CN1828860A - 半导体晶片的定位方法及使用其的装置 - Google Patents

Abstract

对应于结合到半导体晶片表面的保护带类型的预定波长光强由控制器来调节，并且用于支撑半导体晶片的支撑台被旋转扫描。同时，在形成在半导体晶片中的用于定位的V型切口中，光穿透遮盖表面的保护片，由光传感器接收。基于光传感器的光接收量中的变化，检测点的位置被指定。

Description

半导体晶片的定位方法及使用其的装置

技术领域

本发明涉及半导体晶片定位方法，该方法基于检测部位的位置信息，用于确定在其边缘上具有诸如V形切口或定向平面的检测部位的半导体晶片的处理位置，本发明还涉及到使用该方法的装置。

背景技术

半导体晶片(下文简称为“晶片”)要经过由诸如研磨或抛光的机械法、使用蚀刻的化学方法等执行的后表面处理。使其厚度减小。当使用这种方法来处理晶片时，要将保护带与晶片表面结合到一起，从而保护其上形成有布线图的表面。对于其上结合有保护带的抛光晶片，在边缘介入到光源和光传感器(photoreceptionsensor)之间的状态中，在晶片被旋转地扫描处理过程中获得边缘的位置信息。基于位置信息，可获得晶片的中央位置(例如，参见JP-A08-279547(1996))。

此外，在获得晶片中央位置的同时，还获得了与用于定位的诸如V形切口或定向平面的检测部位有关的位置信息，并基于该信息，确定晶片的处理位置。即，基于检测部位的位置，当通过支撑胶带从晶片后表面传送或结合并送至环框(ringframe)时，在考虑有关晶片中央轴的旋转方向的同时，可确定处理位置。

但是，通常的方法涉及如下问题。

最近，随着应用的快速进展，要求晶片越来越薄，所以要将其处理到150μm或更薄。在晶片变得越来越薄的同时，晶片本身的硬度也减小。因此，例如，为了使晶片坚硬，需要将由厚而硬的基底材料制成的保护带结合到晶片表面。但是，结合以遮盖了晶片的整个表面的保护带干扰了光透过在基本为圆形的晶片边缘中形成的用于定位的V形切口部分。因此，光传感器不能接收到在V形切口部分中反射出的光。

此外，有一些保护带，还执行了表面处理和上色，并因此厚度也会增加，从而一些保护带不大会透光。

在该情形中，可由利用诸如照相机的光学系统的图像处理系统来轻易地检测到晶片边缘中的检测部位。但是，有一个问题，将图像处理系统结合到常规的装置中是很困难的。此外，由于图像处理系统昂贵，导致了安装成本负担巨大的缺点。

发明内容

考虑前述的情形而做出本发明。因此，本发明的一主要目的是提供一种半导体晶片定位方法，能够用廉价的配置以高精度获得半导体晶片边缘中形成的检测部位的位置，并提供使用该方法的装置。

为了取得前述目的，本发明采用了如下配置。

一种方法，用于检测位于结合有保护膜(sheet)的基本为光盘状半导体晶片的边缘的检测部位，并使用检测的结果来确定半导体晶片的处理位置，该方法包括如下步骤：将对应于保护膜的预定波长的光从投光装置中射向结合有保护膜的半导体晶片；在射向半导体晶片的面上调节光的强度；由与投光装置相对放置(半导体晶片介入其间)的光接收装置接收从投光装置射向半导体晶片的光；基于在光接收装置中的光接收量的变化，确定位于半导体晶片边缘上的检测部位的位置；使用从确定步骤的确定结果中获得的检测部位的位置信息来定位半导体晶片的处理位置。

由于根据本发明的该方法，在调节其光强的同时，对应于保护膜的预定波长的光射向半导体晶片的表面。光由与投光装置相对放置(半导体晶片介入其间)的光接收装置接收。然后，基于在光接收装置中的光接收量的变化，确定位于半导体晶片边缘上的检测部位，并且使用作为确定结果的检测部位的位置信息来获得半导体晶片的处理位置。

相应地，根据保护膜的状态，有可能调节具有对应于保护膜类型的透射率的波长的光强。因此，可调节由光接收装置接收的光量。换言之，通过选择性地调节光接收装置中的光接收量，有可能增加光的接收精度。结果，使用位于半导体晶片边缘上的检测部位的位置信息，可以高精度获得半导体晶片的处理位置。此外，该方法可在具有投光装置和光接收装置的廉价配置中实现。

较佳地，半导体晶片在一种显露其边缘的状态中由支撑装置支撑，在该状态中暴露其边缘，并且在光接收步骤，光从投光装置射向从支撑装置暴露的半导体晶片的边缘。并且，投光装置和与投光装置相对放置的光接收装置的设置和支撑装置以一种使一套光透射装置和光接收装置沿着从所述支撑装置显露的半导体晶片的边缘进行旋转扫描的方式相对移动。更佳地，执行第一旋转扫描，其中投光装置和光接收装置的设置沿着从支撑装置暴露的半导体晶片的边缘旋转扫描一周，在确定步骤，基于在光接收步骤的旋转扫描处理中由光接收装置接收到的光量，暂时确定检测部位的位置，在确定步骤暂时确定了检测部位的位置之后，重复光接收步骤，并且在光接收步骤，执行第二旋转扫描，其中投光装置和光接收装置的设置沿着从支撑装置暴露的半导体晶片的边缘旋转扫描一周，在这期间，在包括在确定步骤暂时已确定的半导体晶片的检测部位的预定区域，旋转速度很慢，并且在第二扫描完成之后，在确定步骤，基于由光接收装置接收到的光量的变化，从包括暂时已确定的检测部位的预定区域中确定检测部位的最佳位置。

由于该方法，可以较高的精度确定检测部位的位置，从而可以高精度计算出半导体晶片的处理位置。

注意到在光强调节步骤，可如下调节光强。

例如，较佳地，根据保护膜的厚度，以一种方式来调节投光装置的光发射强度，从而在光接收步骤，光接收装置在检测部位的光接收量变为一个预定量。在该情形中，如果保护膜很厚，从而光不大会穿透，则提高投光装置的光发射强度，以增加保护膜的光穿透量。结果，光接收装置可接收预定量的透射光，从而可以高精度获得半导体晶片的检测部位的位置。

较佳地，根据保护膜的厚度，在将投光装置的光发射强度保持恒定的状态下调节从投光装置到半导体晶片的距离，从而在光接收步骤中，光接收装置在检测部位的光接收量变为一个预定量。在该情形中，如果保护膜很厚，从而光不大会穿透，则即使投光装置的光发射强度保持恒定，还是可以通过减少投光装置和半导体晶片之间的距离来增加半导体晶片面上的光强。即，光接收装置可接收预定量的透射光，从而可以高精度获得半导体晶片的检测部位的位置。

较佳地，在一种以一种方式将投光装置的光发射强度保持恒定的状态中调节从投光装置到半导体晶片的距离，从而在光接收步骤中，光接收装置在检测部位的光接收量变为一个预定量。在该情形中，如果保护膜很厚，从而光线不大会穿透，则即使投光装置的光发射强度保持恒定，还是可以通过减少投光装置和光接收装置之间的距离来增加半导体晶片面上的光强。即，光接收装置可接收预定量的透射光，从而可以高精度获得半导体晶片的检测部位的位置。

较佳地，在光投射步骤，可调节投光装置，以投射对应于结合到半导体晶片上的保护膜颜色的波长的光。

由于该方法，有可能投射具有对应于保护膜颜色的高透射率的波长的光。即，光可穿透保护膜，而不论该保护膜的颜色；因此，可以高精度地由光接收装置接收从遮盖在半导体晶片边缘中的检测部位的保护膜传送的光。

检测部位的一示例是在半导体晶片的边缘中形成的V形切口。

为了达到前述目的，本发明还采用了如下配置。

一种用于确定结合有保护膜的半导体晶片的处理位置的装置，该装置包括：支撑装置，用于支撑结合有保护膜的半导体晶片；投光装置，用于将对应于保护膜的波长的光投射到由支撑装置支撑的半导体晶片的面上；光强调节装置，用于调节投射在半导体晶片面上的光的强度；光接收装置，放置为与投光装置相对，半导体晶片介入其间，用于接收从投光装置中投射的光；移动装置，用于相对地移动一套投光装置和光接收装置以及支撑装置；确定装置，基于在移动装置相对地移动一套投光装置和光接收装置以及支撑装置期间由光接收装置接收到的光量的变化，确定半导体晶片边缘中形成的用于定位的检测部位的位置；计算装置，使用从确定装置的确定结果中获得的检测部位的位置信息，用于获得半导体晶片的处理位置；以及旋转驱动装置，用于根据计算装置的计算结果来旋转支撑装置。

对于根据本发明的装置，可以调节投射到半导体晶片面上的、对应于保护膜类型的预定波长的光强。即，可以增加投射到半导体晶片面上的光强；因此，在光接收装置中的光接收量可以保持常量，而不论保护膜的类型。换言之，光接收装置可接收从半导体晶片边缘的检测部位上的保护带投射的光。藉此可以高精度获得检测部位。

较佳地，光强调节装置是用于根据保护膜厚度来控制投光装置的电源电压的电压控制装置。

对于该配置，如果保护膜很厚，从而光不大会穿透，投光装置的电源电压就会增加，以提高光发射强度，以此增加保护膜的光透射量。结果，光接收装置可接收预定量的透射光，从而可以高精度获得半导体晶片边缘中的检测部位的位置。

光强调节装置的示例包括：用于驱动投光装置向上/向下的第一驱动装置，以及用于驱动支撑装置向上/向下的第二驱动装置。

对于该配置，就有可能改变投光装置和保护膜之间的距离，或者投光装置和光接收装置之间的距离。即，通过减少投光装置和半导体晶片之间的距离，可以增加投射到保护膜上的光强；因此，就有可能保护膜的光透射量，并增加光接收装置中的透射光接收量。结果，可以高精度获得半导体晶片边缘中的检测部位的位置。

较佳地，投光装置被配置为能够投射具有对应于保护膜颜色的透射率的波长的光。

对于该配置，光可穿透保护膜，而不论保护膜的颜色。因此，有可能通过光接收装置以高精度接收来自半导体晶片边缘的检测部位上遮盖的保护膜的透射光。

附图说明

为了图示出本发明，在图中示出了当前较佳的几种形式，但是可以理解，本发明不限于所示的具体结构和设备以及手段。

图1是示出根据本发明实施例的半导体晶片定位装置的示意性整体配置的前视图；

图2是示出定位装置主要部分的截面图；

图3是示出传送机构的主要部分的截面图；

图4是围绕旋转机构的透视图；

图5是用于解释实施例装置的操作的图表；

图6是用于解释实施例装置的操作的图表；

图7是示出晶片边缘的扫描结果的图表；以及

图8是示出实施例装置的处理的流程图。

具体实施方式

下文将参照附图对根据本发明的半导体晶片定位装置的实施例进行描述。

图1是示出根据本发明实施例的半导体晶片定位装置的平面图，以及图2是示出半导体晶片定位装置的配置的主要部分的前视图。

如图1所示，本发明用于确定半导体晶片的中央的装置包括：旋转机构2，用于支撑和旋转半导体晶片(下文简单称作“晶片”)W；边缘测量机构3，用于测量由旋转机构2支撑的晶片W的边缘；算术处理单元(未示出)，用于采集旋转机构2的旋转角度以及与旋转角度相关的晶片W的边缘位置数据，并执行预定的算术处理；升/降驱动机构4，用于使能旋转机构对于旋转轴朝上/朝下移动；以及传输机构5，用于传输来自旋转机构2的晶片W或将其传输到旋转机构2。

要注意，旋转机构2对应于本发明的移动装置，并且升/降驱动机构4对应于本发明的第二驱动装置。

如图1和2所示，旋转机构2包括圆柱形支撑台7，其中晶片的后表面被其中形成的吸气孔6所吸住，以及用于支撑支撑台7旋转的台承接单元8。要注意，支撑台7对应于本发明的支撑装置。

在支撑台7之下，连续地提供用于旋转的脉冲马达9。旋转机构2可与用于旋转的脉冲马达9的驱动器一起旋转。旋转的脉冲马达9安装在升/降驱动机构4中。此外，对于每个特定的旋转角度，数字信号的脉冲从旋转的脉冲马达9传送到稍后描述的算术处理单元10。例如，特定的旋转角可能是0.036°，并且由于旋转机构2的旋转，1000脉冲的数字信号被传送到控制器41中设置的算术处理单元10。此外，吸气孔6通过台承接单元8中的孔11与吸气装置(未示出)相通。因此，用于吸住晶片6的吸力从吸气装置传到了吸气孔6。

升/降驱动装置4包括可在X轴方向上滑动的X轴台12，以及可在Y轴方向上滑动的Y轴台13，如图所示。X轴台12安装在置于装置的基底1上的X轴直线导轨14上，以便于在安装在基底1上的X轴脉冲马达15的驱动下沿着X轴方向来回移动。

此外，Y轴台13安装在置于装置的基底1上的Y轴直线导轨16上，以便于在安装在X轴台12上的Y轴脉冲马达17的驱动下沿着Y轴方向来回移动。对于Y轴台13，安装有台承接单元8和旋转的脉冲马达9。

边缘测量机构3置于支撑台7的一侧。此外，边缘测量机构3包括基本L状的圆柱18，插入圆柱18中的反射镜19、透镜20和光传感器21。要注意，光传感器21对应于本发明的光接收装置。

反射镜19置于圆柱18的基本L状弯曲部分内。即，为了将从圆柱20的上部开口入射的光反射到图中右侧的光传感器21，从图的前方看，反射镜19以45°的倾斜角固定放置。

光传感器21置于反射镜19一侧的圆柱18的纵向的一端末尾。此外，透镜20固定置于反射镜19和光传感器21之间的圆柱18中，从而，来自19的反射光聚焦在光传感器21上。注意到光传感器21是一维线性传感器，其中多个感光元件线性地排列，并将从线性传感器中接收到的感光数据传送到稍后描述的算术处理单元10。

边缘测量机构3固定在用于测量的台22上，该台可在如图2中水平方向的箭头所示的旋转机构2的径向方向上移动。用于测量的台22安装在置于基底1的用于测量的直线导轨23上。即，边缘测量机构3被可如此构成，使得用于测量的台22在用于测量的脉冲马达24的驱动下，在旋转机构2的径向方向移动。此外，在用于测量的台22上，放置有光源25，用于将光投射到晶片W的边缘。

光源25设置在晶片W的边缘以及反射镜19上方，以易于检测出晶片W的位置，并将光投射到晶片W的边缘。即，为了根据结合到晶片W表面的保护带类型而实现预定的波长和光强，诸如光源25的波段和电压的各种条件都由操作单元40输入到控制器41。基于所输入的条件，控制器41控制光源25的电压和波段。在该实施例的情形中，使用输出光波长为300到800nm的荧光管。注意到光源25对应于本发明的投光装置，以及控制器41对应于本发明的电压控制装置。

注意到保护带的类型包括基础材料的质量、颜色、基础材料的表面处理状态、以及保护带的厚度。

算术处理单元10计算晶片W的中央位置并获得在晶片边缘上形成V形切口的位置。如图4到6所示，晶片的中央位置以一种方式计算出，从而当从光源25投射到晶片边缘的光在支撑台7旋转的同时由光传感器21线性接收到时，通过使用感光电压可首先获得晶片边缘的位置信息。然后，计算出从晶片W面上的一点到边缘的距离，并通过计算距离数据以预定比例与已获得的距离数据中大值(largevalue)的离差，来确定中央位置。注意到确定晶片W的中央位置不限于此种计算方法，还可以通过使用最小二乘法来确定。

此外，算术处理单元10基于来自光传感器21中的感光电压的变化量来确定V形切口的位置。例如，如图7所示，感光电压暂时改变的数据可在对晶片W一次扫描同时从光传感器21中获得，如图4所示。即，晶片W的边缘是连续弧形，对于光传感器21，光被晶片W阻断，如图5所示。因此，感光电压变得很低，而且稳定，如图7所示。但是如图6所示，对于V形切口的部分K，并且保护带P从晶片W暴露，从而光可以穿透。因此，投射的光由光传感器21接收到。相应地感光电压暂时增加了如图7中虚线所示的范围。由感光电压的峰值以及在其之前和之后不小于预定电压的部分所组成的部分由V形切口K所确定。

此外，当确定了V形切口K的位置之后，算术处理单元10执行如下处理。当晶片W被取出并被传送时，在下一步骤，例如，当一个位置处在环框上时，考虑该位置，并且计算出检测位置和参考位置之间的偏移量。注意到算术处理单元10用作本发明的确定装置和计算装置。

如图1和3所示，传输机构5包括马蹄状机械臂27，该机械臂具有在传输晶片的时候用于吸住和支撑保护带的表面的沟槽26，该保护带结合到晶片W的形成有图案的表面。臂动平台28能够在垂直和水平的方向移动机械臂27。

臂动平台28包括对于传输基底29在垂直方向上活动安装的Z轴台30，对于Z轴台30旋转安装的θ轴台31，以及在θ轴台31上安装的R轴台32，以在θ轴台31的径向方向上自由推进。这里，Z轴台30、θ轴台31以及R轴台32分别在固定安装在传输基底29的脉冲马达33、固定安装在Z轴台30的θ轴脉冲马达34以及固定安装在θ轴台31的R轴脉冲马达35的驱动下，均可移动或旋转。

上述的所有马达均被连接到控制器41，从而控制支撑台7、X轴台12、Y轴台13、用于测量的台22以及机械臂27的旋转或移动。此外，控制器41包括算术处理单元10，以基于光传感器的计算结果来控制每个脉冲马达。

其次，基于如图8所示的流程图，将对使用前述实施例的装置、用于调节晶片W的处理位置的操作设置进行描述。

首先，用于定位晶片W所需的初始条件通过启动操作单元40被设为控制器41。例如，作为初始条件，要设置晶片W的直径、保护带的基础材料的质量、保护带的总厚度、以及基础材料的颜色。当初始设置完成时，每个脉冲马达被驱动，并且旋转机构3、边缘测量机构4和升/降驱动机构都开动，藉此调节扫描的起始位置(步骤S1)。

当扫描位置的调节完成时，晶片W，以水平的状态容纳在具有一定间隔的多级层盒子中(未示出)，由机械臂27取出，提供给从其后表面吸住并支撑晶片W的传输机构5。并可安装在半导体晶片定位装置的支撑台7上(步骤S2)。

当晶片W被安装在支撑台7上时，晶片W以被吸住和支撑的状态围绕支撑台7的中央轴被旋转扫描一周。由于旋转扫描，光从光源25投射到晶片W的边缘，藉此感光电压的数据从光传感器21线性地传送到算术处理单元10(步骤S3)。

当旋转扫描完成之后，算术处理单元10使用获得的感光电压来计算晶片W的中央位置，并基于感光电压的变化量来计算V形切口K的位置(步骤S4)。

此外，算术处理单元10计算V形切口的参考位置和V形切口检测结果之间的偏移量，以及在由机械臂25取出并传输晶片W时刻中央位置的偏移量(步骤S5)。

基于获得的晶片W的中央位置的偏移量，控制器41控制驱动X轴脉冲马达15和Y轴脉冲马达16以移动X轴台12和Y轴台13，从而对准晶片W的中央位置。同时，控制器41旋转控制支撑台7，从而将V形切口K对准参考位置(步骤S6)。

当对准完成时，晶片W由机械臂27吸住并支撑，从而从支撑台7传输到存储盒子(未示出)(步骤S7)。这就是操作设置的结束。

如上所述，根据本发明半导体晶片的位置，依照诸如基础材料的质量、保护带的总厚度、颜色的条件，这些条件随着保护带类型不同而不同，来调节从光源25投射到结合晶片W表面的保护带的光强，藉此可调节穿透对应于晶片边缘的检测部位的V形切口所遮盖的保护膜的光量。换言之，有可能从光源25投射光，其中在V形切口部分透射的光可充分被光传感器21接收，从而有可能以高精度获得V形切口的位置。此外，有可能实现用使用光源25和光传感器21的简单配置来进行高精度定位的装置。

本发明不限于前述的实施例，并可以如下的修改来执行。

(1)在前述实施例中，白光从荧光管中投射到透明保护带上。但是，当保护带的基础材料被涂上颜色时，与该颜色对应的波长将投射到保护带上。在该情形中，由能够输出光的三原色(即红、蓝、绿)的发光二极管所组成的RGB-LED可用作光源，并且该装置可构成使得改变对应于保护带基础材料的颜色的波长。例如，如果基础材料是红色，则红LED的发光强度可增加，并且如果基础材料是透明的，则三原色的输出可同时增加，从而增加白光的发光强度。对于该配置，有可能使得光穿透保护带，而与保护带的基础材料和保护带的厚度无关。即，该装置具有与前述实施例相同的效果。

(2)在前述实施例中，执行光源25的电源控制，从而增加投射到保护片上的光的强度。但是，该装置可能被如此配置，例如，光源25的发光强度被设为常量。并且调节光源25和支撑台7之间的距离。在该情形中，至少一个支撑台7和光源可以朝上/朝下移动。此外，可调节光源25和光传感器21之间的距离。对于该配置，就有可能增加投射到保护带面上的光强度，从而对于保护片的光透射率增加了，藉此光传感器21能够以高精度接收投射光。即，该装置具有与前述实施例相同的效果。

(3)在前述实施例中，使用通过一次扫描而获得的感光电压，可获得晶片W的中央和V型切口的位置。但是，可通过执行两次扫描来获得V型切口的位置。在该情形中，在第一次扫描中获得晶片W的中央位置，并且其中感光电压很高的一部分被暂时确定为V型切口。在第二次扫描中，只有被暂时确定为V型切口的一部分或者是包括该部分之前和之后的一部分才会以比第一次扫描的扫描速度要慢的速度被扫描。在该方式下，通过仅获得V型切口部分的感光电压，就有可能以高精度获得V型切口的中央，藉此有可能以高精度来确定处理位置。

虽然保护带用在前述实施例中，本发明还可应用到诸如玻璃的透明基底上。

本发明还可实体化为其它特定的形式，而不脱离其精神或本质属性，并且相应地对所附权利要求(而非前述说明)做出引用，用作指示本发明的范围。

Claims (14)

1.一种用于检测在加有保护层并大体为圆盘状的半导体晶片的边缘提供的定位用的检测点、并且利用所述检测结果确定所述半导体晶片的处理位置的方法，所述方法包括如下步骤：

从光投射装置向加有保护层的半导体晶片投射对应于所述保护层的预定波长光；

调节投射到所述半导体晶片表面上的光强；

通过与所述光投射装置对置的光接收装置，接收从所述光透射装置透射到所述半导体晶片的光，其中所述半导体晶片置于所述光透射装置与所述光接收装置之间；

基于所述光接收装置中光接收量的改变，确定在半导体晶片边缘提供的检测点的位置；以及

使用从确定步骤的确定结果中所获检测点的位置信息，定位所述半导体晶片的处理位置。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述半导体晶片由支撑装置以显露其边缘的状态进行支撑，以及

在所述光接收步骤，光从所述光投射装置投射到从所述支撑装置显露的半导体晶片的边缘，并且一套光投射装置和与其对置的光接收装置以一种使所述一套光透射装置和光接收装置沿着从所述支撑装置显露的半导体晶片的边缘进行旋转扫描的方式进行相对移动。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，

在所述光接收步骤中，进行第一旋转扫描，在所述扫描中所述一套光透射装置和光接收装置沿着所述支撑装置所显露的半导体晶片的边缘旋转一周；

在所述确定步骤，基于由所述光接收装置在所述光接收步骤的旋转扫描处理中接收到的光量的改变，暂时确定检测点的位置。

在所述检测点的位置在所述确定步骤中暂时确定之后，重复所述光接收步骤，并且在所述光接收步骤中，在执行第二旋转扫描期间，其中所述一套光投射装置和光接收装置沿着所述支撑装置所显露的半导体晶片的边缘旋转一周，旋转速度在包括半导体晶片的检测点的预定区域中变得很慢，所述检测点在所述确定步骤中暂时确定，以及

在完成第二旋转扫描之后，在所述确定步骤中，基于由所述光接收装置接收到的光量变化，从包括暂时确定的检测点在内的预定区域中暂时确定所述检测点的最佳位置。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述光强调节步骤中，根据所述保护层的厚度调节光透射装置的发光强度，以便在所述光接收步骤中，使所述光接收装置在所述检测点的光接收量成为预定量。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述光强调节步骤中，根据所述保护层的厚度，在所述光透射装置的发光强度保持常量的状态下调节从所述光透射装置到所述半导体晶片的距离，以便在所述光接收步骤中，使所述光接收装置在所述检测点的光接收量成为预定量。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述光强调节步骤中，根据所述保护层的厚度，在所述光透射装置的发光强度保持常量的状态下调节从所述光透射装置到所述半导体晶片的距离，以便在所述光接收步骤中，使所述光接收装置在所述检测点的光接收量成为预定量。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述光投射步骤中，对所述光透射装置进行调节，以便使其透射与加在所述半导体晶片上的保护层颜色相对应的波长的光。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述检测点是在所述半导体晶片的边缘形成的V型切口。

9.一种用于确定加有保护层的半导体晶片的处理位置的装置，所述装置包括：

支撑装置，用于支撑加有所述保护层的半导体晶片；

光投射装置，用于将对应于所述保护层的预定波长光投射到由所述支撑装置支撑的所述半导体晶片的表面上；

光强调节装置，用于调节所述半导体晶片表面上的光强；

与所述光投射装置相对放置的光接收装置，所述半导体晶片置于其间，所述光接收装置用于接收从所述光投射装置投射的光；

移动装置，用于使一套光投射装置和光接收装置与所述支撑装置相对移动；

确定装置，用来基于在所述一套移动装置使光投射装置和光接收装置与所述支撑装置相对移动的时段期间由所述光接收装置接收的光量的变化，确定在所述半导体晶片的边缘形成的用于定位的检测点的位置；

计算装置，使用从所述确定装置的确定结果中获得的检测点的位置信息，来获得所述半导体晶片的处理位置；以及

旋转驱动装置，用于根据所述计算装置的计算结果来旋转所述支撑装置。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，

所述光强调节装置是电压控制装置，用于根据所述保护层的厚度来控制所述光投射装置的电源电压。

11.如权利要求9所述的装置，其特征在于，

所述光强调节装置是第一驱动装置，用于驱动所述光投射装置向上/向下移动。

12.如权利要求9所述的装置，其特征在于，

所述光强调节装置是第二驱动装置，用于驱动所述支撑装置向上/向下移动。

13.如权利要求9所述的装置，其特征在于，

所述光投射装置被配置为能够投射具有对应于所述保护层颜色的透射率的波长光。

14.如权利要求9所述的装置，其特征在于，

所述检测点是在所述半导体晶片的边缘形成的V型切口。

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