CN1813034A - 具有高储存密度的光学记录材料 - Google Patents

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CN1813034A CNA2004800179105A CN200480017910A CN1813034A CN 1813034 A CN1813034 A CN 1813034A CN A2004800179105 A CNA2004800179105 A CN A2004800179105A CN 200480017910 A CN200480017910 A CN 200480017910A CN 1813034 A CN1813034 A CN 1813034A
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J·S·扎姆布尼斯
H·沃莱布
A·沃莱布
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J·-L·布德里
H·斯帕尼
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Abstract

本发明涉及包含基板、记录层和任选一个或多个反射层的光学记录媒质，其中记录层包含式(I)化合物。有关进一步的取代基的详细阐述，参见说明书。记录和读出是例如用蓝色激光在波长300－500nm进行的。记录和读出品质是极好的并且甚至在高速下能够提供高储存密度。

Description

具有高储存密度的光学记录材料
本发明涉及新的光学记录材料，所述材料特别是在300-500nm波长具有极好的记录和读出品质。记录和读出可以有利地实现高灵敏性和高速度，并且所达到的储存密度显著地高于已知材料。另外，本发明材料在记录前和记录后具有非常好的储存品质，即使在非常苛刻的条件下，例如暴露于太阳光线或荧光线、热和/或高度潮湿的条件下亦是如此。另外，其制备简单，易于使用常规的涂布方法例如旋转涂布进行再生产。
研究公开42892(12/1999，1649-1651)建议将潜颜料包括酞菁用于光学储存媒质，但没有详细涉及这样的光学储存媒质。
WO02/25648，EP1253 586，EP 1265 233和EP 1271500公开了光学记录材料，所述材料包括尤其是氨磺酰取代的酞菁(例如OrasolX Blue GN，CibaSpezialittenchemie AG)，并且可以在300-450nm使用。它们的光学特性，特别是折射率以及固体中它的长波长侧翼上的吸收带的吸收和陡度，仍然有许多缺点。
很多使用由其它化学物质种类产生的物系例如部花青是已知的。然而，对于热氧化老化和/或特别是对于可见光和风化的影响，这些物系通常具有不足够的稳定性。
因此，适用于300-500nm波长范围的先前光学材料只是在一定程度上满足单位面积储存密度、记录速度和稳定性方面的高要求，或者不能在全部满意程度上同时满足所有这样的要求。
EP 0519395公开了光学记录材料，所述材料包含碳酰胺和磺酰胺取代的酞菁，并且可以在785nm使用，但其灵敏性和痕迹准确性不能令人满意。
JP 05/177949A、WO 02/25205和WO 02/080 162公开了光学记录材料，所述材料包含特殊的硅、锡和钴酞菁，并且可以在750-810nm使用。这些酞菁也可以被特别是氨基甲酰基取代。虽然在WO02/25205和WO 02/080 162中R7和R8的定义是矛盾的，但它们仍然没有清楚地包括嗍酰肼。然而，就目前和将来要求的激光波长来说，这些媒质的储存密度是不能令人满意的。
另一方面，GB-1265842描述了将酞菁-嗍酰肼作为抗晕染料用于含卤化银的彩色照相材料的能感受红色的涂层。PL 48087公开了酞菁-嗍酰肼衍生物，其中嗍酰肼进一步被芳族基团例如1-亚苯基-3-甲基-5-吡唑啉酮取代。
本发明的目标是在300-450nm具有高信息密度、高敏感性和高记录读出速度以及高数据可靠性的光学记录媒质。这样的记录媒质应当是结实、持久并易于使用。而且，作为大规模生产的产品的制备应当是廉价的，并且需要的设备应当尽可能的小而便宜。
本发明涉及光学记录媒质，所述光学记录媒质包括基板、记录层和任选一个或多个反射层，其中记录层包含下式的化合物
其中
M表示2个氢原子或2-4价金属，所述金属可以任选配位或键合到1个或2个另外的配体上；
每一个A相互独立地是不饱和的二价基团，所述基团可以是未取代的或者被Y和/或被SO2N(R3)NR1R2单取代或多取代，并与稠合到紫菜嗪部分上的两个碳原子一起形成芳族同素环或N-杂环系统；
每一个Y相互独立地是卤素、R4、OH、OR4、SR4、NO2、NR4R5、O-CO-R4、NR4-CO-R5、CN、COOR4、CONHR4、CONR4R5、CO-R4、SO2R4、SO2NH2、SO2NHR4、SO2NR4R5、P(＝O)R4R5、PO(R4)OR5、PO(OR4)OR5，或者分别未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R6取代的C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C2-C12链烯基或C3-C12环烯基，或者分别未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R7取代的C6-C14芳基、C4-C12杂芳基、C7-C18芳烷基或C5-C16杂芳烷基；
R1是氢、COOR4、CONHR4、CONR4R5、CO-R4、SO2R4、P(＝O)R4R5、PO(R4)OR5、PO(OR4)OR5，或者分别未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R6取代的C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C2-C12链烯基C3-C12环烯基，或者分别未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R7取代的C6-C14芳基、C4-C12杂芳基、C7-C18芳烷基或C5-C16杂芳烷基；
R2和R3分别独立地是氢或R8；
R4、R5和R8分别独立地是C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C2-C12链烯基或C3-C12环烯基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R6取代，或者C6-C14芳基、C4-C12杂芳基、C7-C18芳烷基或C5-C16杂芳烷基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R7取代；
R6是卤素、羟基、O-R9、O-CO-R9、S-R9、CO-R9、氰基、羧基、氨基甲酰基、COO-R9、CONH-R9、CONR9R10、SO2R9或SO3R9；
R7是卤素、硝基、氰基、羟基、R11、C(R12)＝CR13R14、O-CO-R15、甲酰基、NR15R16、CONH2、CONHR15、CONR15R16、SO2R15、SO2NH2、SO2NHR15、SO2NR15R16、COOH、COOR15、OCOOR15、NHCOR15、NR15COR17、NHCOOR15、NR15COOR17、P(＝O)R15R17、P(＝O)R15OR17、P(＝O)OR5OR17，或者C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C2-C12链烯基、C3-C12环烯基、C1-C12烷硫基、C3-C12环烷硫基、C2-C12链烯硫基、C3-C12环烯硫基、C1-C12烷氧基、C3-C12环烷氧基、C2-C12链烯氧基或C3-C12环烯氧基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R6取代；
R9和R10分别独立地是C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C2-C12链烯基、C3-C12环烯基、C6-C14芳基、C4-C12杂芳基、C7-C18芳烷基或C5-C16杂芳烷基；或者
R9和R10与同一个N一起是吡咯烷、哌啶、哌嗪或吗啉，所述杂环分别是未取代的或者被C1-C4烷基单取代至四取代；
R11是C6-C14芳基、C4-C12杂芳基、C7-C18芳烷基或C5-C16杂芳烷基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R18取代；
R12是氢、氰基、卤素、硝基，或者C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C2-C12链烯基或C3-C12环烯基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的卤素、羟基、C1-C12烷氧基或C3-C12环烷氧基基团取代，或者是C6-C14芳基、C4-C12杂芳基、C7-C18芳烷基或C5-C16杂芳烷基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R6和/或硝基取代；
R13和R14分别独立地是NR15R16、CN、CONH2、CONHR15、CONR15R16或COOR16；
R15、R16和R17分别独立地是R11，或者C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C2-C12链烯基或C3-C12环烯基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的卤素、羟基、C1-C12烷氧基或C3-C12环烷氧基基团取代；或者
R15和R16与同一个N一起是吡咯烷、哌啶、哌嗪或吗啉，所述杂环分别是未取代的或者被C1-C4烷基单取代至四取代；或者是咔唑、吩噁嗪或吩噻嗪，所述杂环分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R18取代；
R18是硝基、SO2NHR9、SO2NR9R10，或C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C1-C12烷硫基、C3-C12环烷硫基、C1-C12烷氧基或C3-C12环烷氧基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R6取代；和
x是数字1-8，优选2-4，并且y是数字0-15，x+y之和是1-16；
其中式(I)的2-10个相同或不同的基团可以通过在两个或多个相同或不同的R1、R2、R3或Y之间的一个或多个另外的键相互键合，这样可以形成具有4-10个酞菁单元的二聚体、三聚体或低聚物。
当多个基团具有相同的符号R1-R18时，每一个R1-R18基团的含义可以与所有其它具有相同符号的基团无关，例如，Y可以是OR4而同时R1可以是COOR4，但是OR4的R4可以表示苯基，而COOR4中的R4表示叔丁基。
金属是，例如，碱土金属例如Mg(II)、Ca(II)和Sr(II)，过渡金属例如Mn(II)、Fe(II)、Co(II)、Ni(II)、Cu(II)、Zn(II)、Ru(II)、Rh(II)、Re(II)、Pd(II)、Cd(II)、Os(II)和Pt(II)，或者XIII、XIV和XV族的某些元素例如Sn(lI)、Co(II)或Pb(II)。以氧作为配体，进一步的实例包括AI(III)OH、Ti(IV)O、V(IV)O、Cr(m)OH、Mn(IV)O、Ee(III)OH、Zr(IV)O、Zr(IV)(OH)2、Si(IV)(OH)2、Si(IV)(烷基)2、Rh(IV)(O)和Bi(III)OH，以卤素为配体Al(III)CI、Fe(m)CI、In(III)Cl、Ce(III)Cl和Si(IV)Cl2。
A是，例如，基团
Figure A20048001791000121
或
优选
Figure A20048001791000123
N杂环系统一般含有1-4个N原子，通常1、2或3个N原子。
与配体配位或键合的金属是，例如，Fe(-Cl)、V(＝O)和公开于JP 05/177 949A、WO 02/25 205和WO 02/080 162或WO 03/042 990中的那些金属/配体的组合。进一步的配体是，例如，胺例如NH3或N-杂环，或无机、有机或有机金属阴离子，例如无机酸阴离子，有机酸的共轭碱(例如乙醇化物、酚盐、羧酸盐、磺酸盐或膦酸酯)或有机金属络合物阴离子，例如氟化物、氯化物、溴化物、碘化物、高氯酸盐、高碘酸盐、硝酸盐、碳酸氢盐、1/2碳酸盐、1/2硫酸盐、C1-C4烷基硫酸盐、硫酸氢盐、1/3磷酸盐、1/2磷酸氢盐、磷酸二氢盐、1/2C1-C4链烷膦酸盐、C1-C4链烷-C1-C12烷基膦酸盐、二-C1-C4烷基次膦酸盐、四氟硼酸盐、六氟磷酸盐、六氟锑酸盐、乙酸盐、三氟乙酸盐、七氟丁酸盐、1/2草酸盐、甲磺酸盐、三氟甲磺酸盐、苯磺酸盐、甲苯磺酸盐、对氯苯磺酸盐、对硝基苯磺酸盐、酚盐、苯甲酸盐和负电荷金属络合物。
式(I)的自由基是通过夺取1或2个氢原子而由式(I)来的。式(I)的自由基之间的键的数目取决于自由基的数目；通常n个自由基是通过n-1个键键合的，但是较高数目的键绝对是包括的(例如双键合的二聚体或环状低聚物的情况下的n个键)。
卤素是氯、溴、氟或碘，优选氟、氯或溴，特别是烷基上的氟(例如三氟甲基、α，α，α-三氟乙基或全氟烷基，例如六氟丙基)和芳基、杂芳基上或芳烷基的芳基部分上或杂芳烷基的杂芳基部分上的氯或溴。
烷基、环烷基、链烯基或环烯基可以是直链或支链，或者单环或多环的。烷基是，例如，甲基、直链C2-C12烷基或优选支链C3-C12烷基。链烯基是，例如，直链C2-C12链烯基或优选支链C3-C12链烯基。因此，本发明尤其也涉及包含支链C3-C12烷基或支链C3-C12链烯基的式(I)化合物，并且也涉及包含这样化合物的光学记录材料。因此，C1-C12烷基是，例如，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2，2-二甲基丙基、正己基、正辛基、1，1，3，3-四甲基丁基、2-乙基己基、壬基、癸基或十二烷基。C3-C12环烷基是，例如，环丙基、环丁基、环戊基、环己基、三甲基环己基、基、苧
Figure A20048001791000131
基、1-金刚烷基或2-金刚烷基。
C2-C12链烯基或C3-C12环烯基是单或多不饱和的C2-C12烷基或C3-C12环烷基，其中两个或多个双键可以是孤立的或者共轭的，例如乙烯基、烯丙基、2-丙烯-2-基、2-丁烯-1-基、3-丁烯-1-基、1，3-丁二烯-2-基、2-环丁烯-1-基、2-戊烯-1-基、3-戊烯-2-基、2-甲基-1-丁-3-基、2-甲基-3-丁烯-2-基、3-甲基-2-丁烯-1-基、1，4-戊二烯-3-基、2-环戊烯-1-基、2-环己烯-1-基、3-环己烯-1-基、2，4-环己二烯-1-基、1-对-烯薄荷烯-8-基、4(10)-苧 烯-10-基、2-降冰片烯-1-基、2，5-降冰片二烯-1-基、7，7-二甲基-2，4-降蒈二烯-3-基或者己烯基、辛烯基壬烯基癸烯基或十二烯基的各种异构体。
C7-C18芳烷基是，例如，苄基、2-苄基-2-丙基、β-苯基-乙基、9-芴基、α，α-二甲基苄基、ω-苯基-丁基、ω-苯基-辛基、ω-苯基-十二烷基或3-甲基-5-(1′，1′，3′，3′-四甲基-丁基)-苄基。当C7-C18芳烷基被取代时，芳烷基的烷基部分和芳基部分可以被取代，而以后者为优选。
C6-C14芳基是，例如，苯基、萘基、联苯基、2-芴基、菲基、蒽基或三联苯基。
C4-C12杂芳基是具有4n+2个共轭π电子的不饱和的芳族基团，例如2-噻吩基、2-呋喃基、2-吡啶基、2-噻唑基、2-噁唑基、2-咪唑基、异噻唑基、三唑基或任何其它环系统，所述环系统包含噻吩、呋喃、吡啶、噻唑、噁唑、咪唑、异噻唑、三唑、吡啶和苯环并且是未取代的或者被1-6个乙基、甲基、亚乙基和/或亚甲基取代基取代，例如苯并三唑基，以及在N杂环的情况下以其N氧化物的形式的那些环系统。
C5-C16杂芳烷基是，例如，被C4-C8杂芳基取代的C1-C8烷基。
而且，芳基和芳烷基也可以是连接到金属上的芳基，例如过渡金属的金属茂形式，更特别是下式的金属茂。
或
优选式(I)化合物，其中
·A  是1，4-亚丁二烯基；
·M  表示2个氢原子，Mg、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ee、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Mo、Pd、Sn、Hf、Pt或Pb，其根据化合价，任选配位或键合到1或2个另外的配体上；
·Y  是氢、溴、碘、OR4、NO2、CN、未取代的C1-C12烷基、C3-C12环烷基或C2-C12链烯基，或分别未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R7取代的C6-C10芳基或C7-C12芳烷基，
·R1  是COOR4、CONHR4、CONR4R5、CO-R4、SO2R4，或者C6-C10芳基、C4-C8杂芳基或C7-C12芳烷基，所述基团分别是未取代的或者被R7取代；
·R2和R3分别独立地是氢或R8；
·R4、R5和R8分别独立地是C3-C8烷基、C3-C8环烷基或C3-C8链烯基，所述基团分别是未取代的或者被R6取代，或者C6-C10芳基或C7-C12芳烷基，所述基团分别是未取代的或者被R7取代；
·R6是卤素、羟基、O-R9、O-CO-R9、CO-R9、氰基或SO2R9；
·R7是卤素、硝基、氰基、O-CO-R15、NR15R16、CONHR15、CONR15R16、SO2R15、SO2NH2、SO2NHR15、SO2NR15R16、COOH、COOR15、NHCOR15、NR15COR17、或未取代或取代的C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C1-C12烷氧基或C3-C12环烷氧基；
·R9和R10分别独立地是C1-C8烷基、C3-C6环烷基、C2-C8链烯基、C3-C6环烯基或苯基；
·R9和R10与同一个N一起是吡咯烷、哌啶、哌嗪或吗啉，所述基团分别是未取代的或者被C1-C4烷基单取代至四取代取代；
·R15、R16和R17分别独立地是C1-C8烷基、C5-C6环烷基、C2-C8链烯基或C5-C6环烯基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的卤素、羟基或C1-C4烷氧基基团取代，或者是苯基或苄基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的卤素、硝基、C1-C8烷基或C1-C4烷氧基基团取代；
·R15和R16与同一个N一起是吡咯烷、哌啶、哌嗪或吗啉，所述基团分别是未取代的或者被C1-C4烷基单取代至四取代；和/或
·x是1-4的数字，且y是0-4的数字，
·其中式(I)的2-5个相同或不同的基团可以通过在两个或多个相同或不同的R1、R2、R3或Y之间的一个或多个另外的键相互键合，以便形成具有4或5个酞菁单元的二聚体、三聚体或低聚物。
特别优选式(I)化合物，其中
·M是Co(II)、Ni(II)、Cu(II)、Zn(II)、Sn(II)或Pb(II)，特别是Cu(II)；
·Y是氢、溴或OR4，非常特别地是氢；
·R1是COOR4、CONHR4、CONR4R5、CO-R4、SO2R4，或者未取代的或取代的苯基或C7-C12芳烷基，非常特别地是CO-R4、SO2R4或未取代的或取代的苯基或C7-C12芳烷基；
·R2和R3分别独立地是氢或C1-C12烷基；
·R4、R5和R8分别独立地是未取代的或者被R6取代的C3-C8烷基，或者未取代的或被R7取代的苯基；
·R6是卤素、羟基、O-R9、O-CO-R9、CO-R9、氰基或SO2R9；
·R7是卤素、硝基、氰基、O-CO-R15、NR15R16，或者C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C1-C12烷氧基或C3-C12环烷氧基，所述基团分别是未取代的或者被R6取代；
·R9和R10分别独立地是C1-C4烷基或苯基；
·R9和R10与同一个N一起是哌啶或吗啉，所述哌啶或吗啉分别是未取代的或者被C1-C2烷基单取代至四取代；
·R15、R16和R17分别独立地是C1-C4烷基，所述烷基是未取代的或者被相同或不同的卤素、羟基或C1-C4烷氧基基团取代；和/或
·R15和R16与同一个N一起是哌啶或吗啉，所述哌啶或吗啉是未取代的或者被C1-C4烷基单取代至四取代。
这些优选的含义可以单独和以任何组合的方式应用。式(I)化合物通常显示更为有利的特性，它们所具有的优选的独有特点。
记录层有利地包含式(I)化合物，或以这样的化合物作为主要组分或至少作为重要组分的混合物，例如1-100％重量，优选20-100％重量，特别是50-100％重量。另外的常用组分是可以接受的，例如其它发色团(例如在300-1000nm具有吸收最大值的那些)、稳定剂、1O2-、三态或发光猝灭剂、熔点降低剂、分解加速剂或者已经在光学记录媒质中描述的任何其它添加剂。优选地，如果需要可以添加稳定剂或荧光猝灭剂。
除了式(I)化合物以外可以任选用于记录层的发色团是，例如花青和花青金属络合物(US 5,958,650)、氮杂和磷杂菁(WO02/082438)、苯乙烯基化合物(US 6,103,331)、氧杂菁染料(EP 0 833314)、偶氮染料和偶氮金属络合物(JP 11/028865A)、酞菁(EP0232427，EP 0337209，EP 0373643，EP 0463550，EP 0492508，EP0509423，EP 0511 590，EP 0513370，EP 0514799，EP 0518213，EP 0519419，EP 0519423，EP 0 575 816，EP 0 600 427，EP 0676 751，EP 0712 904，WO 98/14520，WO 00/09 522，WO 02/25 648，WO 02/083796，EP 1253 586，EP 1253 586，EP 1265 233，EP 1271500)、卟啉、紫菜嗪(EP 0822546，US 5,998,093，JP 2001/277723A，WO 03/042990)、碳焦苧(WO 03/007296)、联吡咯亚甲基染料及其金属螯合化合物(EP 0 822 544，EP 0 903 733)、呫吨染料及其金属络合物盐(US 5,851,621，WO 03/098 617，WO 03/098618)、吡啶酮金属络合物(WO 03/063151)或二元酸化合物(EP 0 568 877)、或嗪、二嗪、二氮杂苯乙烯基、呋咱、蒽醌或吩噻嗪；所述列举决非详尽无遗，并且本领域的技术人员将会理解所述列举还包括另外的已知染料，例如PCT/EP04/050185或PCT/EP04/050206的那些染料。
如已知的那样，混合物具有若干优点，例如较好的稳定性和较低的结晶倾向，因此易于通过旋转涂布形成稳定的非晶形层。通过用已知的方法将混合物的比例最优化，可以获得具有热和光学特性特别是具有陡峭吸收带的记录层。另外，通常可以这样在固体状态中抵消光谱吸收边沿的扁率。因此，一般情况下，可以通过一系列的试验来确定最佳混合比率，其中包括不同的凹槽几何形状。
应当理解，在适当的情况下，已知在300-500nm用于光学记录材料的那些附加染料是优选的。特别优选的是式(I)化合物及其异构体的混合物。当记录层包含本身不适合用于300-500nm的其它发光团时，这样的发光团的量优选应当小，以便其在整个固体层的吸收带的长波侧翼的偏转点(最大梯度的点)上的吸收-记录的决定性因素，是式(I)化合物在整个固体层中在相同波长的吸收组成，有利地在最大的1/3，优选在最大的1/5，特别是在最大的1/10。在光谱范围300-500nm内的染料混合物的吸收最大值，优选是在低于450nm的波长上，优选低于400nm，特别是在340-380nm。
稳定剂和1O2-、三态或发光猝灭剂是，例如，下列化合物的金属络合物：包含N或S的烯醇化物、酚盐、双酚盐、硫醇盐或双硫醇盐，或偶氮、偶氮甲碱或呋咱染料，例如双(4-二甲基氨基-二硫代偶苯酰)镍[CAS NO 38465-55-3]、lrgalan Bordeaux EL、CibafastN或类似的化合物、受阻酚类及其衍生物，例如Cibafast AO，邻羟基苯基三唑或三嗪或其它UV吸收剂，例如Cibafast W或CibafastP或受阻胺类(TEMPO或HALS，也称作硝基氧或NOR-HALS，以及diimmonium、ParaquatTM或OrthoquatTM盐，例如Kayasorb IRG 022、Kayasorb IRG040或者任选同样基团的盐，例如N，N，N′，N′-四(4-二丁基氨基苯基)-对-苯二胺-铵盐。后者可以得自Organica(Wolfen/DE)；Kayasorb牌可以得自Nippon Kayaku Co.Ltd.，lrgalan和Cibafast牌可以得自Ciba Spezialittenchemie AG。
很多结构是已知的，其中的某些也与光学记录媒质有关系，例如US 5 219 707，JP 06/199045A，JP 07/76169A，JP 07/262604A orJP 2000/272241A中公开的那些结构。它们可以是金属络合物阴离子的盐，如上面所述出版物中公开的，或者，例如，由下式所示的化合物
Figure A20048001791000171
或
本领域的技术人员将会从其它光学信息媒质中得知，或者将会容易地确认哪种添加剂在哪一浓度特别适合于哪个目的。添加剂的适宜浓度是，例如0.001-1000％重量，优选1-50％重量，基于式(I)记录媒质计。
虽然它们的反射率不是特别高，但总的说来，本发明光学记录材料显示了固体非晶形记录层的极好的光谱特性。由于这样的化合物在固体中的聚集倾向惊人地低，所以吸收带狭窄而强烈，吸收带在长波长侧特别陡峭。微晶出乎意料而有利地没有形成或者只是在可以忽略的程度上形成。在未记录状态，记录和读出波长范围内的层的反射率很高。
与具有类似的光谱吸收的已知染料相比，特别是在记录带的向红侧翼(其它类似的k)，本发明化合物在记录模式下惊人地显示相当高的灵敏性。然而，在较低的能量读出模式下，相对于相同波长的激光射线，本发明化合物同时惊人而特别地稳定。
由于这些极好的层的特性，获得具有高灵敏性、高读出性和几何图形非常准确的痕迹边界的、产生高对比度的折射率和反射率充分变化的快速光学记录是可能的。在正常记录速度(约4.8-5.5m·s-1)和较高记录速度(例如10m·s-1-25m·s-1或者更高)下，痕迹长度和间隔距离的差别(″跳动″)惊人地小，这样可以使用具有相对小的轨道空间(间距)的记录线道而能够获得高储存密度。另外。读出的数据具有惊人低的差错率，这样，相对短的痕迹是可能的，包括，例如，与Blu-RayTM标准一致的0.15±0.01μm(2T)长度的痕迹，并且差错修正仅要求少量的储存空间。
由于包括在非极性溶剂中的极好的溶解性，溶液甚至可以在高浓度中使用而不会有沉淀的麻烦，例如在储存过程中，这样就大部分消除了旋转涂布过程中的问题。这特别适用于包含支链C3-C8烷基的化合物。
记录和读出可以在有利的300-500nm、优选370-450nm的激光源的相同波长进行。特别优选的是370-390nm的UV范围，特别是大约380nm，或者特别是在390-430nm可见范围的边沿，更特别是大约405±5nm。在具有大数值孔径(例如Nichia GaN 405nm)的光学系统的紧密的兰色或紫色激光二极管领域，痕迹可以如此小并且轨道可以如此窄，以致在120mm的光盘上可以达到最高达每记录层20-25Gb。在380nm可以使用掺杂铟的UV-VCSELs(垂直腔表面放射激光)，所述激光源已经作为原型存在[Jung Han等人，参见MRS Internet J.Nitride Semicond.Res.5S1，W6.2(2000)]。
因此，本发明还涉及记录或读出数据的方法，其中本发明光学记录媒质上的数据是在300-500nm波长记录或读出的。记录优选在线性速度v至少4.8m·s-1和输出功率P最大[v/0.1m·s-1]1/2mW条件下进行，在这种情况下尤其产生不同长度的痕迹，其最短者几乎是圆形的而最长者具有相当于大约四倍宽度的长度。线性速度尤其是在至少9.6m·s-1、19.2m·s-1或38.4m·s-1(分别相当于P≤9.8mW、P≤13.9mW和P≤19.6mW)。
记录媒质可以已知的记录媒质结构为基础，而在这种情况下记录媒质是，例如，上面所述的类似物，例如DVD+R或DVD-R。因此记录媒质是由例如透明基板、包含至少一种式(I)化合物的记录层、反射物层构成，记录和读出可以通过基板实现。适合于在300-500nm波长记录和读出的这样的系统是例如HD-DVD(以前称作高级光盘AOD).
适宜的基板是，例如，玻璃、矿物、陶瓷以及热硬化性和热塑性塑料。优选的载体是玻璃和均聚或共聚塑料。适宜的的塑料是，例如，热塑性聚碳酸酯、聚酰胺、聚酯、聚丙烯酸酯和聚甲基丙烯酸酯、聚氨基甲酸酯、聚烯烃、聚氯乙烯、聚偏1，1-二氟乙烯、聚酰亚胺、热硬化性聚酯和环氧树脂。特别优选聚碳酸酯，其可以例如通过注射塑型制备。基板可以纯的形式或者可以包含常用的添加剂，例如UV吸收剂或染料，例如JP 04/167239 A中所建议的作为记录层的光线稳定的添加剂剂。在后者的情况下，有利的是添加到载体基板的染料在记录波长(激光的放射波长)范围内没有或者至多仅具有低的吸收，优选最高达大约集中到记录层上的激光光线的20％的最大吸收值。
基板有利地在至少300-500nm范围的部分上是透明的，这样例如至少80％的记录或读出波长的入射光线是能透过的。基板的厚度有利地为10μm-2mm，优选100-1200μm，特别是600-1100μm。在基板的涂层面，是凸起的、优选螺旋导引的凹槽(轨道)。不同横截面形状的凹槽是已知的，例如矩形、梯形或V形。与已知的CD-R和DVDR媒质类似，引导凹槽可以另外经受小周期或准周期横向偏转(摆动)，这样可以使旋转速度与读出头(拾起)的同步成为可能。不是或者除了偏转以外，可以通过在相邻的凹槽(预凹点)作标记来实现相同的功能。
在350-500nm的光学记录的两个根本不同的体系是已知的。它们主要是HD-DVDz(以前称作高级光盘＝AOD)和Blu-rayTM(以前称作兰光碟片＝BD)。
在HD-DVD的情况下，轨道具有10-200nm的凹槽深度，优选50-150nm，100-400nm的凹槽深度，优选120-250nm，以及200-600nm的两凹槽之间的轴向间距，优选250-450nm(例如具有100±20nm的凹槽深度，200±50nm的凹槽宽度和370±60nm的轴向间距)。
记录层的施加是例如通过旋转涂布施加溶液进行的，目的是产生尽可能的非晶形的层，所述层的厚度，在表面上(″凹槽间表面″)有利地是0-70nm，优选1-20nm，特别是2-10nm，根据凹槽的几何形状，在凹槽内有利地是20-150nm，优选30-120nm，特别是30-80nm。在新的实施方案中，仅通过式(I)化合物就可以实现，表面(“凹槽间表面”)上的记录层的厚度可以有利地为20-70nm，并且在凹槽内为30-80nm，凹槽内与表面上的层的厚度之间的差异小于20nm，优选小于10nm。作为结果，与HD-DVD-RW相容，在并排的凹槽中和表面上记录和读出是可能的。在这种情况下，轨道间距仅为全部的一半，因而总储存容量较高。
在两个实施方案中，记录和读出从基板面进行。激光束通过基板直接照射到记录层，并且具有优选300-500nm、特别是370-450nm的波长。反射体层可以存在于与基板相对的记录层的侧面上。
适用于反射体层的反射材料尤其包括金属，所述金属提供良好的用于记录和读出的激光射线反射，例如元素周期表的主族IV和V以及副族金属。Al、In、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt和镧系金属Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu以及它们的合金是特别适宜的。由于其高反射率和易于制备，所以铝、银、金或它们的合金(例如白金合金)为特别优选，而基于经济和生态方法的考虑，尤其以铝为优选。反射体层有利地为5-200nm厚，优选10-100nm厚，特别优选30-80nm厚，但是更厚的反射体层也是可以的。
适用于覆盖层的材料主要包括塑料，可以将其以薄层的形式直接或借助于附着力促进剂施用于反射体层。有利的是选择具有良好表面特性的机械和热稳定的塑料，其可以被进一步修改，例如记录。塑料可以是热硬化性的塑料和热塑性的塑料。直接使用的覆盖层优选是辐射固化的(例如用UV射线)涂层，其制备特别简单且经济。可辐射固化的单体和低聚体的实例是二醇、三醇和四醇的丙烯酸盐和甲基丙烯酸盐，芳族四羧酸和芳族二胺的聚线亚胺，所述芳族二胺在氨基的至少两个邻位上具有C1-C4烷基，和具有二烷基顺丁烯二酰亚胺基例如二甲基顺丁烯二酰亚胺基的低聚物。对于使用附着力促进剂的覆盖层来说，优选使用与使用于基板层的那些材料相同的材料，特别是聚碳酸酯。所用附着力促进剂优选同样是可以辐射固化的单体和低聚物。除了用粘结促进剂施加覆盖层以外，还可以使用包含记录和反射层的第二基板，这样记录媒质在两面都是可以读出的。优选对称结构，直接通过粘结促进剂或者通过中间层，将两部份在反射体面结合在一起。
在这样的结构中，覆盖层的光学特性本质上是不重要的，条件是其固化例如通过UV射线是可以达到的。覆盖层的功能是大体上保证记录媒质的机械强度以及，如果需要的话，薄反射体层的强度。如果记录媒质足够结实，例如当厚反射体层存在时，甚至可以完全省去覆盖层。覆盖层的厚度基本上取决于记录媒质的厚度，其优选最大约2厚。覆盖层厚度为10μm-1mm。
本发明记录媒质还可以具有附加层，例如中间层或隔板层。构建具有多(例如2-10)记录层的记录媒质也是可能的。这样材料的结构和使用对于本领域的技术人员是已知的。在存在的情况下，中间层优选配置在记录层与反射层之间和/或在记录层与基板之间并且包括电媒质材料，例如，EP 0 353 393中描述的TiO2、Si3N4、ZnS或硅树脂。
本发明记录媒质可以通过本身已知的方法制备，根据所使用的材料及其功能，可以使用涂布的各种方法。
适宜的涂层方法是，例如，沉浸、灌浇、毛刷涂布、刀片施用和旋转涂布，以及在高度真空下进行的汽相淀积方法。当例如使用灌注方法时，通常使用的是在有机溶剂中的溶液。当使用溶剂时，应当注意载体对这些溶剂是不敏感的。适宜的涂布方法和溶剂描述于例如EP 0401 791中。
优选通过旋转涂布施加染料溶液来施加记录层，已被证明令人满意的溶剂尤其是醇，例如2-甲氧基乙醇、2-甲氧基丙醇、异丙醇或正丙醇，羟基酮，例如双丙酮醇或3-羟基-3-甲基-2-丁酮，羟基酯，例如乳酸甲酯或异丁酸甲酯，或者优选氟化醇，例如2，2，2-三氟乙醇或2，2，3，3-四氟-1-丙醇，和它们的混合物。其它适宜的溶剂公开于例如Ex0483387中。虽然它们对塑料不是惰性的，当涂布到金属反射体或无机中间层时，有机化学中常用的很多其它溶剂也是可以使用的，例如芳族的、氯化的烃和酯例如甲苯、二氯甲烷或乙酸甲酯。
金属反射体层的应用优选通过溅射或通过真空汽相电极来实现。这样的技术是已知的并且被公开于专业文献中(例如J.L.Vossen和W.Kern，″薄膜处理″，Acad-emic Press，1978)。操作可以有利地连续进行并且取得良好的反射率和高度的金属反射体层粘附度。
记录是按照已知的方法，用调整的、聚焦的激光射线，以不变的或可变的控制速度，通过在记录层上记录固定或者通常是可变长度的凹痕(痕迹)进行的。信息的读出是按照本身已知的方法，通过用激光射线记录反射的改变进行的，例如″CD-播放机和R-DAT录制机″(Claus Biaesch-Wiepke，Vogel Buchverlag，Wurzburg 1992)。本领域的技术人员对该要求是熟悉的。
本发明包含信息的媒质是特别的WORM类型的光学信息材料。它的使用例如类似于计算机中的CD-R(紧密可记录)、DVD+R或DVD-R(数字视频碟片可记录)，并且还被用作辨认和安全卡的储存材料或者被用于制备衍射光学要素，例如全息图。HD-DVD类型记录媒质可以使用具有最大数值约0.7(通常约0.65)的激光，在这种情况下以6.61m·s-1(或其倍数)的速度，120mm直径的碟片将具有每记录层15GB的储存容量。
然而，另一方面，也有本质上不同于CD-R和DVDR的记录媒质，在这种媒质中记录和读出不是通过基板而是通过覆盖层进行的。因此，覆盖层和基板的各自作用，特别是几何形状和光学特性较之前面所述的结构是相反的。与兰色GaN激光二极管相相联系的数字视频记录的类似概念已有多次描述，例如在Proceedings SPIE-Int.Soc.Opt.Eng.1999，3864中。同样，具有记录速度5.0±0.3m·s-1(后者推测是其倍数)和储存容量25±2GB(见系统描述″1.0蓝光碟片)的Blu-rayTM(以前称作蓝光碟片″BD″)是发展的高级阶段。对于这样的记录媒质，其特别适合于高储存密度并具有相应小的痕迹(″凹痕″)，精确的聚焦是重要的，这样，其制备方法，尽管本质上类似，相当地更加不方便。
然而，本发明式(I)化合物也极好地满足像蓝光那样的反面结构的提高的要求。优选具有层顺序基板、反射体层、记录层和覆盖层的反面结构。记录层被设置在反射体层与覆盖层之间。厚度为大约50-400μm的薄覆盖层为特别有利(在0.85的数值孔径下通常100μm)。
反面层结构中的记录和反射层原则上具有与上面所述相同的功能。基板通常具有上面所述范围内的尺度。涂层面上的优选螺旋导引凹槽(轨道)有利地具有凹槽深度10-100nm，优选20-80nm。横截面形状、周期或准周期横向偏转(摆动)以及相邻凹槽(前凹槽)之间的任何附加痕迹是以上述HD-DVD类型为基础。
反射体层和记录层是以所述次序施加到基板上的。凹槽和它们之间的凸起的轨道样区域可以被用作轨道，通常参考第一种情况中的″                                凹槽上媒质。使用式(I)化合物，可能也是同时地，可以有利地得到两种形式。
记录媒质是例如上面所述施用的，特别有利地是，还可以选择能够腐蚀基板材料的溶剂，例如氯化的或芳族的烃。尽可能是非晶形层的厚度，可以是均匀的，或者在凹槽内或凸起的部分可以是不同的。在凹槽内记录层的厚度有利地是20-200nm，优选30-150nm，特别是30-100nm。当凸起部分上的轨道被用于记录时，其层的厚度有利地是10-120nm，优选20-100nm，特别是20-60nm，然而当只是凹槽被用作轨道时，层的厚度0-100nm、优选0-60nm、特别优选0-20nm就足够了。在两种情况下，轨道宽度(凸起的部分和/或凹槽)有利地是100-300nm，优选120-250nm，特别是150-200nm，并且两个轨道之间的轴向空间是200-600nm，优选250-400nm，特别是300-340nm。获得良好的结果，例如，凸起轨道(″凹槽上″)30±10nm深和180±10nm宽，轴向空间320±10nm。在这种情况下，由于激光束通过具有大数值孔径的覆盖层而提高了分辩率。
反面层结构要求特别高的标准，而所使用的本发明化合物可以极好地满足这样的标准，例如，当记录层被施加到金属反射体层而特别是当覆盖层被施加到记录层时，要求覆盖层为记录层提供足够的抗摩擦、光致氧化、指印、湿气和其它环境影响的保护作用，并且有利地具有范围在0.01-0.5mm、优选0.05-0.2mm、特别是0.08-0.13mm的厚度。
覆盖层优选由在激光的记录和读出波长表现80％或者以上透光度的材料构成。用于覆盖层的适宜的材料包括例如上面所述的那些材料，而特别是聚碳酸酯(例如Pure Ace和Panlite，Teijin Ltd)，纤维素三乙酸盐(例如Eujitac，Fuji Photo Film)或聚乙烯对苯二酸盐(例如Lumirror，Toray Industry)，特别优选聚碳酸酯。特别是在直接施用覆盖层的情况下，辐射固化涂层，例如上面已经描述的那些，是有利的，例如SD 347TM(Dainippon Ink)。
可以通过适宜的粘结促进剂将覆盖层施加到固体记录层。在另一个实施方案中，将另外的金属、交联的有机金属、或优选电媒质无机材料的薄分离层，例如以0.001-10μm、优选0.005-1μm、特别是0.01-0.1μm的厚度，例如在电媒质分离层的情况下0.05-0.08μm以及在金属分离层的情况下0.01-0.03μm的厚度，施加到固体记录层。分离从和相应的公开于WO 02/082438，本文特别予以提及。如果需要，也可以将这样的涂层以相同的厚度施加在载体材料与金属反射体层或金属反射层与光学记录层之间。在一定的情况下，例如当将银反射体与记录层中含硫的添加剂组合使用时，这可能会是有利的。
本发明使用的化合物是已知的，特别是记载于J.Org.Chem.67/16，5753-5772[2002]中的那些化合物.
然而，与已知的化合物类似地制备新的、按照本发明可以用于光学记录媒质的化合物是可能的。
下面的实施例说明本发明而不是限制其范围(除非另有指示，″％″总是指％重量)：
实施例1：把140g铜酞菁和580ml氯磺酸注入1.5升玻璃器皿中，所述玻璃器皿配备以浆式搅拌器、温度计、回流冷凝器、滴液漏斗、氮气输送线和气体洗涤器。放热反应开始并且内部温度升至65℃。将褐色溶液加热至内部温度140℃并于此温度搅拌3小时。将反应化合物冷却至内部温度85℃，并在15分钟内175ml亚硫酰氯。然后将温度保持在80-85℃3小时。在强力搅拌的同时把反应化合物缓慢滴加到10升反应器皿中的4升水与4kg冰的混合物中，所述反应器皿配备以浆式搅拌器、温度计、回流冷凝器、滴液漏斗、氮气输送线和气体洗涤器。气体开始剧烈放出并且温度升至20℃。当添加完成后，将悬浮液过滤，用水洗涤3次，每次用水2升，彻底空吸干燥15分钟。获得下面结构的氯氨磺酰基取代的铜酞菁，将其立即进一步处理：
实施例2：在6升配备以浆式搅拌器、温度计、回流冷凝器、滴液漏斗、氮气输送线的反应器皿中，把实施例取1的潮湿的氯磺化的铜酞菁注入到3升四氢呋喃(THF)中。注入溶解于1升THF中的385g四丁基，并将所得溶液于23℃搅拌1小时。于40℃蒸馏去溶剂，把蓝色浆状残余物溶解于2升二氯甲烷中，然后搅拌滴加14升己烷。把悬浮液过滤，将残余物用己烷洗涤2次，每次500ml，并于60℃/2.5·103Pa干燥18小时。把粗产物溶解于5升乙酸乙酯中，过滤分离去不能溶解的部分。将滤液蒸发浓缩至1.2升，并在1.8kg硅凝胶上，以乙酸乙酯作为洗脱液，通过色谱纯化。把纯的级分合并，并蒸发浓缩。将残余物溶解于500ml二氯甲烷，并搅拌滴加6.5升己烷。过滤去沉淀物，并将残余物用己烷洗涤2次，每次500ml，并于60℃/2.5·103Pa干燥18小时。获得153.7g下面结构的4-叔丁基-咔唑子基氨磺酰基取代的铜酞菁
UVNIS(NMP)：λmax＝673nm，ε＝153 800 1·mol-1·cm-1；
TGA：          最大分解速率＝173℃
实施例3：把实施例1的14.55g氯氨磺酰基取代的铜酞菁悬浮于750ml二氯甲烷中。搅拌加入24.57g4-叔丁基苯酰肼。于23℃搅拌15分钟后，过滤并将滤液真空蒸发浓缩。将残余物在1.2kg硅凝胶上，用乙酸乙酯作为洗脱液，经由柱色谱法纯化。获得12.37g下面结构的4-叔丁基-苯酰肼-氨磺酰取代的铜酞菁：
Figure A20048001791000262
UVNIS(CH2Cl2)：λmax＝673nm，ε＝139 800 1·mol-1·cm-1；
TGA：                最大分解速率＝253℃
实施例4-11：与实施例2类似，由各种肼制备下表所列化合物，所述肼可以从市场上买到或者与文献中的已知方法类似制备。DSC值涉及微分量热法，以10℃/min的加热率在30-500℃之间测定，分解的开始和第一分解阶段的最大分解率(第一峰值)表示如下：
Figure A20048001791000271
Figure A20048001791000281
通过比较，获得下面的OrasolBlue GN的DSC值：开始285℃，第一峰值312℃。
实施例12-15：下面结构的化合物的制备类似于实施例1和3：
Figure A20048001791000291
  实施例   M   产率[％ of th.]   λmax[nm]   溶剂
  12   Co   16   667   CH2Cl2
  13   Ni   30   662   CH2Cl2
  14   Fe   16   571   NMP
  15   V(＝O)   4   687   NMP
实施例16：把3g实施例3的化合物溶解于97g双丙酮醇中，并通过0.2μm Teflon滤器过滤。然后以200rev/min将染料溶液施加到0.6mm厚的平聚碳酸酯板(直径120mm)上，并以2500rev/min旋转涂布，形成均匀的固体层。干燥后，固体层在350nm具有0.19的吸收度。使用光学测定系统(ETA-RT，STEAGETA-Optik)，测定层厚度和折射率。在405nm，染料层具有层厚度44nm，折射率1.75和消光系数k 0.067。图1显示折射率n，图2显示消光系数k，分别作为波长的函数。
实施例17：在真空涂布设备中(Twistera，Balzers Unaxis)，将40nm厚的银反射体层施加到0.6mm厚的有槽聚碳酸酯碟片(直径120mm，凹槽间距1.0μm，凹槽深度51nm，凹槽宽度330nm)上。把3％重量的实施例3的化合物溶解于双丙酮醇中，并通过0.2μm Teflon滤器过滤。然后用旋转涂布方法以250-2000rev/min将染料溶液施加到反射体层，多余的溶液被抛出，从而获得均匀的固体层。干燥后(1小时，25℃)，固体层在680nm具有0.28的吸收度。然后通过旋转涂布以约10μm的厚度施加UV-可交联的光敏聚合物(SD-347，DIC)，并用UV光交联。在405nm，记录层具有32％的反射率。使用波长404nm的GaN激光二极管(Nichia)，以6mW的输出功率和5m/s的线性速度，将痕迹记录活性层。所述操作在记录部位导致32％-14％的反射变化。
实施例18-29：实施例4-15的化合物的使用类似于实施例17。各自的系统可以通过修改而进一步最优化。
实施例30：在真空涂布设备(TwisterTM，Balzers Unaxis)中，把30nm厚的银反射体层施加到1.1mm厚的有槽聚碳酸酯碟片(直径120mm，凹槽间距400nm，凹槽深度80nm，凹槽宽度170nm)上。将40g实施例3的化合物溶解于1升1-甲氧基-2-丙醇中，并通过0.2um Teflon滤器过滤。用旋转涂布方法将染料溶液施加到反射体层，以便形成均匀的固体层，在炉中于70℃干燥15分钟后，所述固体层在波长678nm具有0.6的吸收度。在真空涂布设备(CuberTM，Balzers Unaxis)中通过射频飞溅将40nm厚的电媒质层(SiON)连续地施加。最后将一面覆盖以压力敏感粘合剂的聚碳酸酯薄膜(总厚度100um，Lintec Corp.，Japan)粘结到电媒质层。使用以407nm激光二极管和物镜数值孔径0.85为基础的商业碟片试验设备(ODU-1OOOTM for Blu-raye Disc，Pulstec，Japan)，以5.28m/s的线性速度和7mW的激光功率，将痕迹记录在碟片上。然后用0.35mW激光功率读出记录的区域，测定下面的信号数据：18pp/18H＝0.50；13pp/18pp＝0.26；R8H*18pp/18H＝0.13。
实施例31(比较)：在与实施例30中所描述的相同的条件下制备碟片，只是将20g OrasolBlue GN(Ciba Specialty ChemicalsLtd.)溶解于1升四氟-1-丙醇中并通过0.2μm Teflon滤器过滤。旋转涂布和干燥步骤后，碟片在678nm具有0.33的吸收度。在与实施例30的相同的条件下，将痕迹记录并读出。获得0.42的信号参数18pp/18H。

Claims (16)

1.包含基板、记录层和任选一个或多个反射层的光学记录媒质，其中记录层包含式(I)化合物
其中
M表示2个氢原子或2-4价金属，所述金属可以任选配位或键合到1个或2个另外的配体上；
每一个A相互独立地是不饱和的二价基团，所述基团可以是未取代的或者被Y和/或被SO2N(R3)NR1R2单取代或多取代，并与稠合到紫菜嗪部分上的两个碳原子一起形成芳族同素环或N～杂环系统；
每一个Y相互独立地是卤素、R4、OH、OR4、SR4、NO2、NR4R5、O-CO-R4、NR4-CO-R5、CN、COOR4、CONHR4、CONR4R5、CO-R4、SO2R4、SO2NH2、SO2NHR4、SO2NR4R5、P(＝O)R4R5、PO(R4)OR5、PO(OR4)OR5，或者分别未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R5取代的C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C2-C12链烯基或C3-C12环烯基，或者分别未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R7取代的C6-C14芳基、C4-C12杂芳基、C7-C18芳烷基或C5-C16杂芳烷基；
R1是氢、COOR4、CONHR4、CONR4R5、CO-R4、SO2R4、P(＝O)R4R5、PO(R4)OR5、PO(OR4)OR5，或者分别未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R6取代的C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C2-C12链烯基C3-C12环烯基，或者分别未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R7取代的C6-C14芳基、C4-C12杂芳基、C7-C18芳烷基或C5-C16杂芳烷基；
R2和R3分别独立地是氢或R8；
R4、R5和R8分别独立地是C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C2-C12链烯基或C3-C12环烯基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R6取代，或者C6-C14芳基、C4-C12杂芳基、C7-C18芳烷基或C5-C16杂芳烷基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R7取代；
R6是卤素、羟基、O-R9、O-CO-R9、S-R9、CO-R9、氰基、羧基、氨基甲酰基、COO-R9、CONH-R9、CONR9R10、SO2R9或SO3R9；
R7是卤素、硝基、氰基、羟基、R11、C(R12)＝CR13R14、O-CO-R15、甲酰基、NNR15R16、CONH2、CONHR15、CONR15R16、SO2R15、SO2NH2、SO2NHR15、SO2NR15R16、COOH、COOR15、OCOOR15、NHCOR15、NR15COR17、NHCOOR15、NR15COOR17、P(＝O)R15R17、P(＝O)R15OR17、P(＝O)OR5OR17，或者C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C2-C12链烯基、C3-C12环烯基、C1-C12烷硫基、C3-C12环烷硫基、C2-C12链烯硫基、C3-C12环烯硫基、C1-C12烷氧基、C3-C12环烷氧基、C2-C12链烯氧基或C3-C12环烯氧基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R6取代；
R9和R10分别独立地是C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C2-C12链烯基、C3-C12环烯基、C6-C14芳基、C4-C12杂芳基、C7-C18芳烷基或C5-C16杂芳烷基；或者
R9和R10与同一个N一起是吡咯烷、哌啶、哌嗪或吗啉，所述杂环分别是未取代的或者被C1-C4烷基单取代至四取代；
R11是C6-C14芳基、C4-C12杂芳基、C7-C18芳烷基或C5-C16杂芳烷基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R18取代；
R12是氢、氰基、卤素、硝基，或者C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C2-C12链烯基或C3-C12环烯基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的卤素、羟基、C1-C12烷氧基或C3-C12环烷氧基基团取代，或者是C6-C14芳基、C4-C12杂芳基、C7-C18芳烷基或C5-C16杂芳烷基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R6和/或硝基取代；
R13和R14分别独立地是NR15R16、CN、CONH2、CONHR15、CONR15R16或COOR16；
R15、R16和R17分别独立地是R11，或者C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C2-C12链烯基或C3-C12环烯基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的卤素、羟基、C1-C12烷氧基或C3-C12环烷氧基基团取代；或者
R15和R16与同一个N一起是吡咯烷、哌啶、哌嗪或吗啉，所述杂环分别是未取代的或者被C1-C4烷基单取代至四取代；或者是咔唑、吩噁嗪或吩噻嗪，所述杂环分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R18取代；
R18是硝基、SO2NHR9、SO2NR9R10，或C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C1-C12烷硫基、C3-C12环烷硫基、C1-C12烷氧基或C3-C12环烷氧基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R6取代；和
x是数字1-8，优选2-4，并且y是数字0-15，x+y之和是1-16；
其中式(I)的2-10个相同或不同的基团可以通过在两个或多个相同或不同的R1、R2、R3或Y之间的一个或多个另外的键相互键合，这样可以形成具有4-10个酞菁单元的二聚体、三聚体或低聚物。
2.权利要求1的光学记录媒质，其中在式(I)中
·A  是1，4-亚丁二烯基；
·M  表示2个氢原子，Mg、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Mo、Pd、Sn、Hf、Pt或Pb，其根据化合价，任选配位或键合到1或2个另外的配体上；
·Y  是氢、溴、碘、OR4、NO2、CN、未取代的C1-C12烷基、C3-C12环烷基或C2-C12链烯基，或分别未取代的或者被一个或多个相同或不同的基团R7取代的C6-C10芳基或C7-C12芳烷基，
·R1是COOR4、CONHR4、CONR4R5、CO-R4、SO2R4，或者C6-C10芳基、C4-C8杂芳基或C7-C12芳烷基，所述基团分别是未取代的或者被R7取代；
·R2和R3分别独立地是氢或R8；
·R4、R5和R8分别独立地是C3-C8烷基、C3-C8环烷基或C3-C8链烯基，所述基团分别是未取代的或者被R6取代，或者C6-C10芳基或C7-C12芳烷基，所述基团分别是未取代的或者被R7取代；
·R6是卤素、羟基、O-R9、O-CO-R9、CO-R9、氰基或SO2R9；
·R7是卤素、硝基、氰基、O-CO-R15、NR15R16、CONHR15、CONR15R16、SO2R15、SO2NH2、SO2NHR15、SO2NR15R16、COOH、COOR15、NHCOR15、NR15COR17、或未取代或取代的C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C1-C12烷氧基或C3-C12环烷氧基；
·R9和R10分别独立地是C1-C8烷基、C3-C6环烷基、C2-C8链烯基、C3-C6环烯基或苯基；
·R9和R10与同一个N一起是吡咯烷、哌啶、哌嗪或吗啉，所述基团分别是未取代的或者被C1-C4烷基单取代至四取代取代；
·R15、R16和R17分别独立地是C1-C8烷基、C5-C6环烷基、C2-C8链烯基或C5-C6环烯基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的卤素、羟基或C1-C4烷氧基基团取代，或者是苯基或苄基，所述基团分别是未取代的或者被一个或多个相同或不同的卤素、硝基、C1-C8烷基或C1-C4烷氧基基团取代；
·R15和R16与同一个N一起是吡咯烷、哌啶、哌嗪或吗啉，所述基团分别是未取代的或者被C1-C4烷基单取代至四取代；和/或
·x是1-4的数字，且y是0-4的数字，
·其中式(I)的2-5个相同或不同的基团可以通过在两个或多个相同或不同的R1、R2、R3或Y之间的一个或多个另外的键相互键合，以便形成具有4或5个酞菁单元的二聚体、三聚体或低聚物。
3.权利要求1或2的光学记录媒质，其中在式(I)中
·M是Co(II)、Ni(II)、Cu(II)、zn(II)、Sn(II)或Pb(II)，特别是Cu(II)；
·Y是氢、溴或OR4，非常特别地是氢；
·R1是COOR4、CONHR4、CONR4R5、CO-R4、SO2RA，或者未取代的或取代的苯基或C7-C12芳烷基，非常特别地是CO-R4、SO2R4或未取代的或取代的苯基或C7-C12芳烷基；
·R2和R3分别独立地是氢或C1-C12烷基；
·R4、R5和R8分别独立地是未取代的或者被R6取代的C3-C8烷基，或者未取代的或被R7取代的苯基；
·R6是卤素、羟基、O-R9、O-CO-R9、CO-R9、氰基或SO2R9；
·R7是卤素、硝基、氰基、O-CO-R15、NR15R16，或者C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C1-C12烷氧基或C3-C12环烷氧基，所述基团分别是未取代的或者被R6取代；
·R9和R10分别独立地是C1-C4烷基或苯基；
·R9和R10与同一个N一起是哌啶或吗啉，所述哌啶或吗啉分别是未取代的或者被C1-C2烷基单取代至四取代；
·R15、R16和R17分别独立地是C1-C4烷基，所述烷基是未取代的或者被相同或不同的卤素、羟基或C1-C4烷氧基基团取代；和/或
·R15和R16与同一个N一起是哌啶或吗啉，所述哌啶或吗啉是未取代的或者被C1-C4烷基单取代至四取代。
4.权利要求1、2或3的光学记录媒质，其中记录层含有1-100％重量、优选20-100％重量、特别是50-100％重量的式(I)化合物或者式(I)化合物的混合物。
5.权利要求1、2、3、4或5的光学记录媒质，其中基板、记录层、反射层和-如果存在-覆盖层是以所述次序布置的。
6.权利要求1、2、3、4或5的光学记录媒质，所述媒质还包含覆盖层，其中基板、反射层、记录层和覆盖层是以所述次序布置的。
7.权利要求1、2、3或4的光学记录媒质，其中记录层具有不同长度的痕迹，其最短者几乎是圆形的而其最长者具有大约相当于宽度的4倍的长度。
8.记录或读出数据的方法，其中权利要求1、2、3、4、5、6或7的光学记录媒质上的数据是在波长300-500nm记录或读出的。
9.权利要求8的方法，其中记录是以线性速度v为至少4.8m·s-1和输出功率P至多为[v/0.1m·s-1]1/2mW进行的。
10.权利要求1、2或3的式(I)化合物在制备光学记录媒质中的应用。
11.光学记录媒质，所述光学记录媒质包含具有凹槽的基板、记录层和任选一个或多个反射层，其中记录层在凹槽内具有30-80nm的厚度，在凹槽的相邻处具有的20-70nm厚度，凹槽内的层厚度与凹槽相邻处层厚度的差值最大为20nm，优选最大为10nm。
12.权利要求11的光学记录媒质，其中记录层包含权利要求1、2或3的式(I)化合物。
13.记录或读出数据的方法，其中用激光束在权利要求11或12的光学记录媒质上产生或读出不同反射率的痕迹。
14.权利要求13的方法，其中痕迹具有较低的反射率。
15.权利要求13或14的方法，其中激光束通过基板射向记录层的凹槽。
16.权利要求13、14或15的方法，其中激光束具有300-500nm的波长。
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