TWI250656B - Semiconductor module - Google Patents

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TWI250656B
TWI250656B TW093140034A TW93140034A TWI250656B TW I250656 B TWI250656 B TW I250656B TW 093140034 A TW093140034 A TW 093140034A TW 93140034 A TW93140034 A TW 93140034A TW I250656 B TWI250656 B TW I250656B
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Description

1250656 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於一種半導體通訊模组,特別 :重=製品的遙控以及組裝於個人電腦及行動電話等的 、,工外線通訊模組。 【先前技術】 例如曰本專利 紅外線通訊模組為半導體模組的一例 2001-135859 號公報)。 、第圖至第12圖為習知的紅外線通訊模組的一例的 圖式。第10圖為紅外線通訊模組的立體圖,第Η圖為第 1〇圖中沿ΧΙ-ΧΙ線的剖視圖,第12圖為第圖中沿 ΧΙΙ-ΧΙΙ線的剖視圖。 此紅外線通訊模組X具有半導體裝置9〇及導體蓋 96。半導體裝置90具有基板91、LED92、光電二極體^ 以及1C晶片94,而形成可做紅外線發射與接收的構造。 LED92將紅外線發射至外部,光電二極體93接收來 自外部的紅外線。設於基板91表面的LED92、光電二極 體93以及ic晶片94係由密封樹脂部95所保護。在密封 樹脂部95的LED92與光電二極體93的上部分別形成透鏡 部95a及透鏡部95b。透鏡部95a係提高從LED92射出的 紅外線的指向性,透鏡95b係將外部入射的紅外線集光於 光電二極體93。 從LED92發射的紅外線由形成於密封樹脂部95的透 2215-6752-PF 5 1250656 =广提高指向性後向上方射出,入射於透鏡部㈣的 、工外線聚光於光電二極體93的受光面。 :體蓋96為背部低下的長方體形狀。導體蓋%的下 ^開口’上面相對於透鏡部…、州的部 在匕體…長度方向側面的略中央的下端係折回’外側 又^子一 96a。端子部96a為將導體蓋96連接於安
衣有紅外線通訊模组X 6 A 、、 的基板的接地知。藉由導體蓋96 二地曰’使設於基板91表面的LED92、光電二極體”以 曰曰片94被密封,藉此抑制外部雜訊的干擾。 如第11圖所示,導體蓋96上面的内側藉由黏著劑% 黏著於夾持密封樹脂部95的透鏡部…與透鏡部州的 部分。使用黏著劑98,導體蓋96容易且堅固地黏著於 導體裝置90。 ' 然而,導體蓋96由於僅由黏著劑98固定於密封樹脂 部=,將導體i 96黏接於半導體裝置9〇之際,若推屡導 體蓋96的上面’黏著劑98會擴張而使從導體蓋%的黏 著部分及透鏡部95a與透鏡部95b擠出來。特別是黏著劑 98塗布量多,導體蓋96推壓於半導體裝置9〇的力強的^ 候,黏著劑98擠出的量會變多。 由於產生這樣的問題,會損害紅外線通訊模組χ的外 觀,擠出的黏著劑98附著於密封樹脂部%的透鏡部95a、 95b,由LED92射出經過透鏡部95a的紅外線的照射方向 產生變化,朝光電二極體93經過透鏡部95b的紅外線的 集光量會變化,有紅外線通訊模組χ之通訊機能降低之
2215-6752-PF 6 1250656 虞。 入,等體蓋96私- 的m & 站者於半導體裝置90時的導體蓋96 的厘力容易不均白 # Q/: ,而使接著劑98的厚度不平均,導體 盖96可能相對於半導《置90會呈傾斜。 接地用的端子部〃 一 面藉由大略平A u 1 η圖所示,導體蓋96的上 , =的黏著劑層黏著於密封樹脂部95上,突 设於與基板90的下而士以门 上大 對於半導體裝置90:二:置I因此當導體蓋%相 的傾斜使端子部96 Ί狀神者時,由於導體蓋96 大時,無法進二=位變大。當端子部—位變 發揮。 田的接地,導體蓋96的屏蔽效果無法 【發明内容】 提供==述之習知技術的問題,本發明的目的心 捉仏種+導體模組。 本發明之半導體模組 導體晶片的半導體贫¥ MUe例包括-具有4 半導體f扁置以及一藉由黏著劑層黏著於上封 與上述黏著劑層相二 其中在上述導體蓋』 突出邱, ^ 、面上,形成突出於上述黏著劑層g 著巧ml犬出部的周圍成為供形成上述黏著劑層的泰 考鈉印留的空間部。 較佳的是,上述突出 _ 較#Α θ 大出。ρ為二個以上,呈非直線狀排列 季乂佳的疋,上述突一 等突出邱沾士 出邰為-個以上’呈長細形狀’絮 專大出4的中心軸相互不-致地配置。
2215-6752-PF 1250656 較佳的是,與上述半導體裝置
上返黏者劑展^ A 面上形成凹部,上述突出部的至少— ㈢相向的 凹部的位置上。 77 4置於避開上述 較佳的是’上述導體蓋為金屬製 紋加工(emboss)形成。 江大出口 P係以壓 較佳的是,上述半導體裝 一从 括可發出紅外線的發井 凡件、可受光感知的受光元件以乃日μ 的毛先 丄治u 件以及晶片,而形成可收發红 外線的通訊模組。 %知二 本發明之半導體模組的 ..^ 另 車乂佳實施例包括一且有 半導體晶片的半導體裝置 殖 务 八 、f主i Μ % Χ及一糟由黏著劑層黏著於上 的導體盍,其中在上述半導體 裝置與上述黏著劑層相向的 声的穸Ψ都 上形成犬出於上述黏著劑 廣的犬出部,上述突出部 周圍成為供形成上述黏著劑層 的黏者劑滯留的空間部。 關於本發明之其他转 態做說明。 寺徵以及優點係以下列的實施型 實施方式】 以下針對本發明之Ψ 說明 取仏實施型態參照圖式做具體的 〇 第1圖至第3圖為 能。m w 〜、本1明之半導體模組的第一實施型 心第1圖為紅外線通 圖Π — Η綠从 、甙杈組的立體圖,第2圖為沿第1 口 11 11線的剖視圖,第 圖。 * 3圖為沿第1圖ΙΙΙ-ΙΙΙ線的剖視
2215-6752-PF 1250656 紅外線通訊模組A1係拔醤妖 示)而做雙向通訊之用。半導體=攜帶型個人電腦(未圖 光電二極體3、IC晶片4 :Γ 〇包括基板卜·、 曰片4以及密封樹脂部5。 基板1係由玻璃環Λ椒 ^ Λ # ^ 、曰專的絕緣體所形成,以平面 於其姑W 圖所不,LED2發出紅外線,實裝 於基板;的一端部的尖端…圖中為右端部)。光電二 極體3係接收紅外光,對岸 μ成立丄兩、 應於5亥紅外光的受光量而起光電 效應產生電流,基板1的另 都、τ…土扳1的另端部的尖端(第2圖中為左端 口P )。1C日日片4根據從搭載於 戰於上迹個人電腦的控制機器發 出的訊號使LED2發光,將光雷― b ^ 尤冤一極體3的電流轉換成輸 出訊號,而輸出至搭巷於μ、+Wm , 戟於上述個人電腦的控制機器,並實 裝於基板1之長度方向中央附近。 封裝樹脂部5係使用具有顏料的環氧樹脂並以傳模法 (tranSferm〇ld )形成於基板1上。密封樹脂部5係為了密 封1^)2、光電二極體3以及IC晶片4而形成。密封樹脂 部5可見光可以穿透’同時紅外線也有十分良好的 質。 在密封樹脂部5的LED92與光電二極體93的上部, 形成分別向上方膨脹出的透鏡部5a、5b。透鏡部h係為 了提高LED2發出的紅外線的指向性的物體。透鏡部讣 係為了將入射的紅外線集光於光電二極體3的受光面。 在密封樹脂部5的上面部形成凹部5d。該凹部5d為 例如在以傳模法形成密封樹脂部5的製程中,由為 λ… 两了從模 具微小尺寸法突出而設置的脫模銷(eject pin)的前端部 2215-6752-PF 9 1250656 形成的物體。如後所述’用於黏著劑8的塗布。 導體蓋6係抑制LED2產生的電 訊模“之外,並抑制來自紅外線通訊模線通 崎-晶片4,即作為電磁屏蔽之用。該導=電赞 孟屬板弓曲加工而形成,並覆蓋密封樹脂除係由 5a、讣以外的四個側面。 除了透鏡部 一導體6的上板部如係覆蓋密封樹脂部 ―精’導體蓋6的側板部6s係覆蓋 c的 面5S的-部份。如後所述,導體蓋“…W…的側 於密封樹脂部5。在導體蓋6的—側的占著劑8黏著 的下部’接地端子用的端子部6b突出二:6S的略中央 端早邱A上日 ^於外側而設置。兮 蝙子找也是以彎曲加工而成形 罝4 述個人電腦的接地端子。 。卩6b連接於上 如第1圖所示,纟導體蓋6 出的突出部6a。該突出部“ 板仏形成向下突 上。如第2 F1 $ - …置於避開凹部5d的位置 女弟2圖所不,該突_ 6a 1置 其下端抵接於密封樹脂部5的上面5 、次加工而形成’ 突出部以以外的下面&與密封樹月旨错此,導體蓋6的 成空間部7。 °卩5的上面5c之間形 黏著劑8係將導體蓋6黏著於 於空間部7。而且,為了使黏著 填:月旨部5’並填充 脹起來,在塗佈黏著齊"之後 真充係從凹部5d膨 脂部5’使黏著劑8廣泛地推堡於空二直6推壓至密封樹 在該紅外線通訊模組A1中,粗"V # 7。 ^ 犬出部6a抵接於密
2215-6752-PF 10 1250656 封树脂部5,可確保空間部7 封樹脂部5時,在將勒英γι因此,萬導體蓋黏著於密 ^ 了在將黏者劑7塗佈於凹 盍6推壓於密封樹脂部5的 °p 5d之後,導體 導體篆6的π ^兄Τ ’由相對於四部5d的 導體盍6的下面6c,即使黏著劑" 广的 滯留於空間部7中, 尹'張使黏著劑8 中口此可防止黏著劑8俨逡駚# 板部6ιι擠出至诱浐立 攸導體盍6的上 钟扣至透鏡部5a及透鏡部5b。
藉此,可防止破壞紅外線通訊組A 黏著劑8糾芏士人* * 的夕卜觀’擠出的 附者於透鏡部5a、5b, 外線的照射方向產生變化,由卩”、、射出的紅 麒Q ΛΑ Λ , 逍鏡邛5b進入至光電二極 體的、二外線的集光量產生變化 A1的通訊機能降低。 &成的紅外線通訊模組 等體盍6的上板部6u,藉由使4個 接於密封樹脂部5的上面5c,由於與該密封樹脂部5的上
Wc略呈平行而支持’導體蓋6的上板部如相對於密封 樹脂部5的上面5c傾斜地連接。 立如第3圖所示,當導體蓋6的上板部如與密封樹脂 4 5的上面5c略平行地被支持時,端子部⑼倍突設於與 基板ίο的下面略同__位置上,因此上板部6u相對於上面 九以傾斜的狀態連接,端子部6b的位置容易產生很大的 錯位。如果產生這樣的狀況,由於端子部6b的接地就無 法順利地進行,導體蓋6的電磁屏蔽效果會無法充分地發 揮。 然而,在本發明之第一實施型態中,如上所述之導體 蓋6與密封樹脂部5連結時,由於黏著劑的厚度不均勻而 2215-6752-PF 11 125〇656 產生導體蓋6的傾斜,導體蓋6的端子部6b的紅外線通 矾模組A1的位置比較不易產生錯位,因此導體蓋6的電 磁屏蔽效果可適切地發揮。 又,藉由凹部5d的設置,與未形成該凹部的情況相 比,凹部5d的容積分量變大而可塗佈較多的黏著劑8。因 此,導體蓋6與密封樹脂部5的黏著強度提高,可適當地 抑制導體蓋6的脫落。更重要的是,由於四個突出部以 ^任一個配置於避開凹部5d的位置,四個突出部以的任 —個不會進入凹部5d,可防止導體蓋6相對於密封樹脂部 # 5不適當的傾斜。 第4圖至第6圖為本發明之第二至第四實施型態的紅 外線通訊模組的示意圖。 “如第4圖至第6圖所示的紅外線通訊模組,設於導體 蓋6的犬出部6a的形狀、個數以及配置與第一實施型態 的紅外線通訊模組不同。而且,在第4圖至第6圖的圖面 上,與上述實施型態相同或共通的元件被給予與上述第一 實施型態相同的符號…在以下的說明中,針對不同的 # 部分做說明,重複的部分係省略適當的說明。 第4圖所示的第二實施型態的紅外線通訊模組中,在 導體蓋6上形成三個突出部&。各突出部以,其一部份從 平面觀之係與密封樹脂部5的凹部5d的一部份重疊配置。 也就是說,第二實施型態係將第一實施型態中導體蓋 6的犬出部 6 a的個皇f、、士、,丨_ /rri ^ 口數減沙為二個,同時該等三個突出部 6a係配置於比通過第_實施型態中的四個突出部“的圓
2215-6752-PF 12 1250656 還小的圓的圓周上。藉此,三個突出部6a配置於比第一 實施型態更内側,因此各突出部6a的一部份重疊於密封 樹脂部5的凹部5 d。 而且,即使各突出部6a的_部份與凹部5d重疊,各 突出部6a其他的部分與密封樹脂部的上面(圖示略)抵 接’由於各突出部6a不會完全進入凹部5d,在第二實施 型態中,導體蓋6也不會傾斜而黏著於密封樹脂部5。
為了避免突出部6a與密封樹脂部5的凹部5d重疊, 將凹部5d的直徑縮小亦可。 在第二實施型態的紅外線通訊模組中,由於三個突出 部6a的配置區域比第一實施型態的配置區域狹窄,藉由 紅外線通訊模組的小型化,即使在導體蓋6的上板部仏 的面積必須縮小的情況下,仍可有效地防止上述導體蓋6 與密封樹脂5黏著時的黏著劑8擠出而造成透鏡部51讣 的污知及紅外線通訊模組A1的通訊機能的降低及端子部 6b的位置產生錯位,而降低導體蓋6的電磁屏蔽效果。 而且,從第 形成非直線狀, 的傾斜。
二實施型態可以理解,若三個突出部6a 而為具體的三角形配列,可防止導體蓋6 第5圖所示的 個長細形狀的突出 出部6a。二個突出 配置。具體而言, 5a所包夾的區域以 第二實施型態的紅外線通訊模組形成兩 4 6a而取代第一實施型態中的四個突 部6a的中心軸係平行,但並不一致的 一個突出部6a大略與凹部5d及透鏡部 及凹部5d及透鏡部5b所包夾的區域分
2215-6752-PF 13 1250656 J 一兩突出部6a大略平行配置。 形成*第二實施型態中,由於突出部6a的個數變少,例如 出部t出部的模具的形狀可簡化。又,第三實施型態的突 a的個數雖然為第_實施型態之突出部&的個數的 6a A 一第1圖及第5圖相比,第三實施型態的各突出部 的二為細長形狀者而分別結合於第一實施型態的寬度方向 的固圓形的突出部6a ’此突出部6a抵接於密封樹脂5 、5°的效果不會比第-實施型態的效果差。 效果因此’第三實施型態也可得到與上述第一實施型態的 邛 〜在第5圖中’雖然設置延伸於導體蓋6的上板 4 6u的寬度方向的二個突 大出邛6a,设置延伸於導體蓋6 的上板部的長度方向的二個突出部“亦可。 弟6圖表示第四實施型態的紅外線通訊模組設置導體 氣〇略呈十子形狀的突 Μ t f JL Λ ^ m 6a。弟6圖所示的突出部6a 二:圖所示的四個突出…,由於在對角線 部以為同-,在第四而成為略呈十字形狀的突出 在第四實施型態中,略呈十 部6a與密封樹脂部5 、大出 # , 上面5c的抵接效果不會比第一音 施型態差。因此,㈣ 科曰比弟實 實施型態相同的效果。,可達到與上述第- 又’突出部6a的長度,例如若相對 即使凹部5d的位置稍做變更, 相,長’ 部5d的機會。因此,突出 3不會有進入凹 〇 a的一部確實地抵接於凹部
2215-6752-PF 14 D〇656 5d以外的部分, ^ 而可適切地連接於暮辦笨& 第7圖及第8图“关於導體盍6。 訊模組的示意圖。· ^月之第五實施型態之紅外線通 中,雖然在密封樹^第五實施型態的紅外線通訊模組A2 與第1圖至第4广部5的上面部形成三個突出部5a,但 如第8圖所Γ紅外線通訊模組A1不同。 面6c,該等突出%二個突出部^係抵接於導體蓋6的下 著劑8的空間部;。h與凹部兄所包圍的部分形成滯留黏 即使由第五眘 外線通訊模組的紅外線通訊模組A2,與上述紅 蓋6的不適當的傾Γ又可,制黏著齊"的擠出以及導體 情況中,密封心A &封树脂部5以傳模法形成的 “須追成形中,可形成三個突出部^ 中St:成三個突"…製程。而且,在本發明 斤-的大出部不限於密封樹脂部 裝置10以外的部h π成於+導體 第9圖表示本發丄 ,^ a ι弟/、實施型態的紅外線通訊模 :。在密封樹脂部5形成突出部化的情況中,與在導體 盍6上设置突出部6a的狀況相同,突出部的形狀、個 數以及配置等可做各種變更。即,此第六實施型態的紅外 線通机板組具有二個長細形狀的突出部5a的構造。 本發明t半導體模組並不限於上述實施型態、,可做各 種變化。 例如,形成於導體蓋的突出部並不限於壓紋加工而形 成,將既定形狀的金屬片連接於導體蓋亦可。又,導體蓋
2215-6752-PF 15 1250656 =半導體褒置雙方均設置突出部, 置亦可。 出4彼此相向酉己 導體蓋與丰 體裒置的黏著位置並不限 弟3圖所示的導 个丨良疋於苐2圖與 導體盍6的上板部6u與密封抖日t加。 面5c。例如在密封抖山封树脂部5的上 一 在在封树脂部5的側面5s形成 體蓋6的側面6 成凹邛5d,在導 亦可。在密封杓r 大、^ “ ’该等面彼此黏著的構造 勒著劑,作是::凹部的構造雖然適合塗佈多量的 又,:不;' 明並不限於此,不具凹部的構造亦可。 ,, 义疋導體蓋黏著於密封樹脂部的構造,遠技於 封樹月旨部以外例如基板的構造亦可。的構&連接於密 本毛明之半導體模組並 通訊模組。且;通訊的紅外線 模組,以及且右& β 儿日日片的紅外線發光 以及具有紅外線受光元件盥曰 模組亦可適用於太I Η0 ^ 曰曰片的紅外線受光 兀了適用於本發明。又,發出紅 可受光的模組亦可。更重要的Η 〇 ⑽了見先或 《亶要的疋,本發明之半導體模細* 不限於個人電腦的通訊用途,安袭於其他電 才、= 及行動電話等的種種機器亦 、的遙控 士士,接Α 本發明可廣泛地適用於且 有半導體晶片的半導體裝置 '
嬰此兩 乂及具有用於對此半導體F 置做電磁屏蔽的導體蓋的半導體模組。 導體衷 【圖式簡單說明】 施型態的紅外線通訊模組的 弟1圖為本發明之第一實 全體立體圖。 第2圖為沿第1圖π-η線的剖視圖
2215-6752-PF 16 1250656 3圖為沿第1圖ΙΠ_ΙΙΙ 踝的刟視圖 ㈡為本發明之弟二實施型態之紅外後is 1 > 主要部公ΛΛ Γ深通讯模組的 刀的立體圖。 圖為本發明之第三實施型態之紅外後is 1W 主要部公M r琛通矾模組的 刀的立體圖。 6圖為本發明之第四實施型態之紅外唆诵1P 主要部公M yr琛通矾模組的 刀的立體圖。 弟:圖為本發明之第五實施型態之紅外線 N分的立體圖。 幻 =8圖為沿第7圖之νΐΙΙ_νΠΙ線的剖視圖。 主要部為本發明之第六實施型態之紅外線通訊模組的 乃的立體圖。 第 1〇 、” 圖為習知的紅外線通訊模組的全體的立體圖。 第 圖為沿第10圖χι-χι線的剖視圖。 固為/σ弟1〇圖xii-xii線的剖視圖。 主要元件符號 】
〜基板;2〜LED 〜密封樹脂部;5a、5b 5s〜側面;6〜導體蓋; 面;6s〜側板部;6u〜 10〜半導體裝置;9〇〜 93〜光電二極體;94〜 透鏡部;95b〜透鏡部 ;3〜光電二極體;4〜1C晶片;5 〜透鏡部;5c〜上面;5d〜凹部; 6a〜突出部;6b〜端子部;6C〜下 上板部;7〜空間部;8〜黏著劑; 半導體裝置;91〜基板;92〜LED ; 1C晶片;95〜密封樹脂部;95a〜 ;96〜導體蓋;96a〜端子部;98〜
2215-6752-PF 17 1250656 黏著劑;A1、A2、X〜紅外線通訊模組。
18
2215-6752-PF

Claims (1)

1250656 申請專利範圍·· i 一種半導體模組,包括: 半導體裝置,具有半導體晶片;以及 二:體蓋,用於電磁屏蔽,並藉由黏 +導體裝置, 辦者於上逑 ^中在上述導體蓋上與上述黏著劑層相向的面上, :::二㈣劑層的突出部,上述突出部的周圍成為 乂成上述黏者劑層的黏著劑滯留的空間邛 2·如申請專利範圍第!項所述之半導體模組:其中 出部為三個以上,並呈非直線狀排列。 ^•大 3. 如申,t專利範圍第i項所述之半導體模組,其中上述突 :部為二個以上’呈長細形狀,該等突出部的中心軸二 互不一致地配置。 4. 如申請專利範圍帛!項所述之半導體模組,其中上述半 導體裝置與上述黏著劑層相向的面上形成凹部,上述突 出部的至少一部f分配置於避開上述凹部的位置上。 5. 如申請專利範圍第卜2、3或4項所述之半導體模組, 其中上述導體蓋為金屬製,上述突出部係以壓紋加工 (emboss)形成。 6. 如申請專利範圍第^、^項所述之半導體模組, 其中上述半導體|置包括可發出紅外線的發光元件、可 受光感知紅外線的受光元件以及IC晶片,而形成可收 發紅外線的通訊模組。 7. —種半導體模組,包括·· 2215-6752-PF 19 1250656 一半導體裝置,具有半導體晶片;以及 一導體蓋,用於電磁屏蔽,並藉由黏著劑層黏著於上述 半導體裝置, 其中在上述半導體裝置與上述黏著劑層相向的面上,形 成突出於上述黏著劑層的突出部,上述突出部的周圍成 為供形成上述黏著劑層的黏著劑滯留的空間部。 2215-6752-PF 20
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100709787B1 (ko) * 2005-10-07 2007-04-19 광전자 주식회사 수광소자 및 전기적 기능소자를 포함하는 발광다이오드
JP5005316B2 (ja) * 2006-10-26 2012-08-22 ローム株式会社 受光モジュール
CA2738098C (en) * 2008-09-26 2017-03-21 Parker-Hannifin Corporation Electrically-conductive foam emi shield
EP2224486A3 (en) * 2009-02-25 2012-09-12 Everlight Electronics Co., Ltd. Quad flat non-leaded chip package structure
TW201032319A (en) * 2009-02-25 2010-09-01 Everlight Electronics Co Ltd Semiconductor optoelectronic device and quad flat non-leaded optoelectronic device
JP2012019074A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Sony Corp 発光素子、および表示装置
JP2012019075A (ja) 2010-07-08 2012-01-26 Sony Corp 発光素子、および表示装置
JP7208501B2 (ja) * 2018-02-28 2023-01-19 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5118924A (en) * 1990-10-01 1992-06-02 Eastman Kodak Company Static control overlayers on opto-electronic devices
US5557142A (en) * 1991-02-04 1996-09-17 Motorola, Inc. Shielded semiconductor device package
US5482898A (en) * 1993-04-12 1996-01-09 Amkor Electronics, Inc. Method for forming a semiconductor device having a thermal dissipator and electromagnetic shielding
US5355016A (en) * 1993-05-03 1994-10-11 Motorola, Inc. Shielded EPROM package
US5825042A (en) * 1993-06-18 1998-10-20 Space Electronics, Inc. Radiation shielding of plastic integrated circuits
US5406117A (en) * 1993-12-09 1995-04-11 Dlugokecki; Joseph J. Radiation shielding for integrated circuit devices using reconstructed plastic packages
WO1995031826A1 (en) * 1994-05-17 1995-11-23 Olin Corporation Electronic packages with improved electrical performance
JP3072235B2 (ja) * 1994-12-14 2000-07-31 シャープ株式会社 面実装型リモコン受光ユニット及びその製造方法
US5677511A (en) * 1995-03-20 1997-10-14 National Semiconductor Corporation Overmolded PC board with ESD protection and EMI suppression
US5679975A (en) * 1995-12-18 1997-10-21 Integrated Device Technology, Inc. Conductive encapsulating shield for an integrated circuit
JP4108162B2 (ja) * 1997-10-21 2008-06-25 シチズン電子株式会社 赤外線データ通信モジュールの製造方法
JP2001068722A (ja) * 1999-08-30 2001-03-16 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュールの電磁シールド用キャップ
US6590152B1 (en) 1999-08-26 2003-07-08 Rohm Co., Ltd. Electromagnetic shield cap and infrared data communication module
JP3615104B2 (ja) * 1999-08-26 2005-01-26 ローム株式会社 電子部品の電磁シールド用キャップおよび赤外線データ通信モジュール
JP4319771B2 (ja) * 2000-08-22 2009-08-26 シチズン電子株式会社 赤外線データ通信モジュール
US6712529B2 (en) 2000-12-11 2004-03-30 Rohm Co., Ltd. Infrared data communication module and method of making the same
JP4902046B2 (ja) * 2000-12-15 2012-03-21 ローム株式会社 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法

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