CN1784445A - 在光学器件中使用的含苯并三唑的新聚合物 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及含苯并三唑重复单元的聚合物。含本发明聚合物的光学器件在色纯度、器件效率和/或使用寿命上可以表现出显著的优点。此外，所述聚合物具有良好的溶解度特性以及相对高的玻璃转化温度，这有助于将它们制备成相对薄的、热稳定的和相对没有缺陷的涂层和薄膜。

Description

在光学器件中使用的含苯并三唑的新聚合物
本发明涉及含苯并三唑重复单元的新聚合物，以及它们在光学器件如含场致发光器件或光电器件中的用途。
聚(对亚苯基亚乙烯基)衍生物已知有时可用作场致发光(EL)材料(如参见WO90/13148)。
WO98/11150公开了式
Figure A20048001205800171
的三嗪聚合物以及它们在场致发光(EL)排列中的用途。
WO 00/46321和US-B-6,512,083涉及含芴聚合物以及它们在EL排列中的用途。
WO01/49768公开了包含三亚芳基重复单元的发光聚合物，其包含通式
的三亚芳基，其是取代的或未取代的并且亚芳基重复单元-[-Ar-]-不同于三亚芳基重复单元，其中X”和Y”每个独立地是O、S、CR、SiR或NR并且每个R独立地是烷基、芳基或H。
WO97/12882涉及具有下面通式的苯并三唑聚合物
其用作紫外光稳定剂和金属螯合剂。WO97/12882的产物是4-羟苯乙酮苯并三唑和4-羟基苯基甲基甲醇苯并三唑的衍生物。
WO 02/059121涉及具有下面通式的单体
Figure A20048001205800181
其可以是取代的或未取代的：其中X’和Y’是相同或不同的并且是能够进行链延长的活性基团；X是O、S、NR、RC-CR或RC＝CR；Y是O、S、NR、RC-CR或RC＝CR；R是H或取代基；以及Ar是取代或未取代的芳基或杂芳基。
当它们的性能与现有技术相比时，有机EL显示器的引入面临诸多挑战。获得特定指南(即NTSC)所要求的准确色座标是成问题的。当与现有无机技术相比时，EL器件的使用寿命相对较低。此外，制备长寿命的纯蓝色材料是这个行业最大的难题。
因此，本发明的目的是提供新的材料，当掺合到光学器件中时，其在色纯度、器件效率和/或使用寿命上表现出显著的优点。
所述目的通过本发明的含苯并三唑重复单元的聚合物得以解决。包含本发明聚合物的光学器件在色纯度、器件效率和/或使用寿命上可以表现出显著的优点。此外，所述聚合物具有良好的溶解度特性以及相对高的玻璃转化温度，这有助于将它们制备成相对薄的、热稳定的和相对没有缺陷的涂层和薄膜。如果所述聚合物含有能够交联的端基，那么在所述薄膜或涂层形成后的这些基团的交联增加了其耐溶剂性，这在应用中是有利的，其中基于一种或多种溶剂的材料层沉积到其上。
因此，本发明的聚合物应具有超过100℃的玻璃转变温度，尤其是应具有超过150℃的玻璃转变温度。
本发明聚合物的重复单元包含苯并三唑骨架
Figure A20048001205800182
其中苯并三唑的苯基可以以任何方式被取代，包括稠环体系。苯并三唑单体(或共聚单体)可以使聚合物产生主链或侧链结构，其两者都可以是共轭或非共轭的。本发明不局限于苯并三唑结构，其中与聚合物的一个连接是通过苯环或与其连接的基团，而另一个是通过附着于氮原子的取代基。其它结构可以存在，其中与聚合物链的两种连接是在苯环或与其连接的基团上，以及类似地，其中两种聚合物连接是在附着于氮原子的取代基上。此外，苯并三唑部分可以以侧链方式连接到聚合物上。
苯并三唑骨架的例子是下式的基团
Figure A20048001205800191
其中A21、A22、A23、A24、A11、A12、A13、A14、A15、A16、A17和A18互相独立地是H、卤素、SO3 -、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、C1-C18全氟烷基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基、C7-C25芳烷基或-CO-R28，
其中E、D、G和R28如下所定义，或
互相相邻的两个基团A11、A12、A13、A14、A15、A16、A17和A18是基团或
Figure A20048001205800193
其中A31、A32、A33、A34、A35、A36和A37互相独立地是H、卤素、SO3 -、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C1-C18全氟烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基、C7-C25芳烷基或-CO-R28，以及高达2个取代基A21、A22、A23、A24、A11、A12、A13、A14、A15、A16、A17、A18、A31、A32、A33、A34、A35、A36和A37可以表示与聚合物的连接。
在此所使用的术语“本发明的聚合物”是指具有式I包括式Ia-Id、式II包括式IIa-IIg、式III和/或式IV包括式IVa-IVc的重复单元的聚合物。
因此，本发明涉及包含下式重复单元的聚合物
Figure A20048001205800201
Figure A20048001205800202
或
Figure A20048001205800203
其中
x和y是0或1，
X1和X2互相独立地是二价连接基，
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7和Ar8互相独立地是可以任选被取代的芳基或杂芳基，尤其是可以任选被取代的C6-C30芳基或C2-C26杂芳基。
在式IV的重复单元中，x和y中的至少一个是1。如果x和y两个都是1，得到式
Figure A20048001205800204
的重复单元，其可以被看作以0.01-3％存在的“交联结构”。然而，式
Figure A20048001205800211
和的重复单元是优选的。
在式I的重复单元当中，式
Figure A20048001205800213
Figure A20048001205800214
Figure A20048001205800215
或
Figure A20048001205800216
的重复单元是优选的，
其中Ar2如上所定义，
R1和R2互相独立地是H、卤素、SO3 -、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C1-C18全氟烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基、C7-C25芳烷基或-CO-R28，或两个互相相邻的取代基R1和R2是基团
Figure A20048001205800221
或
D是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR25-、-SiR30R31-、-POR32-、-CR23＝CR24-或-C≡C-；以及
E是-OR29、-SR29、-NR25R26、-COR28、-COOR27、-CONR25R26、-CN、-OCOOR27或卤素；G是E或C1-C18烷基，其中
R23、R24、R25和R26相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基；或R25和R26一起形成5或6元环，特别是 或
R27和R28相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基；
R29是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基；
R30和R31互相独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基，以及
R32是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。
优选地，R1和R2互相独立地是H、C1-C18烷基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基或仲丁基，或C6-C24芳基如苯基、萘基或联苯基。
D优选是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR25-，其中R25是C1-C18烷基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基或仲丁基，或C6-C24芳基如苯基、萘基或联苯基。
E优选是-OR29、-SR29、-NR25R25、-COR28、-COOR27、-CONR25R25或-CN；其中R25、R27、R28和R29互相独立地是C1-C18烷基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基-己基，或C6-C24芳基如苯基、萘基或联苯基。Ar2的例子是单键、-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-CR23＝CR24-或-C≡C-；尤其是
Figure A20048001205800231
尤其是
Figure A20048001205800233
尤其是 或
尤其是 或
Figure A20048001205800239
Figure A200480012058002310
Figure A20048001205800241
Figure A20048001205800242
或 其中
n1、n2、n 3、n4、n5、n6和n7是1-10的整数，特别是1-3的整数，
R6和R7互相独立地是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基、C7-C25芳烷基或-CO-R28，
R8是C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基或C7-C25芳烷基，
R9和R10互相独立地是C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基或C7-C25芳烷基，或
R9和R10形成一个环，尤其是5-或六元环，
R14’和R15’互相独立地是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或被G取代的C2-C20杂芳基，
D是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR25-、-SiR30R31-、-POR32-、-CR23＝CR24-或-C≡C-；以及
E是-OR29、-SR29、-NR25R26、-COR28、-COOR27、-CONR25R26、-CN、-OCOOR27或卤素；G是E或C1-C18烷基，其中
R23、R24、R25和R26互相独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基；或R25和R26一起形成一个5或6元环，特别是
Figure A20048001205800251
或
Figure A20048001205800252
R27和R28互相独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，
R29是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，
R30和R31互相独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基，以及
R32是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。
优选地，R6和R7互相独立地是H、C1-C18烷基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基，被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基，如-CH2OCH3、-CH2OCH2CH3、-CH2OCH2CH2OCH3或-CH2OCH2CH2OCH2CH3，C6-C24芳基，如苯基、萘基或联苯基，被G取代的C6-C24芳基，如-C6H4OCH3、-C6H4OCH2CH3、-C6H3(OCH3)2或-C6H3(OCH2CH3)2、-C6H4CH3、-C6H3(CH3)2、-C6H2(CH3)3或-C6H4tBu。
R8优选是H、C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基、正庚基，或C6-C24芳基，如苯基、萘基或联苯基。
优选地，R9和R10互相独立地是H、C1-C18烷基，如正丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基-己基，被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基，如-CH2(OCH2CH2)wOCH3，w＝1、2、3或4，C6-C24芳基，如苯基、萘基或联苯基，被G取代的C6-C24芳基，如-C6H4OCH3、-C6H4OCH2CH3、-C6H3(OCH3)2、-C6H3(OCH2CH3)2、-C6H4CH3、-C6H3(CH3)2、-C6H2(CH3)3或-C6H4tBu，或R9和R10一起形成4-8元环，尤其是5或6元环，如环己基或环戊基。
优选地，R14’和R15’互相独立地是H、C1-C18烷基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基或仲丁基，或C6-C24芳基，如苯基、萘基或联苯基。
D优选是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR25-，其中R25是C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基或仲丁基，或C6-C24芳基，如苯基、萘基或联苯基。
E优选是-OR29、-SR29、-NR25R25、-CO28、-COOR27、-CONR25R25或-CN；其中R25、R27、R28和R29相互独立地是C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基-己基，或C6-C24芳基，如苯基、萘基或联苯基。G是E，或C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基-己基。
在上述基团Ar2当中，下面基团是优选的：
Figure A20048001205800261
Figure A20048001205800262
和
Figure A20048001205800263
其中R6、R7、R9和R10如上所定义以及n1和n2是1、2或3。
本发明的聚合物包含0.5mol％-100mol％的式I的重复单元，尤其是包含20mol％-60mol％的式I的重复单元，其中所有重复单元(单体)的总数为100mol％。因此，除式I的重复单元之外，本发明的聚合物可以包含数量高达99.5mol％的其它重复单元，特别是包含数量为80mol％-40mol％的其它重复单元。
合适的其它重复单元T选自
Figure A20048001205800271
尤其是
Figure A20048001205800272
或
Figure A20048001205800273
Figure A20048001205800274
尤其是
Figure A20048001205800275
或
Figure A20048001205800276
Figure A20048001205800278
尤其是
Figure A20048001205800279
或
尤其是
或 尤其是
Figure A20048001205800283
或
Figure A20048001205800284
或
Figure A20048001205800285
或
Figure A20048001205800287
其中
p是1-10的整数，尤其是1、2或3，
q是1-10的整数，尤其是1、2或3，
s是1-10的整数，尤其是1、2或3，
R14和R15互相独立地是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或被G取代的C2-C20杂芳基，
R16和R17互相独立地是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基、C7-C25芳烷基或-CO-R28，
R18是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，
R19和R20互相独立地是C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基或C7-C25芳烷基，
R19和R20一起形成式＝CR100R101的基团，其中
R100和R101互相独立地是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或被G取代的C2-C20杂芳基，或者
R19和R20形成一个环，尤其是5或6元环，以及
D和E如上所定义。
如果R19和R20一起形成式＝CR100R101的基团，那么T优选为式
Figure A20048001205800291
的基团，其中R102和R103互相独立地是C1-C18烷基、C1-C18烷氧基、C6-C10芳基、C6-C10芳氧基或二(C1-C18烷基)氨基，其中所述的芳基或芳氧基任选可以被C1-C8烷基取代(参见US-B-6,512,083)。
T的优选例子选自下式
Figure A20048001205800292
Figure A20048001205800301
或 的基团，其中
R16和R17互相独立地是H、C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基，被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基，如-CH2OCH3、-CH2OCH2CH3、-CH2OCH2CH2OCH3或-CH2OCH2CH2OCH2CH3，C6-C24芳基，如苯基、萘基或联苯基，被G取代的C6-C24芳基，如-C6H4OCH3、-C6H4OCH2CH3、-C6H3(OCH3)2或-C6H3(OCH2CH3)2、-C6H4CH3、-C6H3(CH3)2、-C6H2(CH3)3或-C6H4tBu，
R18是H、C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基、正庚基，或C6-C24芳基，如苯基、萘基或联苯基，以及
R19和R20互相独立地是H、C1-C18烷基，如正丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基-己基，被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基，如-CH2(OCH2CH2)wOCH3，w＝1、2、3或4，C6-C24芳基，如苯基、萘基或联苯基，被G取代的C6-C24芳基，如-C6H4OCH3、-C6H4OCH2CH3、-C6H3(OCH3)2、-C6H3(OCH2CH3)2、-C6H4CH3、-C6H3(CH3)2、-C6H2(CH3)3或-C6H4tBu，或R9和R10一起形成4-8元环，尤其是5或6元环，如环己基或环戊基。
特别优选的是共聚单体T，其选自
或 其中
R16和R17互相独立地是C1-C18烷基，尤其是C4-C12烷基，其可以被一个或两个氧原子间断，
R18是C1-C18烷基，以及
R19和R20互相独立地是C1-C18烷基，尤其是C4-C12烷基，其可以被一个或两个氧原子间断，或
R19和R20形成一个5或6元碳环，其任选可以被C1-C4烷基取代。
尤其优选的是聚合物，其包含下式的重复单元
和/或
Figure A20048001205800316
以及0-99.5mol％，特别是40-80mol％的共聚单体T，其中重复单元和共聚单体的总数为100mol％，其中
A1是氢，或C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基，
A2是氢，或C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基，
A3是氢，或C1-C18烷氧基，或C1-C18烷基、如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基，
A4是氢，或C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基，
A5是氢，或C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基，二(C1-C18烷基)氨基，或C1-C18烷氧基，如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、2-甲基丁氧基、正戊氧基、异戊氧基、正己氧基、2-乙基己氧基或正庚氧基，
A6是氢，或C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基，
A7是氢，或C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基，或C1-C18烷氧基，如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、2-甲基丁氧基、正戊氧基、异戊氧基、正己氧基、2-乙基己氧基或正庚氧基，以及T是式
Figure A20048001205800321
或的基团，其中s是1或2，
R16和R17互相独立地是C1-C18烷基，尤其是C4-C12烷基，尤其是己基、庚基、2-乙基己基和辛基，其可以被一个或两个氧原子间断，C1-C18烷氧基，尤其是C4-C12烷氧基，尤其是己氧基、庚氧基、2-乙基己氧基和辛氧基，其可以被一个或两个氧原子间断，以及
R19和R20互相独立地是C1-C18烷基，尤其是C4-C12烷基，尤其是己基、庚基、2-乙基己基和辛基，其可以被一个或两个氧原子间断。
另一方面，本发明的聚合物包含式II的重复单元。式II重复单元的例子是
Figure A20048001205800332
尤其是
Figure A20048001205800333
或
其中Ar4如上所定义，
R1和R2互相独立地是H、卤素、SO3 -、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C1-C18全氟烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基、C7-C25芳烷基或-CO-R28，
或两个互相相邻的取代基R1和R2是基团 或
Figure A20048001205800342
D是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR25-、-SiR30R31-、-POR32-、-CR23＝CR24-或-C≡C-；以及
E是-OR29、-SR29、-NR25R26、-COR28、-COOR27、-CONR25R26、-CN、-OCOOR27或卤素；G是E或C1-C18烷基，其中
R23、R24、R25和R26相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基；或R25和R26一起形成5或6元环，特别是 或
Figure A20048001205800344
R27和R28相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，
R29是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，
R30和R31互相独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基，以及
R32是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。
式(IIe)、(IIf)和(IIg)的重复单元是最优选的。
优选地，R1和R2互相独立地是H、C1-C18烷基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基或仲丁基，或C6-C24芳基，如苯基、萘基或联苯基。
D优选是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR25-，其中R25是C1-C18烷基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基或仲丁基，或C6-C24芳基，如苯基、萘基或联苯基。
E优选是-OR29、-SR29、-NR25R25、-COR28、-COOR27、-CONR25R25或-CN；其中R25、R27、R28和R29互相独立地是C1-C18烷基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基-己基，或C6-C24芳基，如苯基、萘基或联苯基。G是E，或C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基-己基。
Ar4优选是下式
Figure A20048001205800352
或 的基团，其中
p是1-10的整数，尤其是1、2或3，
q是1-10的整数，尤其是1、2或3，
r是0-10的整数，特别是0、1、2或3，
R3-R8互相独立地是H、卤素、SO3 -、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基、C7-C25芳烷基或-CO-R28，或互相相邻的两个取代基R3-R8是基团 或
Figure A20048001205800355
以及
R14’和R15’相互独立地是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基，
R16是C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、任选被取代的C6-C24芳基，其中
D是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR25-、-SiR30R31-、-POR32-、-CR23＝CR24-或-C≡C-；以及
E是-OR29、-SR29、-NR25R26、-COR28、-COOR27、-CONR25R26、-CN、-OCOOR27或卤素；G是E或C1-C18烷基，其中
R23、R24、R25和R26相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基；或R25和R26一起形成5或6元环，特别是
或
R27和R28相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，
R29是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，
R30和R31互相独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基，以及
R32是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。
优选地，R3、R4、R5、R6、R7和R8互相独立地是H，C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基，被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基，如-CH2OCH3、-CH2OCH2CH3、-CH2OCH2CH2OCH3或-CH2OCH2CH2OCH2CH3，C6-C24芳基，如苯基、萘基或联苯基，被G取代的C6-C24芳基，如-C6H4OCH3、-C6H4OCH2CH3、-C6H3(OCH3)2或-C6H3(OCH2CH3)2、-C6H4CH3、-C6H3(CH3)2、-C6H2(CH3)3或-C6H4tBu。
优选地，R14’和R15’互相独立地是H，C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基和仲丁基，或C6-C24芳基，如苯基、萘基和联苯基。
R16优选是H，C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基和仲丁基，或C6-C24芳基，如苯基、萘基和联苯基。
D优选是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR25，其中R25是C1-C18烷基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、己基、辛基和2-乙基-己基，或C6-C24芳基，如苯基、萘基和联苯基。
E优选是-OR29、-SR29、-NR25R25、-COR28、-COOR27、-CONR25R25或-CN；其中R25、R27、R28和R29互相独立地是C1-C18烷基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基-己基，或C6-C24芳基，如苯基、萘基或联苯基。G是E或C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基-己基。
本发明的另一方面涉及包含下式重复单元的聚合物，其中
Ar5和Ar6互相独立地是可以任选被取代的芳基或杂芳基，尤其是可以任选被取代的C6-C30芳基或C2-C26杂芳基。
式III的重复单元不是式
Figure A20048001205800372
的重复单元，尤其是Ar6不是在邻位被羟基取代的与苯并三唑单元连接的苯基。
Figure A20048001205800381
的例子是下式
Figure A20048001205800382
Figure A20048001205800383
的基团
其中A21、A22、A23、A24、A11、A12、A13、A14、A15、A16、A17和A18互相独立地是H、卤素、SO3 -、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C1-C18全氟烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C2-芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基、C7-C25芳烷基或-CO-R28，其中E、D、G和R28如上所定义，或者A11、A12、A13、A14、A15、A16、A17和A18中两个彼此相邻的基团是
Figure A20048001205800384
或 其中A31、A32、A33、A34、A35、A36和A37互相独立地是H、卤素、SO3 -、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C1-C18全氟烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基、C7-C25芳烷基或-CO-R28。Ar6的例子是式 或
Figure A20048001205800387
的基团；尤其是
Figure A20048001205800391
或
Figure A20048001205800392
其中虚线表示与苯并三唑环连接的键；
R56和R57互相独立地是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基或C7-C25芳烷基；
R58是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基或C7-C25芳烷基；
R59和R60互相独立地是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基或C7-C25芳烷基；
R71是H、C1-C18烷基、-C≡N、-CONR25R26或-COOR27，
D是-CO-、-COO-、-OCOO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR25-、-SiR30R31-、-POR32-、-CR23＝CR24-或-C≡C-；以及
E是-OR29、-SR29、-NR25R26、-COR28、-COOR27、-CONR25R26、-CN、-OCOOR27或卤素；G是E或C1-C18烷基，其中
R23、R24、R25和R26相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基；或R25和R26一起形成5或6元环，特别是
Figure A20048001205800393
或
Figure A20048001205800401
R27和R28相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，以及
R29是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，
R30和R31互相独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基，以及
R32是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。更优选地，Ar6是式
Figure A20048001205800402
的基团，其中虚线表示与苯并三唑环连接的键，以及R71是H、烷基、-C≡N或-COOR27，其中R27是H或任选被一个或多个氧原子间断的C1-C18烷基，尤其是可被一个或两个氧原子间断的C4-C12烷基。
本发明的聚合物包含0.5mol％-100mol％的式II和/或III的重复单元，尤其是包含20mol％-80mol％的式II和/或III的重复单元，其中所有重复单元(单体)的总数为100mol％。因此，除式II和/或III的重复单元之外，本发明的聚合物可以包含数量高达99.5mol％的其它重复单元，特别是包含数量为80mol％-40mol％的其它重复单元。合适的其它重复单元是重复单元T，其在包含式I重复单元的聚合物中进行了描述。
如上所述，在式IV的重复单元中，下式的重复单元
Figure A20048001205800411
和
Figure A20048001205800412
是优选的，相对于式
Figure A20048001205800413
的重复单元来说，其中
Ar7、Ar7’、Ar8和Ar8’相互独立地是可任选被取代的C6-C30芳基或C2-C26杂芳基，
X1和X2相互独立地是下式的基团或
Figure A20048001205800415
尤其是
Figure A20048001205800416
或
Figure A20048001205800417
其中虚线表示与苯并三唑单元连接的键，
R56和R57相互独立地是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基或C7-C25芳烷基，
R58是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基或C7-C25芳烷基，
R59和R60相互独立地是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基或C7-C25芳烷基，或
R59和R60形成一个环，尤其是一个5-或6元环，
R71是H、C1-C18烷基、-C≡N、-CONR25R26或-COOR27，
D是-CO-、-COO-、-OCOO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR25-、-SiR30R31-、-POR32-、-CR23＝CR24-或-C≡C-；以及
E是-OR29、-SR29、-NR25R26、-COR28、-COOR27、-CONR25R26、-CN、-OCOOR27或卤素；G是E或C1-C18烷基，其中
R23、R24、R25和R26相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基；或R25和R26一起形成5或6元环，特别是
Figure A20048001205800421
或
R27和R28相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，以及
R29是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，
R30和R31互相独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基，以及
R32是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。
优选地，R56和R57互相独立地是H，C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基和正庚基，被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基，如-CH2OCH3、-CH2OCH2CH3、-CH2OCH2CH2OCH3和-CH2OCH2CH2OCH2CH3，C6-C24芳基，如苯基、萘基和联苯基，或被G取代的C6-C24芳基，如-C6H4OCH3、-C6H4OCH2CH3、-C6H3(OCH3)2或-C6H3(OCH2CH3)2、-C6H4CH3、-C6H3(CH3)2、-C6H2(CH3)3和-C6H4tBu。
R58优选是H，C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基和正庚基，或C6-C24芳基，如苯基、萘基和联苯基。
优选地，R59和R60互相独立地是H，C1-C18烷基，如正丁基、仲丁基、己基、辛基和2-乙基-己基，被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基，如-CH2(OCH2CH2)wOCH3，w＝1、2、3或4，C6-C24芳基，如苯基、萘基和联苯基，被G取代的C6-C24芳基，如-C6H4OCH3、-C6H4OCH2CH3、-C6H3(OCH3)2、-C6H3(OCH2CH3)2、-C6H4CH3、-C6H3(CH3)2、-C6H2(CH3)3和-C6H4tBu，或R59和R60一起形成4-8元环，尤其是5或6元环，如环己基和环戊基。
R71优选是H、-CONR25R25或-CN，其中R25是H、C1-C18烷基或C6-C24芳基，如苯基、萘基和联苯基。
最优选的聚合物，其包含下式重复单元的和/或 以及数量为0-99.5mol％、特别是40-80mol％的重复单元T，其中重复单元和共聚单体的总数为100mol％，其中Ar7是 或
Figure A20048001205800434
Ar7’是
Figure A20048001205800441
Figure A20048001205800442
其中虚线是苯并三唑单元的氮原子连接的键，Ar8是
Figure A20048001205800443
Ar8’是 或
Figure A20048001205800445
其中虚线是苯并三唑单元的氮原子连接的键，
A41是氢，C1-C18烷氧基或C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基，
A42是氢，或C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基，
A43是氢，或C1-C18烷氧基，或C1-C18烷基、如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基，
X1和X2相互独立地是下式或
Figure A20048001205800452
的基团，其中虚线表示与苯并三唑单元连接的键，
R71是H、C1-C18烷基、-C≡N或-COOR27，其中
R27是H；或C1-C18烷基，其可以被一个或多个氧原子间断，尤其是C4-C12烷基，其可以被一个或两个氧原子间断，以及T是式 或
Figure A20048001205800454
的基团，其中R59和R60互相独立地是C1-C18烷基，尤其是C4-C12烷基，其可以被一个或两个氧原子间断。
本发明的聚合物优选具有50,000道尔顿或更大的重均分子量，更优选具有100,000道尔顿或更大的重均分子量，以及最优选具有150,000道尔顿或更大的重均分子量；优选1,000,000道尔顿或更少，更优选500,000道尔顿或更少以及最优选250,000道尔顿或更少。分子量根据凝胶渗透色谱法使用聚苯乙烯标准进行测定。
本发明的其它实施方案由下式的单体表示
Figure A20048001205800455
或或
Figure A20048001205800462
其中
x和y是0或1，
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5和Ar6互相独立地是可以任选被取代的芳基或杂芳基，尤其是可以任选被取代的C6-C30芳基或C2-C26杂芳基，以及
X11在每次出现时独立地是卤原子、或-B(OH)2、-B(OY1)2或
Figure A20048001205800463
其中Y1在每次出现时独立地是C1-C10烷基以及Y2在每次出现时独立地是C2-C10亚烷基，如-CY3Y4-CY5Y6-或-CY7Y8-CY9Y10-CY11Y12-，其中Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11和Y12相互独立地是氢或C1-C10烷基，尤其是-C(CH3)2C(CH3)2-或-C(CH3)2CH2C(CH3)2-，其在制备式I-IV的聚合物中是起始物质。
卤素是氟、氯、溴和碘。
C1-C18烷基是分枝或不分枝的基团例如甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、2-乙基丁基、正戊基、异戊基、1-甲基戊基、1，3-二甲基丁基、正己基、1-甲基己基、正庚基、异庚基、1，1，3，3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲基庚基、正辛基、2-乙基己基、1，1，3-三甲基己基、1，1，3，3-四甲基戊基、壬基、癸基、十一烷基、1-甲基十一烷基、十二烷基、1，1，3，3，5，5-六甲基己基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基或十八烷基。
C1-C18全氟烷基是分枝或不分枝的基团例如-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3和-C(CF3)3。
C1-C18烷氧基是直链或分枝的烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、异戊氧基或叔戊氧基、庚氧基、辛氧基、异辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十四烷氧基、十五烷氧基、十六烷氧基、十七烷氧基和十八烷氧基。
C2-C18链烯基是直链或分枝的链烯基，例如乙烯基、烯丙基、甲代烯丙基、异丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、异丁烯基、正戊-2，4-二烯基、3-甲基-丁-2-烯基、正辛-2-烯基、正十二碳-2-烯基、异十二碳烯基、正十二碳-2-烯基或正十八碳-4-烯基。
C2-24炔基是直链或分枝的并且优选是C2-8炔基，其可以是未取代的或取代的，例如乙炔基、1-丙炔-3-基、1-丁炔-4-基、1-戊炔-5-基、2-甲基-3-丁炔-2-基、1，4-戊二炔-3-基、1，3-戊二炔-5-基、1-己炔-6-基、顺-3-甲基-2-戊烯-4-炔-1-基、反-3-甲基-2-戊烯-4-炔-1-基、1，3-己二炔-5-基、1-辛炔-8-基、1-壬炔-9-基、1-癸炔-10-基或1-二十四炔-24-基。
C4-C18环烷基优选是C5-C12环烷基，例如环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、环十二烷基。环己基和环戊基是最优选的。
C2-C18链烯基例如是乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基或辛烯基。
芳基通常是C6-C30芳基，优选C6-C24芳基，其任选可被取代，例如苯基、4-甲基苯基、4-甲氧基苯基、萘基、联苯基、2-芴基、菲基、蒽基、四环基(tetracyl)、五环基(pentacyl)、六环基(hexacyl)、三联苯基或四联苯基。
C7-C24芳烷基优选是C7-C15芳烷基，其可以被取代，例如苄基、2-苄基-2-丙基、β-苯乙基、α，α-二甲基苄基、ω-苯基-丁基、ω-苯基-辛基、ω-苯基-十二烷基或3-甲基-5-(1′，1′，3′，3′-四甲基-丁基)-苄基。
C2-C26杂芳基是具有5-7个环原子的环或稠合环系，其中氮、氧或硫是可能的杂原子，并且典型地是具有5-30个原子的不饱和杂环基其中具有至少6个共轭π电子，例如噻吩基、苯并[b]噻吩基、二苯并[b，d]噻吩基、噻蒽基、呋喃基、糠基、2H-吡喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯氧基噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、联吡啶基、三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、中氮茚基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹嗪基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基、萘啶基、chinoxalinyl、chinazolinyl、噌啉基、蝶啶基、咔唑基、咔啉基、苯并三唑基、苯并噁唑基、菲啶基、吖啶基、泊啶基、菲咯啉基、吩嗪基、异噻唑基、吩噻嗪基、异噁唑基、呋咱基或吩噁嗪基，其可以是未取代的或取代的。
分别由R6和R7以及R56和R57形成的5或6元环的例子是具有3-5个碳原子的杂环烷烃或杂环烯烃，其可以具有一个选自氮、氧和硫的额外杂原子，例如
Figure A20048001205800481
或 其可以是双环体系的一部分，例如
Figure A20048001205800483
或
Figure A20048001205800484
上述基团的可能取代基是C1-C8烷基、羟基、巯基、C1-C8烷氧基、C1-C8烷硫基、卤素、卤代C1-C8烷基、氰基、醛基、酮基、羧基、酯基、氨基甲酰基、氨基、硝基或甲硅烷基。
术语“卤代烷基”是指被卤素部分或完全取代的上述烷基，例如三氟甲基等等。“醛基、酮基、酯基、氨基甲酰基和氨基”包括被C1-C18烷基、C4-C18环烷基、C6-C30芳基、C7-C24芳烷基或杂环基取代的那些，其中所述的烷基、环烷基、芳基、芳烷基和杂环基可以是未取代的或取代的。术语“甲硅烷基″是指式-SiR105R106R107的基团，其中R105、R106和R107互相独立地是C1-C8烷基特别是C1-C4烷基、C6-C24芳基或C7-C12芳烷基，例如三甲基甲硅烷基。
如果一个取代基如R6、R7、R56和R57在一个基团中多次出现，那么在每次出现时它可以不同。
如上所述，上述基团可以被E取代和/或如果需要的话被D间断。当然，间断仅在含有至少2个通过单键互相连接的碳原子的基团的情况中是可能的；C6-C18芳基没有被间断；间断的芳烷基或烷芳基在烷基部分含有单元D。被一个或多个E取代和/或被一个或多个单元D间断的C1-C18烷基例如是(CH2CH2O)n-Rx，其中n是1-9的数以及Rx是H或C1-C10烷基或C2-C10烷酰基(如CO-CH(C2H5)C4H9)，CH2-CH(ORy’)-CH2-O-Ry，其中Ry是C1-C18烷基、C5-C12环烷基、苯基、C7-C15苯基烷基，以及Ry′的定义与Ry相同或者是H；C1-C8亚烷基-COO-Rz，如CH2COORz、CH(CH3)COORz、C(CH3)2COORz，其中Rz是H、C1-C18烷基、(CH2CH2O)1-9-Rx，以及Rx的定义与上面相同；CH2CH2-O-CO-CH＝CH2；CH2CH(OH)CH2-O-CO-C(CH3)＝CH2。
含式(I)、(II)、(III)和(IV)基团的聚合物可以通过任何合适的方法制备，但是优选通过如下所述的方法制备。芳香族硼酸酯和溴化物的缩合反应，通常被称为″Suzuki反应″，可以在各种有机官能团存在下进行，如N.Miyaua和A.Suzuki在Chemical Reviews，Vol.95，pp.457-2483(1995)中所报道的那样。这种反应可以用于制备高分子聚合物和共聚物。
为了制备式(I)、(II)、(III)或(IV)的聚合物，式V、VI、VII或VIII的二溴化物或其混合物与等摩尔量的式V、VI、VII或VIII的二硼酸或二硼酸酯或其混合物在Pd和三苯膦的催化作用下反应，优选共聚单体
Figure A20048001205800491
其中X11在每次出现时独立地是卤原子或-B(OH)2、-B(OY1)2或
Figure A20048001205800492
其中Y1在每次出现时独立地是C1-C10烷基以及Y2在每次出现时独立地是C2-C10亚烷基如-CY3Y4-CY5Y6-或-CY7Y8-CY9Y10-CY11Y12-，其中Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11和Y12相互独立地是氢或C1-C10烷基，尤其是-C(CH3)2C(CH3)2-或-C(CH3)2CH2C(CH3)2-。该反应典型地在约70℃-120℃下在芳香族烃溶剂如甲苯中进行。还可以单独使用其它溶剂如二甲基甲酰胺和四氢呋喃或与芳香族烃一起混合使用。含水碱，优选碳酸钠或碳酸氢钠，被用作HBr清除剂。取决于反应物的活性，聚合反应时间为2-100小时。有机碱如四烷基氢氧化铵以及相转移催化剂如TBAB可以促进硼的活性(如参见Leadbeater &Marco；Angew.Chem.Int.Ed.，2003，42，1407在此引入作为参考)。反应条件的其它由T.I.Wallow和B.M.Novak在Journal ofOrganic Chemistry，Vol.59，pp.5034-5037(1994)；以及M.Remmers，M.Schulze和G.Wegner在Macromolecular RapidCommunications，Vol.17，pp.239-252(1996)中给出。
当式V、VI、VII或VIII的二溴化物与式的二硼酸酯反应时，得到交替共聚物
Figure A20048001205800501
其中X11在每次出现时独立地是-B(OH)2、-B(OY1)2或
Figure A20048001205800502
其中Y1在每次出现时独立地是C1-C10烷基以及Y2在每次出现时独立地是C2-C10亚烷基如-CY3Y4-CY5Y6-或-CY7Y8-CY9Y10-CY11Y12-，其中Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11和Y12相互独立地是氢或C1-G10烷基，尤其是-C(CH3)2C(CH3)2-或-C(CH3)2CH2C(CH3)2-。如果需要的话，在这些反应中，单官能的芳基卤或芳基硼酸酯可以用作链终止剂，其将导致末端芳基的形成。
仅涉及二卤代官能性反应物的聚合方法可以使用镍偶合反应进行。这样的一种偶合反应由Colon等人在Journal of PolymerScience，Part A，Polymer Chemistry Edition，Vol.28，p.367(1990)中描述，以及由Colon等人在Journal of OrganicChemistry，Vol.51，p.2627(1986)中描述。该反应典型地在带催化量镍盐、大量三苯膦和大大过量锌粉的极性非质子溶剂(如二甲基乙酰胺)中进行。这种方法的另一种变体由Ioyda等人在Bulletin of theChemical Society of Japan，Vol.63，p.80(1990)中描述，其中有机可溶性碘化物被用作促进剂。
另一种镍偶合反应由Yamamoto在Progress in Polymer Science，Vol.17，p.1153(1992)中公开，其中在惰性溶剂中用过量镍(1，5-环辛二烯)络合物处理二卤代芳香族化合物的混合物。当应用于两种或多种芳香族二卤化物的反应物混合物时，所有镍偶合反应都基本上得到无规共聚物。这些聚合反应可以通过向聚合反应混合物中加入少量水来终止，其用氢基团代替末端卤素基团。或者，在这些反应中，单官能的芳基卤或芳基硼酸酯可以用作链终止剂，其将导致末端芳基的形成。
在一种实施方案中，本发明的聚合物含有除上述苯并三唑基团以外的共轭基团。″共轭基团″是指含有双键、三键和/或芳环的部分。这些基团的例子是上述的共聚单体T。这些基团与聚合物的结合可以用来改变聚合物的光吸收、电离电位和/或电子性质。使用上述方法结合至少一种不同于上述苯并三唑化合物的共轭化合物，可以制备这些聚合物。这些共轭化合物，以下简称″共聚单体″，具有可以与苯并三唑化合物共聚合的官能团。例如，在镍偶联聚合反应中二卤代官能团的共聚单体优选在与二卤代官能团的苯并三唑化合物的结合中使用；二卤代官能团的共聚单体优选在与苯并三唑-二硼酸或苯并三唑-二硼酸酯的结合中使用；以及带二硼酸或二硼酸酯官能团的共轭共聚单体优选在与二卤代苯并三唑的结合中使用。为了制备本发明的聚合物，在Suzuki聚合反应中可以使用不止一种二硼酸和不止一种二溴化物，只要二硼酸/二硼酸酯的总摩尔量基本上等同于二溴化物的总量。
镍偶联聚合主要获得包含含苯并三唑基团单元和来源于其它共聚单体单元的无规共聚物，而Suzuki聚合获得交替共聚物。
在Suzuki反应中通过控制单体进料的顺序和组成，有可能控制所得共聚物中单体单元的顺序。例如，主要含与短嵌段交替苯并三唑共聚单体寡聚物连接的大嵌段苯并三唑均聚物的高分子量共聚物可以如下制备：首先，引入合适比值的反应物，制备交替苯并三唑-共聚单体寡聚物，接着引入其余的苯并三唑单体，只有在硼基团和溴基团之间存在总体平衡就可以。
通常，本发明的聚合物包含末端部分E1，其中E1是氢或可以任选被能够进行链延伸或交联的活性基团取代的芳基部分，或三(C1-C18)烷基甲硅烷氧基。在此所使用的能够进行链延伸或交联的活性基团是指任何基团，其能够与另一个相同的基团或另一种基团反应，这样形成连接以制备寡聚物或聚合物。优选地，这样的活性基团是羟基、缩水甘油醚、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基、乙炔基、马来酰亚胺、nadimide、三氟乙烯基醚部分或与E1的芳环稠合的环丁烯部分。
本发明的聚合物，其中E1是如上所定义的活性基团，能够交联形成耐溶剂、耐热的薄膜，其中耐热性在100℃或以上，更优选在150℃或以上。优选地，在350℃或更低，更优选在300℃或更低，以及最优选在250℃或更低的温度下进行这样的交联。本发明的可交联聚合物在100℃或更高，以及更优选在150℃或更高的温度下是稳定的。在此所使用的″稳定的″是指这些聚合物在所述温度或更低的温度下不会进行交联或聚合反应。如果需要获得可交联物质，那么E1优选是乙烯基苯基、乙炔基苯基或4-(或3-)苯并环丁烯基。在另一种实施方案中，E1选自式-C6H4-O-Y的酚衍生物，其中Y是-H、-CN、
Figure A20048001205800521
或 如果需要的话，在聚合物链的其它部分可以存在可交联基团。例如，共聚单体T的一个取代基可以是可交联基团E1。
在所得聚合物基本上被活性基团E1封端的条件下，将封端剂E1-X(E1如上所定义以及X是Cl或Br)引入到本发明的聚合物中。此反应为上述的镍偶联反应和Suzuki反应。通过单体与封端剂的摩尔比来控制平均聚合度。
根据制备方法，本发明的聚合物可以是嵌段共聚物、无规共聚物或交替共聚物。
本发明的另一方面涉及含有1-99％的至少一种本发明聚合物(含有苯并三唑)的聚合物混合物。混合物中其余的1％-99％由一种或多种选自链增长聚合物如聚苯乙烯、聚丁二烯、聚(甲基丙烯酸甲酯)和聚(环氧乙烷)；逐步增长聚合物如苯氧基树脂、聚碳酸酯、聚酰胺、聚酯、聚氨酯和聚酰亚胺；以及交联聚合物如交联环氧树脂、交联酚醛树脂、交联丙烯酸酯树脂和交联氨基甲酸酯树脂的聚合材料组成。这些聚合物的例子可以在Prepartive Methods of Polymer Chemistry，W.R.Sorenson and T.W.Campbell，Second Edition，IntersciencePublishers(1968)中找到。在所述混合物中还可以使用共轭聚合物如聚(亚苯基亚乙烯基)、取代的聚(亚苯基亚乙烯基)、取代的聚亚苯基和聚噻吩。这些共轭聚合物的例子由Greenham和Friend在SolidState Physics，Vol.49，pp.1-149(1995)中给出。
本发明的另一方面是由本发明的聚合物制得的薄膜。这些薄膜可以被用于聚合发光二极管中。优选地，这些薄膜被用作发射层。这些聚合物还可以被用作电子器件的防护涂层以及作为荧光涂层。所述涂层或薄膜的厚度取决于最终用途。通常，厚度可以为0.01-200微米。在涂层被用作荧光涂层的实施方案中，涂层或薄膜厚度在50-200微米之间。在涂层被用作电子防护层的实施方案中，涂层的厚度可以在5-20微米之间。在涂层被用于聚合发光二极管的实施方案中，所形成的层厚度为0.01-2微米。本发明的聚合物生成没有针孔和缺陷的薄膜。这些薄膜可以通过本领域公知的方法进行制备，例如旋涂、喷涂、浸涂和滚涂。这些涂层通过一种方法制备，该方法包括：将组合物施加到基材上，然后将施加的组合物在一定条件下暴露，以便生成薄膜。形成薄膜的条件取决于应用技术。在一种优选实施方案中，施加于基材上的组合物包含溶于普通有机溶剂中的苯并三唑聚合物。优选地，该溶液含有0.1-10重量百分比的聚合物。将这种组合物通过希望的方法应用到合适的基材上，然后蒸发除去溶剂。剩余溶剂可以通过真空和/或加热除去。除去溶剂后，然后将涂层暴露于必要的条件下以固化该薄膜，如果需要的话，制备成具有高耐溶剂性和耐热性的薄膜。所述薄膜在厚度上优选基本上是均匀的以及基本上没有针孔。在另一种实施方案中，该聚合物可以部分固化。这种被称为B-staging。
本发明的另一种实施方案涉及光学器件或元件，其包含基材以及本发明的聚合物。
本发明的器件可以根据WO99/48160的内容进行制备，该文献的内容在此引入作为参考。本发明的聚合物在器件中可以作为单独的光发射聚合物存在，或者作为进一步包含空穴和/或电子传递聚合物的混合物的一个组分存在。或者，该器件可以包含本发明聚合物、空穴传递聚合物和/或电子传递聚合物的不同层。
在一种实施方案中，所述的光学器件包含一种场致发光器件，其包含至少
(a)反射或透射阳极
(b)反射或透射阴极
(c)位于电极间的含本发明聚合物的发射层以及任选地
(d)用于注入正电荷载流子的电荷注入层，以及
(e)用于注入负电荷载流子的电荷注入层。
层(d)可以是正电荷载流子传递层，其位于发射层(c)和正电极层之间，或者可以是正电极层。层(e)可以是负电荷载流子传递层，其位于发射层(c)和负电极层之间，或者可以是负电极层。任选地，有机电荷传递层可以位于光发射层(c)和电荷载体注入层(d)和(e)之一的中间。
EL器件发射低于520nm的光，尤其是发射在380nm和520nm之间的光，更尤其是发射在400nm和490nm之间的光。EL器件发射蓝光。
EL器件具有在约(0.10，0.02)和约(0.25，0.25)之间的NTSC坐标，尤其是具有约(0.14，0.08)的NTSC坐标。
可以理解，光发射层可以从包含本发明的一种或多种聚合物以及任选其它不同聚合物的掺合物或混合物中制得。所述的其它不同的聚合物可以是所谓的空穴传递聚合物(即改善空穴传递至光发射材料的效率)或电子传递聚合物(即改善电子传递至光发射材料的效率)。优选地，所述的掺合物或混合物包含至少0.1％重量的本发明的聚合物，优选包含0.2-50％，更优选包含0.5-30％重量的本发明的聚合物。
发光层可以由单一物质组成，但是更通常由掺杂一种或多种客体化合物的基质材料组成，即本发明的聚合物，其中光发射首先来自掺杂物并且可以是任何颜色。掺杂物通常选自高荧光染料，但是磷光化合物，如WO 98/55561、WO 00/18851、WO 00/57676和WO 00/70655中所述的过渡金属络合物也是有用的。本发明的聚合物在其它宿主材料中还可以作为掺杂物使用。掺杂物典型地以0.01-10％重量涂布到宿主材料中。
宿主和发射分子是已知的，包括，但不局限于在美国专利4,768,29；5,141,671；5,150,006；5,151,629；5,294,870；5,405,709；5,484,922；5,593,788；5,645,948；5,683,823；5,755,999；5,928,802；5,935,720；5,935,721和6,020,078中公开的那些。
有机EL器件典型地由夹在阳极和阴极之间的有机薄膜组成，这样当正偏压施加于器件时，空穴从阳极注入到有机薄膜中，以及电子从阴极中注入到有机薄膜中。空穴和电子的结合可以产生一种激子，其通过释放一个光子进行放射性衰退至基态。在实际中，考虑到电导率和透明度，阳极通常是锡和铟的混合氧化物。混合氧化物(ITO)在透明基材如玻璃或塑料上沉积，这样可以观察到由有机薄膜发射的光。所述的有机薄膜可以是若干单层的复合材料，每一单层设计成具有不同的功能。由于空穴从阳极中注入，紧挨着阳极的层需要具有传递空穴的官能团。类似地，紧挨着阴极的层需要具有传递电子的官能团。在许多情况中，电子-(空穴)传递层还起发射层的作用。在有些情况下，单层就能够同时起到空穴和电子传递以及光发射的功能。有机薄膜的各个层可以都是聚合层，或者是聚合物和通过热蒸发沉积的小分子层的组合。有机薄膜的总厚度优选小于1000纳米(nm)。总厚度更优选小于500nm。总厚度最优选小于300nm。活泼(光发射)层的厚度优选小于400纳米(nm)。更优选在40-160nm的范围之内。
在用洗涤剂、有机溶剂进行常规清洗以及用UV-臭氧处理后，用作基材和阳极的ITO-玻璃可以用来进行涂布。首先还可能涂布一传导物质的薄层以促进空穴注入。这些物质包括铜酞菁、聚苯胺和聚(3，4-亚乙二氧基-噻吩)(PEDOT)；后面两种物质通过掺入强有机酸如聚(苯乙烯磺酸)起导电形式。这层的厚度优选是200nm或更少；这层的厚度更优选是100nm或更少。
在使用空穴传递层的情况中，可以使用美国专利号5,728,801中所述的聚合芳基胺。还可以使用其它已知的空穴传导聚合物，如聚乙烯咔唑。这层对接下来施加的聚合物膜溶液的耐侵蚀性显然对成功制造多层器件是关键性的。这层的厚度可以是500nm或更少，优选300nm或更少，最优选150nm或更少。
在使用电子传递层的情况中，可以通过热蒸发低分子量材料实施，或通过涂布在不会对潜在薄膜造成显著损害的溶剂中的聚合物溶液实施。
低分子量材料的例子包括8-羟基喹啉的金属络合物(如Burrows等人在Applied Physics Letters，Vol.64，pp.2718-2720(1994)中描述)、10-羟基苯并(h)喹啉的金属络合物(如Hamada等人在Chemistry Letters，pp.906-906(1993)中所述)、1，3，4-噁二唑(如Hamada等人在Optoelectronics-Devices and Technologies，Vol.7，pp.83-93(1992)中所述)、1，3，4-三唑(如Kido等人在ChemistryLetters，pp.47-48(1996)中所述)以及苝的二甲酰亚胺(如Yoshida等人在Applied Physics Letters，Vol.69，pp.734-736(1996)中描述)。低分子量材料的其它例子公开在欧洲专利申请号03100972.3中，其内容在此引入作为参考。
聚合电子传递材料通过含1，3，4-噁二唑的聚合物进行举例说明(如Li等人在Journal of Chemical Society，pp.2211-2212(1995)以及如Yang和Pei在Journal of Applied Physics，Vol 77，pp.4807-4809(1995)中所述)、含1，3，4-三唑的聚合物(如Strukelj等人在Science，Vol.267，pp.1969-1972(1995)中所述)、含喹喔啉的聚合物(如Yamamoto等人在Japan Journal of Applied Physics，Vol.33，pp.L250-L253(1994)中，O′Brien等人在Synthetic Metals，Vol.76，pp.105-108(1996)中所述)，以及氰基-PPV(如Weaver等人在Thin Solid Films，Vol.273，pp.39-47(1996)中所述)。这层的厚度可以是500nm或更少，优选300nm或更少，最优选150nm或更少。
阴极可以通过热蒸发或通过溅射沉积并且可以由若干层组成。阴极材料的厚度在100nm-10,000的范围之内。优选的金属是钙、钡、镁、铟、氟化锂(LiF)、氟化铯(Csf)、Ca(acac)和铝。还可以使用这些材料的混合物或合金。
在一种优选实施方案中，场致发光器件包含至少一层空穴传递聚合物膜和一层由本发明聚合物组成的发光聚合物膜，排列在阳极材料和阴极材料之间，这样在外加电压作用下，当器件正向偏置时，空穴从阳极材料注入到空穴传递聚合物膜中以及电子从阴极材料注入到发光聚合物膜中，导致从发光层中发射出光。
在另一种优选实施方案中，这样排列空穴传递聚合物层，以便使该层最靠近具有较低氧化电位的阳极，相邻层具有逐渐更高的氧化电位。通过这些方法，可以制备具有比较高的光输出每单位电压的电场致发光器件。
在此所使用的术语″空穴传递聚合物膜″是指这样的一种聚合物薄膜层，其排列在两个电极之间时，施加一个空间并且从阳极注入空穴，可以将空穴充分传递到发光聚合物中。空穴传递聚合物典型地是聚(3，4-亚乙二氧基-噻吩)(PEDOT)、PEDOT-PSS(PSS＝聚(苯乙烯磺酸)、聚苯胺(PANI)和聚噻吩。在此所使用的术语″发光聚合物膜″是指这样一种聚合物薄膜层，其通过发射光子，优选发射在可见区波长范围的光，其激发态可以返回到基态。在此所使用的术语″阳极材料″是指半透明的或透明的导电薄膜，其功函数在4.5电子伏特(eV)和5.5eV之间。例子是金、银、铜、铝、铟、铁、锌、锡、铬、钛、钒、钴、镍、铅、锰、钨等，金属合金如镁/铜、镁/银、镁/铝、铝/铟等，半导体如Si、Ge、GaAs等，金属氧化物如铟-锡-氧化物(“ITO”)、ZnO等，金属化合物，以及导电聚合物如聚乙炔、聚吡咯、聚对亚苯基等。铟和锡的氧化物和混合氧化物以及金是优选的。最优选的是ITO，尤其是在玻璃或塑料上的ITO作为基材。在此所使用的术语″阴极材料″是指功函数在2.5eV和4.5eV之间的导电薄膜。例子是碱金属、碱土金属、第13族元素、银和铜以及合金或其混合物如钠、锂、钾、钙、钡、氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、钠-钾合金、镁、镁-银合金、镁-铜合金、镁-铝合金、镁-铟合金、铝、铝-氧化铝合金、铝-锂合金、铟、钙、以及EP-A 499,011中列举的材料，例如导电聚合物，如聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚乙炔等等。优选使用锂、钙、钡、CsF、LiF、镁、铟、银、铝或上述的掺合物和合金。在使用金属或金属合金作为电极材料的情况中，所述电极还可以通过真空淀积法进行制备。此外，在使用金属或金属合金作为电极材料的情况中，所述电极可以通过化学镀层法进行制备。(如参见Handbook of Electrochemistry，pp 383-387，Mazuren，1985)。
作为制备所述薄膜的方法，例如有真空淀积法、旋涂法、浇铸法、Langmuir-Blodgett(“LB”)法、喷墨印刷法等。在这些方法当中，考虑到操作的容易性和成本，真空淀积法、旋涂法、喷墨印刷法和浇铸法是特别优选的。
在通过旋涂法、浇铸法和喷墨印刷法制备所述层的情况中，可以使用一种溶液进行涂布，其中该溶液通过将组分以0.0001-90％重量的浓度溶解到合适的有机溶剂如苯、甲苯、二甲苯、氯苯、四氢呋喃、甲基四氢呋喃、N，N-二甲基甲酰胺、氯仿、二氯甲烷、二甲亚砜等中进行制备。所述聚合物在所使用的溶剂中应该完全溶解。
本发明的有机EL器件具有重大的工业价值，因为它可以作为墙壁电视机的平板显示器、平板发光装置、复印机或打印机的光源、液晶显示器或计数器的光源、显示器信号牌和信号灯使用。本发明的聚合物和组合物可以被用于有机EL器件、光电器件、静电摄影感光体、光电转换器、太阳能电池、图像传感器等领域中。
以下实施例仅仅是用于说明性目的，不对权利要求的范围构成限制。除非另有说明，所有份数和百分比以重量表示。
实施例
实施例1
在氩气氛中在黑暗中，将二(1，5-环辛二烯)镍(0)(2.0g，7.27mmol)和2，2’-联吡啶(1.14g，7.27mmol)溶于无水甲苯(7.0ml)中，接着在80℃下搅拌1小时。将单体1(0.23g，0.60mmol)和2，7-二溴-9，9-二己基芴(单体2)(1.50g，3.05mmol)溶于无水甲苯(7.0ml)中并用氩气充分吹扫，然后在氩气中在黑暗中将其加入到所述镍络合物的溶液中并在80℃下搅拌17小时。加入无水甲苯(7.0ml)，再反应5小时。加入溴苯(1ml，9.5mmol)，然后将反应再搅拌2小时。将反应混合物倒入到搅拌下的甲醇/c.HCl(水溶液)(10∶1，600ml)中，所得沉淀搅拌30分钟，然后过滤收集。将所述沉淀再溶解到甲苯(80ml)中，在酸性甲醇中反复析出。将所述沉淀再溶解到氯仿(80ml)中，通过二氧化硅塞，然后用氯仿(5×100ml)洗涤。将合并的氯仿相浓缩至约80ml，在搅拌下的甲醇(600ml)中析出，并搅拌30分钟。过滤收集聚合物，然后干燥。0.674g；58％的物质回收率：MW＝650,000，PD＝2.21(GPC，PS标准)。
根据下列单体家族，实施例1的聚合方案可以用来制备高MW的均聚物或高MW的统计(无规)共聚物：
单体1：
  A1   A2   A3   A4   A5   单体2
  1   H   Br   H   Br   OMe   2，7-二溴-9，9-二己基芴
  2   H   Br   OMe   H   Br   2，7-二溴-9，9-二己基芴
  3   H   Br   H   H   Br   2，7-二溴-9，9-二己基芴
  4   H   Br   H   Br   OMe   2，7-二溴-9，9-二(2′-乙基己基)芴
  5   H   Br   OMe   H   Br   2，7-二溴-9，9-二(2′-乙基己基)芴
  6   H   Br   H   H   Br   2，7-二溴-9，9-二(2′-乙基己基)芴
  7   H   Br   H   Br   OMe   2，7-二溴-9，9-二庚基芴
  8   H   Br   OMe   H   Br   2，7-二溴-9，9-二庚基芴
  9   H   Br   H   H   Br   2，7-二溴-9，9-二庚基芴
  10   H   Br   H   Br   OMe   2，7-二溴-9，9-二辛基芴
  11   H   Br   OMe   H   Br   2，7-二溴-9，9-二辛基芴
  12   H   Br   H   H   Br   2，7-二溴-9，9-二辛基芴
  13   H   Br   H   Br   OMe   4，4′-二溴-2，2′-二己基联苯
  14   H   Br   OMe   H   Br   4，4′-二溴-2，2′-二己基联苯
  15   H   Br   H   H   Br   4，4′-二溴-2，2′-二己基联苯
  16   H   Br   H   Br   OMe   1，4-二己氧基-2，5-二溴苯基
  17   H   Br   OMe   H   Br   1，4-二己氧基-2，5-二溴苯基
  18   H   Br   H   H   Br   1，4-二己氧基-2，5-二溴苯基
  19   H   Br   H   Br   OMe   1，4-二(2′-乙基己基)氧基-2，5-二溴苯基
  20   H   Br   OMe   H   Br   1，4-二(2′-乙基己基)氧基-2，5-二溴苯基
  21   H   Br   H   H   Br   1，4-二(2′-乙基己基)氧基-2，5-二溴苯基
  22   H   Br   H   Br   OMe   1，4-二辛氧基-2，5-二溴苯基
  23   H   Br   OMe   H   Br   1，4-二辛氧基-2，5-二溴苯基
  24   H   Br   H   H   Br   1，4-二辛氧基-2，5-二溴苯基
单体1：
Figure A20048001205800601
  A1   A2   A3   A4   A5   A6   单体2
  25   H   H   H   Br   OMe   Br   2，7-二溴-9，9-二己基芴
  26   H   H   H   H   Br   Br   2，7-二溴-9，9-二己基芴
  27   H   Br   H   Br   OMe   H   2，7-二溴-9，9-二己基芴
  28   H   Br   H   H   Br   H   2，7-二溴-9，9-二己基芴
  29   H   Br   H   H   Br   H   2，7-二溴-9，9-二辛基芴
  30   H   H   H   Br   OMe   Br   2，7-二溴-9，9-二辛基芴
  31   H   H   H   H   Br   Br   2，7-二溴-9，9-二辛基芴
  32   H   Br   H   Br   OMe   H   2，7-二溴-9，9-二辛基芴
单体1：
Figure A20048001205800602
  A1   A2   A3   A4   A5   A7   单体2
  33   H   Br   H   H   Br   H   2，7-二溴-9，9-二己基芴
  34   H   Br   OMe   H   H   Br   2，7-二溴-9，9-二己基芴
  35   H   Br   H   H   Br   H   2，7-二溴-9，9-二(2′-乙基己基)芴
  36   H   Br   OMe   H   H   Br   2，7-二溴-9，9-二(2′-乙基己基)芴
  37   H   Br   H   H   Br   H   2，7-二溴-9，9-二辛基芴
  38   H   Br   OMe   H   H   Br   2，7-二溴-9，9-二辛基芴
实施例2
Figure A20048001205800611
将单体3(1.0g，2.31mmol)和单体4(2.38g，2.31mmol)悬浮在甲苯(15ml)中，接着鼓入氩气吹扫10分钟。加入钯催化剂(1mol％)，将甲苯相再吹扫10分钟。加入氢氧化四乙铵(20％水溶液；8ml)，将整个加热回流20小时。加入溴苯(0.2ml)，再反应1小时，然后加入苯基硼酸，反应再搅拌1小时。冷却下，将反应混合物用甲苯(20ml)稀释，接着倒入到酸性甲醇(10ml 32％HCl(水溶液)在500ml甲醇中)中，然后过滤。将该浅色固体再溶解到甲苯(100ml)中，与EDTA二钠(5％，200ml)一起剧烈搅拌1小时。分离甲苯相，浓缩至约50ml，在甲醇(400ml)中析出，过滤并干燥。
根据下列单体家族，实施例2的聚合可以用来制备均聚物或交替共聚物：
单体3：
Figure A20048001205800612
  A1   A2   A3   A4   A5   单体4
  39   H   Br   H   Br   OMe   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二己基芴
  40   H   Br   OMe   H   Br   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二己基芴
  41   H   Br   H   H   Br   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二己基芴
  42   H   Br   H   Br   OMe   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二(2′-乙基己基)芴
  43   H   Br   OMe   H   Br   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二(2′-乙基己基)芴
  44   H   Br   H   H   Br   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二(2′-乙基己基)芴
  45   H   Br   H   Br   OMe   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二庚基芴
  46   H   Br   OMe   H   Br   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二庚基芴
  47   H   Br   H   H   Br   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二庚基芴
  48   H   Br   H   Br   OMe   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴
  49   H   Br   OMe   H   Br   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴
  50   H   Br   H   H   Br   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴
  51   H   Br   H   Br   OMe   4，4′-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-2，2’-二己基联苯
  52   H   Br   OMe   H   Br   4，4′-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-2，2′-二己基联苯
  53   H   Br   H   H   Br   4，4′-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-2，2′-二己基联苯
  54   H   Br   H   Br   OMe   1，4-二己氧基-2，5-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)苯基
  55   H   Br   OMe   H   Br   1，4-二己氧基-2，5-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)苯基
  56   H   Br   H   H   Br   1，4-二己氧基-2，5-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)苯基
  57   H   Br   H   Br   OMe   1，4-二(2′-乙基己基)氧基-2，5-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)苯基
  58   H   Br   OMe   H   Br   1，4-二(2′-乙基己基)氧基-2，5-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)苯基
  59   H   Br   H   H   Br   1，4-二(2′-乙基己基)氧基-2，5-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)苯基
  60   H   Br   H   Br   OMe   1，4-二辛氧基-2，5-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)苯基
  61   H   Br   OMe   H   Br   1，4-二辛氧基-2，5-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)苯基
  62   H   Br   H   H   Br   1，4-二辛氧基-2，5-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)苯基
单体3：
Figure A20048001205800631
  A1   A2   A3   A4   A5   A6   单体4
  63   H   H   H   Br   OMe   Br   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二己基芴
  64   H   H   H   H   Br   Br   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二己基芴
  65   H   Br   H   Br   OMe   H   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二己基芴
  66   H   Br   H   H   Br   H   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二己基芴
  67   H   Br   H   H   Br   H   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴
  68   H   H   H   Br   OMe   Br   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴
  69   H   H   H   H   Br   Br   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴
  70   H   Br   H   Br   OMe   H   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴
单体3：
Figure A20048001205800641
  A1   A2   A3   A4   A5   A7   单体4
  71   H   Br   H   H   Br   H   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二己基芴
  72   H   Br   OMe   H   H   Br   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二己基芴
  73   H   Br   H   H   Br   H   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二(2’-乙基己基)芴
  74   H   Br   OMe   H   H   Br   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二(2’-乙基己基)芴
  75   H   Br   H   H   Br   H   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴
  76   H   Br   OMe   H   H   Br   2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴
应用实施例1
用于器件制造的ITO-玻璃是1平方英寸，其具有12欧姆/平方的标称薄膜电阻。ITO通过光刻蚀法和蚀刻形成图案，然后用水、溶剂清洗，最后暴露于RF-等离子体中。PEDOT-PSS(PEDOT＝聚(3，4-亚乙二氧基-噻吩)，PSS＝聚(苯乙烯磺酸))层用从Bayer公司获得的水分散体旋涂，接着在200℃烘焙30分钟，这样最终的层厚度为40nm。聚合物67用甲苯溶液旋涂，这样层厚度为80nm。将钙(20nm)和铝(70nm)热沉积在真空室中。ITO的图案和阴极生成面积4mm2的8有源器件。
该器件表现出7.4V的接通电压(亮度＞1cd/m2)，达到0.012cd/A的峰值效率。
实施例3
Figure A20048001205800651
将单体5(1.58g，3.18mmol)和单体6(1.57g，3.18mmol)悬浮在甲苯(22ml)中，接着鼓入氩气吹扫10分钟。加入钯催化剂(1mol％)，将甲苯相再吹扫10分钟。加入氢氧化四乙铵(20％水溶液；12ml)，将整个加热回流20小时。加入溴苯(0.2ml)，再反应1小时，然后加入苯基硼酸，反应再搅拌1小时。冷却下，将反应混合物用甲苯(20ml)稀释，接着倒入到酸性甲醇(10ml 32％HCl(水溶液)在500ml甲醇中)中，然后过滤。将该浅色固体再溶解到甲苯(100ml)中，与EDTA二钠(5％，200ml)一起剧烈搅拌1小时。分离甲苯相，浓缩至约50ml，在甲醇(400ml)中析出，过滤并干燥，收率1.6g聚合物(85％的回收率)。
根据下列单体家族，实施例3的聚合可以用来制备均聚物或交替共聚物：
单体5：
Figure A20048001205800661
Figure A20048001205800662
Figure A20048001205800671
应用实施例2
用于器件制造的ITO-玻璃是1平方英寸，其具有12欧姆/平方的标称薄膜电阻。ITO通过光刻蚀法和蚀刻形成图案，然后用水、溶剂清洗，最后暴露于RF-等离子体中。PEDOT-PSS层用从Bayer公司获得的水分散体进行旋涂，在200℃烘焙30分钟，这样最终的层厚度为100nm。聚合物67用甲苯溶液旋涂，这样层厚度为80nm。将钡(5nm)和铝(100nm)热沉积在真空室中。ITO的图案和阴极生成面积4mm2的8有源器件。
该器件表现出3.6V的接通电压(亮度＞1cd/m2)，达到0.61cd/A的峰值效率。
应用实施例3
用于器件制造的ITO-玻璃是1平方英寸，其具有12欧姆/平方的标称薄膜电阻。ITO通过光刻蚀法和蚀刻形成图案，然后用水、溶剂清洗，最后暴露于RF-等离子体中。PEDOT-PSS层用从Bayer公司获得的水分散体进行旋涂，在200℃烘焙30分钟，这样最终的层厚度为100nm。聚合物67用甲苯溶液旋涂，这样层厚度为80nm。将氟化锂(5nm)、钙(10nm)和铝(200nm)热沉积在真空室中。ITO的图案和阴极生成面积4mm2的8有源器件。
该器件表现出3.7V的接通电压(亮度＞1cd/m2)，达到1.41cd/A的峰值效率。
应用实施例4
用于器件制造的ITO-玻璃是1平方英寸，其具有12欧姆/平方的标称薄膜电阻。ITO通过光刻蚀法和蚀刻形成图案，然后用水、溶剂清洗，最后暴露于RF-等离子体中。将聚苯胺(PANI)层旋涂，这样最终的层厚度为100nm。聚合物67用甲苯溶液旋涂，这样层厚度为80nm。将氟化锂(5nm)，钙(10nm)和铝(200nm)热沉积在真空室中。ITO的图案和阴极生成面积4mm2的8有源器件。
该器件表现出3.8V的接通电压(亮度＞1cd/m2)，达到1.39cd/A的峰值效率。

Claims (13)

1.包含下式重复单元的聚合物
Figure A2004800120580002C1
Figure A2004800120580002C2
或
Figure A2004800120580002C3
其中
x和y相互独立地是0或1，
X1和X2互相独立地是二价连接基，
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7和Ar8互相独立地是可以任选被取代的芳基或杂芳基，尤其是可以任选被取代的C6-C30芳基或C2-C26杂芳基。
2.权利要求1的聚合物，包含下式的重复单元
Figure A2004800120580003C1
Figure A2004800120580003C2
或
Figure A2004800120580003C3
其中Ar2如权利要求1所定义，
R1和R2互相独立地是H、卤素、SO3 -、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C1-C18全氟烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基、C7-C25芳烷基或-CO-R28，
或两个互相相邻的取代基R1和R2是基团 或
Figure A2004800120580003C5
D是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR25-、-SiR30R31-、-POR32-、-CR23＝CR24-或-C≡C-；以及
E是-OR29、-SR29、-NR25R26、-COR28、-COOR27、-CONR25R26、-CN、-OCOOR27或卤素；G是E或C1-C18烷基，其中
R23、R24、R25和R26相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基；或
R25和R26一起形成5或6元环，特别是
Figure A2004800120580003C6
或
Figure A2004800120580004C1
R27和R28相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，
R29是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，
R30和R31互相独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基，以及
R32是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。
3.权利要求1的聚合物，包含下式的重复单元
尤其是
Figure A2004800120580004C3
或
Figure A2004800120580004C5
其中Ar4如权利要求1中所定义，
R1和R2互相独立地是H、卤素、SO3 -、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C1-C18全氟烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基、C7-C25芳烷基或-CO-R28，
或两个互相相邻的取代基R1和R2是基团
Figure A2004800120580005C1
或
D是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR25-、-SiR30R31-、-POR32-、-CR23＝CR24-或-C≡C-；以及
E是-OR29、-SR29、-NR25R26、-COR28、-COOR27、-CONR25R26、-CN、-OCOOR27或卤素；G是E或C1-C18烷基，其中
R23、R24、R25和R26相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基；或
R25和R26一起形成5或6元环，特别是 或
Figure A2004800120580005C4
R27和R28相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，
R29是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，
R30和R31互相独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基，以及
R32是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。
4.权利要求3的聚合物，其中Ar4是下式
或
Figure A2004800120580006C2
的基团，其中
p是1-10的整数，尤其是1、2或3，
q是1-10的整数，尤其是1、2或3，
r是0-10的整数，特别是0、1、2或3，
R3-R8互相独立地是H、卤素、SO3 -、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基、C7-C25芳烷基或-CO-R28，或
互相相邻的两个取代基R3-R8是基团
Figure A2004800120580006C3
或
Figure A2004800120580006C4
以及
R14’和R15’相互独立地是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基，
R16是C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、任选可被取代的C6-C24芳基，其中
D是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR25-、-SiR30R31-、-POR32-、-CR23＝CR24-或-C≡C-；以及
E是-OR29、-SR29、-NR25R26、-COR28、-COOR27、-CONR25R26、-CN、-OCOOR27或卤素；G是E或C1-C18烷基，其中
R23、R24、R25和R26相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基；或R25和R26一起形成5或6元环，特别是
Figure A2004800120580007C1
或
Figure A2004800120580007C2
R27和R28相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，
R29是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，
R30和R31互相独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基，以及
R32是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。
5.权利要求1-4任一项的聚合物，包含选自下面的其它重复单元T
Figure A2004800120580007C3
尤其是
Figure A2004800120580007C4
或
Figure A2004800120580007C6
尤其是 或
Figure A2004800120580007C9
Figure A2004800120580008C1
尤其是
Figure A2004800120580008C2
或
Figure A2004800120580008C3
尤其是
或
Figure A2004800120580008C6
尤其是
Figure A2004800120580008C7
或
Figure A2004800120580008C9
或
Figure A2004800120580008C10
或
Figure A2004800120580008C12
其中
p是1-10的整数，尤其是1、2或3，
q是1-10的整数，尤其是1、2或3，
s是1-10的整数，尤其是1、2或3，
R14和R15互相独立地是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、或C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基，
R16和R17互相独立地是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、或C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基，C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基、C7-C25芳烷基或-CO-R28，
R18是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基；
R19和R20互相独立地是C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基，C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基、或C7-C25芳烷基，或
R19和R20一起形成式＝CR100R101的基团，其中
R100和R101互相独立地是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或被G取代的C2-C20杂芳基，或
R19和R20形成一个环，尤其是可任选取代的5或6元环，以及
D、E和G如权利要求2所定义。
6.权利要求5的聚合物，其中T选自
Figure A2004800120580009C1
Figure A2004800120580010C1
Figure A2004800120580010C2
或
Figure A2004800120580010C3
其中
R18是C1-C18烷基，以及
R19和R20互相独立地是C1-C18烷基，尤其是C4-C12烷基，其可以被一个或两个氧原子间断，或
R19和R20形成一个5或6元碳环，其任选可以被C1-C4烷基取代。
7.权利要求1-6任一项的聚合物，包含下式的重复单元
Figure A2004800120580010C4
和/或 以及数量为0-99.5mol％、尤其是40-80mol％的重复单元T，其中重复单元和共聚单体的总数为100mol％，其中
A1是氢或C1-C18烷基，
A2是氢或C1-C18烷基，
A3是氢或C1-C18烷氧基或C1-C18烷基，
A4是氢或C1-C18烷基，
A5是氢、C1-C18烷基、二(C1-C18烷基)氨基或C1-C18烷氧基，
A6是氢或C1-C18烷基，
A7是氢、C1-C18烷基或C1-C18烷氧基，以及T是式
Figure A2004800120580011C1
或的基团，其中s是1或2，或
Figure A2004800120580011C3
其中s是1或2，
R16和R17互相独立地是C1-C18烷基，尤其是C4-C12烷基，尤其是己基、庚基、2-乙基己基和辛基，其可以被一个或两个氧原子间断，C1-C18烷氧基，尤其是C4-C12烷氧基，尤其是己氧基、庚氧基、2-乙基己氧基和辛氧基，其可以被一个或两个氧原子间断，以及
R19和R20互相独立地是C1-C18烷基，尤其是C4-C12烷基，尤其是己基、庚基、2-乙基己基和辛基，其可以被一个或两个氧原子间断。
8.权利要求1的聚合物，包含式IV的重复单元，尤其是
或
Figure A2004800120580011C5
其中
Ar7、Ar7’、Ar8和Ar8’相互独立地是可任选被取代的C6-C30芳基或C2-C26杂芳基，
X1和X2相互独立地是下式的基团
或
Figure A2004800120580012C2
尤其是
Figure A2004800120580012C3
或
Figure A2004800120580012C4
其中
虚线表示与苯并三唑单元连接的键，
R56和R57相互独立地是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基或C7-C25芳烷基，
R58是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基或C7-C25芳烷基，
R59和R60相互独立地是H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基、被G取代的C2-C20杂芳基、C2-C18链烯基、C2-C18炔基、C1-C18烷氧基、被E取代和/或被D间断的C1-C18烷氧基或C7-C25芳烷基，或
R59和R60形成一个环，尤其是一个可任选被取代的5-或6元环，
R71是H、C1-C18烷基、-C≡N、-CONR25R26或-COOR27，
D是-CO-、-COO-、-OCOO-、-S-、-SO-、-S2-、-O-、-NR25-、-SiR30R31、-POR32-、-CR23＝CR24-或-C≡C-；以及
E是-OR39、-SR29、-NR25R26、-COR28、-COOR27、-CONR25R26、-CN、-OCOOR27或卤素；G是E或C1-C18烷基，其中
R23、R24、R25和R26相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基；或
R25和R26一起形成5或6元环，特别是
Figure A2004800120580012C5
或
Figure A2004800120580013C1
R27和R28相互独立地是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，以及
R29是H、C6-C18芳基、被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基、C1-C18烷基或被-O-间断的C1-C18烷基，
R30和R31互相独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基，以及
R32是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。
9.权利要求8的聚合物，包含下式的重复单元
Figure A2004800120580013C2
如/或 以及数量为0-99.5mol％、尤其是40-80mol％的重复单元T，其中重复单元和共聚单体的总数为100mol％，其中
Ar7是 或
Figure A2004800120580013C5
Ar7’是
Figure A2004800120580014C1
其中虚线是苯并三唑单元的氮原子连接的键，
Ar8是
Ar8’是
Figure A2004800120580014C3
或
其中虚线是苯并三唑单元的氮原子连接的键，
A41是氢，C1-C18烷氧基或C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基，
A42是氢，或C1-C18烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基，
A43是氢，或C1-C18烷基、如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、异戊基、正己基、2-乙基己基或正庚基，
X1和X2相互独立地是下式
Figure A2004800120580014C5
或
Figure A2004800120580014C6
的基团，其中虚线表示与苯并三唑单元连接的键，
R71是H、C1-C18烷基、-C≡N或-COOR27，其中
R27是H；或C1-C18烷基，其可以被一个或多个氧原子间断，尤其是C4-C12烷基，其可以被一个或两个氧原子间断，以及T是式
Figure A2004800120580015C1
或 的基团，其中R59和R60互相独立地是C1-C18烷基，尤其是C4-C12烷基，其可以被一个或两个氧原子间断。
10.光学器件或元件，包含基材和权利要求1-9任一项的聚合物。
11.权利要求10的光学器件，其中所述的光学器件包含场致发光器件。
12.权利要求11的光学器件，其中所述的场致发光器件包含
(a)反射或透射阳极
(b)反射或透射阴极
(c)位于电极间的包含权利要求1-9任一项的聚合物的发射层，以及任选地
(d)用于注入正电荷载流子的电荷注入层，以及
(e)用于注入负电荷载流子的电荷注入层。
13.下式的单体
Figure A2004800120580015C3
或
Figure A2004800120580016C1
或
Figure A2004800120580016C2
其中
x和y是0或1，
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7和Ar8互相独立地是可以任选被取代的芳基或杂芳基，尤其是可以任选被取代的C6-C30芳基或C2-C26杂芳基，以及
X11在每次出现时独立地是卤素或-B(OH)2、-B(OY1)2或 其中Y1在每次出现时独立地是C1-C10烷基以及Y2在每次出现时独立地是C2-C10亚烷基如-CY3Y4-CY5Y6-或-CY7Y8-CY9Y10-CY11Y12-，其中Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11和Y12相互独立地是氢或C1-C10烷基，尤其是-C(CH3)2C(CH3)2-或-C(CH3)2CH2C(CH3)2-。
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