CN1744375B - 连接用基板、连接结构、连接方法和电子仪器 - Google Patents

连接用基板、连接结构、连接方法和电子仪器 Download PDF

Info

Publication number
CN1744375B
CN1744375B CN2005100910402A CN200510091040A CN1744375B CN 1744375 B CN1744375 B CN 1744375B CN 2005100910402 A CN2005100910402 A CN 2005100910402A CN 200510091040 A CN200510091040 A CN 200510091040A CN 1744375 B CN1744375 B CN 1744375B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
conductive part
ground wire
microstrip line
signal wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2005100910402A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1744375A (zh
Inventor
小林知永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1744375A publication Critical patent/CN1744375A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1744375B publication Critical patent/CN1744375B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/70—Coupling devices
    • H01R12/71—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0364—Conductor shape
    • H05K2201/0367—Metallic bump or raised conductor not used as solder bump
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0388—Other aspects of conductors
    • H05K2201/0394—Conductor crossing over a hole in the substrate or a gap between two separate substrate parts
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0388—Other aspects of conductors
    • H05K2201/0397—Tab
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/07—Electric details
    • H05K2201/0707—Shielding
    • H05K2201/0715—Shielding provided by an outer layer of PCB
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09145—Edge details
    • H05K2201/0919—Exposing inner circuit layers or metal planes at the side edge of the PCB or at the walls of large holes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09372—Pads and lands
    • H05K2201/09481—Via in pad; Pad over filled via
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09845—Stepped hole, via, edge, bump or conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/363—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits by soldering

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

连接用基板具有：第一导电部、绝缘层和第二导电部；所述第一导电部和所述第二导电部隔着绝缘层而对向设置；所述第一导电部和所述第二导电部的任意一个的所述导电部的端部设置为从另一个所述导电部的端部和所述绝缘层的端部伸出。

Description

连接用基板、连接结构、连接方法和电子仪器
技术领域
本发明涉及连接用基板、连接结构、连接方法和电子仪器。
背景技术
以往，在把挠性基板连接在液晶面板上的情况下，利用的是：通过电连接形成在挠性基板上的配线与形成于挠性基板的配线所对应的液晶面板上的位置上的电极端子，从而向液晶面板侧传输来自安装在挠性基板上的驱动用IC等的信号的方法。
但是，近几年，由于信息量的增大、处理速度的提高等原因，液晶显示装置等电子仪器有工作频率高频化的倾向，要求大容量且高速传输信号。在这样的状况下，在如上述的、连接形成在挠性基板上的配线与形成在液晶面板上的电极端子的方法中，由于所传输信号的高频化，在挠性基板配线产生因电感器成分等导致的特性阻抗的不匹配，由此存在传输信号劣化的问题。
因此，如上述那样的、作为传输高频信号的方法，广泛利用微带线(micro strip line)、带状线(strip line)。所谓微带线例如是在电路基板的有源面上形成信号线的同时，隔着绝缘层面对信号线地形成全面状的接地线的部件，具有可以设定所希望的阻抗特性的结构。并且，所谓带状线例如是在电路基板内层形成信号线的同时，隔着绝缘层，用全面接地线夹持信号线的结构，具有可以设定所希望的阻抗特性的结构。
作为这种利用带状线的连接结构，已经公开：在带状线的末端部设置使信号线露出的切断部，使该露出的信号线对接于所希望的基板，以连接带状线与基板的结构(例如，特开平6-325836号公报)。
然而，在特开平6-325836号公报中所公开的连接结构中，把构成带状线的信号线连接在所连接的基板的有源面上，把接地线连接在所连接的 基板的背面。因此，在连接工序中，必须对基板的两面进行处理(handling)之后连接上述带状线。并且，在将带状线连接到基板时，必须分别定位带状线的信号线与形成在基板表面的电极端子、接地线和形成在基板背面的电极端子之后进行连接。这样，在特开平6-325836号公报所公开的连接结构中，存在连接工序复杂化的问题。并且，在特开平6-325836号公报所公开的连接结构中，没有考虑微带线、带状线等的基板的表里或形成在基板的不同内层的信号线与β接地线的连接情况，所以在今后信号高速化的情况下，配线的电感器成分会成为问题。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而进行的，其目的在于，提供一种能够简化微带线、层叠线对(stacked pair line)、带状线等的阻抗控制配线与所连接的基板的连接工序和高速传输良好品质信号的连接用基板、连接结构、电光学装置和电子仪器。
为了解决上述问题，本发明提供一种连接用基板，其中具备第一导电部、绝缘层和第二导电部；所述第一导电部和所述第二导电部隔着绝缘层而对向设置；所述第一导电部和所述第二导电部的任意一个的所述导电部的端部设置为从另一个所述导电部的端部和所述绝缘层的端部伸出。
本发明的连接用基板，是具备了第一导电部、第二导电部和这些导电部所夹持的绝缘层的、具有所谓微带线结构的传输介质。并且，上述第一导电部和第二导电部的任意一个导电部作为决定基准电位的导电部发挥功能。
在本发明中，作为第一基板与第二基板的连接机构，利用所谓的微带线。因此，通过调整微带线的第一导电部或第二导电部的任意一个的厚度、宽度和绝缘层厚度，从而可以控制产生在第一导电部或第二导电部的特性阻抗。并且，微带线的第一导电部或第二导电部的任意一个从其他导电部和绝缘层伸出而形成。因此，在连接第一基板与第二基板时，在第一基板的有源面中，微带线的第一导电部或第二导电部中、到信号配线的连接部为止，可以使特性阻抗匹配。由此，可以抑制信号波形的衰减，可以更高速传输良好品质的信号。
另外，本发明提供一种连接用基板，其中具备基板、第一导电部和第二导电部；所述第一导电部和所述第二导电部隔着所述基板而对向设置；所述第一导电部和所述第二导电部的任意一个所述导电部的端部设置为从另一个所述导电部的端部和所述基板的端部伸出。
在本发明中，作为连接第一基板与第二基板的连接机构，使用上述微带线。因此，通过调整微带线的第一导电部或第二导电部任意一个的厚度、宽度和绝缘层厚度，从而可以控制产生在第一导电部或第二导电部的特性阻抗。由此，可以抑制信号波形的衰减，可以更高速传输良好品质的信号。
另外，在本发明中，所述第一导电部和第二导电部的任意一个可以在所述基板上设置成全面状。
根据这样的构成，由于在基板上设为全面状，故没有必要将第一导电部和第二导电部的任意一个形成为例如带状等，可以谋求制造工序的简化。
此外，本发明提供一种连接用基板，其中具备信号配线、绝缘体和接地线；所述信号配线和所述接地线隔着绝缘体而对向设置；所述接地线的端部设置为从所述信号配线的端部和所述绝缘体的端部伸出。
由于将接地线的端部设置为比信号线的端部还延伸，故到伸出设置的接地线的端部为止，可以使由于信号线的电感器成分、电容器成分等产生的特性阻抗匹配。因此，可以抑制由于电感器成分所产生信号波形的衰减，高精细且可以提高信号响应性，其结果是，可以谋求显示质量的提高。
本发明提供一种连接结构，其中具备：第一基板；第二基板；设在所述第二基板的一个面上的第一导电部；在所述第二基板另一个面上，设置为比第一导电部的端部和所述第二基板的端部还要伸出的第二导电部；和设在所述第一基板的有源面上的第一凸部以及高度设置得比所述第一凸部还高的第二凸部；所述第一导电部和所述第一凸部相连接，所述第二导电部和所述第二凸部相连接。
设在第二基板的第二导电部比第一导电部还伸出，设在第一基板或第二基板的导电部的第二凸部的高度设置为比第一凸部还高。因此，在第一基板的有源面上可以同时连接第一导电部和第二导电部等两个导电部。由 此，在连接工序中，通过只处理第二基板的一个面(单面)，从而可以连接在第一基板上。另外，由于在第一基板的一个面上连接第二基板，故把第一和第二导电部分别连接在第一和第二凸部时的定位，与对第一基板的两个面进行的情况相比，变为容易。并且，第二基板的第二导电部形成为比第一导电部和绝缘层更伸出。因此，在连接第一基板与第二基板时，在第一基板的有源面上，到微带线的第二导电部的伸出端部为止，可以使特性阻抗匹配。由此，可以抑制信号波形的衰减，可以更高速传输良好品质的信号。
在本发明中，所述第一凸部和第二凸部的高度也可以形成为近似相等。
根据这样的构成，可以利用同一工序来形成第一凸部和第二凸部。因此，由于制造工序被简化，故可以缩短制造时间且可以降低制造成本。
本发明提供一种连接结构，其中具备：第一基板；第二基板；设在所述第二基板的一个面上的第一导电部；设在所述第二基板的另一个面上的第二导电部；设在所述第一基板的一个面上的第三导电部；设在所述第三导电部的上表面的绝缘层；设在所述绝缘层的上表面的第四导电部；形成于所述第一基板(111)比所述绝缘层更伸出的区域内的所述第三导电部上的第一凸部；和形成于所述第四导电部上的第二凸部；所述第一导电部和所述第一凸部相连接，通过填充在所述第二基板的厚度方向的通孔中的导电体，电连接所述第二导电部与所述第二凸部，所述第三导电部连接所述第二基板上设置的所述第一导电部，所述第四导电部连接所述第二基板上设置的所述第二导电部。
根据这样的构成，由于没有必要把第二基板的第一导电部和第二导电部的任意一个伸出而形成，故制造工序变为容易。并且，由于通过填充在第二基板厚度方向的通孔中的导电体来连接第二导电部与第二凸部，故在第一基板的有源面上，可以同时连接第一导电部和第二导电部等两个导电部。由此，在连接工序中，通过只处理第二基板的一个面(单面)，从而可以连接在第一基板上。并且，由于第二基板的第二导电部比第一导电部伸出，故到第二基板的第二导电部为止，可以使由于电感器成分、电容器成分等产生的特性阻抗匹配。因此，可以抑制：由于特性阻抗不匹配所引 起的向第二基板一侧供给的规定信号的信号波形的衰减。其结果是，可以更高速传输良好品质的信号，可以以更精细且高亮度来谋求显示质量的提高。
根据这样的构成，可以将连接第一基板与第二基板的两个配线做成所谓具有微带线结构的配线。因此，到第一基板的第三和第四导电部所连接的电子零件为止，都可以使由第一基板的第三导电部和第四导电部、第二基板的第一导电部和第二导电部的电感成分、电容器成分等引起的特性阻抗匹配。因此，和利用只在第二基板侧具有微带线结构的配线的情况相比，可以更高速传输良好品质的信号，可以提供已经提高显示质量的电光学装置。
本发明可以在所述第一基板上层叠多个连接用基板。
根据这样的构成，即使在层叠了多个上述连接用基板的情况下，微带线的第一导电部或第二导电部的任意一个也比另一个和绝缘层伸出而形成。因此，到伸出的导电部端部为止都可以使特性阻抗匹配。由此，可以抑制信号波形的衰减，可以更高速传输良好品质的信号。
进而，本发明提供一种连接方法，其中包括：在第二基板的一个面上设置第一导电部的工序；在所述第二基板的另一个面上设置比第一导电部和所述第二基板的端部还要伸出的第二导电部的工序；在所述第一基板的有源面上设置第一凸部以及高度比第一凸部还高的第二凸部的工序；和连接所述第一导电部与所述第一凸部，连接所述第二导电部与所述第二凸部的工序。
根据这样的连接方法，在连接工序中，只处理第二基板的一个面(单面)就可以连接到第一基板。并且，由于第二基板连接在第一基板的一个面(单面)上，故和连接到第一基板的两个面的情况相比，连接时的定位变为容易。并且，到第一基板上伸出而设置的第二基板的第一或第二导电部端部为止，都可以使由第一或第二导电部的电感器成分、电容器成分引起的特性阻抗匹配。因此，可以抑制从第二基板侧供给的规定信号因上述电感器成分而产生的规定信号波形的衰减。其结果是，可以更高速传输良好品质的信号，可以谋求显示质量的提高。
本发明是具备上述连接结构的电光学装置。另外，本发明是具备上述电光学装置的电子仪器。根据本发明，可以更精细且以高亮度提供显示质 量优越的电光学装置和电子仪器。
附图说明
图1是示意性表示本发明的液晶显示装置的立体图。
图2A、B是表示第一实施方式的微带线的结构的图。
图3A、B是表示该微带线与TFT阵列基板的连接结构的平面图和剖面图。
图4是表示微带线的形成方法的平面图。
图5A、B是表示第二实施方式的微带线与TFT阵列基板的连接结构的平面图和剖面图。
图6A、B是表示第三实施方式的微带线与TFT阵列基板的连接结构的平面图和剖面图。
图7A、B是表示第四实施方式的微带线的结构的图。
图8A、B是表示该微带线与TFT阵列基板的连接结构的平面图和剖面图。
图9是表示第五实施方式的多个微带线与TFT阵列基板的连接结构的剖面图。
图10是表示该连接结构的各层的剖面结构的图。
图11是表示第六实施方式的微带线彼此之间的连接结构的剖面图。
图12是表示第六实施方式的变形例的微带线彼此之间的连接结构的剖面图。
图13是表示本发明的电子仪器一例的立体图。
具体实施方式
下面参照附图，说明本发明的实施方式。另外，下面的说明中所利用的各图中，为了使每一个部件变为认识可能的大小，适当改变每一个部件的比例。
【第一实施方式(液晶显示装置)】
图1是示意性表示本实施方式的液晶显示装置100的构成的立体图。如图1所示，液晶显示装置100备有：液晶面板110、连接在该液晶面板 110上的挠性基板123(第二基板)。
液晶面板110备有：形成多个开关元件和配线(省略图示)的TFT阵列基板111(第一基板)、与TFT阵列基板111对向配置的对向基板112。并且，在TFT阵列基板111与对向基板112之间封入有液晶(省略图示)。
TFT阵列基板111使用比对向基板112还大的基板，在对向配置TFT阵列基板111与对向基板112的情况下，以TFT阵列基板111的边缘部位向外伸出的方式进行粘贴。在本实施方式中，将该TFT阵列基板111的伸出区域设为伸出区域114。
在TFT阵列基板111上形成有作为开关元件的多个TFT、连接TFT的像素电极等。上述TFT连接在扫描线等配线上，这些配线被伸出区域114包围而形成。并且，这些配线通过形成在伸出区域114上的多个突起状电极(省略图示)而连接着挠性基板123。
挠性基板123通过无铅焊锡(lead free soldering)、各向异性导电膜(Anisotropic Conductive Film：以下称ACF)，连接着阵列基板111的伸出区域114。具体地，形成在挠性基板123上的微带线10与TFT阵列基板111的微带线10所对应的位置上形成的突起状电极电连接。并且，在挠性基板123上安装有作为电子零件的IC或LSI等液晶驱动用元件35。在本实施方式中，为了与后面要叙述的微带线10连接，如图1所示，液晶驱动用元件35安装在挠性基板123的背面。这样，从液晶驱动用元件35通过微带线10，控制信号、映像信号等规定信号向形成在TFT阵列基板111的配线供给，液晶驱动用的驱动信号向每一个像素输出。
(微带线的结构)
下面，参照图2A、B，说明本实施方式的微带线10的结构。图2A是表示本实施方式的微带线10的结构的立体图。另外，图2B是图2A的沿A-A′线的剖面图。另外，在下面的说明中，把微带线10与TFT阵列基板111的连接侧单纯作为连接侧或端部来说明。
如图2A所示，微带线10具备：接地线12；相对该接地线12配置形成的信号线14(第一导电部)；被接地线12(第二导电部)与信号线14夹持的绝缘层16。
绝缘层16在本实施方式中构成挠性基板123。构成该挠性基板123 的绝缘层16由使用了聚酰亚胺的聚酰亚胺薄膜构成，成为能够弯曲的、具有柔软性的印刷基板。这样，微带线10形成在挠性基板123与TFT阵列基板111的连接侧的一端部上。
接地线12是决定基准电位的配线，在作为挠性基板123的绝缘层16的上表面，在图1所示的挠性基板123的连接侧形成为全面状。具体地，上述接地线12薄薄地形成为矩形，例如以接地线12的厚度比所传输信号的波长还小的形态形成。
并且，如图2A、B所示，接地线12与TFT阵列基板111的连接侧的一端部形成为比信号线14和绝缘层16的连接侧的端部还要伸出。在此，信号线14的伸出长度优选为500μm以下。
信号线14在作为挠性基板123的绝缘层16的下表面，与上述接地线12相对向，沿着图2A所示的微带线10的俯视图的短边方向，多个形成为带状。该信号线14和上述接地线12同样，形成为细且薄的线状，接地线12的厚度和宽度以比所传输的信号波长还小的形态形成。并且，信号线14和上述绝缘层16，端部几乎重叠地形成，成为使形成为全面状的接地线12从绝缘层16和信号线14的端部伸出的结构。另外，信号线14将从安装在挠性基板123上液晶驱动用元件35输出的高频信号供给到TFT阵列基板111。另一方面，信号线14的另一个端部连接在挠性基板123背面安装的液晶驱动用元件35的连接端子部上。
根据本实施方式，作为挠性基板123与TFT阵列基板111的连接机构，使用上述微带线10。因此，通过考虑微带线10的信号线14的厚度、宽度和绝缘层16的厚度，从而可以控制产生在信号线14上的特性阻抗。
另外，由于接地线12在挠性基板123的上表面上形成为全面状，故如后面要叙述的实施方式所述，没有必要使接地线12形成为带状，可以谋求制造工序的简化。
(微带线(挠性基板)与TFT阵列基板的连接结构)
图3A、B是表示上述图1所示的虚线部分的放大图。另外，在下面的说明中，详细说明微带线与TFT阵列基板之间的连接结构，省略其他的、形成在TFT阵列基板上的配线等的说明。
图3A是从上表面表示挠性基板与TFT阵列基板之间的连接部分的放 大图。图3B是图3A、B的沿D-D′线的剖面图。
如图3A所示，在TFT阵列基板111的伸出区域114中，对应所连接微带线10的信号线14的端部位置，形成有多个信号线用突起状电极30。并且，对应微带线10的接地线12的端部位置，形成有多个接地线用突起状电极28。这些每一个突起状电极各自对应于形成为带状的接地线12和信号线14的每一个，沿着伸出区域114的连接一侧的长边而形成。并且，接地线用突起状电极28和信号线用突起状电极30以相互不接触的方式，在接地线12从信号线14伸出的距离范围内，空开间隔而形成。
上述接地线用突起状电极28由接地线用电极端子24和接地线用突起18(第二凸部)构成，同样，信号线用突起状电极30由信号线用电极端子26和信号线用突起20(第一凸部)构成。接地线用电极端子24和信号线用电极端子26由Al等金属构成。另外，信号线用突起20和接地线用突起18由Au、Cu、焊锡、Ni等金属形成为半球状。此外，上述接地线用突起18和信号线用突起20不限于半球状，也可以应用圆锥台形状、角锥台形状、圆柱状、角柱状等各种形状。
本实施方式中的特征点是，接地线用突起18是高于信号线用突起20的高度而形成的点。具体地，接地线用突起18形成为使信号线用突起20、信号线14和绝缘层16的各自高度加在一起的程度。这样，通过形成接地线用突起18，从而在TFT阵列基板111的伸出区域中，可以将微带线10的接地线12和信号线14同时连接在TFT阵列基板111的伸出区域上。
如图3A、B所示，形成在挠性基板123上的微带线10连接着TFT阵列基板111的伸出区域114。具体地，微带线10的伸出而形成的接地线12电连接着形成在伸出区域114上的接地线用突起状电极28。同样，微带线10的信号线14电连接着形成于伸出区域114的信号线用突起状电极30。微带线10与突起状电极的连接优选通过使用ACF、NCP(非导电性胶)或设在突起状电极前端部的无铅焊锡来电连接。
另外，在本实施方式中也优选：上述接地线用突起18形成在接地线12的连接侧端部的下表面(连接面)，利用上述接合材料而与形成在TFT阵列基板111上的接地线用电极端子24进行电连接。同样，也优选将上述信号线用突起20形成在信号线14的连接侧端部的下表面(连接面)， 利用上述接合材料而与形成在TFT阵列基板111的信号线用电极端子26进行电连接。
在使用如上所说明的微带线10而连接到TFT阵列基板111的伸出区域114的情况下，如图3A、B所示，形成为全面状的多个接地线12成为相对挠性基板123的连接侧的边向垂直方向伸出的结构。
根据本实施方式，形成为：形成在挠性基板123上的接地线12比信号线14还要伸出，形成在TFT阵列基板111上的接地线用突起18比信号线用突起20还要高。因此，在TFT阵列基板111的有源面上可以同时连接接地线12和信号线14等两个配线。由此，在连接工序中，通过只处理挠性基板123的有源面(单面)，从而可以连接到TFT阵列基板111上。
另外，在TFT阵列基板111的有源面(单面)上连接着挠性基板123。因此，和对TFT阵列基板111的两面进行定位相比，把接地线12和信号线14分别连接到TFT阵列基板111的接地线用突起状电极28和信号线用突起状电极30时的定位，变为容易。
并且，挠性基板123的接地线12比信号线14和绝缘层16还要伸出而形成。因此，在连接挠性基板123和TFT阵列基板111时，在TFT阵列基板111的有源面上，到微带线10的接地线12伸出的端部为止，都可以使由信号线14的电感器成分、电容成分等产生的特性阻抗匹配。由此，可以抑制信号波形的衰减，可以更高速传输良好品质的信号。
(微带线与TFT阵列基板的连接方法)
下面，首先说明接地线用突起18和信号线用突起20的形成方法。
首先，为了提高表面的湿润性和除去残留，把用Al形成的接地线用焊盘和信号线用焊盘浸渍在处理液中。其次，浸渍在加热到规定温度的氢氧化钠基体的碱性水溶液中，除去表面的氧化膜。接着，浸渍在含有ZnO的锌酸盐溶液中，把用Al形成的接地线用焊盘和信号线用焊盘表面置换为Zn。然后，把接地线用焊盘和信号线用焊盘浸渍在硝酸水溶液中，以剥离Zn。然后，再度浸渍在锌酸盐浴中，使致密的Zn粒子析出在Al表面上。接着，浸渍在无电解Ni电镀浴中，形成Ni电镀。此时，接地线用突起18以比信号线用突起20还高的形态形成。作为该接地线用突起18和信号线用突起20的形成方法，例如有：使信号线用突起20和接地线用 突起18某一时间成长，然后利用电镀抗蚀剂等，在信号配线用突起上涂敷抗蚀剂，只使接地线用突起18成长的方法。这样，以比作为挠性基板123的绝缘层16、形成在该绝缘层16下表面的信号线14和信号线用突起20的每一个高度还高的形态形成。
最后，把上述接地线用突起18和信号线用突起20浸渍在置换Au电镀浴中，使上述突起的Ni表面变为Au。这样，在由Al形成的接地线用焊盘和信号线用焊盘上，形成Ni-Au突起(接地线用突起18和信号线用突起20)。另外，也优选在Ni-Au电镀突起上利用网板印刷或浸渍法(dipping)等来形成无铅焊锡。
接着，参照图4说明微带线10的形成方法。
图4是表示使微带线10的接地线12从信号线14等伸出而形成的方法的图。
首先，如图4所示，准备已经形成矩形开口部8的挠性基板123。例如，该形成在挠性基板123上的开口部8由比接地线12的短边的长度还长地形成的长边8a、比使接地线12伸出的长度还长地形成的短边8b构成。
其次，在上述挠性基板123的上表面上粘贴铜箔。该铜箔的厚度例如为18μm～35μm左右。此时，铜箔以从形成在挠性基板123的开口部8的长边(图4中的左边)伸出铜箔的前端部的形态粘贴。该铜箔的伸出粘贴的前端部对应于上述接地线12的伸出部分。
接着，在粘贴在挠性基板123上的铜箔的整个面上涂敷光致抗蚀剂之后，利用光刻法进行曝光、显影而使铜箔图案化为规定形状。在本实施方式中，将上述铜箔图案化为全面状，以形成接地线12。
同样，在挠性基板123的下表面粘贴铜箔。此时，铜箔的边12a以不从形成在挠性基板123上的开口部8的长边8a(图4中的左边)露出的形态粘贴在挠性基板123上。然后，利用光刻法对粘贴完的铜箔进行曝光、显影，以图案化为带状。这样，通过将上述铜箔图案化为带状，从在挠性基板123的下表面上形成线状的信号线14(在图4中省略图示)。
接着，如图4所示，以形成在上述挠性基板123上表面的接地线12比绝缘层16和信号线14的TFT阵列基板111侧的端部还伸出的形态，沿着图中的点划线，切断挠性基板123。由此，接地线12可以比绝缘层16 和信号线14的端部还伸出。
以上，利用所说明的工序，形成本实施方式的微带线10。
接着，利用接合装置(省略图示)，把通过上述工序形成的挠性基板123的微带线10连接在TFT阵列基板111上。在此，安装在接合装置中的头备有真空吸附机构和加热机构等。
接合装置吸附保持上述挠性基板123，并使挠性基板123移动到形成在TFT阵列基板111的伸出区域114中的突起状电极为止。然后，使微带线10相对形成在伸出区域114中的突起状电极进行定位之后，进行连接，进行加热、加压。在此，作为接合材料，如上所述，可以适当利用接地线用突起18和信号线用突起20上形成的无铅焊锡、或ACF、ACP(各向异性导电胶)以及其他粘接材料。
由此，可以电连接挠性基板123的伸出而形成的接地线12与比TFT阵列基板111的信号线用突起电极还高地形成的接地线用突起电极，同样，可以电连接信号线14与TFT阵列基板111的信号线用突起电极。
另外，在上述微带线10与TFT阵列基板111的连接中，也可以应用Au-Au、Au-Sn等金属接合。在电极中设置这些材料，只施加压力、加热、超声波振动，或施加超声波振动和这些的组合来接合两者。如果两者被接合，则利用震动或热，使设在电极中的材料扩散而形成金属接合。
【第二实施方式】
下面，参照图5A、B说明本实施方式。
在上述第一实施方式中，伸出形成微带线10的接地线12，并且，使比信号线用突起状电极30还高地形成的接地线用突起状电极28形成在TFT阵列基板111的伸出区域114或形挠性基板123一侧的接地线12、信号线14上，电连接这些。与此相对，在本实施方式中，不同点在于：在对应于接地线12的端部位置的绝缘层16上，从接地线12向信号线14形成通孔(via)，与形成在TFT阵列基板111上的接地线用突起状电极28电连接。另外，其他的微带线10的基本构成和上述第一实施方式同样，对共同的构成要素附以相同的符号，省略其详细的说明。
图5A是从上表面表示挠性基板与TFT阵列基板的连接部分的放大 图。图5B是沿图5A的C-C′线的剖面图。
如图5A、B所示，微带线10的接地线12、信号线14和被这些夹持的绝缘层16，以TFT阵列基板111侧的端部重叠的形态形成。并且，如图5B所示，形成在绝缘层16下表面的信号线14比接地线12和绝缘层16的端部还短，以使绝缘层16的下表面端部露出的形态形成。在绝缘层16的露出部分中，形成有转接接地线12和接地线用突起18的转接层13。信号线14和转接层13空开间隔而形成，以绝缘信号线14与转接层13的形态进行图案形成。另外，在形成上述转接层13时，通过在转接层13和信号线14中空出间隙部并进行图案化而形成信号线14的连接侧端部。
在被转接层13与接地线12夹持的绝缘层16中，从接地线12侧向信号线14形成具有规定纵深比的通孔22。在该通孔22的内部，利用电解电镀法，充填Cu、Au等导电材料，以电连接接地线12与转接层13。
如图5A、B所示，具有这样结构的微带线10连接在TFT阵列基板111的伸出区域114上。具体地，微带线10的伸出而形成的接地线12通过形成在绝缘层16中的通孔22和转接层13，电连接形成在伸出区域114中的接地线用突起状电极28。同样，微带线10的信号线14电连接形成在伸出区域114中的信号线用突起状电极30。
根据本实施方式，把挠性基板123的信号线14分割为接地线12的转接层13和信号线14来形成。由此，可以利用光刻法把接地线12分割为转接层13和信号线14来进行图案化。因此，与上述的使挠性基板123的接地线12伸出而形成的情况相比，制造工序变得容易。
并且，由于挠性基板123的接地线12比信号线14还要伸出，故到连接侧的接地线12的端部为止，都可以使由电感器成分、电容器成分等导致的特性阻抗匹配。
【第三实施方式】
下面，参照图6A、B说明本实施方式。
在上述第一和第二实施方式中，连接挠性基板123与TFT阵列基板111时，连接了形成在挠性基板123侧的微带线10与连接到TFT阵列基板111侧的配线的电极端子。与此相对，在本实施方式中，其不同点在于： 对于TFT阵列基板111侧的配线也使用微带线38。另外，微带线10的基本构成和第二实施方式同样，所以对共同的构成要素附以相同的符号，省略其详细的说明。
图6A是从上表面表示挠性基板与TFT阵列基板的连接部分的放大图。图6B是沿图6A的E-E′线的剖面图。
如图6A、B所示，构成TFT阵列基板111侧的微带线38的接地线32(第四导电部)，在TFT阵列基板111的有源面的伸出区域114中形成为全面状。并且，信号线34(第三导电部)在TFT阵列基板111的有源面的伸出区域114中，沿着伸出区域114的短边方向，以带状形成有多个。
接地线32形成在绝缘层36的上表面，信号线34形成在绝缘层36的下表面，信号线34的下表面与TFT阵列基板111的有源面连接。并且，TFT阵列基板111侧的微带线38的接地线32和信号线34以重叠于挠性基板123侧的微带线10的接地线12和信号线14各个位置的形态来形成。并且，和上述的第一实施方式不同，挠性基板123侧的微带线38的信号线34比绝缘层36和接地线32的连接侧端部还要伸出地形成。
如图6B所示，在微带线38的接地线32的连接侧的端部上，形成有接地线用突起18。并且，在信号线34的连接侧的端部上，以成为和形成接地线用突起18的位置高度相等的形态，形成有信号线用突起20。具体地，信号线用突起20的高度是把微带线38的绝缘层36、接地线32和形成在接地线32上的接地线用突起18的各个厚度加在一起程度的高度。
另外，如上所述，接地线用突起18和信号线用突起20各自形成在挠性基板123侧形成的微带线10的接地线12和信号线14上为好。并且，也可能是，把图6A、B所示的接地线12、32作为信号线、把信号线14、34作为接地线。
具有这样结构的TFT阵列基板111侧的微带线38电连接在所连接挠性基板123上形成的微带线10上。具体地，如图6A、B所示，挠性基板123侧的微带线10的接地线12通过形成在绝缘层16上的通孔22，电连接着形成在TFT阵列基板111上的接地线用突起18。同样，微带线10的信号线14通过形成在伸出区域114中的信号线用突起20，电连接着TFT阵列基板111侧的微带线38的信号线34。
根据本实施方式，可以利用微带线10、38连接TFT阵列基板111与挠性基板123。因此，从挠性基板123的微带线10到TFT阵列基板111一侧的微带线38为止，可以使特性阻抗匹配。因此，和只是在挠性基板123侧利用微带线10的情况相比，由于在TFT阵列基板111侧也利用了微带线38，所以可以更高速传输良好品质的信号。
并且，在挠性基板123侧利用了接地线12伸出的微带线10，在TFT阵列基板111侧利用了信号线14伸出的微带线38。因此，在TFT阵列基板111的有源面上可以同时连接微带线10和接地线12。
【第四实施方式】
下面，参照图7A、B说明本实施方式。
在上述第一～第三实施方式中，使形成在挠性基板123上的接地线12形成为全面状。与此相对，在本实施方式中，不同点在于：使形成在挠性基板123的接地线12形成为带状。另外，微带线10的基本构成和上述第一～第三实施方式同样，所以对共同的构成要素附以相同的符号，省略其详细的说明。
(微带线的结构)
下面，参照图7A、B说明本实施方式的微带线10。图7A是表示本实施方式的微带线10的结构的立体图。另外，图7B是图7A的沿着A-A′线的剖面图。另外，在下面的说明中，将微带线10与TFT阵列基板111的连接侧单纯作为连接侧或端部来说明。
如图7A所示，微带线10具备：接地线12；与该接地线12相对向配置形成的信号线14(第一导电部)；被接地线12(第二导电部)与信号线14夹持的绝缘层16。
在本实施方式中，接地线12是决定基准电位的配线，在作为挠性基板123的绝缘层16的上表面，沿着图7A所示的微带线10的俯视图的短边方向，以带状形成有多个。该接地线12形成为细且薄的线状，接地线12的厚度和宽度形成为比所传输的信号波长还小。
并且，如图7A、B所示，接地线12与TFT阵列基板111的连接侧的一个端部比信号线14和绝缘层16的连接侧端部更伸出地形成。在此，信 号线14的伸出长度优选为500μm以下。另一方面，接地线12的另一端部连接着安装在图1所示的挠性基板123背面的液晶驱动用元件35的连接端子。
根据本实施方式，作为连接挠性基板123与TFT阵列基板111的连接机构，使用上述微带线10。因此，通过考虑微带线10的信号线14的厚度、宽度和绝缘层16的厚度，从而可以控制产生在信号线14上的特性阻抗。
(微带线(挠性基板)与TFT阵列基板之间的连接结构)
图8A、B是上述图7A、B所示的虚线部分的放大图。另外，在下面的说明中，详细说明微带线与TFT阵列基板的连接结构，省略其他形成在TFT阵列基板上的配线的说明。并且，由于信号线用突起状电极是和上述第一～第三实施方式相同的构成要素，故省略其说明。
图8A是从上表面表示挠性基板与TFT阵列基板的连接部分的放大图。图8B是沿图8A、B的B-B′线的剖面图。
如图8A所示，在TFT阵列基板111的伸出区域114中，对应于所连接的微带线10的接地线12的端部位置，形成有多个接地线用突起状电极28。该接地线用突起状电极28各自对应于形成为带状的接地线12的每一个，沿着伸出区域114的连接侧的长边而形成。并且，接地线用突起状电极28和信号线用突起状电极30以互相不接触的方式，在接地线12从信号线14伸出的距离范围内，空开间隔形成。
上述接地线用突起状电极28由接地线用电极端子24和接地线用突起18(第二突起)构成。接地线用电极端子24由Al等金属形成。另外，接地线用突起18由Au、Cu等金属形成为半球状。此外，上述接地线用突起18不限于半球状，也可以应用圆锥台形状、角锥台形状、圆柱状、角柱状等各种形状。
在本实施方式中，特征点在于：接地线用突起18形成得比信号线用突起20的高度还高。具体地，接地线用突起18形成为将信号线用突起20、信号线14和绝缘层16各自高度加在一起的高度程度。这样，通过形成接地线用突起18，从而在TFT阵列基板111的伸出区域，把微带线10的接地线12与信号线14同时连接在TFT阵列基板111的伸出区域上。
如图8A、B所示，形成在挠性基板123上的微带线10连接在TFT阵 列基板111的伸出区域114上。具体地，微带线10的伸出形成的接地线12电连接着伸出区域114上形成的接地线用突起状电极28。同样，微带线10的信号线14电连接着伸出区域114上形成的信号线用突起状电极30。微带线10与突起状电极的连接优选通过利用ACF或设在突起状电极前端部的无铅焊锡等来进行电连接。
在使用以上所说明的微带线10，连接到TFT阵列基板111的伸出区域114的情况下，如图8A、B所示，形成为带状的多个接地线12成为相对于挠性基板123的连接侧的边、向垂直方向伸出的结构。
根据本实施方式，在连接了挠性基板123与TFT阵列基板111时，在TFT阵列基板111的有源面上，到微带线10的接地线12的伸出端部为止，都可以使由信号线14的电感器成分、电容器成分导致的特性阻抗匹配。由此，可以抑制信号波形的衰减，可以更高速传输良好品质的信号。
另外，本实施方式的、将接地线12形成为带状的微带线10也可以应用在上述第二实施方式或第三实施方式中。
【第五实施方式】
下面，参照附图说明本实施方式。
图9是表示多层微带线与挠性基板的连接结构的剖面图。另外，图10(a)～(d)是图9所示的多层挠性基板的剖面图，详细地，图10(a)是沿着图9的F-F′线的剖面图，图10(b)是沿着图9的G-G′线的剖面图，图10(c)是沿着图9的H-H′线的剖面图，图10(d)是沿着图9的I-I′线的剖面图。另外，在本实施方式中，说明层叠了三层微带线的情况，把第一层的微带线称为第一微带线80，把第二层的微带线称为第二微带线82，把第三层的微带线称为第三微带线84。
如图9所示，在构成第一微带线80的绝缘层53的上表面形成接地线54，同时在下表面形成信号线52。接地线54比绝缘层的端部53a和信号线的端部52a还要伸出地形成。
在第一微带线80上层叠着第二微带线82。第二微带线82的绝缘层55以绝缘层的端部55a位于第一微带线80的绝缘层的端部53a上的形态来层叠。在该绝缘层55的上表面形成信号线56，同时在下表面形成接地 线54。信号线56形成为比接地线的端部54a和绝缘层的端部55a还要伸出。另外，第二微带线82的接地线54利用和第一微带线80的接地线54共同的接地线。
并且，在第二微带线82上层叠着第三微带线84。第三微带线84的绝缘层57以绝缘层的端部57a位于第二微带线82的绝缘层的端部55a上的形态来层叠。在第三微带线84的绝缘层57的上表面上形成接地线58，同时在下表面，形成信号线56。接地线58形成为比信号线56的端部56a和绝缘层端部57a还要伸出。另外，第三微带线84的信号线56利用和第二微带线82的信号线56共同的信号线。并且，也可以在第三微带线84的绝缘层57的上表面形成信号线，在下表面形成接地线。该情况下，第三层不构成微带线结构。
上述第一层、第二层和第三层的微带线80、82、84安装在由三层构成的挠性基板上，并与每一个挠性基板的配线电连接。下面，说明挠性基板的剖面结构。另外，将对应于第一微带线80的第一层挠性基板称为第一挠性基板60，将对应于第二微带线82的第二层挠性基板称为第二挠性基板62，将对应于第三微带线84的第三层挠性基板称为第三挠性基板64。
在连接第一微带线80的第一挠性基板60的上表面形成信号线50，同时在下表面形成接地线61。如图10(a)所示，以和其他转接层不接触的方式，信号线50形成为围到第一微带线80的信号线端部52a为止。另外，在本实施方式中，信号线50的前端部50a是在俯视图上为圆形的信号线用电极端子。在第一挠性基板60的信号线50上，如图9所示形成有信号线用突起51。由此，通过信号线用突起51电连接第一微带线80的信号线52与第一挠性基板60的信号线50。
如图10(b)所示，第一挠性基板60的接地线61在挠性基板60的下表面形成为全面状。在对应于第一微带线80的接地线端部54a的挠性基板60上表面的位置形成有转接层66。如图9和图10(b)所示，该转接层66和上述信号线50同层，利用相同材料、同一工序，形成为俯视的圆形。在转接层66上，形成比上述信号线用突起51还凸出的接地线用突起67，在转接层66的下层形成贯通挠性基板60的通孔72。由此，通过接地线用突起67、转接层66和通孔72，电连接第一微带线80的接地线54与 挠性基板60的接地线61。
在第二微带线82所连接的第二挠性基板62的上表面形成接地线61，同时在下表面形成信号线63。另外，第二挠性基板62的接地线61利用和第一挠性基板60的接地线61共同的接地线。
如图10(c)所示，以不和其他转接层接触的方式，信号线63形成为围到第二微带线82的信号线端部56a为止。另外，在本实施方式中，信号线的前端部63a成为在俯视图上为圆形的信号线用电极端子。
在对应于第二微带线82的信号线端部56a的挠性基板60上的位置上，形成有第一转接层68。如图9和图10(b)所示，该第一转接层68和上述信号线50同层，利用相同材料、同一工序形成为俯视的圆形。在第一转接层68上，形成比上述接地线用突起67还凸出的信号线用突起69，在第一转接层70的下层形成贯通第一挠性基板60的第一通孔73。并且，如图9所示，和第二挠性基板62的接地线61同层，形成第二转接层74，在对应于第二转接层74的下层，形成有贯通第二挠性基板62的第二通孔81。如图10(b)所示，第二转接层74在形成为全面状的接地线61的一部分上，形成为俯视的圆形。并且，在第二转接层74的外围形成环状贯通接地线61的空隙部，以确保第二转接层74与接地线61之间的绝缘性。由此，通过信号线用突起69、第一转接层68、第一通孔73、第二转接层74和第二通孔81，电连接第二微带线82的信号线56与第二挠性基板62的信号线63。
在连接第三微带线84的第三挠性基板64的上表面上形成信号线63，同时在下表面形成接地线65。另外，第三挠性基板64的信号线63利用和第二挠性基板62的信号线63共同的接地线。
如图10(d)所示，第三挠性基板64的接地线65是在挠性基板64的下表面形成为全面状。在对应于第三微带线84的接地线端部58a的第一挠性基板60上的位置，形成有第一转接层70。如图10(a)所示，该第一转接层70和上述信号线50同层，利用相同材料、同一工序来形成俯视的圆形。在第一转接层70上形成比上述信号线用突起69还高的接地线用突起71，在第一转接层70下层形成贯通第一挠性基板60的第一通孔75。另外，如图10(b)所示，在和第二接地线61相同的层中，形成第二转接层76，在第二转接层76的下层形成有贯通第二挠性基板62的第二通孔81。如图10(b)所示，第二转接层76在形成为全面状的接地线61的一部分上，形成为俯视的圆形。并且，在第二转接层76的外围，形成环状贯通接地线61的空隙部，以确保第二转接层76与接地线61的绝缘性。进一步，如图10(c)所示，和第二挠性基板62的信号线63同层，以不接触信号线63的形态，形成俯视图上为圆形的第三转接层，在第三转接层77的下层形成贯通第三挠性基板的第三通孔78。由此，通过接地线用突起71、第一转接层70、第一通孔75、第二转接层76、第二通孔81、第三转接层77和第三通孔78，电连接第三微带线84的接地线58与第三挠性基板64的接地线65。
根据本实施方式，即使在层叠了多层微带线的情况下，通过使每一个微带线的接地线伸出，从而到每一个微带线的接地线伸出的端部为止，都可以使由信号线的电感器成分、电容器成分而导致的特性阻抗匹配。由此，可以抑制信号波形的衰减，可以更高速传输良好品质的信号。
【第六实施方式】
图11是表示连接微带线10、38彼此的情况的剖面结构的图。
上面的微带线10由形成为全面状的绝缘层16、形成在绝缘层16下表面的信号线14、形成在绝缘层16上表面的接地线12构成。信号线14形成为比绝缘层端部16a和信号线的端部14a还要伸出。
下面的微带线38和上述微带线10同样，由形成为全面状的绝缘层36、形成在绝缘层36上表面的接地线32、形成在绝缘层36下表面的信号线34构成。在对应于微带线10的信号线端部14a的绝缘层36上的位置，形成转接层26。在转接层26上形成信号线用突起20，在转接层26的下层形成有贯通绝缘层36的通孔22。由此，通过信号线用突起20、转接层26、和通孔22，电连接上面的微带线10的信号线14与下面的微带线38的信号线22。
下面的微带线38的接地线32形成为围到微带线10的接地线端部12a对应的位置为止。并且，在接地线32上，形成有比信号线用突起20还凸出的接地线用突起18。由此，通过接地线用突起18，电连接上面的微带 线10的接地线12与下面的微带线38的接地线32。
如本实施方式所述，即使在互相彼此连接微带线的情况下，通过使微带线10的接地线12伸出，从而到微带线10的接地线12的伸出端部为止，也可以使由信号线14的电感器成分、电容器成分产生的特性阻抗匹配。由此，可以抑制信号波形的衰减，可以更高速传输良好品质的信号。
【第六实施方式的变形例】
下面，参照附图说明本实施方式的变形例。
另外，微带线的基本构成和上述第六实施方式相同，对共同的构成要素附以相同的符号，省略其详细的说明。
图12是表示彼此连接了微带线10、38的情况下的剖面结构的图。
在本实施方式中，形成为：在下面微带线38的接地线32上形成的接地线用突起18的高度近似等于在转接层26上形成的信号线用突起20的高度。由于转接层26的高度和形成在同一层的接地线32的高度近似相等，故转接层26和接地线用突起18加在一起的高度近似等于接地线34和信号线用突起20加在一起的高度。并且，由于接地线用突起18和信号线用突起20形成为近似相等的高度，故可以利用通常的基板形成工序来同时形成。另外，也可以利用焊锡胶来替代上述接地线用突起18和信号线用突起20。
在本实施方式中，和上述实施方式不同，接地线32上表面的高度低于微带线10的上表面的高度。因此，在连接微带线10的接地线12与微带线38的接地线32的情况下，如图12所示，使微带线10的接地线12向垂直方向弯曲。由此，可以电连接接地线12与接地线32。
根据本实施方式，即使在使微带线10的接地线12弯曲伸出的情况下，到微带线10的接地线12的伸出端部为止，都可以使由信号线14的电感器成分、电容器成分导致的特性阻抗匹配。由此，可以抑制信号波形的衰减，可以更高速传输良好品质的信号。
另外，在本实施方式中，说明了互相连接微带线10、38彼此的情况，但也可以应用在微带线10、38的任意一个利用上述挠性基板的情况中。
【电子仪器】
下面，说明：利用具有上述结构的微带线10，连接了挠性基板123与TFT阵列基板111的电子仪器一例的液晶显示装置。图13是示意性表示液晶显示装置的立体图。上述微带线10配置在液晶显示装置1200的框体内部。在图13中，符号1201表示显示部、符号1202表示液晶显示装置主体、符号1203表示扬声器。通过利用上述微带线10，从而可以更高速传输良好品质的信号，可以提供显示质量优越的液晶显示装置。
另外，具有上述结构的微带线10也可以应用在液晶显示装置以外的各种电子仪器中。例如，也可以应用在液晶投影仪、多媒体对应的个人用电子计算机(PC)和工程师工作站(EWS)、寻呼机、文字处理器、取景器型或监视器直观型磁带录像机、电子记事本、电子计算器、汽车导航装置、POS终端、具备触模面板的装置等电子仪器中。
另外，本发明的技术范围并未限定于上述实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内，包含在上述实施方式中加入了各种变更的内容。
例如，在上述第一和第二实施方式中，以使微带线10的接地线12从绝缘层16和信号线14伸出的方式形成。与此相对，也优选以使信号线14从绝缘层16和接地线12的端部伸出的形态来形成。根据这样的构成，到接地线12的端部为止，都可以谋求阻抗匹配。
如上所述，虽然说明了本发明的优选实施方式，但本发明并未限定于这些实施例。在不脱离本发明宗旨的范围内，能够进行构成的附加、省略、置换和其他变更。本发明不是由上述说明来限定的，仅由技术方案的范围来限定。

Claims (11)

1.一种连接结构，其特征在于，具备：
第一基板；
第二基板；
设在所述第二基板的一个面上的第一导电部；
在所述第二基板另一个面上，设置为比第一导电部的端部和所述第二基板的端部还伸出的第二导电部；和
设在所述第一基板的有源面上的第一凸部以及高度设置得比所述第一凸部还高的第二凸部；
所述第一导电部和所述第一凸部互相连接，所述第二导电部和所述第二凸部互相连接。
2.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于，还具有：
设在所述第一基板的一个面上的第四导电部；和
设在所述第一基板的另一个面上，比第四导电部的端部和所述第一基板的端部还要伸出的第三导电部；
所述第三导电部连接设在所述第二基板上的所述第一导电部，所述第四导电部连接设在所述第二基板上的所述第二导电部。
3.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于，在所述第一基板上层叠有多个连接用基板。
4.一种连接结构，其特征在于，具备：
第一基板；
第二基板；
设在所述第二基板的一个面上的第一导电部；
在所述第二基板另一个面上，设置为比第一导电部的端部和所述第二基板的端部还伸出的第二导电部；和
设在所述第一基板的有源面上的第一凸部以及高度与所述第一凸部相同的第二凸部；
所述第一导电部和所述第一凸部互相连接，所述第二导电部和所述第二凸部互相连接。
5.一种连接结构，其特征在于，具备：
第一基板(111)；
第二基板(16)；
设在所述第二基板(16)的一个面上的第一导电部(14)；
设在所述第二基板(16)的另一个面上的第二导电部(12)；
设在所述第一基板(111)的一个面上的第三导电部(34)；
设在所述第三导电部(34)的上表面的绝缘层(36)；
设在所述绝缘层(36)的上表面的第四导电部(32)；
形成于所述第一基板(111)比所述绝缘层更伸出的区域(114)内的所述第三导电部(34)上的第一凸部(20)；和
形成于所述第四导电部(32)上的第二凸部(18)；
所述第一导电部(14)和所述第一凸部(20)互相连接，通过填充在所述第二基板(16)的厚度方向的通孔中的导电体(22)，电连接所述第二导电部(12)与所述第二凸部(18)，
所述第三导电部(34)连接设在所述第二基板(16)上的所述第一导电部(14)，所述第四导电部(32)连接设在所述第二基板(16)上的所述第二导电部(12)。
6.根据权利要求5所述的连接结构，其特征在于，在所述第一基板上层叠有多个所述连接用基板。
7.一种连接方法，其特征在于，具有：
提供第一基板的工序；
在第二基板的一个面上设置第一导电部的工序；
在所述第二基板的另一个面上设置比所述第一导电部和所述第二基板的端部还要伸出的第二导电部的工序；
在所述第一基板的有源面上设置第一凸部以及高度比所述第一凸部还高的第二凸部的工序；和
连接所述第一导电部与所述第一凸部，连接所述第二导电部与所述第二凸部的工序。
8.一种电光学装置，其特征在于，其中具备权利要求1所述的连接结构。
9.一种电光学装置，其特征在于，其中具备权利要求5所述的连接结构。
10.一种电子仪器，其特征在于，其中具备权利要求8所述的电光学装置。
11.一种电子仪器，其特征在于，其中具备权利要求9所述的电光学装置。
CN2005100910402A 2004-08-05 2005-08-03 连接用基板、连接结构、连接方法和电子仪器 Expired - Fee Related CN1744375B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004228995 2004-08-05
JP2004-228995 2004-08-05
JP2004228995 2004-08-05
JP2005157057 2005-05-30
JP2005157057A JP2006073994A (ja) 2004-08-05 2005-05-30 接続用基板、接続構造、接続方法並びに電子機器
JP2005-157057 2005-05-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1744375A CN1744375A (zh) 2006-03-08
CN1744375B true CN1744375B (zh) 2011-07-06

Family

ID=35756613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005100910402A Expired - Fee Related CN1744375B (zh) 2004-08-05 2005-08-03 连接用基板、连接结构、连接方法和电子仪器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7544897B2 (zh)
JP (1) JP2006073994A (zh)
KR (1) KR100727724B1 (zh)
CN (1) CN1744375B (zh)
TW (1) TWI280651B (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8018737B2 (en) * 2005-12-22 2011-09-13 Panasonic Corporation Connecting structure of circuit board, connecting part of circuit board and electronic device
JP4790558B2 (ja) * 2006-10-02 2011-10-12 日東電工株式会社 配線回路基板の製造方法
JP5881926B2 (ja) * 2006-10-25 2016-03-09 オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯＳＲＡＭ ＯＬＥＤ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクスデバイス及び該オプトエレクトロニクスデバイスを製造するための方法
JP4916852B2 (ja) 2006-11-29 2012-04-18 株式会社 日立ディスプレイズ タッチパネル付き液晶表示装置
US20090101402A1 (en) * 2007-10-19 2009-04-23 Advantest Corporation Circuit board, and electronic device
CN101625462B (zh) * 2008-07-07 2012-09-05 奇美电子股份有限公司 液晶显示模组及液晶显示器
TWM353504U (en) * 2008-10-17 2009-03-21 Wintek Corp Card insertion terminal structure of flexible PCB
KR20100106749A (ko) * 2009-03-24 2010-10-04 삼성전자주식회사 회로기판 접속구조 및 이를 이용한 회로기판 접속방법
TWI484873B (zh) * 2009-04-07 2015-05-11 Au Optronics Corp 軟性電路板
JP5497367B2 (ja) * 2009-08-10 2014-05-21 住友電工プリントサーキット株式会社 プリント配線板の接続構造及び電子機器
US8361896B2 (en) * 2010-06-25 2013-01-29 Fci Signal transmission for high speed interconnections
JP5584086B2 (ja) * 2010-10-14 2014-09-03 パナソニック株式会社 電子機器
JP6218481B2 (ja) * 2012-09-27 2017-10-25 三菱電機株式会社 フレキシブル基板、基板接続構造及び光モジュール
JP6146998B2 (ja) * 2012-12-21 2017-06-14 キヤノン株式会社 電子機器
JP6231778B2 (ja) * 2013-06-05 2017-11-15 キヤノン株式会社 電気デバイスおよび放射線検査装置
JP2015142051A (ja) * 2014-01-29 2015-08-03 住友電気工業株式会社 電子部品及び電子部品の製造方法
WO2015008671A1 (ja) * 2013-07-16 2015-01-22 住友電気工業株式会社 電子部品及び電子部品の製造方法
KR102307432B1 (ko) * 2013-12-09 2021-09-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN103680317B (zh) * 2013-12-20 2015-09-23 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制造方法和显示装置
KR102595102B1 (ko) * 2016-11-01 2023-10-31 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US10827621B2 (en) * 2017-01-13 2020-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
JP6700207B2 (ja) 2017-02-08 2020-05-27 矢崎総業株式会社 印刷回路の電気接続方法
KR102332237B1 (ko) * 2017-04-14 2021-11-29 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
CN107817633A (zh) * 2017-10-26 2018-03-20 惠科股份有限公司 信号传输装置及显示装置
KR102096765B1 (ko) * 2018-02-14 2020-05-27 스템코 주식회사 연성 회로 기판 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102620548B1 (ko) 2018-07-09 2024-01-03 삼성전자주식회사 신호 배선을 둘러싸는 복수의 그라운드 배선들이 배치된 연성 회로기판을 포함하는 전자 장치
WO2022072254A2 (en) * 2020-09-30 2022-04-07 Gentherm Gmbh Interposers for splicing flexible circuits to printed circuit boards

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4431270A (en) * 1979-09-19 1984-02-14 Sharp Kabushiki Kaisha Electrode terminal assembly on a multi-layer type liquid crystal panel

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2599182B2 (ja) 1988-08-16 1997-04-09 日本電信電話株式会社 プリント配線基板間の高周波配線接続方法
JPH056918A (ja) 1991-06-27 1993-01-14 Mitsubishi Electric Corp テープキヤリア型半導体装置のインナーリードボンデイング方法およびテープキヤリア型半導体装置用キヤリアテープ
EP0543033B1 (en) 1991-11-16 1995-01-25 Hewlett-Packard GmbH A connecting arrangement for providing a releasable connection between two striplines
JPH06325836A (ja) 1993-05-14 1994-11-25 Murata Mfg Co Ltd 平行ストリップラインケーブルの接続構造
US6268895B1 (en) 1995-10-27 2001-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having light shield in periphery of display
US5808529A (en) 1996-07-12 1998-09-15 Storage Technology Corporation Printed circuit board layering configuration for very high bandwidth interconnect
JPH10104660A (ja) 1996-10-03 1998-04-24 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP3335296B2 (ja) 1997-09-02 2002-10-15 株式会社東芝 基板の接続構造
EP1295517A1 (en) * 2000-06-26 2003-03-26 3M Innovative Properties Company Vialess printed circuit board
JP2003017908A (ja) 2001-06-27 2003-01-17 Fdk Corp 電子回路部材並びに電子回路部材の連結構造及び伝送路の結合構造
US7012667B2 (en) * 2002-08-08 2006-03-14 Hannstar Display Corp. Liquid crystal display device
JP2004077718A (ja) * 2002-08-15 2004-03-11 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP3835403B2 (ja) * 2002-11-26 2006-10-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP3999177B2 (ja) 2003-08-29 2007-10-31 富士通株式会社 高周波回路基板
JP2005157057A (ja) 2003-11-27 2005-06-16 Canon Chemicals Inc 導電性ゴムローラー
US7222938B2 (en) * 2004-01-21 2007-05-29 Silverbrook Research Pty Ltd Printhead assembly with power, data and fluid connections

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4431270A (en) * 1979-09-19 1984-02-14 Sharp Kabushiki Kaisha Electrode terminal assembly on a multi-layer type liquid crystal panel

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
全文.

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060049043A (ko) 2006-05-18
CN1744375A (zh) 2006-03-08
JP2006073994A (ja) 2006-03-16
US7544897B2 (en) 2009-06-09
TW200618233A (en) 2006-06-01
TWI280651B (en) 2007-05-01
KR100727724B1 (ko) 2007-06-13
US20060027909A1 (en) 2006-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1744375B (zh) 连接用基板、连接结构、连接方法和电子仪器
US7842886B2 (en) Transmission cable
US7109575B2 (en) Low-cost flexible film package module and method of manufacturing the same
US8238109B2 (en) Flex-rigid wiring board and electronic device
CN106332434B (zh) 柔性线路板及其制作方法
US20050183884A1 (en) Flexible printed circuit board
US8030574B2 (en) Flexible printed circuit
US20090044967A1 (en) Circuit board, electronic circuit device, and display device
US11765828B2 (en) Flexible printed circuit and manufacturing method thereof, electronic device module and electronic device
US11197377B2 (en) Flexible circuit board and method for producing same
TW447053B (en) Semiconductor apparatus and its manufacturing method, circuit board and electronic machine
JPS597393A (ja) 表示装置
JP2009010004A (ja) 積層プリント基板とその製造方法
JP4078723B2 (ja) コンデンサを備えたフレキシブル両面プリント回路板及びコンデンサの形成方法。
KR20090106777A (ko) 도전성 입자가 부착된 전극을 구비한 연성회로기판 및테이프 캐리어 패키지
JP4535588B2 (ja) 回路基板および電子デバイス
JPH06222377A (ja) 平面型表示装置
JPH09305121A (ja) 回路接続構造、この回路接続構造を有する表示装置及びｔｃｐ構造体
JPH0143474B2 (zh)
JP3608514B2 (ja) 半導体素子の実装構造及び電子装置
JP2556204B2 (ja) フィルムキャリア半導体装置の実装方法
JP2000298435A (ja) 表示装置
JP2000276071A (ja) 電気光学装置、その製造方法、およびその装置を搭載する電子機器
JP2001298249A (ja) 半導体素子の実装構造及び実装方法、並びに液晶表示装置
JPH10223695A (ja) テープキャリアパッケージ、フレキシブル基板及び基板実装方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110706

Termination date: 20150803

EXPY Termination of patent right or utility model