CN1790144B - 薄膜晶体管阵列面板和液晶显示器 - Google Patents

薄膜晶体管阵列面板和液晶显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN1790144B
CN1790144B CN2005100937551A CN200510093755A CN1790144B CN 1790144 B CN1790144 B CN 1790144B CN 2005100937551 A CN2005100937551 A CN 2005100937551A CN 200510093755 A CN200510093755 A CN 200510093755A CN 1790144 B CN1790144 B CN 1790144B
Authority
CN
China
Prior art keywords
passivation layer
pixel electrode
thickness
layer
gate insulator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2005100937551A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1790144A (zh
Inventor
梁英喆
宋根圭
金保成
洪雯杓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN1790144A publication Critical patent/CN1790144A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1790144B publication Critical patent/CN1790144B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133502—Antiglare, refractive index matching layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供了一种薄膜晶体管阵列面板，该面板包括：绝缘基板、在缘基板上形成的栅极线、覆盖栅极线的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上形成的数据线；覆盖数据线的下钝化层、在下钝化层上形成的由有机绝缘材料制成的上钝化层、在上钝化层上形成的像素电极。栅极绝缘层、下钝化层和像素电极的厚度分别表示为dG，dP，dI；栅极绝缘层、下钝化层和像素电极的折射率分别表示为nG，nP，nI，并且根据：4(dGnG+dPnP)＝，这是波长的偶数倍；4dInI＝，这是波长的奇数倍，满足条件方程。

Description

薄膜晶体管阵列面板和液晶显示器
技术领域
本申请要求2004年12月17日提交的第10-2004-0108172号韩国专利申请的优先权和利益，该文献通过各种目的的引用而被包含于此，就好像被完整地在此提出一样。
背景技术
本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板和液晶显示器。
平板显示器，如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)，包括薄膜晶体管(TFT)阵列面板以单独地控制多个像素。
薄膜晶体管阵列面板具有：排列成矩阵的多个像素和驱动像素的多个信号线，如用于传送扫描信号的栅极线和用于传送数据信号的数据线。每个像素具有：像素电极和与栅极线和数据线连接以控制数据信号的TFT。在栅极线、数据线和薄膜晶体管之间形成栅极绝缘层和钝化层，以使其间绝缘。
薄膜晶体管具有：栅电极，与栅极线连接；源电极，与数据线连接；漏电极，与像素电极连接；半导体，在其中形成薄膜晶体管的沟道；和栅极绝缘层，在栅电极和半导体之间。
在液晶显示器中，用低介电的有机绝缘层作为钝化层，通过将像素电极和信号线之间的寄生电容最小化来提高开口率。因此，与采用无机绝缘层相比，像素电极和信号线之间的间隔减小到大约3～4微米，或者像素电极和信号线彼此重叠以提高开口率。
由于有机绝缘层的透光率低，或者根据通过不同的层间折射率产生的多反射的干涉现象，而使得LCD的透光率降低。
发明内容
本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板和液晶显示器。
将在下面的描述中阐明本发明的其它特点，部分特点从描述中显而易见，或者可由本发明的实施得知。
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板，具有：绝缘基板、在绝缘基板上形成的栅极线、覆盖栅极线的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上形成的数据线、覆盖数据线的下钝化层、在下钝化层上形成的包含有机绝缘材料的上钝化层、和在上钝化层上形成的像素电极，其中，栅极绝缘层、下钝化层和像素电极满足下面的条件方程：4(dGnG+dPnP)＝，是波长的偶倍数，4dInI＝，是波长的偶倍数，其中，栅极绝缘层、下钝化层和像素电极的厚度分别表示为dG、dP和dI，栅极绝缘层、钝化层和像素电极的折射率分别表示为nG、nP和nI。
本发明还公开了一种液晶显示器，具有：第一基板、在第一基板上形成的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上形成的下钝化层、在下钝化层上形成的并包含有机绝缘材料的上钝化层、在上钝化层上形成的像素电极、面对向第一基板的第二基板、在第一基板与第二基板之间形成的液晶层，其中，栅极绝缘层、下钝化层和像素电极满足下面的条件方程：4(dGnG+dPnP)＝，是波长的偶倍数，4dInI＝，是波长的偶倍数，其中，栅极绝缘层、下钝化层和像素电极的厚度分别表示为dG、dP和dI，栅极绝缘层、钝化层和像素电极的折射率分别表示为nG、nP和nI。
应该清楚，前面的概括性描述和下面的详细描述是示例性和解释性的，意在进一步提供本发明的解释，如要求的一样。
附图说明
为进一步理解本发明，结合附图并将附图作为本说明的一部分，对本发明的实施例进行说明，同时为解释本发明的原理进行描述。
图1为根据本发明实施例的LCD的TFT阵列面板的布局视图。
图2为沿图1中线II-II截取的TFT阵列面板的剖视图。
图3为TFT阵列面板中显示区域的沉积结构的剖视图。
图4为具有不同折射率和不同厚度的多层沉积结构的剖视图。
图5显示了根据多反射的干涉现象。
图6为显示了根据像素电极的厚度的波长的透光率曲线图。
图7为显示了根据氮化硅层的厚度的波长的透光率曲线图。
图8为显示了根据有机绝缘层的厚度的波长的透光率曲线图。
图9为显示了根据多层的最佳厚度的波长的透光率曲线图。
图10为显示根据在具有多层的最佳厚度的显示装置中的有机层的厚度的波长的透光率曲线图。
具体实施方式
以下将参照附图来更充分地描述本发明，在所述附图中示出了本发明的优选实施例。尽管本发明有许多不同形式的实施例，但是本发明不应该限于所提出的实施例而被构建。
在附图中，为清晰起见，夸大了层、薄膜和区域的厚度。相同的标号始终表示相同的元件。可以理解，当如层、薄膜、区域或基板的元件被称为位于另一个元件“上”时，它可以直接在另一个元件上或也可存在中间元件。相反，当元件被称为“直接”位于另一个元件“上”时，不存在中间元件。
下面参照附图来描述根据本发明的实施例的TFT阵列面板和具有该面板的LCD。
下面参照图1和图2来描述LCD的TFT阵列面板。
TFT阵列面板可具有显示区域和外围区域，在该显示区域中设置了多个信号线、多个薄膜晶体管和多个像素电极，在该外围区域中设置了所述信号线的多个端部。
图1是LCD的TFT阵列面板的布局视图，图2是沿图1中的线II-II的TFT阵列面板的剖视图。
多个栅极线121形成在如透明玻璃的绝缘基板110上。
栅极线121可基本上在横向方向上延伸，相互分离并传送栅极信号。每个栅极线121具有多个形成多个栅电极124的部分，和具有用于与另一层或外部驱动电路充分接触的区域的端部129。栅极线121可与驱动电路相连接，该驱动电路可与绝缘基板110是一体的或者形成在绝缘基板110上。大多数栅极线121设置在显示区域中，端部129设置在外围区域中。
如图2所示，栅极线121可包括两个具有不用物理性质的膜，下膜121p和上膜121q。为了减少栅极线121中的信号延迟或压降，上膜121q可由具有含Al的金属如Al和Al合金的低电阻率的金属制成。下膜121p可由诸如Cr、Ti、Ta、Mo和Mo合金的材料制成，该材料具有良好的物理、化学性质和与如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的其它材料的良好的电接触的性质。例如，栅极线121可包括Cr材料的下膜和Al-Nd合金材料的上膜。
在图2中，栅电极124的下膜和上膜分别由标号124p和124q来表示，端部129的下膜和上膜分别由标号129p和129q来表示。可去除栅极线121的端部129的部份上膜129q以暴露下膜129p的底部。
上膜121q、124q和129q与下膜121p、124p和129p的侧面可是楔形，并且这些侧面关于基板110的表面的倾斜角可在大约30度至80度范围内。
在栅极线121上可形成优选地由氮化硅(SiNx)制备的栅极绝缘层140。
在栅极绝缘层140上形成可由氢化非晶硅(“α-Si”)制备的多个半导体岛150。每个半导体岛150设置在栅电极124上，并且在栅电极124附近每个半导体岛150变宽，从而在栅电极124附近，每个半导体岛150覆盖较大的区域。
在半导体岛150上形成可由大量掺杂了n-型杂质的硅化物或n+氢化的α-Si制备的多个欧姆接触岛163和165。每个欧姆接触岛163和165成对地位于半导体岛150上。
半导体岛150和欧姆接触岛163和165的侧面可是楔形的，并且它们的倾斜角可在大约30度至80度的范围内。
在欧姆接触岛163和165以及栅极绝缘层140上形成了多个数据线171和多个漏电极175。
数据线171传送数据电压并沿基本纵向方向延伸并与栅极线121交叉。每个数据线171包括扩展物(expansion)179，该扩展物具有与另一层或外部装置充分接触的区域。向漏电极175延伸的各个数据线171的多个分支形成了多个源电极173。
源电极173和漏电极175的每对相互分离并关于栅电极124彼此相对。栅电极124、源电极173、漏电极175和半导体150形成TFT，该TFT具有在置于源电极173和漏电极175之间的半导体150中形成的沟道。
数据线171和漏电极175可包括具有不同物理性质的多个膜，例如，下膜171p和上膜171q。下膜171p可由如Cr、Mo和Mo合金的材料制成，上膜171q可由包括含Al金属，如Al和Al合金，或含Ag金属，如Ag和Ag合金的材料制成。漏电极175的下膜和上膜分别由标号175p和175q来表示，端部179的下膜和上膜分别由标号179p和179q来表示。
上膜171q、175q和179q，和下膜171p、175p和179p的侧面可是楔形的。这些侧面关于基板110的表面的倾斜角可在大约30度至80度范围内。
只能在下伏半导体(underlying semiconductor)150和上覆数据线(overlying data lines)171之间插入欧姆接触岛163，在下伏半导体(underlyingsemiconductor)150和上覆漏电极(overlying drain electrodes)175之间插入欧姆接触岛165，以减小其间的接触电阻。该半导体150包括多个暴露部分，这些暴露部分没有被数据线171和漏电极175覆盖，如位于源电极173和漏电极175之间的部分。
可在数据线171、漏电极175和半导体150的暴露部分上形成下钝化层180p，该下钝化层180p可由无机材料如氮化硅或二氧化硅制成。
可在下钝化层180p上形成上钝化层180q，该上钝化层180q可由足够平整或平坦的感光有机材料制成。
上钝化层180q和下钝化层180p分别具有多个暴露数据线171的端部179和漏电极175的接触孔182和185。上钝化层180q、下钝化层180p和栅极绝缘层140具有多个暴露栅极线121的端部129的接触孔181。
可以理解，如果必要的话，可以省略下钝化层180p。
在上钝化层180q上形成由IZO或ITO制成的多个像素电极190和多个接触辅助物(contact assistants)81和82。
像素电极190通过接触孔185与漏电极175物理地连接并结合，从而像素电极190从漏电极175接收数据电压。
被供应数据电压的像素电极190与另一面板(未示出)上的公共电极(未示出)共同作用产生电场，以重新定向置于其间的液晶层(未示出)中的液晶分子。
像素电极190和公共电极形成液晶电容器，该电容器在关断TFT之后存储施加的电压。为了提高电压存储容量，可以设置被称作“存储电容器”的另一电容器，该电容器并联连接到液晶电容器。
像素电极190可与栅极线121和数据线171重叠以增加开口率。
通过接触孔181和182，接触辅助物81和82可以分别与栅极线121的暴露的端部129和数据线171的暴露的端部179连接。接触辅助物81和82保护栅极线的暴露的部分129和数据线的暴露的部分179并补充暴露的部分129和179以及外部装置的粘度。
当栅极驱动电路与绝缘基板110是一体的或者形成在绝缘基板110上时，接触辅助物81有助于栅极线121的端部129与栅极驱动电路的连接。
如图1和图2所示，栅极线121和数据线171具有双层结构，但是，可以理解它们可以是单层结构或多层结构。
下面，参考附图来描述图2中显示区域的层状结构。
图3是TFT阵列面板显示区域的结构的剖视图。
参考图3，在绝缘基板110上形成由氮化硅制成的栅极绝缘层140。在栅极绝缘层140上形成由氮化硅制成的下钝化层180p。在下钝化层180p上形成上钝化层180q。在上钝化层180q上形成像素电极190。在像素电极190上形成液晶300。因此，来自背光灯的光顺序地穿过所述结构的多个层，例如，层110、140、180p、180q和190，并穿过液晶层300传播，如此透光率改变以在LCD中显示图像。
因此，应该使液晶层300下面的每个层的透光率最佳以提高LCD的亮度，下面给出为了得到层最佳透光率的方程。
栅极绝缘层140和下钝化层180p的折射率通常近似为1.8～1.9，像素电极190的折射率通常近似为1.8～1.9。上钝化层180q的折射率通常近似为1.5，玻璃绝缘基板110和液晶层300的折射率通常近似为1.5。在折射率近似为1.5的层之间插入折射率近似为1.8～1.9的层。
图4是具有不同折射率和不同厚度的多层沉积结构的剖视图。
参照图4，在所述结构的最下层的入光介质A与最上层的透光介质B之间形成N个层。由于各层具有不同折射率和不同厚度，因此入射光在这些层上被顺序地反射，这引起干涉现象。
为了产生干涉现象，应该增大入光介质的折射率与透光介质的折射率之间的差，并且这些层的厚度小于光的相干长度。由于入光介质和透光介质的厚度大于光的相干长度，这样防止了入光介质和透光介质中的干涉现象，所以只在入光介质和透光介质之间产生干涉。在制造过程中，绝缘基板110和液晶层300可比光的相干长度厚。
各层的折射率被称作ni(i＝0，1，2，3，......N，N+1)，各层的厚度被称作di(i＝0，1，2，3，......N，N+1)。
根据下面的条件来产生干涉现象。
dj≤相干长度(j＝1，2，3，......N)
di≥相干长度(i＝0，N+1)
|n0-n1|≥0.05/(n0+n1)
|nN-n(N+1)|≥0.05/{nN+n(N+1)}           (1)
根据下面条件得到N个层的相长干涉。
2 Σ k = 1 N n k d k = mλ ( m = 0,1,2 , . . . . . . ) - - - ( 2 )
为了获得相长干涉，这些层的光程长(真实厚度与折射率的乘积)是λ/2的整数倍。
图5示出了根据多反射的干涉现象。
当对于入射光的相位的关系有相长干涉时，出现最大透光率。当有相消干涉时，出现最小透光率。
在LCD中，可由氮化硅制成的栅极绝缘层140和下钝化层180p，和可由ITO或IZO制成的像素电极190通过干涉来影响透光率。栅极绝缘层140、下钝化层180p和像素电极190具有近似为1.8～1.9的折射率，其中多数其它层具有近似为1.5的折射率。因此，由于干涉效应使透光率改变。
通过比较透射的光的相位来确定由干涉效应引起的光的透光率的变化。例如，由于光程长度(真实厚度与折射率的乘积)发生相位改变，并且相位改变是在两个具有不同折射率的介质之间的边界表面的反射。通常，当光穿过具有低折射率的疏介质(rare medium)到具有高折射率的密介质(densemedium)并被反射时，不发生透射光的相位改变，而反射光发生180°的相位改变。当光穿过密介质到疏介质时，不发生光的相位改变。
图5中的层状结构适合具有由氮化硅制成的栅极绝缘层140和下钝化层180p、上钝化层180q和由ITO或IZO制成的像素电极190的薄膜晶体管阵列面板。假定下层101是栅极绝缘层140和下钝化层180p的氮化物层，中间层102是上钝化层180q的有机层，上层103是ITO或IZO的像素层，这些层的折射率由方程来表示。
下面描述透射光的相位关系。首先，入射到具有折射率n1的下层101的那部分光r1、r2、......被中间层102反射，剩余的光被透射到中间层102。然后，入射到具有折射率n的中间层102上的那部分光被上层103反射，剩余的光(t1，t2，......)被透射到上层103。在相干长度内重复这种透射和反射，并由透射的光的干涉来确定透光率。
计算透射光t1和t2的相位差。该相位差可以通过考虑垂直入射到上层103上的光来计算。光t2由上、下层反射两次。此时，由于关系
Figure G2005100937551D00073
没有产生由折射引起的相位差，而是仅产生了由光的前进引起的相位差，并可以计算如：
Δφ = n · 2 d · 2 π λ - - - ( 3 )
拟这些厚度的透光率的曲线。
参考图6，厚度大约为和的透光率是最小值，厚度大约为的透光率是最大值。
图7是示出根据氮化硅层的厚度的波长的透光率的曲线图。
这里，只形成了的氮化硅层，而没有有机层(180q)或像素电极190，并且根据氮化硅层厚度的变化估量透光率。入光介质和透光介质的折射率近似为1.54。
当鉴于氮化硅的折射率近似为1.88时，由层的最佳厚度条件方程来估量引起波长为的相长干涉和相消干涉的厚度。图7示出了多个厚度中厚度近似
Figure G2005100937551D00085
和
Figure G2005100937551D00086
的透光率的曲线。
参考图7，由于包含栅极绝缘层140和下钝化层180p的氮化硅层的厚度大于像素电极190的厚度，因此氮化硅层的透光率的曲线比像素电极190的曲线更紧密地波动。但是，与像素电极190的差相比，根据厚度的亮度差小。
厚度为
Figure G2005100937551D00087
的曲线显示波长为的相长干涉的透光率。厚度为
Figure G2005100937551D00089
的曲线显示波长为
Figure G2005100937551D000810
的相消干涉的透光率。
图8为根据有机层的厚度示出的波长的透光率的曲线图。
这里，没有氮化硅层(180p和140)或像素电极190，只形成了有机层(180q)，并且根据有机上绝缘层180q的厚度的变化来估量透光率。入光介质和透光介质的折射率近似为1.88。这是由于有机层(180q)的折射率近似为1.54，该有机层设置在氮化硅层(180p和140)和折射率近似为1.88的像素电极190之间。
引起波长为的相长干涉和相消干涉的厚度分别近似为3.34微米和3.44微米，并且图8示出了这些厚度的透光率的曲线。
与图7相比，由于有机层(180q)比氮化硅层厚，因此透光率的曲线更紧密地波动。但是，根据厚度的亮度差小。
厚度为3.34微米的曲线示出了波长为
Figure G2005100937551D000812
的相长干涉的透光率。厚度为3.34微米的曲线示出了波长为
Figure G2005100937551D000813
的相消干涉的透光率。
图9为示出了根据多层的最佳厚度的波长的透光率曲线图，所述多层包含氮化硅层、有机层和像素电极。
M为显示有机层被插入作为上钝化层180q的多层的最优厚度的透光率的曲线图。
拟这些厚度的透光率的曲线。
参考图6，厚度大约为
Figure G2005100937551D00091
和
Figure G2005100937551D00092
的透光率是最小值，厚度大约为
Figure G2005100937551D00093
的透光率是最大值。
图7是示出根据氮化硅层的厚度的波长的透光率的曲线图。
这里，只形成了的氮化硅层，而没有有机层(180q)或像素电极190，并且根据氮化硅层厚度的变化估量透光率。入光介质和透光介质的折射率近似为1.54。
当鉴于氮化硅的折射率近似为1.88时，由层的最佳厚度条件方程来估量引起波长为的相长干涉和相消干涉的厚度。图7示出了多个厚度中厚度近似和的透光率的曲线。
参考图7，由于包含栅极绝缘层140和下钝化层180p的氮化硅层的厚度大于像素电极190的厚度，因此氮化硅层的透光率的曲线比像素电极190的曲线更紧密地波动。但是，与像素电极190的差相比，根据厚度的亮度差小。
厚度为
Figure G2005100937551D00097
的曲线显示波长为
Figure G2005100937551D00098
的相长干涉的透光率。厚度为
Figure G2005100937551D00099
的曲线显示波长为
Figure G2005100937551D000910
的相消干涉的透光率。
图8为根据有机层的厚度示出的波长的透光率的曲线图。
这里，没有氮化硅层(180p和140)或像素电极190，只形成了有机层(180q)，并且根据有机上绝缘层180q的厚度的变化来估量透光率。入光介质和透光介质的折射率近似为1.88。这是由于有机层(180q)的折射率近似为1.4～1.6之间(例如为1.54)，该有机层设置在氮化硅层(180p和140)和折射率近似为1.88的像素电极190之间。
引起波长为的相长干涉和相消干涉的厚度分别近似为3.34微米和3.44微米，并且图8示出了这些厚度的透光率的曲线。
与图7相比，由于有机层(180q)比氮化硅层厚，因此透光率的曲线更紧密地波动。但是，根据厚度的亮度差小。
厚度为3.34微米的曲线示出了波长为
Figure G2005100937551D000912
的相长干涉的透光率。厚度为3.34微米的曲线示出了波长为的相消干涉的透光率。
图9为示出了根据多层的最佳厚度的波长的透光率曲线图，所述多层包含氮化硅层、有机层和像素电极。
M为显示有机层被插入作为上钝化层180q的多层的最优厚度的透光率的曲线图。
L为显示满足根据本发明实施例的如下示出的条件方程的多层的透光率的曲线。
4(dGnG+dPnP)＝波长的偶数倍    (5)
4dInI＝波长的偶数倍           (6)
这里，“G”指的是栅极绝缘层。“P”指的是下钝化层。“I”指的是像素电极。
分别设置在上钝化层的有机层的下方和上方的氮化硅层和像素电极具有满足相长干涉的条件的厚度，该氮化硅层包括栅极绝缘层和下钝化层。
参考图9，例如，与曲线L相比，曲线M有大波动和低透光率。因此，满足根据本发明的实施例的最佳条件的多层的透光率大于满足传统最佳条件的那些多层的透光率。
当省略有机层时，氮化硅层和像素电极具有满足相长干涉条件的总厚度。当插入有机层时，该氮化物层和像素电极各自具有满足相长干涉条件的厚度。
如图7所示，N为显示满足相长干涉条件的氮化硅的最佳厚度的透光率的曲线。参考图9，M曲线和L曲线有氮化硅的相长干涉的波动周期。
图10为示出根据在具有多层最佳厚度的显示装置中的有机层的厚度的波长的透光率曲线图。
如图9中的曲线L所示，通过改变有机层的厚度使氮化硅层和像素电极的厚度最佳。
曲线C显示波长为
Figure G2005100937551D00101
的相长干涉的透光率。曲线D显示为波长
Figure G2005100937551D00102
Figure G2005100937551D00103
的相消干涉的透光率。
参考图10，尽管有机层的厚度改变，但是除了波动的位置变化以外透光率基本相互近似。
通过上述模拟，可以获得下面描述的结果。
形成的由氮化硅制成的栅极绝缘层140和下钝化层180p具有相长干涉的条件的总厚度，形成的ITO或IZO的像素电极具有相长干涉的条件的单个厚度。
由于像素电极190与下钝化层180p之间的上钝化层180q的有机层厚，所以该有机层不产生干涉效应，而且只有透光率变化。因此，不需要考虑有机层的厚度。
如上所述，形成的氮化硅层和像素电极具有相长干涉的条件的单个厚度，由此提高显示装置的透光率及其质量。
本领域的技术人员应该清楚，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明作各种修改和变形。因此，本发明意图覆盖对本发明作出的各种修改和变形，只要它们落入权利要求及其等同物的范围。

Claims (6)

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：
绝缘基板；
在所述绝缘基板上形成的栅极线；
覆盖所述栅极线的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成的数据线；
覆盖所述数据线的下钝化层；
在所述钝化层上形成的包含有机绝缘材料的上钝化层；
在所述上钝化层上形成的像素电极，
其中，所述栅极绝缘层、所述下钝化层和所述像素电极满足下面的条件方程：
4(dGnG+dPnP)是波长的偶数倍；
4dInI波长的偶数倍，
其中，所述栅极绝缘层、所述下钝化层和所述像素电极的厚度分别表示为dG，dP，dI；所述栅极绝缘层、所述下钝化层和所述像素电极的折射率分别表示为nG，nP，nI。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述下钝化层由氮化硅组成。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述氮化硅的折射率近似为1.8～1.9之间。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述像素电极的折射率近似为1.8～1.9之间。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述上钝化层的折射率近似为1.4～1.6之间。
6.一种液晶显示器，包含：
第一基板；
在所述第一基板上形成的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成的下钝化层；
在所述下钝化层上形成的包含有机绝缘材料的上钝化层；
在所述上钝化层上形成的像素电极；
面向所述第一基板的第二基板；
在所述第一基板与所述第二基板之间形成的液晶层，
其中，所述栅极绝缘层、所述下钝化层和所述像素电极满足下面的条件方程：
4(dGnG+dPnP)是波长的偶数倍；
4dInI是波长的偶数倍，
其中，所述栅极绝缘层、所述下钝化层和所述像素电极的厚度分别表示为dG，dP，dI；所述栅极绝缘层、所述下钝化层和所述像素电极的折射率分别表示为nG，nP，nI。
CN2005100937551A 2004-12-17 2005-08-29 薄膜晶体管阵列面板和液晶显示器 Expired - Fee Related CN1790144B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2004-0108172 2004-12-17
KR1020040108172A KR101122232B1 (ko) 2004-12-17 2004-12-17 박막 트랜지스터 표시판 및 액정 표시 장치
KR1020040108172 2004-12-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1790144A CN1790144A (zh) 2006-06-21
CN1790144B true CN1790144B (zh) 2010-04-21

Family

ID=36594540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005100937551A Expired - Fee Related CN1790144B (zh) 2004-12-17 2005-08-29 薄膜晶体管阵列面板和液晶显示器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7332743B2 (zh)
JP (1) JP4891558B2 (zh)
KR (1) KR101122232B1 (zh)
CN (1) CN1790144B (zh)
TW (1) TWI411110B (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060064388A (ko) * 2004-12-08 2006-06-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법, 이를 갖는 표시장치 및표시장치의 제조 방법
KR20070014579A (ko) * 2005-07-29 2007-02-01 삼성전자주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP5234301B2 (ja) * 2005-10-03 2013-07-10 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、液晶表示装置およびそれらの製造方法
JP5169125B2 (ja) * 2007-10-15 2013-03-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器及びアクティブマトリクス基板
US20090287093A1 (en) * 2008-05-15 2009-11-19 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Circulatory monitoring systems and methods
US9717896B2 (en) 2007-12-18 2017-08-01 Gearbox, Llc Treatment indications informed by a priori implant information
US8636670B2 (en) 2008-05-13 2014-01-28 The Invention Science Fund I, Llc Circulatory monitoring systems and methods
US20090287120A1 (en) 2007-12-18 2009-11-19 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Circulatory monitoring systems and methods
US8125331B2 (en) * 2008-08-27 2012-02-28 The Invention Science Fund I, Llc Health-related signaling via wearable items
US8284046B2 (en) 2008-08-27 2012-10-09 The Invention Science Fund I, Llc Health-related signaling via wearable items
US8094009B2 (en) 2008-08-27 2012-01-10 The Invention Science Fund I, Llc Health-related signaling via wearable items
US20100056873A1 (en) * 2008-08-27 2010-03-04 Allen Paul G Health-related signaling via wearable items
US8130095B2 (en) * 2008-08-27 2012-03-06 The Invention Science Fund I, Llc Health-related signaling via wearable items
KR20100030985A (ko) * 2008-09-11 2010-03-19 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101591332B1 (ko) * 2009-11-27 2016-02-03 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
WO2011158816A1 (ja) * 2010-06-15 2011-12-22 シャープ株式会社 半導体装置およびそれを備えた表示装置
JP2014178557A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Pixtronix Inc 表示装置
DE102013106502A1 (de) * 2013-06-21 2014-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und Spiegelvorrichtung
JP6901382B2 (ja) 2017-11-29 2021-07-14 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 液晶表示パネル
CN112420956B (zh) * 2020-11-18 2024-04-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4895432A (en) * 1985-01-30 1990-01-23 Seiko Epson Corporation, A Japanese Corporation Display device having anti-reflective electrodes and/or insulating film
CN1091551A (zh) * 1992-12-29 1994-08-31 株式会社金星社 制造薄膜晶体管的方法
US20030107700A1 (en) * 2001-10-31 2003-06-12 Optrex Corporation Liquid crystal display element
EP1168004A3 (en) * 2000-06-16 2004-05-12 Sumitomo Chemical Company, Limited Display front panel having an anti-reflection layer

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0815719A (ja) * 1994-06-29 1996-01-19 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置
JPH08220518A (ja) * 1995-02-15 1996-08-30 Hitachi Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP3476990B2 (ja) * 1995-03-31 2003-12-10 株式会社東芝 表示装置用基板およびそれを用いた液晶表示装置並びにその製造方法
US5706064A (en) * 1995-03-31 1998-01-06 Kabushiki Kaisha Toshiba LCD having an organic-inorganic hybrid glass functional layer
KR970011972A (ko) 1995-08-11 1997-03-29 쯔지 하루오 투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP3520373B2 (ja) * 1996-07-11 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP3024592B2 (ja) * 1997-05-02 2000-03-21 日本電気株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP4138077B2 (ja) * 1998-06-02 2008-08-20 株式会社半導体エネルギー研究所 反射型の液晶表示装置及び電子機器
JP2000231109A (ja) * 1999-02-12 2000-08-22 Advanced Display Inc 液晶表示装置及びその製造方法
KR20010058150A (ko) * 1999-12-24 2001-07-05 박종섭 유기 절연막을 보호막으로 사용하는 박막 트랜지스터 액정디스플레이의 제조방법
KR100846628B1 (ko) * 2001-12-18 2008-07-16 삼성전자주식회사 반투과형 액정표시장치
KR100984343B1 (ko) * 2002-12-02 2010-09-30 삼성전자주식회사 색필터 표시판 및 이를 포함하는 반투과형 액정 표시 장치
KR100828531B1 (ko) * 2002-07-26 2008-05-13 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR100439650B1 (ko) * 2002-08-14 2004-07-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 콜레스테릭 액정 컬러필터를 이용한 반사형 액정표시장치
US20040046908A1 (en) * 2002-09-10 2004-03-11 Toppoly Optoelectronics Corp. Liquid crystal display device with multiple dielectric layers
KR100720427B1 (ko) 2003-01-28 2007-05-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정층의 두께 공차가 큰 능동구동형 액정표시소자 및이를 이용한 액정투영기

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4895432A (en) * 1985-01-30 1990-01-23 Seiko Epson Corporation, A Japanese Corporation Display device having anti-reflective electrodes and/or insulating film
CN1091551A (zh) * 1992-12-29 1994-08-31 株式会社金星社 制造薄膜晶体管的方法
EP1168004A3 (en) * 2000-06-16 2004-05-12 Sumitomo Chemical Company, Limited Display front panel having an anti-reflection layer
US20030107700A1 (en) * 2001-10-31 2003-06-12 Optrex Corporation Liquid crystal display element

Also Published As

Publication number Publication date
KR101122232B1 (ko) 2012-03-19
KR20060069079A (ko) 2006-06-21
TWI411110B (zh) 2013-10-01
JP4891558B2 (ja) 2012-03-07
JP2006171673A (ja) 2006-06-29
US7332743B2 (en) 2008-02-19
TW200623420A (en) 2006-07-01
CN1790144A (zh) 2006-06-21
US20060131580A1 (en) 2006-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1790144B (zh) 薄膜晶体管阵列面板和液晶显示器
CN100416388C (zh) 用于液晶显示器的薄膜晶体管面板
TWI383233B (zh) 薄膜電晶體陣列面板及含有此面板之液晶顯示器
US7230667B2 (en) Liquid crystal display
CN102103295B (zh) 液晶显示器件
CN100576043C (zh) 薄膜晶体管阵列面板、液晶显示器、及其方法
US20040109099A1 (en) Thin film transistor array panel for liquid crystal display
KR101071256B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 액정 표시 장치
CN1932624B (zh) 薄膜晶体管显示板与使用该板的液晶显示器
CN1979276A (zh) 液晶显示器及其显示板
US20060157705A1 (en) Thin film transistor array panel
CN107884978A (zh) 显示装置及显示装置的制造方法
KR20060136079A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
US20100244035A1 (en) Display panel and method of forming thereof
US20060066781A1 (en) Color filter panel, and liquid crystal display including color filter panel
KR20090024031A (ko) 표시 장치
US20080055504A1 (en) Making dual side displays
CN100533747C (zh) 像素结构及其修补方法
US8675157B2 (en) Thin-film transistor display panel and liquid crystal display including the same
US6914645B2 (en) Liquid crystal display device
KR20080098882A (ko) 액정 표시 장치
KR101061852B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 액정 표시 장치
KR101058669B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101061851B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 액정 표시 장치
KR20060028969A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그 수리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Effective date: 20121219

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121219

Address after: South Korea Gyeonggi Do Yongin

Patentee after: SAMSUNG DISPLAY Co.,Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung Electronics Co.,Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100421

Termination date: 20210829