KR101281936B1 - 반도체 웨이퍼의 위치 결정방법 및 이것을 이용한 장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 위치 결정방법 및 이것을 이용한 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101281936B1
KR101281936B1 KR1020060000073A KR20060000073A KR101281936B1 KR 101281936 B1 KR101281936 B1 KR 101281936B1 KR 1020060000073 A KR1020060000073 A KR 1020060000073A KR 20060000073 A KR20060000073 A KR 20060000073A KR 101281936 B1 KR101281936 B1 KR 101281936B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
semiconductor wafer
light receiving
protective sheet
transmitting means
Prior art date
Application number
KR1020060000073A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060095443A (ko
Inventor
사토시 이케다
마사유키 야마모토
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20060095443A publication Critical patent/KR20060095443A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101281936B1 publication Critical patent/KR101281936B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/136—Associated with semiconductor wafer handling including wafer orienting means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

반도체 웨이퍼의 표면에 붙여진 보호 테이프의 종류에 따른 소정 파장의 광의 강도를 컨트롤러에 의해 조절하고, 해당 반도체 웨이퍼의 유지된 유지 스테이지를 회전 주사한다. 이때, 웨이퍼(W)에 형성된 위치 결정용 V노치 부분에서는, 그 표면을 덮는 보호 시트로부터 광이 투과하여, 수광센서에 의해 수광된다. 이 수광센서의 수광량의 변화에 의거해서, 검출 부위의 위치를 특정한다.
Figure R1020060000073
웨이퍼, 보호 테이프, 보호 시트, 수광센서, 파장, 광, 강도 컨트롤러

Description

반도체 웨이퍼의 위치 결정방법 및 이것을 이용한 장치{SEMICONDUCTOR WAFER POSITIONING METHOD AND APPARATUS USING THE SAME}
도 1은, 본 실시예에 관한 반도체 웨이퍼의 위치 결정장치의 개략 전체 구성을 나타내는 정면도,
도 2는, 위치 결정장치의 요부 구성을 나타내는 정면도,
도 3은, 반송기구의 요부 구성을 나타내는 단면도,
도 4는, 회전기구 주변의 사시도,
도 5는, 실시예 장치의 동작을 설명하는 도면,
도 6은, 실시예 장치의 동작을 설명하는 도면,
도 7은, 웨이퍼 주연(周緣)의 주사 결과를 나타내는 도면,
도 8은, 실시예 장치의 처리를 나타내는 플로우챠트이다.
본 발명은, 주연(周緣)에 V노치나 오리엔테이션 플랫 등 검출 부위를 갖는 반도체 웨이퍼의 해당 검출 부위의 위치 정보에 의거해서, 반도체 웨이퍼의 취급 위치를 결정하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정방법 및 이것을 이용한 장치에 관한 것 이다.
반도체 웨이퍼(이하, 단지「웨이퍼」라고 한다)는, 연삭이나 연마 등의 기계적 방법 또는 에칭을 이용한 화학적 방법 등에 의해, 이면 가공이 시행되어, 그 두께가 얇게 된다. 또한, 이들 방법을 이용하여 웨이퍼를 가공할 때, 배선 패턴이 형성된 웨이퍼 표면을 보호하기 위해서, 그 표면에 보호 테이프가 붙여진다. 그리고, 보호 테이프를 붙여서 연마 처리된 웨이퍼는, 그 주연을 광원과 수광센서에 끼워진 상태로 회전 주사되는 과정에서, 그 주연의 위치 정보가 취득된다. 이 위치 정보에 의거해서 웨이퍼의 중심위치가 구해진다(예컨대, 특개평8-279547호 공보 참조).
또한, 웨이퍼의 중심위치를 구하는 동시에, V노치나 오리엔테이션 플랫 등의 위치 결정에 이용되는 검출 부위의 위치 정보를 구하고, 해당 정보에 의거해서 웨이퍼의 취급 위치가 결정된다. 즉, 검출 부위의 위치를 기준에, 반송시나 링 모양 프레임에 지지 점착테이프를 통해서 웨이퍼 이면으로부터 접착 유지될 때의 웨이퍼 중심축 주위의 회전방향 등을 고려한 취급 위치가 결정된다.
그렇지만, 종래의 방법에서는, 다음과 같은 문제가 있다.
최근, 어플리케이션의 급속한 진보에 따라 웨이퍼의 박형화가 요구되고 있어, 150㎛ 이하까지 박형 가공되게 되어 있다. 웨이퍼가 얇게 되는 것에 따라, 웨이퍼 자체의 강성이 저하하므로, 웨이퍼에 강성을 갖게 하기 위해서 두꺼운 두께 또는 단단한 재료의 기재(基材)를 이용한 보호 테이프 등을 웨이퍼 표면에 붙이고 있다. 그렇지만, 웨이퍼 표면의 전체를 덮도록 붙여진 보호 테이프는, 거의 원형의 웨이퍼 주연에 형성된 위치 맞춤용의 V노치 부분을 투과하는 광을 차단한다. 그 때 문에, V노치 부분을 덮는 보호 테이프의 투과 광을 수광센서로 수광할 수 없게 되어 있다.
또한, 표면처리나 착색이 시행된 보호 테이프나, 두께가 증가한 보호 테이프도 존재하고, 종류에 따라서는 광을 투과하기 어려운 종류의 것도 있다.
상술한 바와 같을 경우, 웨이퍼 주연의 검출 부위의 검출은, 카메라 등의 광학계를 이용한 화상 처리시스템에 의해 용이하게 구할 수 있다. 그렇지만, 종래 장치에 화상 처리시스템을 조립하는 것이 곤란하다는 문제가 있다. 또한, 화상 처리시스템이 고가이므로, 설치 비용의 부담이 크다는 부적합도 생기고 있다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 반도체 웨이퍼 주연에 있는 검출 부위의 위치를 저렴한 구성으로 정밀도 좋게 구할 수 있는 반도체 웨이퍼의 위치 결정방법 및 이것을 이용한 장치를 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.
본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 채용한다.
보호 시트가 붙여진 대략 원판 모양의 반도체 웨이퍼의 주연부분에 있는 위치 결정용 검출 부위를 검출하고, 해당 검출 결과를 이용해서 반도체 웨이퍼의 취급 위치를 결정하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정방법에 있어서, 상기 방법은, 이하의 과정을 포함한다,
보호 시트가 붙여진 상기 반도체 웨이퍼를 향해서, 해당 보호 시트에 따른 소정 파장의 광을 투광수단으로부터 투광하는 투광과정과,
상기 반도체 웨이퍼에 투광된 면상(面上)의 광의 강도를 조절하는 광강도 조절과정과,
상기 투광수단으로부터 반도체 웨이퍼를 향해서 투광된 광을, 해당 반도체 웨이퍼를 사이에 두고 투광수단과 대향 배비(配備)된 수광수단에 의해 수광하는 수광과정과,
상기 반도체 웨이퍼의 주연부분에 있는 검출 부위의 위치를 상기 수광수단의 수광량의 변화에 의거해서 판정하는 판정과정과,
상기 판정과정의 판정 결과에 의해 구해지는 상기 검출 부위의 위치 정보를 이용하여, 해당 반도체 웨이퍼의 취급 위치를 정하는 위치 결정과정.
이 본 발명의 반도체 웨이퍼의 위치 결정방법에 의하면, 보호 시트에 따른 소정 파장의 광이, 그 광의 강도를 조절하여 반도체 웨이퍼의 면을 향해서 투광된다. 투광된 광은, 반도체 웨이퍼를 사이에 두고 투광수단과 대향 배비된 수광수단에 의해 수광된다. 그리고, 해당 수광수단의 수광량의 변화에 의거해서 반도체 웨이퍼 주연에 있는 검출 부위가 판정되어, 해당 판정 결과인 검출 부위의 위치 정보를 이용해서 반도체 웨이퍼의 취급 위치가 구해진다.
즉, 보호 시트의 종류에 따른 투과성을 갖는 파장의 광을, 보호 시트의 상태 에 따라 그 강도를 조절할 수 있으므로, 수광수단에 의한 수광량을 조절할 수 있다. 바꾸어 말하면, 수광수단의 수광량을 임의로 조절하여, 투과 광의 수광 정밀도를 높일 수 있다. 그 결과, 수광된 반도체 웨이퍼 주연에 있는 검출 부위의 위치 정보를 이용해서 반도체 웨이퍼의 취급 위치를 정밀도 좋게 구할 수 있다. 또한, 투광수단과 수광수단으로 이루어지는 저렴한 구성으로 해당 방법을 실시할 수 있다.
또, 반도체 웨이퍼는, 주연부분이 노출한 상태에서 유지수단에 의해 유지되어 있는 것이 바람직하고, 또한, 수광과정에서는 유지수단으로부터 노출한 반도체 웨이퍼의 주연부분에 투광수단으로부터 광을 투광하는 동시에, 이 투광수단과 대향 배비된 수광수단과 투광수단과의 세트(組)가 반도체 웨이퍼의 유지수단으로부터 노출한 주연부분에 따라 회전 주사하도록, 투광수단과 수광수단의 세트와, 유지수단과을 상대 이동시키는 것이 바람직하다. 더 바람직하게는, 투광수단과 수광수단의 세트를 반도체 웨이퍼의 유지수단으로부터 노출한 주연부분에 따라 1회전하는 1회째의 회전 주사를 시켜,
판정과정은, 상기 수광과정의 회전 주사의 과정에서 수광수단에 의해 수광된 수광량의 변화에 의거해서, 검출 부위의 지위(地位)를 가(假)결정하고,
판정과정에서 검출 부위의 위치를 가결정한 후에, 다시 상기 수광과정을 반복해서 행하고, 이 수광과정에 있어서 투광수단과 수광수단의 세트를 반도체 웨이퍼의 유지수단으로부터 노출한 주연부분에 따라 1회전하는 2회째의 회전 주사를 행하는 동안에, 판정과정에 의해 가결정된 반도체 웨이퍼의 검출 부위를 포함하는 소정 영역에서는, 그 회전속도를 느리게 해,
2회째의 회전 주사 종료 후에 상기 판정과정에 있어서, 수광수단에 의해 수광된 수광량의 변화에 의거해서, 가결정된 검출 부위를 포함하는 소정 영역으로부 터 검출 부위의 최적의 위치를 판정한다.
이 방법에 의하면, 검출 부위의 위치를 보다 정밀도 좋게 판정할 수 있고, 나아가서는 반도체 웨이퍼의 취급 위치를 정밀도 좋게 구할 수 있다.
또, 광강도 조절과정은, 다음과 같이 해서 광강도를 조절할 수 있다.
예컨대, 수광과정에 있어서 검출 부위에서의 수광수단의 수광량이 소정량이 되도록, 보호 시트의 두께에 따라 투광수단의 발광 강도를 조절하는 것이 바람직하다. 이 경우, 보호 시트의 두께가 두꺼워 광이 투과하기 어려울 때, 투광수단 자체의 발광 강도를 높여, 보호 시트의 광의 투과량을 증가시키도록 한다. 그 결과, 수광수단은, 소정량의 투과 광을 수광할 수 있어, 반도체 웨이퍼의 검출 부위의 위치를 정밀도 좋게 구할 수 있다.
또한, 수광과정에 있어서 검출 부위에서의 수광수단의 수광량이 소정량이 되도록, 보호 시트의 두께에 따라 투광수단의 발광 강도를 일정하게 한 상태에서, 투광수단과 반도체 웨이퍼와의 거리를 조절하는 것이 바람직하다. 이 경우, 보호 시트의 두께가 두꺼워 광이 투과하기 어려울 때, 투광수단의 발광 강도가 일정하게 유지되고 있어도, 투광수단과 반도체 웨이퍼의 거리를 짧게 하는 것에 의해, 해당 반도체 웨이퍼의 면상(面上)의 광강도를 높일 수 있다. 즉, 수광수단은, 소정량의 투과 광을 수광할 수 있어, 반도체 웨이퍼의 검출 부위의 위치를 정밀도 좋게 구할 수 있다.
또한, 수광과정에 있어서 검출 부위에서의 수광수단의 수광량이 소정량이 되도록, 투광수단의 발광 강도를 일정하게 한 상태에서, 투광수단으로부터 수광수단 까지의 거리를 조절하는 것이 바람직하다. 이 경우, 보호 시트의 두께가 두꺼워 광이 투과하기 어려울 때, 투광수단의 발광 강도가 일정하게 유지되고 있어도, 투광수단과 수광수단의 거리를 짧게 하는 것에 의해, 해당 반도체 웨이퍼의 면상의 광강도를 높일 수 있다. 즉, 수광수단은, 소정량의 투과 광을 수광할 수 있어, 반도체 웨이퍼의 검출 부위의 위치를 정밀도 좋게 구할 수 있다.
또한, 투광과정에서는 반도체 웨이퍼에 붙여진 보호 시트의 색에 따른 파장의 광을 투광하도록 투광수단을 조절하는 것이 바람직하다.
이 방법에 의하면, 보호 시트의 색에 따른 높은 투과율을 갖는 파장의 광을 투광할 수 있다. 즉, 보호 시트의 색에 관계없이, 보호 시트에 광을 투과시킬 수 있으므로, 반도체 웨이퍼 주연의 검출 부위를 덮는 보호 시트로부터의 투과 광을 수광수단에 의해 정밀도 좋게 수광할 수 있다.
또, 검출 부위로서는, 반도체 웨이퍼의 주연부분에 형성된 V노치를 들 수 있다.
또한, 본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 채용한다.
보호 시트가 붙여진 반도체 웨이퍼의 취급 위치를 결정하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정장치에 있어서, 상기 장치는, 이하의 요소를 포함한다,
상기 보호 시트가 붙여진 반도체 웨이퍼를 유지하는 유지수단과,
상기 유지수단에 유지된 반도체 웨이퍼의 면을 향해서, 해당 보호 시트에 따른 소정 파장의 광을 투광하는 투광수단과,
상기 반도체 웨이퍼의 면상의 광의 강도를 조절하는 광강도 조절수단과,
상기 반도체 웨이퍼를 사이에 두고 상기 투광수단과 대향 배비되어, 투광수단으로부터 투광된 광을 수광하는 수광수단과,
상기 투광수단과 수광수단의 세트와, 상기 유지수단을 상대 이동시키는 이동수단과,
상기 이동수단에 의해 투광수단과 수광수단의 세트와, 상기 유지수단을 상대 이동시키는 사이에 해당 수광수단에 의한 수광량의 변화에 의거해서, 반도체 웨이퍼의 주연부분에 있는 위치 결정용 검출 부위의 위치를 판정하는 판정수단과,
상기 판정수단의 판정 결과에 의해 구해지는 상기 검출 부위의 위치 정보를 이용해서 해당 반도체 웨이퍼의 취급 위치를 구하는 연산수단과,
상기 연산수단의 연산 결과에 따라 상기 유지수단을 회전시키는 회전 구동수단.
본 발명의 반도체 웨이퍼의 위치 결정장치에 의하면, 반도체 웨이퍼의 면상에 투광되는 보호 시트의 종류에 따른 소정 파장의 광의 강도를 조절할 수 있다. 즉, 반도체 웨이퍼 면상에 투광된 광의 강도를 높일 수 있으므로, 보호 시트의 종류에 관계없이 수광수단에서의 투과 광의 수광량을 일정하게 유지할 수 있다. 즉, 반도체 웨이퍼 주연부분에 있는 검출부의 보호 테이프를 투과하는 광을 수광수단은 정밀도 좋게 수광할 수 있으므로, 검출 부위를 정밀도 좋게 구할 수 있다.
또, 광강도 조절수단은, 보호 시트의 두께에 따라 투광수단의 공급 전압을 제어하는 전압 제어수단인 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 예컨대, 보호 시트의 두께가 두꺼워 광이 투과하기 어려울 경우, 투광수단으로의 공급 전압을 올려서 발광 강도를 높이고, 보호 시트의 광의 투과량을 증가시키도록 한다. 그 결과, 수광수단은, 소정량의 투과 광을 수광 할 수 있어, 반도체 웨이퍼 주연의 검출 부위의 위치를 정밀도 좋게 구할 수 있다.
또한, 광강도 조절수단은, 예컨대, 투광수단을 승강 구동시키는 제1 구동수단이나, 유지수단을 승강 구동시키는 제2 구동수단 등을 들 수 있다.
이 구성에 의하면, 투광수단과 보호 시트 또는 투광수단과 수광수단의 거리를 변화시킬 수 있다. 즉, 투광수단과 반도체 웨이퍼와의 거리를 짧게 하는 것에 의해, 보호 시트에 투광되는 광의 강도를 높일 수 있으므로, 보호 시트의 투과량을 증가시키고, 수광수단에서의 투과 광의 수광량을 증가시킬수 있다. 그 결과, 반도체 웨이퍼 주연의 검출 부위의 위치를 정밀도 좋게 구할 수 있다.
또한, 투광수단은, 보호 시트의 색에 따른 투과성을 갖는 파장의 광을 투광가능하게 구성되어 있는 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 보호 시트의 색에 관계없이, 보호 시트에 광을 투과시킬 수 있으므로, 반도체 웨이퍼 주연의 검출 부위를 덮는 보호 시트로부터의 투과 광을 수광수단에 의해 정밀도 좋게 수광할 수 있다.
본 발명을 설명하기 위해서 현재 바람직하다고 생각되는 몇개의 형태가 도시되어 있지만, 발명이 도시된 대로의 구성 및 방책에 한정되는 것은 아닌 것으로 이해해야 한다.
이하, 도면을 참조해서 본 발명의 반도체 웨이퍼의 위치 결정장치의 실시예 를 설명한다.
도 1은, 본 발명의 실시예에 관한 반도체 웨이퍼의 위치 결정장치의 평면도, 도 2는, 반도체 웨이퍼의 위치 결정장치의 요부 구성을 나타내는 정면도이다.
본 발명의 반도체 웨이퍼의 중심 결정장치는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(이하, 단지「웨이퍼」라고 말한다)(W)를 유지해서 회전시키는 회전기구(2)와, 해당 회전기구(2)에 유지된 웨이퍼(W)의 주연을 측정하는 주연부 측정기구(3)와, 회전기구(2)의 회전 각도 및 해당 회전 각도에 대응하는 웨이퍼(W)의 주변의 위치 데이터를 수집해서 소정의 연산하는 연산 처리부(도시 생략)와, 회전기구(2)를 회전축에 대하여 승강 가능하게 하는 승강 구동기구(4)와, 회전기구(2)에 웨이퍼(W)를 반입 및 반출하는 반송기구(5)로 구성되어 있다.
또, 회전기구(2)는, 본 발명의 이동수단에, 승강 구동기구(4)는 제2 구동수단에 각각 상당한다.
회전기구(2)는, 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 상면에 형성된 흡착 구멍(6)에 의해 웨이퍼 이면을 흡착하는 원통 모양의 유지 스테이지(7)와, 해당 유지 스테이지(7)을 회전 자유로이 유지하는 스테이지 받이부(受部)(8)로 구성되어 있다. 또, 유지 스테이지(7)는, 본 발명의 유지수단에 상당한다.
또한, 유지 스테이지(7)의 하부에는 회전용 펄스 모터(9)가 연설(連設)되어 있고, 해당 회전용 펄스 모터(9)의 구동에 의해 회전기구(2)를 회전 가능하게 하고 있다. 또, 회전용 펄스 모터(9)는 승강 구동기구(4)에 고정되어 있다. 또한, 일정한 회전 각도마다 디지털 신호의 펄스를 회전용 펄스 모터(9)로부터 후술하는 연산 처리부(10)로 송신하고 있다. 또, 일정한 회전 각도로서는, 예컨대, 0.036도이며, 회전기구(2)가 1회전하는 것에 의해 컨트롤러(41)에 구비한 연산 처리부(10)에는 1000 펄스의 디지털 신호가 송신된다. 또한, 흡착 구멍(6)에는, 스테이지 받이부(8)의 구멍(11)을 통해서 도시하지 않은 흡인장치가 연통(連通)되어 있다. 즉, 웨이퍼(W)를 흡착하기 위한 흡인력이, 흡착 장치로부터 흡착 구멍(6)에 부여되고 있다.
승강 구동기구(4)는, 도면 중에 나타내는 X축 방향으로 슬라이드 가능한 X축 스테이지(12)와, Y축 방향으로 이동 가능한 Y축 스테이지(13)로 구성되어 있다. X축 스테이지(12)는, 해당 장치의 베이스(1)에 부설된 X축 리니어 가이드(14)에 재치(載置)되어 있고, 베이스(1)에 고정된 X축 펄스 모터(15)의 구동에 의해 X축 방향에 따라 왕복이동 가능하게 설치되어 있다.
또한, Y축 스테이지(13)는, X축 스테이지(12)에 부설된 Y축 리니어 가이드(16)에 재치되어 있고, X축 스테이지(12)에 고정된 Y축 펄스 모터(17)의 구동에 의해 Y축 방향에 따라 왕복이동 가능하게 설치되어 있다. 해당 Y축 스테이지(13)에는 스테이지 받이부(8) 및 회전용 펄스 모터(9)가 고정되어 있다.
주연부 측정기구(3)는, 유지 스테이지(7)의 측방에 설치되어 있다. 또한, 주연부 측정기구(3)는, 거의 L자 모양의 통체(筒體)(18)와, 해당 통체(18) 안에 개재된 미러(19)와, 렌즈(20)와, 수광센서(21)로 구성되어 있다. 또, 수광센서(21)는, 본 발명의 수광수단에 상당한다.
미러(19)는, 통체(18)의 거의 L자 모양의 굴절부 내에 배비되어 있다. 즉, 이 통체(20)의 상방 개구부로부터 입사하는 광을 도면 중 우측의 수광센서(21)를 향해서 반사시키기 위해, 도면 중 정면 시야에서 경사 45도로 고정 배비되어 있다.
수광센서(21)는, 미러(19)의 측방인 통체(18)의 길이방향의 단부에 고정되어 있다. 또한, 렌즈(20)는, 미러(19)로부터의 반사광을 수광센서(21)에서 집광하도록, 통체(20) 내의 미러(19)와 수광센서(21)와의 사이에 고정 배비되어 있다. 또, 수광센서(21)는, 복수의 수광성 소자가 직선 상에 배열된 일차원의 라인 센서이며, 해당 라인 센서에 의해 수광한 수광 데이터를 후술하는 연산 처리부(10)로 송신하고 있다.
또한, 주연부 측정기구(3)는, 도 2의 수평방향의 화살표로 나타내는 회전기구(2)의 반경 방향으로 이동 가능한 측정용 스테이지(22)에 고정되어 있다. 측정용 스테이지(22)는, 베이스(1)에 부설된 측정용 리니어 가이드(23)에 재치되어 있다. 즉, 주연부 측정기구(3)는, 측정용 스테이지(22)가 측정용 펄스 모터(24)의 구동에 의해, 회전기구(2)의 반경 방향으로 이동하도록 구성되어 있다. 또한, 측정용 스테이지(22)에는, 웨이퍼(W)의 주연부를 향해서 광을 투광하는 광원(25)이 배비되어 있다.
광원(25)은, 웨이퍼(W)의 위치를 용이하게 검출할 수 있도록 웨이퍼(W)의 주연부 및 미러(19)의 상방에 설치되어 있고, 웨이퍼(W)의 주연을 향해서 광을 투광한다. 즉, 웨이퍼(W)의 표면에 붙여진 보호 테이프의 종류에 따라 미리 결정된 파장 및 광 강도가 되도록 광원(25)의 파장 대역 및 전압 등의 여러 가지 조건이 조작부(40)로부터 컨트롤러(41)로 입력되어, 해당 입력 조건에 의거해서 컨트롤러 (41)가 광원(25)의 전압 및 파장대역을 제어한다. 본 실시예의 경우, 파장 300~800nm의 백색광을 출력하는 형광관이 사용된다. 또, 광원(25)은, 본 발명의 투광수단에, 컨트롤러(41)는 전압 제어수단에 상당한다.
또, 보호 테이프의 종류에는, 기재(基材)의 재질, 색, 기재의 표면처리 상태 및 보호 테이프의 두께 등이 포함된다.
연산 처리부(10)는, 웨이퍼(W)의 중심위치를 산출하는 동시에, 웨이퍼 주연에 형성된 V노치의 위치를 구한다. 웨이퍼 중심위치는, 우선, 도 4로부터 도 6에 나타내는 바와 같이, 유지 스테이지(7)를 회전시키면서 광원(25)으로부터 웨이퍼 주연부분에 투광되는 광을 수광센서(21)에 의해 리니어로 수광되었을 때의 수광전압을 이용하여, 웨이퍼 주연의 위치 정보를 구한다. 그리고, 웨이퍼(W)의 면상의 어느 일점으로부터 주연(周緣)까지의 거리를 산출하여, 얻어진 거리 데이터 중 큰 것으로부터 소정 비율의 거리 데이터의 분산을 계산해서 중심위치를 결정한다. 또, 웨이퍼(W)의 중심위치의 결정은, 이 연산 방법에 한정되는 것은 아니고, 최소 제곱법 등을 이용해서 구해도 좋다.
또한, 연산 처리부(10)는, 수광센서(21)로부터의 수광전압의 변화량에 의거해서, V노치의 위치를 판정하고 있다. 예컨대, 도 4에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 1회의 회전 주사에 의해 수광센서(21)로부터는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 수광전압이 시간적으로 변화하는 데이터가 취득된다. 즉, 웨이퍼 주연이 연속적인 원호(圓弧)인 경우는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 수광센서(21)가 웨이퍼(W)에 의해 광이 차폐된다. 따라서, 수광전압은, 도 7에 나타내는 바와 같이, 낮아서 일정 하게 된다. 그렇지만, 도 6에 나타내는 바와 같이, V노치(K)의 부분은, 보호 테이프(P)가 웨이퍼(W)로부터 노출하고 있으므로, 광을 투과한다. 그 때문에, 수광센서(21)에 의해 투과 광이 수광된다. 따라서, 도 7의 파선으로 나타내는 범위와 같이, 수광전압은 일시적으로 높아진다. 이 수광전압의 피크 값이 되는 개소의 전후 소정 전압 이상이 되는 부분을 V노치(K)로 판정하고 있다.
게다가, 연산 처리부(10)는, V노치(K)의 위치가 구해지면 다음에 처리를 한다. 웨이퍼(W)를 집어내서 반송할 때, 다음 공정에서, 예컨대, 링 모양 프레임에 마운트 될 때 등의 위치(기준위치)을 고려하여, 해당 검출 위치와 V노치의 기준위치와의 차이량을 산출한다. 또, 연산 처리부(10)는, 본 발명의 판정수단 및 연산수단으로서 기능한다.
다음에, 반송기구(5)는, 도 1 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 반송시에 웨이퍼(W)의 패턴이 형성된 표면에 붙여진 보호 테이프의 표면을 흡착 유지하는 흡착 홈(26)을 갖는 말굽형을 한 로보트 암(27)과, 해당 로보트 암(27)을 상하 수평방향으로 자유로이 이동할 수 있는 암 이동테이블(28)로 구성되어 있다.
암 이동테이블(28)은, 상하 방향으로 이동 자유로이 반송기 베이스(29)에 설치된 Z축 스테이지(30)와, Z축 스테이지(30)에 회전 가능하게 설치된 θ축 스테이지(31)와, θ축 스테이지(31)의 반경 방향으로 진출 자유로이 θ축 스테이지(31)에 설치된 R축 스테이지(32)로 구성되어 있다. 여기에서, Z축 스테이지(30), θ축 스테이지(31) 및 R축 스테이지(32)는, 각각 반송기 베이스(29)에 재치 고정된 Z축 펄스 모터(33), Z축 스테이지(30)에 재치 고정된 θ축 펄스 모터(34) 및 θ축 스테이 지(31)에 고정된 R축 펄스 모터(35)의 각각의 구동에 의해 이동 또는 회전 가능하게 설치되어 있다.
상술한 모든 펄스 모터는, 유지 스테이지(7), X축 스테이지(12), Y축 스테이지(13), 측정용 스테이지(22) 및 로보트 암(27)의 회전 또는 이동을 제어하도록, 컨트롤러(40)에 접속되어 있다. 또한, 컨트롤러(40)는, 연산 처리부(10)를 구비하고, 수광센서의 연산 결과에 의해 각 펄스 모터를 제어하기 위해, 연산 처리부(10)에 접속되어 있다.
다음에, 상술의 실시예 장치를 이용해서 웨이퍼(W)의 취급 위치를 조절하는 일련의 동작에 대해서 도 8에 나타내는 플로우 챠트에 의거해서 설명한다.
우선, 웨이퍼(W)의 위치 맞춤에 필요한 초기조건을, 조작부(40)를 조작해서 컨트롤러(41)에 설정한다. 초기조건으로서는, 예컨대, 웨이퍼(W)의 지름, 보호 테이프의 기재의 재질, 보호 테이프의 총 두께, 기재의 색 등이 설정된다. 초기 설정이 완료하면, 각 펄스 모터가 구동하고, 회전기구(3), 주변 측정기구(4) 및 승강 구동 기구의 각각이 작동하고, 주사 개시위치가 조정된다(스텝 S1).
주사 위치의 조정이 완료하면, 도시하지 않은 카세트에 소정 간격을 두고 수평상태로 다단(多段)에 수납된 웨이퍼(W)를, 반송기구(5)에 구비한 로보트 암(27)이 이면으로부터 흡착 유지해서 집어내고, 반도체 웨이퍼의 위치 결정장치의 유지 스테이지(7)에 재치한다(스텝 S2).
유지 스테이지(7)에 재치되면, 웨이퍼(W)는 흡착 유지된 상태에서 유지 스테이지(7)의 중심축 주위에 1회의 회전 주사가 된다. 이 회전 주사에 따라, 광원(25) 으로부터 웨이퍼(W)의 주연을 향해서 광이 투광되어, 수광센서(21)로부터 리니어로 수광전압의 데이터가 연산 처리부(10)에 송신된다(스텝 S3).
회전 주사가 종료하면, 연산 처리부(10)가, 취득된 수광전압을 이용해서 웨이퍼(W)의 중심위치를 구하는 동시에, 수광전압의 변화량에 의거해서 V노치(K)의 위치를 구한다(스텝 S4).
또한, 연산 처리부(10)는, 웨이퍼(W)를 로보트 암(25)에 의해 집어내서 반송할 때 V노치의 기준위치와 검출 결과의 V노치의 차이량과, 중심위치의 차이량을 산출한다(스텝 S5).
컨트롤러(41)는, 구한 웨이퍼(W)의 중심위치의 차이량에 의거해서, X축 펄스 모터(15) 및 Y축 펄스 모터(16)를 구동 제어하여 X축 스테이지(12) 및 Y축 스테이지(13)의 각각을 이동시켜서 웨이퍼(W)의 중심위치를 맞춘다. 또한, 동시에, 유지 스테이지(7)의 회전 제어해서 V노치(K)를 기준 위치에 맞춘다(스텝 S6).
위치 맞춤이 종료하면, 로보트 암(27)에 의해 흡착 유지되어 유지 스테이지(7)로부터 도시하지 않는 수납 카세트로 반송된다(스텝 S7). 이상에서 일련의 동작이 종료한다.
이상과 같이, 본 발명에 반도체 웨이퍼의 위치에 의하면, 보호 테이프의 종류마다 다른 조건, 예컨대 기재의 재질, 보호 테이프의 총 두께 및 색 등에 따라, 광원(25)으로부터 웨이퍼(W)의 표면에 붙여진 보호 테이프에 투광되는 광의 강도를 조절하는 것에 의해, 웨이퍼 주연의 검출 부위에 상당하는 V노치 부분을 덮는 보호 시트를 투과하는 투과 광의 양을 조절할 수 있다. 즉, 수광센서(21)에 의해 V노치 부분의 투과 광을 충분히 수광 가능한 광을 광원(25)으로부터 투광시킬 수 있어, V노치의 위치를 정밀도 좋게 구할 수 있다. 또한, 광원(25)과 수광센서(21)를 이용한 간소한 구성에 의해, 위치 결정 정밀도의 높은 장치를 실현할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시예의 것에 한정되지 않고, 다음과 같이 변형 실시할 수도 있다.
(1) 상기 실시예에서는, 투명한 보호 테이프에 대하여 백색광을 형광관으로부터 투광하고 있었지만, 보호 테이프의 기재에 착색이 시행되어 있는 경우에는, 착색에 따른 파장을 보호 테이프에 투광하도록 구성해도 좋다. 이 경우, 광의 3원색의 빨강, 파랑, 초록을 출력 가능한 발광 다이오드에 의해 구성된 RGB-LED를 광원에 사용하고, 보호 시트의 기재의 색에 따라 파장을 바꾸도록 구성한다. 예컨대, 기재의 색이 빨강인 경우는, 적색 LED의 발광 강도를 높이고, 기재의 색이 투명한 경우는, 3색의 출력을 동시에 올려서 백색의 발광 강도를 높이도록 하면 좋다. 이렇게 구성하는 것에 의해, 보호 테이프의 기재의 색 및 보호 테이프의 두께에 관계없이, 보호 테이프에 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 상기 실시예와 같은 효과가 있다.
(2) 상기 실시예에서는, 보호 시트에 투광되는 광의 강도를 높이기 위해서, 광원(25)의 전압제어를 행하였지만, 다음과 같이 구성해도 좋다. 예컨대, 광원(25)의 발광 강도는 일정하게 하고, 광원(25)과 유지 스테이지(7)의 거리를 조절해도 좋다. 이 경우, 유지 스테이지(7) 또는 광원(25)의 적어도 어느 쪽인가 한쪽을 승 강시키면 좋다. 또한, 광원(25)과 수광센서(21)의 거리를 조절해도 좋다. 이렇게 구성하는 것에 의해, 보호 테이프에 투광되는 면상의 광강도를 높일 수 있으므로, 보호 시트에 대한 광의 투과율이 높아지고, 수광센서(21)는 투과 광을 정밀도 좋게 수광할 수 있다. 즉, 상기 실시예와 같은 효과가 있다.
(3) 상기 실시예에서는, 1회의 주사로 취득한 수광전압을 이용하여, 웨이퍼(W)의 중심과 V노치의 위치를 구하고 있었지만, 2회 주사를 행해, V노치의 위치를 구해도 좋다. 이 경우, 1회째의 주사에서 웨이퍼(W)의 중심위치를 구하는 동시에, 수광전압의 높은 부분을 V노치로 가(假)결정한다. 2회째의 주사시에는, V노치와 가결정한 부분 또는 그 전후를 포함하는 부분만을, 1회째의 주사 속도보다도 느린 속도로 주사한다. 이렇게 하여 V노치 부분만의 수광전압을 취득하는 것에 의해, V노치의 중심을 정밀도 좋게 구할 수 있고, 나아가서는 취급 위치를 정밀도 좋게 정할 수 있다.
(4) 상기 실시예에서는, 보호 테이프를 이용하고 있었지만, 유리 등의 투명기판에도 적용할 수 있다.
본 발명은, 그 사상 또는 본질로부터 이탈하지 않고 다른 구체적 형태로 실시할 수 있고, 따라서, 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명이 아니라, 부가된 청구항을 참조해야 한다.

Claims (14)

  1. 보호 시트가 붙여진 원판 모양의 반도체 웨이퍼의 주연(周緣)부분에 있는 위치 결정용 검출 부위를 검출하고, 해당 검출 결과를 이용해서 반도체 웨이퍼의 취급 위치를 결정하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정방법에 있어서,
    상기 방법은,
    보호 시트가 붙여진 상기 반도체 웨이퍼를 향해서, 해당 보호 시트에 따른 소정 파장의 광을 투광수단으로부터 투광하는 투광과정;
    상기 반도체 웨이퍼에 투광된 면상(面上)의 광의 강도를 조절하는 광강도 조절과정;
    상기 투광수단으로부터 반도체 웨이퍼를 향해서 투광된 광을, 해당 반도체 웨이퍼를 사이에 두고 투광수단과 대향 배비(配備)된 수광수단에 의해 수광하는 수광과정;
    상기 반도체 웨이퍼의 주연부분에 있는 검출 부위의 위치를 상기 수광수단의 수광량의 변화에 의거해서 판정하는 판정과정;
    상기 판정과정의 판정 결과에 의해 구해지는 상기 검출 부위의 위치 정보를 이용하여, 해당 반도체 웨이퍼의 취급 위치를 정하는 위치 결정과정을 포함하며,
    상기 광강도 조절과정은, 수광과정에 있어서 검출 부위에서의 수광수단의 수광량이 소정량이 되도록, 보호 시트의 두께에 따라 투광수단의 발광 강도를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는, 주연부분이 노출한 상태에서 유지수단에 의해 유지되어 있고,
    상기 수광과정에서는 상기 유지수단으로부터 노출한 반도체 웨이퍼의 주연부분에 투광수단으로부터 광을 투광하는 동시에, 이 투광수단과 대항 배비된 상기 수광수단과 투광수단과의 세트(組)가 상기 반도체 웨이퍼의 유지수단으로부터 노출한 주연부분에 따라 회전 주사하도록, 투광수단과 수광수단의 세트와, 유지수단을 상대 이동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 수광과정은, 상기 투광수단과 상기 수광수단의 세트를 상기 반도체 웨이퍼의 유지수단으로부터 노출한 주연부분에 따라 1회전하는 1회째의 회전 주사를 시켜,
    상기 판정과정은, 상기 수광과정의 회전 주사의 과정에서 수광수단에 의해 수광된 수광량의 변화에 의거해서, 검출 부위의 지위(地位)를 가(假)결정하고,
    상기 판정과정에서 검출 부위의 위치를 가결정한 후에, 다시 상기 수광과정을 반복해서 행하고, 이 수광과정에 있어서 상기 투광수단과 수광수단의 세트를 상기 반도체 웨이퍼의 유지수단으로부터 노출한 주연부분에 따라 1회전하는 2회째의 회전 주사를 행하는 동안에, 상기 판정과정에 의해 가결정된 반도체 웨이퍼의 검출 부위를 포함하는 소정 영역에서는, 그 회전속도를 느리게 해,
    상기 2회째의 회전 주사 종료 후에 상기 판정과정에 있어서, 상기 수광수단 에 의해 수광된 수광량의 변화에 의거해서, 가결정된 검출 부위를 포함하는 소정 영역으로부터 검출 부위의 최적의 위치를 판정하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정방법.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 광강도 조절과정은, 수광과정에 있어서 검출 부위에서의 수광수단의 수광량이 소정량이 되도록, 보호 시트의 두께에 따라 투광수단의 발광 강도를 일정하게 한 상태에서, 투광수단으로부터 반도체 웨이퍼까지의 거리를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 광강도 조절과정은, 수광과정에 있어서 검출 부위에서의 수광수단의 수광량이 소정량이 되도록, 투광수단의 발광 강도를 일정하게 한 상태에서, 투광수단으로부터 수광수단까지의 거리를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 투광과정에서는, 반도체 웨이퍼에 붙여진 보호 시트의 색에 따른 파장의 광을 투광하도록 투광수단을 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 검출 부위는, 반도체 웨이퍼의 주연부분에 형성된 V노치인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정방법.
  9. 보호 시트가 붙여진 반도체 웨이퍼의 취급 위치를 결정하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정장치에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 보호 시트가 붙여진 반도체 웨이퍼를 유지하는 유지수단;
    상기 반도체 웨이퍼의 검출부위에서의 수광수단의 수광량이 소정량이 되도록, 상기 보호 시트의 두께에 따라 투광수단의 공급전압을 제어하는 광강도 조절수단으로서의 전압 제어수단;
    상기 유지수단에 유지된 반도체 웨이퍼의 면(面)을 향해서, 해당 보호 시트에 따른 소정 파장의 광을 투광하는 투광수단;
    상기 반도체 웨이퍼의 면상의 광의 강도를 조절하는 광강도 조절수단;
    상기 반도체 웨이퍼를 사이에 두고 상기 투광수단과 대향 배비되어, 투광수단으로부터 투광된 광을 수광하는 수광수단;
    상기 투광수단과 수광수단의 세트와, 상기 유지수단을 상대 이동시키는 이동수단;
    상기 이동수단에 의해 투광수단과 수광수단의 세트와, 상기 유지수단을 상대 이동시키는 동안에 해당 수광수단에 의한 수광량의 변화에 의거해서, 반도체 웨이퍼의 주연부분에 있는 위치 결정용 검출 부위의 위치를 판정하는 판정수단;
    상기 판정수단의 판정 결과에 의해 구해지는 상기 검출 부위의 위치 정보를 이용해서 해당 반도체 웨이퍼의 취급 위치를 구하는 연산수단;
    상기 연산수단의 연산 결과에 따라 상기 유지수단을 회전시키는 회전 구동수단을 포함하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정장치.
  10. 삭제
  11. 보호 시트가 붙여진 반도체 웨이퍼의 취급 위치를 결정하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정장치에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 보호 시트가 붙여진 반도체 웨이퍼를 유지하는 유지수단;
    상기 유지수단에 유지된 반도체 웨이퍼의 면(面)을 향해서, 해당 보호 시트에 따른 소정 파장의 광을 투광하는 투광수단;
    상기 반도체 웨이퍼의 검출부위에서의 수광수단의 수광량이 소정량이 되도록, 상기 보호 시트의 두께에 따라 상기 투광수단을 승강 구동시키는 광강도조절수단으로서의 제1 구동수단;
    상기 반도체 웨이퍼를 사이에 두고 상기 투광수단과 대향 배비되어, 투광수단으로부터 투광된 광을 수광하는 수광수단;
    상기 투광수단과 수광수단의 세트와, 상기 유지수단을 상대 이동시키는 이동수단;
    상기 이동수단에 의해 투광수단과 수광수단의 세트와, 상기 유지수단을 상대 이동시키는 동안에 해당 수광수단에 의한 수광량의 변화에 의거해서, 반도체 웨이퍼의 주연부분에 있는 위치 결정용 검출 부위의 위치를 판정하는 판정수단;
    상기 판정수단의 판정 결과에 의해 구해지는 상기 검출 부위의 위치 정보를 이용해서 해당 반도체 웨이퍼의 취급 위치를 구하는 연산수단;
    상기 연산수단의 연산 결과에 따라 상기 유지수단을 회전시키는 회전 구동수단을 포함하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정장치.
  12. 보호 시트가 붙여진 반도체 웨이퍼의 취급 위치를 결정하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정장치에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 보호 시트가 붙여진 반도체 웨이퍼를 유지하는 유지수단;
    상기 유지수단에 유지된 반도체 웨이퍼의 면(面)을 향해서, 해당 보호 시트에 따른 소정 파장의 광을 투광하는 투광수단;
    상기 반도체 웨이퍼의 검출부위에서의 수광수단의 수광량이 소정량이 되도록, 상기 보호 시트의 두께에 따라 상기 유지수단을 승강 구동시키는 광강도 조절수단으로서의 제2 구동수단;
    상기 반도체 웨이퍼를 사이에 두고 상기 투광수단과 대향 배비되어, 투광수단으로부터 투광된 광을 수광하는 수광수단;
    상기 투광수단과 수광수단의 세트와, 상기 유지수단을 상대 이동시키는 이동수단;
    상기 이동수단에 의해 투광수단과 수광수단의 세트와, 상기 유지수단을 상대 이동시키는 동안에 해당 수광수단에 의한 수광량의 변화에 의거해서, 반도체 웨이퍼의 주연부분에 있는 위치 결정용 검출 부위의 위치를 판정하는 판정수단;
    상기 판정수단의 판정 결과에 의해 구해지는 상기 검출 부위의 위치 정보를 이용해서 해당 반도체 웨이퍼의 취급 위치를 구하는 연산수단;
    상기 연산수단의 연산 결과에 따라 상기 유지수단을 회전시키는 회전 구동수단을 포함하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정장치.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 투광수단은, 상기 보호 시트의 색에 따른 투과성을 갖는 파장의 광을 투광 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정장치.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 검출 부위는, 반도체 웨이퍼의 주연부분에 형성된 V노치인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 위치 결정장치.
KR1020060000073A 2005-02-28 2006-01-02 반도체 웨이퍼의 위치 결정방법 및 이것을 이용한 장치 KR101281936B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005053541A JP4803703B2 (ja) 2005-02-28 2005-02-28 半導体ウエハの位置決定方法およびこれを用いた装置
JPJP-P-2005-00053541 2005-02-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060095443A KR20060095443A (ko) 2006-08-31
KR101281936B1 true KR101281936B1 (ko) 2013-07-05

Family

ID=36932449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060000073A KR101281936B1 (ko) 2005-02-28 2006-01-02 반도체 웨이퍼의 위치 결정방법 및 이것을 이용한 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7346415B2 (ko)
JP (1) JP4803703B2 (ko)
KR (1) KR101281936B1 (ko)
CN (1) CN100505205C (ko)
TW (1) TWI372439B (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7612185B2 (en) * 2003-03-07 2009-11-03 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Nucleic acid biosensors
US7892734B2 (en) * 2005-08-11 2011-02-22 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Aptamer based colorimetric sensor systems
WO2008089248A2 (en) * 2007-01-19 2008-07-24 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Amphiphilic substances and triggered liberation from lipid vesicles
JP5022793B2 (ja) * 2007-07-02 2012-09-12 日東電工株式会社 半導体ウエハの欠陥位置検出方法
WO2009012309A2 (en) * 2007-07-16 2009-01-22 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Nucleic acid based fluorescent sensor for divalent copper ion detection
US8568690B2 (en) * 2007-07-31 2013-10-29 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois MRI contrast agents and high-throughput screening by MRI
US20100105039A1 (en) * 2008-06-03 2010-04-29 Yi Lu Label-free colorimetric detection
JP5384220B2 (ja) * 2009-06-22 2014-01-08 東京応化工業株式会社 アライメント装置およびアライメント方法
JP5949741B2 (ja) * 2013-12-19 2016-07-13 株式会社安川電機 ロボットシステム及び検出方法
CN104748676A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 位置检测装置和传输系统
CN105097601A (zh) * 2014-04-17 2015-11-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶片校准装置以及半导体加工设备
KR101609695B1 (ko) * 2014-11-14 2016-04-20 (주)로봇앤드디자인 영상촬상소자를 이용한 투명 웨이퍼 정렬 장치 및 방법
KR101616464B1 (ko) * 2014-11-18 2016-04-29 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 연마장비의 웨이퍼 로딩장치 및 웨이퍼 로딩위치 조정 방법
CN105762101B (zh) * 2014-12-19 2019-02-19 北京北方华创微电子装备有限公司 晶片定位装置及方法
WO2020180470A1 (en) * 2019-03-01 2020-09-10 Applied Materials, Inc. Transparent wafer center finder

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000508070A (ja) * 1996-03-29 2000-06-27 ラム リサーチ コーポレイション ウエハ状物体の中心とオリエンテーションを決定する方法および装置
JP2002093692A (ja) * 2000-09-20 2002-03-29 Komatsu Ltd 半導体ウェハのノッチ面取部平面部分の光学的処理装置とその処理方法。
JP2003258062A (ja) * 2002-03-04 2003-09-12 Nitto Denko Corp 円板状体の位置合わせ装置およびその方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2642216B2 (ja) * 1989-05-23 1997-08-20 サイベック システムズ 半導体物品の予備位置決め方法及び装置
JP3820278B2 (ja) * 1995-04-07 2006-09-13 日東電工株式会社 円板状体の中心決定装置
US5644400A (en) * 1996-03-29 1997-07-01 Lam Research Corporation Method and apparatus for determining the center and orientation of a wafer-like object
JPH11317439A (ja) * 1998-05-01 1999-11-16 Nec Corp 位置決め装置
JP2006073603A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Takatori Corp ウエハのアライメント方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000508070A (ja) * 1996-03-29 2000-06-27 ラム リサーチ コーポレイション ウエハ状物体の中心とオリエンテーションを決定する方法および装置
JP2002093692A (ja) * 2000-09-20 2002-03-29 Komatsu Ltd 半導体ウェハのノッチ面取部平面部分の光学的処理装置とその処理方法。
JP2003258062A (ja) * 2002-03-04 2003-09-12 Nitto Denko Corp 円板状体の位置合わせ装置およびその方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI372439B (en) 2012-09-11
US7346415B2 (en) 2008-03-18
JP4803703B2 (ja) 2011-10-26
US20060194406A1 (en) 2006-08-31
CN100505205C (zh) 2009-06-24
TW200631121A (en) 2006-09-01
KR20060095443A (ko) 2006-08-31
CN1828860A (zh) 2006-09-06
JP2006237501A (ja) 2006-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101281936B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 위치 결정방법 및 이것을 이용한 장치
US7519448B2 (en) Method for determining position of semiconductor wafer, and apparatus using the same
KR100984490B1 (ko) 얼라인먼트 장치
KR101383746B1 (ko) 고속 기판 정렬 장치
US20090016857A1 (en) Substrate-replacing apparatus, substrate-processing apparatus, and substrate-inspecting apparatus
KR20190111764A (ko) 연삭 장치
JP5438963B2 (ja) 板状部材の位置認識装置および位置認識方法
TW201933456A (zh) 工件切割方法
JP7144964B2 (ja) ウェーハの研削方法
CN217009164U (zh) 一种承载装置及检测设备
JPH01144647A (ja) 半導体ウエハ計数装置
JP2001093960A (ja) 処理装置用ウエファ位置決め装置
US11577363B2 (en) Grinding method of bonded workpiece obtained by bonding transparent components or semitransparent components to each other
JP2019174262A (ja) 貼り合せ基板の測定方法および加工方法並びにそれらに用いる装置
JP2023160248A (ja) 部品実装装置
JP5180801B2 (ja) アライメント装置及びアライメント方法
JP2011233743A (ja) 切削溝のエッジ検出方法
JP2022066966A (ja) ウェーハユニットの保持テーブル、及び、保持方法
JPH04296606A (ja) タイヤ幅測定方法及びその装置
JP2022088378A (ja) 貼り合せ基板の測定方法および加工方法並びにそれらに用いる装置
JP2000173907A (ja) マスクに対するワークの位置制御装置
CN115729051A (zh) 绘制装置以及绘制方法
JPH0776888B2 (ja) 位置決め方法及びその装置
JPH02302057A (ja) 半導体ウエハ計数装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160527

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170530

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180618

Year of fee payment: 6