Co., Ltd. Electromagnetic shield cap and infrared data communication module
JP3615104B2 (ja) * 1999-08-26 2005-01-26 ローム株式会社 電子部品の電磁シールド用キャップおよび赤外線データ通信モジュール
JP4319771B2 (ja) * 2000-08-22 2009-08-26 シチズン電子株式会社 赤外線データ通信モジュール
JP4902046B2 (ja) * 2000-12-15 2012-03-21 ローム株式会社 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法
US6712529B2 (en) * 2000-12-11 2004-03-30 Rohm Co., Ltd. Infrared data communication module and method of making the same

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