CN1743792A - 假想接面测定用的干涉仪装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种假想接面测定用的干涉仪装置，在具有分别位于相互平行的不同假想面上形成的多种小被测面的被测体上，利用低相干性的测定光的同时、调整各小被测面的光检测面上的像的形成状态，而容易且高精密度地测定各小被测面的对于高度方向的同一平面性。其中，光源为低相干性光源，通过调整光程，而在第一测定时，使来自各金属布线的上面的反射光和来自基准面的反射光相干涉；在第二测定时，使来自各导电层小区域面的反射光和来自基准面的发射光相干涉。光检测面被分割为多个检测单位区域，根据按每个检测单位区域平均化而被检测的各光强度，获取与各金属布线的上面或各导电层小区域面相接的第一或第二假想接面的整体形状对应的干涉纹信息。

Description

假想接面测定用的干涉仪装置

技术领域

本发明涉及一种形状测定用的干涉仪装置，特别是，关于等离子显示器或EL等各种显示元件或半导体晶片等中，以高密度配设在基板上的多个线状电路布线的共平面性(Coplanarity：同一平面性、平坦性)的计测过程中可使用的干涉仪装置。

背景技术

等离子显示器等显示元件、电子部件或半导体元件等，通过高集成化、大规模化、大面积化，正在进行着相关电路布线的微细化或叠层化。在这些元件的制造工序中，确保布线之间的绝缘性、防止布线的断线、确保叠层之间的绝缘，或者确保使元件发挥其功能所需的布线截面积等成为重要的问题。

为了布线之间绝缘性的确保、布线断线的防止、叠层之间绝缘的确保等，传统的方法中，要在元件电路板上蚀刻金属膜而形成的布线上涂覆(overcoat)绝缘层，再使用研磨机(lapping machine)等研磨其绝缘层的上面，使之变得平坦，解决叠层时的问题。在该方法中，为了确保绝缘性，在研磨过程中必须严格控制布线上的绝缘层的厚度。(参考下述专利文献1)

但是通过蚀刻金属膜而形成布线的方法，因为随着布线的微细化，纵横比(aspect ratio)(对布线宽度的金属膜厚度比)变得太大，而较难通过蚀刻取得希望的布线截面形状。其结果，存在为了使元件发挥其功能所需布线截面积的确保、或者由蚀刻残留物产生的布线之间的绝缘不良等问题。为了解决这些问题，所采用的方法有：在电路板上事先成膜的绝缘体上形成布线用槽，然后在其绝缘体上包括槽内部在内形成金属层，再通过化学或机械研磨，使该金属层同样地研磨至绝缘体的表面，除去绝缘体上的金属，只留下槽内的金属作为布线。该方法中，为了确保布线所需的截面积，不得不严格控制绝缘体被蚀刻后形成之槽的深度，使之达到高度精确的程度。(参考下述专利文献2)

并且，也已知下述方法，其在半导体基板上形成的金属膜之上用光致抗蚀剂(photoresist)形成布线图形的负片像(阴像)，在所露出的金属布线图形上通过电镀法，镀上金等金属，而形成布线。在该方法中，在基板周边部发生电镀的漏电，在中央部和周边部，电镀的膜厚有时候发生变化，所以必须要控制对基板或光致抗蚀剂上面的金属布线上面的高度分布。(请参考下述专利文献3)

为了进行这些控制，不仅要测定各布线的上面、槽的底面、或者电镀金属布线的上面等，多个线状被测面的同一平面性(共平面性)，还要测定绝缘层的表面、基板的表面或光致抗蚀剂表面的平面性。

传统的方法有，利用干涉分光膜厚计(专利文献1)、斑点(spot)干涉法(专利文献2)、光切断法、共焦法(confocal method)、倾斜照明(oblique illumination)所产生的阴影区域测定法(专利文献4)等，局部性测定各线状被测面及各线状被测面之间相互面对面的基板表面的高度，从而测定各线状被测面的共平面性以及基板表面平面性的方法。

专利文献1：日本专利特开平8-240413号公报

专利文献2：日本专利特开2002-048519号公报

专利文献3：日本专利特开平5-121403号公报

专利文献4：日本专利特开2001-298036号公报

但是，这种测定方法需要设定多处测定点，所以测定所需的时间较多，尤其，对在线(in-process)测定不适合。

另一方面，如果上述基板的平面性良好，线状被测面在其制造过程中，大体上与同一平面一致。所以，可以想到，利用表面形状测定用的干涉仪装置，拍摄与多个线状被测面所构成的1个平面形状对应的干涉纹图像，并对其做出解释，调查线状被测面的共平面性。但是，由多个线状被测面构成的假想平面，被存在于线状被测面之间的绝缘体分开，未形成连续的一个平面。并且，对与各线状被测面之间面对面的基板表面或光致抗蚀剂表面，也被各线状被测面分开，未形成连续的一个平面。因此，利用传统的干涉仪装置，难以测定其整体的形状。

发明内容

本发明是鉴于上述问题，其目的在于提供一种假想接面测定用的干涉仪装置，如同以高密度形成在显示元件的基板上或者半导体晶片上的各线状被测面以及与各线状被测面面对面的基板表面那样，在具有使分别位于相互大致平行的不同的假想面上的多种小被测面的被测体中，可以容易并且精密度高地测定各小被测面在高度方向上的同一平面性。

本发明的假想接面测定用的干涉仪装置，包括：向被测体及干涉仪的基准面照射测定光，合波从被测体的反射光和从基准面的反射光，而取得干涉光的干涉光学系统；和检测干涉光的光强度分布的光检测面，该干涉仪装置，为了测定与以第一配置图形位于第一基准假想面上形成的第一小被测面相接的第一假想接面、以及与以第二配置图形位于与上述第一基准假想面大致平行的第二基准假想面上形成的第二小被测面相接的第二假想接面的形状，具有如下的构成。

即，与本发明有关的假想接面测定用的干涉仪装置，其特征在于：

上述测定光是具有比来自上述第一小被测面的反射光和来自上述第二小被测面的反射光的光程长度差短的相干距离的低相干光；

还包括：

光程长度调整机构，在以上述第一小被测面作为测定对象的第一测定时，调整光程长度，以使来自该第一小被测面的反射光和来自上述基准面的反射光发生干涉，在以上述第二小被测面作为测定对象的第二测定时，调整光程长度，以使来自该第二小被测面的反射光和来自上述基准面的反射光发生干涉；

成像调整机构，被分割设定在上述光检测面上的多个检测单位区域上分别，在上述第一测定时形成有上述第一小被测面的像的至少一部分，在上述第二测定时形成有上述第二小被测面的像的至少一部分；

干涉纹信息获取机构，根据按各上述检测单位区域平均化而被检测的各光强度，在上述第一测定时获取对应于与上述第一小被测面相接的第一假想接面的形状的第一干涉纹信息，在上述第二测定时，获取对应于与上述第二小被测面相接的第二假想接面的形状的第二干涉纹信息。

在本发明中，上述干涉纹获取机构构成为：根据上述各光强度分别求出上述第一及第二假想接面的对应于上述各检测单位区域的各部分相位，根据这些各相位求出上述第一及第二假想接面的整体相位分布，从而，获取上述第一及第二干涉纹信息。

另外，优选：在上述干涉光学系统的光程中具有不要光去除机构，该不要光去除机构，允许来自上述第一及第二小被测面中的作为测定对象的小被测面的反射光到达上述光检测面、抑制来自其他部分的反射光到达上述光检测面，以及/或，允许与来自上述小被测面的反射光合波的来自上述基准面的反射光到达上述光检测面、抑制与来自上述不作为测定对象的小被测面的反射光合波的来自上述基准面的反射光到达上述光检测面。

作为上述不要光去除机构构成可为：在与上述作为测定对象的小被测面的配置图形对应的位置上具有开口，该开口允许与来自作为测定对象的小被测面的反射光或者与该反射光合波的来自上述基准面的反射光到达上述光检测面；或者，可以出入上述干涉光学系统的光程。

而且，本发明除了由上述第一及第二小被测面相互分离的多个小被测面构成的情况之外，即使在上述第一或第二小被测面是一要其宽度非常细且长度长的结构，例如其小被测面在上述基准面上蛇行(S形)的分布时、或者漩涡形状分布时都可以适用。另外，对于小被测面的形状，不局限于圆形或正方形，还可以包括直线状或曲线状等多种形状。

而且，上述基准假想面不局限于平面，包括以球面、非球面等可测定光干涉的多种曲面形成的情况。

另外，所谓上述假想接面“与小被测面相接”，在小被测面为宽度非常细且长度长的蛇行或漩涡形状分布的一条被测面时，是指与小被测面的各个部分连续相接，有多个小被测面时是指与各个小被测面连续相接。

根据本发明的假想接面测定用的干涉仪装置，通过具有上述结构，通过获取与各小被测面相接的假想接面的形状对应的干涉纹，从而可以实现高精确度测定如以高密度形成在显示元件的基板或半导体晶片等上的各线状被测面以及面向各线状被测面的基板表面那样的、分别位于相互大致平行的不同假想面上形成的多种小被测面的相对高度方向的整体位置分布(同一平面性)。

而且，也无需如斑点(spot)干涉法等那样设定多个测定点，因此可以缩短测定所需的时间。

而且，作为测定光利用低相干光的同时，通过光程长调整机构，可以调整与干涉有关的光程长度，因此在如上所述的介入透明的绝缘层或光致抗蚀剂材料的状态下可进行高精确度测定。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式的假想接面测定用的干涉仪装置的概略构成图；

图2是图1所示的控制器的概略构成图；

图3表示图1所示的光检测面上的成像状态一个例子。

具体实施方式

以下，参考附图，详细说明本发明的具体实施方式。

<装置的构成>

首先根据图1及图2，大概说明与本发明的一个实施方式有关的假想接面测定用的干涉仪装置的构成。图1是与本发明的一个实施方式有关的假想接面测定用的干涉仪装置的概略构成图，图2是图1所示的控制器的概略构成图。

图1所示的假想接面测定用的干涉仪装置(以下简称为“干涉仪装置”)10是装载作为测定光输出相干距离短的光的光源11的迈克耳逊干涉仪装置包括：由按照从光源11射出之光的前进顺序布置的放大透镜13、准直透镜15、分光镜(beam splitter)17、遮光罩19、基准板21以及布置在分光镜17上方的聚光透镜23、成像透镜25组成的干涉光学系统；以及具有由CCD或CMOS等固体摄像元件组成的光检测面27的摄像机构29。并且，干涉仪装置10包括：放置被测体50的放置台22；包括在摄像机构29中执行成像倍率的调整或图像处理等各种运算的电脑的控制器31；显示干涉纹图像等的监视装置33；以及向控制器31进行各种输入的输入装置35。并且，虽然在附图上未图示，但是在基准板21上设有进行条纹扫描(fringe scan)计测时以及调整光程时，将基准板21向光轴方向(图中箭头方向)微动的作为光程长调整机构的条纹扫描适配器。

上述光源11可以采用，LED、SLD、卤素灯(halogen lamp)等低相干光源，或者用摄像机构29的摄像元件捕获到干涉纹图像时，被调整以便使相干距离为与上述低相干光源所具有的相干距离等值的相干距离的波长调制光源。该类的波长调制光源，在比摄像元件的响应时间(蓄光时间)还短的时间内，调制从光源(一般采用半导体激光光源)射出之光的波长，在摄像元件的响应时间上，按摄像元件响应时间的平均时间拍摄干涉纹，从而可以取得与利用出射频谱宽度宽并相干距离短的光之光源时等价的结果。例如，在1995年5月光波传感预稿集75～82页记载了合成相干函数(coherence function)的方法。并且由本专利申请人还记载了改良其方法的技术。(日本专利文献2002-192619号说明书)

图1所示的被测体50具有：形成在长方形形状的基板51上的绝缘层53及形成在绝缘层53上的导电层54、高密度布置在该导电层54表面的多个金属布线55、以及形成在这些金属布线55之间的多个光致抗蚀剂材料57。金属布线55及光致抗蚀剂材料57形成使向垂直于纸面的方向以直线形状拉伸，并且在图的左右方向交替按规定的间距(pitch)排列。

被测体50的具体制作方法如下。基板51的表面形成为在被吸针夹盘60吸附时具有高精密度的平面性，再在其上通过CVD法等形成绝缘层(例如，硅氧化膜)53，以及通过溅射法等形成导电层(例如，金)54之后，采用旋涂法(spin-coat)等方法涂布光致抗蚀剂材料57。然后，按光致抗蚀剂材料57烘焙(baking)所需要的电路布线图形，再进行显像处理，从而去除形成电路布线部分的光致抗蚀剂材料57，形成露出该部分导电层54的电镀用导电层小区域面54a。该导电层54作为成长镀膜时的供电路，进行电镀处理。其结果，如图1的右下方圆内扩大显示的那样，电镀的金属布线55，以周围的光致抗蚀剂材料57作为掩模，在导电层小区域面54a上按规定厚度叠层而成的就是被测体50。

并且，在实际的电路基板制造工序中，金属布线55按规定厚度叠层后，去除周围起到掩模作用的光致抗蚀剂材料57，将去除后露出的导电层54的导电层小区域面54b和绝缘层53，通过干刻蚀(dry etching)等方法去除，而成为有金属布线55的电路基板。

但是，上述电路基板的制造方法中，绝缘层53、导电层54或光致抗蚀剂材料57，由于该形成法本身的长处，而可以形成几乎均匀的膜厚度，但是叠层在电镀用小区域面54a上的金属布线55，由于不容易将基板51表面全区域的在电镀时的电流密度控制在一定水平以及电镀液的管理问题等原因，将叠层的各个高度位置，即，金属布线55的上面55a，在规定的假想平面(第一基准假想面)上对齐，也不尽人意。并且，有些情况下，金属布线的上面55a成长为光致抗蚀剂材料57的上面57a以上，致使和相邻金属布线的上面55a形成一体，而甚至导致绝缘不良。所以，去除作为掩模的光致抗蚀剂材料57之前，需要先测定金属布线55之上面55a的高度位置的同一平面性(共平面性)。

例如通过如图所示的吸针夹盘60等，以支撑被测体50的状态实施上述的测定。该吸针夹盘60，具有在基盘的被测体50的支撑面侧开口的真空室中林立的多个支撑针61，是以各个支撑针61的顶端面从里侧支撑被测体50，同时进行真空室的排气将其吸附固定在各支撑针61之上的矫正用夹头装置，并且为了维持吸附支撑的被测体50的基板51(导电层54)的表面及光致抗蚀剂材料57之上面57a的平面性，而这些各支撑针61的顶端面高度以高精密度对齐形成。

另外，如图2所示，上述控制器31具有：由上述计算机内的运算电路或存储器、及收容在该存储器内的程序等构成的成像调整部37、及干涉纹信息获取部39。这些各组成本发明的成像调整机构以及干涉纹信息获取机构。

本实施方式的干涉仪装置10构成为：在如上所述的电镀工序中，进行测定各金属布线55上面55a的高度位置之同一平面性(共平面性)的第一测定及测定导电层54表面之平面性的第二测定。并且，上述各金属布线55的上面55a相当于本发明的第一小被测面，而且，各金属布线55之间相互面对面的导电层54的表面(以下简称为‘导电层小区域面54b’)相当于本发明的第二小被测面，这些导电层小区域面54b，在维持导电层54表面平面性的状态下，与上述第一假想平面平行的假想平面(第二假想面)一致。

以下，将本实施方式的干涉仪装置10的测定顺序，分为上述第一测定和第二测定来说明。并且，对于第一及第二测定顺序中，为了矫正被测体50的弯曲，通过吸针夹盘60吸附支撑被测体50的状态下进行。

<第一测定>

第一测定中，测定图1所示的各金属布线55的上面55a高度位置之均匀性。首先，移动基准板21，调整光程长，使来自各金属布线55之上面55a的反射光和来自上述基准板21基准面21a的反射光相互干涉。

然后，将上述遮光罩19设置在上述分光镜17和上述基准面21a之间的光程中(靠近基准面21a的位置为宜)。该遮光罩19在干涉光学系统的光程中，构成不要光去除机构，其允许与来自上述金属布线55上面55a的反射光合波的基准面21a的反射光到达上述光检测面，抑制与来自上述各光致抗蚀剂材料57之上面57a以及涂布了各光致抗蚀剂材料57的底层即各导电层小区域面54b的反射光合波的来自上述基准面的反射光到达上述光检测面，并具有允许光通过的线状的多个开口19a。该遮光罩19在透明板19b的一面上，在与上述开口19a的位置相当的部分之外的区域叠层吸收型ND涂层19c而形成，入射到各开口19a的光通过被允许的同时，入射到吸收型ND涂层19c部分的光被吸收而被抑制通过。

并且，遮光罩19可以出入光程地设置，上述多个开口19a，与上述各金属布线55上面55a的配置图形相一致。即，遮光罩19设置在第一测定时的光程中，这时，进行调整使上述各开口19a位于与来自上述各金属布线55上面55a的反射光合波之光所通过的位置。

接着，通过上述成像调整部37，调整上述摄像机构29的成像倍率，以使分割设定在图1所示的光检测面27上的多个检测单位区域的各个区域形成上述各金属布线55上面55a之图像的至少一部分。图3示出上述光检测面27上的这种成像状态之一例。图3表示光检测面上的各金属布线的成像状态的一个例子。

图3中，表示为小长方形的是，分割设定在光检测面27上的多个检测单位区域41(省略了一些附图标记)，表示为黑色细长长方形的是，上述各金属布线55的上面55a(参考图1)的图像(上面图像)43，省略了一些附图标记)。并且，用大长方形形状表示的部分是，上述基板51(参考图1)的图像(基板图像)45)。

如该图3所示，上述成像调整部37(参考图2)调整上述摄像机构29(参考图1)的成像倍率，以形成上述上面图像43的至少一部分。并且，图3中，以小长方形表示的多个区域中完全没有形成上述上面图像43的区域不会成为检测单位区域41。该检测单位区域41，既可使光检测面27的一个象素对应于一个检测单位区域41，也可将相邻的多个(例如，4、9、16个)象素作为一套对应于一个检测单位区域41。

然后，根据按每个上述检测单位区域41平均化而被检测的光强度，上述干涉纹信息获取部39(参考图2)中，需要与上述各金属布线55的上面55a整体相接触的假想接触平面(第一假想接面)形状对应的第一干涉纹信息。本实施方式中，上述干涉纹信息获取部39构成为分别求出与上述各检测单位区域41对应的上述第一假想接面的各部分相位，再根据这些各个相位，求出上述假想接面的整体相位分布。并且，该相位分布的计算，按条纹扫描的计测顺序进行。

条纹扫描计测中，分阶段改变从干涉仪基准面的反射光和从被测面的反射光相位差，并通过对各阶段取得的干涉纹强度分布进行规定的运算，可以计算与干涉纹的各小部分对应的相位。本实施方式中，将图1所示之基准板21的基准面21a位置向光轴方向移动，细微地调整从基准面21a的反射光和从各金属布线55上面55a的反射光之间的相位差，每次调整时，在光检测面27上按每个上述检测单位区域41平均光强度而检测(光检测面27的一个象素对应于一个检测单位区域41时，在一般的检测过程中，实现该平均化，但是相邻的多个象素对应于一个检测单位区域41时，利用软件对多个象素分别检测的光强度进行平均化处理)。

在图3所示的各上面图像43上重叠有从上述基准面21a的反射光和从上述各上面55a的反射光的干涉光形成的干涉纹信息，因此，在条纹扫描计测的各个阶段，各上面图像43的光强度发生变化。另外，除上面图像43之外部分的光强度，在条纹扫描计测的各个阶段不会发生变化。因此，在条纹扫描计测的各个阶段，按每个上述检测单位区域41平均化的光强度信息中重叠了包括在各检测单位区域41的各上面图像43的平均化的相位信息，通过进行与一般的条纹扫描计测相同的运算处理，而可以分别求出对应于各检测单位区域41的上述第一假想接面的各部分相位，并根据这些相位，可以求出上述假想接面的整体相位分布。

并且，为了使这些相位分布计算成为可能，对应于分别包括在相邻的各检测单位区域41中的各上面图像43的各上面55a(参考图1)的高度位置偏差小于测定光波长的四分之一作为前提。形成在显示元件等基板上的导电层或光致抗蚀剂材料的上面以及金属布线的上面，在将基板吸附在吸针夹盘的阶段上，一般满足这些条件。

并且，上述干涉纹信息获取部39，根据所求出的上述假想接面的整体相位分布，可以获取对应于该第一假想接面形状的干涉纹信息。即，对应于相邻的各检测单位区域41求出的相位大致上是连续的，干涉纹信息获取部39通过展开(unwrapping)处理，形成对应于第一假想接面形状的干涉纹图像，或者进行对第一假想接面的形状解析，而将其结果显示在上述监视装置33(参考图1)中。根据所获取的该干涉纹信息，可以求出各金属布线55之上面55a高度方向的整体相位分布。

<第二测定>

在第二测定中，通过光致抗蚀剂材料57，测定图1所示之从各金属布线55之间相互面对面的导电层54之各导电层小区域面54b高度位置的同一平面性。首先，移动基准板21，调整光程长度，使从各导电层小区域面54b的反射光和从上述基准板21基准面21a的反射光相互干涉。在该第二测定中，也产生从上述各光致抗蚀剂材料57上面57a的反射光与从基准面21a的反射光合波，但是测定光的相干距离短于各从导电层小区域面54b的反射光和从各光致抗蚀剂材料57上面57a的反射光的光程长度差，因此从各光致抗蚀剂材料57上面57a的反射光和从基准面21a的反射光之间不会发生干涉。

并且，对于各导电层小区域面54b高度位置的同一平面性通过光致抗蚀剂材料57来测定的问题上，如上所述，由于利用其形成法的长处可以制作成几乎均匀的膜厚度，以及膜厚度可薄到数μm(微米)，所以几乎不会对测定精密度产生不良影响。

然后，取代上述遮光罩19，将其他的遮光罩(省略图示)设置在上述分光镜17和上述基准面21a之间的光程中。其他的遮光罩，在干涉光学系统的光程中，允许与从上述各导电层小区域面54b及从上述各光致抗蚀剂材料57上面57a的反射光合波的光通过，抑制与从上述各金属布线55上面55a的反射光合波的光通过，与上述各导电层小区域面54b的配置图形一致地形成为线状的多个开口。除上述几点之外，具有与上述的遮光罩19相同的构成。并且，上述各金属布线55及各光致抗蚀剂材料57的宽度及配置间距相等时，在包括上述各开口19a的面内将上述遮光罩19向与各开口19a延伸的方向成直角的方向横向错开，而可以执行上述其他遮光罩的功能。

接着，由上述成像调整部37(参考图2)调整上述摄像机构29的成像倍率，以使分割设定在图1所示的光检测面27上的多个检测单位区域41(参考图3)分别形成上述各导电层小区域面54b图像的至少一部分。图3中，位于上述各上面图像43之间的部分对应于这些各导电层小区域面54b上的成像位置。

然后，根据按上述每个检测单位区域41平均化而被检测的各光强度，在上述干涉纹信息获取部39中，求出与上述各导电层小区域面54b整体相接的假想接触平面(第二假想接面)的整体相位分布，再根据所求出的该相位分布，求对应于第二假想接面形状的干涉纹信息。并且，该顺序与上述第一测定中叙述的顺序相同，所以在此省略说明。

并且，上述成像调整部37中，在上述各检测单位区域41调整上述各上面图像43及导电层小区域面54b图像以使之分别成为相同数或相同密度时，即使不进行条纹扫描计测，也可以根据按每个检测单位区域41平均化而被检测的各光强度，获取与上述第一以及第二假想接面相对应的干涉纹信息。

以上，介绍了本发明的一个实施方式，但是本发明不只局限于相关实施方式，还可以采用多种实施方式。

例如，在上述实施方式中，通过对于光程可出入的遮光罩而构成不要光去除机构，但是也可以在基准板的基准面或其内侧面(准直透镜的透镜侧的面)上进行涂层处理，而构成不要光去除机构。涂膜处理的方式可以采用在基准面上除相当于上述开口19a位置的部分之外的区域形成AR(防止反射)涂层的方法。

并且，在上述的实施方式中，遮光罩配置在分光镜和基准板之间的光程内，但是也可以将这些遮光罩配置在分光镜和被测体之间的光程中、或其两侧的光程中。此时，位于分光镜和被测体之间光程中的遮光罩构成不要光去除机构，其允许来自第一以及第二小被测面中的作为测定对象的小被测面的反射光到达光检测面，而抑制从不作为测定对象的小被测面的反射光到达光检测面。

另外，在分光镜和被测体之间的光程中，也可以配置将测定光集光到第一小被测面或第二小被测面上的微透镜阵列(microlens array)。作为微透镜阵列在根据第一或第二小被测面的配置图形二维配置圆形镜头时、或如上述实施方式那样以直线形状分别平行排列第一以及第二小被测面时，可以根据第一或第二小被测面的配置图形平行配置柱面透镜(cylindricallens)。这种微透镜阵列，可以在本发明中作为不要光去除机构的一个代替机构，或可以与不要光去除机构组合使用。

并且，在上述实施方式中的干涉仪装置为迈克耳逊(Michelson)型，但是本发明还可以适用于除了迈克耳逊型之外的其他等光程长型的干涉仪装置，例如，公知的路径匹配(path match)型干涉仪装置(日本专利公开1997-21606号公报)，或被本发明申请人申请已经被专利局公开的适于在线测定的耐振动型干涉仪装置(日本专利申请2003-292965号说明书)。

此外，在第一小被测面和第二小被测面之间高度差的两倍的光程距离比从一般的低相干光源输出的测定光的相干距离短时，本发明可以适用到倾斜入射(obliquent incident)型干涉仪装置，可以使从第一以及第二小被测面的各反射光的光程长度差大于测定光的相干距离。但是，利用倾斜入射型干涉仪装置时，为了在照射测定光时，不在作为测定对象的小被测面上形成阴影，关于测定光的照射方向有必要根据第一以及第二小被测面的配置图形给予考虑。

Claims (5)

1.一种假想接面测定用的干涉仪装置，

包括：

干涉光学系统，向具有第一小被测面和第二小被测面的被测体及干涉仪的基准面照射测定光，将来自上述第一或第二小被测面的反射光和来自上述基准面的反射光进行合波，从而获取干涉光，其中，上述第一小被测面以第一配置图形位于第一基准假想面上形成；上述第二小被测面以第二配置图形位于与上述第一基准假想面大致平行的第二基准假想面上形成；

光检测面，检测上述干涉光的光强度分布，

其特征在于：

上述测定光是具有比来自上述第一小被测面的反射光和来自上述第二小被测面的反射光的光程长度差短的相干距离的低相干光；

还包括：

光程长度调整机构，在以上述第一小被测面作为测定对象的第一测定时，调整光程长度，以使来自该第一小被测面的反射光和来自上述基准面的反射光发生干涉，在以上述第二小被测面作为测定对象的第二测定时，调整光程长度，以使来自该第二小被测面的反射光和来自上述基准面的反射光发生干涉；

成像调整机构，被分割设定在上述光检测面上的多个检测单位区域上分别，在上述第一测定时形成有上述第一小被测面的像的至少一部分，在上述第二测定时形成有上述第二小被测面的像的至少一部分；

干涉纹信息获取机构，根据按各上述检测单位区域平均化而被检测的各光强度，在上述第一测定时获取对应于与上述第一小被测面相接的第一假想接面的形状的第一干涉纹信息，在上述第二测定时，获取对应于与上述第二小被测面相接的第二假想接面的形状的第二干涉纹信息。

2.根据权利要求1所述的假想接面测定用的干涉仪装置，其特征在于，上述干涉纹获取机构构成为：根据上述各光强度分别求出上述第一及第二假想接面的对应于上述各检测单位区域的各部分相位，根据这些各相位求出上述第一及第二假想接面的整体相位分布，从而，获取上述第一及第二干涉纹信息。

3.根据权利要求1或2所述的假想接面测定用的干涉仪装置，其特征在于：在上述干涉光学系统的光程中具有不要光去除机构，该不要光去除机构，允许来自上述第一及第二小被测面中的作为测定对象的小被测面的反射光到达上述光检测面、抑制来自其他部分的反射光到达上述光检测面，以及/或，允许与来自上述小被测面的反射光合波的来自上述基准面的反射光到达上述光检测面、抑制与来自上述不作为测定对象的小被测面的反射光合波的来自上述基准面的反射光到达上述光检测面。

4.根据权利要求3所述的假想接面测定用的干涉仪装置，其特征在于：上述不要光去除机构在与上述作为测定对象的小被测面的配置图形对应的位置上具有开口，该开口允许与来自上述作为测定对象的小被测面的反射光或者与该反射光合波的来自上述基准面的反射光到达上述光检测面。

5.根据权利要求3或4所述的假想接面测定用的干涉仪装置，其特征在于：上述不要光去除机构构成为可以出入上述干涉光学系统的光程。

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