CN1795559A - 光检测装置 - Google Patents

光检测装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1795559A
CN1795559A CNA2004800142399A CN200480014239A CN1795559A CN 1795559 A CN1795559 A CN 1795559A CN A2004800142399 A CNA2004800142399 A CN A2004800142399A CN 200480014239 A CN200480014239 A CN 200480014239A CN 1795559 A CN1795559 A CN 1795559A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
detection device
optical detection
photodiode
weld tabs
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004800142399A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100407433C (zh
Inventor
铃木保博
水野诚一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Publication of CN1795559A publication Critical patent/CN1795559A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100407433C publication Critical patent/CN100407433C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/58—Photometry, e.g. photographic exposure meter using luminescence generated by light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14638—Structures specially adapted for transferring the charges across the imager perpendicular to the imaging plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/0557—Disposition the external layer being disposed on a via connection of the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14661—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers of the hybrid type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

该发明涉及具有能有效地抑制噪声的产生、正确地进行光检测的结构的光检测装置。该光检测装置具有将M×N个光电二极管和开关设置在表面上的第一基板；将处理各自光电二极管的输出信号的信号处理部设置在表面上的第二基板；以及配置在该第一与第二基板之间的第三基板。第三基板具有与第一基板对面的第一面、和与第二基板对面的第二面。在第三基板中，在第一面上配置用于与光电二极管和信号处理部进行电连接的M根公共配线，在第二面上配置分别连接在公共配线上的焊片。第一基板上的各光电二极管通过第一突起部与第三基板的各公共配线进行电连接，第二基板上的各信号处理部通过第二突起部与第三基板的各焊片进行电连接。

Description

光检测装置
技术领域
该发明涉及具有配置成一维或二维形状的多个光电二极管(光检测元件)的光检测装置。
背景技术
光检测装置是具有配置成一维或二维形状的多个光电二极管和包括放大器和电容器的积分电路的装置。在该种光检测装置中，分别从光电二极管输出对应于入射光强度的电荷。输出的电荷被积蓄在电容器中，从积分电路输出对应于该积蓄电荷的电压。在光检测装置中，根据该积分电路的输出电压，可以检测对应于光电二极管各自配置位置的光感应区域的入射光。
作为该种光检测装置，公知例如特开2001-242253号公报(文献1)发表的光检测装置。在该文献1中发表的光检测装置对于多个光电二极管设置一个积分电路，在该积分电路的输入端子与各光电二极管之间设置开关。各光电二极管被设置在第一基板上，积分电路被设置在第二基板上，这些第一和第二基板的端部之间用引线接合法进行电连接。
发明内容
发明人对现有的光检测装置进行了研究，结果发现以下的课题。即，在上述文献1中所记载的现有的光检测装置从各光电二极管到积分电路的输入端子的电荷移动路径变长。也就是该路径由于包括了从各光电二极管到第一基板的端部的路径、从第一基板的端部到第二基板的端部的焊接导线、从第二基板的端部到积分电路的输入端子的路径，因此整个路径的长度变长。这样在该路径上的寄生电容变大。因此在现有的光检测装置中，包含在从积分电路输出的电压中的噪声大，不能正确地进行光的检测。
该发明是为了解决上述课题进行的发明，目的是提供具有可以抑制噪声的产生，正确地进行光检测的结构的光检测装置。
为了解决上述的课题，该发明具有：将多个光检测元件设置在表面的第一基板；将处理各光检测元件的输出信号的信号处理部设置在表面的第二基板；用于把这些第一和第二基板进行电连接的第三基板。特别，该第三基板配置在第一基板与第二基板之间，具有与第一基板对面的第一面和与第二基板对面的第二面。在第一面上配置分别与光检测元件进行电连接的公共配线，在第二面上配置有与第一面上的公共配线进行电连接，同时与信号处理部进行电连接的端子部。
该发明的光检测装置由于具有用于连接各光检测元件和信号处理部的公共配线的第三基板被配置在第一基板与第二基板之间，所以可以有效地缩短在第一或第二基板上的配线长度。这种情况下，各光检测元件和公共配线优选通过配置在第一基板与第三基板之间的第一突起部进行电连接，此外信号处理部和端子部优选通过配置在第三基板与第二基板之间的第二突起部进行电连接。
利用上述配线结构，由于第一、第二和第三基板分别通过突起部进行连接，所以可以缩短从光检测元件到信号处理部的电荷移动路径，该路径上的配线中的寄生电容变小。
此外在该发明的光检测装置中，优选第三基板具有在陶瓷基板内埋设连接公共配线和端子部的内部配线结构。
因为利用第三基板具有在绝缘性优良的陶瓷基板内设置内部配线的结构，即使设置多根内部配线也能够使各内部配线进行电分离。
此外在该发明的光检测装置中，优选在第三基板的第一面上的公共配线包含以规定间隔配置的多个配线元件，第三基板的第二面上的端子部包含以比该多个配线元件的配置间隔窄的间隔进行配置的多个端子。这样通过使在端子部中包含的端子间配置间隔变窄，可以减小第二基板本身的尺寸，可以使第二基板位于第三基板外边缘的内侧。
此外在该发明的光检测装置中，第一基板还可以具有分别与光检测元件进行电连接的多个开关、以及使这些开关顺序打开和关闭的控制部。这样通过用控制部控制各开关的打开和关闭，可以把生成的电荷从多个光检测元件顺序输出。
通过以下的详细说明和附图可以充分理解该发明的各个实施例。这些实施例仅仅是用于举例的示例，不应该认为是对此发明的限定。
该发明的应用范围从以下的详细说明可以了解。但是，详细的说明和特定的事例示例该发明的优选实施例，可是仅仅是示例，本行业的人从该详细的说明中自然可以了解该发明的思想和范围内的各种变化和改进。
附图说明：
图1为表示该发明的光检测装置的一实施例的结构的立体图。
图2为图1所示的光检测装置的逻辑框图。
图3为表示图1所示的光检测装置的积分电路的结构的电路图。
图4为表示包含在图1所示的光检测装置中的部件Um和控制电路的结构的逻辑框图。
图5为表示在图1所示的光检测装置中的第一基板的结构的俯视图。
图6为表示在图1所示的光检测装置中的第三基板上面(与第一基板对面的第一面)的结构的俯视图。
图7为表示从上面侧看图1所示的光检测装置中的第三基板背面(与第一基板对面的第二面)的结构的俯视图。
图8为表示在图1所示的光检测装置中的第一基板与第三基板之间的第一截面结构(第一实施例)的图。
图9为表示在图1所示的光检测装置中的第一基板与第三基板之间的第二截面结构(第二实施例)的图。
图10为表示在图1所示的光检测装置中的第三基板与第二基板之间的X-X线截面结构的图。
图11为表示在图1所示的光检测装置中的第一基板与第三基板之间的第三截面结构(第三实施例)的图。
图12为表示产生图1所示的光检测装置中的电容的元件的电路图。
具体实施方式
下面用图1～12对该发明的光检测装置的各个实施例进行详细说明。另外，在对图的说明中，相同的元件采用相同的标号，省略了重复的说明。
首先用图2～4对该发明的光检测装置的一个实施例进行说明。图2为表示该发明的光检测装置的一个实施例结构的图。该图2所示的光检测装置1具有M组的光检测元件(下面称为元件)U1～UM。各元件Um具有N个光电二极管PDm，1～PDm，N、N个开关SWm，1～SWm，N、以及信号处理电路60m。其中M为1以上的整数，N为2以上的整数。m为1以上而且M以下的整数。此外下面出现的n为1以上而且N以下的整数。
各元件Um中具有的光电二极管PDm，n是生成对应于入射光强度的电荷的光检测元件。此外开关SWm，n与各光电二极管PDm，n相对应，设置M×N个，具有伴随开关的打开和关闭，可以相互进行电的切断/连接的第一端和第二端。其第一端被连接在对应的光电二极管PDm，n上，第二端通过公共配线50m连接在信号处理电路60m的积分电路10m上。
公共配线50m对应于各元件Um，设置M根。为了把在对应的元件Um中具有的各光电二极管PDm，n连接在信号处理电路60m的积分电路10m上，设置各公共配线50m。各公共配线50m一端连接在N个开关SWm，1～SWm，N各自的第二端，另一端连接在信号处理电路60m的积分电路10m上。利用该公共配线50m，各光电二极管PDm共同被连接在一个积分电路10m上。
对应于各元件Um设置M个信号处理电路60m。各信号处理电路60m是处理对应的元件Um具有的各光电二极管PDm，n的输出信号的电路，具有积分电路10m、CDS(Correlated Double Sampling：相关双采样)电路20m和采样保持电路(以下称为保持电路)30m。
积分电路10m被连接在对应的公共配线50m和CDS电路20m上。如图3所示，各积分电路10m具有放大器A、电容器C以及开关SWT，把它们并联。然后通过关闭该开关SWT，积蓄电荷从电容器C放电，输出电压被初始化。另一方面如打开开关SWT，从公共配线50m输入的电荷积蓄在电容器C中，输出与该电容器C中积蓄的电荷相对应的电压。
CDS电路20m被连接在积分电路10m和保持电路30m上。CDS电路20m输入来自积分电路10m的输出电压，把表示该输入的电压在一定时间的变动部分的电压输出给保持电路30m。保持电路30m输入来自CDS电路20m的输出电压，把该电压保持一定时间。
控制电路40是控制光检测装置1整体动作的控制装置。控制电路40如图4所述在光检测装置1上设置1个。控制电路40把全部元件U1～UM作为对象，顺序打开和关闭各元件Um中具有的M×N个开关SW1，1～SWM，N来进行控制。利用控制打开和关闭，各元件Um的N个光电二极管PDm，1～PDm，N按从PDm，1、PDm，2、…、PDm，N顺序一个个被连接在积分电路10m上，生成的电荷顺序从各光电二极管PDm，n输出。此外控制电路40控制包括在各积分电路10m中的开关SWT的打开和关闭，控制在积分电路10m中的初始化和积分动作的时间。此外控制电路40也控制各CDS电路20m和保持电路30m的动作时间。
具有以上结构的光检测装置1由基板100(第一基板)、基板200(第三基板)和基板300(第二基板)构成(参照图1和图4)。通过把基板100配置在基板200的上面一侧，同时基板300配置在背面一侧，从光的入射方向L看，可以实现基板100、基板200和基板300顺序配置的实际安装的三维结构。
基板100和基板200垂直厚度方向的各自的尺寸即外边缘的尺寸相同，而基板300的外边缘尺寸比基板200的外边缘尺寸小，位于基板200的外边缘的内侧(基板300的外边缘也可以与基板200的外边缘一致)。
基板100(第一基板)是包括硅基板的第一基板，在该基板上设置有构成全部元件U1～UM的M×N个的光电二极管PD1，1～PDM，N、以及M×N个开关SW1，1～SWM，N。如图5所示，基板100在光L入射的面100a(光入射面)一侧具有由各光电二极管PDm，n和对应的开关SWm，n构成的一个象素被排列成M×N(M行N列)的二维状的PD阵列。此外基板100在第一面100a侧具有连接在各光电二极管PDm，n上的M×N根金属配线611，1～61M，N、共同连接在1～N列的各列M个开关SW1，n～SWM，n的N根金属配线621～62N。
如图1所示，在基板100中与第一面100a相反侧(第二面100b侧)，配置有对应于各光电二极管PDm，n设置的M×N个焊片64、对应于各金属配线62n设置的N个焊片66。另外，基板100贯通第一面100a与第二面100b之间，在对应于各光电二极管PDm，n设置的M×N个贯通孔中具有贯通配线67。各贯通配线67一端连接在各金属配线61m，n上，另一端连接在各焊片64上。此外各贯通配线67一端连接在各金属配线62n上，另一端连接在各焊片66上。图中的情况仅仅表示焊片64、66和贯通配线67(后面叙述的突起部63，65)是对应于光电二极管PDM，1或金属配线621的情况，其他被省略。
基板200(第三基板)例如是由陶瓷构成的第三基板，具有用于把各光电二极管PDm，n和信号处理电路60m进行电连接的配线结构。如图6所示，在与基板100对面的基板200的第一面200a(上面)一侧，配置有对应于各元件Um设置的M根公共配线501～50M、用于向基板100的M×N个开关SW1，1～SWM，N输入SW开关信号的N个焊片711～71N。此外各公共配线50m具有用于与设置在对应的元件Um中的N个光电二极管PDm，1～PDm，N进行电连接的N个焊片51m，1～51m，N。此外如图7所示，在与基板300对面的基板200的第二面200b(背面)一侧，配置有作为对应于各元件Um设置的M个端子部的焊片721～72M、以及连接在焊片71n上的N个焊片731～73N。图7表示从上面(第一面200a)一侧看第三基板的背面的该背面的结构。
基板300(第二基板)是硅基板，对应于各元件Um设置的M个信号处理电路601～60M和一个控制电路40(图1中没有表示)设置在该硅基板上。此外在连接在基板200上的第一面300a侧，配置对应于基板200的各焊片72m设置的M个焊片811～81M、以及对应于各焊片73n设置的N个焊片821～82N。而对应的信号处理电路60m的积分电路10m连接在这些焊片81m上。此外控制电路40连接在N个焊片82n上。
下面参照图8和图10所示的截面图以及图1，对基板100、基板200和基板300各自的电连接结构进行详细说明。
图8是作为该发明的光检测装置的第一实施例，表示作为第一基板的基板100和作为第三基板的基板200的第一截面结构的图。在该第一实施例的光检测装置1中，由于基本图形在左右方向重复表示，在下面仅对一个基本图形进行说明。
在基板100上，在n型半导体基板的第一面100a(在图中为上侧的面)侧形成有：形成n型半导体基板100N、同时形成pn接合构成各光电二极管PD的p+区域111；以及作为隔离区域的n+区域112。金属配线61与p+区域111进行电连接。金属配线61在绝缘膜114上形成，在其接触孔中被连接在p+区域111上。此外金属配线61也与贯通配线67连接。贯通配线67贯通n型半导体基板100N。此外在贯通配线67通过的贯通孔的侧壁上，形成用于使n型半导体基板100N和贯通配线67进行电绝缘的绝缘膜68。绝缘膜68可以是单层膜，也可以是层叠膜。此外在第二面100b侧，焊片64连接在贯通配线67上。此外在n型半导体基板100N的背面侧，顺序形成n+型不纯物层121和用于保护表面的绝缘性的保护层122，焊片69通过在保护层122上开的接触孔，与n+型不纯物层121进行电连接，形成电阻性的连接。在该截面图中被省略了，开关SW连接在各光电二极管上。
如表示图1的X-X线截面的图10所示，基板200具有埋设在陶瓷基板201内的M根条带状金属配线911～91M。各金属配线91m与对应的公共配线50m和焊片72m连接。此外各金属配线91m，相邻配线之间的配置间隔在第二面200b侧上比第一面200a侧窄，做成相互靠近。采用该结构，各焊片72m的配置间隔比公共配线50m的配置间隔窄，M个焊片72m集中在第二面200b侧的中央部位。其结果容易使基板300的外边缘尺寸本身比基板200的外边缘尺寸小。此外陶瓷基板201具有在内部埋设的N根条带状的金属配线92。各金属配线92与对应的焊片71n和焊片73n连接。
在该基板200与基板100的间隙中填充树脂150。如图8所示，焊片64和焊片51通过突起部63(第一突起部)连接(下面把基板100和基板200用突起部63的连接称为第一突起部连接)。利用该第一突起部连接，在基板100上的各光电二极管PDm，n被连接在基板200上的对应的公共配线50m上。焊片66和焊片71也通过突起部65连接。
基板200和基板300的间隙也填充树脂150。如图10所示，焊片72和焊片81通过突起部93(第二突起部)连接(下面把基板200和基板300用突起部93的连接称为第二突起部连接)。利用该第二突起部连接，在基板300上的各信号处理电路60m被连接在基板200上的各焊片72m上。另外，焊片73和焊片82也通过突起部94连接。这样光检测装置1具有通过第一和第二突起部连接而被连接的由3块基板100、200、300构成的三维实际安装的结构(下面把该结构称为三维突起部连接结构)。
此外如图8所示，闪烁器510和屏蔽材料520配置在基板100的第一面100a侧。闪烁器510被设置在基板100的p+区域111的上侧，如X射线等的能量射线射入，产生对应于该能量射线的闪烁光。屏蔽材料520被设置在基板100的n+区域112的上侧，阻止X射线等的能量射线的透过，同时固定闪烁器510。
具有以上结构的光检测装置1按如下进行动作。
如X射线等的能量射线入射到闪烁器510，从闪烁器510产生对应于其能量射线的闪烁光。该闪烁光入射到基板100的p+区域111，在各光电二极管PD中生成对应于入射的闪烁光的电荷。
另一方面在光检测装置1中，与由光电二极管PD生成电荷的同时，基板300的控制电路40(参照图4)从焊片82通过突起部94把SW开关信号向焊片73输出。该SW开关信号通过基板200内的金属配线92被输入到焊片71，还通过突起部65、焊片66和贯通配线67被输入到金属配线62。控制电路40通过进行该SW开关信号的输出控制，使基板100的各开关SWm，n打开和关闭。即，控制电路40以焊片82182N为对象，输出SW开关信号，同时使分别连接在从金属配线621到622、…、62N的各列M个开关SW1，1～SWM，1打开和关闭，该M个开关SW1，n～SWM，n的开关动作以一定周期反复进行N次。
通过开关SW的这一系列的开关动作，对应于来自各列M个的光电二极管PD的入射闪烁光的电荷输出进行N次(从光电二极管PD1，1～PDM，1的输出、从光电二极管PD1，2～PDM，2的输出、…、从光电二极管PD1，N～PDM，N的输出的N次)(下面把该各列M个的光电二极管PD输出的各次的电荷称为电荷组)。
然后各电荷组分别通过金属配线61、贯通配线67、焊片64和突起部63，输入到连接在基板200的M根公共配线501～50M上的对应的焊片511，1～51M，N。各电荷组还通过公共配线501～50M、通过基板200内的对应的金属配线911～91M、焊片721～72M和突起部93，输入到焊片811～81M，由此分别输入到M个积分电路10m。其中如各积分电路10m的开关SWT打开，各电荷组的电荷分别积蓄在电容器C中。这样的动作被分成N次，顺序反复进行。于是在各积分电路10m中，从配置在对应的元件Um中的N个光电二极管PDm，1～PDm，N输出的电荷被积蓄起来。然后从其各积分电路101～10M的输出端输出对应于积蓄在电容器C中的电荷(成比例)的电压。还要从基板300上的CDS电路20m输出表示积分电路10m中的输出电压的一定时间的变化部分的电压，在基板300上的保持电路30m中把从CDS电路20m输出的电压保持一定的时间。
如上所述，光检测装置1，由于将具有用于连接各光电二极管PDm，n和信号处理电路60m的公共配线50m和金属配线91m的基板200夹在基板100与基板300之间，可以缩短在基板100、基板200上拉回的配线的长度。此外基板100和基板200利用第一突起部连接进行电连接，基板200和基板300利用第二突起部连接进行电连接。因此该光检测装置1缩短了从基板100上的各光电二极管PDm，n到基板300上的积分电路10m的电荷移动路径，所以可以减小路径上的配线中的寄生电容，可以减小包含在来自各积分电路10m的输出电压中的噪声。这样用该光检测装置1可以正确地进行光的检测。
可是如图12所示，包含在来自光检测装置的输出信号中的噪声Ns与积分电路中的电容器C的静电容Cf成反比，与多个光电二极管的合成静电容Cd和寄生电容Cv相加的电容Ct成比例。也就是Ns∝Ct/Cf、Ct＝(Cd+Cv)，所以寄生电容的增加与噪声Ns的增加相关联。
与此相反，由于在该光检测装置1中，配置成基板100和基板300夹着由陶瓷等构成的基板200，所以缩短了拉回到基板300(硅基板)上的配线的长度，可以使寄生电容Cv减小。因此包含在从积分电路10m输出的电压中的噪声减小，可以正确地进行光的检测。
此外基板200由绝缘性优良的陶瓷基板构成。因此基板200在陶瓷基板内的各金属配线91被电分离。因此该光检测装置1可以用一块基板200把包含在多个元件U1～UM中的各光电二极管PDm，1～PDm，N单独连接在对应的信号处理电路60m上。
此外在该光检测装置1中，基板300的尺寸比基板100和基板200的各尺寸小，而且在基板100上形成PD阵列，而处理从各PD阵列输出的信号的信号处理电路60m设置在基板300上，不设在基板100上。因此对于多块基板100使相互的间隔变窄，使基板100之间靠得非常近，或可以相互接触排列。因此该光检测装置1可以增加象素数和高密度化。
此外该光检测装置1优选形成PD阵列的基板100和形成信号处理电路60m的基板300可以分别用最佳制造工艺制造。
该发明的光检测装置的一个实施例与上述文献1中记载的现有的光检测装置进行对比，还有以下优点。即，在现有的光检测装置中，第一基板和第二基板用导线焊接进行连接，所以在第一基板上排列闪烁器时，在用于导线焊接的片的上方不能配置闪烁器。要配置闪烁器的话，必须要使该闪烁器的形状与其他的不同。因此现有的光检测装置配置多块第一基板时，各个第一基板内的光电二极管的光检测灵敏度变得不一样。此外现有的光检测装置配置多块第一基板时，为了在该第一基板的横向放置第二基板(在相邻的第一基板之间放置第二基板)，在各第一基板上不能以相同的间隔排列光电二极管。
与此相反，该发明的光检测装置通过利用第二突起部连接进行基板200和基板300的连接，闪烁器的形状可以全都一样。此外可以使基板300比基板200小，所以基板100可以以几乎没有间隙全都铺上的状态并排在一起，多块基板100上的各光电二极管也可以以同样的间距排列。
图9是作为该发明的光检测装置的第二实施例，表示第一基板的基板102和第三基板的基板200的第二截面结构的图。该第二实施例的光检测装置2与上述第一实施例的光检测装置1相比较，由于第一基板的构造不同，另一方面基板200(第三基板)和基板300(第二基板)具有相同的构造，所以在下面的说明中，以对基板102的说明为中心，对基板200和基板300的说明省略或简化。在该图9中也是基本图形在左右方向重复表示，在下面仅对一个基本图形进行说明。
作为第一基板的基板102在n型半导体基板的第一面102a侧形成用于防止电荷重新结合的n+型累积层151、以及用于保护表面的绝缘性的保护层152。此外基板102在第二面102b侧形成：形成n型半导体基板102N，同时形成pn接合，构成各光电二极管PD的p+区域161；以及作为隔离区域的n+区域162，形成把它们覆盖的保护层163。此外在第二面102b侧形成与p+区域161进行电连接的焊片164，突起部165连接在各焊片164上。突起部165被连接在基板200上的焊片51上。基板102和基板200的间隙填充树脂150。在n+区域162上形成焊片166。
此外在基板102的第一面102a侧，配置闪烁器510和屏蔽材料520。闪烁器510被设置在基板102的p+区域161的上方，如X射线等的能量射线射入，产生对应于该能量射线的闪烁光。屏蔽材料520被设置在基板102的n+区域162的上方，阻止X射线等的能量射线的透过，同时固定闪烁器510。此外基板102在形成p+区域161的部分，第一面侧被蚀刻，使形成p+区域161的部分的厚度变薄。
在该第二实施例的光检测装置2(图9)中，X射线等的能量射线入射到闪烁器510时，该闪烁器510产生闪烁光。该闪烁光从第一面侧透过基板102内入射到p+区域161，在作为第一面102a的背面的第二面102b侧的光电二极管中生成电荷。该电荷通过焊片164、突起部165被输入到基板200，此后该光检测装置2与上述的第一实施例的光检测装置1相同，把电荷积蓄在积分电路10的电容器C中。然后从积分电路10的输出端输出与在电容器C中积蓄的电荷相对应的电压。
该第二实施例中的光检测装置2的情况也是各基板102、200、300利用与第一实施例的光检测装置1相同的第一和第二突起部连接进行连接的，所以缩短了从基板100上的各光电二极管PDm，n到基板300上的积分电路10m的电荷移动路径。这样由于可以减小路径上的配线中的寄生电容，所以可以减小包含在来自各积分电路10m的输出电压中的噪声。由此，该光检测装置2也可以起到与第一实施例的光检测装置1相同的除此以外的作用和效果。
图11是作为该发明的光检测装置的第三实施例，表示作为第一基板的基板103和作为第三基板的基板200的第三截面结构的图。图11所示的基板103与第一实施例中的基板100相比较，不同点是第二面103b侧的突起部64的配置间隔和基板200上的焊片51的配置间隔比n型半导体基板103N的第一面103a侧上的光电二极管PD的配置间隔短。此外必须对应从与贯通配线67连接的位置到与突起部63连接的位置，焊片64做得比较长。此外在贯通配线67通过的贯通孔的侧壁上，形成用于使基板103和贯通配线67进行电绝缘的绝缘膜68。绝缘膜68可以是单层膜，也可以是层叠膜。关于焊片69也配置成与焊片51相同。此外在图8所示的第一实施例的光检测装置1中，构成第一突起部连接的突起部64、51的配置间隔也可以比作为第一基板的基板100上的光电二极管PD的配置间隔短。
该发明不是限定于上述的实施例，可以有各种变化。例如第一基板(基板100、102、103)和第三基板(基板200)各自的截面结构也可以分别是图8、图9、图11所示结构以外的结构，不限定于这些。此外在第二基板(基板300)上还可以设置其他的电路，例如还可以设置进行从保持电路30m的输出电压进行A/D转换的A/D转换电路等。
在上述的实施例中，以陶瓷基板作为第三基板(基板200)进行了说明，但该第三基板用绝缘性材料制成就可以，不限定为陶瓷基板。例如也可以是由玻璃、聚酰亚胺等的有机材料、它们的复合材料构成的基板。
此外在上述的各实施例中，连接第一基板(基板100、102、103)和第三基板(基板200)或连接第三基板(基板200)和第二基板(基板300)使用突起部，但也可以是焊锡或把突起部与各向异性的导电性薄膜ACF、各向异性的导电性树脂ACP、非导电性树脂NCP的组合。
从上述本发明的说明可以了解能够使本发明进行各种变化。这样的变化不能认为是脱离了本发明的思想和范围，所有的本行业的人清楚的改进都是包含在以下的要求范围内的。
产业上的可利用性
该发明由于绝缘材料构成的配线用的第三基板夹在配置光检测元件的第一基板和配置信号处理电路的第二基板之间，可以缩短第一或第二基板上的配线的长度，适用于在电荷移动路径上的配线中的寄生容量小的光检测装置。

Claims (5)

1.一种光检测装置，其特征在于，具有：
将多个光检测元件设置在表面上的第一基板；
将用于处理所述各光检测元件的输出信号的信号处理部设置在表面上的第二基板；
位于所述第一基板与第二基板之间，具有与该第一基板对面的第一面和与该第二基板对面的第二面的第三基板，该第三基板具有配置在所述第一面上而且分别与所述光检测元件进行电连接的公共配线；和配置在所述第二面上而且与所述公共配线进行电连接，并与所述信号处理部进行电连接的端子部。
2.如权利要求1所述的光检测装置，其特征在于，还具有：
设置在所述第一基板与第三基板之间，与所述各光检测元件和所述公共配线进行电连接的第一突起部；以及设置在所述第三基板与所述第二基板之间，用于与所述信号处理部和所述端子部进行电连接的第二突起部。
3.如权利要求1或2所述的光检测装置，其特征在于：
所述第三基板具有连接所述公共配线和所述端子部的内部配线被埋设在陶瓷基板内的结构。
4.如权利要求1～3任一项所述的光检测装置，其特征在于：
设置在所述第三基板的第一面上的所述公共配线包括以规定间隔配置的多个配线元件，设置在所述第三基板的第二面上的所述端子部包括以比所述多个配线元件的配置间隔窄的间隔进行配置的多个端子。
5.如权利要求1～4任一项所述的光检测装置，其特征在于：
所述第一基板具有连接在所述各光检测元件上的多个开关，
所述光检测装置具有使所述开关分别顺序打开和关闭的控制部。
CN2004800142399A 2003-05-23 2004-05-21 光检测装置 Expired - Fee Related CN100407433C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP146663/2003 2003-05-23
JP2003146663 2003-05-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1795559A true CN1795559A (zh) 2006-06-28
CN100407433C CN100407433C (zh) 2008-07-30

Family

ID=33475305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2004800142399A Expired - Fee Related CN100407433C (zh) 2003-05-23 2004-05-21 光检测装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7470893B2 (zh)
EP (1) EP1628348A4 (zh)
JP (1) JP4541299B2 (zh)
KR (1) KR101075626B1 (zh)
CN (1) CN100407433C (zh)
IL (1) IL172123A0 (zh)
WO (1) WO2004105137A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101542732B (zh) * 2006-10-10 2012-04-18 浜松光子学株式会社 光检测装置
CN103579263A (zh) * 2012-08-09 2014-02-12 台湾积体电路制造股份有限公司 具有堆叠结构的cmos图像传感器芯片及其形成方法
CN104459757A (zh) * 2013-09-20 2015-03-25 株式会社东芝 放射检测器和放射检测装置
CN106098719A (zh) * 2010-11-11 2016-11-09 索尼公司 固态成像设备和电子装置
CN106252368A (zh) * 2015-06-10 2016-12-21 光子科学研究所 图像传感器及其制造方法和包括图像传感器的光电系统

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100718878B1 (ko) * 2005-06-28 2007-05-17 (주)실리콘화일 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법
US20080001246A1 (en) * 2006-05-24 2008-01-03 Dipak Sengupta Single package detector and digital converter integration
KR100801447B1 (ko) * 2006-06-19 2008-02-11 (주)실리콘화일 배면 광 포토다이오드를 이용한 이미지센서 및 그 제조방법
JP4289377B2 (ja) * 2006-08-21 2009-07-01 ソニー株式会社 物理量検出装置及び撮像装置
WO2009136342A1 (en) * 2008-05-08 2009-11-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. A microelectronic device with wafer trenches
US8471939B2 (en) * 2008-08-01 2013-06-25 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor having multiple sensing layers
JP5083272B2 (ja) * 2009-05-07 2012-11-28 ソニー株式会社 半導体モジュール
JP5643555B2 (ja) 2010-07-07 2014-12-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP5885401B2 (ja) 2010-07-07 2016-03-15 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
JP5751766B2 (ja) * 2010-07-07 2015-07-22 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
JP5697371B2 (ja) 2010-07-07 2015-04-08 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
WO2012024512A2 (en) * 2010-08-18 2012-02-23 Array Optronix, Inc. Semiconductor photodetectors with integrated electronic control
JP6083051B2 (ja) 2011-05-12 2017-02-22 デピュー シンセス プロダクツ, インコーポレーテッドDePuy Synthes Products, Inc. 内視鏡用の改良型画像センサ
WO2012174509A1 (en) * 2011-06-16 2012-12-20 Suni Medical Imaging, Inc. X-ray image sensor
JP5791571B2 (ja) 2011-08-02 2015-10-07 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
JP2013090127A (ja) * 2011-10-18 2013-05-13 Olympus Corp 固体撮像装置および撮像装置
US9153565B2 (en) 2012-06-01 2015-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensors with a high fill-factor
US8629524B2 (en) 2012-04-27 2014-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus for vertically integrated backside illuminated image sensors
US8957358B2 (en) 2012-04-27 2015-02-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. CMOS image sensor chips with stacked scheme and methods for forming the same
US10297630B2 (en) * 2012-06-18 2019-05-21 Forza Silicon Corporation Pinned charge transimpedance amplifier
WO2014018948A2 (en) 2012-07-26 2014-01-30 Olive Medical Corporation Camera system with minimal area monolithic cmos image sensor
CN105246394B (zh) 2013-03-15 2018-01-12 德普伊新特斯产品公司 无输入时钟和数据传输时钟的图像传感器同步
EP2967286B1 (en) 2013-03-15 2021-06-23 DePuy Synthes Products, Inc. Minimize image sensor i/o and conductor counts in endoscope applications
JP6250959B2 (ja) * 2013-06-19 2017-12-20 キヤノン株式会社 放射線検出装置およびその製造方法
TWI648986B (zh) * 2014-04-15 2019-01-21 日商新力股份有限公司 攝像元件、電子機器
JP6693068B2 (ja) * 2015-03-12 2020-05-13 ソニー株式会社 固体撮像装置および製造方法、並びに電子機器
JP1626335S (zh) * 2018-04-27 2019-09-02
JP1624467S (zh) * 2018-04-27 2019-08-05
JP1623120S (zh) * 2018-04-27 2019-07-16
JP1623119S (zh) * 2018-04-27 2019-07-16
JP1627076S (zh) * 2018-04-27 2019-09-09
JP1627077S (zh) * 2018-04-27 2019-09-09
JP7496293B2 (ja) * 2020-11-20 2024-06-06 浜松ホトニクス株式会社 検出器

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5043582A (en) * 1985-12-11 1991-08-27 General Imagining Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
JPH05315578A (ja) 1992-05-06 1993-11-26 Fujitsu Ltd 固体撮像装置
US5436458A (en) * 1993-12-06 1995-07-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Solid state radiation detection panel having tiled photosensitive detectors arranged to minimize edge effects between tiles
JP2991039B2 (ja) * 1994-06-16 1999-12-20 三菱電機株式会社 密着型イメージセンサ
US5477933A (en) * 1994-10-24 1995-12-26 At&T Corp. Electronic device interconnection techniques
US5742060A (en) * 1994-12-23 1998-04-21 Digirad Corporation Medical system for obtaining multiple images of a body from different perspectives
JP3877860B2 (ja) 1998-03-11 2007-02-07 松下電器産業株式会社 固体撮像素子付半導体装置及び該半導体装置の製造方法
JP2001242253A (ja) 1999-12-24 2001-09-07 Toshiba Corp 放射線検出器およびｘ線ｃｔ装置
JP2001291877A (ja) 2000-04-05 2001-10-19 Hamamatsu Photonics Kk 固体撮像装置
JP3713418B2 (ja) 2000-05-30 2005-11-09 光正 小柳 ３次元画像処理装置の製造方法
WO2002012845A1 (fr) 2000-08-03 2002-02-14 Hamamatsu Photonics K.K. Detecteur optique
JP2002246582A (ja) 2000-10-26 2002-08-30 Canon Inc 放射線検出装置、その製造方法及びシステム
US6426991B1 (en) * 2000-11-16 2002-07-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Back-illuminated photodiodes for computed tomography detectors
JP4653336B2 (ja) 2001-04-18 2011-03-16 浜松ホトニクス株式会社 エネルギー線検出器及び装置
US6510195B1 (en) * 2001-07-18 2003-01-21 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Solid state x-radiation detector modules and mosaics thereof, and an imaging method and apparatus employing the same
DE10142531A1 (de) * 2001-08-30 2003-03-20 Philips Corp Intellectual Pty Sensoranordnung aus licht- und/oder röntgenstrahlungsempfindlichen Sensoren
JP5105695B2 (ja) 2001-11-05 2012-12-26 カミヤチョウ アイピー ホールディングス 固体イメージセンサおよびその製造方法
US7230247B2 (en) * 2002-03-08 2007-06-12 Hamamatsu Photonics K.K. Detector
JP4237966B2 (ja) * 2002-03-08 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 検出器
JP2003282849A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Canon Inc 放射線検出装置及び放射線検出装置用接続基板の製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101542732B (zh) * 2006-10-10 2012-04-18 浜松光子学株式会社 光检测装置
CN106098719A (zh) * 2010-11-11 2016-11-09 索尼公司 固态成像设备和电子装置
CN106098719B (zh) * 2010-11-11 2020-05-19 索尼公司 固态成像设备和电子装置
CN103579263A (zh) * 2012-08-09 2014-02-12 台湾积体电路制造股份有限公司 具有堆叠结构的cmos图像传感器芯片及其形成方法
CN104459757A (zh) * 2013-09-20 2015-03-25 株式会社东芝 放射检测器和放射检测装置
CN106252368A (zh) * 2015-06-10 2016-12-21 光子科学研究所 图像传感器及其制造方法和包括图像传感器的光电系统
CN106252368B (zh) * 2015-06-10 2020-02-21 光子科学研究所 图像传感器及其制造方法和包括图像传感器的光电系统

Also Published As

Publication number Publication date
EP1628348A4 (en) 2007-07-18
EP1628348A1 (en) 2006-02-22
CN100407433C (zh) 2008-07-30
IL172123A0 (en) 2009-02-11
KR101075626B1 (ko) 2011-10-21
JP4541299B2 (ja) 2010-09-08
US20070181780A1 (en) 2007-08-09
KR20060011845A (ko) 2006-02-03
US7470893B2 (en) 2008-12-30
WO2004105137A1 (ja) 2004-12-02
JPWO2004105137A1 (ja) 2006-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1795559A (zh) 光检测装置
US10608031B2 (en) Image sensor
CN1836331A (zh) 半导体光检测元件和放射线检测装置
CN1169351C (zh) 固态图象传感器
CN110957339B (zh) 固态成像装置和电子设备
CN109728012B (zh) 图像感测设备
CN102655159A (zh) 大型x射线探测器
EP1564812B1 (en) Photo detection device
CN101053246A (zh) 图像读取装置
CN1941390A (zh) 具有两个半导体层的像素、图像传感器及图像处理系统
CN1759484A (zh) 光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器
CN107195648B (zh) 一种低噪声高灵敏度全局像素单元结构及其形成方法
US8945973B2 (en) Method of manufacturing backside illuminated active pixel sensor array
US20090045502A1 (en) Chip scale package with through-vias that are selectively isolated or connected to the substrate
CN100440520C (zh) 半导体装置及其制造方法
CN1853273A (zh) 半导体装置
CN113497069A (zh) 图像传感器装置
CN1497732A (zh) 固体摄像器件
CN100440521C (zh) 半导体装置
CN111785766A (zh) 显示装置、显示面板及其制备方法
CN113497068A (zh) 图像传感器装置
CN110556397A (zh) 有机图像传感器
US20240113237A1 (en) Semiconductor structure and method of manufacturing the same
US11948964B2 (en) Image sensor having vertical, transfer, reset, source follower, and select transistors vertically aligned over the photodiode
WO2022118617A1 (ja) 撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080730

Termination date: 20130521