CN1885491A - 真空处理设备及其操作方法 - Google Patents

真空处理设备及其操作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1885491A
CN1885491A CNA2006100938436A CN200610093843A CN1885491A CN 1885491 A CN1885491 A CN 1885491A CN A2006100938436 A CNA2006100938436 A CN A2006100938436A CN 200610093843 A CN200610093843 A CN 200610093843A CN 1885491 A CN1885491 A CN 1885491A
Authority
CN
China
Prior art keywords
load locking
gate valve
process chamber
room
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006100938436A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100397570C (zh
Inventor
安东靖典
小野田正敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Ion Equipment Co Ltd
Original Assignee
Nissin Ion Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Ion Equipment Co Ltd filed Critical Nissin Ion Equipment Co Ltd
Publication of CN1885491A publication Critical patent/CN1885491A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100397570C publication Critical patent/CN100397570C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26DRYING
    • F26BDRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B25/00Details of general application not covered by group F26B21/00 or F26B23/00
    • F26B25/008Seals, locks, e.g. gas barriers or air curtains, for drying enclosures
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26DRYING
    • F26BDRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B5/00Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
    • F26B5/04Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by evaporation or sublimation of moisture under reduced pressure, e.g. in a vacuum
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

真空处理设备具有固定的处理室(24)和两个可移动的负荷锁定室(28a)和(28b)。将闸阀(26)提供到处理室(24)上,并且将闸阀(30)分别提供到负荷锁定室(28a)和(28b)。每个负荷锁定室(28a)和(28b)通过预备室移动机构(34)在Y方向上移动。真空密封(54)是可膨胀和收缩的,以便在膨胀期间将在设置为相互靠近的闸阀(26)和(30)之间的间隙真空密封,将该真空密封(54)提供在该处理室闸阀(26)的周边部分周围。而且,基底运输机构在设置为相互靠近的处理室(24)和每个负荷锁定室(28a)和(28b)之间运输基底(2)。

Description

真空处理设备及其操作方法
技术领域
本发明涉及一种提供在真空气氛中对基底进行处理的真空处理设备及其操作方法,例如,等离子体CVD设备;薄膜形成设备如溅射设备;蚀刻设备;用于液晶的阵列膜(the aligned film of a liquid crystal)的调准处理的调准设备(alignment apparatus);离子注入设备;离子掺杂设备等等。
背景技术
由于真空处理设备以高速操作为目标,因而到目前为止已经提出一种具有多个真空室的所谓多室真空处理设备。在图8中表示了这样的一个例子。
这种真空处理设备具有这样的结构,即,将运输室10布置在中心部分,将两个处理室14和两个负荷锁定室(load lock chamber)18布置在其附近。由于将所有的运输室10、处理室14和负荷锁定室18抽成真空,因而一般将它们称作真空室。将这些真空室10、14和18布置在水平面上(在所示例子的X-Y平面上)。
运输室10在其内部具有基底运输机构12,以便在该例子中沿箭头A所示的X方向和箭头B所示的Y方向运输基底2。例如,基底2具有矩形形状。在该例子中,将基底2以垂直状态运输(参见图7)。
处理室14是为基底2提供处理如薄膜形成、蚀刻、调准处理和离子掺杂的室。在每个相应的处理室14和运输室10之间提供闸阀16。
负荷锁定室18是在运输室10没有对大气开放的情况下,使基底2相对于大气进入或离开运输室10的真空室,并且还称作负荷锁定室。在每个预备室18和运输室10之间提供闸阀20,在每个负荷锁定室18和大气之间提供闸阀22。
在上述多室型真空处理设备中,可以同时执行多种操作(例如基底2的处理和基底2的运输)。此外,在提供两个执行相同处理的处理室14的情况下,在一个处理室14中执行处理,同时在另一个处理室14中执行维护等等,由此可以避免设备的停止。因为这些原因,可以实现高速操作。
应当注意到,具有实质上相似结构的真空处理设备还在日本待审公开No.平7-211763(0002-0007段,图1)中披露。换句话说,公开了一种真空处理设备(多室设备),其具有这样的结构,即,将处理室(加工室)和负荷锁定室布置在运输室(晶片运输室)的附近。
近年来,倾向于大尺寸的基底2,因此也倾向于大尺寸的负荷锁定室10、14和18。例如,在用于平板显示器(FPD)如液晶显示器的基底2情况下,其短侧的长度达到1500mm至1870mm或其附近,其长侧的长度达到1850mm至2200mm或其附近。因此,在该例子中,上述真空室10、14和18的尺寸变得非常大,这是由于基底2的横向长度非常大,不仅在将基底2以平卧状态容纳的情况下,而且在将基底2以垂直状态容纳的情况下。结果,问题在于真空处理设备的安装面积非常大。
此外,与倾向于大尺寸负荷锁定室18的趋势一起,它们的抽空时间也变长,而且另一个问题在于这构成造成该真空处理设备的生产量(每单位时间的处理能力)下降的因素。
发明内容
下面公开的内容描述了一种真空处理设备及其操作方法,其可以使具有多个真空室的真空处理设备的安装面积变小。该公开的内容还描述了一种真空处理设备及其操作方法,其可以提供该真空处理设备的生产量。
下面描述本发明的实施例。一种真空处理设备,包括:提供对基底的处理的处理室;处理室闸阀,该处理室闸阀安装在该处理室上,并且能够使该基底穿过;多个可移动的负荷锁定室;多个预备室闸阀,每个预备室闸阀安装在相对应的负荷锁定室上,并且能够让该基底穿过;预备室移动机构,该预备室移动机构独立地或以联锁的关系移动该负荷锁定室,使得该处理室闸阀和预备室闸阀相互靠近或者彼此离开;真空密封部分,该真空密封部分提供在该处理室闸阀的周边部分中,并且是可膨胀和收缩的,以便在膨胀期间将在设置为相互靠近的该处理室闸阀和该预备室闸阀之间的间隙真空密封;基底运输机构,该基底运输机构在该处理室闸阀和该预备室闸阀设置为为相互靠近的状态下,通过两个闸阀和该真空密封部分在该处理室和该负荷锁定室之间运输该基底;抽空每个负荷锁定室的抽空部分;以及使每个负荷锁定室通风的通风部分。
另一个真空处理设备,包括:提供对基底的处理的多个处理室;多个处理室闸阀,每个处理室闸阀安装在相对应的处理室上,并且能够让该基底穿过;多个可移动的负荷锁定室;多个预备室闸阀,每个预备室闸阀安装在相对应的负荷锁定室上,并且能够使该基底穿过;预备室移动机构,该预备室移动机构独立地或以联锁的关系移动该负荷锁定室,使得该处理室闸阀和该预备室闸阀相互靠近或彼此离开;多个真空密封部分,每个真空密封部分提供在相应的处理室闸阀的周边部分中,并且是可膨胀和收缩的,以便在膨胀期间将在设置为相互靠近的该处理室闸阀和预备室闸阀之间的间隙真空密封;基底运输机构,该基底运输机构在该处理室闸阀和预备室闸阀设置为相互靠近的状态下,通过该两个闸阀和该真空密封部分在该处理室和该负荷锁定室之间运输基底;抽空每个负荷锁定室的抽空部分;以及使每个负荷锁定室通风的通风部分。
根据上述真空处理设备,利用预备室移动机构可以在多个负荷锁定室之间移动所需的负荷锁定室,以便通过预备室闸阀和处理室闸阀并且在由真空密封部分进行真空密封的状态下使负荷锁定室和处理室连接,并且通过基底运输机构在负荷锁定室和处理室之间运输基底。因此,不必提供现有技术中所需的运输室。
该真空处理设备可以进一步包括:抽空由真空密封部分围绕而形成的空间的第二抽空部分;以及使该空间通风的第二通风部分。
可以在负荷锁定室的与设置该预备室闸阀的侧表面相反的侧表面上提供分隔相应的负荷锁定室和大气的大气闸阀。
每个负荷锁定室能够在其内部容纳多个基底。
可以将基底通过保持在保持基底的托盘上运输。
一种操作真空处理设备的方法,包括以下步骤:在通过该真空密封部分真空密封的状态下,连接该多个负荷锁定室中的一个以及该处理室;执行在两个室之间替换基底的操作的同时,在剩余的负荷锁定室的至少一个中执行下述操作:该负荷锁定室的通风,该负荷锁定室和大气之间基底的替换,以及该负荷锁定室的抽空。
另一种操作真空处理设备的方法,包括以下步骤:在多个负荷锁定室中的一个执行下述操作:该负荷锁定室的通风,该负荷锁定室和大气之间基底的替换,以及负荷锁定室的抽空;以及,同时,利用剩余的真空的至少一个预备室,执行将该多个处理室中的一个中处理的基底从该处理室运出的操作,以及将该基底运送到另一个处理室的操作。
不同的实施方式可以包括一个或多个下面的优点。例如,使在多个负荷锁定室之间的所需的负荷锁定室移动,使该负荷锁定室与处理室在由真空密封部分真空密封的状态下相互连接,并且可以在该负荷锁定室和处理室之间运输该基底。因此,可以不必提供到目前为止所需的运输室。结果,可以减小该真空处理室的安装面积。
而且,虽然到目前为止必须通过在其内部具有基底运输机构的运输室运输基底,微粒(污染物)从该基底运输机构产生,并且可能附着于该基底表面。然而,在本发明中,由于可以在没有这种运输室的情况下运输基底,因而可以减少附着于该基底表面的微粒。
此外,在相应的负荷锁定室的移动期间,可以将相应的负荷锁定室通过该抽空部分抽空,由此可以有效地使用时间。因此,在真空处理设备的生产量上受抽空所需时间的影响较小,从而可以提高该真空处理设备的生产量。
而且,由于提供多个处理室,因而相对于基底可以提供不同的处理。此外,由于同时执行大量操作,因而可以容易地避免停止所有处理室的操作,从而可以实现更高速的真空处理设备的操作。
而且,通过使用第二抽空部分和第二通风部分,可以防止在处理室闸阀和预备室闸阀的打开和关闭期间对两个闸阀施加压差,因而所提供的进一步的优点在于可以简化该两个闸阀的打开和关闭。
而且,由于可以在负荷锁定室和处理室之间的基底运输中使用预备室闸阀,并且可以在负荷锁定室和大气之间的基底运输中使用大气侧闸阀,因而所提供的进一步的优点在于可以更容易和迅速地影响基底的运输。
而且,由于可以将多个基底容纳在负荷锁定室中,因而可以减少该负荷锁定室对大气开放以相对于大气运输基底的频率,并且可以相对于处理室更迅速地执行基底的替换。因此,所提供的进一步的优点在于可以进一步提高真空处理设备的生产量。
而且,由于将基底以保持在托盘上的状态运输,因而所提供的进一步的优点在于简化了基底的运输。特别地,简化了垂直状态的薄和大尺寸基底的运输。
而且,由于同时执行一个负荷锁定室和处理室之间基底的替换操作和另一个负荷锁定室和大气之间例如基底的替换操作,因而可以减少浪费的等待时间。因此,提高了该真空处理设备的生产量。
而且,由于同时执行在一个负荷锁定室和大气之间例如基底的替换操作和通过另一个负荷锁定室在多个处理室之间执行基底的运输操作,因而可以减少浪费的等待时间。因此,提高了该真空处理设备的生产量。
利用下面详细的描述、附图和权利要求书,容易理解其它的特征和优点。
附图说明
图1是表示根据本发明的真空处理设备的实施方式的示意性平面图;
图2是表示根据本发明的真空处理设备的另一个实施方式的示意性平面图;
图3是以放大的形式表示图1和2所示的真空密封及其周边结构的特定例子的横截面图;
图4是表示基底运输机构的例子的示意性横截面图;
图5是表示负荷锁定室的抽空部分和通风部分的例子的示意性侧面正视图;
图6是表示负荷锁定室的抽空部分和通风部分的其他例子的示意性侧面正视图;
图7是表示将基底保持在托盘上的状态的例子的透视图;以及
图8是表示现有技术的真空处理设备的例子的示意性平面图。
具体实施方式
图1是表示根据本发明的真空处理设备的例子的示意性平面图。为了简单,该真空处理设备不具有现有技术的真空处理设备具有的运输室,并且将负荷锁定室28a和28b以及用于执行基底2处理的处理室24机械地分离和独立,以便负荷锁定室28a和28b是可拆卸的,并且负荷锁定室28a和28b以及处理室24是可连接的以及可断开的。
基底2例如具有矩形形状。至于基底2的尺寸,参照图7,其短侧的长度L1是1500mm至1870mm或其附近,而其长侧的长度L2是1850mm至2200mm或其附近。
该真空处理设备以垂直状态操纵(例如运输)上述矩形基底2。同样也应用于图2所示的另一个实施方式。
通过使用夹持器6等等可以将基底2保持在如图7所示的例子的托盘4上,并且可以以该状态运输。通过这样做,可以简化基底2的运输。特别地,薄和大尺寸的基底2可以容易地以垂直状态运输。然而,基底2也可以在不使用托盘4的情况下或者使用不同于托盘4的其它装置运输。在以水平状态运输基底2的情况下,在许多情况下不使用托盘4。
应当注意到,就基底2而言,在图1至6及其描述中,仅表示基底2并且给出其运输的描述。然而,在使用托盘4的情况下,将基底2以保持在托盘4上的状态运输。因此,随后描述的闸阀26和30使保持基底2的托盘穿过,同时基底运输机构72运输保持基底2的托盘4。
为了十分详细地描述图1所示的真空处理设备,该真空处理设备具有一个固定的处理室24和多个(在本实施方式中,两个)负荷锁定室28a和28b。由于将所有的处理室24和负荷锁定室28a和28b抽真空,因此可以将它们一般地称作真空室。这些真空室24、28a和28b以在Z方向(垂直方向)垂直的长方体形式成形。将这些真空室排列在水平面(所示例子中的X-Y平面)中。
处理室24是用于为基底2提供处理如薄膜形成、蚀刻、调准处理和离子掺杂的室,并且通过未示出的真空泵(抽空部分)抽空。处理室闸阀26是将处理室24内外侧分隔的阀,并且让基底2穿过,将该处理室闸阀提供在该处理室24的一侧表面。同样也应用于处理室24a和24b。
负荷锁定室28a和28b是在处理室24未对大气开放的情况下使基底2相对于大气进入和离开处理室24的真空室,并且也称作负荷锁定室。预备室闸阀30是将负荷锁定室28a和28b的内外侧分隔的阀,并且让基底2穿过,将该预备室闸阀分别提供在负荷锁定室28a和28b的处理室24侧表面上。
在本实施方式中,大气侧闸阀32是将负荷锁定室28a和28b以及大气分隔的阀,并且让基底2穿过,将该大气侧闸阀分别提供在负荷锁定室28a和28b的侧面上,与其提供预备室闸阀30的侧表面相反。如果提供这些大气侧闸阀32,则可以将预备室闸阀30用于将基底2运输到处理室24和从该处理室运输,并且可以将大气侧闸阀32用于将基底2在每个负荷锁定室28a和28b以及大气之间运输。因此,可以更简单以及更迅速地执行基底2的运输。此外,通过关闭闸阀30和32,可以移动负荷锁定室28a和28b,同时保持负荷锁定室28a和28b的真空。
该真空处理设备进一步具有用于沿箭头E所示的Y方向移动负荷锁定室28a和28b的预备室移动机构34,因此在处理室24中提供的处理室闸阀26以及在负荷锁定室28a和28b中提供的预备室闸阀30彼此接近,在其之间提供间隙G(如图1中的两点划线所示的状态),或者彼此离开(如图1中的实线所示的状态)。
换句话说,预备室移动机构34移动负荷锁定室28a和28b,以便使它们接近处理室24,从而在X方向即负荷锁定室28a和28b的水平方向上与处理室24对准,或者在垂直于X方向的Y方向上离开处理室24。
在本实施方式中,预备室移动机构34移动负荷锁定室28a和28b,并且具有两个在Y方向上延伸的直线导轨36,该两个导轨在X方向上具有在其提供的预定间隔,导杆37(参见图5和6)用于在这些导轨36上可移动地支撑负荷锁定室28a和28b,驱动机构38a和38b用于分别移动负荷锁定室28a和28b。
驱动机构38a具有可逆电动机40,连接到该电动机40的滚珠丝杠42,以及与该滚珠丝杠42螺纹啮合并且安装在负荷锁定室28a中的滚珠螺母44。由于通过电动机40将滚珠丝杠42如箭头D所示的顺时针和逆时针方向旋转,因而负荷锁定室28a可以沿箭头E所示的Y方向上下移动。驱动机构38b同样具有与上述驱动机构38a类似的结构,并且能够使负荷锁定室沿箭头E所示的Y方向上下移动。相应的负荷锁定室的移动距离例如是0.5m至2m或其附近。
然而,可以布置预备室移动机构34,使得以互相联锁的关系(即同步)地移动负荷锁定室28a和28b。可选地,可以采用这样的布置,即,将两个负荷锁定室28a和28b彼此连接,并且同时通过预备室移动机构34移动。而且,可以将通过预备室移动机构34移动的一个负荷锁定室分成两个部分,使得形成与上述负荷锁定室28a和28b对应的两个负荷锁定室。更进一步,导轨36不一定是直线的,例如可以是曲线的。
在处理室闸阀26的周边部分周围,更特别地在预备室闸阀30的周边部分周围提供真空密封54。真空密封54构成可膨胀和收缩的真空密封装置,以便在膨胀期间将在设置为相互靠近的负荷锁定室28a或28b的预备室闸阀30和处理室闸阀26之间的间隙G真空密封,如上所述。
将这种真空密封54及其周边结构的特定的例子在图3中表示。在该例子中,利用在其间插入的法兰48而在处理室闸阀26的周边部分安装真空密封54。换句话说,将法兰48安装在处理室闸阀26的间隙G侧表面上,将真空密封54通过固定元件58安装在该法兰48的间隙G侧表面上。在该例子中,将真空密封54和法兰48以矩形回路(即画框)的形状形成,并且穿过基底2。应当注意到,在除图3之外的附图中省略了法兰48的表示,以便简化表示。
真空密封54是由织物加固的橡胶或橡胶本身构成的空心密封垫,并且是可膨胀和收缩的。换句话说,如果将压力应用到空心部分55,即如果对其应用压缩空气,则真空密封54膨胀,如图3中的两点划线所示,并且其远端部压在与其接近的预备室闸阀30,如上所述,由此密闭地密封(真空密封)间隙G。同时,如果将空心部分55中的压力设置成负压,即如果将空心部分55抽空,则真空密封54收缩,如图3中的实线所示,并且其远端部离开预备室闸阀30,由此可以形成间隙G。间隙G的尺寸例如是5mm或其附近。
在本例中的真空密封54是套圈56,套圈56与在法兰48中提供的孔52连通。附图标记57表示密封件(packing)如O形圈。在本例子中,将来自压缩空气源70的压缩空气经由阀68和孔52应用到真空密封54的空心部分55。此外,将真空密封54的空心部分55通过真空泵64经由孔52和阀62抽空。
上述真空密封54例如是由NIPPON VALQUA INUSTRIES,LTD.制造的INFLATE Seal(注册商标)。
在法兰48中提供另一个孔50。提供这样的布置,即,用于对通过真空密封54和法兰48围绕而形成的空间抽空的抽空部分利用孔50、阀60和上述真空泵64来形成。此外,通风部分通过将空气提供到该空间使通过真空密封54和法兰48围绕而形成的空间通风,该通风部分通过使用孔50、阀66和上述压缩空气源70形成。在本说明书中,术语“通风”指的是通过对其引入气体(即空气、氮气等等)将保持在真空状态的空间设置成大气压状态。
应当注意到,可以将真空密封54安装在处理室闸阀26上,而不提供法兰48。在这种情况下,根据需要,如果将对应于上述孔50和52的部分提供在处理室闸阀26的端部就足够了。在这种情况下,上述抽空部分抽空通过真空密封54围绕而形成的空间,并且上述通风部分通风该空间。
通过使用抽空部分和通风部分,在预备室闸阀30的打开期间可以将通过密封54和法兰48围绕而形成的空间(或者在不提供法兰48的情况下通过真空密封54围绕而形成的空间)的压力设置成实质上等于处理室24和负荷锁定室28a或28b的压力。由于可以防止对闸阀26和30施加压差,因而简化了闸阀26和30的打开和关闭。
该真空处理设备进一步具有基底运输机构72,在处理室闸阀26和预备室闸阀30设置为相互靠近的状态下,基底运输机构72通过闸阀26和30以及真空密封54而在处理室24和负荷锁定室28a或28b之间沿箭头C所示的X方向运输基底2,如图4所示的例子。
基底运输机构72具有在处理室24中提供的滚筒机构73以及分别在负荷锁定室28a和28b中提供的滚筒机构74。每个滚筒机构73和74具有多个用于支撑和移动基底2的滚筒75。将在它们之间的多个滚筒即位于相应的室24、28a和28b的两端的滚筒75分别通过驱动源76驱动。
将每个负荷锁定室28a和28b以及处理室24之间的基底2的替换(进入和离开)如下地执行,例如:将所需的负荷锁定室(即负荷锁定室28a)沿处理室24移动,并且在将处理室闸阀26和预备室闸阀30设置成彼此接近的状态下,将真空密封54膨胀以封闭间隙G。在这种状态下,将通过真空密封54等等围绕而形成的空间抽空。然后,将闸阀26和30打开,并且在处理室24和负荷锁定室28a用真空彼此连接的状态下,即在保持从负荷锁定室28a到处理室24的空间的真空状态的状态下,在处理室24和负荷锁定室26之间执行基底2的替换。在完成基底2的替换之后,将闸阀26和30关闭,将通过真空密封54等等围绕而形成的空间通风,以便使真空密封54收缩,由此取消处理室24和负荷锁定室28a之间的连接。其次,移动负荷锁定室28a,并且沿处理室24移动另一个负荷锁定室28b,以与上述相同的方式在处理室24和负荷锁定室28b之间执行基底2的替换。
根据该真空处理设备,移动两个负荷锁定室28a和28b之间所需的负荷锁定室28a或28b,负荷锁定室28a或28b和处理室24彼此连接,在由真空密封54密封真空的状态下,并且可以在负荷锁定室28a或28b和处理室24之间运输基底2。因此,不必提供到目前为止所需的运输室。结果,可以减少该真空处理设备的安装面积。
而且,虽然到目前为止需要通过在其内部具有基底运输机构的运输室运输基底,并且从该基底运输机构产生微粒(污染物),该微粒可能会附着于该基底表面。然而,在这种真空处理设备中,由于在没有经由这种运输室的情况下运输基底,因而可以减少附着于该基底2表面的微粒。
该真空处理设备进一步具有用于抽空相应的负荷锁定室28a和28b的抽空部分和用于通风相应的负荷锁定室28a和28b的通风部分。对这些装置来说,分别单独地抽空和通风负荷锁定室28a和28b的装置是优选的。它们的特定的例子如图5和6所示。
在图5所示的例子中,在固定部分上提供真空泵78,并且通过软管80连接真空泵78和负荷锁定室28a,由此形成上述抽空部分。而且,在该固定部分上提供气源(未示出),并且通过软管82和通风阀84连接负荷锁定室28a,由此形成上述通分部分。软管80和82可以应付在箭头E所示的Y方向上负荷锁定室28a的移动。同样也应用于负荷锁定室28b侧。
在图6所示的例子中,将真空泵78通过支座86等等安装在负荷锁定室28a上,并且该真空泵78和负荷锁定室28a通过管道88连接,由此形成上述抽空部分。因此,在本例中,真空泵78与负荷锁定室28a一起移动。通风部分类似于图5所示的例子的情况。同样还应用于负荷锁定室28b。
通过提供上述抽空部分,在相应的负荷锁定室28a和28b的移动期间,可以通过该抽空部分抽空相应的负荷锁定室28a和28b,由此可以有效地利用时间。因此,在该真空处理设备的生产量上受抽空所需时间的影响较小,从而可以提高该真空处理设备的生产量。通过提供上述通风部分,可以执行相应的负荷锁定室28a和28b的通风,在它们的移动期间。
通过开发上述实施方式,可以相对于一个固定的处理室24提供三个或更多个可移动的负荷锁定室。在这种情况下,该预备室移动机构是足够的,如果其能够单独地或以联锁关系移动这些负荷锁定室。
由于操作上述真空处理设备的方法,可以采用不同的方法。参照图1描述一个这种例子,同时地,由于多个负荷锁定室中的一个(例如负荷锁定室28a)与处理室24在由真空密封54密封真空的状态下相互连接,并且在两个室24和28a之间执行基底2的替换,因而在剩余负荷锁定室的一个(例如负荷锁定室28b)中执行如下各操作:负荷锁定室28b的通风;在负荷锁定室28b和大气之间基底2的替换;以及负荷锁定室28b的抽空。
根据该操作方法,由于在一个负荷锁定室和处理室24之间执行替换基底2的操作,同时在另一个负荷锁定室和大气之间执行例如替换基底2的操作,因而可以减少浪费的等待时间。因此,提高了该真空处理设备的生产量。
根据本发明的真空处理设备可具有多个固定的处理室。图2所示的实施方式具有两个固定的处理室24a和24b,分别对应于上述处理室24。将处理室闸阀26和真空密封54分别安装在每个处理室24a和24b,以与上述处理室24相同的方式。相应的一个负荷锁定室28a和28b与相应的一个负荷锁定室28a和28b之间的关系类似于上述参照图1等等的实施方式的情况。换句话说,如果将每个处理室24a和24b认为是与图1、3和4所示的处理室24相同就足够了。
通过开发上述实施方式,可以提供三个或更多个固定的处理室。
在具有多个处理室的真空处理设备的情况下,可以采用更多通用的操作方法。参照图2描述一个这种例子,由于同时地在多个负荷锁定室中的一个(例如负荷锁定室28a)中执行如下各操作:负荷锁定室28的通风;负荷锁定室28a和大气之间基底2的替换;以及负荷锁定室28a的抽空,因而可以使用剩余负荷锁定室中的至少一个(例如负荷锁定室28b)来执行将多个处理室中的一个(例如处理室24a)中处理过的基底2从该处理室24a运出的操作,以及将该基底运送到另一个处理室(例如处理室24b)的操作。
根据该操作方法,由于同时地执行例如在一个预备室和大气之间替换基底2的操作和利用另一个负荷锁定室在多个处理室之间运输基底2的操作,因而可以减少浪费的等待时间。因此,提高了该真空处理设备的生产量。
应当注意到,布置上述负荷锁定室(例如,负荷锁定室28a和28b),使得可以在其内部容纳多个基底2。通过这样做,由于可以将多个基底2容纳在这些负荷锁定室中,因而可以减少该负荷锁定室对大气开放以便相对于大气运输基底2的频率,并且可以相对于处理室更迅速地执行基底2的替换。因此,可以进一步提高该真空处理设备的生产量。
由于该真空密封装置是可膨胀和收缩的,因而代替上述真空密封54,可以采用在波纹管的远端部提供密封件如O形圈这样构成的真空密封装置,该波纹管例如可以通过线性驱动装置如空气气缸(air cylinder)而膨胀和收缩。
虽然已经给出了将基底2以垂直状态操纵的实施方式的描述,但是本发明不限于此,可以将基底2以实质上平卧的状态操纵(例如,运输)。
对本领域技术人员而言显而易见的是,在不脱离本发明的精神或范围的情况下,可以对本发明的优选实施方式进行不同的修改和变形。因此,本发明覆盖与本发明的权利要求书及其等同物的范围一致的本发明所有的修改和变形。

Claims (8)

1.一种真空处理设备,包括:
提供对基底的处理的处理室;
处理室闸阀,其安装在所述处理室上,并且能够让所述基底穿过;
多个可移动的负荷锁定室;
多个预备室闸阀,每个预备室闸阀安装在相对应的负荷锁定室上,并且能够让所述基底穿过;
预备室移动机构,其独立地或者以联锁的关系移动所述负荷锁定室,使得所述处理室闸阀和所述预备室闸阀相互靠近或者彼此离开;
真空密封部分,其提供在所述处理室闸阀的周边部分中,并且是可膨胀和收缩的,以便在膨胀期间将在设置为相互靠近的所述处理室闸阀和所述预备室闸阀之间的间隙真空密封;
基底运输机构,其在所述处理室闸阀和所述预备室闸阀设置为相互靠近的状态下,通过所述两个闸阀和所述真空密封部分在所述处理室和所述负荷锁定室之间运输所述基底;
抽空每个所述负荷锁定室的抽空部分;以及
使每个所述负荷锁定室通风的通风部分。
2.一种真空处理设备,包括:
提供对基底的处理的多个处理室;
多个处理室闸阀,每个处理室闸阀安装在相对应的处理室上,并且能够让所述基底穿过;
多个可移动的负荷锁定室;
多个预备室闸阀,每个预备室闸阀安装在相对应的负荷锁定室上,并且能够让所述基底穿过;
预备室移动机构,其独立地或者以联锁的关系移动所述负荷锁定室,使得所述处理室闸阀和所述预备室闸阀相互靠近或者彼此离开;
多个真空密封部分,每个真空密封部分提供在相对应的处理室闸阀的周边部分中,并且是可膨胀和收缩的,以便在膨胀期间将在设置为相互靠近的所述处理室闸阀和所述预备室闸阀之间的间隙真空密封;
基底运输机构,其在所述处理室闸阀和所述预备室闸阀设置为相互靠近的状态下,通过所述两个闸阀和所述真空密封部分在所述处理室和所述负荷锁定室之间运输所述基底;
抽空每个负荷锁定室的抽空部分;以及
使每个负荷锁定室通风的通风部分。
3.根据权利要求1或2所述的真空处理设备,其中进一步包括:
抽空由所述真空密封部分围绕而形成的空间的第二抽空部分;以及
使所述空间通风的第二通风部分。
4.根据权利要求1或2所述的真空处理设备,其中进一步包括:
多个大气侧闸阀,每个所述大气侧闸阀提供在相对应的负荷锁定室的与设置所述预备室闸阀的该负荷锁定室侧表面相反的侧表面上,以便分隔所述负荷锁定室和所述大气。
5.根据权利要求1或2所述的真空处理设备,其中每个所述负荷锁定室能够在其内部容纳多个基底。
6.根据权利要求1或2所述的真空处理设备,其中将所述基底通过保持在保持所述基底的托盘上运输。
7.操作根据权利要求1所述的真空处理设备的方法,包括以下步骤:
在由所述真空密封部分真空密封的状态下使所述多个负荷锁定室中的一个与所述处理室连接;
执行在所述两个被连接的室之间替换所述基底的操作;以及
在执行所述替换操作的同时,在剩余的负荷锁定室的至少一个中执行下述操作:所述负荷锁定室的通风,所述负荷锁定室和所述大气之间所述基底的替换,以及所述负荷锁定室的抽空。
8.操作根据权利要求2所述的真空处理设备的方法,包括以下步骤:
在多个负荷锁定室中的一个中,执行下述操作:所述负荷锁定室的通风,所述负荷锁定室和所述大气之间所述基底的替换,以及所述负荷锁定室的抽空;以及
同时,利用剩余的负荷锁定室的至少一个,执行将所述多个处理室中的一个中处理的基底从所述处理室运出的操作,以及将所述基底运送到另一个处理室的操作。
CNB2006100938436A 2005-06-20 2006-06-20 真空处理设备及其操作方法 Expired - Fee Related CN100397570C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005179270A JP4123249B2 (ja) 2005-06-20 2005-06-20 真空処理装置およびその運転方法
JP179270/05 2005-06-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1885491A true CN1885491A (zh) 2006-12-27
CN100397570C CN100397570C (zh) 2008-06-25

Family

ID=37571924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006100938436A Expired - Fee Related CN100397570C (zh) 2005-06-20 2006-06-20 真空处理设备及其操作方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7367139B2 (zh)
JP (1) JP4123249B2 (zh)
KR (1) KR100795383B1 (zh)
CN (1) CN100397570C (zh)
TW (1) TWI308772B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103498192A (zh) * 2013-09-29 2014-01-08 青岛赛瑞达电子科技有限公司 双工位cvd炉
CN109643629A (zh) * 2016-08-22 2019-04-16 应用材料公司 用于真空腔室的门密封件
CN111279107A (zh) * 2017-11-23 2020-06-12 应用材料公司 用于真空密封的锁定阀、真空腔室和真空处理系统

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007022431A1 (de) * 2007-05-09 2008-11-13 Leybold Optics Gmbh Behandlungssystem für flache Substrate
JP2008294248A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Tokyo Electron Ltd 基板搬送システム
JP4406666B2 (ja) * 2008-02-20 2010-02-03 シャープ株式会社 真空処理装置および真空処理工場
JP4472005B2 (ja) * 2008-04-24 2010-06-02 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置及び真空処理方法
JP4766156B2 (ja) * 2009-06-11 2011-09-07 日新イオン機器株式会社 イオン注入装置
JP4766500B2 (ja) * 2009-08-26 2011-09-07 シャープ株式会社 真空処理装置、および真空処理工場
JP5469507B2 (ja) * 2010-03-31 2014-04-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR101700608B1 (ko) * 2011-04-15 2017-02-01 이찬용 기판처리장치
KR101700607B1 (ko) * 2011-04-15 2017-02-01 이찬용 기판처리장치
US10309722B1 (en) 2013-03-14 2019-06-04 International Research Institute Inc. Microwave and vacuum drying device, system, and related methods
JP2016178133A (ja) * 2015-03-19 2016-10-06 シンフォニアテクノロジー株式会社 ドア開閉装置、搬送装置、ソータ装置、収納容器のドッキング方法
JP6957576B2 (ja) * 2015-05-15 2021-11-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated ロードロックチャンバ、ロードロックチャンバを有する真空処理システム及びロードロックチャンバを排気する方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07211763A (ja) 1994-01-18 1995-08-11 Hitachi Ltd マルチチャンバ装置およびその制御方法
TW318258B (zh) * 1995-12-12 1997-10-21 Tokyo Electron Co Ltd
JPH1150256A (ja) 1997-08-05 1999-02-23 Kokusai Electric Co Ltd 真空処理装置および真空処理方法
US6262519B1 (en) * 1998-06-19 2001-07-17 Eastman Kodak Company Method of controlling fluid flow in a microfluidic process
JP2000068259A (ja) * 1998-08-19 2000-03-03 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
US6249990B1 (en) * 1999-03-23 2001-06-26 Alliedsignal, Inc. Method and apparatus for transporting articles
US6393716B1 (en) * 2000-04-20 2002-05-28 Ritek Display Technology Co. Method and apparatus for transporting substrates in OLED process
JP3937129B2 (ja) * 2001-04-06 2007-06-27 ソニー株式会社 熱プレス装置及びカード製造装置
KR20030001095A (ko) 2001-06-28 2003-01-06 삼성전자 주식회사 챔버 설비의 압력 조절 장치
US6918731B2 (en) 2001-07-02 2005-07-19 Brooks Automation, Incorporated Fast swap dual substrate transport for load lock
US6749407B2 (en) * 2002-08-22 2004-06-15 Motorola, Inc. Method of installing valves in a micro-pump
KR100445609B1 (ko) * 2002-12-09 2004-08-25 주식회사 에이디피엔지니어링 Fpd 제조장치
JP4084293B2 (ja) 2002-12-05 2008-04-30 株式会社アドヴァンスド・ディスプレイ・プロセス・エンジニアリング Fpd製造装置
JP3830478B2 (ja) 2003-09-22 2006-10-04 東京エレクトロン株式会社 基板の搬送システム及び基板の搬送方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103498192A (zh) * 2013-09-29 2014-01-08 青岛赛瑞达电子科技有限公司 双工位cvd炉
CN103498192B (zh) * 2013-09-29 2016-07-06 青岛赛瑞达电子科技有限公司 双工位cvd炉
CN109643629A (zh) * 2016-08-22 2019-04-16 应用材料公司 用于真空腔室的门密封件
CN109643629B (zh) * 2016-08-22 2021-07-02 应用材料公司 用于真空腔室的门密封件
CN111279107A (zh) * 2017-11-23 2020-06-12 应用材料公司 用于真空密封的锁定阀、真空腔室和真空处理系统

Also Published As

Publication number Publication date
KR100795383B1 (ko) 2008-01-17
CN100397570C (zh) 2008-06-25
JP2006352010A (ja) 2006-12-28
US20060283041A1 (en) 2006-12-21
JP4123249B2 (ja) 2008-07-23
TW200739670A (en) 2007-10-16
KR20060133491A (ko) 2006-12-26
US7367139B2 (en) 2008-05-06
TWI308772B (en) 2009-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1885491A (zh) 真空处理设备及其操作方法
KR100756110B1 (ko) 게이트 밸브 장치, 처리 시스템 및 밀봉 부재의 교환 방법
US7296673B2 (en) Substrate conveyor system
EP1165993B1 (en) Dual-sided slot valve and method for implementing the same
KR100856145B1 (ko) 진공 챔버 및 진공 처리 장치
CN1717796A (zh) 基板处理装置
US20060278497A1 (en) Linear vacuum deposition system
CN1925110A (zh) 真空处理装置
CN104392947A (zh) 用于大面积基板处理系统的加载锁定腔室
US5837059A (en) Automatic positive pressure seal access door
CN1574271A (zh) 基板运送装置和基板运送方法以及真空处理装置
TWI827852B (zh) 用於基板定位的系統及方法
CN1275174A (zh) 真空装置用驱动机构及真空装置
CN1574272A (zh) 基板输送装置和基板输送方法及真空处理装置
CN1854743A (zh) 在线电子束测试系统
CN1929109A (zh) 基板定位装置和基板收纳单元
US8342327B1 (en) Cassette for accommodating substrates
JP2001002145A (ja) 容器および容器の封止方法
JP3350107B2 (ja) 枚葉式真空処理装置
KR20080017946A (ko) 유지보수가 간편한 기판 얼라이너
KR101541800B1 (ko) 기판 처리 장치
JP4583458B2 (ja) ロードロックチャンバー
KR200469836Y1 (ko) 임프린트 장치
KR101473831B1 (ko) 이송장치
JP2024006122A (ja) 基板自動搬送装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080625

Termination date: 20110620