CN101800238B - 一种有机电致发光器件 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件及其测试方法，包括发光区、引线区、邦定区，发光区包括阳极、有机功能层、阴极；引线区由使阳极和阴极与驱动芯片或电路板连接的引线构成；邦定区为引线与驱动芯片或电路板连接的区域，还包括引线延长区，引线的末端位于引线延长区，引线延长区的引线与引线区的引线平行或呈一定角度。本发明改变OLED的引线设置，使导电胶条可以更容易、更精确地与引线压接，同时防止在屏体测试阶段将行列引线短路。

Description

一种有机电致发光器件

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件(Organic Light EmittingDevice，以下称OLED)及其测试方法，尤其涉及OLED的引线设计。 

背景技术

OLED是一种利用载流子在电场作用下由阳极、阴极进入有机功能层复合而发光的现象而制成的平板显示器件。OLED具有全固态、自发光、高对比度、超薄、可实现柔软显示等特点。 

目前的电子器件在出厂前都要经过测试、老炼的环节，对器件性能进行测试。对应不同的芯片邦定技术，在测试老炼阶段会出现不同的问题。采用COG(Chip on glass)方式进行屏体与芯片邦定，参照图1-1及图1-2，OLED包括基板103、发光区102，其中发光区102由位于基板103上的阳极1002、有机功能层1003、阴极1004形成。发光区102的左右两侧及下部边缘设置了引线区101、引线区101的下部边缘设置邦定区104。奇数行引线101[1]由发光区102左侧引出；偶数行引线101[2]由发光区102右侧引出；左列引线101[3]和右列引线101[4]由发光区102下方引出。行引线及列引线分别引出后，彼此绝缘地会聚于邦定区104，在基板的一侧进行邦定，即单边邦定。 

为了图示清晰，并未画出所有的行、列引线。因COG产品屏体 引线间隙太小，过窄的空间只能用更窄的导电胶条，以至于导电胶条与引线压接时：(1)导电胶条容易偏位而导致屏体短路；(2)导电胶条的寿命缩短；(3)引线折断。当引线间的间隙小于测试、老炼工装能做到的最小对位精度时，无法用全屏点亮(short bar)方式点亮屏体，无法做屏体的测试与老炼，产品的不良只有在与驱动芯片绑定后才能被发现。目前无法对此类产品做屏体测试与老炼，很难保证高成品率。 

OLED的引线是采用光刻工艺制备的，重要的工艺条件有刻蚀温度、速度、时间和刻蚀液浓度等，任何工艺参数掌握不好，都可能会造成过刻蚀。如果没有引线延长区，则引线的末端与驱动芯片进行邦定。过刻蚀的引线短于邦定所需的长度，这些过刻蚀的引线就无法与相应的芯片管脚接触或接触不良，从而导致发光区相应的行或列无法点亮。如图2-1所示，左列引线201、右列引线202出现了过刻蚀，其长度短于邦定所需长度，无法与芯片管脚接触。如果将邦定位置上移，如图2-2所示，使左列引线201、右列引线202能正常邦定，但这样一来，芯片管脚就会到达左列引线203、右列引线204的弯曲位置，左列引线203、右列引线204无法与相应的芯片管脚正常连接。 

发明内容

本发明提供一种能进行测试并保证测试效果的OLED的引线设计。 

本发明的目的是通过以下技术方案实现的： 

有机电致发光器件包括发光区、引线区、邦定区，发光区包括阳 极、有机功能层、阴极；引线区由使阳极和阴极与驱动芯片或电路板连接的引线构成；邦定区为引线与驱动芯片或电路板连接的区域；还包括引线延长区，引线的末端位于引线延长区，引线延长区的引线与引线区的引线形成的角度大于0°且小于90°。 

引线延长区的引线与引线区的引线形成的角度大于20°且小于80°，优选为30°、45°、60°或75°。 

引线采用单边邦定时，分为奇数行引线、偶数行引线、左列引线和右列引线，列引线位于中部，奇数行引线及偶数行引线分居列引线的两侧。左列引线和右列引线朝相互背离的方向延伸时，奇数行引线和偶数行引线可以朝相对的方向延伸，也可以朝相互背离的方向延伸，且所有行、列引线都不相交。同样，左列引线和右列引线朝相对的方向延伸时，奇数行引线和偶数行引线也可以朝相对或相互背离的方向延伸，且所有行、列引线都不相交。并且，这些奇数行引线、偶数行引线、左列引线和右列引线的延长部分的角度可以不相同。 

引线延长区的引线可以少于引线区的引线。即：引线延长区的引线与竖直方向呈一定角度延伸时，为了保证所有的行、列引线都不相交，可以有部分引线的末端位于邦定区，而不延伸至引线延长区。 

引线延长区的引线长度优选为0.1mm～0.5mm。 

本发明的另一目的是提供一种OLED的测试方法。 

本发明的目的是通过以下技术方案实现的： 

一种对上述有机电致发光显示器件进行测试的方法，测试步骤包括：(1)将待点亮行引线短路，将待点亮列引线短路；(2)使步骤(1) 短路的行或列引线得到点亮电压；(3)根据测试情况给出测试结果。 

步骤(1)可以将所有奇数行引线短路，将所有偶数行引线短路，将所有列引线短路。步骤(1)也可以将所有行引线短路，将所有列引线短路。 

步骤(1)采用导电材料连接需短路的引线，导电材料为金属薄膜或导电胶条。 

本发明改变OLED的引线设置，分别将行、列引线相互背离或相对延伸：(1)因为行引线与列引线分别与OLED的阳极或阴极相连，所以行引线不能与列引线发生连接。本发明的引线设计增大了行引线与列引线的间距，防止在屏体测试阶段将行列引线短路。(2)行列引线进行了一定角度的倾斜，与不倾斜的情况相比，在有限尺寸的延长区内可具有更大的引线延长长度，从而与导电胶条的接触面积增大，单位面积的导电介质分担的电流负载减小，从而提高了导电胶条的寿命。(3)增加了行列引线在水平方向上的宽度，满足了目前测试、老炼工装的最小对位精度的要求，使导电胶条可以更容易、更精确地与引线压接。 

相应的测试方法保证OLED的老炼与测试，保证了高成品率。 

另外，引线的末端位于引线延长区，即不在引线的末端进行邦定。这样一来，即使刻蚀引线时出现过刻蚀的现象，引线末端并没有被用到，从而保证了所有引线与芯片管脚的良好接触，保证了邦定的效果。 

附图说明

图1-1为现有有机电致发光器件屏体示意图； 

图1-2为有机电致发光器件结构纵向剖面示意图； 

图2-1为引线过刻蚀的情况下现有邦定示意图； 

图2-2为引线过刻蚀的情况下邦定区上移的示意图； 

图3为本发明实施例1的邦定示意图； 

图4为图3中301所示区域的放大图； 

图5为本发明实施例2的邦定示意图； 

图6为本发明实施例3的邦定示意图； 

图7为图6中603所示区域的放大图； 

图8为本发明实施例4的邦定示意图。 

101-引线区；102-发光区；103-基板；104、205-邦定区；1002-阳极；1003-有机功能层；1004-阴极；300、500、700、800-引线延长区；402、403、404-导电胶条压接区；101[1]、401[1]、501[1]、701[1]、801[1]-奇数行引线；101[2]、401[2]、501[2]、701[2]、801[2]-偶数行引线；101[3]、401[3]、501[3]、701[3]、801[3]、201、203、601-左列引线；101[4]、401[4]、501[4]、701[4]、801[4]、202、204、602-右列引线。 

具体实施方式

本发明以OLED从基板到阴极的方向为纵向，与之垂直的方向为横向。需要说明的是，为了便于表述而定义了引线区、邦定区、引线延长区，但并不表示这些区域的引线是相互独立的，而是一个整体，是通过光刻工艺一次形成的，位于发光区和邦定区之间的部分构成引线区；位于邦定区和基板下边缘之间的部分构成引线延长区。 

本发明的技术方案采用新的掩模板，从而光刻出的引线的图形与现有技术不同。 

OLED的制造工艺通常包括： 

(1)在玻璃基板上溅射一层电极材料，通常由氧化铟锡(以下简称ITO)或氧化锡锌等透明导电材料构成，光刻后的ITO图形包括作为OLED器件阳极的部分以及作为电极引线的部分。当引线过长或过细时，在引线上就会产生较大的电压降，使显示区的发光强度减小。为了尽可能地减小电阻，通常在作为引线的ITO上增加铬。因此，电极引线通常包括ITO和铬两层。 

(2)通过光刻的方法制备出绝缘层和隔离柱，这是实现RGB彩色的必经工艺，将不同的像素隔开，实现像素阵列。 

(3)真空蒸镀法沉积有机电致发光材料形成有机功能层，包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等。 

(4)再用真空蒸镀法覆盖阴极材料。 

(5)将贴附了干燥片的带有凹槽的玻璃基片与OLED基板压合在一起，实现封装，减少水氧气成分对器件的破坏。 

(6)电极引线与驱动芯片或电路板邦定，实现发光区与驱动芯片或电路板的连接。引线与芯片的邦定方式有：单边邦定，即将所有行、列引线排布到基板的一侧与一个芯片进行连接，如图1-1；双边邦定，即将行引线排布到基板的一侧，列引线排布到基板的另一侧，分别与一个芯片进行连接。通常为单边邦定，可以节省器件边缘的空间及芯片的数量。 

以下结合实施例及附图对本发明做进一步说明。 

实施例1 

如图3、图4所示，实施例1是一个96行×16列的有机电致发光器件。 

发光区横向引出奇数行引线401[1]和偶数行引线401[2]，纵向引出左列引线401[3]和右列引线401[4]。引线的末端位于引线延长区300。左列引线401[3]与芯片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈30°向左侧延伸；右列引线401[4]与芯片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈30°向右侧延伸；奇数行引线401[1]与芯片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈30°向右侧延伸；偶数行引线401[2]与芯片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈30°向左侧延伸。引线在引线延长区的长度为0.4mm。奇数行引线401[1]、偶数行引线401[2]左列引线401[3]、右列引线401[4]互不相交。 

制备本实施例所述有机电致发光器件的引线的工艺步骤包括： 

(1)将已经清洗干净并烘干的玻璃基板置入光刻设备，玻璃基板上已经制备有1TO层及其上的金属铬层。 

(2)用旋涂的方法在ITO及铬层上涂光刻胶并烘烤。 

(3)将掩模板覆盖在光刻胶上，用紫外光(UV)通过掩模板照射光刻胶表面，对光刻胶进行选择性曝光。 

(4)显影、坚膜。 

(5)刻蚀。刻蚀ITO和铬采用的刻蚀液不同，分别为浓度比例 为10∶10∶1的水、盐酸、硝酸混合刻蚀液和浓度比例为10∶2∶1的水、硝酸铈铵、硝酸混合刻蚀液。 

刻蚀出的引线图形如图3所示，刻蚀完成后，放入蒸镀腔室内进行有机功能层及阴极的制备，然后完成在隔离腔室的封装盖贴敷工序。将完成封装步骤的基板取出，开始进行邦定前的测试工序：本实施例采用导电胶条实现各部分引线的短路，图4中框402、403、404即为导电胶条压接区域，402的导电胶条连接导通屏体全部奇数行引线401[1]，403的导电胶条连接导通屏体全部列引线401[3]和401[4]，404的导电胶条连接导通全部偶数行引线401[2]，三处导电胶条彼此间距约为1.6mm，远大于测试装置的最小对位精度——0.8mm，可有效实现测试，将测试装置的PCB上的导电焊盘分别与三处导电位置的导电胶条电连接，测试屏体全屏点亮结果并记录，待测试完毕，将三处导电胶条从屏体上取下，屏体进入下一步与驱动芯片邦定阶段。 

实施例2 

如图5所示，实施例2同样是一个96行×16列的有机电致发光器件。发光区横向引出奇数行引线501[1]和偶数行引线501[2]，纵向引出左列引线501[3]和右列引线501[4]。引线的末端位于引线延长区500。左列引线501[3]与芯片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈45°向左侧延伸；右列引线501[4]与芯片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈45°向右侧延伸；奇数行引线501[1]与芯片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直 方向呈45°向左侧延伸；偶数行引线501[2]与芯片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈45°向右侧延伸。引线在引线延长区的长度为0.5mm。奇数行引线501[1]、偶数行引线501[2]左列引线501[3]、右列引线501[4]互不相交。 

制备本实施例所述有机电致发光器件的引线的工艺步骤与实施例1相同，在此不再赘述。 

刻蚀完成后，放入蒸镀腔室内进行有机功能层及阴极的制备，然后完成在隔离腔室的封装盖贴敷工序。将完成封装步骤的基板取出，开始进行邦定前的测试工序，测试步骤与实施例1基本相同，本实施例采用斑马条实现各部分引线的短路，图5中引线延长区500即为斑马条的贴敷位置。待测试完毕，将斑马条从屏体上取下，屏体进入下一步与驱动芯片邦定阶段。 

实施例3 

如图6、图7所示，实施例3是一个64行×128列的有机电致发光器件。发光区横向引出奇数行引线701[1]和偶数行引线701[2]，纵向引出左列引线701[3]和右列引线701[4]。引线的末端位于引线延长区700。左列引线701[3]与芯片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈60°向右侧延伸；右列引线701[4]与芯片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈60°向左侧延伸；奇数行引线701[1]与芯片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈60°向右侧延伸；偶数行引线701[2]与芯片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈60°向左侧延伸。引线在引线延 长区的长度为0.1mm。奇数行引线701[1]、偶数行引线701[2]左列引线701[3]、右列引线701[4]互不相交。 

制备本实施例所述有机电致发光器件的引线的工艺步骤与实施例1相同，在此不再赘述。 

左列引线中的一条引线601和右列引线中的一条引线602为相邻的引线，如果超过芯片后分别朝右侧和左侧延伸，则可能会相交。所以，为了防止左列引线601和右列引线602的末端相交，左列引线601和右列引线602的末端位于邦定区，即这两条引线与芯片管脚邦定后没有延伸至引线延长区。 

测试工序与实施例1相同，在此不再赘述。 

实施例4 

如图8所示，实施例4同样是一个64行×128列的有机电致发光器件。发光区横向引出奇数行引线801[1]和偶数行引线801[2]，纵向引出左列引线801[3]和右列引线801[4]。引线的末端位于引线延长区800。左列引线801[3]与芯片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈75°向右侧延伸；右列引线801[4]与芯片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈75°向左侧延伸；奇数行引线801[1]与芯片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈75°向左侧延伸；偶数行引线801[2]与芯片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈75°向右侧延伸。引线在引线延长区的长度为0.2mm。奇数行引线801[1]、偶数行引线801[2]左列引线801[3]、右列引线801[4]互不相交。 

制备本实施例所述有机电致发光器件的引线的工艺步骤、测试工序与实施例2相同，在此不再赘述。 

实施例2、3、4与实施例1的光刻工艺步骤相同，不过，因为引线的图形不同，所以光刻时使用的掩模板不同。 

根据实施例1至实施例4所述的引线结构，本发明采用新的掩模板，光刻出的引线的图形与现有技术不同，分别将行列引线相互背离或相对延伸。本发明的引线设计增大了行引线与列引线的间距，防止在屏体测试阶段将行列引线短路。行列引线进行了一定角度的倾斜，与导电胶条的接触面积增大，单位面积的导电介质分担的电流负载减小，从而提高了导电胶条的寿命。 

采用本发明实施例1至实施例4的引线结构及测试方法，发明人用目前的测试、老炼工装成功对COG产品进行了测试与老炼，保证了高成品率。 

另外，因引线的末端位于引线延长区，即不在引线的末端进行邦定。这样一来，即使刻蚀引线时出现过刻蚀的现象，引线末端并没有被用到，从而保证了引线与芯片管脚的良好接触，而且这种引线结构不增加工艺步骤。 

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术人士，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此，本发明的保护范围当以申请的专利范围所界定为准。 

Claims (12)

1.一种有机电致发光器件，包括发光区、引线区、邦定区，

发光区包括阳极、有机功能层、阴极；

引线区由使阳极和阴极与驱动芯片或电路板连接的引线构成；

邦定区为引线与驱动芯片或电路板连接的区域；

还包括引线延长区，所述引线的末端位于引线延长区；

其特征在于，引线延长区的引线与引线区的引线形成的角度大于0°且小于90°。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的引线与引线区的引线形成的角度大于20°且小于80°。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的引线与引线区的引线形成的角度为30°、45°、60°或75°。

4.根据权利要求1～3任一所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线采用单边邦定，引线分别为奇数行引线、偶数行引线、左列引线、右列引线，列引线位于中部，奇数行引线及偶数行引线分居列引线的两侧。

5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的左列引线(401[3])和右列引线(401[4])朝相互背离的方向延伸，且不相交。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的奇数行引线(401[1])和偶数行引线(401[2])朝相对的方向延伸，且所述的左列引线(401[3])、右列引线(401[4])、奇数行引线(401[1])、偶数行引线(401[2])都不相交。

7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的奇数行引线(501[1])和偶数行引线(501[2])朝互背离的方向延伸，且所述的左列引线(501[3])、右列引线(501[4])、奇数行引线(501[1])、偶数行引线(501[2])都不相交。

8.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的左列引线(701[3])和右列引线(701[4])朝相对的方向延伸，且不相交。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的奇数行引线(701[1])和偶数行引线(701[2])朝相对的方向延伸，且所述的左列引线(701[3])、右列引线(701[4])、奇数行引线(701[1])、偶数行引线(701[2])都不相交。

10.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的奇数行引线(801[1])和偶数行引线(801[2])朝相互背离的方向延伸，且所述的左列引线(801[3])、右列引线(801[4])、奇数行引线(801[1])、偶数行引线(801[2])都不相交。

11.根据权利要求1～3任一所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的引线少于引线区的引线。

12.根据权利要求1～3任一所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的引线长度为0.1mm～0.5mm。

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