CN1697193A - 固体摄像器件及其制造方法 - Google Patents
固体摄像器件及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1697193A CN1697193A CN200510068815.4A CN200510068815A CN1697193A CN 1697193 A CN1697193 A CN 1697193A CN 200510068815 A CN200510068815 A CN 200510068815A CN 1697193 A CN1697193 A CN 1697193A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mentioned
- zone
- photographic device
- electrode slice
- solid photographic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title abstract 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 82
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 64
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 39
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 35
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
- H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/555—Constructional details for picking-up images in sites, inaccessible due to their dimensions or hazardous conditions, e.g. endoscopes or borescopes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明的目的在于提供一种既能维持固体摄像器件的抗静电破坏性，又能使摄像机小型化的固体摄像器件，该固体摄像器件包括：输送由将入射光进行光电转换而产生的信号电荷，并将信号电荷转换为电信号之后作为摄像信号输出的摄像部(100)；以及具有信号用电极片(111)、电源用电极片(112)和保护电路(113)的外围电路部分(110)。保护电路(113)具有相互反相的二极管(320、330)，将来自外部侵入的静电泄放到电源用电极片(112)。
Description
技术领域
本发明涉及固体摄像器件，特别涉及能够减少电源种类和端子数量的固体摄像器件。
背景技术
在构成摄像机(camera)、特别是数字静像摄影机(digital steel camera)的摄像器件的固体摄像器件中，通常采用CCD(电荷耦合器件(ChargeCoupled Device))型固体摄像器件。
图1是现有的CCD型固体摄像器件的示意性顶视图(例如，参照日本专利3313125号公报(第1-3页、第15图))。
如图1所示，现有的固体摄像器件，在1个芯片的半导体衬底920的主表面上，形成有拍摄被摄体的摄像部900和外围电路部910。
在摄像部900中，虽然没有图示，但设置有光电二极管、垂直CCD、水平CCD及输出放大器，摄像部900输送对入射光进行光电转换而产生的信号电荷，并将信号电荷转换为电信号，作为摄像信号进行输出。
在外围电路部910中设置有：用于输入输出信号的九个信号用电极片(電極パツド)911、用于供给电源电压的两个电源电压用电极片912、隔离自外部侵入的静电以保护摄像部900的保护电路913、泄放自外部侵入的静电的静电用电极片914。
信号用电极片911包括被供给驱动垂直CCD的四相脉冲V1、V2、V3及V4的电极片；被供给驱动水平CCD的两相脉冲H1及H2的电极片；被供给使自水平CCD输送来信号电荷的漂移扩散层复位的脉冲RG的电极片；被供给实现电子快门(電子シヤツタ)动作的脉冲SUB的电极片，该电子快门的动作是设定使由光电二极管产生的过剩电荷排出的溢出阻挡层、并强制排出光电二极管的信号电荷；输出来自输出放大器的摄像信号的电极片。
电源用电极片912由被供给输出放大器等的电源电压Vod的电极片、被供给基准电压Vwell的电极片构成。
自外部对静电用电极片914供给与脉冲V1、V2、V3或V4的低电平电压相同的电压Vss。
保护电路913具有二极管，该二极管的正极连接到静电用电极片914、负极连接到信号用电极片911中任一个，将从外部侵入到信号用电极片911的静电泄放到静电用电极914，保护摄像部900。例如，与被供给脉冲V1、V2、V3及V4的信号用电极片911连接的保护电路913，泄放侵入到被供给脉冲V1、V2、V3及V4的信号用电极片911的静电，以保护垂直CCD的驱动电极。
于是，近年来，要求摄像机进一步小型化。
但是，在现有的固体摄像器件中，在半导体衬底上按约40μm的间隔来形成12个具有所谓约80～100μm大小宽度的电极片。因此，就会增大半导体衬底的面积及与固体摄像器件连接的柔性基板等安装衬底的面积，因此存在不能适应摄像机小型化的要求的问题。例如，在电子内窥镜的摄像机中使用的固体摄像器件中，如图2所示，构成所谓在半导体衬底1000的特定一侧排列一列电极片1010并连接这些电极片或柔性基板1020的电极片的结构。因此，半导体衬底的宽度为大约1.5mm。
发明内容
因此，本发明鉴于上述问题，其目的在于提供一种既能维持固体摄像器件的抗静电破坏性、又能使摄像机小型化的固体摄像器件。
为了实现上述目的，本发明的固体摄像器件，其特征在于，包括：摄像部，具有将入射光光电转换为信号电荷的光电转换单元，输送上述光电转换单元的信号电荷，并将信号电荷转换为电信号作为摄像信号输出；保护上述摄像部不受静电影响的保护电路；对上述摄像部供给电源电压的电源用电极片；上述保护电路将来自外部的静电泄放到上述电源用电极片。在此，上述摄像部也可利用具有正电压及负电压的电压电平的脉冲输送信号电荷；对上述电源用电极片供给与上述脉冲正电压相同或超过脉冲正电压的电源电压。上述固体摄像器件还包括用于输入输出信号的信号用电极片；上述保护电路还可具有第1二极管；上述第1二极管的负极与上述电源用电极片连接，上述第1二极管的正极与上述信号用电极片连接。此外，也可对上述信号用电极片供给用于输送信号电荷的脉冲。此外，也可在第1导电类型的半导体衬底上形成上述保护电路；在上述半导体衬底的形成有上述保护电路的部分，具有：与形成在上述半导体衬底上部的第1导电类型的相反极性的第2导电类型的第1区域；在上述第1区域表面上形成的、与上述电源用电极片连接的第1导电类型的第2区域；在上述第2区域表面上形成的、与上述信号用电极片连接的第2导电类型的第3区域。
由此，由于没有设置用于泄放静电的专用电极片，就能够泄放自外部侵入的静电，所以就能够实现既维持固体摄像器件的抗静电破坏性、又能使摄像机小型化的固体摄像器件。此外，由于能够减少与固体摄像器件连接的安装衬底的电极片及布线，所以能够实现使摄像机进一步小型化的固体摄像器件。此外，能够实现可减少电源种类及减少端子数量的固体摄像器件。
此外，上述保护电路还可具有第2二极管，且上述第2二极管的负极与上述第1二极管的负极连接，上述第2二极管的正极与地连接。
由此，由于侵入到摄像部的静电也能被泄放到地，所以能够提高固体摄像器件的抗静电破坏性。
此外，还可由多个二极管并联连接构成上述第1二极管；在上述第2区域表面也可形成岛状的多个上述第3区域。
由此，由于能够增加pn结的面积，保护电路增加泄放静电的量，所以能够进一步提高固体摄像器件的抗静电破坏性。此外，由于能够自由地选择二极管的配置，所以能够使固体摄像器件小型化。
此外，上述固体摄像器件也可具有强制排出上述光电转换单元的信号电荷的电子快门(shutter)功能；在上述半导体衬底的形成有上述保护电路的部分，还具有在上述第1区域内的上述第2区域的下方形成的第2导电类型的第4区域；上述第4区域是杂质浓度比上述第1区域更高的区域。
由此，能够消除电子快门对保护电路的的动作的影响。
此外，也可在上述半导体衬底上形成上述光电转换单元；在上述半导体衬底的形成有上述光电转换单元的部分，具有：在上述半导体衬底上部形成的第2导电类型的第1区域；在上述第1区域表面上形成的第1导电类型的第5区域；在上述第5区域表面上形成的第2导电类型的第6区域。也可在上述半导体衬底的形成有上述保护电路的部分，还具有在上述第3区域表面上形成的第2导电类型的第7区域；按相同条件分别对上述第5区域及第3区域注入相同的杂质以来形成上述第6区域及上述第7区域。
由此，由于能够减少用于形成光电转换单元及保护电路的工序，因此就能够容易制造出固体摄像器件。
此外，上述固体摄像器件还包括：连接上述保护电路和上述电源用电极片的第1布线；和连接上述摄像部和上述电源用电极片的第2布线，述第1布线和第2布线各自被独立布线。上述电源用电极片也可由第1电极片和第2电极片构成；上述第1布线和第1电极片连接；上述第2布线和第2电极片连接。
由此，由于能够电隔离保护电路和摄像部，所以能够防止由从保护电路向摄像部供给电压而引起的供给摄像部的电压波动。
发明效果
如上述说明所表明，根据本发明的固体摄像器件，既能够实现维持固体摄像器件的抗静电破坏性、又能使摄像机小型化。此外，能够获得具有高的抗静电破坏性的固体摄像器件。
因此，根据本发明，能够提供一种既可维持固体摄像器件的抗静电破坏性、又能使摄像机小型化的固体摄像器件，实用价值极高。
附图说明
图1是现有的CCD型固体摄像器件的示意顶视图。
图2是电子内窥镜的摄像机的斜视图。
图3是本发明的本实施方式的CCD型固体摄像器件的示意顶视图。
图4是表示驱动垂直CCD的脉冲的波形的一个例子。
图5是用于说明连接摄像部100及保护电路113和第1电极片112a的布线图。
图6是摄像部100的剖面图(光电二极管周边部分的剖面图)、及外围电路部分110的剖面图(保护电路113周边部分的剖面图)。
图7A是用于说明同实施方式的CCD型固体摄像器件的制造方法的摄像部100的剖面图(光电二极管周边部分的剖面图)、及外围电路部分110的剖面图(保护电路113周边部分的剖面图)。
图7B是用于说明同实施方式的CCD型固体摄像器件的制造方法的摄像部100的剖面图(光电二极管周边部分的剖面图)、及外围电路部分110的剖面图(保护电路113周边部分的剖面图)。
图7C是用于说明同实施方式的CCD型固体摄像器件的制造方法的摄像部100的剖面图(光电二极管周边部分的剖面图)、及外围电路部分110的剖面图(保护电路113周边部分的剖面图)。
图7D是用于说明同实施方式的CCD型固体摄像器件的制造方法的摄像部100的剖面图(光电二极管周边部分的剖面图)、及外围电路部分110的剖面图(保护电路113周边部分的剖面图)。
图7E是用于说明同实施方式的CCD型固体摄像器件的制造方法的摄像部100的剖面图(光电二极管周边部分的剖面图)、及外围电路部分110的剖面图(保护电路113周边部分的剖面图)。
图8是用于说明连接摄像部100及保护电路113和第1电极片112a及静电用电极片610的布线图。
图9是外围电路部分110的顶视图(保护电路113的周边部分的顶视图)。
图10A是保护电路113中的二极管320的布局图。
图10B是保护电路113中的二极管320的布局图。
图10C是保护电路113中的二极管320的布局图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本发明的实施方式中的固体摄像器件。
图3是本实施方式的CCD型固体摄像器件的示意性顶视图。
本实施方式的CCD型固体摄像器件由在一个芯片的半导体衬底120的主表面上形成的拍摄被摄体的摄像部100和外围电路部分110组成。
在摄像部100中，虽然未图示，但设置有：二维配置的存储经光电转换的信号电荷的多个光电二极管；将由各光电二极管产生的信号电荷向垂直方向输送的多个垂直CCD；将由各垂直CCD输送的信号电荷向水平方向输送的一个或多个水平CCD；以及将由水平CCD输送的信号电荷转换为电信号，并作为摄像信号输出的输出放大器。
在外围电路部分110设置有：用于输入输出信号的九个信号用电极片111、用于供给电源电压的两个电源用电极片112、隔离从外部侵入的静电而保护摄像部100的保护电路113。
信号用电极片111包括：被供给驱动垂直CCD的四相脉冲V1、V2、V3及V4的电极片；被供给驱动水平CCD的两相脉冲H1及H2的电极片；被供给使自水平CCD输送来信号电荷的漂移扩散层复位的脉冲RG的电极片；被供给实现电子快门动作的脉冲SUB的电极片，该电子快门的动作是设定使由光电二极管产生的过剩电荷排出的溢出阻挡层、并强制排出光电二极管的信号电荷；以及输出来自输出放大器的摄像信号的电极片。在此，脉冲V1、V2、V3及V4是具有正电压及负电压的电压电平的脉冲。
电源用电极片112由被供给输出放大器等电源电压Vod的第1电极片112a、被供给基准电压Vwell的第2电极片112b构成。在此，电压Vod被设定成与脉冲V1、V2、V3或V4的正电压相同或大于它们。例如，在脉冲V2及V4是取0、-7V这两个值的脉冲，脉冲V1及V3是取图4所示的12、0、-7V这三个值的情况下，电压Vod被设定为12V。
保护电路113具有：二极管320，负极连接第1电极片112a、正极连接任意一个信号用电极片111；二极管330，负极连接二极管320的负极，正极连接地。保护电路113将从外部侵入到信号用电极片111的静电泄放到第1电极片112a，在大静电侵入到信号用电极片111的情况下，静电也被泄放到地，从而保护摄像部100。例如，与被供给脉冲V1、V2、V3及V4的信号用电极片111连接的保护电路113，泄放侵入到被供给脉冲V1、V2、V3及V4的信号用电极片111的静电，以保护垂直CCD的驱动电极。而且，二极管330的正极与地的连接，例如，通过将二极管330的正极连接到第2电极片112b来实现。
在此，如图5所示，将连接第1电极片112a和保护电路113的保护电路用布线、以及连接第1电极片112a和摄像部100的摄像部用布线各自独立布线，从第1电极片112a引出两条布线。
图6是摄像部100的剖面图(光电二极管周边部分的剖面图)，及外围电路部分110的剖面图(保护电路113的周边部分的剖面图)。
在外围电路部分110中，在作为半导体衬底的n型硅衬底400的上部形成p型阱区410，在此p型阱区420的表面上形成n型阱区420及p型杂质扩散区430。此外，在p型阱区410的n型阱区420的下方形成p+型阱区440，以使保护电路113不受电子快门动作的影响。
在n型阱区420的表面上，形成n+型杂质扩散区450和在表面上形成p+型杂质扩散区461的p型杂质扩散区460。此外，在p型杂质扩散区430的表面上形成p+型杂质扩散区461。在此，p型杂质扩散区460的p+型杂质扩散区461为正极，n+型杂质扩散区450为负极，由此构成二极管320。此外，p型杂质扩散区430的p+型杂质扩散区461为正极，n+型杂质扩散区450为负极，由此构成二极管330。此时，二极管320的击穿电压由p型杂质扩散区460及n+型杂质扩散区450的杂质浓度和相对于p型杂质扩散区460的n+型杂质扩散区450的位置所决定。
在摄像部100中，在n型硅衬底400的上部形成p型阱区410，在此p型阱区410的表面上形成n型杂质扩散区470及p型杂质扩散区480。
在n型杂质扩散区470的表面上形成p+型杂质扩散区461。在此，由n型杂质扩散区470及p+型杂质扩散区461构成光电二极管。
在p型杂质扩散区480的表面上，形成n型输运沟道区481。在此，在n型输运沟道区481的上方，隔着栅绝缘膜形成输运电极490，由栅绝缘膜、n型输运沟道区481及输运电极490构成垂直CCD。
接着，沿图7A～图7E所示的剖面图说明具有上述这种结构的CCD型固体摄像器件的制造方法。而且，图7A～图7E所示的剖面图，是摄像部100的光电二极管周边部分、及外围电路部分110的保护电路113周边部分的剖面图。
首先，如图7A所示，在摄像部100及外围电路部分110中，对n型硅衬底400注入p型杂质例如硼，形成p型阱区410。
接着，如图7B所示，在外围电路部分110中，对p型阱区410高能量注入高浓度的p型杂质，形成p+型阱区440后，再注入n型杂质，形成n型阱区420。在此，使用同一掩膜来形成p+型阱区440及n型阱区420。
接着，如图7C所示，在外围电路部分110中，对p型阱区410及n型阱区420注入p型杂质，形成p型杂质扩散区460。此外，在摄像部100中，对p型阱区410注入n型杂质，形成n型杂质扩散区470。
接着，如图7D所示，在摄像部100中，对p型阱区410注入p型杂质，形成p型杂质扩散区480后，对p型杂质扩散区480注入n型杂质，形成n型输运沟道区481。并且，在n型输运沟道区481上形成栅绝缘膜及输运电极490。
最后，如图7E所示，在摄像部100及外围电路部分110中，对n型杂质扩散区470及p型杂质扩散区460注入高浓度的p型杂质，形成p+型杂质扩散区461。并且，在外围电路部分110中，对n型阱区420注入高浓度的n型杂质，形成n+型杂质扩散区450。
根据上述本实施方式的这种CCD型固体摄像器件，将自外部侵入到信号输入输出用的电极片的静电泄放到用于供给电源电压的电极片，没有如现有的CCD型固体摄像器件那样设置用于泄放静电的静电用电极片。因此，由于能够减少具有大约80～100μm这样大的宽度的电极片的数量减少一个，能够减小半导体衬底的面积(由图3的虚线所表示部分的面积)，所以本实施方式的CCD型固体摄像器件能够实现既维持固体摄像器件的抗静电破坏性、又能使摄像机小型化的CCD型固体摄像器件。此外，由于能够减少一个与固体摄像器件连接的安装衬底的电极片及布线，能够减小安装衬底的面积，所以本实施方式的CCD型固体摄像器件能够实现可使摄像机进一步小型化的CCD型固体摄像器件。
虽然上文按照本实施方式说明了本发明的固体摄像器件，但本发明并不限定于此实施方式，毫无疑问，在不脱离本发明的范围的情况下，能够进行各种变形或修正。
例如，在上述实施方式中，如图5所示，从第1电极片112a引出两条布线。但是，如图8所示，除了第1电极片112a之外，还在外围电路部分110设置被供给电压Vod的、泄放自外部侵入的静电的静电用电极片610，即也可使用保护电路用布线来连接静电用电极片610和保护电路113。在此情况下，自供给安装衬底的电压Vod的电极片引出两条布线，并连接到第1电极片112a及静电用电极片610。由此，由于能够电隔离保护电路113和摄像部100，所以能够防止由从保护电路113向摄像部110供给电压引起的电压Vod的波动。
此外，在上述实施方式中，虽然设保护电路113具有一个二极管320，但也可以使用具有电气并联的多个二极管320。在此情况下，如图9的外围电路部分110的顶视图(保护电路113的周边部分的顶视图)所示，在n型阱区420的表面上，形成多个具有p+型杂质扩散区461的岛状的例如宽3～5μm的p型杂质扩散区460。由此，增加了pn结的面积，由于能够增加保护电路泄放静电的量，所以能够提高固体摄像器件的抗静电破坏性。
此外，如图10A、10B、10C的保护电路113中的二极管320的布局图所示，由于能够自由选择二极管320的配置，所以可使固体摄像器件小型化。即，由于通过调节二极管320的配置，能够在电极片间或布线的间隙等中形成保护电路113，所以不必确保用于在半导体衬底上形成保护电路113的位置，并能够减小半导体衬底的面积。
产业上的可利用性
本发明可应用于固体摄像器件，特别是可应用于在电子内窥镜的摄像机中使用的CCD型固体摄像器件等。
Claims (20)
1、一种固体摄像器件，其特征在于，包括：
摄像部，具有将入射光光电转换为信号电荷的光电转换单元，且输送上述光电转换单元的信号电荷，并将信号电荷转换为电信号之后作为摄像信号输出；
保护上述摄像部不受静电影响的保护电路；
对上述摄像部供给电源电压的电源用电极片；
上述保护电路将来自外部的静电泄放到上述电源用电极片。
2、根据权利要求1所述的固体摄像器件，其特征在于，
上述摄像部利用具有正电压及负电压的电压电平的脉冲来输送信号电荷；
对上述电源用电极片供给与上述脉冲正电压相同或超过上述脉冲正电压的电源电压。
3、根据权利要求2所述的固体摄像器件，其特征在于，
上述固体摄像器件还包括用于输入输出信号的信号用电极片；
上述保护电路具有第1二极管；
上述第1二极管的负极与上述电源用电极片连接，上述第1二极管的正极与上述信号用电极片连接。
4、根据权利要求3中所述的固体摄像器件，其特征在于，
上述保护电路还具有第2二极管；
上述第2二极管的负极与上述第1二极管的负极连接，上述第2二极管的正极与地连接。
5、根据权利要求4所述的固体摄像器件，其特征在于，
对上述信号用电极片供给用于输送信号电荷的脉冲。
6、根据权利要求5所述的固体摄像器件，其特征在于，
在第1导电类型的半导体衬底上形成有上述保护电路；
在上述半导体衬底的形成有上述保护电路的部分，具有：在上述半导体衬底上部形成的、与第1导电类型相反极性的第2导电类型的第1区域；在上述第1区域表面上形成的、与上述电源用电极片连接的第1导电类型的第2区域；在上述第2区域表面上形成的、与上述信号用电极片连接的第2导电类型的第3区域。
7、根据权利要求6所述的固体摄像器件，其特征在于，
由多个二极管并联连接构成上述第1二极管；
在上述第2区域表面上，形成岛状的多个上述第3区域。
8、根据权利要求7所述的固体摄像器件，其特征在于，
上述固体摄像器件具有强制排出上述光电转换单元的信号电荷的电子快门功能；
在上述半导体衬底的形成有上述保护电路的部分，还具有在上述第1区域内的上述第2区域的下方形成的第2导电类型的第4区域；
上述第4区域是杂质浓度比上述第1区域更高的区域。
9、根据权利要求8所述的固体摄像器件，其特征在于，
在上述半导体衬底上形成上述光电转换单元；
在上述半导体衬底的形成有上述光电转换单元的部分，具有：在上述半导体衬底上部形成的第2导电类型的第1区域；在上述第1区域表面上形成的第1导电类型的第5区域；在上述第5区域表面上形成的第2导电类型的第6区域。
10、根据权利要求9所述的固体摄像器件，其特征在于，
在上述半导体衬底的形成有上述保护电路的部分，还具有在上述第3区域表面上形成的第2导电类型的第7区域；
按相同条件分别对上述第5区域及第3区域注入相同的杂质，形成上述第6区域及上述第7区域。
11、根据权利要求10所述的固体摄像器件，其特征在于，
上述固体摄像器件还包括：连接上述保护电路和上述电源用电极片的第1布线；以及，连接上述摄像部和上述电源用电极片的第2布线，
上述第1布线和第2布线被各自独立布线。
12、根据权利要求10所述的固体摄像器件，其特征在于，
上述电源用电极片由第1电极片和第2电极片构成；
上述第1布线和第1电极片连接；并且
上述第2布线和第2电极片连接。
13、根据权利要求6所述的固体摄像器件，其特征在于，
上述固体摄像器件具有强制排出上述光电转换单元的信号电荷的电子快门功能；
在上述半导体衬底的形成有上述保护电路的部分，还具有在上述第1区域内的上述第2区域下方形成的第2导电类型的第4区域；
上述第4区域是杂质浓度比上述第1区域更高的区域。
14、根据权利要求6所述的固体摄像器件，其特征在于，
在上述半导体衬底上形成上述光电转换单元；
在上述半导体衬底的形成有光电转换单元的部分，具有：在上述半导体衬底上部形成的第2导电类型的第1区域；在上述第1区域表面上形成的第1导电类型的第5区域；以及，在上述第5区域表面上形成的第2导电类型的第6区域。
15、根据权利要求3所述的固体摄像器件，其特征在于，
对上述信号用电极片供给用于输送信号电荷的脉冲。
16、根据权利要求3所述的固体摄像器件，其特征在于，
在第1导电类型的半导体衬底上形成上述保护电路；
在上述半导体衬底的形成有上述保护电路的部分，具有：在上述半导体衬底上部形成的与第1导电类型相反极性的第2导电类型的第1区域；在上述第1区域表面上形成的、与上述电源用电极片连接的第1导电类型的第2区域；在上述第2区域表面上形成的、与上述信号用电极片连接的第2导电类型的第3区域。
17、根据权利要求1所述的固体摄像器件，其特征在于，
上述固体摄像器件还包括用于输入输出信号的信号用电极片；
上述保护电路具有第1二极管；
上述第1二极管的负极与上述电源用电极片连接，上述第1二极管的正极与上述信号用电极片连接。
18、根据权利要求1中所述的固体摄像器件，其特征在于，
上述固体摄像器件还包括：连接上述保护电路和上述电源用电极片的第1布线；以及，连接上述摄像部和上述电源用电极片的第2布线，
上述第1布线和第2布线被各自独立布线。
19、一种固体摄像器件的制造方法，该固体摄像器件包括将入射光进行光电转换的光电转换单元和保护电路，并具有强制地排出上述光电转换单元的信号电荷的电子快门功能，该固体摄像器件的制造方法的特征在于，包括：
第1区域形成工序，在第1导电类型的半导体衬底上部形成与第1导电类型相反极性的第2导电类型的第1区域；以及
第2区域形成工序，在上述半导体衬底的形成有上述保护电路的部分，在上述第1区域表面上形成第1导电类型的第2区域，在上述第1区域内的上述第2区域下方形成杂质浓度比上述第1区域更高的第2导电类型的第3区域，
在上述第2区域形成工序中，使用相同掩膜来注入第1导电类型杂质及第2导电类型杂质，从而形成上述第2区域及上述第3区域。
20、根据权利要求19所述的固体摄像器件的制造方法，其特征在于，还包括：
第4区域形成工序，在上述半导体衬底的形成有上述光电转换单元的部分，在上述第1区域表面上形成第1导电类型的第4区域，在上述第4区域表面上形成第2导电类型的第5区域。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004140854A JP4495512B2 (ja) | 2004-05-11 | 2004-05-11 | 固体撮像装置 |
| JP140854/2004 | 2004-05-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1697193A true CN1697193A (zh) | 2005-11-16 |
Family
ID=35308503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200510068815.4A Pending CN1697193A (zh) | 2004-05-11 | 2005-05-11 | 固体摄像器件及其制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7760251B2 (zh) |
| JP (1) | JP4495512B2 (zh) |
| CN (1) | CN1697193A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101663757B (zh) * | 2006-12-11 | 2011-07-20 | 富士胶片株式会社 | 固态摄像装置 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050245789A1 (en) | 2003-04-01 | 2005-11-03 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Fluid manifold for endoscope system |
| US20040199052A1 (en) | 2003-04-01 | 2004-10-07 | Scimed Life Systems, Inc. | Endoscopic imaging system |
| US8118732B2 (en) | 2003-04-01 | 2012-02-21 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Force feedback control system for video endoscope |
| US7591783B2 (en) | 2003-04-01 | 2009-09-22 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Articulation joint for video endoscope |
| US7578786B2 (en) | 2003-04-01 | 2009-08-25 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Video endoscope |
| AU2005291952A1 (en) | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Boston Scientific Limited | Adapter for use with digital imaging medical device |
| US7479106B2 (en) * | 2004-09-30 | 2009-01-20 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Automated control of irrigation and aspiration in a single-use endoscope |
| US8083671B2 (en) | 2004-09-30 | 2011-12-27 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Fluid delivery system for use with an endoscope |
| US8202265B2 (en) | 2006-04-20 | 2012-06-19 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Multiple lumen assembly for use in endoscopes or other medical devices |
| US7955255B2 (en) | 2006-04-20 | 2011-06-07 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Imaging assembly with transparent distal cap |
| US7764316B2 (en) * | 2007-03-15 | 2010-07-27 | Fairchild Imaging, Inc. | CCD array with integrated high voltage protection circuit |
| JP2009181976A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Panasonic Corp | 固体撮像装置および撮像装置 |
| JP5693060B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2015-04-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、及び撮像システム |
| US8942530B2 (en) | 2011-09-20 | 2015-01-27 | San Marino Capital, Inc. | Endoscope connector method and apparatus |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2569053B2 (ja) | 1987-06-26 | 1997-01-08 | キヤノン株式会社 | イメ−ジセンサ |
| JP3313125B2 (ja) | 1991-10-07 | 2002-08-12 | 株式会社日立製作所 | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
| JP3318272B2 (ja) * | 1991-10-07 | 2002-08-26 | 株式会社日立製作所 | 半導体回路 |
| JP3255186B2 (ja) | 1992-08-24 | 2002-02-12 | ソニー株式会社 | 保護装置と固体撮像素子 |
| US5597758A (en) | 1994-08-01 | 1997-01-28 | Motorola, Inc. | Method for forming an electrostatic discharge protection device |
| JP3277438B2 (ja) * | 1994-10-12 | 2002-04-22 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| JP2576433B2 (ja) * | 1994-12-14 | 1997-01-29 | 日本電気株式会社 | 半導体装置用保護回路 |
| KR100200352B1 (ko) * | 1995-12-30 | 1999-06-15 | 윤종용 | 반도체 장치의 보호 소자 |
| JPH09191102A (ja) * | 1996-01-09 | 1997-07-22 | Sony Corp | 半導体デバイスの保護回路 |
| TW299495B (en) * | 1996-05-03 | 1997-03-01 | Winbond Electronics Corp | Electrostatic discharge protection circuit |
| JPH11274454A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその形成方法 |
| JP3633297B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2005-03-30 | 松下電器産業株式会社 | サージ保護装置及び方法 |
| JP2000114465A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Sharp Corp | 静電破壊保護素子及びその製造方法 |
| JP2000152090A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JP2001298157A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Nec Corp | 保護回路及びこれを搭載した半導体集積回路 |
| TW530405B (en) | 2000-10-16 | 2003-05-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Integrated circuit provided with overvoltage protection and method for manufacture thereof |
| JP2004055675A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
-
2004
- 2004-05-11 JP JP2004140854A patent/JP4495512B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-05-03 US US11/119,763 patent/US7760251B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-05-11 CN CN200510068815.4A patent/CN1697193A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101663757B (zh) * | 2006-12-11 | 2011-07-20 | 富士胶片株式会社 | 固态摄像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7760251B2 (en) | 2010-07-20 |
| US20050253044A1 (en) | 2005-11-17 |
| JP4495512B2 (ja) | 2010-07-07 |
| JP2005322826A (ja) | 2005-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1697193A (zh) | 固体摄像器件及其制造方法 | |
| US10491846B2 (en) | Solid-state imaging device and driving method thereof, and electronic apparatus | |
| CN1238903C (zh) | 固态图像拾取器件及其制造方法 | |
| CN1527394A (zh) | 固体摄像器件、制造方法及行间传递型ccd图像传感器 | |
| CN1764246A (zh) | 固态成像装置 | |
| US11812170B2 (en) | Solid-state imaging element and electronic device | |
| US20180277588A1 (en) | Solid-state imaging element, method of manufacturing the same, and imaging device | |
| CN1674295A (zh) | 固态成像器件 | |
| CN1146998C (zh) | 光电转换器件与图象读取器件 | |
| CN1836331A (zh) | 半导体光检测元件和放射线检测装置 | |
| CN1791185A (zh) | 互补金属氧化物半导体图像传感器及其操作方法 | |
| CN1684269A (zh) | 固态图像传感器 | |
| CN1707804A (zh) | 用于减小暗电流的图像传感器及其制造方法 | |
| CN1885551A (zh) | 半导体集成电路器件及其制备方法 | |
| CN1347157A (zh) | 固体摄像装置 | |
| US8953078B2 (en) | Solid-state imaging device and imaging apparatus | |
| CN104064573B (zh) | 固态成像器件以及制造方法和电子设备 | |
| CN1605189A (zh) | 摄像装置 | |
| CN1808721A (zh) | 固态成像器件及其制造方法 | |
| CN1941397A (zh) | 固态成像器件及其驱动方法 | |
| CN101075627A (zh) | 固态图像传感装置 | |
| KR20040034497A (ko) | 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법 | |
| CN1617349A (zh) | 固体摄像器件及其控制方法 | |
| CN1619824A (zh) | 固态成像装置和电子静止照相机 | |
| JP2010067656A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| AD01 | Patent right deemed abandoned | ||
| C20 | Patent right or utility model deemed to be abandoned or is abandoned |