CN1891015A - 用于测试电致发光显示器的设备 - Google Patents

Abstract

提供了一种用于提高电致发光显示器(ELD)的易测试性的设备，引入至少两组电极，一组用于连接像素的行，以及第二组用于连接像素的列，其中至少一个电极组被分隔为两个子集。第一子集具有第一长度的电极延伸部分，第二子集具有第二长度的电极延伸部分，第二长度更短。第一连接器通常布置在垂直于两个子集的电极延伸部分的方向上并与第二子集的电极延伸部分电接触。第二连接器通常布置在垂直于第一子集的电极延伸部分的方向上以及仅仅与第一子集的电极延伸部分电接触。一组绝缘片将第一子集的电极延伸部分与第一连接器分开。本发明的设备限制测试设备的连接/断开过程中的过电压。

Description

用于测试电致发光显示器的设备

技术领域

本发明涉及电致发光显示器(ELD)的电极设计，或更具体涉及为易测性目的而改进的电极设计。

背景技术

电致发光显示器(ELD)，由于其相对于阴极射线管的低工作电压，超过液晶显示器的优越图像质量、宽视角和快速响应时间，以及与等离子显示板相比其优越的灰阶能力和更薄的外形，因此是有利的。

ELD具有两组交叉的平行导电地址线，称作行和列，该地址线布置在两个介质膜之间包封的荧光体膜的任意一侧上。像素被定义为行和列之间的交叉点。通过跨接行和列的交叉点施加电压照亮每个像素。

有视频能力的ELD包括使用无源矩阵选址驱动的像素阵列。每个像素包括三个子像素，以产生用于全色的红、绿和蓝光。每个子像素包括上述薄荧光体膜的一部分，布置在两个绝缘体膜之间，又布置在行和列地址线之间。矩阵寻址需要施加低于阈值电压的电压到行，同时施加相反极性的调制电压到每个列，每个列将行分为两部分。行和列上的电压根据各个子像素上希望的照明，共计产生总电压，由此产生单行图像。另一方案是施加最大的子像素电压到行和施加相同极性的调制电压到列。调制电压的数量达最大电压和阈值电压之间的差值，以根据希望的图像设置像素电压。但不论是哪种情况，一旦每个行被选址，另一行可以以类似方式选址，直到所有行被选址。未被选址的行开路留下。

所有行的顺序寻址构成完全的帧。典型地，一个新的帧每秒选址至少约50次，以产生对人眼来说无闪烁的视频图像。

ELD可以通过连续地淀积和构图第一平行电极阵列、绝缘层、发光层、第二绝缘层和基本上垂直于第一平行电极阵列的第二平行电极阵列，在基板上构建。显示层可以使用厚膜技术或薄膜技术来淀积和构图。该显示器使用如上所述的无源矩阵寻址来操作。

已发现厚膜电介质ELD对于电视及其他应用中的有高分辨率视频能力的大面积显示器特别实用。这些ELD构建在陶瓷、玻璃或玻璃陶瓷基板上，如美国专利5,432,015、PCT专利申请CA00/00561和PCT专利申请CA02/01932所例示。具体，可以在基板上淀积电极的第一阵列并使用真空淀积或通过印刷和烧结包含导电粉末的厚膜膏剂来构图。典型地，使用金作为用于电极的第一平行阵列的导电材料，但是也可以使用其他导电金属、合金或导电材料，只要它们与显示器结构的其余部件相一致。

电极的第二阵列典型地是铟锡氧化物(ITO)，铟锡氧化物(ITO)在光学上是透明的，以及在电学上有助于允许将显示器内产生的光传输到显示器观察者。ITO典型地被真空淀积在显示器结构上并使用光刻或激光构图方法构图为平行线，如PCT专利申请CA02/01891所例示。这些锡铟氧化物地址线的端部与显示器的有源区重叠并延伸出显示器的有源区外，以使用金作为导体接触焊盘。

显示驱动器被提供，用作开关，以将需要的电压脉冲提供给行和列。这些驱动器被封装为多个输出芯片，可以驱动几个行或列以及典型地被安装在分立的电路板上。来自驱动器芯片的输出被连接到行和列，使用挠性带连接器，包括在塑料带中嵌入的平行导电体。带中的导体与连接到显示板上的行和列的导体焊盘对准，以及也与电路板上的驱动器芯片的输出对准。通过将该带热压缩到各个导体焊盘上，形成电连接。但是，在该制造工序中，希望在进行该连接之前，电测试该面板，以便在重要的电路板被粘附到该面板之前，有缺陷的面板可以被放弃或修复。

ELD面板的现有技术方法的电测试包括识别和确定面板上的相邻行和列之间的短路电路(“短路”)；识别和确定沿行和列的电气中断(“开路”)；测量面板的白色亮度均匀性；以及独立地测量红、绿和蓝子像素组均匀性。

在测试工序过程中，现有技术的测试方法有时导致相邻行之间或相邻列之间的电击穿。这是由于如果使用弹性条制成的接触被中断，那么由流过这些元件的电流中的急剧变化引起的行或列之间的大电压的产生。由这些电流变化产生的大电压可以表示为基本关系V＝L di/dt，其中V是感应电压，di/dt是随时间的电流变化率，以及L是面板的电感以及与用于测试的电连接相关。对于中断连接，电流变化率一般非常高，导致高的感应电压。

由此，在技术上需要一种对基板上构建的ELD进行电测试的改进方法。理想地，该方法应该提供改进的测试可靠性和避免在测试过程中由于中断电接触不经意地损坏显示器。

现有技术试图解决该需要，如下：

出版的美国2003/137318和US2003/0117165都教导了

用于测试的短路条的使用，但是这些条不形成作为面板制造工序的一部分，因此不提供可靠的连接。

出版的US2002/0063574公开了在LCD显示器的制造过程中形成的短路条，之后该短路条被修剪。但是，所有行或列不在一起测试，以及该测试需要大量的探针。

US6,566,902教导了用于LCD显示器的数据线(即，列)的平行连接，但是在测试之后不需要断开该平行连接。

US6,111,424公开了在有源矩阵LCD面板的测试之后断开在制造过程中在面板上制造的短路条，通过红外线成像执行缺陷分析。

US6,028,442使用由薄膜晶体管控制的并联连接将LCD数据线布置为大量块。

US5,608,558公开了短路条作为有源矩阵LCD显示器的缺陷测试设备的一部分，该短路条必须与到面板的大量连接件相连接。

所有上述现有技术涉及LCD面板的测试，主要涉及有源矩阵LCD面板，工作原理不同于EL显示器，以及用于短路和开路的检测方法也是不同的。

US2001/0019243涉及EL显示器，但是没有解决进行ELD的电测试的改进方法的技术需要。

发明内容

在本发明的一个方面，提供一种具有改进的易测试性的ELD，该ELD包括基板，按行和列布置并形成在基板上的像素矩阵。提供至少两组电极，以及一组用于连接像素的行，以及第二组用于连接像素的列，其中至少一个电极组被分隔成两个子集。第一子集具有第一长度的电极延伸部分，第二子集具有第二长度的电极延伸部分，第二长度更短。提供第一连接器，通常在垂直于该子集的电极延伸部分的方向上延伸，并与第二子集的电极延伸部分电接触。提供第二连接器，通常在垂直于第一子集的电极延伸部分的方向上，以及与第一子集的电极延伸部分电接触，但是不与第二子集的电极延伸部分电接触。提供一组绝缘片，用于将第一子集的电极延伸部分与第一连接器电分开。

根据本发明的另一方面，提供一基板和按行和列布置的、形成在该基板上的像素矩阵。提供至少两组电极，一组用于连接像素的行，以及第二组用于连接像素的列，其中至少一个电极组被分隔成三个子集，第一子集具有第一长度的电极延伸部分，以及第二子集具有第二长度的电极延伸部分，第二长度更短，以及第三子集具有第三长度的电极延伸部分，第三长度比第一或第二长度更短。提供第一连接器，通常在垂直于该子集的电极延伸部分的方向上延伸，并与第三子集的电极延伸部分电接触。提供第二连接器，通常在垂直于第一和第二子集的电极延伸部分的方向上延伸，并与第一和第二子集的电极延伸部分电接触，但是不与第三子集的电极延伸部分电接触。提供第三连接器，通常在垂直于第一子集的电极延伸部分的方向上延伸，并与第一子集的电极延伸部分电接触，但是不与第二和第三子集的电极延伸部分电接触。第一组绝缘片，用于将第一和第二子集的电极延伸部分与第一连接器电分开，以及第二组绝缘片，将第一子集的电极延伸部分从第二连接器分开。

在本发明的另一方面中，提供一种具有改进的易测试性的彩色ELD，该ELD包括一基板和按行和列布置、形成在基板上的像素矩阵。提供至少两组电极，一组用于连接像素的行，以及第二组用于连接像素的列。至少一个电极组被分隔成两个子集，第一子集具有第一组电极延伸部分，以及第二子集具有第二组电极延伸部分。第一和第二组电极延伸部分从相应电极组的相反端部延伸。提供第一连接器，通常在垂直于第一组电极延伸部分的方向上延伸，并与第一组电极延伸部分电接触，以及提供第二连接器，通常在垂直于第二组电极延伸部分的方向上延伸，并与第二组电极延伸部分电接触。

附图说明

下面将参考附图描述本发明的优选实施例，仅仅作为例子，其中：

图1示出了现有技术ELD的平面图；

图2示出了根据本发明的ELD的平面图；

图3示出了根据本发明的第一选择性实施例的彩色ELD的部分平面图，详述电极延伸部分和连接器；以及

图4示出了根据本发明的第二选择性实施例的ELD的平面图。

具体实施方式

参考图1，示出了现有技术ELD，其中列之间的短路测试需要将从显示器11的有源区延伸的一组间隔列10的一端并联连接到电源的一端(未示出)。这些通过使用连接到电源端(未示出)的压盘(platen)压缩弹性导电聚合物1的矩形条以及使用弹性条4将一组相邻行12并联连接到电源的另一端来完成。然后跨跃电源端施加足以照亮面板的电压。如果该显示基板不是完全平坦的，那么弹性的导电材料不可能可靠地接触所有列，且因此弱接触的概率增加。为此，每次只有少数列被连接，以及弹性导电材料沿列逐渐地移动和进行连续的测量，以检查所有列的短路。在每次测量之前，检查该接触与正确列的对准。

如果没有短路存在，那么仅仅被连接的交替列将照亮。如果这些列之间的列照亮，那么一个或两个相邻的列有短路。为了决定是否该短路将是上述列的右或左侧的列，在该列和右和左列的每一个之间进行电连续性检查。为了确定沿列的长度的短路，使用显微镜下的外观检查。

相似的工序用来检查行之间的短路。再次参考图1，用于行的短路测试需要使用弹性条3将一组间隔行12连接到电源的一端，以及使用弹性条2将一组相邻列连接到电源的另一端。弹性条3沿行逐渐地移动，以测试所有行。

再次参考图1，用于行的开路测试需要通过弹性条2将电源的一端连接到一组相邻列，以及通过弹性条4将另一端连接到一组相邻行。在该端子之间施加足以照亮行和列交叉处的像素的电压。如果没有开路存在，那么所有像素应该照亮。如果在面板的照亮部分中的列中存在开路，那么除开路以外的列将不被照亮。开路的位置由列照明中的中断标记。在每组列被连接的同时，弹性条逐渐地移动到不同组的行，以便可以确定沿该列的整个长度的开路。如果没有列照亮部分，那么它意味着该开路在与弹性条的接触点和列的开始之间的连接器中。在此情况下，通过显微镜检查决定开路的位置。一旦每组列被扫描，那么弹性条2逐渐地移动和重复处理。

行的开路检查用与检查列相同的方式，使用相同对的弹性条2和4，如图1所示。

用类似于开路测试的方式检查面板的白色发光度；但是，在此情况下，照明区的亮度和CIE色坐标被测量。

测试各个组的红、绿和蓝子像素的色纯度也是合符需要的。对于该测试，采用特殊的连接器，由于子像素组被列限定，用每个第三列排列。使用精确的对准工具，以沿列逐渐地移动连接器。被测量按照白色发光度测量CIE色坐标和亮度。

参考图2，示出了根据本发明的一个实施例，用于ELD 13的行和/或列电极设计。为该显示器的第一组14和第二组15交替和隔行的电极提供导电电极延伸条。该延伸部分14和15从显示器13的有源部分13b向外延伸。

第一组电极延伸部分14比第二组电极延伸部分15延伸更远。部分第一组电极延伸部分14每个被电绝缘片16覆盖或都被电绝缘片16。电绝缘片16在基本上垂直于第一组电极14的电极延伸条的方向上排列。第一导电连接条5基本上垂直于第一组电极延伸部分14排列，以及在与该电极延伸部分相反的绝缘片16的一侧上。该条5与间隔的第二组电极15的全部电接触，以及不与第一组间隔的电极14电接触。第二导电连接条6基本上垂直于电极延伸部分14和15排列，并超出第二组电极延伸部分15的范围。连接条6与第一组电极延伸部分14电接触，以及不与第二组电极延伸部分15电接触。

在ELD面板的电测试之后，可以沿虚线17进行断开，以将电极与第一和第二导电连接条5和6电隔离。虚线17被选择为保持该延伸部分的长度可以被连接到用于电极的永久驱动器。

根据本发明用于检查列之间的短路的测试草案是跨跃用于列的第一或第二导电连接条5或6连接电源的一端。另一电源端被同时连接到用于该行的两个导电连接条5和6。然后施加足以照亮面板电压。如果没有短路，仅仅间隔的列将照亮。如果有短路，那么两个相邻列将照亮。如果一个列与相邻列有短路，那么通过改变连接到另一组列的列，可以决定该短路是否是右列或左列。尽管同时仅仅部分列或行需要检查短路，但是同时检查所有列是有利的。通过除去现有技术方法中采用的弹性连接，使这些成为可能，现有技术中由于显示器基板表面中的粗糙度或不规则性，同时仅仅可以检查有限数目的行或列。

使用本发明用于检查行之间短路的测试草案将交换行和列连接和结合检查列短路如上所述进行。

根据本发明用于检查列或行中的开路的测试草案将电源的一端同时连接到用于该行电极两个导电连接条5和6。另一电源端被同时连接到用于该列的两个导电连接条5和6。通过该行和列的变亮和未变亮部分之间任意中断的位置可以确定开路，或如果整行或列未变亮，那么可以在用于开路的显微镜下检查行或列延伸部分。

白色CIE色坐标和亮度均匀性也可以使用本发明的连接方案来测试，用于行或列开路。

使用图2的实施例不能分开地测试红、绿和蓝子像素组的CIE色坐标和发光度均匀性。如果分开的红、绿和蓝子像素均匀性测量是希望的，那么可以使用图3的选择性实施例，该实施例采用稍微更复杂的电极设计，但是可以按图2的类似方式执行短路和开路测试。

参考图3，行电极设计按图2的第一实施例。但是，列电极设计包括用于该显示器的三组隔行的列电极的导电条，分别限定显示器的红、绿和蓝子像素元件。三组中的每个电极与导电的电极延伸部分18，19和20重叠或电连接，导电的电极延伸部分18，19和20从显示器的有源部分向外延伸一距离。第一组电极延伸部分18分别比第二和第三组电极延伸部分19和20延伸更远。第二组电极延伸部分19比第三组电极延伸部分20延伸更远。

用于第一和第二组电极的电极延伸部分18和19每个被第一组绝缘片21覆盖或都被覆盖。用于第一组电极的电极延伸部分18每个被第二组绝缘片22覆盖或都被覆盖。与所述第一组电极18相关的那些片21和22可以结合。第一和第二组绝缘片21和22每个排列在基本上垂直于电极延伸条18，19和20的方向上。

第一导电连接条7在与电极延伸部分18，19和20相反的第一组绝缘片21的一侧上基本上垂直于电极延伸条18，19和20排列。因此连接条7与第三组电极延伸部分20电接触，但是不与所述第一和第二组电极延伸部分18和19电接触。第二导电连接条8在与第一和第二组电极延伸部分18和19相反的所述第二组绝缘片22的一侧上基本上垂直于电极延伸条18和19排列。条8与第二组电极延伸部分19电接触，但是不与第一或第三组电极延伸部分18或20电接触。第三导电连接条9基本上垂直于第一组电极延伸条排列并与第一组电极延伸部分18电接触，但是不与第二或第三组电极延伸部分19或20电接触。

在ELD面板的电测试之后，在导电延伸部分中形成切口23，例如通过激光切割。执行该工序，以将延伸部分从第一、第二和第三连接导电连接条7，8和9断开，同时保持延伸部分的长度在随后可以被连接到用于电极的永久驱动器。

也可以执行短路测试和开路测试。用于检查列之间的短路的测试草案使用图3的实施例，跨跃用于该列的第一、第二或第三导电连接条7，8或9连接电源的一端。另一电源端被同时连接到用于该行的两个导电连接条5和6。然后施加足以照亮面板的电压。如果没有短路，那么仅仅每个第三列将照亮。如果在两个相邻列之间有短路，那么它们都将发光。为了检查未发光的列之间的短路，电源的一端被连接到不同于最初选择的条的列导电条并重复测试。与第一实施例一样，本发明便于检查所有列，而不改变测试连接。

用于测试开路和用于检查白色CIE色坐标和发光强度均匀性的草案是并联连接用于列7，8和9的三个连接条，然后按图2的第一实施例的草案进行。

用于独立地检查图3的实施例中的红、绿和蓝子像素的CIE色坐标和发光强度均匀性的草案是，每次连接一个列连接条，另外进行如上所述的白色CIE色坐标和发光强度均匀性。

在图4中示出了第三实施例，类似于第一实施例，使用在显示板的相对侧交替制成的行和/或列电极延伸部分27和28。图4示出了当在显示板24的相对侧上制成用于间隔列的延伸部分27和28时的列连接布置。为了清楚，未示出行电极。如果使用该电极接触布置，那么不需要绝缘片，以及两个连接绝缘片25和26可以在显示器的相对侧上基本上垂直于第一组电极27和第二组电极28排列，以便它们独立地连接所述第一和第二电极组。在测试该电极之后，在显示器的相反端上，在虚线29处切割，以便于列驱动器的连接。

制造本发明的电极设计的一个方法是，在一个印刷步骤中在裸基板上形成第一(行)电极阵列，包括用于该行的延伸条和用于上(列)电极阵列的延伸条。接下来，可以使用厚膜交叉电介质材料形成如图2或3所示的绝缘覆盖片，如公知的厚膜混合微电子技术，或其他适宜的电介质材料和方法。然后，可以使用厚膜导体材料如图2或3所示涂敷连接导电条，也是公知的厚膜混合微电子技术，或其他适宜的材料和方法。最后，可以形成显示器结构和然后形成与列电极延伸部分重叠的第二(列)电极阵列，如公知技术。

另一方法是在第一(行)电极阵列的同时印刷用于行和列的如图2或3所示的导电条，而没有行电极延伸部分，然后淀积绝缘片，如图2或3所示，然后印刷行和列延伸条，如图2或3所示。最后，可以形成如上面详述的显示器结构和第二(列)电极阵列。

人们应当理解在不脱离附加权利要求所阐述的本发明的精神和范围的条件下，本发明可以想到其他实施例或其改变。

权利要求书

(按照条约第19条的修改)

1.一种电致发光显示器(ELD)包括：

基板，

按行和列布置的、形成在所述基板上的像素矩阵，

至少两组电极，第一组用于连接像素的行，以及第二组用于连接像素的列，其中所述第一和第二电极组的至少一个被分隔为第一子集和第二子集，该第一子集具有第一长度的电极延伸部分，该第二子集具有第二长度的电极延伸部分，该第二长度更短，

第一连接器，通常在垂直于所述子集的电极延伸部分的方向上延伸，并与所述第二子集的电极延伸部分电接触，

第二连接器，通常在垂直于所述第一子集的电极延伸部分的方向上延伸，以及仅仅与所述第一子集的电极延伸部分电接触，以及

一组绝缘片，用于将所述第一子集的所述电极延伸部分从所述第一连接器电分开，其中所有所述连接器都位于基板外围上，以便通过划片所述基板外围或在延伸部分中划片间隙，可以除去所述连接器和相应的所述延伸部分的一部分，以将连接到行和列的延伸部分的那一部分与电接触连接器的那部分电隔离。

2.如权利要求1的ELD，其中所述第一和第二电极组的另一组被分隔为第三子集和第四子集，该第三子集具有第三长度的电极延伸部分，该第四子集具有第四长度的电极延伸部分，所述第四长度比所述第三长度更短，

以及其中所述ELD还包括第三连接器，通常在垂直于所述第三和第四子集的电极延伸部分的方向上延伸，并与所述第四子集的电极延伸部分电接触，

第四连接器，通常在垂直于所述第三子集的电极延伸部分的方向上延伸，以及仅仅与所述第三子集的电极延伸部分电接触，

以及第二组绝缘片，将所述第三子集的所述电极延伸部分从所述第三连接器电分开。

3.一种电致发光显示器(ELD)，包括：

基板，

按行和列布置的、形成在所述基板上的像素矩阵，

至少两组电极，第一组用于连接像素的行，以及第二组用于连接像素的列，其中所述第一和第二电极组的至少一组被分隔为第一子集、第二子集和第三子集，该第一子集具有第一长度的电极延伸部分，该第二子集具有第二长度的电极延伸部分，第二长度比所述第一长度更短，该第三子集具有第三长度的电极延伸部分，第三长度比第一或第二长度更短，

第一连接器，通常在垂直于所述子集的电极延伸部分的方向上延伸，并与所述第三子集的电极延伸部分电接触，

第二连接器，通常在垂直于所述第一和所述第二子集的电极延伸部分的方向上延伸，以及仅仅与所述第二子集的电极延伸部分电接触，

第三连接器，通常在垂直于所述第一子集的电极延伸部分的方向上延伸，仅仅与所述第一子集的电极延伸部分电接触，

第一组绝缘片，将所述第一和第二子集的所述电极延伸部分从所述第一连接器电分开，以及

第二组绝缘片，将所述第一子集的所述电极延伸部分从所述第二连接器电分开，其中所述连接器都位于基板外围上，以便通过划片所述基板外围或在延伸部分中划片间隙，可以除去所述连接器和相应的所述延伸部分的一部分，以将连接到行和列的延伸部分的那一部分与电接触连接器的那部分电隔离。

4.如权利要求3的ELD，其中所述第一和第二电极组的另一组被分隔为第四子集和第五子集，第四子集具有第四长度的电极延伸部分，第五子集具有第五长度的电极延伸部分，第五长度比所述第四长度更短，

以及其中所述ELD还包括第四连接器，通常在垂直于所述第四和第五子集的电极延伸部分的方向中延伸，并与所述第五子集的电极延伸部分电接触，

第五连接器，通常在垂直于所述第四子集的电极延伸部分的方向上延伸，以及仅仅与所述第四子集的电极延伸部分电接触，

以及第三组绝缘片，用于将所述第四子集的所述电极延伸部分从所述第四连接器电分开。

5.一种电致发光显示器(ELD)包括：

基板，

按行和列布置的、形成在所述基板上的像素矩阵，

至少两组电极，第一组用于连接像素的行，以及第二组用于连接像素的列，其中所述第一和第二电极组的至少一组被分隔为第一子集和第二子集，第一子集具有第一组电极延伸部分，第二子集具有第二组电极延伸部分，其中第一和第二组电极延伸部分从相应的所述电极组的相反端部延伸，

第一连接器，通常在垂直于第一组电极延伸部分的方向上延伸，并与所述第一组电极延伸部分电接触，以及

第二连接器，通常在垂直于所述第二组电极延伸部分的方向上延伸，并与所述第二组电极延伸部分电接触，其中所述连接器都位于基板外围上，以便通过划片所述基板外围或在延伸部分中划片间隙，可以除去所述连接器和相应的所述延伸部分的一部分，以将连接到行和列的延伸部分的那一部分与电接触连接器的那部分电隔离。

6.如权利要求5的ELD，其中所述第一和第二电极组的另一组被分隔为第三子集和第四子集，第三子集具有第一长度的电极延伸部分，第四子集具有第二长度的电极延伸部分，第二长度比所述第一长度更短，

以及其中所述ELD还包括第三连接器，通常在垂直于所述第三和第四子集的电极延伸部分的方向中延伸，并与所述第四子集的电极延伸部分电接触，

第四连接器，通常在垂直于所述第三子集的电极延伸部分的方向上延伸，以及仅仅与所述第三子集的电极延伸部分电接触，

以及一组绝缘片，将所述第三子集的所述电极延伸部分从所述第三连接器电分开。

7.如权利要求5的ELD，其中所述第一和第二电极组的另一组被分隔为

第三子集、第四子集和第五子集，第三子集具有第一长度的电极延伸部分，第四子集具有比所述第一长度更短的第二长度，以及第五子集具有第三长度的电极延伸部分，第三长度比第一或第二长度更短，

第三连接器，通常在垂直于所述子集的电极延伸部分的方向上延伸，并与所述第五子集的电极延伸部分电接触，

第四连接器，通常在垂直于所述第三和所述第四子集的电极延伸部分的方向上延伸，以及仅仅与所述第四子集的电极延伸部分电接触，

第五连接器，通常在垂直于所述第三子集的电极延伸部分的方向上延伸，以及仅仅与所述第三子集的电极延伸部分电接触，

第一组绝缘片，将所述第三和第四子集的所述电极延伸部分从所述第一连接器电分开，

以及第二组绝缘片，将所述第三子集的所述电极延伸部分从所述第二连接器电分开。

8.如权利要求1的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)在所述基板上制造所有所述电极延伸部分和所述第一和第二电极组的所述一个组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)通过将导体淀积到所述基板上，制造所有所述连接器，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述另一组。

9.如权利要求1的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)在所述基板上制造所有所述电极延伸部分和所述第一和第二电极组的所述另一组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)通过将导体淀积到所述基板上，制造所有所述连接器，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述一个组。

10.如权利要求1的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)通过将导体淀积到所述基板上制造所有所述连接器，以及在所述基板上制造所述第一和第二电极组的所述一个组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)在所述基板上制造所有所述延伸部分，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述另一组。

11.如权利要求1的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)通过将导体淀积到所述基板上制造所有所述连接器，以及在所述基板上制造所述第一和第二电极组的另一组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)在所述基板上制造所有所述延伸部分，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述一个组。

12.如权利要求3的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)在所述基板上制造所有所述电极延伸部分和所述第一和第二电极组的所述一个组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)通过将导体淀积到所述基板上，制造所有所述连接器，

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述另一组。

13.如权利要求5的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)在所述基板上制造所有所述电极延伸部分和所述第一和第二电极组的所述一个组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)通过将导体淀积到所述基板上，制造所有所述连接器，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述另一组。

14.如权利要求3的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)在所述基板上制造所有所述电极延伸部分和所述第一和第二电极组的所述另一组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)通过将导体淀积到所述基板上，制造所有所述连接器，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述一个组。

15.如权利要求5的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)在所述基板上制造所有所述电极延伸部分和所述第一和第二电极组的所述另一组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)通过将导体淀积到所述基板上，制造所有所述连接器，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述一个组。

16.如权利要求3的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)通过将导体淀积到所述基板上制造所有所述连接器，以及在所述基板上制造所述第一和第二电极组的所述一个组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)在所述基板上制造所有所述延伸部分，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述另一组。

17.如权利要求5的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)通过将导体淀积到所述基板上制造所有所述连接器，以及在所述基板上制造所述第一和第二电极组的所述一个组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)在所述基板上制造所有所述延伸部分，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述另一组。

18.如权利要求3的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)通过将导体淀积到所述基板上制造所有所述连接器，以及在所述基板上制造所述第一和第二电极组的另一组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)在所述基板上制造所有所述延伸部分，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述一个组。

19.如权利要求5的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)通过将导体淀积到所述基板上制造所有所述连接器，以及在所述基板上制造所述第一和第二电极组的另一组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)在所述基板上制造所有所述延伸部分，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述一个组。

Claims (22)

1.一种电致发光显示器(ELD)，包括：

基板，

按行和列布置的、形成在所述基板上的像素矩阵，

至少两组电极，第一组用于连接像素的行，以及第二组用于连接像素的列，其中所述第一和第二电极组的至少一组被分隔为第一子集和第二子集，第一子集具有第一长度的电极延伸部分，第二子集具有第二长度的电极延伸部分，第二长度更短，

第一连接器，通常在垂直于所述子集的电极延伸部分的方向上延伸，并与所述第二子集的电极延伸部分电接触，

第二连接器，通常在垂直于所述第一子集的电极延伸部分的方向上延伸，以及仅仅与所述第一子集的电极延伸部分电接触，

以及一组绝缘片，用于将所述第一子集的所述电极延伸部分与所述第一连接器电分开。

2.如权利要求1的ELD，其中所述第一和第二电极组的另一组被分隔为第三子集和第四子集，第三子集具有第三长度的电极延伸部分，第四子集具有第四长度的电极延伸部分，第四长度比所述第三长度更短，

以及其中所述ELD还包括第三连接器，通常在垂直于所述第三和第四子集的电极延伸部分的方向上延伸，并与所述第四子集的电极延伸部分电接触，

第四连接器，通常在垂直于所述第三子集的电极延伸部分的方向上延伸，以及仅仅与所述第三子集的电极延伸部分电接触，

以及第二组绝缘片，将所述第三子集的所述电极延伸部分与所述第三连接器电分开。

3.一种电致发光显示器(ELD)，包括：

基板，

按行和列布置、形成在所述基板上的像素矩阵，

至少两组电极，第一组用于连接像素的行，以及第二组用于连接像素的列，其中所述第一和第二电极组的至少一组被分隔为第一子集、第二子集以及第三子集，第一子集具有第一长度的电极延伸部分，第二子集具有比所述第一长度更短的第二长度的电极延伸部分，第三子集具有比第一或第二长度更短的第三长度的电极延伸部分，

第一连接器，通常在垂直于所述子集的电极延伸部分的方向上延伸，并与所述第三子集的电极延伸部分电接触，

第二连接器，通常在垂直于所述第一和所述第二子集的电极延伸部分的方向上延伸，以及仅仅与所述第二子集的电极延伸部分电接触，

第三连接器，通常在垂直于所述第一子集的电极延伸部分的方向上延伸，以及仅仅与所述第一子集的电极延伸部分电接触，

第一组绝缘片，将所述第一和第二子集的所述电极延伸部分从所述第一连接器电分开，

以及第二组绝缘片，将所述第一子集的所述电极延伸部分从所述第二连接器电分开。

4.如权利要求3的ELD，其中所述第一和第二电极组的另一组被分隔为第四子集和第五子集，第四子集具有第四长度的电极延伸部分，第五子集具有第五长度的电极延伸部分，第五长度比所述第四长度更短，

以及其中所述ELD还包括第四连接器，通常在垂直于所述第四和第五子集的电极延伸部分的方向中延伸，并与所述第五子集的电极延伸部分电接触，

第五连接器，通常在垂直于所述第四子集的电极延伸部分的方向上延伸，以及仅仅与所述第四子集的电极延伸部分电接触，

以及第三组绝缘片，将所述第四子集的所述电极延伸部分从所述第四连接器电分开。

5.一种电致发光显示器(ELD)，包括：

基板，

按行和列布置的、形成在所述基板上的像素矩阵，

至少两组电极，第一组用于连接像素的行，以及第二组用于连接像素的列，其中所述第一和第二电极组的至少一组被分隔为第一子集和第二子集，第一子集具有第一组电极延伸部分，第二子集具有第二组电极延伸部分，其中第一和第二组电极延伸部分从相应的所述电极组的相反端部延伸，

第一连接器，通常在垂直于所述第一组电极延伸部分的方向上延伸，并与所述第一组电极延伸部分电接触，

以及第二连接器，通常在垂直于所述第二组电极延伸部分的方向上延伸，并与所述第二组电极延伸部分电接触。

6.如权利要求5的ELD，其中所述第一和第二电极组的另一组被分隔为第三子集和第四子集，第三子集具有第一长度的电极延伸部分，第四子集具有第二长度的电极延伸部分，第二长度比所述第一长度更短，

以及其中所述ELD还包括第三连接器，通常在垂直于所述第三和第四子集的电极延伸部分的方向上延伸，并与所述第四子集的电极延伸部分电接触，

第四连接器，通常在垂直于所述第三子集的电极延伸部分的方向上延伸，以及仅仅与所述第三子集的电极延伸部分电接触，

以及一组绝缘片，将所述第三子集的所述电极延伸部分从所述第三连接器电分开。

7.如权利要求5的ELD，其中所述第一和第二电极组的另一组被分隔为

第三子集、第四子集和第五子集，第三子集具有第一长度的电极延伸部分，第四子集具有第二长度的电极延伸部分，第二长度比所述第一长度更短，以及第五子集具有第三长度的电极延伸部分，第三长度比第一或第二长度更短，

第三连接器，通常在垂直于所述子集的电极延伸部分的方向上延伸，并与所述第五子集的电极延伸部分电接触，

第四连接器，通常在垂直于所述第三和所述第四子集的电极延伸部分的方向上延伸，以及仅仅与所述第四子集的电极延伸部分电接触，

第五连接器，通常在垂直于所述第三子集的电极延伸部分的方向上延伸，以及仅仅与所述第三子集的电极延伸部分电接触，

第一组绝缘片，用于将所述第三和第四子集的所述电极延伸部分从所述第一连接器电分开，

以及第二组绝缘片，用于将所述第三子集的所述电极延伸部分从所述第二连接器电分开。

8.如权利要求1的ELD，其中所述连接器都位于基板外围上，以便通过划片所述基板外围或在延伸部分中划片间隙，可以除去所述连接器和相应的所述延伸部分的一部分，以将连接到行和列的延伸部分的那一部分与电接触连接器的那部分电隔离。

9.如权利要求1的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)在所述基板上制造所有所述电极延伸部分和所述第一和第二电极组的所述一组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)通过将导体淀积到所述基板上，制造所有所述连接器，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述另一组。

10.如权利要求1的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)在所述基板上制造所有所述电极延伸部分和所述第一和第二电极组的所述另一组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)通过将导体淀积到所述基板上，制造所有所述连接器，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述一个组。

11.如权利要求1的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)通过将导体淀积到所述基板上，制造所有所述连接器，以及在所述基板上制造所述第一和第二电极组的所述一个组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)在所述基板上制造所有所述延伸部分，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述另一组。

12.如权利要求1的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)通过将导体淀积到所述基板上，制造所有所述连接器，以及在所述基板上制造所述第一和第二电极组的另一组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)在所述基板上制造所有所述延伸部分，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述一个组。

13.如权利要求3的ELD，其中所有所述连接器都位于基板外围上，以便通过划片所述基板外围或在延伸部分中划片间隙，可以除去所述连接器和相应的所述延伸部分的一部分，以将连接到行和列的延伸部分的那一部分与电接触连接器的那部分电隔离。

14.如权利要求5的ELD，其中所述连接器都位于基板外围上，以便通过划片所述基板外围或在延伸部分中划片间隙，可以除去所述连接器和相应的所述延伸部分的一部分，以将连接到行和列的延伸部分的那一部分与电接触连接器的那部分电隔离。

15.如权利要求3的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)在所述基板上制造所有所述电极延伸部分和所述第一和第二电极组的所述一个组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)通过将导体淀积到所述基板上，制造所有所述连接器，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述另一组。

16.如权利要求5的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)在所述基板上制造所有所述电极延伸部分和所述第一和第二电极组的所述一个组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)通过将导体淀积到所述基板上，制造所有所述连接器，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述另一组。

17.如权利要求3的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)在所述基板上制造所有所述电极延伸部分和所述第一和第二电极组的所述另一组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)通过将导体淀积到所述基板上制造所有所述连接器，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述一个组。

18.如权利要求5的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)在所述基板上制造所有所述电极延伸部分和所述第一和第二电极组的所述另一组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)通过将导体淀积到所述基板上，制造所有所述连接器，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述一个组。

19.如权利要求3的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)通过将导体淀积到所述基板上，制造所有所述连接器，以及在所述基板上制造所述第一和第二电极组的所述一个组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)在所述基板上制造所有所述延伸部分，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述另一组。

20.如权利要求5的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)通过将导体淀积到所述基板上制造所有所述连接器，以及在所述基板上制造所述第一和第二电极组的所述一个组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)在所述基板上制造所有所述延伸部分，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述另一组。

21.如权利要求3的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)通过将导体淀积到所述基板上制造所有所述连接器，以及在所述基板上制造所述第一和第二电极组的另一组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)在所述基板上制造所有所述延伸部分，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述一个组。

22.如权利要求5的ELD，其中通过包括以下步骤的方法制造所述ELD：

(i)通过将导体淀积到所述基板上制造所有所述连接器，以及在所述基板上制造所述第一和第二电极组的另一组，

(ii)通过将厚膜电介质淀积到所述基板上，制造所有所述绝缘片，

(iii)在所述基板上制造所有所述延伸部分，以及

(iv)在所述基板上制造所述像素矩阵和所述第一和第二电极组的所述一个组。

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