JP3543292B2

JP3543292B2 - 光空間伝送トランシーバー

Info

Publication number: JP3543292B2
Application number: JP27408498A
Authority: JP
Inventors: 順治岡; 文彦青木
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1998-09-28
Filing date: 1998-09-28
Publication date: 2004-07-14
Anticipated expiration: 2018-09-28
Also published as: JP2000106542A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＯＡ機器などの光空間伝送データ通信に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＯＡ機器などの光空間伝送データ通信においては、光空間伝送トランシーバーが用いられる。光空間伝送データ通信装置のうち、携帯電話や携帯端末機器等の小型化の要求の強い機器については、特に内蔵される実装部品に薄型化が求められる。そこで、光空間伝送トランシーバーについても、実装スペースを小さくする必要がある。
【０００３】
図１５は、従来の光空間伝送トランシーバー８０を示す。図１５において、（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図である。
【０００４】
光空間伝送トランシーバー８０は、フォトダイオード、発光ダイオード等の光を空間に伝送するチップ（受光チップ又は発光チップ）を樹脂製パッケージ１３で封止したものである。パッケージ１３の外部にはリードフレーム１２とフィン１５が出されている。リードフレーム１２はパッケージ１３の内部で受光チップ又は発光チップに接続されており、フィン１５はパッケージ１３の内部でリードフレーム１２に接続されている。
【０００５】
図１６は、従来の光空間伝送トランシーバー８０の基板１への実装状態を示す。光空間伝送トランシーバー８０は、リードフレーム１２が基板１上のランドパターンと半田付けされることにより基板１に実装される。この半田付けは、フィン１５とリードフレーム１２とによって、基板１上に光空間伝送トランシーバー８０を保持した状態で行われる。
【０００６】
図１５（ｃ）に示すように、光空間伝送トランシーバー８０のリードフレーム１２は、パッケージ１３の底面から１ｍｍ程度離れた位置でリードを折曲げることによりフォーミングされている。そのため、パッケージ１３の上面からリードフレーム１２の基板１に接触する部分までの高さをＩとすると、基板１上の光空間伝送トランシーバー８０の実装スペースの高さはＩとなる。この高さＩは、光空間伝送トランシーバー８０のパッケージ１３の高さに、パッケージ１３の底面からリードフレーム１２の曲げ位置までの高さを加えたものである。このように、従来の光空間伝送トランシーバーの実装スペースの高さは、光空間伝送トランシーバーのパッケージの高さよりリードフレームの曲げ位置分だけ高いものであった。
【０００７】
光空間伝送トランシーバーのパッケージの高さは、光空間伝送トランシーバーの高性能を維持するためには容易に小さくする事ができない。すなわち、受信側の光空間伝送トランシーバーについては、受信距離を長くし、受信の広指向角を実現するために、フォトダイオードのサイズを大きくし、前面のレンズ径を大きくする必要がある。また、送信側については、発光強度を大きくし、送信の広指向性を実現するために、レンズ径を大きくする必要がある。このように、送信側、受信側のいずれについても、光空間伝送トランシーバーの高性能を維持しつつパッケージの高さを小さくすることは困難である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、従来は基板上の光空間伝送トランシーバーの高さは、パッケージの高さよりリードフレームの曲げ位置分だけ高くなっていた。また、光空間伝送トランシーバーの高性能を維持しつつ、パッケージの高さを小さくすることは困難であった。そのため、光空間伝送トランシーバーを小型化を要求される機器へ内蔵する場合に、基板上における実装スペースを小さくすることができないという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記問題を解決すべく、高性能でありながら搭載基板の上面の実装スペースが小さい光空間伝送トランシーバーを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明による光空間伝送トランシーバーは、光を空間に伝送するチップと、前記チップに接続された第１のリードと、前記チップを封止するパッケージとを備え、前記パッケージは複数の面を有し、前記パッケージの前記複数の面の１つにはレンズが設けられ、前記チップは前記レンズを通じて光を空間に伝送し、前記パッケージは前記レンズが設けられた面以外の面の１つに凹部を有し、前記凹部において前記第１のリードが該凹部が設けられた面と同一平面に位置するように折り曲げられて前記パッケージから外部に延出し、該延出部分が、前記パッケージにおける該凹部が設けられた面に対向する実装基板の表面に実装される。
【００１１】
あるいは、本発明による光空間伝送トランシーバーは、光を空間に伝送するチップと、前記チップに接続された第１のリードと、前記チップに接続された第２のリードと、前記チップを封止するパッケージとを備えた光空間伝送トランシーバーであって、前記パッケージは複数の面を有し、前記パッケージの前記複数の面の１つにはレンズが設けられ、前記チップは前記レンズを通じて光を空間に伝送し、前記第１のリードは、前記パッケージの前記レンズが設けられた面以外の面の１つから前記パッケージの外部に出ており、前記第２のリードは、前記パッケージの前記レンズが設けられた面以外の面であって前記第１のリードが出ている面とは異なる面の１つから前記パッケージの外部に出ており、前記第１のリード及び前記第２のリードは、前記第１のリードと前記第２のリードとが前記光空間伝送トランシーバーが実装される基板を側面から挟み込むように、それぞれ折り曲げられている。
【００１２】
前記パッケージは、前記第１のリードが外部に出る面に凹部を有し、前記凹部において前記第１のリードが折り曲げられていてもよい。
【００１３】
前記第１のリードはＬ型に折り曲げられ、前記第１のリードと前記パッケージの前記凹部が設けられた面とが同一平面上に存在してもよい。
【００１４】
前記第２のリードがさらに前記基板の面方向に折り曲げられていてもよい。
【００１５】
前記パッケージの前記複数の面の１つに段差が設けられていてもよい。
また、本発明の光空間伝送トランシーバーは、光を空間に伝送するチップと、前記チップに接続された第１のリードと、前記チップに接続された第２のリードと、前記チップを封止するパッケージとを備えた光空間伝送トランシーバーであって、前記パッケージは複数の面を有し、前記パッケージの前記複数の面の１つにはレンズが設けられ、前記チップは前記レンズを通じて光を空間に伝送し、前記第１のリードは、前記パッケージの前記レンズが設けられた面以外の面の１つから前記パッケージの外部に出ており、前記第２のリードは、前記パッケージの前記複数の面の１つから前記パッケージの外部に出ており、前記第１のリード及び前記第２のリードは、前記第１のリードと前記第２のリードとが前記光空間伝送トランシーバーが実装される基板を側面から挟み込むように、それぞれ折り曲げられており、前記パッケージの前記複数の面の１つに段差が設けられている。
【００１６】
前記段差に凸部が設けられていてもよい。
【００１７】
前記パッケージの前記複数の面の１つに凸部が設けられていてもよい。
【００１８】
前記第２のリードが前記チップの発生させる熱を放熱してもよい。
【００１９】
本発明による方法は、光を空間に伝送するチップと、前記チップに接続された第１のリードと、前記チップに接続された第２のリードと、前記チップを封止するパッケージとを備えた光空間伝送トランシーバーを基板に実装する方法であって、前記第１のリードと前記第２のリードとが前記基板を挟み込むことにより、前記光空間伝送トランシーバーを前記基板に固定するステップと、前記第１のリードを前記基板に半田付けするステップとを含む。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００２１】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１の光空間伝送トランシーバー１０を示す。
【００２２】
図１（ａ）は、光空間伝送トランシーバー１０の上面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の破線１６における光空間伝送トランシーバー１０の断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）の方向Ａから光空間伝送トランシーバー１０を見た正面図である。図１（ｄ）は、図１（ａ）の方向Ｂから光空間伝送トランシーバー１０を見た側面図である。
【００２３】
図１（ａ）に示すように、光空間伝送トランシーバー１０の内部において、チップ１１は、リードフレーム１２上に銀ぺースト等の導電性ぺーストによりダイボンドされている。チップ１１は受光チップもしくは発光チップであり、フォトダイオード等の受光素子又は発光素子で構成されている。チップ１１は樹脂製のパッケージ１３によって封止されている。チップ１１が外部からの光を受光し、あるいはチップ１１が発光した光を外部に放射するために、パッケージ１３には光を透過するレンズ１４が設けられている。
【００２４】
光空間トランシーバー１０のレンズ１４が設けられた面（以下、「レンズ面」とする。）の裏側の面には、凹部１７が設けられている。凹部１７は、リードフレーム１２の金型でのフォーミング加工に対応するように設けられる。リードフレーム１２は凹部１７において、レンズ面の裏側に向かってＬ型に折曲げられてフォーミングされている。リードフレーム１２が折曲げられる位置は、パッケージ１３の底面と同一平面上である。このように、光空間トランシーバー１０のリードフレーム１２は、従来の光空間トランシーバー８０と同様にパッケージの裏側に向けて折り曲げられているため、従来の光空間トランシーバー８０と同様の特性を有する。
【００２５】
図１（ａ）に示すように、リードフレーム１２はパッケージ１３のレンズ面の裏側に向かって伸びている。レンズ１４は、パッケージ１３に２つ設けられている。パッケージ１３の２つの側面からは、フィン１５が出ている。フィン１５はパッケージ１３の内部において、金線によりチップ１１と結線されている。フィン１５は、パッケージ１３のレンズ面に向かってＬ型に折り曲げられている。また、図１（ｃ）に示すように、フィン１５はパッケージ１３の底面方向に向かって伸びている。
【００２６】
図１（ｄ）に示すように、パッケージ１３の上面から底面までの高さをＨとする。フィン１５は、図１（ｄ）に示されるような形状であり、パッケージ１３の底面から下に伸びた部分が、基板１上に設けられたホールに挿入される。
【００２７】
図２は、光空間伝送トランシーバー１０の基板１への実装状態を示す側面図である。図２に示すように、リードフレーム１２が折曲げられる位置はパッケージ１３の底面と同一平面上であるため、パッケージ１３の高さをＨとすると、基板１に実装した光空間伝送トランシーバー１０の高さはＨとなる。このように、光空間伝送トランシーバー１０の基板１上の実装スペースの高さは、パッケージ１３の高さと等しい。そのため、本発明によれば、光空間トランシーバーの基板上の実装スペースの小型化が可能となる。
【００２８】
なお、本実施形態において、凹部１７はパッケージ１３のレンズ面の裏側の面に設けられるとしたが、凹部が設けられる面はレンズ面の裏側の面には限られない。凹部がレンズ面の裏側の面以外の面（例えば側面）に設けられたときは、リードフレーム１２は凹部において、凹部が設けられた面の方向に向かって折り曲げられる。
【００２９】
（実施形態２）
図３は、本発明の実施形態２の光空間伝送トランシーバー２０を示す。図３において、（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図である。以下、図５、７、９、１１及び１３についても（ａ）〜（ｃ）は同様の図を示すものとする。
【００３０】
図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、光空間伝送トランシーバー２０の構成は、基本的には光空間伝送トランシーバー１０の構成と同様である。光空間伝送トランシーバー２０の内部構造もまた、光空間伝送トランシーバー１０の内部構造と同様である。しかし、光空間伝送トランシーバー２０のパッケージ１３には凹部１７が設けられていない。また、パッケージ１３の側面から伸びたフィン２５は、光空間伝送トランシーバー１０のフィン１５とは異なり、リードフレーム１２と同様にレンズ面の裏側の面の方向に向かってＬ型に折り曲げられている。
【００３１】
図３（ｃ）に示すように、フィン２５とリードフレーム１２との間には、高さｔ_０のスペースが設けられている。この高さｔ_０は、光空間伝送トランシーバー２０を搭載する基板１の厚さｔと一致するようにされている。
【００３２】
図４は、光空間伝送トランシーバー２０の基板１への実装状態を示す。図４において、（ａ）は基板１への実装状態を示す側面図であり、（ｂ）は基板１への実装状態を示す斜視図である。以下、図６、８、１０及び１２についても（ａ）、（ｂ）は同様の図を示すものとする。
【００３３】
図４（ａ）、（ｂ）に示すように、光空間伝送トランシーバー２０を基板１に実装する場合には、光空間伝送トランシーバー２０を基板１の側面から取り付ける。その際、フィン２５とリードフレーム１２によって基板１をはさみ込むことにより、光空間伝送トランシーバー２０を自立させる。光空間伝送トランシーバー２０を自立させた状態で、リードフレーム１２を基板１の裏面にあるランドパターンに半田付けすることにより、光空間伝送トランシーバー２０を基板１に実装する。
【００３４】
光空間伝送トランシーバー２０を基板１の側面から実装するため、パッケージ１３の上面からリードフレーム１２の折り曲げ位置までの高さをＩ、基板１の厚さをｔとすると、光空間伝送トランシーバー２０が基板１の上に出る部分の高さは（Ｉ−ｔ）となる。このように、光空間伝送トランシーバー２０の基板１上の実装スペースの高さは、パッケージ１３の上面からリードフレーム１２の折り曲げ位置までの高さＩより基板１の厚さｔだけ小さい。そのため、本発明によれば、光空間伝送トランシーバーの基板上の実装スペースの小型化が可能となる。
【００３５】
（実施形態３）
図５は、本発明の実施形態３の光空間伝送トランシーバー３０を示す。光空間伝送トランシーバー３０の構成は、基本的には実施形態２の光空間伝送トランシーバー２０と同様である。しかし、光空間伝送トランシーバー３０においては、リードフレーム１２は実施形態１の光空間伝送トランシーバー１０と同様の方法により、パッケージ１３の底面と同一平面上でＬ型に折り曲げられている。
【００３６】
図６は、光空間伝送トランシーバー３０の基板１への実装状態を示す。図６（ａ）に示すように、リードフレーム１２が折曲げられる位置はパッケージ１３の底面と同一平面上であり、光空間伝送トランシーバー３０を基板１の側面から実装するため、基板１に実装した光空間伝送トランシーバー３０の高さはＨ−ｔとなる。このように、光空間伝送トランシーバー１０の基板１上の実装スペースの高さは、パッケージ１３の高さＨより基板１の厚さｔだけ小さい。そのため、本発明によれば、光空間トランシーバーの基板上の実装スペースの小型化が可能となる。
【００３７】
実施形態２、３においては、リードフレーム１２の半田付け前の光空間伝送トランシーバ２０の自立は、リードフレーム１２とフィン２５による基板１のはさみ込みのみにより行われている。以下の実施形態においては、リードフレーム１２の半田付け前の光空間伝送トランシーバー２０の自立や位置決めが本実施形態より容易に行えるようにされている。
【００３８】
（実施形態４）
図７は、本発明の実施形態４の光空間伝送トランシーバー４０を示す。光空間伝送トランシーバー４０の構成は、基本的には実施形態２の光空間伝送トランシーバー２０と同様である。しかし、光空間伝送トランシーバー４０のパッケージ１３の側面から出たフィン４５の先端には、基板１の面方向にＬ型に折り曲げた部分４６が形成されている。
【００３９】
図８は、光空間伝送トランシーバー４０の基板１への実装状態を示す。図８（ｂ）に示すように、フィン４５の先端に折り曲げ部分４６が形成されていることにより、基板１の上面とフィン４５との接触が大きくなっている。これにより、リードフレーム１２が半田付けされる前の光空間伝送トランシーバー４０の自立安定性は増大している。
【００４０】
なお、本実施形態において、折り曲げ部分４６は外側に折り曲げられた部分であるが、内側に折り曲げられた部分であってもよい。
【００４１】
（実施形態５）
図９は、本発明の実施形態５の光空間伝送トランシーバー５０を示す。光空間伝送トランシーバー５０の構成は、基本的には実施形態２の光空間伝送トランシーバー２０と同様である。しかし、光空間伝送トランシーバー５０のパッケージ１３の裏面には、段差５７が設けられている。
【００４２】
図１０は、光空間伝送トランシーバー５０の基板１への実装状態を示す。図１０（ａ）に示すように、段差５７は基板１の側面部分１ａ及び上面部分１ｂと接するように設けられている。段差５７が基板１の側面部分１ａ及び上面部分１ｂと接することにより、リードフレーム１２の半田付け前における光空間伝送トランシーバ５０の自立安定性は光空間伝送トランシーバ２０よりも増大している。
【００４３】
（実施形態６）
図１１は、本発明の実施形態６の光空間伝送トランシーバー６０を示す。光空間伝送トランシーバー６０の構成は、基本的には実施形態２の光空間伝送トランシーバー２０と同様である。しかし、光空間伝送トランシーバー６０のパッケージ１３の裏面には、凸部６８が設けられている。
【００４４】
図１２は、光空間伝送トランシーバー６０の基板１への実装状態を示す。図１２（ｂ）に示すように、凸部６８は光空間伝送トランシーバー６０が基板１に実装される際に、基板１の側面に設けられた凹部１ｃにはめ込まれるように設けられている。凸部６８が基板１の凹部１ｃにはめ込まれることにより、リードフレーム１２の半田付け前における光空間伝送トランシーバ６０の自立安定性は光空間伝送トランシーバ２０よりも増大している。
【００４５】
（実施形態７）
図１３は、本発明の実施形態７の光空間伝送トランシーバー７０を示す。光空間伝送トランシーバー７０の構成は、基本的には実施形態５の光空間伝送トランシーバー５０と同様である。しかし、光空間伝送トランシーバー７０の段差５７には、凸部７９が設けられている。
【００４６】
図１４は、光空間伝送トランシーバー７０の基板１への実装状態を示す。図１４（ｂ）に示すように、凸部７９は光空間伝送トランシーバー７０が基板１に実装される際に、基板１の側面に設けられた凹部１ｃにはめ込まれるように設けられている。凸部７９が基板１の凹部１ｃにはめ込まれることにより、リードフレーム１２の半田付け前における光空間伝送トランシーバー７０の自立安定性は光空間伝送トランシーバー５０よりも増大している。
【００４７】
なお、図１３に示す光空間伝送トランシーバー７０は、段差５７の有する２つの面（基板１の側面部分１ａに接する面と基板１の上面部分１ｂに接する面）のうち、基板１の上面部分１ｂに接する面に凸部７９を設けたものである。しかし、凸部を設けるのは段差５７の２面のうちいずれか１面もしくは両面であればよい。
【００４８】
なお、実施形態１〜７においてパッケージ１３の側面から出た２つのフィンのうち一方を、発熱による発光出力の低下を防ぐための放熱板を兼用するようにすることができる。これは、発光又は受光チップをダイボンドするカップリング部を延長したリードフレームが、チップが発生させる熱をも伝達するため可能である。フィンが放熱板を兼用することより、パッケージから出せる限られたリードをより有効に利用できる。
【００４９】
また、実施形態１〜７において、リードフレーム及びフィンはＬ型に折り曲げられているものとしたが、リードフレーム及びフィンの折り曲げられる形状はＬ型には限られない。上述したような基板への実装方法が可能である限り、リードフレーム及びフィンの折り曲げられる形状には任意の形状が含まれる。
【００５０】
【発明の効果】
本発明によれば、パッケージの１つの面に設けられた凹部においてリードが折り曲げられた光空間伝送トランシーバーが提供される。これにより、パッケージの端面からリードの曲げ位置までの高さだけ、光空間伝送トランシーバーの基板上の実装スペースの高さが小さくなる。
【００５１】
また、本発明によれば、パッケージの外部に出た第１のリード及び第２のリードが基板を挟み込むことにより、基板上に固定して実装される光空間伝送トランシーバーが提供される。これにより、基板の厚さの分だけ光空間伝送トランシーバーの基板上の実装スペースの高さが小さくなる。
【００５２】
このように、高性能な光空間伝送トランシーバーを維持する為に必要な高さを小さくする事なしに、光空間伝送トランシーバーの基板上の実装スペースの高さが小さくすることにより、光空間伝送トランシーバーを内蔵した携帯端末機器等の小型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１の光空間伝送トランシーバーを示す図である。
【図２】本発明の実施形態１の光空間伝送トランシーバーの基板への実装状態を示す図である。
【図３】本発明の実施形態２の光空間伝送トランシーバーを示す図である。
【図４】本発明の実施形態２の光空間伝送トランシーバーの基板への実装状態を示す図である。
【図５】本発明の実施形態３の光空間伝送トランシーバーを示す図である。
【図６】本発明の実施形態３の光空間伝送トランシーバーの基板への実装状態を示す図である。
【図７】本発明の実施形態４の光空間伝送トランシーバーを示す図である。
【図８】本発明の実施形態４の光空間伝送トランシーバーの基板への実装状態を示す図である。
【図９】本発明の実施形態５の光空間伝送トランシーバーを示す図である。
【図１０】本発明の実施形態５の光空間伝送トランシーバーの基板への実装状態を示す図である。
【図１１】本発明の実施形態６の光空間伝送トランシーバーを示す図である。
【図１２】本発明の実施形態６の光空間伝送トランシーバーの基板への実装状態を示す図である。
【図１３】本発明の実施形態７の光空間伝送トランシーバーを示す図である。
【図１４】本発明の実施形態７の光空間伝送トランシーバーの基板への実装状態を示す図である。
【図１５】従来の光空間伝送トランシーバーを示す図である。
【図１６】従来の光空間伝送トランシーバーの基板への実装状態を示す図である。
【符号の説明】
１基板
１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０光空間伝送トランシーバー
１１チップ
１２リードフレーム
１３パッケージ
１４レンズ
１５、２５、４５フィン
１７凹部
４６折り曲げ部
５７掘り込み部
６８、７９凸部

Claims

光を空間に伝送するチップと、
前記チップに接続された第１のリードと、
前記チップを封止するパッケージとを備え、
前記パッケージは複数の面を有し、
前記パッケージの前記複数の面の１つにはレンズが設けられ、前記チップは前記レンズを通じて光を空間に伝送し、
前記パッケージは前記レンズが設けられた面以外の面の１つに凹部を有し、
前記凹部において前記第１のリードが該凹部が設けられた面と同一平面に位置するように折り曲げられて前記パッケージから外部に延出し、該延出部分が、前記パッケージにおける該凹部が設けられた面に対向する実装基板の表面に実装される、光空間伝送トランシーバー。
光を空間に伝送するチップと、
前記チップに接続された第１のリードと、
前記チップに接続された第２のリードと、
前記チップを封止するパッケージとを備えた光空間伝送トランシーバーであって、
前記パッケージは複数の面を有し、
前記パッケージの前記複数の面の１つにはレンズが設けられ、前記チップは前記レンズを通じて光を空間に伝送し、
前記第１のリードは、前記パッケージの前記レンズが設けられた面以外の面の１つから前記パッケージの外部に出ており、
前記第２のリードは、前記パッケージの前記レンズが設けられた面以外の面であって前記第１のリードが出ている面とは異なる面の１つから前記パッケージの外部に出ており、
前記第１のリード及び前記第２のリードは、前記第１のリードと前記第２のリードとが前記光空間伝送トランシーバーが実装される基板を側面から挟み込むように、それぞれ折り曲げられている、光空間伝送トランシーバー。
前記パッケージは、前記第１のリードが外部に出る面に凹部を有し、前記凹部において前記第１のリードが折り曲げられている、請求項２に記載の光空間伝送トランシーバー。
前記第１のリードはＬ型に折り曲げられ、前記第１のリードと前記パッケージの前記凹部が設けられた面とが同一平面上に存在する、請求項３に記載の光空間伝送トランシーバー。
前記第２のリードがさらに前記基板の面方向に折り曲げられている、請求項２に記載の光空間伝送トランシーバー。
前記パッケージの前記複数の面の１つに段差が設けられた、請求項２に記載の光空間伝送トランシーバー。
光を空間に伝送するチップと、
前記チップに接続された第１のリードと、
前記チップに接続された第２のリードと、
前記チップを封止するパッケージとを備えた光空間伝送トランシーバーであって、
前記パッケージは複数の面を有し、
前記パッケージの前記複数の面の１つにはレンズが設けられ、前記チップは前記レンズを通じて光を空間に伝送し、
前記第１のリードは、前記パッケージの前記レンズが設けられた面以外の面の１つから前記パッケージの外部に出ており、
前記第２のリードは、前記パッケージの前記複数の面の１つから前記パッケージの外部に出ており、
前記第１のリード及び前記第２のリードは、前記第１のリードと前記第２のリードとが前記光空間伝送トランシーバーが実装される基板を側面から挟み込むように、それぞれ折り曲げられており、
前記パッケージの前記複数の面の１つに段差が設けられている、光空間伝送トランシーバー。
前記段差に凸部が設けられた、請求項６または７に記載の光空間伝送トランシーバー。
前記パッケージの前記複数の面の１つに凸部が設けられた、請求項２に記載の光空間伝送トランシーバー。
前記第２のリードが前記チップの発生させる熱を放熱する、請求項２乃至９のいずれかに記載の光空間伝送トランシーバー。
光を空間に伝送するチップと、
前記チップに接続された第１のリードと、
前記チップに接続された第２のリードと、
前記チップを封止するパッケージとを備えた光空間伝送トランシーバーを基板に実装する方法であって、
前記第１のリードと前記第２のリードとが前記基板を挟み込むことにより、前記光空間伝送トランシーバーを前記基板に固定するステップと、
前記第１のリードを前記基板に半田付けするステップと、
を含む方法。