CN1914957A

CN1914957A - 有机电致发光器件

Info

Publication number: CN1914957A
Application number: CNA2005800035936A
Authority: CN
Inventors: 上谷保则; 小熊润; 安立诚
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2004-02-02
Filing date: 2005-01-31
Publication date: 2007-02-14
Anticipated expiration: 2025-01-31
Also published as: DE112005000266T5; US8871359B2; KR101196969B1; JP2005251734A; GB0617194D0; US20090015139A1; WO2005074329A1; GB2427612B; GB2427612A; KR20060127163A; CN100551190C; DE112005000266B4; JP5092199B2

Abstract

公开了一种有机电致发光器件，其包含存在于阳极和阴极组之间的发光层，和发光层和阳极之间的层(L)，所述的层(L)含有聚合物化合物，所述的聚合物化合物含有式(1)的重复单元。(在式中，Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄各自独立地表示亚芳基或二价杂环基；E₁、E₂和E₃各自独立地表示以下规定的芳基(A)或杂环基(B)；a和b各自独立地表示0或1，同时满足0≤a+b≤1。芳基(A)：含有三个或更多选自烷基、烷氧基、烷硫基等中的取代基的芳基。杂环基(B)：含有一个或多个选自烷基、烷氧基等中的取代基的一价杂环基，其中的取代基数和杂原子数的总和不小于3) 。

Description

有机电致发光器件

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件。

背景技术

有机电致发光器件(有机EL器件)是使用有机化合物作为发光层发光材料的发光器件的总称，例如，已知有使用聚合物发光材料作为发光层发光材料的器件。

尽管没有特别建议，但是作为延长器件寿命的一种手段，提出一种安置于发光层和阳极之间的聚胺层(月刊Display，‘03，9月，第10页(2003))。

但是，当使用由以下重复单元组成的聚合物化合物的层作为聚胺层时，器件性能如器件寿命等并不是必然令人满意。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种具有优异器件性能的有机EL器件。

本发明的发明人进行了深入研究以解决上述问题，结果发现，通过在有机EL元件的发光层和阳极之间提供含有聚合物化合物的层，该聚合物化合物具有以下式(1)表示的特殊结构作为重复单元，有机EL元件具有优异的器件性能，从而导致本发明的完成。

即，本发明提供一种有机电致发光器件，其中发光层存在于由阳极和阴极组成的电极之间，含有聚合物化合物的层(L)存在于发光层和阳极之间，并且所述的聚合物化合物含有下式(1)的重复单元：

其中，Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄各自独立地表示亚芳基或二价杂环基。E₁、E₂和E₃各自独立地表示以下芳基(A)或杂环基(B)。a和b各自独立地表示0或1，并且0≤a+b≤1。

芳基(A)：含有三个或更多个取代基的芳基，所述取代基选自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代的甲硅烷氧基、一价杂环基和卤素原子，

杂环基(B)：含有一个或多个取代基的一价杂环基，所述取代基选自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代的甲硅烷氧基、一价杂环基和卤素原子，并且其中杂环的取代基数和杂原子数的总和为3或更大。

实施本发明的最佳方式

本发明的有机EL器件的特征在于，发光层存在于由阳极和阴极组成的电极之间，含有聚合物化合物的层(L)存在于发光层和阳极之间，并且所述的聚合物化合物包含下式(1)的重复单元。

在上述式(1)的重复单元中，Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄各自独立地表示亚芳基或二价杂环基。

此处，亚芳基是通过从芳烃除去两个氢原子而获得的原子团，并且包括具有苯环或稠环的亚芳基，以及具有通过如直接键、1，2-亚乙烯基等的基团结合的两个或多个独立的苯环或稠环的亚芳基。亚芳基可以具有取代基。取代基的实例包括烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代的甲硅烷氧基、卤素原子、酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酰亚胺基，一价杂环基，羧基，取代的羧基、氰基、可聚合的取代基等，并且优选烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、取代的氨基、取代的甲硅烷基、取代的甲硅烷氧基和一价杂环基。

亚芳基除取代基外的碳数通常为约6～60，优选6～20。亚芳基包括取代基的总碳数通常为约6～100。

亚芳基的实例包括亚苯基(例如下式1～3)、萘-二基基团(下式4～13)、蒽-二基基团(下式14～19)、联苯-二基基团(下式20～25)、三联苯-二基基团(下式26～28)、稠环化合物基团(下式29～35)、芴-二基基团(下式36～38)、茚并芴-二基基团(下式38A～38B)、茋-二基基团(下式A～D)、二茋-二基基团(下式E和F)等。它们当中，优选亚苯基、联苯-二基基团、芴-二基基团、茚并萘-二基基团和茋-二基基团。

本发明中，二价杂环基是指通过从杂环上除去两个氢原子而获得的残余原子团，并且可以具有取代基。此处，杂环化合物包括具有环状结构的有机化合物，其中环中所含的构成环的元素不仅包括碳原子，还包括杂原子如氧、硫、氮、磷、硼、砷等。取代基包括烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代的甲硅烷氧基、卤素原子、酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酰亚胺基，一价杂环基，羧基，取代的羧基、氰基、可聚合的取代基等，并且优选烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、取代的氨基、取代的甲硅烷基、取代的甲硅烷氧基和一价杂环基。二价杂环基除取代基外的碳数通常为约3～60。二价杂环基包括取代基的总碳数通常为约3～100。二价杂环基中，优选的是二价芳族杂环基。

二价杂环基的实例包括以下基团。

包含氮作为杂原子的二价杂环基：吡啶-二基基团(下式39～44)、二氮杂亚苯基(下式45～48)、喹啉-二基基团(下式49～63)、喹喔啉-二基基团(下式64～68)、吖啶-二基基团(下式69～72)、联吡啶-二基基团(下式73～75)、菲咯啉-二基基团(下式76～78)等。

含有氧、硅、氮、硫、硒、硼等作为杂原子并且具有芴结构的基团(下式79～93、G～I)。

含有氧、硅、氮、硫、硒、硼等作为杂原子并且具有茚并芴结构的基团(下式J～O)。

含有氧、硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5元环杂环基(下式94～98)。

含有氧、硅、氮、硫、硒等作为杂原子的5元环稠合的杂环基(下式99～110)。

含有氧、硅、氮、硫、硒等作为杂原子并且在其杂原子的a-位结合形成二聚体或低聚体的5元环杂环基(下式111～112)。

含有氧、硅、氮、硫、硒等作为杂原子并且在其杂原子的a-位结合到苯基上的5元环杂环基(下式113～119)。

含有氧、氮、硫等作为杂原子并且被苯基、呋喃基或噻吩基取代的5元环稠合的杂环基(下式120～125)。

在上述的式1～125和G～O中，R各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代的甲硅烷氧基、卤素原子、酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，取代的酰亚胺基，一价杂环基，羧基，取代的羧基、可聚合的取代基或氰基。

上述实例中，多个R存在于一个结构式中，这些R可以相同或不同。为了改善在溶剂中的溶解度，优选一个结构式的多个R中至少一个是氢原子以外的基团，并且优选包含取代基的重复单元的形式的对称性小。此外，优选一个结构式中至少一个R是含有环状或支链烷基的基团。多个R还可以连接形成环。

当上式中的R是含有烷基的取代基时，该烷基可以是直链、支链或环状的，或者其组合，并且在非直链的情况下，示例的是异戊基、2-乙基己基、3，7-二甲基辛基、环己基、4-C₁～C₁₂烷基环己基等。

此外，在含有烷基的基团中的甲基或亚甲基可以被已被杂原子或一个或多个氟原子取代的甲基或亚甲基取代。作为这些杂原子示例的是氧原子、硫原子、氮原子等。

此处，烷基可以是直链、支链或环状烷基，并且通常含有约1至20个碳原子，其具体实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、十二烷基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等，并且优选戊基、己基、辛基、2-乙基己基、癸基和3，7-二甲基辛基。

烷氧基可以是直链、支链或环状烷氧基，并且通常含有约1至20个碳原子，其具体实例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、十二烷氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基、甲氧基甲基氧基、2-甲氧基乙基氧基等，并且优选戊氧基、己氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、癸氧基和3，7-二甲基辛氧基。

烷硫基可以是直链、支链或环状烷硫基，并且通常含有约1至20个碳原子，其具体实例包括甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、十二烷硫基、三氟甲硫基等，并且优选戊硫基、己硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、癸硫基和3，7-二甲基辛硫基。

芳基通常含有约6至60个碳原子，并且其具体实例包括苯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基(C₁～C₁₂表示1至12个碳原子，以下描述中同样适用)、C₁～C₁₂烷基苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等，并且优选C₁～C₁₂烷氧基苯基和C₁～C₁₂烷基苯基。此处，芳基是通过从芳烃上除去一个氢原子而获得的原子团。芳烃包括具有苯环或稠环的那些，还包括通过两个或更多个独立的苯环或稠环直接结合或者通过1，2-亚乙烯基等结合而获得的那些。

C₁～C₁₂烷氧基的具体实例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、十二烷氧基等。

C₁～C₁₂烷基的具体实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、十二烷基等。

芳氧基通常含有约6至60个碳原子，并且其具体实例包括苯氧基、C₁～C₁₂烷氧基苯氧基、C₁～C₁₂烷基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、五氟苯氧基等，并且优选C₁～C₁₂烷氧基苯氧基和C₁～C₁₂烷基苯氧基。

芳硫基通常含有约6至60个碳原子，并且其具体实例包括苯硫基、C₁～C₁₂烷氧基苯硫基、C₁～C₁₂烷基苯硫基、1-萘硫基、2-萘硫基、五氟苯硫基等，并且优选C₁～C₁₂烷氧基苯硫基和C₁～C₁₂烷基苯硫基。

芳基烷基通常含有约7至60个碳原子，并且其具体实例包括苯基-C₁～C₁₂烷基，如苯甲基、苯乙基、苯丁基、苯戊基、苯己基、苯庚基、苯辛基等；C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基；C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基；1-萘基-C₁～C₁₂烷基；2-萘基-C₁～C₁₂烷基等；并且优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基和C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基。

芳基烷氧基通常含有约7至60个碳原子，并且其具体实例包括：苯基-C₁～C₁₂烷氧基，如苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基丁氧基、苯基戊氧基、苯基己氧基、苯基庚氧基、苯基辛氧基等；C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、1-萘基-C₁～C₁₂烷氧基、2-萘基-C₁～C₁₂烷氧基等；并且优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷氧基和C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷氧基。

芳基烷硫基通常含有约7至60个碳原子，并且其具体实例包括苯基-C₁～C₁₂烷硫基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷硫基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷硫基、1-萘基-C₁～C₁₂烷硫基、2-萘基-C₁～C₁₂烷硫基等；并且优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷硫基和C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷硫基。

芳基链烯基通常具有约8至60个碳原子，其具体实例包括：苯基-C₂～C₁₂链烯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂链烯基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂链烯基、1-萘基-C₂～C₁₂链烯基、2-萘基-C₂～C₁₂链烯基等；并且优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂链烯基和C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂链烯基。

芳基炔基通常具有约8至60个碳原子，并且其具体实例包括：苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂炔基、1-萘基-C₂～C₁₂炔基、2-萘基-C₂～C₁₂炔基等；并且优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂炔基和C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂炔基。

取代的氨基包括被1个或2个选自烷基、芳基、芳烷基和一价杂环基中的基团取代的氨基。取代的氨基通常含有约1至60个碳原子，其具体实例包括：甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙基氨基、二丙基氨基、异丙基氨基、二异丙基氨基、丁基氨基、异丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、环己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2-乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3，7-二甲基辛基氨基、十二烷基氨基、环戊基氨基、二环戊基氨基、环己基氨基、二环己基氨基、吡咯烷基、哌啶基、二(三氟甲基)氨基、苯基氨基、二苯基氨基、C₁～C₁₂烷氧基苯基氨基、二(C₁～C₁₂烷氧基苯基)氨基、二(C₁～C₁₂烷基苯基)氨基、1-萘基氨基、2-萘基氨基、五氟苯基氨基、吡啶基氨基、哒嗪基氨基、嘧啶基氨基、吡唑基氨基(pyrazyl amino group)、三唑基氨基(triazylamino group)、苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、二(C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基)氨基、二(C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基)氨基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基氨基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基氨基等。

取代的甲硅烷基包括被1个、2个或3个选自烷基、芳基、芳基烷基和一价杂环基中的基团取代的甲硅烷基。取代的甲硅烷基通常含有约1至60个碳原子，其具体实例包括：三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、二甲基-异丙基甲硅烷基、二乙基-异丙基甲硅烷基、叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、十二烷基二甲基甲硅烷基、苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、苯基-C₁～C₁₂烷基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三-对二甲苯基甲硅烷基、三苄基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基、三甲氧基甲硅烷基、三乙氧基甲硅烷基、三丙氧基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、二甲基异丙基甲硅烷基、甲基二甲氧基甲硅烷基、乙基二甲氧基甲硅烷基等。

取代的甲硅烷氧基包括被1个、2个或3个选自烷基、芳基、芳基烷基和一价杂环基中的基团取代的甲硅烷氧基。取代的甲硅烷氧基通常含有约1至60个碳原子，其具体实例包括：三甲基甲硅烷氧基、三乙基甲硅烷氧基、三丙基甲硅烷氧基、三异丙基甲硅烷氧基、二甲基-异丙基甲硅烷氧基、二乙基-异丙基甲硅烷氧基、叔丁基二甲基甲硅烷氧基、戊基二甲基甲硅烷氧基、己基二甲基甲硅烷氧基、庚基二甲基甲硅烷氧基、辛基二甲基甲硅烷氧基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷氧基、壬基二甲基甲硅烷氧基、癸基二甲基甲硅烷氧基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷氧基、十二烷基二甲基甲硅烷氧基、苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷氧基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷氧基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷氧基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷氧基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷氧基、苯基-C₁～C₁₂烷基二甲基甲硅烷氧基、三苯基甲硅烷氧基、三-对二甲苯基甲硅烷氧基、三苄基甲硅烷氧基、二苯基甲基甲硅烷氧基、叔丁基二苯基甲硅烷氧基、二甲基苯基甲硅烷氧基、三甲氧基甲硅烷氧基、三乙氧基甲硅烷氧基、三丙氧基甲硅烷氧基、三异丙基甲硅烷氧基、二甲基-异丙基甲硅烷氧基、甲基二甲氧基甲硅烷氧基、乙基二甲氧基甲硅烷氧基等。

卤素原子的实例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。

酰基通常含有约2至20个碳原子，并且其具体实例包括乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、新戊酰基、苯甲酰基、三氟乙酰基、五氟苯甲酰基等。

酰氧基通常含有约2至20个碳原子，并且其具体实例包括乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、异丁酰氧基、新戊酰氧基、苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟苯甲酰氧基等。

亚胺残基包括通过从亚胺化合物(指的是分子中含有-N＝C-的有机化合物。其实例包括醛亚胺、酮亚胺以及用烷基等取代这些化合物N上的氢原子获得的化合物)上除去一个氢原子而获得的残基，并且通常含有约2至20个碳原子，其具体实例包括以下基团等。

酰胺基通常含有约1至20个碳原子，并且其具体实例包括甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、二(三氟乙酰胺基)、二(五氟苯甲酰胺基)等。

酰亚胺基包括通过从酰亚胺中结合到氮原子上的氢原子而获得的残基，含有约4至20个碳原子，并且具体实例包括下面的基团等。

上述实例中，Me表示甲基。

一价杂环基是指通过从杂环化合物中除去一个氢原子获得的残余原子团，并且该基团可以具有取代基。

未取代的一价杂环基通常含有约4至60个碳原子，优选4至20个碳原子。

一价杂环基的实例包括噻吩基、C₁～C₁₂烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C₁～C₁₂烷基吡啶基等；且优选噻吩基、C₁～C₁₂烷基噻吩基、吡啶基和C₁～C₁₂烷基吡啶基。

取代的羧基包括被烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基取代的羧基。取代的羧基通常含有约2至60个碳原子，其具体实例包括：甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、异丙氧基羰基、丁氧基羰基、异丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、环己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、3，7-二甲基辛氧基羰基、十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、苯氧基羰基、萘氧基羰基、吡啶氧基羰基等。

可聚合的取代基表示能够引起聚合反应以在两个或更多个分子之间形成键从而产生化合物的取代基。这样的基团包括含有碳-碳重键的基团(例如乙烯基、乙炔基、丁烯基、丙烯酰基、丙烯酸酯基、丙烯酰胺基、甲基丙烯酰基、甲基丙烯酸酯基、甲基丙烯酰胺基、亚芳基、烯丙基、乙烯基醚基、乙烯基氨基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、silole基等)，含有小环的基团(例如，环丙基、环丁基、环氧基、氧杂环丁烷基、双烯酮基、环硫化物基等)，内酯基，内酰胺基或含有硅氧烷衍生物的基团等。除了上述基团外，还可以采用能够形成酯键或者酰胺键的基团的组合。例如，提及的有酯基和氨基的组合、酯基和羟基的组合和其它组合。

可聚合的取代基优选包括以下基团。

上述式(1)中，Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄各自独立地表示亚芳基，更优选表示下面所示的取代或未取代的亚苯基，取代或未取代的联苯基二基，取代或未取代的芴-二基，或者取代或未取代的茋-二基，更优选未取代的亚苯基。

上述式(1)中，E₁、E₂和E₃各自独立地表示以下芳基(A)或杂环基(B)。

芳基(A)：含有三个或更多个取代基的芳基，所述取代基选自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代的甲硅烷氧基、一价杂环基和卤素原子。

此处，在上述芳基(A)中作为取代基的烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代的甲硅烷氧基和一价杂环基具有与上述相同的含义。

它们当中，优选烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、取代的氨基、取代的甲硅烷基、取代的甲硅烷氧基和一价杂环基，更优选烷基、烷氧基、烷硫基、取代的甲硅烷基和取代的甲硅烷氧基。进一步优选烷基、烷氧基和烷硫基。

上述芳基(A)的具体实例包括以下基团。

上述式中，R’各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代的甲硅烷氧基、一价杂环基或卤素原子。

此处，在上述杂环(B)中作为取代基的烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代的甲硅烷氧基和一价杂环基具有与上述相同的含义。

上述一价杂环基(B)的具体实例包括以下基团。

上述式中，R’表示与上述相同的基团。

在上述式(1)中，优选E₁、E₂和E₃表示含有三个或更多个取代基的苯基，含有三个或更多个取代基的萘基或者含有三个或更多个取代基的蒽基。

在上述式(1)中，优选E₁、E₂和E₃表示以下式(3)的基团。

上述式中，Re、Rf和Rg各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代的甲硅烷氧基、一价杂环基或卤素原子。

在上述式(1)中，a和b各自独立地表示0或1，并且0≤a+b≤1，优选a+b＝1。

至于上述式(1)的重复单元，优选的是其中Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄各自独立地表示亚芳基并且a+b＝1的重复单元。

特别优选其中亚芳基是亚苯基，联苯基二基，芴-二基或者茋-二基的重复单元，并且进一步优选其中亚芳基是未取代的亚苯基的重复单元。

其中Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄各自独立地表示未取代的亚苯基，a＝1且b＝0的上述式(1)重复单元的具体实例包括以下基团。

其中Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄各自独立地表示未取代的亚苯基，a＝0且b＝1的上述式(1)重复单元的具体实例包括以下基团。

在上述式中，分别地，Me表示甲基，Pr表示丙基，Bu表示丁基，MeO表示甲氧基并且BuO表示丁氧基。

上述式(1)中，当E₁、E₂和E₃表示上述式(3)时，优选式(3)的实例包括其中Re和Rf各自独立地表示含有3个或更少碳原子的烷基、含有3个或更少碳原子的烷氧基或者含有3个或更少碳原子的烷硫基，并且Rg表示含3～20个碳原子的烷基、含3～20个碳原子的烷氧基和含3～20个碳原子的烷硫基的那些。

在本发明使用的聚合物化合物中，基于本发明所用聚合物化合物含有的所有重复单元，式(1)的重复单元的量通常为1～100mol％，优选10～90mol％。

本发明中使用的聚合物化合物除了式(1)的重复单元外，还可以含有一个或多个重复单元，并且

优选可以包含在本发明使用的聚合物化合物中的作为式(1)重复单元以外的重复单元的是下式(4)、(5)、(6)或(7)的重复单元。

-Ar₁₂- (4)

-Ar₁₂-X₁-(Ar₁₃-X₂)_c-Ar₁₄- (5)

-Ar₁₂-X₂- (6)

-X₂- (7)

上述式中，Ar₁₂、Ar₁₃和Ar₁₄各自独立地表示亚芳基、二价杂环基，或具有金属配位结构的二价基团。X₁表示-CR₂＝CR₃-、-C≡C-或-(SiR₅R₆)_d-。X₂表示-CR₂＝CR₃-、-C≡C-、-N(R₄)-或-(SiR₅R₆)_d-。R₂和R₃各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基。R₄、R₅和R₆各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基或芳基烷基。c表示0至2的整数。d表示1至12的整数。当存在多个Ar₁₃、R₂、R₃、R₅和R₆时，它们可以相同或不同。

此处，亚芳基和二价杂环基的定义和具体实例与上述式(1)中的定义和具体实例相同。

具有金属配位结构的二价基团是指从金属配合物的有机配体中除去两个氢原子获得的残余二价基团。

有机配体的碳数通常为约4～60。有机配体的实例包括8-羟基喹啉及其衍生物、苯并喹啉醇及其衍生物、2-苯基-吡啶及其衍生物、2-苯基-苯并噻唑及其衍生物、2-苯基-苯并噁唑及其衍生物、卟啉及其衍生物等。

具有有机配体的金属配合物的中心金属的实例包括铝，锌，铍，铱，铂，金，铕，铽等。

具有有机配体的金属配合物包括作为低分子量的荧光材料和磷光材料已知的金属配合物，即所谓的三重态发光配合物，等。

至于具有金属配位结构的二价基团的具体实例包括如下基团(126～132)。

式中，R表示与上述式1～125中相同的含义。

在可包含于本发明使用的聚合物化合物中而除式(1)的重复单元以外的重复单元中，优选的是上述式(4)和(5)的重复单元。

上述式(5)重复单元的具体实例包括下式(133～140)。

上式中，R表示与上述式1～132中相同的含义。

本发明使用的聚合物化合物可以在不使其寿命和电荷输送性能恶化的范围内含有除上述式(1)、(4)、(5)、(6)或(7)的重复单元外的重复单元。所述的重复单元可以通过非共轭单元连接，或者重复单元可以包含其非共轭部分。至于非共轭部分，示例的是下述的那些，以及它们中的两个或多更个的组合。此处，R是选自与上述相同的取代基中的基团，并且Ar表示含有6～60个碳原子的烃基。

-O- -S-

当本发明中使用的聚合物化合物具有可聚合取代基时，该取代基可以含有式(1)的重复单元，或者可以含有其它重复单元。优选每分子中的可聚合取代基的数量为1或更多。

本发明中使用的聚合物化合物可以是含有式(1)重复单元的均聚物，或者与其它重复单元的共聚物。共聚物可以是无规、嵌段或接枝共聚物，或者具有它们中的中间结构的聚合物，例如具有嵌段性能的无规共聚物。本发明中使用的聚合物化合物还包括在主链中分支并且具有3个或更多个端部的聚合物，以及树枝状聚合物。

本发明中使用的聚合物化合物的端基可以用稳定基团进行保护，因为如果参与缩聚反应的取代基保持原样，当制成器件时，可能降低发光性能和使用寿命。优选含有与主链共轭结构连续的共轭键的结构，例如，示例的是通过碳-碳键与芳基或杂环基连接的结构。具体示例的是在日本专利申请公开(JP-A)9-45478中式10所述的取代基。

本发明中使用的聚合物化合物的聚苯乙烯折算的数均分子量通常为约10³～10⁸，优选10⁴～10⁶。

至于用于本发明中所用聚合物化合物的良溶剂，示例的是氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、四氢呋喃、甲苯、二甲苯、1，3，5-三甲基苯、1，2，3，4-四氢化萘、萘烷、正丁基苯等。根据聚合物化合物的结构和分子量，通常可以将本发明中使用的聚合物化合物以0.1重量％或更高的量溶解在这些溶剂中。

本发明中使用的聚合物化合物可以通过例如，将作为原料之一的下式(8)的化合物进行缩聚而制备。

式中，Ar₁、Ar₂、Ar₃、Ar₄、E₁、E₂、E₃、a和b具有与上述相同的含义。Y₁和Y₂各自独立地表示参与缩聚反应的取代基。

至于参与缩聚反应的取代基，有卤素原子，烷基磺酸酯基，芳基磺酸酯基，芳基烷基磺酸酯基，硼酸酯基，锍甲基，鏻甲基，膦酸酯甲基，单卤化甲基，-B(OH)₂，甲酰基，氰基，乙烯基等。

此处，作为烷基磺酸酯基，示例的是甲磺酸酯基，乙磺酸酯基，三氟甲磺酸酯基等，作为芳基磺酸酯基，示例的是苯磺酸酯基，对甲苯磺酸酯基等，而作为芳基烷基磺酸酯基，示例的是苄基磺酸酯基等。

至于硼酸酯基，示例的是下式的基团。

式中，Me表示甲基，并且Et表示乙基。

至于锍甲基，示例的是下式的基团。

-CH₂S⁺Me₂X^-、-CH₂S⁺Ph₂X^-(X表示卤素原子，Ph表示苯基。)

至于鏻甲基，示例的是下式的基团。

-CH₂P⁺Ph₃X^-(X表示卤素原子。)

至于膦酸酯甲基，示例的是下式的基团。

-CH₂PO(OR’)₂(X表示卤素原子，R’表示烷基，芳基或芳基烷基。)

至于单卤化甲基，示例的是甲基氟基团，甲基氯基团，甲基溴基团和甲基碘基团。

尽管参与缩聚单元的取代基的优选实例根据聚合反应的种类而不同，但是，当将0价镍配合物用于例如Yamamoto偶合反应等中时，提及的是卤素原子，烷基磺酸酯基，芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基。当将镍催化剂或钯催化剂用于如Suzuki偶合反应等中时，提及的是卤素原子，硼酸酯基，-B(OH)₂等。

当本发明中使用的聚合物化合物含有式(1)重复单元外的重复单元时，可以在含有两个作为式(1)重复单元外的重复单元的、参与缩聚反应的取代基的化合物共存下，有利地进行缩聚反应。

至于含有作为式(1)重复单元外的重复单元的、参与缩聚反应的取代基的化合物，提及的是下式(10)～(13)的化合物。

除上述式(8)和/或式(9)的化合物以外，通过将下式(10)～(13)中的任何一种化合物进行缩聚，可以制备除上述式(1)重复单元外，还含有式(4)、(5)、(6)或(7)中至少一种重复单元的聚合物化合物。

Y₅-Ar₁₂-Y₆ (10)

Y₅-Ar₁₂-X₁-(Ar₁₃-X₂)_c-Ar₁₄-Y₆ (11)

Y₅-Ar₁₂-X₂-Y₆ (12)

Y₅-X₂-Y₆ (13)

式中，Ar₁₂、Ar₁₃、Ar₁₄、Ar₁₁、c、X₁和X₂具有与上述相同的含义。Y₅和Y₆各自独立地表示参与缩聚反应的取代基。

至于用于制备本发明中使用的聚合物化合物的方法中的缩聚反应，可以根据上式(10)～(13)化合物的参与缩聚反应的取代基，使用已知的缩合反应。

至于制造本发明中使用的聚合物化合物的方法，示例的是，例如，使用如在Suzuki偶合反应等中的镍催化剂或钯催化剂从相应的单体聚合的方法；通过格利雅反应而聚合的方法；使用如在Yamamoto偶合反应等中的0价Ni配合物而聚合的方法；使用氧化剂如FeCl₃等而聚合的方法；电化学氧化-聚合的方法；通过分解具有适宜离去基团的中间聚合物的方法等。

当本发明中使用的聚合物化合物在主链中含有亚乙烯基时，提及的是例如描述于JP-A No.5-202355中的方法。即，示例的是以下方法：含有甲酰基的化合物和含有鏻甲基的化合物通过Wittig反应而聚合；含有甲酰基和含有鏻甲基的多种化合物通过Wittig反应而聚合；含有甲酰基的化合物和含有膦酸酯甲基的化合物通过Honer反应而聚合；含有甲酰基和含有膦酸酯甲基的多种化合物通过Honer反应而聚合；含有乙烯基的化合物和含有卤素原子的化合物通过Heck反应而聚合；含有两个或更多个单卤化甲基的化合物通过脱卤化氢化方法而缩聚；含有两个或更多个锍甲基基团的化合物通过锍盐分解方法而缩聚；含有甲酰基的化合物和含有氰基的化合物通过Knoevenagel反应而聚合等；和含有两个或更多个甲酰基的化合物通过McMurry反应而聚合，等。

当本发明中使用的聚合物化合物在主链中含有三键时，可以使用例如Heck反应和Sonogashira反应。

它们当中，优选使用镍催化剂或钯催化剂的聚合如Suzuki偶合反应等的方法；通过格利雅反应的聚合的方法；使用0价镍配合物的聚合如Yamamoto偶合反应等的方法；以及以下的方法：通过Wittig反应而聚合，通过Heck反应而聚合，通过Sonogashira反应而聚合和通过Knoevenagel反应而聚合，因为这些方法中容易控制结构。

下面更具体地描述反应条件。

在Wittig反应，Horner反应，Knoevengel反应等的情况下，使用碱进行反应，碱的使用量基于化合物的官能团不小于1当量，优选为1-3当量。对碱没有特别限制，例如可以使用：叔丁醇钾，叔丁醇钠，金属醇化物如乙醇钠、甲醇锂等；氢化物试剂，如氢化钠等；酰胺，如氨基化钠等。作为溶剂，使用的是N，N-二甲基甲酰胺、四氢呋喃、二噁烷、甲苯等。通常，反应可以在室温到约150℃的温度下进行。反应时间为例如5分钟至40小时，并且让聚合充分进行的时间可以是有利的。由于不必在反应结束后留下长时间，反应时间优选为10分钟至24小时。反应中的浓度可以在约0.01重量％至最大可溶解浓度的范围中适当选择，并且由于在浓度太稀的情况下反应效率差，而在过高浓度下反应又难以控制，因此，浓度通常在0.1重量％～30重量％的范围内。Wittig反应描述于Organic Reactions，vol.14.第270-490页，John Wiley&Sons，Inc.，1965等中。Knoevenagel、Wittig和脱卤化氢化反应描述于Makromol.Chem.，Macromol.Symp.，vol.12，第229页(1987)。

在Heck反应的情况下，使用钯催化剂，在碱如三乙胺等的存在下，进行单体反应。使用具有比较高沸点的溶剂，如N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等，反应温度为约80～160℃，并且反应时间为约1小时～100小时。Heck反应描述于，例如，Polymer，vol.39，第5241-5244页(1988)中。

在Sonogashira反应的情况下，通常，使用N，N-二甲基甲酰胺、胺-基溶剂或醚-基溶剂等，在碱如三乙胺等的存在下，使用钯催化剂和碘化亚铜，进行单体反应。根据反应条件和参与单体缩聚反应的取代基的反应性，通常反应温度为约-50～120℃，并且反应温度为约1～100小时。Sonogashira反应描述于例如，Tetrahedron Letters，vol.40，第3347-3350页(1999)和Tetrahedron Letters，vol.16，第4467-4470页(1975)中。

在Suzuki反应的情况下，使用例如钯[四(三苯基膦)]、乙酸钯等作为催化剂，并且加入无机碱如碳酸钾、碳酸钠、氢氧化钡等，有机碱如三乙胺等，和无机盐如氟化铈等，所述碱和盐的量基于单体不少于1当量，优选为1～10当量，进行反应。无机盐可以以两相体系中的水溶液形式进行反应。作为溶剂，示例的是N，N-二甲基甲酰胺、甲苯、二甲氧基乙烷、四氢呋喃等。尽管度依赖于溶剂，但是适宜采用约50～160℃的温度。可以提高温度到接近溶剂沸点并且回流。反应时间为约1小时～200小时。

Suzuki反应描述于例如，Chem.Rev.，vol.95，第2457页(1995)中。

下面描述使用0价镍配合物的情况。有使用0价镍配合物的方法，和在还原剂存在下反应镍盐以在体系中产生0价镍的方法。

至于0价镍配合物，示例的是双(1，5-环辛二烯)镍(0)、(亚乙基)双(三苯膦)镍(0)、四(三苯膦)镍等。它们当中，双(1，5-环辛二烯)镍(0)由于具有通用性并且便宜而是优选的。

考虑到提高产量，优选加入中性配体。

此处，中性配体是不含阳离子或阴离子的配体，并且示例的是含氮配体如2，2’-联吡啶、1，10-菲咯啉、亚甲基双噁唑啉、N，N’-四甲基乙二胺等，叔膦配体如三苯膦、三甲苯基膦、三丁基膦、三苯氧基膦等，并且优选含氮配体，因为它们通用并且便宜。从高反应性和高产量考虑，特别优选2，2’-联吡啶。特别地，从提高聚合物产量考虑，优选通过将作为中性配体的2，2’-联吡啶加入到含有双(1，5-环辛二烯)镍(0)的体系中而获得的体系。在体系中产生0价镍配合物的方法中，作为镍盐，提及的是氯化镍、乙酸镍等。至于还原剂，提及的是锌、氢化钠、肼及其衍生物、氢化铝锂等，并且如果需要，使用碘化铵、碘化锂、碘化钾等作为添加剂。

特别优选这样一种制备方法，其中Y₁、Y₂、Y₃、Y₄，、Y₅和Y₆各自独立地表示卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基，并且在0价镍存在下进行缩聚反应。在这种情况下，作为原料提及的是二卤化化合物，双(烷基磺酸酯)化合物，双(芳基磺酸酯)化合物，双(芳基烷基磺酸酯)化合物，或卤素-烷基磺酸酯化合物，卤素-芳基磺酸酯化合物、卤素-芳基烷基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物和芳基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物。

特别优选这样一种制备方法，其中Y₁、Y₂、Y₃、Y₄，、Y₅和Y₆各自独立地表示卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、-B(OH)₂或硼酸酯基，卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基和芳基烷基磺酸酯基的摩尔数总和(J)与-B(OH)₂和硼酸酯基的摩尔数总和(K)的比率基本上为1(通常，K/J在0.7～1.2范围内)，并且使用镍催化剂或者钯催化剂进行缩聚。

在这种情况下，作为原料化合物的具体组合而提及的是：二卤化化合物、双(烷基磺酸酯)化合物、双(芳基磺酸酯)化合物和双(芳基烷基磺酸酯)化合物与二硼酸化合物和二硼酸酯化合物的组合。备选地，提及的是卤素-硼酸化合物、卤素-硼酸酯化合物、烷基磺酸酯-硼酸化合物、烷基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基磺酸酯-硼酸化合物、芳基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基烷基磺酸酯-硼酸化合物、芳基烷基磺酸酯-硼酸化合物和芳基烷基磺酸酯-硼酸酯化合物。

通常，为了抑制副反应，尽管其根据采用的反应和化合物而不同，优选对用于制备本发明所用聚合物化合物的有机溶剂进行充分的脱氧处理，并且在惰性气氛中进行反应。类似地，优选进行脱水处理。但是，在两相体系中使用水的反应如Suzuki偶合反应的情况不包括在这种情形中。

为了进行聚合反应，适当地加入碱或合适的催化剂。这些可以根据所要采用的反应而选择。优选使用在反应所用的溶剂中充分溶解的碱和催化剂。至于混合碱或催化剂的方法，示例的是在氩气、氮气等的惰性气氛下，在搅拌反应溶液的同时缓慢加入碱或催化剂溶液的方法，或者反之，将反应溶液缓慢加入碱或催化剂溶液的方法。

根据聚合的种类，聚合时间通常为约5分钟～200小时，并且从生产成本考虑，优选在10小时之内。

根据聚合的种类，聚合温度通常为约-50～160℃，并且从高产量和低加热成本考虑，优选为20～100℃。

当将本发明中使用的聚合物化合物用于有机LED器件时，其纯度对器件性能如发光性能产生影响，因而，优选通过蒸馏、升华纯化、重结晶、柱色谱等方法纯化在聚合之前的单体。此外，优选在聚合后通过常规的分离操作，或者纯化操作，干燥和其它操作进行纯化处理，所述的常规的分离操作如酸洗、碱洗、中和、水洗、有机溶剂洗涤、再沉淀、离心分离、萃取、柱色谱、透析等。

本发明的有机EL器件的特征在于，发光层存在于由阳极和阴极组成的电极之间，含有聚合物化合物的层(L)存在于发光层和阳极之间，并且聚合物化合物含有上述式(1)的重复单元。层(L)的膜厚度的最佳值根据使用的材料而变化，并且可以有利地选择膜厚度以得到合适的驱动电压和发光效率，例如，膜厚度为1nm～1μm，优选2nm～500nm，更优选5nm～200nm。

含有聚合物化合物的层(L)可以是空穴注入和输送层，并且含有聚合物化合物的层(L)可以与空穴注入和输送层相邻。

此处，空穴注入层表示从阳极接收空穴的注入并且输送空穴的层，而空穴输送层表示将空穴输送并且注入到发光层中的层。当阳极和发光层之间只有一层时，该层可称为空穴注入层、空穴输送层或者空穴注入-输送层中的任一名称。

至于形成层(L)的方法，示例的是例如从溶液形成膜的方法。至于从溶液形成膜的方法，可以使用涂覆方法，例如旋转涂布方法、浇铸方法、微型凹版印刷涂布方法、凹版印刷涂布方法、棒涂布方法、辊涂布方法、线棒涂布方法、浸渍涂布方法、喷射涂布方法、丝网印刷方法、苯胺印刷方法、胶印印刷方法、喷墨印刷方法等。优选如丝网印刷方法、苯胺印刷方法、胶印印刷方法、喷墨印刷方法等的印刷方法，因为其图案形成和多色上漆容易。

至于用于印刷方法等的墨水组合物，可以有利地含有至少一种本发明的聚合物化合物，并且除本发明的聚合物化合物外，可以含有添加剂，如空穴输送材料、发光材料、溶剂、稳定剂等。

本发明的聚合物化合物在墨水组合物中基于溶剂以外的组合物总重量的比率为20重量％～100重量％，优选40重量％～100重量％。

当墨水组合物含有溶剂时，基于组合物的总重量，溶剂的比率为1重量％～99.9重量％，优选60重量％～99.5重量％，进一步优选80重量％～99.5重量％。

尽管墨水组合物的粘度根据印刷方法而变化，但是当墨水组合物通过排放装置时，如在喷墨打印方法等中，为了防止堵塞和飞行中的弯曲，其在25℃的粘度优选为1～20mPa·s。

对于用于墨水组合物的溶剂没有特别限制，并且优选能够溶解或均匀分散构成墨水组合物的除溶剂外的材料的溶剂。当构成墨水组合物的材料可溶于非极性溶剂时，作为溶剂示例的是：氯-基溶剂，如氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等；醚-基溶剂，如四氢呋喃等；芳族烃-基溶剂，如甲苯、二甲苯等；酮-基溶剂，如丙酮、甲基乙基酮等；和酯-基溶剂，如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等。

在本发明的有机EL器件中，发光层(具有发光功能的层)的膜厚度的最佳值根据使用的材料而变化，并且可以有利地选择膜厚度以得到合适的驱动电压和发光效率，例如，膜厚度为1nm～1μm，优选2nm～500nm，更优选5nm～200nm。

发光层是这样一种层，该层中，从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子再结合，并且由有机物共轭分子组成的发光材料利用再结合能量发光。发光材料是指用于发光层的材料(显示荧光和/或磷光的材料)。发光材料可以是低分子量发光材料或者高分子量发光材料。可以使用高分子量发光材料和低分子量发光材料的混合物。在低分子量发光材料的情况下，发光层通常是通过气相沉积方法形成的。

优选高分子量发光材料，因为其可以如层(L)那样通过溶液方法形成发光层。

高分子量发光材料可以是非共轭聚合物的p共轭聚合物，或者均聚物或共聚物。p共轭聚合物的实例包括：聚亚芳基-基的聚合物，如聚芴(例如，Jpn.J.Appl.Phys.)，vol.30，第L1941页(1991))、聚对亚苯基(例如，Adv.Mater.，vol.4，第36页(1992))、聚吡咯、聚吡啶、聚苯胺、聚噻吩等；

聚亚芳基亚乙烯基-基的聚合物，如聚对亚苯基亚乙烯基、聚亚噻吩基亚乙烯基等(例如，WO98/27136)；

聚苯硫，聚咔唑等。

此外，提及的是发光共轭树枝状聚合物(例如，Denshi Zairyo，第40～44页，12月，2003)。

非共轭聚合物化合物是通过提高低分子量着色物材料的分子量而获得的，并且例如提及的是聚乙烯咔唑。

如“Yuki EL no subete”(Shiroto Junji编辑，Nippon Jitsugyo Shuppansha，出版于2003年2月20日，第一版)的第167～174页所示，低分子量发光材料包括两种材料：本身具有低发光性，但是具有高成膜性，并且在使用时与具有高发光能力的其它材料混合的材料(主体材料)；和本身具有高发光性，但是单独使用时没有成膜性的材料(客体材料)。主体材料典型地包括铝配合物(Alq3)，distilarylene衍生物等。作为主体材料，可以使用上述聚合物材料。客体材料被称作掺杂着色剂，因为客体材料只是痕量混入主体材料中。掺杂着色材料要求具有高发光量子产额，提及的是荧光材料和磷光材料。在主体/掺杂物的组合的情况下，发光机理包括两种机理：“能量传送机理”，其中电子和空穴的再结合发生在主体分子上，并且首先激发主体，激发能传送到掺杂物分子，而使掺杂物被激发并且发光；和“直接再结合激发”，其中电子和空穴在掺杂物分子上再结合，从而直接激发掺杂物并且发光。在任一种情况下，均要求主体分子的激发能级高于掺杂物分子的能级。当主体即使没有客体也发光时，客体不是必需的。

至于低分子量荧光材料，可以使用例如，萘衍生物，蒽或其衍生物，苝或其衍生物，以及聚次甲基，呫吨，香豆素和花青-基着色剂，8-羟基喹啉或其衍生物的金属配合物，芳族胺，四苯基环戊二烯或其衍生物，或者四苯基丁二烯或其衍生物等。

具体而言，可以使用已知的材料，如描述于例如JP-A Nos.57-51781、59-194393等中的那些。

低分子量磷光材料的实例包括三重态发光配合物，如含有铱作为中心金属的Ir(ppy)3和Btp₂Ir(acac)，含有铂作为中心金属的PtOEP，含有铕作为中心金属的Eu(TTA)3phen，等。

Ir(ppy)₃

Btp₂Ir(acac)

PtOEP

Eu(OTA)₃phen

三重态发光配合物具体描述于，例如，Nature，(1998)，395，151；Appl.Phys.Lett.(1999)，75(1)，4；Proc.SPIE-Int.Soc.Opt.Eng.(2001)，4105(Organic Light-Emitting Materials and Devices IV)，119；J.Am.Chem.Soc.，(2001)，123，4304；Appl.Phys.Lett.，(1997)，71(18)，2596；Syn.Met.，(1998)，94(1)，103；Syn.Met.，(1999)，99(2)，1361；Adv.Mater.，(1999)，11(10)，852；Jpn.J.Appl.Phys.，34，1883(1995)等中。

发光层还可以包含空穴输送材料和电子输送材料。

当将高分子量发光材料和空穴输送材料在发光层中混合时，空穴输送材料的混合比率基于混合物总重量为1重量％～80重量％，优选5重量％～60重量％。当将高分子量发光材料和电子输送材料混合时，电子输送材料的混合比率基于混合物总重量为1重量％～80重量％，优选5重量％～60重量％。

至于将要混合的空穴输送材料或电子输送材料，可以使用已知的低分子量化合物和高分子量化合物，并且优选使用高分子量化合物。至于高分子量化合物的空穴输送材料、电子输送材料和发光材料，示例的是聚芴，其衍生物和共聚物，聚亚芳基，其衍生物或共聚物，聚亚芳基亚乙烯基，其衍生物和共聚物，和芳族胺的(共聚物)聚合物和衍生物，它们公开于WO99/13692、WO99/48160、GB2340304A、WO00/53656、WO01/19834、WO00/55927、GB2348316、WO00/46321、WO00/06665、WO99/54943、WO99/54385、US5777070、WO98/06773、WO97/05184、WO00/35987、WO00/53655、WO01/34722、WO99/24526、WO00/22027、WO00/22026、WO98/27136、US573636、WO98/21262、US5741921、WO97/09394、WO96/29356、WO96/10617、EP070720、WO95/07955、JP-A No.2001-181618、JP-A No.2001-123156、JP-A No.2001-3043、JP-A No.2000-351967、JP-A No.2000-303066、JP-A No.2000-299189、JP-A No.2000-252065、JP-A No.2000-136379、JP-A No.2000-104057、JP-A No.2000-80167、JP-A No.10-324870、JP-A No.10-114891、JP-A No.9-111233、JP-A No.9-45478等中。

发光层可以含有将要用于本发明的层(L)中的具有上述式(1)重复单元的聚合物化合物。

当将层(L)与发光层相邻安置时，特别是当用涂覆方法形成这两层时，存在两层的材料发生混合从而对器件的性能产生不适宜的影响等的情况。

当在用涂覆方法形成发光层之前采用涂覆方法形成层(L)时，作为抑制两层的材料混合的方法，提及这样一种方法，其中用涂覆方法形成层(L)，然后，加热层(L)以使该层不溶于用于形成发光层的有机溶剂，然后，形成发光层。加热温度通常为约150℃～300℃，加热时间通常为约1分钟～1小时。

在这种情况下，为了通过加热除去不能使层(L)不溶于溶剂的组分，可以在加热之后和形成发光层之前，通过用发光层使用的有机溶剂漂洗层(L)以将其除去。当通过加热以在溶剂中不溶解进行得很充分时，可以省略用有机溶剂的漂洗。为了通过加热充分进行使其不溶于溶剂的不溶化处理，优选使用分子中含有至少一个可聚合基团的聚合物作为具有式(1)重复单元的聚合物化合物。此外，优选可聚合基团数基于分子中重复单元数为5％或更大。

本发明的有机EL器件的特征在于，发光层存在于由阳极和阴极组成的电极之间，含有含上述式(1)重复单元的聚合物化合物的层(L)存在于发光层和阳极之间，并且通常，阳极和阴极中的至少一个是透明或半透明的。优选阳极是透明或半透明的。至于阳极的材料，使用的是导电金属氧化物膜，半透明金属膜等。具体而言，使用的是用导电玻璃形成的膜(NESA等)，所述导电玻璃由氧化铟、氧化锌、氧化锡及它们的复合物，铟·锡·氧化物(ITO)、铟·锌·氧化物等组成，以及金、铂、银、铜等，并且优选ITO、铟·锌·氧化物和氧化锡。至于制造方法，提及的是真空气相沉积方法、溅射方法、离子电镀方法、电镀方法等。至于阳极，可以使用由聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等制成的有机透明导电膜。

考虑到光的传输和导电率，可以适当选择阳极的厚度，例如该厚度为10nm至10μm，优选为20nm至1μm，进一步优选为50nm至500nm。

为了使电荷注入容易，可以在阳极上提供由酞菁衍生物、导电聚合物、碳等组成的层，或平均厚度为2nm或2nm以下的由金属氧化物、金属氟化物、有机绝缘材料等组成的层。

至于本发明有机LED器件中使用的阴极的材料，优选低功函的材料。例如，使用金属如锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等，它们中的两种或更多种的合金，或它们中的至少一种与金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨和锡中的至少一种形成的合金，以及石墨或石墨夹层化合物等。至于合金的实例，包括镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。阴极可以具有由两层或更多层组成的层压结构。

可以根据导电率和耐久性适当选择阴极的厚度，例如该厚度为10nm至10μm，优选为20nm至1μm，更优选为50nm至500nm。

至于制造阴极的方法，使用的是真空气相沉积方法、溅射方法，热压粘金属薄膜的层压方法等。在阳极和有机物层之间可以提供由导电聚合物组成的层，或平均厚度为2nm或2nm以下的由金属氧化物、金属氟化物、有机绝缘材料等组成的层。在制造阴极后，可以安装用于保护有机LED器件的保护层。为了长期稳定使用有机LED器件，优选安装保护层和/或保护盖，以保护器件不受外部环境的影响。

至于保护层，可以使用聚合化合物、金属氧化物、金属氟化物、金属硼化物等。至于保护盖，可以使用玻璃片、表面已经进行低水渗透处理的塑料片等，并且可以适当使用由热固性树脂或光固化树脂将盖与元件基材裱糊在一起以达到密封的方法。当使用隔体保持空间时，容易防止器件受到擦伤。当在该空间填充惰性气体如氮、氩等时，可以防止阴极的氧化，此外，通过在上述空间放置干燥剂如氧化钡等，可以容易地抑制由在制造过程中吸附的湿气对器件产生的损坏。在这些方法中，优选采用任何一种或多种方式。

作为本发明的有机EL器件而提及的是：具有在阴极和发光层之间安置的电子输送层的器件，具有在阳极和层(L)之间安置的空穴输送层(具有输送空穴功能的层)的有机EL元件，具有在阴极和发光层之间安置的电子输送层(具有输送电子功能的层)并且在阳极和层(L)之间安置的空穴输送层的有机EL元件，等。

作为本发明的有机EL元件，具体示例的是以下a)～d)结构。

a)阳极/层(L)/发光层/阴极

b)阳极/空穴输送层/层(L)/发光层/阴极

c)阳极/层(L)/发光层/电子输送层/阴极

d)阳极/空穴输送层/层(L)/发光层/电子输送层/阴极

(其中，/是指相邻的层的层压，下同)

当本发明的有机EL元件含有空穴输送层时，作为所用空穴输送材料而示例的是聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中含有芳族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(对-亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物等。

具体地，作为空穴输送材料示例的是在JP-A Nos.63-70257和63-175860、JP-A Nos.2-135359、2-135361、2-209988、3-37992和3-152184中所述的那些。

在它们当中，至于空穴输送层中使用的空穴输送材料，优选高分子量空穴输送材料，如聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中含有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(对-亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物等，并且进一步优选为聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物和在侧链或主链中含有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物。

作为低分子量化合物的空穴输送材料，示例的是：吡唑啉衍生物，芳胺衍生物，茋衍生物和三苯基二胺衍生物。在低分子量的空穴输送材料的情况下，优选将其在聚合物粘合剂中分散使用。

至于将要混合的聚合物粘合剂，优选不极端地干扰电荷输送的聚合物粘合剂，并适当地使用对可见光没有强吸收的那些。作为聚合物粘合剂示例的是聚(N-乙烯咔唑)、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(对-亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯，聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。

例如，从乙烯基单体通过阳离子聚合或自由基聚合，得到聚乙烯咔唑或其衍生物。

至于聚硅烷或其衍生物，示例的是描述于Chem.Rev.，vol.89，第1359页(1989)、英国专利2300196等中的化合物。同样至于合成方法，可以使用在这些出版物中描述的方法，并且特别适宜使用Kipping方法。

至于聚硅氧烷或其衍生物，因为硅氧烷骨架结构的空穴输送性能差，所以适宜使用在侧链或主链中具有上述低分子量空穴输送材料的结构的那些。特别地，示例的是在侧链或主链中具有显示空穴输送性能的芳香族胺的那些。

尽管不特别限制空穴输送层的形成方法，但是在低分子量空穴输送材料的情况下，示例的是由含有聚合物粘合剂的混合溶液形成膜的方法。

对用于由溶液形成膜的溶剂没有特别限制，条件是它可以溶解空穴输送材料。作为溶剂示例的是：氯-基溶剂，如氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等；醚-基溶剂，如四氢呋喃等；芳烃-基溶剂，如甲苯、二甲苯等；酮-基溶剂，如丙酮、甲基乙基酮等；和酯-基溶剂，如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等。

至于由溶液形成膜的方法，可以使用由溶液的涂覆方法例如旋转涂布方法、浇铸方法、微型凹版印刷涂布方法、凹版印刷涂布方法、棒涂布方法、辊涂布方法、线棒涂布方法、浸渍涂布方法、喷射涂布方法、丝网印刷方法、苯胺印刷方法、胶印印刷方法、喷墨印刷方法等。

空穴输送层厚度的最佳值根据使用的材料而不同，并且可以有利地选择以产生合适的驱动电压和发光率，并且必须至少是不产生针孔的厚度，而当厚度太大时，器件的驱动电压不合需要地提高。因此，空穴输送层的厚度为例如1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。

当本发明的有机LED器件具有电子输送层时，可以使用已知的材料作为所使用的电子输送材料，示例的是噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷(anthraquinodimethane)或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二苯酚合苯醌，或8-羟基喹啉或其衍生物的金属配合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴或其衍生物等。

具体地，示例的是在JP-A Nos.63-70257和63-175860、JP-A Nos.2-135359、2-135361、2-209988、3-37992和3-152184中所述的那些。

它们当中，优选噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物，或8-羟基喹啉或其衍生物的金属配合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴或其衍生物，并且进一步优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝和聚喹啉。

不特别限制电子输送层的形成方法，并且分别地，在低分子量电子输送材料的情况下，示例的是由粉末的真空气相沉积方法，或者由溶液或熔化状态形成膜的方法，并且在高分子量电子输送材料的情况下，示例的是由溶液或熔化状态形成膜的方法。在由溶液或熔化状态形成膜的方法中，可以使用上述的聚合物粘合剂。

不特别限制用于由溶液形成膜的溶剂，条件是其能够溶解电子输送材料和/或聚合物粘合剂。作为溶剂示例的是：氯-基溶剂，如氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等；醚-基溶剂，如四氢呋喃等；芳烃-基溶剂，如甲苯、二甲苯等；酮-基溶剂，如丙酮、甲基乙基酮等；和酯-基溶剂，如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等。

至于由溶液或熔化状态形成膜的方法，可以使用涂覆方法例如旋转涂布方法、浇铸方法、微型凹版印刷涂布方法、凹版印刷涂布方法、棒涂布方法、辊涂布方法、线棒涂布方法、浸渍涂布方法、喷射涂布方法、丝网印刷方法、苯胺印刷方法、胶印印刷方法、喷墨印刷方法等。

电子输送层厚度的最佳值根据使用的材料而不同，并且可以有利地选择以产生合适的驱动电压和发光率，并且必须至少是不产生针孔的厚度，而当厚度太大时，器件的驱动电压不合需要地提高。因此，电子输送层的厚度为例如1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。

特别地，将在邻近电极设置的、具有改善自电极的电荷注入效率功能和具有降低器件驱动电压效果的电荷输送层统称为电荷注入层(空穴注入层、电子注入层)。

此外，为了提高与电极的紧密粘合力或改善来自电极的电荷注入，还可以邻近电极提供上述电荷注入层或厚度为2nm或更小的绝缘层。并且为了提高界面的紧密粘合力或防止混合，还可以将薄缓冲层插入到电荷输送层和发光层的界面中。

考虑到器件的发光率和使用寿命，可以适当选择所层压的层的顺序和数量，以及每层的厚度。

本发明的有机LED器件可以具有电荷注入层(电子注入层、空穴注入层)，其实例包括具有在邻近阴极处提供的电荷注入层的有机LED器件和具有在邻近阳极处提供的电荷注入层的有机LED器件。

例如，特别提及的是下面的结构e)至p)：

e)阳极/电荷注入层/层(L)/发光层/阴极

f)阳极/层(L)/发光层/电荷注入层/阴极

g)阳极/电荷注入层/层(L)/发光层/电荷注入层/阴极

h)阳极/电荷注入层/空穴输送层/层(L)/发光层/阴极

i)阳极/空穴输送层/层(L)/发光层/电荷注入层/阴极

j)阳极/电荷注入层/空穴输送层/层(L)/发光层/电荷注入层/阴极

k)阳极/电荷注入层/层(L)/发光层/电子输送层/阴极

l)阳极/层(L)/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

m)阳极/电荷注入层/层(L)/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

n)阳极/电荷注入层/空穴输送层/层(L)/发光层/电子输送层/阴极

o)阳极/空穴输送层/层(L)/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

p)阳极/电荷注入层/空穴输送层/层(L)/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

至于电荷注入层的具体实例，示例的是包含导电聚合物的层，安置在阳极和空穴输送层之间并且包含电离电位值在阳极材料的电离电位和空穴输送层包含的空穴输送材料的电离电位之间的材料的层，安置在阴极和电子输送层之间并且包含具有电子亲合性值在阴极材料的电子亲合性和电子输送层包含的电子输送材料的电子亲合性之间的材料的层，等。

当上述电荷注入层包含导电聚合物时，优选导电聚合物的导电率为10^-5S/cm或更高和10³S/cm或更低，并且为了降低发光象素之间的漏电流，更优选为10^-5S/cm或更高和10²S/cm或更低，进一步优选为10^-5S/cm或更高和10¹S/cm或更低。

通常，为了将导电聚合物的导电率控制为10^-5S/cm或更高和10³S/cm或更低，用适宜量的离子掺杂导电聚合物。

至于掺杂离子的种类，在空穴注入层中使用阴离子，在电子注入层中使用阳离子。阴离子的实例包括聚苯乙烯磺酸根离子、烷基苯磺酸根离子、樟脑磺酸根离子等，而阳离子的实例包括锂离子、钠离子、钾离子、四丁基铵离子等。

电荷注入层的厚度为例如1nm至100nm，优选为2nm至50nm。

可适当根据材料与电极或邻近层的关系，适宜地选择在电荷注入层中使用的材料，示例的是聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚(亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、导电聚合物如在其主链或侧链中包含芳族胺结构的聚合物、金属酞菁(铜酞菁等)、碳等。

本发明的有机LED器件可以含有厚度为2nm或2nm以下的绝缘层。

厚度为2nm或2nm以下的绝缘层具有使电荷注入容易的功能。至于上述绝缘层的材料，提及的是金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料等。至于配置有厚度为2nm或2nm以下的绝缘层的有机LED器件，提及的是具有在邻近阴极提供的厚度为2nm或2nm以下的绝缘层的器件，和具有在邻近阳极提供的厚度为2nm或2nm以下的绝缘层的器件。

具体地，列出下面的结构q)至ab)：

q)阳极/厚度为2nm或2nm以下的绝缘层/层(L)/发光层/阴极

r)阳极/层(L)/发光层/厚度为2nm或2nm以下的绝缘层/阴极

s)阳极/厚度为2nm或2nm以下的绝缘层/层(L)/发光层/厚度为2nm或2nm以下的绝缘层/阴极

t)阳极/厚度为2nm或2nm以下的绝缘层/空穴输送层/层(L)/发光层/阴极

u)阳极/空穴输送层/层(L)/发光层/厚度为2nm或2nm以下的绝缘层/阴极

v)阳极/厚度为2nm或2nm以下的绝缘层/空穴输送层/层(L)/发光层/厚度为2nm或2nm以下的绝缘层/阴极

w)阳极/厚度为2nm或2nm以下的绝缘层/层(L)/发光层/电子输送层/阴极

x)阳极/电子阻断层/发光层/电子输送层/厚度为2nm或2nm以下的绝缘层/阴极

y)阳极/厚度为2nm或2nm以下的绝缘层/层(L)/发光层/电子输送层/厚度为2nm或2nm以下的绝缘层/阴极

z)阳极/厚度为2nm或2nm以下的绝缘层/空穴输送层/层(L)/发光层/电子输送层/阴极

aa)阳极/空穴输送层/层(L)/发光层/电子输送层/厚度为2nm或2nm以下的绝缘层/阴极

ab)阳极/厚度为2nm或2nm以下的绝缘层/空穴输送层/层(L)/发光层/电子输送层/厚度为2nm或2nm以下的绝缘层/阴极

尽管上述a)～ab)中所示的是发光层与层(L)相邻的实例，但是本发明的实例还包括在a)～ab)的发光层与层(L)之间具有其它层的器件。

具体地，提及的是以下结构ac)。

ac)阳极/层(L)/空穴输送层/发光层/阴极

形成本发明有机LED器件的基材可以有利地为形成电极并且在形成有机物层时不变化的基材。其实例包括玻璃、塑料、聚合物膜、硅基材等。在不透明基材的情况下，优选反电极是透明或半透明的。

本发明的有机LED器件可以用作薄板光源、段式显示器、点矩阵显示器和液晶显示器的背光。

为了使用本发明的有机LED器件得到薄板形式的发光，可以有利地放置薄板阳极和薄板阴极，使它们重叠。为了得到图案形式的发光，一种方法是在上述薄板形式的发光器件表面上放置具有图案形式的窗口的掩模，一种方法是在非发光部分形成非常厚厚度的有机层以得到基本不发光，一种方法是以图案形式形成阳极或阴极中的任何一种，或阳极和阴极。通过采用这些方法中的任何一种形成图案并且安置数个电极，使得可以独立切换开/关，得到段式显示器件，其能够显示数字和字母、以及简单标记等。此外，为了获得点矩阵显示器，可以有利地将阳极和阴极都制成条状形式，并且放置使得它们交叉。通过使用将多种发出不同颜色的光的发光材料分开上漆的方法，或使用滤色器或荧光转换滤光器的方法，可以获得部分彩色显示器或多彩色显示器。点矩阵器件可以被动驱动，并且可以通过与TFT组合等进行主动驱动。可以使用这些显示器作为计算机、电视机、便携终端、手提电话、汽车导航、摄影机的取景器等的显示器。

上述薄板形式的发光器件是薄型的自发光器件，并且可以适当地用作液晶显示器的背光用的薄板光源，或照明用的薄板光源。如果使用挠性基材，它还可以用作弯曲表面形式的光源或显示器。

以下将通过实施例详细说明本发明，但是本发明不受这些实施例限制。

聚苯乙烯折算的数均分子量是通过SEC测量的。

使用柱子：TOSOH TSKgel SuperHM-H(两根)+TSKgel SuperH2000(4.6mm内径×15cm)，检测器：RI(SHIMADZU RID-10A)。使用氯仿或四氢呋喃(THF)作为移动床。

合成实施例1(化合物A的合成)

化合物A

在惰性气氛下，向1L四颈烧瓶中加入7g 2，8-二溴二苯并噻吩和280mlTHF，将混合物在室温下搅拌以实现溶解，然后冷却到-78℃。滴加29ml正丁基锂(1.6mol己烷溶液)。在滴加完成后，在将溶液保持该温度的同时搅拌2小时，并且滴加13g三甲氧基硼酸。在滴加完成后，让温度缓慢回到室温。在室温搅拌3小时后，用TLC证实原料的消失。加入100ml 5％硫酸以终止反应，并且将溶液在室温搅拌12小时。用加入的水洗涤溶液，并且分离有机层。将溶剂用乙酸乙酯代替，然后，加入5ml的30％过氧化氢水溶液，将混合物在40℃搅拌5小时。其后，分离有机层，用10％硫酸铵铁(II)水溶液洗涤，然后，干燥并且蒸馏除去溶剂，获得4.43g棕色固体。LC-MS测量证实产生了副产物如二聚体等，化合物A的纯度为77％(LC百分比)。

MS(APCI(-))：(M-H)^-215

合成实施例2(化合物B的合成)

化合物B

在惰性气氛下，向200ml三颈烧瓶中装入4.43g化合物A、25.1g正辛基溴和12.5g(23.5mmol)碳酸钾，加入50ml甲基异丙基酮作为溶剂，并且将混合物在加热的同时在125℃回流6小时。反应完成后，蒸馏除去溶剂，加入氯仿和水，分离有机层，再用水洗涤两次。无水硫酸钠干燥后，用硅胶柱进行纯化(展开溶剂：甲苯/环己烷＝1/10)，获得8.49g(LC百分比97％，产率94％)的化合物B。

¹H-NMR(300MNz/CDCl₃)：

d0.91(t，6H)，1.31～1.90(m，24H)，4.08(t，4H)，7.07(dd，2H)，7.55(d，2H)，7.68(d，2H)

合成实施例3(化合物C的合成)

化合物C

向100ml三颈烧瓶中加入6.67g化合物B和40ml乙酸，并且在油浴中加热直到浴温为140℃。随后，从冷却管加入13ml 30％过氧化氢水溶液。将混合物剧烈搅拌1小时，然后将反应物倒入180ml冷水中以终止反应。用氯仿萃取，干燥，然后蒸馏除去溶剂，得到6.96g(LC百分比90％，产率97％)的化合物C。

¹H-NMR(300MNz/CDCl₃)：

d0.90(t，6H)，1.26～1.87(m，24H)，4.06(t，4H)，7.19(dd，2H)，7.69(d，2H)，7.84(d，2H)

MS(APCI(+))：(M+H)⁺

合成实施例4(化合物D的合成)

化合物D

在惰性气氛下，向200ml四颈烧瓶中加入3.96g化合物C和15ml乙酸/氯仿＝1∶1的混合液体，将混合物在70℃搅拌以进行溶解。随后，将6.02g溴溶解在3ml的上述溶剂中并且加入到溶液中。将得到的溶液搅拌3小时。加入硫代硫酸钠水溶液以除去未反应的溴，加入氯仿和水，将有机层分离并且干燥。蒸馏除去溶剂，用硅胶柱进行纯化(展开溶剂：氯仿/己烷＝1/4)，得到4.46g(LC百分比98％，产率84％)的化合物D。

¹H-NMR(300MNz/CDCl₃)：

d0.95(t，6H)，1.30～1.99(m，24H)，4.19(t，4H)，7.04(s，2H)，7.89(s，2H)

MS(FD⁺)M⁺630

合成实施例5(化合物E的合成)

化合物E

在惰性气氛下，向200ml三颈烧瓶中加入3.9g化合物D和50ml乙醚，将混合物加热到40℃并且搅拌。分批加入1.17g的氢化铝锂，并且反应5小时。通过分批加入水，使过量的氢化铝锂分解，用5.7ml的36％盐酸洗涤。加入氯仿和水，分离有机层并且干燥。用硅胶柱进行纯化(展开溶剂：氯仿/己烷＝1/5)，获得1.8g(LC百分比99％，产率49％)的化合物E。

¹H-NMR(300MNz/CDCl₃)：

d0.90(t，6H)，1.26～1.97(m，24H)，4.15(t，4H)，7.45(s，2H)，7.94(s，2H)

MS(FD⁺)M⁺598

根据MS(APCI(+))方法，在615和598处检测到峰。

合成实施例6

(聚合物化合物1的合成)

将2，7-二溴-9，9-二辛基芴(26g，0.047mol)、2，7-二溴-9，9-二异戊基芴(5.6g，0.012mol)和2，2’-联吡啶(22g，0.141mol)溶解在1600mL脱水四氢呋喃中，然后通过氮气的鼓泡，用氮气吹扫体系中的气氛。在氮气气氛下，向该溶液加入双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)₂)(40g，0.15mol)，并且将混合物加热到60℃，反应8小时。反应后，将反应溶液冷却至室温(约25℃)，并且滴加到25％氨水20mL/甲醇1200mL/离子交换水1200mL的混合溶液中，搅拌混合物30分钟，然后，将沉积的沉淀物过滤并且空气干燥。然后将干燥的沉淀物溶解在1100ml甲苯中并且过滤，将滤液滴加到3300ml甲醇中，并且搅拌30分钟。过滤沉积的沉淀物并且用1000ml甲醇洗涤，然后减压干燥5小时。所得到的共聚物的产量为20g(以下，称作聚合物化合物1)。聚合物化合物1聚苯乙烯折算的数均分子量和重均分子量分别为：Mn＝9.9×10⁴和Mw＝2.0×10⁵(移动床：氯仿)。

合成实施例7

<4-叔丁基-2，6-二甲基溴苯的合成>

在惰性气氛下，将225g乙酸加入到500ml三颈烧瓶中，并且加入24.3g5-叔丁基-间-二甲苯。随后，加入31.2g溴，然后将混合物在15～20℃反应3小时。

将反应溶液加入到500ml水中，并且过滤沉积的沉淀物。将沉淀物用250ml水洗涤两次，得到34.2g白色固体。

¹H-NMR(300MNz/CDCl₃)：

d(ppm)＝1.3[s，9H]m 2.4[s，6H]，7.1[s，2H]

MS(FD⁺)M⁺241

合成实施例8

(N，N’-二苯基-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-1，4-苯二胺的合成)

在惰性气氛下，将36ml脱气的脱水甲苯装入100ml三颈烧瓶中，并且加入0.63g三(叔丁基)膦。随后，加入0.41g三(二亚苄基丙酮)二钯、9.6g上述的4-叔丁基-2，6-二甲基溴苯、5.2g叔丁醇钠和4.7g N，N’-二苯基-1，4-苯二胺，然后在100℃反应3小时。

将反应溶液加入到300ml饱和盐水中，并且用300ml加热到约50℃的氯仿萃取。蒸馏除去溶剂，然后加入100ml甲苯，加热混合物直至固体溶解，让其冷却，然后过滤沉淀物，获得9.9g白色固体。

合成实施例9

(N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-1，4-苯二胺的合成)

在惰性气氛下，将350ml N，N-二甲基甲酰胺装入1000ml三颈烧瓶中，并且溶解5.2g上述的N，N’-二苯基-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-1，4-苯二胺，然后在冰浴冷却的同时，滴加N-溴琥珀酰亚胺3.5g/N，N-二甲基甲酰胺溶液，让混合物反应一天一夜。

将150ml水加入到反应溶液中，过滤沉积的沉淀物，并且用50ml甲醇洗涤两次，得到4.4g白色固体。

¹H-NMR(300MNz/THF-d₈)：

d(ppm)＝1.3[s，18H]，2.0[s，12H]，6.6～6.7[d，4H]，6.8～6.9[br，4H]，7.1[s，4H]，7.2～7.3[d，4H]

MS(FD⁺)M⁺738

合成实施例10

(聚合物化合物2的合成)

将所述化合物E(5.4g，9mmol)、上述N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-1，4-苯二胺(4.5g，6mmol)和2，2’-联吡啶(5.1g，33mmol)溶解在420mL脱水四氢呋喃中，然后通过氮气的鼓泡，用氮气吹扫体系中的气氛。在氮气气氛下，向该溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)₂)(9.0g，33mmol)，并且将混合物加热到60℃，在搅拌的同时反应3小时。反应后，将反应溶液冷却至室温(约25℃)，并且滴加到25％氨水150mL/甲醇1500mL/离子交换水600mL的混合溶液中，搅拌混合物1小时，然后，将沉积的沉淀物过滤并且减压干燥2小时，并且溶解在450ml甲苯中。然后，加入450mL 1N盐酸，并且将混合物搅拌1小时。除去水层，向有机层加入450mL 4％氨水，搅拌混合物1小时，然后除去水层。将有机层滴加到1350ml甲醇中，并且搅拌1小时。将沉积的沉淀物过滤并且减压干燥2小时，然后溶解在400mL甲苯中。其后，通过氧化铝柱(氧化铝量：100g)进行纯化，并且将回收的甲苯溶液滴加到1350ml甲醇中，并且搅拌1小时。将沉积的沉淀物过滤并且减压干燥2小时。所得到的共聚物(以下，称作聚合物化合物2)的产量为5.5g。聚苯乙烯折算的数均分子量和重均分子量分别为：Mn＝3.0×10⁴和Mw＝1.8×10⁵(移动床：氯仿)。

合成实施例11

(化合物F的合成)

化合物F

向氩气吹扫的1L三颈烧瓶中装入163ml离子交换水，并且分批加入85.2g(2.13mol)氢氧化钠并且搅拌以实现溶解。随后，加入12.5g(0.04mol)的溴化四丁铵，并且加入15g(0.13mol)的3-乙基-3-氧杂环丁烷甲醇、94.5g(0.39mol)的1，6-二溴己烷和128mol己烷，并且在室温反应9小时。然后加热到80℃，再反应1小时。冷却到室温后，将有机层用己烷萃取，硫酸钠干燥，然后蒸馏除去溶剂。经过减压蒸馏纯化，得到32.4g无色透明油状物。

¹H-NMR(300MNz/CDCl₃)：

d0.89(t，3H)，1.35～1.92(m，10H)，3.42(m，4H)，4.38(d，2H)，4.45(d，2H)

GC-MS：279

合成实施例12

化合物G的合成

化合物G

向氩气吹扫的500ml三颈烧瓶中装入7.7g(20.6mmol)的2，8-二羟基-3，7-二溴噻吩、7.40g(53.5mmol)的碳酸钾和160ml的N，N-二甲基甲酰胺，并且在室温下用氩气鼓泡20分钟。随后，加入16.1g(57.6mmol)的化合物F，再在室温下用氩气鼓泡10分钟。将温度升高到100℃，搅拌溶液3小时，然后在165℃搅拌4小时。将有机层用乙酸乙酯萃取，硫酸钠干燥，然后用硅胶柱进行纯化(甲苯∶乙酸乙酯＝5∶1)，并且再用硅胶柱进行纯化(甲苯∶乙酸乙酯＝10∶1)，得到4.09g黄色油状物。

¹H-NMR(300MNz/CDCl₃)：

d0.88(t，6H)，1.44～1.98(m，20H)，3.49(m，4H)，4.16(t，4H)，4.38(d，2H)，4.45(d，2H)，7.45(s，2H)，7.94(s，2H)

作为质谱测量的结果，检测到对应于ESI方法的[M+K]的质量数809。

合成实施例13

聚合物化合物3的合成

将116mg化合物G、1027mg的N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-1，4-苯二胺和575mg 2，2’-联吡啶装入反应器中，然后用氮气吹扫该反应体系的气氛。向其中加入预先鼓氩气脱气的30.8g四氢呋喃(脱水溶剂)。接着，向该混和溶液中加入1007mg双(1，5-环辛二烯)镍(0)，并且在60℃反应3.3小时。反应在氮气气氛中进行。反应后，冷却该溶液，然后倒入25％氨水9.0g/甲醇94.8g/离子交换水50.0g的混合溶液中，并且搅拌约1小时。然后，将产生的沉淀物过滤回收，并且在55℃减压干燥2小时。然后，将沉淀物溶解在26.0g甲苯中，并且通过滤纸除去不必要的物质，将滤液通过氧化铝柱(氧化铝量：10g)。向甲苯溶液中加入30g的4％氨水，将混合物搅拌1小时，然后除去水层，加入30g离子交换水并且将混合物再搅拌1小时，除去水层。将有机层滴加到220mL甲醇中并且搅拌30分钟，将沉积的沉淀物过滤并且减压干燥2小时，然后溶解在20g甲苯中。其后，通过氧化铝柱(氧化铝量：15g)进行纯化，再通过氧化铝柱(氧化铝量：30g)进行纯化，并且将回收的甲苯溶液滴加到200ml甲醇中，搅拌1小时。将沉积的沉淀物过滤并且减压干燥2小时。所得到的共聚物的产量为189mg。该共聚物中，对应于化合物F和N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-1，4-苯二胺的重复单元的比率为10∶90。该共聚物称作聚合物化合物3。

聚合物化合物3聚苯乙烯折算的数均分子量为2.7×10⁴并且重均分子量为1.5×10⁵。

合成实施例14

<聚合物化合物4的合成>

将N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-正丁基苯基)-1，4-苯二胺(3.3g，4.8mmol)和2，2’-联吡啶(1.9g，12mmol)溶解在132mL脱水四氢呋喃中，然后通过氮气的鼓泡，用氮气吹扫体系中的气氛。在氮气气氛下，向该溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)₂)(3.3g，12mmol)，并且将混合物加热到60℃，在搅拌的同时反应3.5小时。反应后，将反应溶液冷却至室温(约25℃)，并且滴加到25％氨水30mL/甲醇480mL/离子交换水160mL的混合溶液中，搅拌混合物1小时，然后，将沉积的沉淀物过滤并且减压干燥2小时，并且溶解在150ml甲苯中。然后，加入120g 1N盐酸，并且将混合物搅拌3小时。除去水层，向有机层加入140mL 25％氨水，搅拌混合物3小时，然后除去水层。将有机层用600ml水洗涤两次。将有机层分成两份，将它们滴加到600ml甲醇中，并且搅拌1小时。将沉积的沉淀物过滤并且减压干燥2小时。所得到的共聚物(以下，称作聚合物化合物4)的产量为3.26g。聚苯乙烯折算的数均分子量和重均分子量分别为：Mn＝1.6×10⁴和Mw＝1.2×10⁵(移动床：THF)。

合成实施例15

<聚合物化合物5的合成>

将11.1g N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-1，4-苯二胺和5.6g 2，2’-联吡啶溶解在反应器中，然后用氮气吹扫该反应体系的气氛。向其中加入预先鼓氩气脱气的400g四氢呋喃(脱水溶剂)。接着，向该混和溶液中加入10.0g双(1，5-环辛二烯)镍(0)，并且在室温搅拌10分钟，然后在60℃反应3小时。反应在氮气气氛中进行。

反应后，冷却该溶液，然后将25％氨水50ml/甲醇200ml/离子交换水200ml的混合溶液倒入该溶液中，并且搅拌约1小时。然后，过滤并且回收产生的沉淀物。将沉淀物减压干燥，然后溶解在甲苯中。过滤该甲苯溶液以除去不必要的物质，然后将甲苯溶液通过使其通过填充有氧化铝的柱子纯化。接着，用约1N盐酸水溶液洗涤甲苯溶液，让其静置并且分离，然后回收甲苯溶液。再用约3％氨水洗涤该甲苯溶液，让其静置并且分离，然后回收甲苯溶液，然后，用离子交换水洗涤该甲苯溶液，让其静置并且分离，然后回收甲苯溶液。接着，将该甲苯溶液倒入甲醇中，再次产生沉淀物。

接着。回收产生的沉淀物，并将该沉淀物减压干燥，得到4.7g聚合物。该聚合物称作聚合物化合物5。聚苯乙烯折算的数均分子量和重均分子量分别为：Mn＝6.7×10³和Mw＝4.5×10⁴(移动床：四氢呋喃)。

合成实施例16

(化合物H的合成)

化合物H

在惰性气氛下，向300ml三颈烧瓶中装入5.00g(29mmol)的1-萘硼酸、6.46g(35mmol)的2-溴苯甲醛、10.0g(73mmol)的碳酸钾、36ml的甲苯和36ml的离子交换水，并且在室温搅拌的同时鼓氩气20分钟。随后，加入16.8g(0.15mmol)的四(三苯膦)钯，再在室温搅拌的同时鼓氩气10分钟。将混合物加热到100℃，反应25小时。在冷却到室温后，将有机层用甲苯萃取，硫酸钠干燥，然后蒸馏除去溶剂。经硅胶柱纯化，使用甲苯∶环己烷＝1∶2混合溶剂作为展开溶剂，得到5.18g化合物H(产量：86％)，为白色晶体。

¹H-NMR(300MNz/CDCl₃)：

d7.39～7.62(m，5H)，7.70(m，2H)，7.94(d，2H)，8.12(dd，2H)，9.63(s，1H)

MS(APCI(+))：(M+H)⁺233

合成实施例17

(化合物I的合成)

化合物I

在惰性气氛下，向300ml四颈烧瓶中装入8.00g(34.4mmol)化合物H和46ml脱水THF，将混合物冷却到-78℃。随后，滴加52ml溴化正辛基镁(1.0mol/l THF溶液)，历时30分钟。在滴加完成后，将混合物加热到0℃，并且搅拌1小时。然后，加热到室温，并且搅拌45分钟。在冰浴中，加入20ml的1N盐酸以终止反应。有机层用乙酸乙酯萃取并且用硫酸钠干燥。蒸馏除去溶剂，然后经硅胶柱纯化，使用甲苯∶己烷＝10∶1混合溶剂作为展开溶剂，得到7.64g(产量：64％)的化合物I，为浅黄色油状物。在HPLC测量中，观察到两个峰，而在LC-MS测量中，观察到相同的质量数，因此，判断该产物是异构体的混合物。

合成实施例18

(化合物J的合成)

化合物J

在惰性气氛下，向500ml三颈烧瓶中装入5.00g(14.4mmol)的化合物I和74ml脱水二氯甲烷，并且将混合物搅拌以实现溶解。随后，在室温下滴加三氟化硼合乙醚配合物，历时1小时。滴加完成后，将混合物在室温搅拌4小时。在搅拌的同时缓慢加入125ml乙醇，当热产生结束时，用氯仿萃取有机层，用水洗涤两次，并且用硫酸镁干燥。蒸馏除去溶剂，然后，用硅胶柱纯化，使用己烷作为展开溶剂，得到3.22g(产率：68％)的化合物J，为无色油状物。

¹H-NMR(300MNz/CDCl₃)：

d0.90(t，3H)，1.03～1.26(m，14H)，2.13(m，2H)，4.05(t，1H)，7.35(dd，1H)，7.46～7.50(m，2H)，7.59～7.65(m，3H)，7.82(d，1H)，7.94(d，1H)，8.35(d，1H)，8.75(d，1H)

MS(APCI(+))：(M+H)⁺329

合成实施例19

(化合物K的合成)

化合物K

在惰性气氛下，将20ml离子交换水装入200ml三颈烧瓶中，并且在搅拌的同时分批加入18.9g(0.47mol)的氢氧化钠，并且溶解。将水溶液冷却到室温后，加入20ml甲苯、5.17g(15.7mmol)的化合物J和1.52g(4.72mmol)的溴化三丁基铵，并且将混合物加热到50℃。滴加正辛基溴，滴加完成后，让混合物在50℃反应9小时。反应完成后，将有机层用甲苯萃取，用水洗涤两次，硫酸钠干燥。产物用硅胶柱纯化，使用己烷作为展开溶剂，得到5.13g的化合物K，为黄色油状物(产率：74％)。

¹H-NMR(300MNz/CDCl₃)：

d0.52(m，2H)，0.79(t，6H)，1.00～1.20(m，22H)，2.05(t，4H)，7.34(d，1H)，7.40～7.53(m，2H)，7.63(m，3H)，7.83(d，1H)，7.94(d，1H)，8.31(d，1H)，8.75(d，1H)

MS(APCI(+))：(M+H)⁺441

合成实施例20

(化合物L的合成)

化合物L

在空气气氛下，将4.00g(9.08mmol)的化合物K和57ml乙酸∶二氯甲烷＝1∶1的混合溶剂装入50ml三颈烧瓶中，将混合物在室温搅拌以实现溶解。随后，加入7.79g(20.0mmol)的三溴化苄基三甲基铵，并且在搅拌的同时，加入氯化锌直至三溴化苄基三甲基铵完全溶解。将混合物在室温搅拌20小时，然后，加入10ml 5％亚硫酸氢钠水溶液以终止反应。将有机层用氯仿萃取，碳酸钾水溶液洗涤两次，并且用硫酸钠干燥。产物用快速柱纯化两次，其中使用己烷作为展开溶剂，然后，用乙醇∶己烷＝1∶1，随后10∶1的混合溶剂进行重结晶，得到4.13g的化合物L，为白色晶体(产率：76％)。

¹H-NMR(300MNz/CDCl₃)：

d0.60(m，2H)，0.91(t，6H)，1.01～1.38(m，22H)，2.09(t，4H)，7.62～7.75(m，3H)，7.89(s，1H)，8.20(d，1H)，8.47(d，1H)，8.72(d，1H)

MS(APCI(+))：(M+H)⁺598

合成实施例21

(N，N’-二苯基-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-联苯胺)

在惰性气氛下，将1660ml除气的脱水甲苯装入300ml三颈烧瓶中，并且加入275.0g N，N’-二苯基联苯胺和449.0g 4-叔丁基-2，6-二甲基溴苯。随后，加入7.48g三(二亚苄基丙酮)二钯和196.4g叔丁醇钠。然后加入5.0g三(叔丁基)膦。然后将混合物在105℃反应7小时。

向反应溶液中加入到2000ml甲苯，并且通过硅藻土过滤化合物。将滤液用1000ml水洗涤三次，然后浓缩直到700ml。向其中加入1600ml甲苯/甲醇(1∶1)溶液，过滤沉积的晶体并且用甲醇洗涤。获得479.4g白色固体。

合成实施例22

<N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-联苯胺的合成>

在惰性气氛下，将472.8g上述N，N’-二苯基-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-联苯胺溶解在4730g氯仿中。然后将281.8g N-溴琥珀酰亚胺分成12份，在置于冰浴上的同时，加入，历时1小时，并且反应3小时。

将1439ml氯仿加入到反应溶液中并且过滤，用2159ml 5％硫代硫酸钠洗涤滤液的氯仿溶液，并且蒸馏除去甲苯，得到白色晶体。得到的白色晶体从甲苯/乙醇中重结晶，获得678.7g白色固体。

合成实施例23

<聚合物发光体6的合成>

将化合物L(8.0g)和2，2’-联吡啶(5.9g)溶解在300mL脱水四氢呋喃中，然后通过氮气的鼓泡，用氮气吹扫体系中的气氛。在氮气气氛下，将溶液加热到60℃，并且加入双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)₂)(10.4g，0.038mol)，反应5小时。反应后，将反应溶液冷却至室温(约25℃)，并且滴加到25％氨水40mL/甲醇300mL/离子交换水300mL的混合溶液中，搅拌混合物30分钟，然后，将沉积的沉淀物过滤并且空气干燥。其后，将干燥的沉淀物溶解在400mL甲苯中并且过滤。滤液通过氧化铝柱纯化，加入约300mL的1N盐酸，并且将混合物搅拌3小时，除去水层，向有机层加入约300mL4％氨水，搅拌混合物2小时，然后除去水层。将约300ml离子交换水加入到有机层中，并且将混合物搅拌1小时，除去水层。将约100ml的甲醇滴加到有机层中，并且将混合物搅拌1小时。随后，让其静置，然后通过倾析除去上清液。将得到的沉淀物溶解在100mL甲苯中，将溶液滴加到约200mL甲醇中，并且将混合物搅拌1小时，过滤并且减压干燥2小时。所得到的共聚物(以下，称作聚合物化合物6)的产量为4.1g。聚苯乙烯折算的数均分子量和重均分子量分别为：Mn＝1.5×10⁵和Mw＝2.7×10⁵(移动床：四氢呋喃)。

合成实施例23

<聚合物化合物7的合成>

将化合物L(5.25g)、N，N’-双(4-溴苯基)-N，N’-双(4-叔丁基-2，6-二甲基苯基)-联苯胺(3.06g)和2，2’-联吡啶(5.3g)溶解在226mL脱水四氢呋喃中，然后通过氮气的鼓泡，用氮气吹扫体系中的气氛。在氮气气氛下，向该溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)₂)(9.30g)，将混合物加热到60℃，并且在搅拌的同时反应3小时。反应后，将反应溶液冷却至室温(约25℃)，并且滴加到25％氨水45mL/甲醇约230mL/离子交换水约230mL的混合溶液中，并且将混合物搅拌1小时，然后，将沉积的沉淀物过滤并且减压干燥2小时，然后溶解在400ml甲苯中。然后过滤，滤液通过氧化铝柱纯化。加入约400mL的5.2％盐酸，将混合物搅拌3小时，然后除去水层。然后，加入约400mL 4％氨水，将混合物搅拌2小时，然后除去水层。此外，将约400ml离子交换水加入到有机层中，并且将混合物搅拌1小时，除去水层。将80ml的甲苯加入有机层中，过滤收集沉积的沉淀物，并且将其溶解在200mL甲苯中。然后，将溶液滴加到约600mL甲醇中，将沉积的沉淀物过滤并且减压干燥2小时。所得到的共聚物(以下，称作聚合物化合物7)的产量为4.25g。聚苯乙烯折算的数均分子量和重均分子量分别为：Mn＝2.5×10⁴和Mw＝8.0×10⁵(移动床：四氢呋喃)。

实施例1

在具有通过溅射方法形成的厚度为150nm的ITO薄膜的玻璃基材上，使用聚(亚乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸(Bayer，BaytronP)溶液旋转涂布形成厚度为70nm的薄膜，并且在电热板上于200℃干燥10分钟。接着，将所制备的聚合物化合物2的浓度为1.5重量％的甲苯溶液以1400rpm的旋转速度旋转涂布以形成薄膜。此外，将其在氮气气氛下于200℃加热10分钟，然后用甲苯漂洗可溶组分，得到厚度约10nm的层(L)。接着，使用所制备的聚合物化合物2和聚合物化合物1的25∶75(重量比率)的混合物的浓度为1.5重量％的甲苯溶液以1400rpm的旋转速度旋转涂布以形成薄膜，形成发光层。此外，将其在减压下于90℃干燥1小时，然后气相沉积厚度约1nm的氟化锂得到阴极，并且气相沉积厚度约5nm的钙，然后气相沉积厚度约100nm的铝，以制造EL器件。在真空度达到1×10^-4Pa或更低时，开始金属的气相沉积。

通过在得到的器件上施加电压，获得峰值位于460nm的EL发光。在1mA恒定电流驱动下，初始亮度为504cd/m²。测量亮度的衰减，发现在试验开始后177小时，亮度降低至半值。(根据下式在100cd/m²初始亮度下换算的半衰期：892小时)。

半衰期∝(初始亮度)^-1

(Organic EL material and display，CMC(2001)出版，第107页)

实施例2

在具有通过溅射方法形成的厚度为150nm的ITO薄膜的玻璃基材上，使用聚(亚乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸(Bayer，BaytronP)溶液旋转涂布形成厚度为70nm的薄膜，并且在电热板上于200℃干燥10分钟。接着，将所制备的聚合物化合物3的浓度为0.175重量％的甲苯溶液以1400rpm的旋转速度旋转涂布以形成薄膜。此外，将其在氮气气氛下于200℃加热10分钟，于是得到厚度约70nm的层(L)。接着，使用所制备的聚合物化合物2和聚合物化合物1的25∶75(重量比率)的混合物的浓度为0.75重量％的甲苯溶液以500rpm的旋转速度旋转涂布以形成薄膜，形成发光层。此外，将其在减压下于90℃加热1小时，然后气相沉积厚度约1nm的氟化锂得到阴极，并且气相沉积厚度约5nm的钙，然后气相沉积厚度约100nm的铝，以制造EL器件。在真空度达到1×10^-4Pa或更低时，开始金属的气相沉积。

通过在得到的器件上施加电压，获得峰值位于460nm的EL发光。在1mA恒定电流驱动下，初始亮度为565cd/m²。测量亮度的衰减，发现在试验开始后75小时，亮度降低至半值。(在100cd/m²初始亮度下换算的半衰期：424小时)。

实施例3

在具有通过溅射方法形成的厚度为150nm的ITO薄膜的玻璃基材上，使用制备的聚合物化合物5的浓度为1.0重量％的甲苯溶液以500rpm的旋转速度旋转涂布以形成薄膜。此外，将其在氮气气氛下于200℃加热10分钟，于是得到厚度约40nm的层(L)。接着，使用所制备的聚合物化合物6和聚合物化合物7的50∶50(重量比率)的混合物的浓度为1.0重量％的甲苯溶液以700rpm的旋转速度旋转涂布以形成薄膜，形成发光层。此外，将其在减压下于90℃加热1小时，然后气相沉积厚度约1nm的氟化锂得到阴极，并且气相沉积厚度约5nm的钙，然后气相沉积厚度约100nm的铝，以制造EL器件。在真空度达到1×10^-4Pa或更低时，开始金属的气相沉积。

通过在得到的器件上施加电压，获得峰值位于465nm的EL发光。在10mA恒定电流驱动下，初始亮度为3810cd/m²。测量亮度的衰减，发现在试验开始后1.65小时，亮度降低至半值。(在1000cd/m²初始亮度下换算的半衰期：6.3小时)。

比较例1

在具有通过溅射方法形成的厚度为150nm的ITO薄膜的玻璃基材上，使用聚(亚乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸(Bayer，BaytronP)溶液旋转涂布形成厚度为70nm的薄膜，并且在电热板上于200℃干燥10分钟。接着，使用制备的聚合物化合物2和聚合物化合物1的25∶75(重量比率)的混合物浓度为1.5重量％的甲苯溶液，以1400rpm的旋转速度旋转涂布以形成薄膜，形成发光层。此外，将其在减压下于90℃加热1小时，然后气相沉积厚度约1nm的氟化锂得到阴极，并且气相沉积厚度约5nm的钙，然后气相沉积厚度约100nm的铝，以制造EL器件。在真空度达到1×10^-4Pa或更低时，开始金属的气相沉积。通过在得到的器件上施加电压，获得峰值位于460nm的EL发光。在1mA恒定电流驱动下，初始亮度为422cd/m²。测量亮度的衰减，发现在试验开始后86小时，亮度降低至半值。(在100cd/m²初始亮度下换算的半衰期：363小时)。

比较例2

在具有通过溅射方法形成的厚度为150nm的ITO薄膜的玻璃基材上，使用聚(亚乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸(Bayer，BaytronP)溶液旋转涂布形成厚度为70nm的薄膜，并且在电热板上于200℃干燥10分钟。接着，将制备的聚合物化合物4的浓度为1.5重量％的甲苯溶液以1400rpm的旋转速度旋转涂布以形成薄膜。此外，将其在氮气气氛下于200℃加热10分钟，然后用甲苯漂洗可溶组分，得到厚度约10nm的层。接着，使用所制备的聚合物化合物2和聚合物化合物1的25∶75(重量比率)的混合物的浓度为1.5重量％的甲苯溶液以1400rpm的旋转速度旋转涂布以形成薄膜，形成发光层。此外，将其在减压下于90℃加热1小时，然后气相沉积厚度约1nm的氟化锂得到阴极，并且气相沉积厚度约5nm的钙，然后气相沉积厚度约100nm的铝，以制造EL器件。在真空度达到1×10^-4Pa或更低时，开始金属的气相沉积。通过在得到的器件上施加电压，获得峰值位于460nm的EL发光。在1mA恒定电流驱动下，初始亮度为507cd/m²。测量亮度的衰减，发现在试验开始后40小时，亮度降低至半值。(在100cd/m²初始亮度下换算的半衰期：203小时)。

比较例3

在具有通过溅射方法形成的厚度为150nm的ITO薄膜的玻璃基材上，使用所制备的的聚合物化合物6和聚合物化合物7的50∶50(重量比率)的混合物的浓度为1.0重量％的甲苯溶液以700rpm的旋转速度旋转涂布以形成薄膜，形成发光层。此外，将其在减压下于90℃加热1小时，然后气相沉积厚度约1nm的氟化锂得到阴极，并且气相沉积厚度约5nm的钙，然后气相沉积厚度约100nm的铝，以制造EL器件。在真空度达到1×10^-4Pa或更低时，开始金属的气相沉积。

通过在得到的器件上施加电压，获得峰值位于465nm的EL发光。在10mA恒定电流驱动下，初始亮度为876cd/m²。测量亮度的衰减，发现在试验开始后0.035小时，亮度降低至半值。(在1000cd/m²初始亮度下换算的半衰期：0.03小时)。

与比较例1～3的器件相比，实施例1～3的器件具有更长的换算半衰期，所述的半衰期是在100cd/m²或1000cd/m²初始亮度下换算的。

工业适用性

本发明的有机EL器件具有优异的器件性能。因此，该有机EL器件可以优选用于以下装置，如弯曲表面形式的光源或用于照明的薄板光源或液晶显示器的背光，段式显示器，点矩阵平板显示器等。

Claims

1.一种有机电致发光器件，其中发光层存在于由阳极和阴极组成的电极之间，含有聚合物化合物的层(L)存在于发光层和阳极之间，并且所述的聚合物化合物包含下式(1)的重复单元：

(其中，Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄各自独立地表示亚芳基或二价杂环基；E₁、E₂和E₃各自独立地表示以下芳基(A)或杂环基(B)；a和b各自独立地表示0或1，并且0≤a+b≤1；

杂环基(B)：含有一个或多个取代基的一价杂环基，所述取代基选自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代的甲硅烷氧基、一价杂环基和卤素原子，并且其中杂环的取代基数和杂原子数的总和为3或更大)。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中所述的含有聚合物化合物的层(L)与发光层相邻。

3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其中所述的含有聚合物化合物的层(L)是空穴注入和输送层。

4.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其中所述的含有聚合物化合物的层(L)与空穴注入和输送层相邻。

5.根据权利要求1～4中任何一项所述的有机电致发光器件，其中所述的芳基(A)是含有三个或更多个取代基的苯基，含有三个或更多个取代基的萘基或含有三个或更多个取代基的蒽基。

6.根据权利要求1～5中任何一项所述的有机电致发光器件，其中所述的芳基(A)是下式(3)的基团：

(其中，Re、Rf和Rg各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代的甲硅烷氧基、一价杂环基或卤素原子)。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其中，在式(3)中，Re和Rf各自独立地表示含有3个或更少碳原子的烷基、含有3个或更少碳原子的烷氧基或含有3个或更少碳原子的烷硫基，并且Rg表示含3～20个碳原子的烷基、含3～20个碳原子的烷氧基或含3～20个碳原子的烷硫基。

8.根据权利要求1～7中任何一项所述的有机电致发光器件，其中除式(1)重复单元以外，所述的聚合物化合物还包含下式(4)、(5)、(6)或(7)的重复单元：

-Ar₁₂- (4)

-Ar₁₂-X₁-(Ar₁₃-X₂)_c-Ar₁₄- (5)

-Ar₁₂-X₂- (6)

-X₂- (7)

(其中，Ar₁₂、Ar₁₃和Ar₁₄各自独立地表示亚芳基、二价杂环基，或具有金属配位结构的二价基团；X₁表示-CR₂＝CR₃-、-C≡C-或-(SiR₅R₆)_d-；X₂表示-CR₂＝CR₃-、-C≡C-、-N(R₄)-或-(SiR₅R₆)_d-；R₂和R₃各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基；R₄、R₅和R₆各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基或芳基烷基；c表示0至2的整数；d表示1至12的整数；当存在多个Ar₁₃、R₂、R₃、R₅和R₆时，它们可以相同或不同)。

9.根据权利要求1～8中任何一项所述的有机电致发光器件，其中所述的聚合物化合物在分子中包含至少一个可聚合的取代基。

10.一种薄板光源，其使用根据权利要求1～9中任何一项的有机电致发光器件。

11.一种段式显示器，其使用根据权利要求1～9中任何一项的有机电致发光器件。

12.一种点矩阵显示器，其使用根据权利要求1～9中任何一项的有机电致发光器件作为背光。

13.一种液晶显示器，其使用根据权利要求1～9中任何一项的有机电致发光器件作为背光。