JP2013205702A - プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及びパネル基板の製造方法 - Google Patents

プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及びパネル基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013205702A
JP2013205702A JP2012076067A JP2012076067A JP2013205702A JP 2013205702 A JP2013205702 A JP 2013205702A JP 2012076067 A JP2012076067 A JP 2012076067A JP 2012076067 A JP2012076067 A JP 2012076067A JP 2013205702 A JP2013205702 A JP 2013205702A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mask
light
image acquisition
field image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012076067A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiro Sakai
俊広 酒井
Hiroyuki Kanda
宏幸 神田
Masaoki Matsuoka
正興 松岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp, Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2012076067A priority Critical patent/JP2013205702A/ja
Publication of JP2013205702A publication Critical patent/JP2013205702A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】基板の下地パターンの透明度が高く厚さが薄い場合に、基板の下地パターンのアライメントマークの画像を鮮明に取得して、基板の下地パターンのアライメントマークの位置を精度良く検出する。
【解決手段】所定の波長の光をマスク(2)へ照射しながら、マスクへ照射している光とは異なる波長の光を基板(1)へ斜めに照射する。マスクの下面からの反射光を、第1の帯域通過フィルタ(66a)を通して各明視野用画像取得装置(67a)へ照射し、基板の表面からの散乱光を、第2の帯域通過フィルタ(66b)を通して各暗視野用画像取得装置(67b)へ照射する。各明視野用画像取得装置の焦点をマスクの下面に合わせ、各暗視野用画像取得装置の焦点を基板の表面に合わせ、マスクのアライメントマーク(2a)の明視野画像及び基板の下地パターンのアライメントマーク(1a)の暗視野画像を同時に取得する。
【選択図】図9

Description

本発明は、タッチパネル等のパネル基板の製造において、プロキシミティ方式を用いて基板の露光を行うプロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及びそれらを用いたパネル基板の製造方法に係り、特に、CCDカメラ等の画像取得装置により、マスクのアライメントマークの画像及び基板の下地パターンのアライメントマークの画像を取得し、画像認識により両者の位置を検出して、マスクと基板との位置合わせを行うプロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及びそれらを用いたパネル基板の製造方法に関する。
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のTFT(Thin Film Transistor)基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機EL(Electroluminescence)表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙(プロキシミティギャップ)を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがある。プロキシミティ方式は、プロジェクション方式に比べてパターン解像性能は劣るが、照射光学系の構成が簡単で、かつ処理能力が高く量産用に適している。
例えば、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造において、基板上に形成されたブラックマトリクスの上に着色パターンを露光する際の様に、基板に形成された下地パターンの上に新たなパターンを露光する場合、新たに露光するパターンが下地パターンからずれない様に、マスクと基板との位置合わせを精度良く行う必要がある。従来、主に大型の基板の露光に用いられるプロキシミティ露光装置では、マスク及び基板の下地パターンに複数のアライメントマークをそれぞれ設け、CCDカメラ等の画像取得装置により、マスクのアライメントマークの画像及び基板の下地パターンのアライメントマークの画像を取得し、画像認識により両者の位置を検出して、マスクと基板との位置合わせを行っていた。なお、この様なプロキシミティ露光装置として、特許文献1に記載のものがある。
特開2007−256581号公報
近年急速に普及が進んでいる静電容量方式のタッチパネル等で使用されている透明導電膜(ITO膜)は、透明度が高く、また厚さが非常に薄くなって来ている。従来、CCDカメラ等の画像取得装置を用いて、透明導電膜に設けられたアライメントマークの画像を取得すると、コントラストが低くなって、鮮明な画像を取得することが困難であった。そのため、透明導電膜のアライメントマークの位置を精度良く検出することができず、新たなパターンを透明導電膜に合わせて精度良く露光することができなかった。
また、プロキシミティ露光装置において、マスクと基板とのギャップ合わせを行った後、マスクと基板との位置合わせを行う際には、アライメントマークが設けられたマスクの下面と、下地パターンのアライメントマークが形成された基板の表面とが、プロキシミティギャップの分だけ数百μ〜数十μm程離れている。これに対し、アライメントマークの画像を取得する従来のCCDカメラ等の画像取得装置の被写界深度は数μm程度であり、マスクのアライメントマークの画像と、基板の下地パターンのアライメントマークの画像を、同時に取得することはできなかった。そこで、従来は、ボールねじ及びモータ等の移動機構により、画像取得装置を上下に移動して、画像取得装置の焦点を、マスクの下面と基板の表面とにそれぞれ順番に合わせていた。しかしながら、マスクのアライメントマークの画像と基板の下地パターンのアライメントマークの画像とを別々に取得すると、装置の振動等により両者の相対的な位置が変動して、アライメントマークの位置を正確に検出することができないという問題があった。
本発明の課題は、基板の下地パターンの透明度が高く厚さが薄い場合に、基板の下地パターンのアライメントマークの画像を鮮明に取得して、基板の下地パターンのアライメントマークの位置を精度良く検出することである。また、本発明の課題は、マスクのアライメントマークの画像と、透明度が高く厚さが薄い基板の下地パターンのアライメントマークの画像とを同時に取得して、マスクのアライメントマークの位置及び基板の下地パターンのアライメントマークの位置を精度良く検出することである。さらに、本発明の課題は、透明度が高く厚さが薄いパターンを含むパネル基板を高品質に製造することである。
本発明のプロキシミティ露光装置は、マスクを保持するマスクホルダと、下地パターンが形成され、下地パターンの上にフォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、マスクホルダとチャックとを相対的に移動するステージとを備え、マスクと基板との間に微小なギャップを設け、ステージによりマスクホルダとチャックとを相対的に移動して、マスクと基板との位置合わせを行い、マスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置において、所定の波長の光をマスクへ照射する第1の照明手段と、第1の照明手段から照射される光とは異なる波長の光を基板へ斜めに照射する第2の照明手段と、第1の照明手段から照射された光がマスクの下面で反射された反射光を透過させる第1の帯域通過フィルタと、第2の照明手段から照射された光が基板の表面で散乱された散乱光を透過させる第2の帯域通過フィルタと、第1の帯域通過フィルタを透過した光を受光して、マスクに設けられた複数のアライメントマークの明視野画像を取得し、画像信号を出力する複数の明視野用画像取得装置と、第2の帯域通過フィルタを透過した光を受光して、基板の下地パターンに設けられた複数のアライメントマークの暗視野画像を取得し、画像信号を出力する複数の暗視野用画像取得装置と、各明視野用画像取得装置の焦点位置を移動する第1の焦点位置移動機構と、各暗視野用画像取得装置の焦点位置を移動する第2の焦点位置移動機構と、各明視野用画像取得装置及び各暗視野用画像取得装置が出力した画像信号を処理して画像認識を行い、認識したアライメントマークの位置を検出する画像処理装置と、第1の焦点位置移動機構により各明視野用画像取得装置の焦点をマスクの下面に合わせ、第2の焦点位置移動機構により各暗視野用画像取得装置の焦点を基板の表面に合わせ、各明視野用画像取得装置及び各暗視野用画像取得装置により、マスクのアライメントマークの明視野画像及び基板の下地パターンのアライメントマークの暗視野画像を同時に取得させ、画像処理装置が検出したマスクのアライメントマークの位置及び基板の下地パターンのアライメントマークの位置に基づき、ステージによりマスクホルダとチャックとを相対的に移動させて、マスクと基板との位置合わせを行う制御手段とを備えたものである。
また、本発明のプロキシミティ露光装置のアライメント方法は、マスクを保持するマスクホルダと、下地パターンが形成され、下地パターンの上にフォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、マスクホルダとチャックとを相対的に移動するステージとを備え、マスクと基板との間に微小なギャップを設け、ステージによりマスクホルダとチャックとを相対的に移動して、マスクと基板との位置合わせを行い、マスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置のアライメント方法であって、マスクに設けられた複数のアライメントマークの明視野画像を取得するための複数の明視野用画像取得装置と、基板の下地パターンに設けられた複数のアライメントマークの暗視野画像を取得するための複数の暗視野用画像取得装置と、各明視野用画像取得装置の焦点位置を移動する第1の焦点位置移動機構と、各暗視野用画像取得装置の焦点位置を移動する第2の焦点位置移動機構と、各明視野用画像取得装置及び各暗視野用画像取得装置が出力した画像信号を処理して画像認識を行い、認識したアライメントマークの位置を検出する画像処理装置とを設け、所定の波長の光をマスクへ照射しながら、マスクへ照射している光とは異なる波長の光を基板へ斜めに照射し、マスクへ照射した光がマスクの下面で反射された反射光を、第1の帯域通過フィルタを通して各明視野用画像取得装置へ照射し、基板へ照射した光が基板の表面で散乱された散乱光を、第2の帯域通過フィルタを通して各暗視野用画像取得装置へ照射し、第1の焦点位置移動機構により各明視野用画像取得装置の焦点をマスクの下面に合わせ、第2の焦点位置移動機構により各暗視野用画像取得装置の焦点を基板の表面に合わせ、各明視野用画像取得装置及び各暗視野用画像取得装置により、マスクのアライメントマークの明視野画像及び基板の下地パターンのアライメントマークの暗視野画像を同時に取得し、画像処理装置が検出したマスクのアライメントマークの位置及び基板の下地パターンのアライメントマークの位置に基づき、ステージによりマスクホルダとチャックとを相対的に移動して、マスクと基板との位置合わせを行うものである。
所定の波長の光をマスクへ照射しながら、マスクへ照射している光とは異なる波長の光を基板へ斜めに照射する。そして、マスクへ照射した光がマスクの下面で反射された反射光を、第1の帯域通過フィルタを通して各明視野用画像取得装置へ照射し、基板へ照射した光が基板の表面で散乱された散乱光を、第2の帯域通過フィルタを通して各暗視野用画像取得装置へ照射する。第2の焦点位置移動機構により各暗視野用画像取得装置の焦点を基板の表面に合わせ、各暗視野用画像取得装置により、基板の下地パターンのアライメントマークの暗視野画像を取得するので、基板の下地パターンの透明度が高く厚さが薄い場合に、従来の明視野では鮮明な画像を取得することが困難であった基板の下地パターンのアライメントマークの画像が、異なる波長のマスクの下面からの反射光に邪魔されることなく、散乱光だけの暗視野で鮮明に取得され、基板の下地パターンのアライメントマークの位置が精度良く検出される。
また、第1の焦点位置移動機構により各明視野用画像取得装置の焦点をマスクの下面に合わせ、第2の焦点位置移動機構により各暗視野用画像取得装置の焦点を基板の表面に合わせ、各明視野用画像取得装置及び各暗視野用画像取得装置により、マスクのアライメントマークの明視野画像及び基板の下地パターンのアライメントマークの暗視野画像を同時に取得するので、従来のマスクのアライメントマークの画像と基板の下地パターンのアライメントマークの画像とを別々に取得する場合に比べ、装置の振動等による両者の相対的な位置の変動が無く、マスクのアライメントマークの位置及び基板の下地パターンのアライメントマークの位置が精度良く検出される。従って、新たなパターンが、透明度が高く厚さが薄い下地パターンに合わせて精度良く露光される。
さらに、本発明のプロキシミティ露光装置は、第2の照明手段が、550nm〜650nmの波長の光を基板へ斜めに照射し、各暗視野用画像取得装置が、基板の透明電導膜に設けられたアライメントマークの暗視野画像を取得するものである。また、本発明のプロキシミティ露光装置のアライメント方法は、550nm〜650nmの波長の光を基板へ斜めに照射し、各暗視野用画像取得装置により、基板の透明電導膜に設けられたアライメントマークの暗視野画像を取得するものである。550nm〜650nmの波長の光を用いると、基板の透明電導膜に設けられたアライメントマークの画像を特に鮮明に取得することができる。
さらに、本発明のプロキシミティ露光装置は、第1の照明手段から照射された光がマスクの下面で反射された反射光、及び第2の照明手段から照射された光が基板の表面で散乱された散乱光を集光するレンズと、レンズにより集光された光を2つに分岐する分岐手段とを備え、第1の帯域通過フィルタが、分岐手段により分岐された光の一方に含まれるマスクの下面からの反射光を透過させて明視野用画像取得装置へ照射し、第2の帯域通過フィルタが、分岐手段により分岐された光の他方に含まれる基板の表面からの散乱光を透過させて暗視野用画像取得装置へ照射するものである。
また、本発明のプロキシミティ露光装置のアライメント方法は、レンズにより、マスクへ照射した光がマスクの下面で反射された反射光、及び基板へ照射した光が基板の表面で散乱された散乱光を同時に集光し、集光した光を2つに分岐し、分岐した光の一方に含まれるマスクの下面からの反射光を、第1の帯域通過フィルタを通して明視野用画像取得装置へ照射し、分岐した光の他方に含まれる基板の表面からの散乱光を、第2の帯域通過フィルタを通して暗視野用画像取得装置へ照射するものである。
マスクと基板とのギャップ合わせを行った後、マスクと基板との位置合わせを行う際には、アライメントマークが設けられたマスクの下面と、下地パターンのアライメントマークが形成された基板の表面とが、プロキシミティギャップの分だけ数百μ〜数十μm程しか離れていない。そのため、マスクの下面からの反射光と基板の表面からの散乱光とを別々に集光しようとすると、装置の構成が非常に複雑となる。レンズにより、マスクへ照射した光がマスクの下面で反射された反射光、及び基板へ照射した光が基板の表面で散乱された散乱光を同時に集光し、集光した光を2つに分岐し、分岐した光の一方に含まれるマスクの下面からの反射光を、第1の帯域通過フィルタを通して明視野用画像取得装置へ照射し、分岐した光の他方に含まれる基板の表面からの散乱光を、第2の帯域通過フィルタを通して暗視野用画像取得装置へ照射するので、互いに波長の異なるマスクの下面からの反射光と基板の表面からの散乱光とが、同じレンズを用いた簡単な構成で集光され、かつ、明視野用画像取得装置と暗視野用画像取得装置とへ別々に供給される。
本発明のパネル基板の製造方法は、上記のいずれかのプロキシミティ露光装置を用いて基板の露光を行い、あるいは、上記のいずれかのプロキシミティ露光装置のアライメント方法を用いてマスクと基板との位置合わせを行って、基板の露光を行うものである。新たなパターンが、透明度が高く厚さが薄い下地パターンに合わせて精度良く露光されるので、透明度が高く厚さが薄いパターンを含むパネル基板が、高品質に製造される。
本発明のプロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置のアライメント方法によれば、基板の下地パターンの透明度が高く厚さが薄い場合に、基板の下地パターンのアライメントマークの画像を鮮明に取得して、基板の下地パターンのアライメントマークの位置を精度良く検出することができる。また、マスクのアライメントマークの画像と、透明度が高く厚さが薄い基板の下地パターンのアライメントマークの画像とを同時に取得して、マスクのアライメントマークの位置及び基板の下地パターンのアライメントマークの位置を精度良く検出することができる。
さらに、本発明のプロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置のアライメント方法によれば、550nm〜650nmの波長の光を基板へ斜めに照射し、各暗視野用画像取得装置により、基板の透明電導膜に設けられたアライメントマークの暗視野画像を取得することにより、基板の透明電導膜に設けられたアライメントマークの画像を特に鮮明に取得することができる。
さらに、本発明のプロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置のアライメント方法によれば、レンズにより、マスクへ照射した光がマスクの下面で反射された反射光、及び基板へ照射した光が基板の表面で散乱された散乱光を同時に集光し、集光した光を2つに分岐し、分岐した光の一方に含まれるマスクの下面からの反射光を、第1の帯域通過フィルタを通して明視野用画像取得装置へ照射し、分岐した光の他方に含まれる基板の表面からの散乱光を、第2の帯域通過フィルタを通して暗視野用画像取得装置へ照射することにより、互いに波長の異なるマスクの下面からの反射光と基板の表面からの散乱光とを、同じレンズを用いた簡単な構成で集光することができ、かつ、明視野用画像取得装置と暗視野用画像取得装置とへ別々に供給することができる。
本発明のパネル基板の製造方法によれば、新たなパターンを、透明度が高く厚さが薄い下地パターンに合わせて精度良く露光することができるので、透明度が高く厚さが薄いパターンを含むパネル基板を、高品質に製造することができる。
本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の概略構成を示す図である。 本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の側面図である。 基板をチャックにロードした状態を示す上面図である。 基板をチャックにロードした状態を示す側面図である。 チャックを露光位置へ移動した状態を示す側面図である。 マスクのアライメントマークの一例を示す図である。 基板の下地パターンのアライメントマークの一例を示す図である。 図8(a)はカメラユニット移動機構及び第1の焦点位置移動機構の上面図、図8(b)は同側面図である。 カメラユニットの構成を示す図である。 帯域通過フィルタの透過光量の一例を示す図である。 暗視野用のCCDカメラの焦点位置を移動した状態を示す図である。 画像処理装置及び主制御装置のブロック図である。 本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置のアライメント方法を示すフローチャートである。 静電容量方式のタッチパネル基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
図1は、本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の概略構成を示す図である。また、図2は、本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の側面図である。プロキシミティ露光装置は、ベース3、Xガイド4、Xステージ5、Yガイド6、Yステージ7、θステージ8、チャック支持台9、チャック10、マスクホルダ20、基板搬送ロボット30、温度調節装置40、台41、画像処理装置50、カメラユニット51、カメラユニット移動機構、第1の焦点位置移動機構、ステージ駆動回路60、及び主制御装置70を含んで構成されている。なお、図1では、カメラユニット移動機構、及び第1の焦点位置移動機構が省略されている。また、図2では、画像処理装置50、カメラユニット移動機構、第1の焦点位置移動機構、ステージ駆動回路60、及び主制御装置70が省略されている。プロキシミティ露光装置は、これらの他に、露光光を照射する照射光学系、ギャップセンサー、Z−チルト機構、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。
なお、以下に説明する実施の形態におけるXY方向は例示であって、X方向とY方向とを入れ替えてもよい。
図1及び図2において、チャック10は、基板1のロード及びアンロードを行うロード/アンロード位置にある。ロード/アンロード位置において、基板搬送ロボット30により、基板1がチャック10へ搬入され、また基板1がチャック10から搬出される。基板1の表面には、例えば透明導電膜(ITO膜)等の様に透明度が高く厚さが薄い下地パターンが形成され、下地パターンの上にはフォトレジストが塗布されている。
ベース3の手前には、チャック10へ搬送する前の基板1の温度を調節する温度調節装置40が設けられている。図2において、温度調節装置40は、台41に搭載されている。図1において、温度調節装置40の横には、基板搬送ロボット30が配置されている。基板搬送ロボット30は、基板1を図示しない搬送ラインから温度調節装置40へ搬送する。そして、基板搬送ロボット30は、チャック10がロード/アンロード位置にある時、基板1を温度調節装置40からチャック10へ搬送し、また露光後の基板1をチャック10から図示しない搬送ラインへ搬送する。
温度調節装置40の内部には、図示しない複数の突き上げピンが収納されている。温度調節装置40は、突き上げピンを上昇させて基板搬送ロボット30のハンドリングアーム31から基板1を受け取り、突き上げピンを下降させて基板1を温度調節面に接触させる。また、温度調節装置40は、突き上げピンを上昇させて基板1を温度調節面から持ち上げ、基板搬送ロボット30のハンドリングアーム31が突き上げピンの先端から基板1を受け取る。
同様に、チャック10の内部には、図示しない複数の突き上げピンが収納されている。チャック10は、突き上げピンを上昇させて基板搬送ロボット30のハンドリングアーム31から基板1を受け取り、突き上げピンを下降させて基板1を表面に接触させる。また、チャック10は、突き上げピンを上昇させて基板1を表面から持ち上げ、基板搬送ロボット30のハンドリングアーム31が突き上げピンの先端から基板1を受け取る。
図3は、基板をチャックにロードした状態を示す上面図である。また、図4は、基板をチャックにロードした状態を示す側面図である。なお、図3では、画像処理装置50、カメラユニット移動機構、第1の焦点位置移動機構、ステージ駆動回路60、及び主制御装置70が省略されている。また、図4では、基板搬送ロボット30、温度調節装置40、台41、画像処理装置50、カメラユニット移動機構、第1の焦点位置移動機構、ステージ駆動回路60、及び主制御装置70が省略されている。
図5は、チャックを露光位置へ移動した状態を示す側面図である。なお、図5では、基板搬送ロボット30、温度調節装置40、台41、画像処理装置50、カメラユニット移動機構、第1の焦点位置移動機構、ステージ駆動回路60、及び主制御装置70が省略されている。露光位置の上空には、マスク2を保持するマスクホルダ20が設置されている。図3において、マスクホルダ20には、露光光が通過する開口20aが設けられており、マスクホルダ20は、開口20aの周囲に設けられた図示しない吸着溝により、マスク2の周辺部を真空吸着して保持している。マスクホルダ20に保持されたマスク2の上空には、図示しない照射光学系が配置されている。露光時、照射光学系からの露光光がマスク2を透過して基板1へ照射されることにより、マスク2のパターンが基板1の表面に転写され、基板1上にパターンが形成される。
図4及び図5において、チャック10は、チャック支持台9を介してθステージ8に搭載されており、θステージ8の下にはYステージ7及びXステージ5が設けられている。Xステージ5は、ベース3に設けられたXガイド4に搭載され、Xガイド4に沿ってX方向(図4及び図5の図面横方向)へ移動する。Yステージ7は、Xステージ5に設けられたYガイド6に搭載され、Yガイド6に沿ってY方向(図4及び図5の図面奥行き方向)へ移動する。θステージ8は、Yステージ7に搭載され、θ方向へ回転する。チャック支持台9は、θステージ8に搭載され、チャック10の裏面を複数個所で支持する。Xステージ5、Yステージ7、及びθステージ8には、ボールねじ及びモータや、リニアモータ等の図示しない駆動機構が設けられており、各駆動機構は、図1のステージ駆動回路60により駆動される。
Xステージ5のX方向への移動及びYステージ7のY方向への移動により、チャック10は、ロード/アンロード位置と露光位置との間を移動される。ロード/アンロード位置において、Xステージ5のX方向への移動、Yステージ7のY方向への移動、及びθステージ8のθ方向への回転により、チャック10に搭載された基板1のプリアライメントが行われる。露光位置において、Xステージ5のX方向への移動及びYステージ7のY方向への移動により、チャック10に搭載された基板1のXY方向へのステップ移動が行われる。また、図示しないZ−チルト機構によりマスクホルダ20をZ方向(図5の図面上下方向)へ移動及びチルトすることにより、マスク2と基板1とのギャップ合わせが行われる。そして、Xステージ5のX方向への移動、Yステージ7のY方向への移動、及びθステージ8のθ方向への回転により、マスク2と基板1との位置合わせが行われる。図1において、主制御装置70は、ステージ駆動回路60を制御して、Xステージ5のX方向への移動、Yステージ7のY方向への移動、及びθステージ8のθ方向へ回転を行う。
なお、本実施の形態では、マスクホルダ20をZ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク2と基板1とのギャップ合わせを行っているが、チャック支持台9にZ−チルト機構を設けて、チャック10をZ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク2と基板1とのギャップ合わせを行ってもよい。また、本実施の形態では、Xステージ5及びYステージ7によりチャック10をXY方向へ移動することにより、マスク2と基板1との位置合わせを行っているが、マスクホルダ20をXY方向へ移動するステージを設けて、マスクホルダ20をXY方向へ移動することにより、マスク2と基板1との位置合わせを行ってもよい。
図6は、マスクのアライメントマークの一例を示す図である。マスク2の基板1と向かい合う面(下面)には、アライメントマーク2aが4箇所に設けられている。図7は、基板の下地パターンのアライメントマークの一例を示す図である。図7は、基板1の一面を破線で区分けした4つの露光領域に分けて露光する例を示している。基板1の表面の各露光領域には、下地パターンが形成されている。下地パターンには、マスク2のアライメントマーク2aの位置に対応する位置に、アライメントマーク1aがそれぞれ設けられている。マスク2のアライメントマーク2aと基板1の下地パターンのアライメントマーク1aとは、両者の中心が一致したときに互いに重なり合わない形状となっている。アライメントマーク2a,1aの位置は、基板1の露光領域の大きさによって異なる。
図5において、マスク2の上空には、4つのカメラユニット51が設置されている。各カメラユニット51は、アライメントマーク2a,1aの位置に応じて、図示しないカメラユニット移動機構により、アライメントマーク2a,1aの真上の所定の位置へそれぞれ移動される。
図8(a)はカメラユニット移動機構及び第1の焦点位置移動機構の上面図、図8(b)は同側面図である。カメラユニット移動機構は、Yガイド54、Yステージ55、Xガイド56、Xステージ57、リブ58,59、モータ81,86、軸継手82,87、軸受83,88、ボールねじ84a,89a、ナット84b,89b、及びZベース90を含んで構成されている。また、第1の焦点位置移動機構は、Zガイド91、Zステージ92、リブ93、取り付けベース94、モータ台95、モータ96、軸継手97、軸受98、ボールねじ99a、及びナット99bを含んで構成されている。
露光位置の上空には、カメラユニット移動機構が設置されるトップフレーム53が設けられており、トップフレーム53には、開口53aが形成されている。トップフレーム53の上面には、Yガイド54が設けられており、Yガイド54には、Yステージ55が搭載されている。また、トップフレーム53の上面には、モータ81が設置されており、モータ81は、図1の主制御装置70により駆動される。モータ81の回転軸は、軸継手82によりボールねじ84aに接続されており、ボールねじ84aは、軸受83により回転可能に支持されている。Yステージ55の下面には、ボールねじ84aにより移動されるナット84bが取り付けられており、Yステージ55は、モータ81の回転により、Yガイド54に沿ってY方向へ移動される。
Yステージ55の上面には、Xガイド56が設けられており、Xガイド56には、Xステージ57が搭載されている。また、Yステージ55の上面には、モータ86が設置されており、モータ86は、図1の主制御装置70により駆動される。モータ86の回転軸は、軸継手87によりボールねじ89aに接続されており、ボールねじ89aは、軸受88により回転可能に支持されている。Xステージ57の下面には、ボールねじ89aにより移動されるナット89bが取り付けられており、Xステージ57は、モータ86の回転により、Xガイド56に沿ってX方向へ移動される。Xステージ57の側面には、リブ58,59により、Zベース90が取り付けられており、Zベース90は、トップフレーム53の開口53a内に挿入されている。
Zベース90には、Zガイド91が設けられており、Zガイド91には、Zステージ92が搭載されている。また、Zベース90に取り付けたモータ台95には、モータ96が設置されており、モータ96は、図1の主制御装置70により駆動される。モータ96の回転軸は、軸継手97によりボールねじ99aに接続されており、ボールねじ99aは軸受98により回転可能に支持されている。Zステージ92には、ボールねじ99aにより移動されるナット99bが取り付けられており、Zステージ92は、モータ96の回転により、Zガイド91に沿ってZ方向へ移動される。また、Zステージ92には、リブ93により、取り付けベース94が取り付けられており、取り付けベース94には、カメラユニット51が取り付けられている。
Xステージ57のX方向への移動及びYステージ55のY方向への移動により、カメラユニット51はXY方向へ移動される。図1の主制御装置70は、モータ81,86を制御して、各カメラユニット51を所定の位置へそれぞれ移動させる。また、Zステージ92のZ方向への移動により、カメラユニット51はZ方向へ移動される。主制御装置70は、モータ96を制御し、各カメラユニット51をZ方向へ移動させる。
図9は、カメラユニットの構成を示す図である。カメラユニット51は、ランプ61a、リング照明61b、帯域通過フィルタ62a,62b,66a,66b、ハーフミラー63a,65a、レンズ64、全反射ミラー65b、CCDカメラ67a,67b、及び第2の焦点位置移動機構を含んで構成されている。帯域通過フィルタ62a,66aと、帯域通過フィルタ62b,66bとは、互いに異なる波長の光を透過させる。図10は、帯域通過フィルタの透過光量の一例を示す図である。本実施の形態では、図10に示す様に、帯域通過フィルタ62a,66aが400nm〜500nmの波長の光を透過させ、帯域通過フィルタ62b,66bが550nm〜650nmの波長の光を透過させる。
図9において、ランプ61aは、ハロゲンランプ等からなり、白色光を発生する。ランプ61aから発生して帯域通過フィルタ62aを透過した光は、その一部がハーフミラー63aで反射され、レンズ64から、マスク2へ垂直に照射される。マスク2へ垂直に照射された光は、マスク2の下面に設けられたアライメントマーク2aで反射されて、反射光が発生する。また、リング照明61bは、レンズ64の外側に環状に設けられており、白色光を発生する。リング照明61bから発生して帯域通過フィルタ62bを透過した光は、基板1へ斜めに照射される。基板1へ斜めに照射された光は、基板1の表面に形成された下地パターンのアライメントマーク1aで散乱されて、散乱光が発生する。
なお、本実施の形態では、白色光を発生するランプ61a及び帯域通過フィルタ62aを用いているが、発光ダイオード(LED)や他の光源及び帯域通過フィルタを用いて、400nm〜500nmの波長の光をマスク2へ照射してもよい。同様に、本実施の形態では、白色光を発生するリング照明61b及び帯域通過フィルタ62bを用いているが、発光ダイオード(LED)や他の光源及び帯域通過フィルタを用いて、550nm〜650nmの波長の光を基板1へ照射してもよい。
マスク2の下面で発生した反射光、及び基板1の表面で発生した散乱光は、レンズ64により同時に集光され、ハーフミラー63aを透過した後、ハーフミラー65aへ照射される。ハーフミラー65aは、照射された光の一部を反射し、一部を透過させて、照射された光を2つに分岐する。ハーフミラー65aで反射された光は、帯域通過フィルタ66aへ照射される。帯域通過フィルタ66aは、400nm〜500nmの波長のマスク2の下面で発生した反射光を透過させて、明視野用のCCDカメラ67aへ照射する。一方、ハーフミラー65aを透過した光は、全反射ミラー65bで反射されて、帯域通過フィルタ66bへ照射される。帯域通過フィルタ66aは、550nm〜650nmの波長の基板1の表面で発生した散乱光を透過させて、暗視野用のCCDカメラ67bへ照射する。CCDカメラ67a,67bは、受光面で受光した光の強度分布に応じた画像信号を、図1の画像処理装置50へ出力する。
マスク2と基板1とのギャップ合わせを行った後、マスク2と基板1との位置合わせを行う際には、アライメントマーク2aが設けられたマスク2の下面と、下地パターンのアライメントマーク1aが形成された基板1の表面とが、プロキシミティギャップの分だけ数百μ〜数十μm程しか離れていない。そのため、マスク2の下面からの反射光と基板1の表面からの散乱光とを別々に集光しようとすると、装置の構成が非常に複雑となる。レンズ64により、マスク2へ照射した光がマスク2の下面で反射された反射光、及び基板1へ照射した光が基板1の表面で散乱された散乱光を同時に集光し、集光した光を2つに分岐し、分岐した光の一方に含まれるマスク2の下面からの反射光を、帯域通過フィルタ66aを通して明視野用のCCDカメラ67aへ照射し、分岐した光の他方に含まれる基板1の表面からの散乱光を、帯域通過フィルタ66bを通して暗視野用のCCDカメラ67bへ照射するので、互いに波長の異なるマスク2の下面からの反射光と基板1の表面からの散乱光とが、同じレンズ64を用いた簡単な構成で集光され、かつ、明視野用のCCDカメラ67aと暗視野用のCCDカメラ67bとへ別々に供給される。
各カメラユニット51には暗視野用のCCDカメラ67bの焦点位置を移動する第2の焦点位置移動機構が設けられている。第2の焦点位置移動機構は、CCDカメラ67bに取り付けられた直動モータ68を含んで構成されており、直動モータ68によりCCDカメラ67bを光軸方向へ移動して、CCDカメラ67bの焦点位置を移動する。図11は、暗視野用のCCDカメラの焦点位置を移動した状態を示す図である。直動モータ68は、図1の主制御装置70により駆動される。
図12は、画像処理装置及び主制御装置のブロック図である。画像処理装置50は、制御部50a、演算処理部50b、画像メモリ50c、及び演算メモリ50dを含んで構成されている。なお、図12では、1つのカメラユニット51のCCDカメラ67a,67bが示されており、他の3つのカメラユニット51のCCDカメラ67a,67bが省略されている。演算メモリ50dには、画像認識の際の基準となるアライメントマーク2aの画像及びアライメントマーク1aの画像が、予め記憶されている。画像メモリ50cは、各カメラユニット51のCCDカメラ67a,67bが出力した画像信号を記憶する。演算処理部50bは、画像メモリ50cに記憶された画像信号を処理し、各カメラユニット51のCCDカメラ67a,67bにより取得されたアライメントマーク2a,1aの画像と、演算メモリ50dに記憶されたアライメントマーク2a,1aの画像とを比較して画像認識を行い、認識したアライメントマーク2a,1aの位置を検出する。制御部50aは、演算処理部50bが画像認識を行う際の判定条件を設定する。この判定条件には、画像認識の対象となる画像と予め記憶された画像とが一致する度合いを判定する許容しきい値と、画像認識の対象となる画像のコントラストを判定するコントラストしきい値とがあり、両者を用いて画像認識の成否が判定される。
図12において、主制御装置70は、画像処理装置50を制御する画像処理制御部70aと、カメラユニット移動機構、第1の焦点位置移動機構、及び第2の焦点位置移動機構を制御するカメラユニット制御部70bと、ステージ駆動回路60を制御するステージ制御部70cとを含んで構成されている。なお、図12では、1つのカメラユニット移動機構のモータ81,86と、1つの第1の焦点位置移動機構のモータ96と、1つの第2の焦点位置移動機構のモータ68とが示されており、他の3つのカメラユニット移動機構のモータ81,86、他の3つの第1の焦点位置移動機構のモータ96、及び他の3つの第2の焦点位置移動機構のモータ68がそれぞれ省略されている。
以下、本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置のアライメント方法について説明する。図13は、本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置のアライメント方法を示すフローチャートである。まず、カメラユニット制御部70bは、第1の焦点位置移動機構のモータ96を駆動して、各カメラユニット51をZ方向へ移動し、各カメラユニット51の明視野用のCCDカメラ67aの焦点を、マスク2の下面に合わせる(ステップ401)。次に、カメラユニット制御部70bは、第2の焦点位置移動機構のモータ68を駆動して、暗視野用のCCDカメラ67bを光軸方向へ移動し、暗視野用のCCDカメラ67bの焦点を、基板1の表面に合わせる(ステップ402)。
各カメラユニット51の明視野用のCCDカメラ67aは、マスク2の下面で発生した反射光を受光して、マスク2のアライメントマーク2aの明視野画像を取得し、画像信号を画像処理装置50へ出力する。同時に、各カメラユニット51の暗視野用のCCDカメラ67bは、基板1の表面で発生した散乱光を受光して、基板1の下地パターンのアライメントマーク1aの暗視野画像を取得し、画像信号を画像処理装置50へ出力する(ステップ403)。画像処理装置50の演算処理部50bは、マスク2のアライメントマーク2aの画像認識、及びマスク2のアライメントマーク2aの位置検出と、基板1の下地パターンのアライメントマーク1aの画像認識、及び基板1の下地パターンのアライメントマーク1aの位置検出とを行う(ステップ404)。
第2の焦点位置移動機構により各暗視野用のCCDカメラ67bの焦点を基板1の表面に合わせ、各暗視野用のCCDカメラ67bにより、基板1の下地パターンのアライメントマーク1aの暗視野画像を取得するので、基板1の下地パターンの透明度が高く厚さが薄い場合に、従来の明視野では鮮明な画像を取得することが困難であった基板1の下地パターンのアライメントマーク1aの画像が、異なる波長のマスク2の下面からの反射光に邪魔されることなく、散乱光だけの暗視野で鮮明に取得され、基板1の下地パターンのアライメントマーク1aの位置が精度良く検出される。
また、第1の焦点位置移動機構により各明視野用のCCDカメラ67aの焦点をマスク2の下面に合わせ、第2の焦点位置移動機構により各暗視野用のCCDカメラ67bの焦点を基板1の表面に合わせ、各明視野用のCCDカメラ67a及び各暗視野用のCCDカメラ67bにより、マスク2のアライメントマーク2aの明視野画像及び基板1の下地パターンのアライメントマーク1aの暗視野画像を同時に取得するので、従来のマスク2のアライメントマーク2aの画像と基板1の下地パターンのアライメントマーク1aの画像とを別々に取得する場合に比べ、装置の振動等による両者の相対的な位置の変動が無く、マスク2のアライメントマーク2aの位置及び基板1の下地パターンのアライメントマーク1aの位置が精度良く検出される。従って、新たなパターンが、透明度が高く厚さが薄い下地パターンに合わせて精度良く露光される。
主制御装置70の画像処理制御部70aは、演算処理部50bが検出したマスク2の複数のアライメントマーク2aの位置及び基板1の複数のアライメントマーク1aの位置から、マスク2と基板1との位置ずれ量を検出し(ステップ405)、両者の位置ずれ量が所定値以下であるか否かを判断する(ステップ406)。マスク2と基板1との位置ずれ量が所定値以下でない場合、ステージ制御部70cは、画像処理制御部70aが検出したマスク2と基板1との位置ずれ量に基づき、Xステージ5及びYステージ7の移動量、並びにθステージ8の回転量を算出する(ステップ407)。そして、ステージ制御部70cは、ステージ駆動回路60を制御して、Xステージ5及びYステージ7を算出した移動量だけ移動させ、またθステージ8を算出した回転量だけ回転させて(ステップ408)、ステップ403へ戻る。ステップ406において、マスク2と基板1との位置ずれ量が所定値以下である場合、主制御装置70は、基板1のアライメントを終了する。
以上説明した実施の形態によれば、基板1の下地パターンの透明度が高く厚さが薄い場合に、基板1の下地パターンのアライメントマーク1aの画像を鮮明に取得して、基板1の下地パターンのアライメントマーク1aの位置を精度良く検出することができる。また、マスク2のアライメントマーク2aの画像と、透明度が高く厚さが薄い基板1の下地パターンのアライメントマーク1aの画像とを同時に取得して、マスク2のアライメントマーク2aの位置及び基板1の下地パターンのアライメントマーク1aの位置を精度良く検出することができる。
さらに、550nm〜650nmの波長の光を基板1へ斜めに照射し、各暗視野用のCCDカメラ67bにより、基板1の透明電導膜に設けられたアライメントマーク1aの暗視野画像を取得することにより、基板1の透明電導膜に設けられたアライメントマーク1aの画像を特に鮮明に取得することができる。
さらに、レンズ64により、マスク2へ照射した光がマスク2の下面で反射された反射光、及び基板1へ照射した光が基板1の表面で散乱された散乱光を同時に集光し、集光した光を2つに分岐し、分岐した光の一方に含まれるマスク2の下面からの反射光を、第1の帯域通過フィルタ66aを通して明視野用のCCDカメラ67aへ照射し、分岐した光の他方に含まれる基板1の表面からの散乱光を、第2の帯域通過フィルタ66bを通して暗視野用のCCDカメラ67bへ照射することにより、互いに波長の異なるマスク2の下面からの反射光と基板1の表面からの散乱光とを、同じレンズ64を用いた簡単な構成で集光することができ、かつ、明視野用のCCDカメラ67aと暗視野用のCCDカメラ67bとへ別々に供給することができる。
本発明のプロキシミティ露光装置を用いて基板の露光を行い、あるいは、本発明のプロキシミティ露光装置のアライメント方法を用いてマスクと基板との位置合わせを行って、基板の露光を行うことにより、新たなパターンを、透明度が高く厚さが薄い下地パターンに合わせて精度良く露光することができるので、透明度が高く厚さが薄いパターンを含むパネル基板を、高品質に製造することができる。
例えば、図14は、静電容量方式のタッチパネル基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。透明導電膜形成工程(ステップ301)では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上に透明電極となる透明導電膜(ITO膜)を形成する。保護膜形成工程(ステップ302)では、透明導電膜の上に保護膜を形成する。電極膜形成工程(ステップ303)では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にセンサー電極となる電極膜を形成する。保護膜形成工程(ステップ304)では、電極膜の上に保護膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。
図14に示した静電容量方式のタッチパネル基板の製造工程では、電極膜形成工程(ステップ303)の露光処理において、本発明のプロキシミティ露光装置又は本発明のプロキシミティ露光装置のアライメント方法を適用することができる。
1 基板
1a,2a アライメントマーク
2 マスク
3 ベース
4 Xガイド
5 Xステージ
6 Yガイド
7 Yステージ
8 θステージ
9 チャック支持台
10 チャック
20 マスクホルダ
30 基板搬送ロボット
31 ハンドリングアーム
40 温度調節装置
41 台
50 画像処理装置
50a 制御部
50b 演算処理部
50c 画像メモリ
50d 演算メモリ
51 カメラユニット
53 トップフレーム
54 Yガイド
55 Yステージ
56 Xガイド
57 Xステージ
58,59 リブ
60 ステージ駆動回路
61a ランプ
61b リング照明
62a,62b,66a,66b 帯域通過フィルタ
63a,65a ハーフミラー
64 レンズ
65b 全反射ミラー
67a,67b CCDカメラ
68 直動モータ
70 主制御装置
70a 画像処理制御部
70b カメラユニット制御部
70c ステージ制御部
81,86,96 モータ
82,87,97 軸継手
83,88,98 軸受
84a,89a,99a ボールねじ
84b,89b,99b ナット
90 Zベース
91 Zガイド
92 Zステージ
93 リブ
94 取り付けベース
95 モータ台

Claims (8)

  1. マスクを保持するマスクホルダと、下地パターンが形成され、下地パターンの上にフォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、前記マスクホルダと前記チャックとを相対的に移動するステージとを備え、マスクと基板との間に微小なギャップを設け、ステージによりマスクホルダとチャックとを相対的に移動して、マスクと基板との位置合わせを行い、マスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置において、
    所定の波長の光をマスクへ照射する第1の照明手段と、
    前記第1の照明手段から照射される光とは異なる波長の光を基板へ斜めに照射する第2の照明手段と、
    前記第1の照明手段から照射された光がマスクの下面で反射された反射光を透過させる第1の帯域通過フィルタと、
    前記第2の照明手段から照射された光が基板の表面で散乱された散乱光を透過させる第2の帯域通過フィルタと、
    前記第1の帯域通過フィルタを透過した光を受光して、マスクに設けられた複数のアライメントマークの明視野画像を取得し、画像信号を出力する複数の明視野用画像取得装置と、
    前記第2の帯域通過フィルタを透過した光を受光して、基板の下地パターンに設けられた複数のアライメントマークの暗視野画像を取得し、画像信号を出力する複数の暗視野用画像取得装置と、
    各明視野用画像取得装置の焦点位置を移動する第1の焦点位置移動機構と、
    各暗視野用画像取得装置の焦点位置を移動する第2の焦点位置移動機構と、
    各明視野用画像取得装置及び各暗視野用画像取得装置が出力した画像信号を処理して画像認識を行い、認識したアライメントマークの位置を検出する画像処理装置と、
    前記第1の焦点位置移動機構により各明視野用画像取得装置の焦点をマスクの下面に合わせ、前記第2の焦点位置移動機構により各暗視野用画像取得装置の焦点を基板の表面に合わせ、各明視野用画像取得装置及び各暗視野用画像取得装置により、マスクのアライメントマークの明視野画像及び基板の下地パターンのアライメントマークの暗視野画像を同時に取得させ、前記画像処理装置が検出したマスクのアライメントマークの位置及び基板の下地パターンのアライメントマークの位置に基づき、前記ステージにより前記マスクホルダと前記チャックとを相対的に移動させて、マスクと基板との位置合わせを行う制御手段とを備えたことを特徴とするプロキシミティ露光装置。
  2. 前記第2の照明手段は、550nm〜650nmの波長の光を基板へ斜めに照射し、
    各暗視野用画像取得装置は、基板の透明電導膜に設けられたアライメントマークの暗視野画像を取得することを特徴とする請求項1に記載のプロキシミティ露光装置。
  3. 前記第1の照明手段から照射された光がマスクの下面で反射された反射光、及び前記第2の照明手段から照射された光が基板の表面で散乱された散乱光を集光するレンズと、
    前記レンズにより集光された光を2つに分岐する分岐手段とを備え、
    前記第1の帯域通過フィルタは、前記分岐手段により分岐された光の一方に含まれるマスクの下面からの反射光を透過させて前記明視野用画像取得装置へ照射し、
    前記第2の帯域通過フィルタは、前記分岐手段により分岐された光の他方に含まれる基板の表面からの散乱光を透過させて前記暗視野用画像取得装置へ照射することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のプロキシミティ露光装置。
  4. マスクを保持するマスクホルダと、下地パターンが形成され、下地パターンの上にフォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、マスクホルダとチャックとを相対的に移動するステージとを備え、マスクと基板との間に微小なギャップを設け、ステージによりマスクホルダとチャックとを相対的に移動して、マスクと基板との位置合わせを行い、マスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置のアライメント方法であって、
    マスクに設けられた複数のアライメントマークの明視野画像を取得するための複数の明視野用画像取得装置と、基板の下地パターンに設けられた複数のアライメントマークの暗視野画像を取得するための複数の暗視野用画像取得装置と、各明視野用画像取得装置の焦点位置を移動する第1の焦点位置移動機構と、各暗視野用画像取得装置の焦点位置を移動する第2の焦点位置移動機構と、各明視野用画像取得装置及び各暗視野用画像取得装置が出力した画像信号を処理して画像認識を行い、認識したアライメントマークの位置を検出する画像処理装置とを設け、
    所定の波長の光をマスクへ照射しながら、
    マスクへ照射している光とは異なる波長の光を基板へ斜めに照射し、
    マスクへ照射した光がマスクの下面で反射された反射光を、第1の帯域通過フィルタを通して各明視野用画像取得装置へ照射し、
    基板へ照射した光が基板の表面で散乱された散乱光を、第2の帯域通過フィルタを通して各暗視野用画像取得装置へ照射し、
    第1の焦点位置移動機構により各明視野用画像取得装置の焦点をマスクの下面に合わせ、
    第2の焦点位置移動機構により各暗視野用画像取得装置の焦点を基板の表面に合わせ、
    各明視野用画像取得装置及び各暗視野用画像取得装置により、マスクのアライメントマークの明視野画像及び基板の下地パターンのアライメントマークの暗視野画像を同時に取得し、
    画像処理装置が検出したマスクのアライメントマークの位置及び基板の下地パターンのアライメントマークの位置に基づき、ステージによりマスクホルダとチャックとを相対的に移動して、マスクと基板との位置合わせを行うことを特徴とするプロキシミティ露光装置のアライメント方法。
  5. 550nm〜650nmの波長の光を基板へ斜めに照射し、
    各暗視野用画像取得装置により、基板の透明電導膜に設けられたアライメントマークの暗視野画像を取得することを特徴とする請求項4に記載のプロキシミティ露光装置のアライメント方法。
  6. レンズにより、マスクへ照射した光がマスクの下面で反射された反射光、及び基板へ照射した光が基板の表面で散乱された散乱光を同時に集光し、
    集光した光を2つに分岐し、
    分岐した光の一方に含まれるマスクの下面からの反射光を、第1の帯域通過フィルタを通して明視野用画像取得装置へ照射し、
    分岐した光の他方に含まれる基板の表面からの散乱光を、第2の帯域通過フィルタを通して暗視野用画像取得装置へ照射することを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のプロキシミティ露光装置のアライメント方法。
  7. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のプロキシミティ露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とするパネル基板の製造方法。
  8. 請求項4乃至請求項6のいずれか一項に記載のプロキシミティ露光装置のアライメント方法を用いてマスクと基板との位置合わせを行って、基板の露光を行うことを特徴とするパネル基板の製造方法。
JP2012076067A 2012-03-29 2012-03-29 プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及びパネル基板の製造方法 Pending JP2013205702A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012076067A JP2013205702A (ja) 2012-03-29 2012-03-29 プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及びパネル基板の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012076067A JP2013205702A (ja) 2012-03-29 2012-03-29 プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及びパネル基板の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013205702A true JP2013205702A (ja) 2013-10-07

Family

ID=49524831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012076067A Pending JP2013205702A (ja) 2012-03-29 2012-03-29 プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及びパネル基板の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013205702A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9939605B2 (en) 2015-08-06 2018-04-10 Qualcomm Incorporated Submicron wafer alignment
US10048473B2 (en) 2015-08-06 2018-08-14 Qualcomm Incorporated Submicron wafer alignment
KR20190041525A (ko) * 2016-08-30 2019-04-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 위치 센서, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05332739A (ja) * 1992-05-28 1993-12-14 Fujitsu Ltd 外観検査装置
JP2005519460A (ja) * 2002-03-07 2005-06-30 ノバ メジャリング インストゥルメンツ エルティーディー 重ね合わせ測定方法およびシステム
JP2011227213A (ja) * 2010-04-17 2011-11-10 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2011248207A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及びパネル基板の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05332739A (ja) * 1992-05-28 1993-12-14 Fujitsu Ltd 外観検査装置
JP2005519460A (ja) * 2002-03-07 2005-06-30 ノバ メジャリング インストゥルメンツ エルティーディー 重ね合わせ測定方法およびシステム
JP2011227213A (ja) * 2010-04-17 2011-11-10 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2011248207A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及びパネル基板の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9939605B2 (en) 2015-08-06 2018-04-10 Qualcomm Incorporated Submicron wafer alignment
US10048473B2 (en) 2015-08-06 2018-08-14 Qualcomm Incorporated Submicron wafer alignment
KR20190041525A (ko) * 2016-08-30 2019-04-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 위치 센서, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR102203005B1 (ko) 2016-08-30 2021-01-14 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 위치 센서, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3795820B2 (ja) 基板のアライメント装置
JP2007155448A (ja) 端面検査装置
US8836943B2 (en) Workpiece alignment device
JP2004153264A (ja) 基板検査装置
WO2009133847A1 (ja) 観察装置および観察方法
WO2003046530A1 (fr) Dispositif d'inspection et procede d'inspection de profil de motif, systeme d'exposition
KR101993950B1 (ko) 위치 결정 장치, 위치 결정 방법, 리소그래피 장치 및 물품 제조 방법
TW201035696A (en) Alignment method, exposure method, electronic device fabrication method, alignment device, and exposure device
CN101025575A (zh) 基板曝光装置及基板曝光方法
JP2013205702A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及びパネル基板の製造方法
JP2011248207A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及びパネル基板の製造方法
JP2013195531A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2019027915A (ja) 検査方法及び検査装置
JP2011170144A (ja) フォトマスク、プロキシミティ露光装置、及びプロキシミティ露光装置のアライメントマーク検出方法
JP2003186201A (ja) 異物検査機能を備えた露光装置及びその装置における異物検査方法
JP2011003605A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012194067A (ja) 表面検査装置
KR20130017894A (ko) 노광 장치 및 그 방법
JP2012252233A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及び表示用パネル基板の製造方法
KR101372036B1 (ko) 노광용 기준 마크를 형성하는 장치
JP5355245B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2008064833A (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP6014386B2 (ja) ガラス板の照明装置及び加工装置
JP2004069580A (ja) マクロ検査装置およびマクロ検査方法
TWI656322B (zh) 螢光顯微鏡和具有螢光顯微鏡的基底檢驗裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140411

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150126

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150203

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150602