CN1685510A - 电子部件、制造电子器件的方法、测试结构、制造这种测试结构的方法以及测试显示板的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种电子器件，该器件包括承载至少一个部件的基板，该部件包括至少一个电极、电连接于所述电极的第一连接线，其中第一连接线借助于跨接来桥接第二连接线。该跨接在至少一侧由电绝缘结构划界。本发明允许用于诸如电致发光显示器的电子器件的新的测试方法和有效引出。

Description

电子器件、制造电子器件的方法、测试结构、制造这种测试结构 的方法以及测试显示板的方法
技术领域
本发明涉及一种电子器件，该器件包括承载至少一个部件的基板，该部件包括至少一个电极，用于电连接到所述电极的第一连接线，其中所述第一连接线借助于跨接来桥接第二连接线。
背景技术
US5,936,344公开了一种电致发光元件，该元件包括承载有机发光器件的基板，每一有机发光器件具有多个有机材料层，有机材料层由夹在阳极层与阴极层之间的有机化合物构成。该基板还承载用于将阳极或阴极电连接至显示板外围的接合焊盘的导电连接线。在标准阴极制作工艺中，连接线由与阴极相同的材料构成，并具有基本上与阴极相同的厚度。该电致发光元件在阳极层的层面和阴极层的层面处具有连接线。在阳极层的层面处的连接线可以通过开口与在阴极层的层面处的连接线连接。通过利用这种结构，可以获得连接线的跨接。连接线的跨接是用于将一个连接线与另一连接线进行桥接，而不会在这两个连接线之间产生电接触的电绝缘结构。这种跨接可以用于将每个电致发光元件的阳极和阴极连接到适当的接合焊盘，或用于重新布局电子器件或诸如玻璃上芯片的集成电路的连接线。
现有技术的缺点是制造电致发光或集成电路的工艺不适宜于满足朝向高清晰度发展的趋势，这种趋势导致电极间距的大幅下降。当采用标准的阴极制作工艺来用于同时形成阴极、连接线和跨接时，所制造出的大量高清晰度电致发光元件在两个相邻的连接线之间存在短路。
发明内容
本发明特别旨在提供一种电子器件，该电子器件减小了在相邻的连接线和/或跨接之间的短路风险。这种电子器件可以为其中包含相邻连接线的电致发光显示器或集成电路。对于电致发光显示器件，优选地，允许使用用于同时形成阴极、连接线和跨接的标准阴极制作工艺。
通过提供一种电子器件来获得该目的，其中该电子器件的特征在于：跨接至少在一侧上由电绝缘结构划界。该结构精确地为跨接定界，并将该结构一侧上的跨接与该结构另一侧上的区域电分离。发现根据本发明在两个相邻的连接线之间存在电短路的高清晰度显示板的数量急剧降低。甚至在使用用于同时形成阴极、连接线和跨接的标准阴极制作工艺时，也获得这一结果。
该结构可以非常精确地对准，且能用于使跨接线彼此接近。例如，在结构的每一侧上，可以建立跨接，产生高清晰度显示板需要的高密度的跨接和连接线。此外，该结构允许使用用于同时形成阴极、连接线和跨接的标准阴极制作工艺。
使用电绝缘结构来构造有机电致发光显示板的阴极是公知的，例如US5,294,869、US5,701,055和US5,962,970。壁垒(rampart)将沉积的金属层分割，以便于壁垒一侧上的金属层形成为与壁垒另一侧上的金属层电分离。然而，没有任何公开物公开了使用电绝缘结构来限定用于连接线的跨接的区域。
此外优选地，在跨接位置处，在导电连接线与另外的导电连接线之间的材料为电绝缘非电致发光材料，优选为电绝缘有机材料，诸如抗蚀剂。也可以使用通过PECVD沉积的SiOx或SiNx。应该注意的是，与现有技术相比较，根据本发明的该电绝缘结构可以形成在电绝缘非电致发光材料的顶部上，该电绝缘非电致发光材料将要形成的跨接与诸如另外的连接线或发光器件的下层结构进行电隔离。
优选地，根据本发明的用于将跨接划界的电绝缘结构具有在平行于基板表面的方向上突出的伸出部分。更为优选地，根据本发明的结构具有倒锥形或T型横截面。通过利用这种结构，可以形成弯曲或曲折的连接线，因为在该结构的顶部上获得导电层的电分离。
优选地，每个跨接完全被分离的电绝缘结构包围，这进一步减小了短路风险，因为在这种情况下，在两个相邻的跨接之间内有两个分离的结构。
该电子器件可以为包括几个显示像素的电致发光显示器。显示像素包括第一电极或电极组和第二电极或电极组，电致发光材料层夹在这些电极之间。第一或第二电极可以连接于第一连接线。将第一或第二电极电连接于它们各自的连接点的方式在有机电致发光显示板中特别有用，因为用于制造这种有机电致发光显示板的制造方法特别适合，且有时已经用于制造这种结构，并适于用于在一个步骤中形成阴极、连接线和跨接的标准阴极制作工艺。
选择地，该电子器件涉及在玻璃基板上采用的集成电路，其包括用于集成电路的连接线。
本发明还涉及一种用于制造电子器件的方法，该电子器件包括在至少第二连接线上的至少第一连接线的跨接，所述连接线中的至少其中之一连接到电子器件，该方法包括下述步骤：
-在基板上同时或连续地形成所述器件的所述第一连接线和所述第二连接线；
-在所述第一连接线和所述第二连接线上或上方、至少在其中要形成跨接的位置处沉积绝缘层；
-在所述绝缘层中要为电接触提供所述第一连接线和连接点的位置处，限定或制作开口；
-形成至少部分地对其中要形成所述跨接的区域进行划界的电绝缘结构；
-沉积导电层以将所述第一连接线连接于所述连接点，该连接点可以连接于另一第二连接线。
优选地，电绝缘结构包围所述跨接。则能够在沉积绝缘层之前施加该电绝缘结构。然后仅在其中要形成跨接的区域中沉积该绝缘层。
优选地，在连接具有多个显示像素的显示板中，应用该用于制造跨接的方法。对于显示板，该方法的应用在有机电致发光显示板中特别有用，因为该制造方法特别适合用于制作这种有机电致发光显示板，且有时已经用于制造该结构，并适于使用用于同时形成阴极、连接线和跨接的标准阴极制作工艺。
本发明还涉及一种用于测试显示板的测试结构，该显示板包括至少第一电极组和第二电极组，其中所述测试结构适合于同时从显示板的单一一侧分别地连接到所述第一电极组和所述第二电极组。
在任何连接件和/或驱动电子部件应用之间对显示板进行测试，是增加成功制造的显示器的总产量和因此降低制造成本的关键所在。
本发明还涉及一种制造测试结构的方法和用于测试显示器的方法。
附图说明
参考附图将更加详细描述本发明的实施例，其中：
图1A、B示意性地示出包括到显示板和显示像素的连接的显示器；
图2A-D示出根据本发明实施例的连接到图1中所示的显示板的工艺；
图3A和B示出图2D的截面的放大图；
图4示意性示出使用常规梳状结构用于测试显示板；
图5A-D示出根据本发明实施例的测试结构的各种实施例。
具体实施方式
接着，将描述其中电子器件为电致发光显示器的本发明的实施例。应该意识到，本发明可以应用于其它电子器件，其中其部件经由连接线连接，诸如集成电路、聚合物电子部件、固态激光器，并可用于重新布线例如电子显示器上的信号线或其它线。
图1A和1B示出电致发光显示器1，包括分别展现出多个显示像素3(LED)和单个显示像素3的显示板2。显示像素3布置成行和列的矩阵，且经由第一连接线4和第二连接线5相互连接。显示像素3也可以与另外的第一连接线6连接。
图1B示出具有R、G和B子像素的LED显示像素3的横截面示意图。应该意识到显示像素事实上会更加复杂；然而图1B中的示例说明适宜于描述根据本发明的实施例的目的。
显示像素3包括基板7。优选，基板7相对于由显示子像素R、G和B发出的光是透明的。合适的基板材料包括可以为柔性或不为柔性的合成树脂、石英、陶瓷和玻璃。选择地，可以采用顶部具有电介质层的金属基板来用于顶部发射显示器。取决于应用，基板的总厚度一般在从50μm到10mm的范围。对于大基板，通常需要更大的基板厚度。
将通常称之为阳极的第一电极8沉积在基板7的顶部之上或上方。优选地，所述第一电极8相对于要发射的光为透明的。例如，使用诸如氧化铟锡(ITO)的透明空穴注入电极材料。诸如聚苯胺(PANI)和聚-3，4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)的导电聚合物也是适合的透明空穴注入电极材料。优选地，PANI层具有50至200nm的厚度，而PEDOT层具有100至300nm的厚度。如果使用ITO空穴注入电极，则第一电极优选为阳极。
接着，在第一电极8之上或上方沉积绝缘层9。随后，至少在其中要形成显示子像素R、G和B的位置处，部分地除去绝缘层9。值得注意的是，本发明还可应用于单色显示器。接着，在第一电极8上或上方，至少在其中要形成显示子像素R、G和B的位置处，沉积包括发光材料的一层或多层10。虽然可以使用任何技术来提供电致发光材料，但是如果使用具有高分子量的电致发光材料，则优选利用诸如喷墨印刷、旋涂、浸涂、Langmuir-Blodgett技术、喷涂以及刮墨刀技术的本领域公知技术，将包括电致发光材料的层10作为液体沉积。选择地，如果使用具有低分子量的电致发光材料，则优选利用诸如真空沉积和化学汽相沉积(CVD)的本领域公知技术，通过气体媒介来沉积包括电致发光材料的层10。
包括电致发光材料的层10由第二电极11覆盖，在其中形成显示子像素R、G和B的位置处至少沉积该层。第二电极11通常被称为阴极。当采用诸如氧化铟锡(ITO)的空穴注入电极材料用于第一电极8时，第二电极必须为电子注入电极。这种电子注入电极适当地由具有低功函数的金属(合金)构成，诸如Yb、Ca、Mg：Ag Li：Al、Ba，或者为不同层的叠层，诸如Ba/Al或Ba/Ag。通常借助于真空沉积来沉积该第二电极。
可以通过在整个结构上涂敷密封层(未示出)，或者借助于玻璃或金属盖来封装显示像素3的发光结构。
第一连接线4和第二连接线5位于显示板2的区域外部。连接线4、5使信号能够施加到显示像素3、施加到第一电极8或第二电极11。在图1A中，对于彩色显示器1来说，这些信号可以涉及彩色信号红(R)、绿(G)和蓝(B)。便利地，红、绿和蓝显示子像素的复合体被称之为显示像素3。值得注意的是，显示子像素R、G和B可以布置成几种结构来形成显示像素3，诸如矩形或三角形结构。显示像素3还可以相互地连接到另外的第一连接线6。下面所述的本发明还可以应用于例如在显示器1上布线这些线、例如通过布线另外的连接线6以便于与第二连接线5和/或第一连接线4交叉。
如上所述，在现今的显示器件中，存在朝向高清晰度发展的趋势，这种趋势导致电极间距、即显示像素3内或之间的阳极8和/或阴极11之间的距离显著缩小。结果，根据该趋势，至少是连接于显示像素这些电极的第一连接线4之间的距离减小。因此，相邻第一连接线4之间的电短路的几率增加，特别是如果使用标准的阴极制作工艺。在标准的阴极制作工艺中，同时制作阴极11、第一连接线4和第一连接线4在第二连接线5或另外的连接线6之上的跨接。
现在关注图1A中的显示器1的区域12，其中连接线4和5相汇合，可以观察到第一连接线4的一些连接到连接点13，该连接点13可以连接于第二连接线5中提供用于R子像素的信号的一个，而其它第一连接线4必须借助跨接14来与第二连接线5交叉，以便于在其中一个第二连接线5处连接于另一连接点13，诸如提供用于G或B子像素的信号的第二连接线。可以理解，到所述连接点13不需要连接于供给信号的第二连接点线路5；它们可以选择地作为接合焊盘或任意其它连接点。
图2A至2D示出根据本发明用于图1A的区域12的方法。还显示出仅示出交叉区域的顶视图中所示出的横截面X-X和Y-Y。
在图2A中，在显示器1的基板7上沉积例如150nm厚度的第一连接线4和第二连接线5。所述第一连接线4通常由具有低电阻率的材料制成，诸如金属或合金。优选地，连接线4和5由与第一电极8相同的材料制成。在这种情况下，可以同时将第一电极8与连接线4和5形成在基板7上。例如，氧化铟锡(ITO)可以用于连接线4和5与第一电极8。选择地，连接线4和5由基板顶部上的ITO层制成，该ITO层由具有低电阻率的材料层覆盖，诸如金属或合金。连接线4和5与第一电极8可以通过诸如真空沉积的常规沉积方法和诸如光刻的构图方法来形成。
在图2B中，示出在连接线4、5和基板7上或上方沉积绝缘层15。至少在要形成跨接14的地方涂敷具有例如2μm厚光致抗蚀剂的绝缘层15，但也可以在相邻区域中涂敷。绝缘层15优选从常规的光致抗蚀剂来获得，并平坦化基板7。值得注意的是，显示板2中的绝缘层15和绝缘层9可以为在单个工艺步骤中所沉积的相同层。例如通过光刻和激光烧蚀，可以在绝缘层15中限定或制作到第一连接线4和第二连接线5的开口16，即绝缘层15中的通孔。
在图2C中，将电绝缘结构17涂敷在绝缘层的顶部上。该结构17精确地至少部分地对要形成跨接14的地方划定边界，并因此至少部分地划定跨接14的轮廓。虽然可以使用任何构图技术来提供该结构，但是所述结构优选通过光刻构图常规的光致抗蚀剂来获得。合适的宽度为1至50μm，或优选为10至20μm，合适的高度为0.5至30μm，优选高度为2至6μm。虽然结构17具有在平行于基板表面的方向上突出的伸出部分是优选的，但是该结构17的横向剖面适当地为矩形。
此外，跨接14可以通过用具有在平行于基板表面的方向上突出的伸出部分的结构17来包围它们而形成。这在图3中更加清楚地示出，下面对其描述。
优选，每个跨接14由分离的结构17包围，如图2C和2D中所示。这进一步减小了短路的风险，因为在这种情况下，在两个相邻的跨接14之间中存在两个分离的结构17。在这种情况下，可以在连接线4和5由绝缘层15覆盖之前形成结构17。可以通过在被该结构包围的区域上沉积绝缘材料，例如通过喷墨印刷，来执行所述覆盖。随后，例如采用激光烧蚀，在其中要形成开口16的位置处除去所述绝缘材料。
在结构17形成之后，沉积包括电致发光材料的显示像素3的层10是有利的，因为在这种情况下，电致发光层10不暴露在该结构制作工艺中占优势的那些条件下，这些条件对电致发光材料是有害的。
在图2D中，在图2C中示出的结构上或上方涂敷导电层18。这里形成跨接14，因为导电层18将第一连接线4与第二连接线5连接，如在横截面Y-Y中由箭头最清楚地示出的那样。导电层一般由具有低电阻率的材料制成，诸如金属或合金，且具有优选在100-500μm之间的厚度。如果通过真空沉积来沉积导电层18，这是普遍的情况，则结构17或其部分可以便利地用作用于形成跨接14的遮蔽掩模。当暴露于材料流(material flux)中时，通过该材料流在真空中沉积跨接14，结构17防止了导电材料沉积在处于由材料流相对于结构17的方向所提供的遮蔽区域中的位置处，由此获得构图的跨接14或构图的导电层18。
优选地，提供跨接14的导电层18与显示像素3的第二电极或阴极11的材料相同。在这种情况下，可以在一个真空沉积步骤中同时形成第二电极11和导电层18。
先前关于图2A-D注意到，附图不是按比例绘制的。在图3A和B中，分别给出在图2D中由19表示的X-X横截面中、和在图2D中由20表示的Y-Y横截面中的各种层的尺寸和层形状的更加真实的表示。
通过利用密封层(未示出)可以来封装包括连接线的显示板2，例如，如果跨接14要永久地应用在电子器件1中。选择地，为了保护，可以采用包括有机或无机成分或其组合的薄膜封装。这种薄膜封装可以实质上减小水扩散到该结构中。如果跨接结构应用于测试，这将在下面讨论，则跨接14不必由密封层来封装，而会被仔细地处理直到执行完测试。
可以有利地使用上述跨接的制造方法的各种方案，用于测试诸如显示板2的电子器件。在应用任何连接器和/或驱动电子部件之前，显示板2的测试是增加成功制造显示器件的总产量、并因此降低制造成本的关键所在。
通常可以区分这两种方法，其中可以测试到这些短路的存在。首先，分别地接触显示板2的所有电极8、11。这一测试类型代价高，因为需要具有电极间距的高精度的机器定位，且因此在经济方面不够吸引人。再次，如图4中所示，可以应用测试梳状结构21、22。在利用这些梳状结构中，每一第二阳极8连接在具有第一梳状结构21的显示板2的一侧上，而其它剩余的阳极8连接到显示板2另一侧的第二梳状结构21’。对于阴极11应用相同的工序。
在显示板2中可以观察到三种短路类型。首先，电致发光层10中的缺陷会导致在第一电极或阳极8与第二电极或阴极11之间的短路(AC-短路)。其次，显示板矩阵2中的相邻阳极8会彼此连接，即存在A-A短路。第三，相邻的阴极11会形成C-C短路。通过利用梳状结构21、22来测量电阻，可以探测到短路A-A、C-C和A-C的存在。在测试之后除去梳状结构21、22。
利用这些测试梳状结构是低成本的选择，但是对于当今的显示板，即作为彩色显示器和分屏或平铺式显示器和具有非常小的电极间距的显示器，如果并非不可能的话，也是很难利用这些梳状结构的。对于分屏显示器，仅显示器的一侧对于通过测试梳状结构的连接是可利用的。R、G和B子像素显示出具有不同的故障特性，即在R、G和B子像素之间的短路行为不同。因此，优选地，要分别地测试每一种颜色R、G和B，结果是需要三个梳状结构。不幸的是，显示板2的每一侧仅能容纳一个梳状结构。
在图5A-D中，示出测试结构的各种实施例，其中应用了根据本发明的制造跨接的各种方案。通常，根据本发明的限定跨接的方法允许显示板2的一个单独侧容纳多个梳状结构21、22。
在图5A和B中，示出用于测试单色分屏显示板2的梳状结构的两个实施例。在两个实施例中，测试结构23包括施加在显示板2一侧上的两个梳状结构。
在图5A中，第一连接线4和4’与第二连接线5和5’施加在基板上。接着，将绝缘层15沉积在连接线4、4’、5和5’上或上方。在绝缘层15沉积之前或之后，制作或限定开口16，以便于其后能够使第一连接线4’连接到第二连接线5’。为了建立该连接，在由24表示的区域中沉积导电材料层18。测试结构23使各自属于分屏显示器的不同显示板2的电极8和8’同时从显示板的一侧接近并连接。
选择地，在不同的工艺阶段施加第二连接线5和5’，并因此沉积绝缘层15，如图5B中所示。
对于彩色显示板2，可以需要在每个板一侧包括三个梳状结构的测试结构25，如上所阐释的。在图5C和5D中，示出这种测试结构25的两个实施例。
显示板2包括三个交替的电极组11、11’和11”。施加第一连接线4、4’和4”用于连接到所述电极组以及第二连接线5。接着，在连接线4、4’、4”和5上或上方沉积绝缘层15，并制作或限定开口16，以便于其后能够连接到第一连接线4’和4”。最后，在由26表示的区域中施加导电层18，其可以通过施加遮蔽掩模来分离。
在图5D中，示出测试结构25，其中，如果施加导电层18，则使用电绝缘结构17来分离要制作的分别到第一连接线4’和4”的连接。由于与图5C中示出的利用遮蔽掩模的工艺相比较，通过利用结构17可以制作彼此更加接近的开口16，所以可以将测试结构25制作得非常紧凑。结构17可以应用在图5C的测试结构中所描述的工艺的各种阶段。然而，优选地，在沉积绝缘层15之后应用该结构17。
总之，本发明涉及电绝缘结构的使用，以限定要被桥接的连接线的跨接。在跨接处，连接线由绝缘层覆盖，其中形成开口或接触孔。优选地，在该绝缘层上或上方沉积电绝缘结构。优选地，对每一跨接使用电绝缘结构，以最小化相邻连接线之间的短路风险。该电绝缘结构可以非常精确地对准，且在利用这些结构中，可以采用标准的阴极制作工艺，以使得小的连接线彼此接近。本发明允许新的测试和布线方法、以及对于电子器件的有效引出(lead-out)。这种电子器件可以为有机发光二极管或聚合LED。
为了讲授本发明的目的，上面已经描述了电子器件、制作跨接的方法、测试结构和测试方法的优选实施例。显而易见的，对于本领域技术人员来说，在不脱离本发明的实质精神下，可以构思出本发明的其它选择的和等效的实施例，并将其简化实践。

Claims (21)

1、一种电子器件(1)，包括承载至少一个部件(3)的基板(7)，该部件(3)包括至少一个电极(8、11)、电连接于所述电极的第一连接线(4)，其中所述第一连接线(4)借助于跨接(14)来桥接第二连接线(15)，其特征在于，跨接(14)在至少一侧上由电绝缘结构(17)划界。
2、根据权利要求1的电子器件(1)，其中所述电绝缘结构(17)延伸到基本上垂直于所述基板(7)的方向中，并包括至少一个在基本上平行于所述基板(7)的表面的方向上突出的伸出部分。
3、根据权利要求1的电子器件(1)，其中所述跨接(14)优选地完全由所述电绝缘结构(17)包围。
4、根据权利要求1所述的电子器件(1)，其中所述电子器件(1)包括几个第一连接线(4)，至少一些所述第一连接线(4)具有与至少所述第二连接线(5)的跨接(14)，其中每一跨接(14)由电绝缘结构(17)划界。
5、根据权利要求1的电子器件(1)，其中所述电子器件(1)为电致发光显示器，且所述部件(3)为显示像素。
6、根据权利要求5的电子器件(1)，其中所述显示像素包括第一电极(8)、电致发光材料(10)和第二电极(11)，所述第一或第二电极连接于所述第一连接线(4)。
7、根据权利要求1的电子器件(1)，其中所述电子器件(1)为集成电路。
8、根据权利要求7的电子器件，其中所述基板由玻璃制成。
9、一种制造电子器件(1)的方法，该电子器件包括至少第一连接线(4)在至少第二连接线(5)之上的跨接(14)，所述连接线的至少其中之一连接于电子器件(1)，该方法包括下述步骤：
-在基板(7)上同时或连续地形成用于所述器件(1)的所述第一连接线(4)和所述第二连接线(5)；
-在所述第一连接线(4)和所述第二连接线(5)上或上方、至少在其中要形成所述跨接(14)的位置处，沉积绝缘层(15)；
-在所述绝缘层(15)中要为电接触提供所述第一连接线(4)和连接点(13)的位置处，限定或制作开口(16)；
-形成电绝缘结构(17)，该电绝缘结构至少部分地对要形成所述跨接(14)的区域进行划界；
-沉积导电层(18)，以将所述第一连接线(4)连接于所述连接点(13)，该连接点(13)可以连接于另一第二连接线(5)。
10、根据权利要求9的方法，其中形成所述电绝缘结构(17)，以便于在基本上垂直于所述基板(7)的方向上延伸，并包括至少一个在基本上平行于所述基板(7)的表面的方向上突出的伸出部分。
11、根据权利要求9的方法，其中所述电绝缘结构(17)包围跨接(14)。
12、根据权利要求9的方法，其中所述电子器件(1)为具有至少一个显示像素(3)的电致发光显示器件，该显示像素(3)包括第一电极(8)、电致发光材料(10)和第二电极(11)，所述方法还包括下述步骤：
-与所述第一连接线(4)和/或所述第二连接线(5)同时形成所述第一电极(8)，
-在所述第一电极(8)上或上方、至少在其中要形成显示像素(3)的位置处形成电致发光层(10)，
-至少在其中要形成所述显示像素的位置处，与所述导电层(18)同时形成所述第二电极(11)，以便于连接所述第一或第二电极(8；11)与所述第一连接线(4)。
13、根据权利要求12的方法，其中在所述电绝缘结构(17)形成之后形成所述电致发光层(10)。
14、根据权利要求9的方法，其中所述电子器件(1)为集成电路，且所述第一连接线(4)连接于所述集成电路。
15、根据权利要求14的方法，其中所述集成电路制作在玻璃基板上。
16、一种用于测试显示板(2)的测试结构，包括至少第一电极组(8；11)和第二电极组(8’；11’、11”)，其中所述测试结构(23；25)适合于同时从显示板(2)的单一一侧分别地连接于所述第一电极组(8；11)和所述第二电极组(8’；11’、11”)。
17、根据权利要求16的测试结构，其中所述测试结构(23；25)包括多个梳状结构，每一梳状结构包括多个第一连接线(4、4’、4”)和第二连接线(5；5’)，其中使用对于所述第一连接线(4、4’、4”)和第二连接线(5；5’)的跨接(14)，来使得所述测试结构(23；25)能够连接到显示板(2)的所述单一一侧。
18、根据权利要求17的测试结构，其中通过沉积在绝缘层(15)上或上方的导电层(18)来形成所述跨接(14)，该绝缘层(15)具有到所述第一或第二连接线的开口(16)。
19、根据权利要求18的测试结构，其中电绝缘结构(17)分离至少一些所述开口(16)。
20、根据权利要求16-19中的任意一项的测试结构(23；25)的制造方法，利用根据权利要求9-11中任意一项的制造跨接的方法的一个或多个步骤。
21、用于测试显示板(2)或显示像素(3)的方法，其中使用根据权利要求16-19中任意一项的测试结构(23；25)。
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