CN1702720A - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

一种显示设备的当前像素电路，包括：开关晶体管，其可以响应于当前选择信号而导通，以传递数据信号；驱动晶体管，用于输出对应于该数据信号的电流；以及第一和第二晶体管，响应于先前选择信号而导通。在该显示设备中，先前像素的开关晶体管的栅电极与当前像素的第一和第二晶体管耦接到用于一条用于传递先前选择信号的扫描线。因此，晶体管以先前像素的开关晶体管和当前像素的第一及第二晶体管的顺序布置在两条相邻数据线之间区域处的扫描线上。

Description

显示设备
技术领域
本发明涉及一种显示设备。更具体地，本发明涉及一种利用有机材料的电致发光的有机电致发光(在这里也称为EL)发光显示器。
背景技术
有机EL发光显示器是用于电激励有机荧光材料来发光的设备，其驱动以矩阵布置的n×m个有机发光元件来显示图像。
有机发光元件具有氧化铟锡(在这里也称为ITO)阳极、有机薄膜和阴极电极(例如，金属)层的结构，由于其二极管特性，它也被称为“有机发光二极管(在这里也称为OLED)”。有机薄膜具有包括发光层(在这里也称为EML)、电子传输层(在这里也称为ETL)、和空穴传输层(在这里也称为HTL)的多层结构，以保持电子和空穴处于良好平衡并提高发光效率。有机薄膜还可以包括电子注入层(在这里也称为EIL)和空穴注入层(在这里也称为HIL)。所述n×m个有机发光元件以矩阵布置，以形成有机EL显示板。
存在两种有机发光元件的驱动方法：无源矩阵法和使用薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵法。无源矩阵法形成互相垂直(或交叉)布置的阳极和阴极线，并选择阳极和阴极线以驱动有机发光元件。有源矩阵法顺次导通耦接到数据线和扫描线的多个TFT，以驱动有机发光元件。
在下文中，将描述通常的有源矩阵有机EL显示设备的像素电路。
图1是n×m个像素之一即该n×m个像素的第一行第一列上的像素的等效电路图。
参考图1，像素10包括三个子像素10r、10g和10b，它们具有有机发光元件OLEDr、OLEDg和OLEDb，以分别发射红(R)、绿(G)和蓝(B)光。在条状布置结构中，子像素10r、10g和10b耦接到独立的数据线D1r、D1g和D1b以及公共的扫描线S1。
红色子像素10r包括用于驱动有机发光元件OLEDr的两个晶体管M11r和M12r以及电容器C1r。同样，绿色子像素10g包括用于驱动有机发光元件OLEDg的两个晶体管M11g和M12g以及电容器C1g，而蓝色子像素10b包括用于驱动有机发光元件OLEDb的两个晶体管M11b和M12b以及电容器C1b。子像素10r、10g和10b的连接和操作基本上相同。因此，下面将通过示例来仅描述子像素10r的连接和操作。
驱动晶体管M11r耦接在电源电压VDD和有机发光元件OLEDr的阳极之间，以将光发射电流传递给有机发光元件OLEDr。有机发光元件OLEDr的阴极耦接到低于电源电压VDD的电压VSS。驱动晶体管M11r的电流量由通过开关晶体管M12r施加的数据电压控制。这里，电容器C1r耦接在晶体管M11r的源极和栅极之间，以将所施加的电压维持(或保持)预定的时间周期。晶体管M12r具有耦接到用于传递导通/关断选择信号(或选择信号)的扫描线S1的栅极、和耦接到用于传递对应于红色子像素10r的数据电压的数据线D1r的源极。
在操作时，当开关晶体管M12r响应于施加到其栅极上的选择信号而导通时，来自数据线D1r的数据电压V数据被施加到晶体管M11r的栅极。然后，电流IOLED根据由电容器C1r在栅极和源极之间充电的电压VGS而流动到(和/.或流过)晶体管M11r。然后，有机发光元件OLEDr根据电流IOLED发光。这里，流到有机发光元件OLEDr中的电流IOLED由下式1给出。
[式1]
其中，VTH是晶体管M11r的阈值电压，而β是常数。
如可以从式1看出的，在图1的像素电路中，对应于数据电压的电流被提供给有机发光元件OLEDr，使得有机发光元件OLEDr以对应于它的亮度发光。所施加的数据电压在所定义的范围内具有多个级别的值，以显示预定的亮度等级。
在有机EL显示设备中，一个像素10包括3个子像素10r、10g和10b，每个子像素具有用于驱动有机发光元件的驱动晶体管(M11r、M11g、或M11b)、开关晶体管(M12r、M12g或M12b)、以及电容器(C1r、C1g或C1b)。每个子像素还具有用于传递数据信号的数据线(D1r、D1g或D1b)、和用于传递电源电压VDD的电力线(power line)。
因此，这样的结构需要形成于一个像素中的大量元件如晶体管和电容器、以及因此导致的大量互连来传递电压或信号，所以，在一个像素区域内布置所有组成元件存在相当大的困难。
发明内容
本发明的一方面是提供一种能够在给定像素区域中高效地布置像素电路的组成元件的发光显示板和发光显示器。
在本发明的一个实施例中，提供了一种显示设备，其包括：第一和第二扫描线，沿第一方向延伸，并分别传递第一和第二选择信号；第一和第二数据线，与第一和第二扫描线绝缘地交叉，沿第二方向延伸，并分别传递第一和第二数据信号；以及像素电路，在由第一和第二扫描线与第一和第二数据线限定的像素区域中形成。该像素电路包括：第一晶体管，具有耦接到第一扫描线的控制电极，并响应于第一选择信号而导通，以传递第一数据信号；第二晶体管，用于输出对应于第一数据信号的电流；以及第三晶体管，具有耦接到第二扫描线的控制电极，并响应于第二选择信号而导通。第一晶体管临近第一数据线布置。第三晶体管临近第二数据线布置。第一和第三晶体管布置在其中形成了像素电路的像素区域的对角线上。
像素电路还可包括：第四晶体管，具有耦接到第二扫描线的控制电极，并响应于第二选择信号而导通；以及电力电极线(power electrode line)，与第一和第二扫描线绝缘地交叉，沿第二方向延伸，并布置在第一和第二数据线之间。
第三晶体管可布置在电力电极线和第二数据线之间。第二晶体管可布置在第四晶体管和电力电极线之间。
像素电路还可以包括：第一、第二和第三发光元件，用于发射对应于从第二晶体管输出的电流的光；以及第五、第六和第七晶体管，分别耦接在第二晶体管和第一、第二和第三发光元件之间，以控制第一、第二和第三发光元件的光发射。
在本发明另一实施例中，提供了一种发光显示板，其包括：扫描线，具有沿第一方向纵向延伸的延伸区域；第一、第二和第三半导体层区域，与扫描线的延伸区域绝缘地交叉；以及数据电极，沿第二方向延伸，并通过接触孔耦接到第一半导体层区域的一端。第二半导体层区域布置在第一半导体层区域和第三半导体层区域之间。
第一、第二和第三半导体层区域的每一个与扫描线交叉至少两次。第一半导体层区域可以以近似“U”形形成。第二和第三半导体层区域可以以近似“n”形形成。
本发明的一个实施例包括具有多个像素电路的发光显示板。每个像素电路包括：多条扫描线，包含具有至少沿第一方向纵向延伸的部分的第一扫描线，以传递第一选择信号；以及多条数据线，沿第二方向延伸，以传递数据信号。像素电路中的第一像素电路和第二像素分别耦接到扫描线和数据线。扫描线中的第一扫描线布置在其中形成了第一和第二像素电路的第一和第二像素区域之间。第一像素电路包括响应于第一选择信号而导通的第一晶体管。第二像素电路包括响应于第一选择信号而导通的第二和第三晶体管。第二晶体管布置在第一晶体管和第三晶体管之间。第一、第二和第三晶体管的沟道区域以平行结构彼此相邻地布置。
第一、第二和第三晶体管的沟道区域可以临近沿第一方向纵向延伸的第一扫描线的部分布置。
第一晶体管可具有耦接到数据线的第一电极，并且响应于第一选择信号而导通，以传递数据信号。
在本发明的另一实施例中，提供了一种发光显示器，其包括：多条扫描线，包含沿第一方向延伸并用于传递第一和第二选择信号的第一和第二扫描线；多条数据线，与扫描线绝缘地交叉，沿第二方向延伸，并用于传递数据信号；电力电极线；以及多个像素电路，每个像素电路耦接到扫描线和数据线。所述像素电路中的像素电路包括：第一晶体管，具有耦接到第一扫描线的控制电极，并响应于第一选择信号而导通，以传递数据信号；第二晶体管，具有耦接到第二扫描线的控制电极，和耦接到电力电极线的另一晶体管电极；第三晶体管，具有耦接到电力电极线的第一晶体管电极，并用于输出对应于第三晶体管的控制电极和电力电极线之间的电压差的电流；第四晶体管，具有耦接到第二扫描线的控制电极，并响应于第二选择信号而导通，以二极管式连接第三晶体管；第一、第二和第三发光元件，用于发射对应于从第三晶体管输出的电流的光；以及第一、第二和第三发光晶体管，分别耦接在第三晶体管的第二晶体管电极与第一、第二和第三发光元件之间。第一晶体管临近数据线中的第一数据线布置。第二晶体管临近数据线中的第二数据线布置，其中，该第二数据线与第一数据线相邻。第一和第二晶体管布置在其中形成了像素电路的像素区域的对角线上。
电力电极线可沿第二方向延伸，并可布置在第一数据线和第二数据线之间。
第四晶体管可布置在第一数据线和电力电极线之间，而第二晶体管可以布置在第二数据线和电力电极线之间。
电力电极线可以延伸通过第二和第三发光元件之间的区域。
附图说明
附图和说明书说明了本发明的示例实施例，并与描述一起用来解释本发明的原理。
图1是发光显示板的像素电路的电路图。
图2是根据本发明示例实施例的有机EL显示器的示意平面图。
图3是图2的有机EL显示器中的像素(或像素电路)的等效电路图。
图4是示出图3的像素电路的布线示例的平面图。
图5是沿行的方向由图4的线I-I’截取的横截面图。
图6是沿列的方向由图4的线II-II’截取的横截面图。
具体实施方式
在下面的详细描述中，通过图示示出和描述了本发明的示例实施例。如本领域技术人员将认识到的，可以在皆不脱离本发明的精神和范围的情况下，以各种方式修改所描述的示例实施例。因此，附图和描述本质上应被视为说明性的，而不是限制性的。
可能存在没有在说明书中讨论而在附图中示出的部分或者未在附图中示出的部分，这是因为它们对完整地理解本发明不是必需的。相同的附图标记指定相同的元件。当陈述第一组件耦接到第二组件时，第一和第二组件可以直接互相耦接，或者第三组件可以位于第一组件和第二组件之间，此外，诸如层、膜、区域或盘的部件在另一部件上可以指该部件“直接位于”所述另一部件上的情况、或在该部件与所述另一部件之间存在第三部件的情况。在此使用的术语“当前扫描线”是指传递当前选择信号的扫描线。在此使用的术语“先前扫描线”是指传递当前选择信号之前的选择信号的扫描线。在此使用的术语“当前像素”是指基于当前扫描线的选择信号发光的像素。在此使用的术语“先前像素”是指基于先前扫描线的选择信号发光的像素。在此使用的术语“下一像素”是指基于下一扫描线的选择信号发光的像素。
图2是根据本发明示例实施例的有机EL显示器的示意图。
如图2所示，根据本发明示例实施例的有机EL显示器包括：显示板100、扫描驱动器200、发射控制驱动器300、和数据驱动器400。显示板100包括：多条扫描线S0、S1、...、Sk、...、和Sn；多条光发射控制线E1、...、Ek、...、和En；多条数据线D1、...、Dk、...、和Dm；多条电力线，用于提供沿列布置的电源电压VDD；以及多个像素110。每个像素110在由两条相邻扫描线Sk-1和Sk与两条相邻数据线Dk-1和Dk限定的像素区域中形成。每个像素110由从当前扫描线Sk、先前扫描线Sk-1、光发射控制线Ek和数据线Dk传递(或传送)的信号驱动。每条光发射控制线E1至En分别包括三种光发射控制线E1r至Enr、E1g至Eng、和E1b至Enb(图2中未示出)。
扫描驱动器200将用于选择对应线的选择信号顺次传递给扫描线S0至Sn，以便将数据信号施加到对应线的像素。光发射控制驱动器300将用于控制有机发光元件OLEDr、OLEDg和OLEDb(图2中未示出)的光发射的光发射控制信号顺次传递给光发射控制线E1至En。数据驱动器400将对应于所选择的扫描线的像素的数据信号顺次施加到数据线D1至Dm，其中，在顺次施加选择信号时，选择信号被施加到所述所选择的扫描线上。
扫描驱动器200、发射控制驱动器300和数据驱动器400耦接到其中形成显示板100的基板。或者，扫描驱动器200、发射控制驱动器300和/或数据驱动器400可以直接安装在显示板100的玻璃基板上、或者由包括与形成于显示板100的基板中的扫描线、数据线和晶体管相同的层的驱动电路代替。或者，可以以焊接和/或耦接到显示板100的基板的带载封装(tape carrierpackage)(在这里也称为TCP)、柔性印刷电路(在这里也称为FPC)、或带式自动绑定(tape automatic bounding)(在这里也称为TAB)上的芯片的形式安装扫描驱动器200、发射控制驱动器300和/或数据驱动器400。
此外，在本发明的示例实施例中，可以将一个场(field)划分为分别写入红、绿和蓝数据以发射光的三个子场。出于此目的，扫描驱动器200将用于每个子场的选择信号顺次传递给扫描线S0至Sn。并且，发射控制驱动器300将光发射控制信号施加到光发射控制线E1至En，因而每个颜色的有机发光元件可以在一个子场上发光。数据驱动器400将用于这三个子场的对应于红色、绿色和蓝色有机发光元件的每一个的数据信号施加到数据线D1至Dm。
将参考图3详细描述根据本发明示例实施例的有机EL显示器的操作。
图3是图2的有机EL显示器中的像素110的等效电路图。出于示例的目的，像素110(或Pk)被示出为耦接到第k行的扫描线Sk和第k列的数据线，并且，所有晶体管均被示出为p-沟道晶体管。就这一点而言，本发明并不由此受到限制。
如图3所示，像素(或像素电路)110(或Pk)包括：驱动晶体管M1；二极管晶体管M3；电容器晶体管M4；开关晶体管M5；3个有机发光元件OLEDr、OLEDg和OLEDb；3个光发射晶体管M2r、M2g和M2b，分别用于控制有机发光元件OLEDr、OLEDg和OLEDb的光发射；以及两个电容器Cst和Cvth。图2中示出的一条光发射控制线Ek包括3条光发射控制线Ekr、Ekg和Ekb。光发射晶体管M2r、M2g和M2b响应于来自光发射控制线Ekr、Ekg和Ekb的光发射控制信号，有选择地将来自驱动晶体管M1的电流传递给有机发光元件OLEDr、OLEDg和OLEDb。
更具体地说，晶体管M5具有耦接到当前扫描线Sk的栅极、和耦接到数据线Dk的源极，并且响应于来自扫描线Sk的选择信号而将来自数据线Dk的数据电压传递给电容器Cvth的节点B。晶体管M4响应于来自先前扫描线Sk-1的选择信号，将电容器Cvth的节点B直接耦接到电源VDD。晶体管M3耦接到电容器Cvth的节点A，并且还分别通过晶体管M2r、M2g和M2b耦接到有机发光元件OLEDr、OLEDg和OLEDb。晶体管M3响应于来自先前扫描线Sk-1的选择信号而二极管式连接晶体管M1。用于驱动有机发光元件OLED(例如，OLEDr、OLEDg和/或OLEDb)的驱动晶体管M1具有耦接到电容器Cvth的节点A的栅极和耦接到电源电压VDD的源极，以使用施加到其栅极上的电压控制要施加到有机发光元件OLED(例如，OLEDr、OLEDg和/或OLEDb)的电流。
此外，电容器Cst的一个电极耦接到电源电压VDD，并且其另一电极耦接到(例如节点B附近的)晶体管M4的漏电极。电容器Cvth的一个电极或节点B耦接到电容器Cst的另一电极，以形成两个电容器Cst和Cvth的串联连接，并且，其另一电极耦接到(例如节点A附近的)驱动晶体管M1的栅极。
驱动晶体管M1的漏极耦接到光发射晶体管M2r、M2g和M2b的源极。晶体管M2r、M2g和M2b的栅极分别耦接到光发射控制线Ekr、Ekg和Ekb。光发射晶体管M2r、M2g和M2b的漏极分别耦接到有机发光元件OLEDr、OLEDg和OLEDb的阳极。有机发光元件OLEDr、OLEDg和OLEDb的阴极耦接到低于电源电压VDD的电源电压VSS。电源电压VSS可包括负电压或地电压。
在操作时，当“低”(或低电平)扫描电压施加到先前扫描线Sk-1时，晶体管M3和M4导通。随着晶体管M3导通，晶体管M1被二极管式连接。因此，晶体管M1的栅极和源极之间的电压差改变，直到其达到晶体管M1的阈值电压Vth为止。晶体管M1的源极耦接到电源电压VDD，因而施加到晶体管M1的栅极即电容器Cvth的节点A的电压是电源电压VDD和阈值电压Vth的和。此外，随着晶体管M4导通，电源电压VDD施加到电容器Cvth的节点B。因此，在电容器Cvth中充电的电压VCvth由下式2给出。
[式2]
VCvth＝VCvthA-VCvthB＝(VDD+Vth)-VDD＝Vth
其中，VCvth是在电容器Cvth中充电的电压；VCvthA是施加到电容器Cvth的节点A的电压；而VCvthB是施加到电容器Cvth的节点B的电压。
当“低”扫描电压施加到当前扫描线Sk时，晶体管M5导通，并且数据电压V数据被施加到节点B。电容器Cvth被对应于晶体管M1的阈值电压Vth的电压充电。因此，对应于数据电压V数据和晶体管M1的阈值电压Vth的和的电压被施加到晶体管M1的栅极。也就是说，晶体管M1的栅-源电压Vgs由下式3给出。这里，“高”(或高电平)信号被施加到光发射控制线Ek(例如，Ekr、Ekg和/或Ekb)，以关断晶体管M2(例如，M2r、M2g和/或M2b)，从而阻断电流。
[式3]
Vgs＝(V数据+Vth)-VDD
随后，施加到光发射控制线Ek的“低”信号导通晶体管M2，以将对应于晶体管M1的栅-源电压Vgs的电流IOLED提供给有机发光元件OLED(例如OLEDr、OLEDg和/或OLEDb)，使得有机发光元件OLED发射一个光或多个光。电流IOLED由下式4给出。
[式4]
Figure A20051005953000121
其中，IOLED是流到有机发光元件OLED的电流；Vgs是晶体管M1的栅-源极电压；Vth是晶体管M1的阈值电压；V数据是数据电压；以及β是常数。
更详细地说，当数据电压V数据是红色数据信号、并且晶体管M2r响应于来自光发射控制线Ekr的“低”光发射控制信号而导通时，电流IOLED被施加到红色有机发光元件OLEDr，使得红色有机发光元件OLEDr发光。
同样，当数据电压V数据是绿色数据信号、并且晶体管M2g响应于来自光发射控制线Ekg的“低”光发射控制信号而导通时，电流IOLED被施加到绿色有机发光元件OLEDg，使得绿色有机发光元件OLEDr发光。当数据电压V数据是蓝色数据信号、并且晶体管M2b响应于来自光发射控制线Ekb的“低”光发射控制信号而导通时，电流IOLED被施加到蓝色有机发光元件OLEDb，使得蓝色有机发光元件OLEDb发光。这里，施加到三个分别的光发射控制线的这三个光发射控制信号具有在一个场内不重叠(或互不叠加)的低电平间隔，以便在一个像素中表示全部三种颜色，即红色、绿色和蓝色。
在下文中，将参考图4、5和6更详细地描述根据本发明示例实施例的有机EL显示器中的一个像素电路的像素区域的布局。此外，当前像素Pk的某些组件具有正常的附图标记，而先前像素Pk-1的某些组件具有附加到相同附图标记上的符号“’”，以由此区分所述当前像素Pk的某些组件和所述先前像素的某些组件。
图4是示出图3所示的像素电路的布线示例的平面图。图5是沿行的方向由图4的线I-I’截取的横截面，而图6是沿列的方向由图4的线II-II’截取的横截面。
参考图4、5和6，从绝缘基板1(在图5-6中示出)上的二氧化硅形成屏蔽层3，并且在屏蔽层3上形成多晶硅层21、22、23、24、25、26、27、28和29，它们是由阴影区域代表的半导体层。
多晶硅层21是图4的左下角处的“U”形部分，用来形成包括当前像素Pk的晶体管M5的源极、漏极和沟道区域的半导体层。多晶硅层22是在发光元件OLEDr上方的近似“Γ”形部分，用来形成包括当前像素Pk的晶体管M2r的源极、漏极和沟道区域的半导体层。多晶硅层23在发光元件OLEDg上方沿列的方向延伸，以形成包括当前像素Pk的晶体管M2g的源极、漏极和沟道区域的半导体层。多晶硅层24是在发光元件OLEDb上方的近似“﹁”形部分，用来形成包括当前像素Pk的晶体管M2b的源极、漏极和沟道区域的半导体层。多晶硅层22、23和24互相整体耦接，以形成近似的“m”形。多晶硅层22与多晶硅层24近似地关于多晶硅层23对称。
多晶硅层25在像素区域上方中心处沿行的方向纵向延伸，以形成包括晶体管M1的源极、沟道和漏极区域的半导体层。多晶硅层26是近似矩形的部分，用来形成电容器Cvth的一个电极(节点A)。多晶硅层27是沿行的方向延伸的近似长方形部分，用来形成电容器Cst的一个电极。多晶硅层28是在多晶硅层26和27之间沿列的方向纵向延伸的近似“n”形的部分，用来形成晶体管M3的源极、漏极和沟道区域。多晶硅层28的一端耦接到多晶硅层26。多晶硅层28的另一端耦接到多晶硅层25以及多晶硅层22、23和24。多晶硅层29是近似“n”形的部分，其一端耦接到多晶硅层25和多晶硅层27，以形成晶体管M4的源极、沟道和漏极区域。
栅绝缘层30在多晶硅层21、22、23、24、25、26、27、28和29上形成。
如图4所示，在栅绝缘层30上形成栅电极线41、42、43、44、45、46和47。更具体地说，栅电极线41沿着对应于当前像素Pk的当前扫描线Sk的行的方向延伸，并与多晶硅层21绝缘地交叉，以形成当前像素Pk的晶体管M5的栅电极。栅电极线42沿着对应于当前像素Pk的光发射信号线Ekb的行的方向延伸，以形成晶体管M2b的栅电极。栅电极线43沿着对应于当前像素Pk的光发射信号线Ekg的行的方向延伸，以形成晶体管M2g的栅电极。栅电极线44沿着对应于当前像素Pk的光发射信号线Ekr的行的方向延伸，以形成晶体管M2r的栅电极。栅电极线45是与多晶硅层25绝缘地交叉的矩形部分，用来形成晶体管M1的栅电极。栅电极线46是多晶硅层26上的近似矩形部分，用来形成电容器Cvth的另一电极(节点B)。栅电极线47是多晶硅层27上的近似矩形部分，用来形成电容器Cst的另一电极(节点B)。
栅电极线41’沿对应于先前像素Pk-1的先前扫描线Sk-1的行的方向延伸，并与多晶硅层21’绝缘地交叉，以形成先前像素Pk-1的晶体管M5的栅电极。此外，栅电极线41’与多晶硅层28和29绝缘地交叉，以形成当前像素Pk的晶体管M3和M4的栅电极。
夹层(interlayer)绝缘层50在栅电极41、42、43、44、45、46和47上形成。夹层绝缘层50的表面可包括数据线61、电力线62、以及通过接触孔51a、51b、53、54a、54b、55(在图5中示出)、56a、56b、57r、57g和57b与对应的电极相接触的电极63、64、65、66r、66g和66b。
在图4的像素区域和另一像素区域之间沿列的方向纵向延伸的数据线61通过接触孔51a耦接到多晶硅层21和晶体管M4的源极，其中，接触孔51穿过夹层绝缘层50(在图5中示出)和栅绝缘层30(在图5中示出)。
沿列的方向纵向延伸的电力线62通过接触孔55(在图5中示出)耦接到多晶硅层27、28和29，以将电力提供给电容器Cst的一个电极和晶体管M1的源极，其中，接触孔55穿过夹层绝缘层50(在图5中示出)和栅绝缘层30(在图5中示出)。
电极63平行地贴近数据线61，并充当通过接触孔51b和接触孔53耦接多晶硅层21的漏极区域和栅电极46的节点B，其中，接触孔51b穿过夹层绝缘层50(在图5中示出)和栅绝缘层30(在图5中示出)，接触孔53穿过夹层绝缘层50(在图5中示出)。
电极64平行地贴近栅电极41’，并充当通过接触孔54a和接触孔54b耦接多晶硅层28中的晶体管M3的漏极区域和栅电极45的节点A，其中，接触孔54a穿过夹层绝缘层50(在图5中示出)和栅绝缘层30(在图5中示出)，接触孔54b穿过夹层绝缘层50(在图5中示出)。
电极65以近似矩形的构造(form)贴近栅电极41’，并充当通过接触孔56a和接触孔56b耦接多晶硅层29中的晶体管M4的漏极区域和栅电极47的节点B，其中，接触孔56a穿过夹层绝缘层50(在图5中示出)和栅绝缘层30，接触孔56b穿过夹层绝缘层50(在图5中示出)。
如图4所示，电极66r、66g和66b分别用来耦接每个发光元件的像素电极81r、81g和81b与晶体管M2r、M2g和M2b(在图2中示出)的漏极。电极66r、66g和66b位于近似矩形的构造(form)中，其在行的方向上沿栅电极42、43和44的边比在列的方向上沿数据线62的边更长。电极66r、66g和66b分别耦接到通过接触孔57r、57g和57b与多晶硅层22、23和24相接触的晶体管M2r、M2g和M2b的漏电极，其中，接触孔57r、57g和57b穿过栅绝缘层30(在图5中示出)和夹层绝缘层50(在图5中示出)。
图6出于示例目的图示了绿色像素的横截面图。下面的描述也可以扩展到红色像素和蓝色像素。在电极66g上形成平面(planarizing)层70。平面层也可以在电极63、64、65、66r和66b(在图4中示出)上形成。像素电极81r、81g和81b分别通过穿过平面层70的接触孔71r、71g和71b耦接到电极66r、66g和66b。如图6(和/或图4)所示，包括发光层(EML)、电子传输层(ETL)和空穴传输层(HTL)的夹层结构的红色、绿色和蓝色有机薄膜85r(在图4中示出)、85g和85b(在图4中示出)分别在像素电极81r、81g和81b上形成。
如图4所示，在实施例中，扫描线41从数据线61起延伸，并顺次与多晶硅层21、28’和29’绝缘地交叉，以形成当前像素Pk的开关晶体管M5、以及下一像素Pk+1的晶体管M3和M4。同样，扫描线41’从数据线61起延伸，并顺次与多晶硅层21’、28和29绝缘地交叉，以形成先前像素Pk-1的开关晶体管M5、以及当前像素Pk的晶体管M3和M4。
更详细地说，开关晶体管M5临近数据线61形成，因而耦接开关晶体管M5的源极和电容器Cvth的一个电极(或节点B)的电极线63可以平行地贴近数据线61。此外，晶体管M4远离像素区域中的数据线61(并且临近第二数据线61”)形成，因而晶体管M4的源极可以临近电力线62布置。晶体管M3可以布置在晶体管M5和M4之间。因此，先前像素的开关晶体管M5以及当前像素的晶体管M3和M4从数据线起按顺序布置，因而可以高效地布置像素区域内的元件。
利用包括5个晶体管、2个电容器和3个发射元件的像素电路描述了本发明的示例实施例；然而，本发明并不由此受到限制。本发明的实施例可以应用到具有1个发射元件、2个发射元件、4个发射元件和/或多于4个发射元件的像素电路，并且还可以应用到具有一个、两个和/或更多晶体管以及/或者一个或更多电容器的像素电路(例如，图1的两个晶体管和一个电容器的
实施例)。
通常，并且根据本发明的特定实施例，其控制电极耦接到两条相邻数据线之间的扫描线的晶体管按照先前像素的开关晶体管(例如，开关晶体管M5)和当前像素的晶体管(例如，晶体管M3和M4)的顺序布置，以便获得像素区域中元件的更高效率的布置。
此外，可以在两个晶体管(例如，晶体管M3和M4)之间提供电力电极线(例如，电力线62)，因而其可以临近这两个晶体管之一(例如，晶体管M4)的源电极布置。
尽管结合特定示例实施例描述了本发明，但本领域技术人员将理解，本发明不限于所公开的实施例，而是，相反，意欲涵盖包括在所附权利要求及其等同物的精神和范围内的各种修改。

Claims (16)

1.一种显示设备，包括：
第一和第二扫描线，沿第一方向延伸，并分别传递第一和第二选择信号；
第一和第二数据线，分别与第一和第二扫描线绝缘地交叉，沿第二方向延伸，并传递第一和第二数据信号；以及
像素电路，在由第一和第二扫描线与第一和第二数据线限定的像素区域中形成，包括：
第一晶体管，具有耦接到第一扫描线的控制电极，并响应于第一选择信号而导通，以传递第一数据信号；
第二晶体管，用于输出对应于第一数据信号的电流；以及
第三晶体管，具有耦接到第二扫描线的控制电极，并响应于第二选择信号而导通；其中
第一晶体管临近第一数据线布置；其中
第三晶体管临近第二数据线布置；以及其中
第一和第三晶体管布置在其中形成了像素电路的像素区域的对角线上。
2.如权利要求1所述的显示设备，其中，像素电路还包括：
第四晶体管，具有耦接到第二扫描线的控制电极，并响应于第二选择信号而导通；以及
电力电极线，与第一和第二扫描线绝缘地交叉，沿第二方向延伸，并布置在第一和第二数据线之间。
3.如权利要求2所述的显示设备，其中，第三晶体管布置在电力电极线和第二数据线之间。
4.如权利要求3所述的显示设备，其中，第二晶体管布置在第四晶体管和电力电极线之间。
5.如权利要求1所述的显示设备，其中，像素电路还包括：
第一、第二和第三发光元件，用于发射对应于从第二晶体管输出的电流的光；以及
第五、第六和第七晶体管，分别耦接在第二晶体管与第一、第二和第三发光元件之间，以控制第一、第二和第三发光元件的光发射。
6.一种显示板，包括：
扫描线，具有至少沿第一方向纵向延伸的延伸区域；
第一、第二和第三半导体层区域，与扫描线的延伸区域绝缘地交叉；和
数据电极，沿第二方向延伸，并通过接触孔耦接到第一半导体层区域的一端，
第二半导体层区域布置在第一半导体层区域和第三半导体层区域之间。
7.如权利要求6所述的显示板，其中，第一、第二和第三半导体层区域的每一个与扫描线交叉至少两次。
8.如权利要求7所述的显示板，其中，以近似“U”形来形成第一半导体层区域。
9.如权利要求8所述的显示板，其中，以近似“n”形来形成第二和第三半导体层区域。
10.一种显示板，包括：
多个像素电路，每个包括：
多条扫描线，包括具有至少沿第一方向纵向延伸的部分的第一扫描线，以传递第一选择信号；以及
多条数据线，沿第二方向延伸，以传递数据信号；其中
所述像素电路的第一像素电路和第二像素电路分别耦接到扫描线和数据线；其中
所述扫描线的第一扫描线布置在其中形成了第一和第二像素电路的第一和第二像素区域之间；其中
第一像素电路包括响应于第一选择信号而导通的第一晶体管；其中
第二像素电路包括响应于第一选择信号而导通的第二晶体管和第三晶体管；其中
第二晶体管布置在第一晶体管和第三晶体管之间；以及其中
第一、第二和第三晶体管使其沟道区域互相临近地平行布置。
11.如权利要求10所述的显示板，其中，第一、第二和第三晶体管的沟道区域临近所述沿第一方向纵向延伸的第一扫描线的部分布置。
12.如权利要求11所述的显示板，其中，第一晶体管具有耦接到数据线的第一电极，并响应于第一选择信号而导通，以传递数据信号。
13.一种显示设备，包括：
多条扫描线，具有用于传递第一和第二选择信号的沿第一方向延伸的第一和第二扫描线；
多条数据线，与扫描线绝缘地交叉，沿第二方向延伸，并用于传递数据信号；
电力电极线；
多个像素电路，每个像素电路耦接到扫描线和数据线；以及其中
所述多个像素电路具有这样的像素电路，其包括：
第一晶体管，具有耦接到第一扫描线的控制电极，该第一晶体管响应于第一选择信号而导通，以传递数据信号；
第二晶体管，具有耦接到第二扫描线的控制电极、以及耦接到电力电极线的另一晶体管电极；
第三晶体管，具有耦接到电力电极线的第一晶体管电极，并用于输出对应于第三晶体管的控制电极和电力电极线之间的电压差的电流；
第四晶体管，具有耦接到第二扫描线的控制电极，并且其中，第四晶体管响应于第二选择信号而导通，以二极管式连接第三晶体管；
第一、第二和第三发光元件，用于发射对应于从第三晶体管输出的电流的光；
第一、第二和第三发光晶体管，分别耦接在第三晶体管的第二晶体管电极与第一、第二和第三发光元件之间；其中
第一晶体管临近数据线中的第一数据线布置，其中
第二晶体管临近数据线中的第二数据线布置，该第二数据线与第一数据线相邻，以及其中
第一和第二晶体管布置在其中形成了像素电路的像素区域的对角线上。
14.如权利要求13所述的显示设备，其中，电力电极线沿第二方向延伸，并布置在第一数据线和第二数据线之间。
15.如权利要求14所述的显示设备，其中，第四晶体管布置在第一数据线和电力电极线之间，第二晶体管布置在第二数据线和电力电极线之间。
16.如权利要求14所述的显示设备，其中，电力电极线延伸通过第二和第三发光元件之间的区域。
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