CN1678148A - 用于制造布线基片的层压体，这种布线基片及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了用于制备布线基片的层压体，这种层压体具有低电阻，没有小丘，表面粗糙度低，具有极佳的耐碱性和耐腐蚀性，特别是适用于有机EL显示器等平板显示器的层压体，还提供了蚀刻层压体制造布线基片的方法，以及由此制得的布线基片。用于制备布线基片的层压体，包括基材，位于基材上的含Al－Nd合金作为主要组分且Nd含量以全部组分为基准计的0.1到6原子％的导电层，以及位于导电层上的含Ni－Mo合金作为主要组分的覆盖层；通过溅射制备层压体的方法，以及布线基片，其中包括以平面形式布图的层压体。

Description

用于制造布线基片的层压体，这种布线基片及其制造方法
发明领域
本发明涉及布线基片，可以作为有机电致发光(有机EL)显示器等平板显示器中的电极导线，还涉及其制造方法，以及适用于制造布线基片的层压体。
发明背景
随着近年来信息化水平的高度发展，对平板显示器的需求日益增加。近来，能够在低电压下驱动的自发光型有机EL显示器作为新一代显示器，引起研究人员的注意，因为它在快速响应，能见度，亮度等方面远优于传统LCD或PDP。有机EL器件基本上具有以下结构：在掺杂锡的氧化铟(ITO)透明电极(阳极)和金属电极(阴极)之间，从阳极侧开始顺序排列有有机层如空穴转移层，发光层，电子转移层等。近年来，为了实现彩色化和高清晰度，必须进一步降低ITO层的电阻，但这已接近了LCD用的ITO层电阻降低的极限。因此，如同薄膜晶体管(TFT)液晶显示器(LCD)中所广泛采用的，通过使用低电阻金属例如Al或Al合金作为支撑线，与ITO层形成的电极配合，实现器件电路的电阻降低。
Al或Al合金具有低电阻。而且，其表面上容易形成Al的氧化物，存在的问题是，即使想采取与另一种金属电接触，但接触电阻太高而无法实际应用。因此在许多情况下，通常用Mo或Mo合金(含有Cr，Ti，Ta，Zr，Hf或V)覆盖Al或Al合金(例如JP-A-13-311954)。这样就可以用与Al相同的蚀刻溶液对Mo进行蚀刻，从而能在照相平版印刷工序中同时对Al和Mo进行布线，形成支撑线。
但是，通常Mo的防潮性差，容易被空气中的湿气腐蚀。因此，用Mo作为EPD导线材料时会出现导线容易劣化的问题。另一方面，如果用防潮性高的金属如Cr覆盖Al时，就无法如下面所述用与Al相同的蚀刻溶液进行蚀刻，从而出现无法同时布线的问题。
为了解决这个问题，提出了一种层压体，其中用Al作为导电层，用防潮性高而且能与Al同时布图的Ni-Mo合金作为覆盖层。当然在这种情况下，即使将其置于高湿度条件下也不会使导线劣化。但是，使用这种层压体时，容易在形成导电层时产生小丘(突起)，导致Ni-Mo合金层的覆盖效果变差，由此产生的问题是，Al暴露在外，在洗涤制成显示器件，照相平版印刷的显影步骤和剥离抗蚀剂等碱处理时，Al从空穴洗脱，增加导线电阻。
本发明的目的是，提供用于制造布线基片的层压体，具有低电阻，基本上没有形成小丘，表面粗糙度小，具有极佳的耐碱性，还提供通过蚀刻该层压体形成布线基片的方法，以及由此制得的布线基片。更具体地说，本发明的目的是提供用于制备布线基片的层压体，特别适用于有机EL显示器等平板显示器所用的电极导线，还提供通过蚀刻层压体形成布线基片的方法，以及由此制得的布线基片。
本发明的发明人对现有技术进行了深入研究，发现以Al-Nd合金作为导电层时，几乎不会形成小丘，表面粗糙度变小，在该导电层上形成以能被Al蚀刻溶液蚀刻的Ni-Mo合金作为主要组分的覆盖层时，该覆盖层能有效防止Al-Nd合金暴露在外，从而提高耐碱性和耐腐蚀性。结果是，所制得的布线基片具有低电阻，基本没有形成小丘，表面粗糙度较小，耐碱性和耐腐蚀性极佳，从而完成了本发明。
因此，本发明提供了用于制备布线基片的层压体，其中包括基材，在基材上形成的以Al-Nd合金作为主要组分而且Nd含量占所有组分0.1到6原子％的导电层，和在导电层上形成的以Ni-Mo合金作为主要组分的覆盖层。
本发明的层压体中优选包括基材，在基材上形成的以Al-Nd合金作为主要组分且Nd含量占全部组分0.1到3原子％的导电层，和在导电层上形成的以Ni-Mo合金作为主要组分的覆盖层。
在本发明的层压体中，优选在导电层和基材之间，从基材侧开始顺序排列有ITO层和衬层。
在本发明的层压体中，优选该衬层是以Mo或Mo合金作为主要组分的层。
在本发明的层压体中，优选在导电层与覆盖层之间和/或在导电层与衬层之间，形成有组成不同于覆盖层的防Ni扩散层。
在本发明的层压体中，优选防Ni扩散层是以Mo，Mo-Nb合金或Mo-Ta合金作为主要组分的层。
在本发明的层压体中，优选覆盖层中Ni含量占全部组分的30到95原子％，Mo含量占全部组分的5到70原子％。
在本发明的层压体中，优选防Ni扩散层中Mo含量占全部组分的80到100原子％，Nb或Ta含量占全部组分的0到20原子％。
而且，本发明还提供了布线的基片，包括上述任何层压体，以平面方式进行了布图。
优选将本发明的布线基片应用于有机EL显示器件。
而且，本发明还提供了制备布线基片的方法，包括以下步骤：在基材上溅射形成以Al-Nd合金作为主要组分的导电层，并在导电层上形成以Ni-Mo合金作为主要组分的覆盖层，形成用于制备布线基片的层压体，然后采用照相平版印刷方法，以平面方式对层压体进行布图。
附图简述：
图1所示是对本发明层压体进行布图所制得布线基片的部分省略前视图。
图2是沿图1中直线A-A的截面图。
图3是沿图1中直线B-B的截面图。
在附图中，标记1代表玻璃基材，2是导线，2a是Al系列金属层，2b是Ni-Mo合金层，3是ITO阳极，4是有机层，5是Al阴极，6是密封壳。
发明内容
本发明的层压体具有低电阻，基本没有形成小丘，表面粗糙度小，具有极佳的耐碱性和耐腐蚀性。使用由这种层压体制造的布线基片时，能防止导电层中的Al析出，而在照相平版印刷步骤或在形成显示器件时，增加导线电阻。因此能够用其制造高度可靠的高清晰度显示器。特别适用于长的器件可用寿命的有机EL显示器，为此要求导线电阻低，以提高发光性质。
本发明用于制备布线基片的层压体中基本是一层压体，包括基材/导电层/覆盖层，但也包括各种多层的层压体，如包括基材/ITO层/衬层/导电层/覆盖层的层压体，即基材和导电层之间从基材侧开始按照这种顺序排列有ITO层和衬层，以及包括基材/ITO层/衬层/防Ni扩散层/导电层/防Ni扩散层/覆盖层的层压体，即导电层与覆盖层之间和/或衬层与导电层之间具有防Ni扩散层。
本发明中所用基材不一定必须是平板形状的，可以是具有弯曲面或不同的形状。例如，基材可以是透明或不透明的玻璃基材，陶瓷基材，塑料基材或金属基材。但是，将其用于能从衬底侧发光的结构的有机EL器件时，该基材宜为透明的，从强度和耐热性方面考虑，特别优选玻璃基材。作为这样的玻璃基材，有例如无色透明钠钙玻璃基材，石英玻璃基材，硼硅酸盐玻璃或无碱玻璃基材。从强度和透射率方面考虑，用于有机EL器件的玻璃基材的厚度宜在0.2到1.5毫米。
用于形成本发明布线基片的层压体中主要包括两个层，即位于基材上的包含Al-Nd合金作为主要组分的导电层(以下简称为Al-Nd合金层)，和位于导电层上的包含Ni-Mo合金作为主要组分的覆盖层(以下简称为Ni-Mo合金层)。
在本发明的层压体中，导电层包含Al-Nd合金作为主要组分，能在形成该层时抑制小丘的形成，同时保持导线具有低电阻。而且，以Al-Nd作为主要组分时，包含Ni-Mo合金作为主要组分的覆盖层的覆盖效果良好，就能防止Al-Nd合金露出，提高层压体的耐碱性。
从降低导线电阻方面考虑，构成导电层的Al-Nd合金中，以全部组分为基准计，Al含量为94到99.9原子％，Nd含量为0.1到6原子％。随着Nd含量的增加，电阻在沉积后立刻增加，但是通过在沉积之后进行热处理，就能使电阻降低到与Al相同的水平。例如在有机EL显示器件的情况下，通常必须在形成支撑线之后进行热处理，从而形成显示器件，但是通过将Al-Nd合金用于层压体作为导线形成显示器件之后，如果Nd含量小于0.1原子％，就不足以抑制小丘的产生，如果超过6原子％，则热处理之后的电阻就会超过Al的电阻。因此，Nd含量被限定在0.1到6原子％的范围内。
Al-Nd合金层中可以含有Ti，Mn，Si，Na，O等杂质，其总含量较好的最多不超过1质量％。
Al-Nd合金层的厚度优选100到500纳米，更优选是150到400纳米，这样才能获得足够的导电性和良好的布图加工性。
而且Al-Nd层还具有一个特性，即该层刚形成时的电阻略高，但是通过烘焙能够降低电阻。其原因被认为是，刚形成时，Nd与Al混合，导致电阻增加，但是热处理之后，Nd迁移至晶界，导致Nd和Al分离，从而降低电阻。
位于导电层上的覆盖层是包含Ni-Mo合金作为主要组分的层。由于Ni-Mo合金具有极佳的防潮性，能使形成的导线保持低电阻，还能提高使用由此制得布线基片的电子器件的可靠性。而且，能够对用于制备布线基片的层压体进行精确布图。另外，在采用照相平版印刷方法进行布图时，能使用相同的蚀刻液(酸性水溶液)以基本相同的速率对覆盖层(Ni-Mo合金层)和导电层(Al-Nd合金层)进行蚀刻。即，可以同时对覆盖层和导电层进行布图。
如果导电层和覆盖层之间的蚀刻速率明显不同，则会在形成导线时发生蚀刻过度或残留物，这些都是不利的。能够通过根据蚀刻液种类改变Ni和Mo的配比，方便地调节Ni-Mo合金层的蚀刻速率。随着Mo与Ni比值的增加，蚀刻速率增大。
Ni-Mo合金层中的Ni含量，以全部组分为基准计，较好为30到95原子％，更优选65到85原子％。如果Ni含量小于30原子％，则Ni-Mo合金层的防潮性不够，如果超过95原子％，则蚀刻液的蚀刻速率太低，很难将其调节到与导电层相同的蚀刻速率水平。而且，以全部组分为基准计，Ni-Mo合金层中Mo含量较好为5到70原子％，更优选是15到35体积％。如果Mo含量低于5原子％，则蚀刻液的蚀刻速率很低，如果超过70原子％，很难将其调节到与导电层相同的蚀刻速率水平，则Ni-Mo合金层的防潮性不够。Ni-Mo合金层中Ni和Mo的总含量优选是90到100原子％。
Ni-Mo合金层中可以含有一种或多种金属，例如Fe，Ti，V，Cr，Co，Zr，Nb，Ta和W，其含量应当不至于影响防潮性，蚀刻性质等，例如最多10原子％。
从防潮性和布图效率方面考虑，覆盖层的厚度优选10到200纳米，更优选是15到50纳米。
优选采用溅射方法，形成用于制造本发明布线基片的层压体。例如，可以采用以下组合步骤：在玻璃基材表面上，使用Al-Nd合金靶在惰性气氛中溅射形成导电层；在导电层上，使用Ni-Mo合金靶溅射形成覆盖层。通过这种溅射方法，能方便地形成用于制造布线基片的层压体，在大表面积上厚度均匀的层。
例如，Al-Nd合金靶可以是含有Nd的Al合金靶或者是含有Nd的Al非合金靶。
另外，例如，Ni-Mo合金靶可以是Ni-Mo合金靶，含有Fe的Ni-Mo合金靶，或含有Fe的Ni-Mo非合金靶。含有Fe的Ni-Mo非合金靶包括例如将小于靶面积的马赛克Ni片，Mo片和Fe片组合在一起所形成的靶，以及将Ni-Mo合金靶片和Fe片组合在一起所形成的靶。
可以采用以下方法，形成用于制造本发明布线基片的层压体。
Al-Nd合金靶和Ni-Mo合金靶被分别固定在DC磁控管溅射设备的阴极上。进而将基材固定在基材支架上。然后抽吸沉积腔内部至真空，引入Ar气作为溅射气体。虽然可以用He，Ne或Kr气替代Ar气，但是优选Ar气，因为它价廉且放电稳定。溅射压力宜为0.1到2帕。而且背压优选是1×10-6到l×10-2帕。基材温度优选室温到400℃，更优选室温到250℃，特别优选是温到150℃。
首先，在基材上通过溅射形成作为导电层的Al-Nd合金层。然后在导电层上，溅射形成作为覆盖层的Ni-Mo合金层，从而形成用于制备布线基片的层压体。
制备Al-Nd合金层时，可以分别使用独立的Al靶和Nd靶形成合金层，但是从控制导电层组成的有效性和提高均匀性角度考虑，宜预先制备具有预定组成的Al-Nd合金靶。
制备Ni-Mo合金层时，可以分别使用独立的Ni靶和Mo靶形成合金层，但是宜预先制备具有预定组成的Ni-Mo合金，作为钯。
用于制造本发明布线基片的层压体中可以具有防Ni扩散层，其组成不同于覆盖层，位于Ni-Mo合金层(覆盖层)与Al-Nd合金层(导电层)之间和/或位于Al-Nd合金层(导电层)与Ni-Mo合金层(衬层)之间，说明如下。
如果在导电层接触覆盖层，或在导电层接触衬层的情况下进行热处理的话，Ni会从覆盖层和/或衬层扩散进入导电层，使导电层的电阻增加。防Ni扩散层能够防止电阻的增加。同样优选采用溅射方法制备防Ni扩散层。
从阻挡效果和布图效率方面考虑，防Ni扩散层的厚度宜为10到200纳米，更优选是15到50纳米。
防Ni扩散层较好是含Mo为主要组分的Mo系列金属层，因为它能与覆盖层和导电层一起被蚀刻。具体地说，有Mo，Mo-Nb合金或Mo-Ta合金。Mo系列金属层中的Mo含量优选80到100原子％。Mo系列金属层中的Nb或Ta含量优选是0到20原子％。
Mo系列金属层作为在导电层和覆盖层之间的防Ni扩散层时，Mo系列金属会在布图之后，暴露于图案的截面上，但是不会影响防潮性的提高，因为Mo系列金属层的主要部分上覆盖有覆盖层和导电层。
对用于制备本发明布线基片的层压体而言，可以对Ni-Mo合金层(覆盖层)进行诸如氧化，氮化，氧氮化，氧碳化或氧碳氮化(oxycarbonitriding)处理。即，在形成覆盖层时进行这些处理，能够防止类似上述防Ni扩散层的电阻增加。进行处理的方法是，在通过溅射形成Ni-Mo合金层时，使用含有O2，N2，CO或CO2等反应气体与Ar气的混合气体作为溅射气体。进行这样的处理时，氧，氮或碳会混入到Ni-Mo合金层中。从防Ni扩散效果方面考虑，反应气体的含量较好为5到50体积％，更优选是20到40体积％。
而且，用于制备本发明布线基片的层压体可以具有掺杂锡的氧化铟层(ITO层)。这种情况的缺点是，Al-Nd合金层与ITO层具有大接触电阻。因此，事实上优选在其中夹入上述衬层，形成由基材/ITO层/衬层/导电层/覆盖层组成的层压体。ITO层可以作为透明电极使用。因此，在用于制备本发明布线基片的层压体中，在基材上形成ITO层之后，如果在形成衬层，导电层和覆盖层时对必要部分进行了掩蔽，则被掩蔽部分仅由没有衬层，导电层或覆盖层的ITO层组成，可以将其作为电极，在其上形成有机层，获得有机EL器件。另一方面，在未掩蔽部分，衬层，导电层和覆盖层形成于ITO层上，作为电极的ITO层与衬层，导电层和作为导线的覆盖层相连，其中没有任何步骤。
可以采用电子束，溅射，离子电镀或类似方法，在玻璃基材上形成ITO层。优选采用溅射方法形成ITO层，例如，以In2O3和SnO2总量为基准计，使用SnO2含量为3到15质量％的ITO靶。溅射气体优选是O2和Ar的混合气体，O2气浓度优选是0.2到2体积％。
ITO层的厚度优选是50到300纳米，更优选是100到200纳米。
然后通过溅射，在ITO层上形成衬层，导电层和覆盖层，获得用于制备布线基片的具有ITO层的层压体。
导电层的缺点是，与ITO层的接触电阻大。因此，在基材和导电层之间形成ITO层时，要在导电层下方形成衬层，以防止ITO层和导线之间的接触电阻增加。优选衬层是含Mo或Mo合金作为主要组分的Mo系列金属层。以Mo或Mo合金作为主要组分的Mo系列金属层是指，层中Mo或Mo合金含量为90到100原子％。
从阻挡效果和布图效率方面考虑，衬层的厚度优选是10到200纳米，更优选是15到50纳米。
优选以Ni-Mo合金层作为Mo系列金属。以Ni-Mo合金层作为衬层时，以全部组分为基准计，合金层中的Ni含量宜为30到95原子％，更优选65到85原子％，Mo含量宜为5到70原子％，更优选是15到35原子％。而且，可以含有一定量的一种或多种金属，例如Ti，V，Cr，Fe，Co，Zr，Nb，Ta和W，其含量不至于影响其防潮性，蚀刻效率等性质。
作为在导电层下方的衬层的Ni-Mo合金层的组成可以和作为覆盖层的Ni-Mo合金层组成相同或不同。调节上下Ni-Mo合金层的组成，能够以Ni-Mo合金层(覆盖层)，Al-Nd合金层(导电层)和Ni-Mo合金层(衬层)的顺序增加蚀刻速率，在截面中形成锥形处理的布图部分。其优点还在于提高耐磨性和粘合性。而且，可以在导电层和作为衬层的Ni-Mo合金层之间形成防Ni扩散层。防Ni扩散层的结构与上述位于导电层和覆盖层之间的防Ni扩散层相同。
可以对衬层进行诸如氧化，氮化，氧氮化，氧碳化或氧碳氮化处理。通过这些处理，氧，氮，碳等会混入到衬层，利用上述防Ni扩散层能防止电阻的增加。进行处理的方法是，使用含有如O2，N2，CO或CO2等反应气体与Ar气的混合气体作为溅射气体。从防Ni扩散效果方面考虑，反应气体的含量优选是5到50体积％，特别优选是20到40体积％。衬层中含有氧时，从防Ni扩散效果方面考虑，优选衬层中的氧含量占该层所有原子的5到20原子％。衬层中含有碳时，从Ni扩散效果方面考虑，衬层中的碳含量优选占该层所有原子的0.1到15原子％。
以Mo系列金属层作为导电层下面的衬层时，Mo系列金属在布图之后暴露于图形的截面部分上。但是不会影响防潮性的增加，因为Mo系列金属层的主要部分被基材或ITO薄膜，以及导电层覆盖。
而且本发明的层压体具有位于导电层和基材之间的氧化硅层。氧化硅层可以与基材接触，或者不接触。通常采用溅射氧化硅靶的方法形成氧化硅层。使用玻璃基材时，通过防止玻璃基材中的碱组分向导电层迁移，从而防止导电层劣化。氧化硅层的厚度宜为5到30纳米。
本发明层压体具有低电阻，基本上不会形成小丘，表面粗糙度小，具有极佳的耐碱性和耐腐蚀性。优选采用照相平版印刷方法对由此制得的层压体进行蚀刻，形成布线基片。将这种布线基片用于制备有机EL显示器时，能够形成低电阻高度可靠的导线，从而获得可用寿命长，发光性质高的有机EL显示器。
在本发明的层压体中，以向Al添加Nd的Al-Nd合金作为导电层。因此与使用Al作为导电层的层压体相比，刚完成沉积时的薄层电阻较差。但是，用本发明层压体，通过高温下热处理，电阻下降，则热处理之后的薄层电阻会降低到与使用Al作为导电层的层压体相同的水平。特别是将其用于有机EL器件时，要求在制备阴极隔板的步骤中进行高温处理，优选在该步骤之后保持要求的电阻水平。特别优选层压体的薄层电阻在热处理之前最多0.4欧/□，热处理(例如在空气中于320℃处理1小时)之后最多0.2欧/□。
本发明层压体进一步的优点是，在形成导电层时几乎不会在表面上产生小丘。如果表面形成了小丘，导电层上所形成覆盖层的覆盖效果会变差，很可能露出导电层。因此，在洗涤形成显示器件，照相平版印刷的显影步骤或剥离抗蚀剂的碱处理中，导电层会被洗脱形成孔穴，从而增加薄层电阻。而用本发明的层压体，几乎不会形成小丘，甚至在对其进行碱处理之后，其薄层电阻也不会变化，这是很理想的。为了实用目的，薄层电阻在碱处理前后的变化较好最多为5％。而且，层压体的表面粗糙度宜为，使Ra最多12纳米，Rz最多150纳米，其中Ra是算术平均高度，Rz是最大高度，这是按照JIS B0601(2001)定义的。
将光致抗蚀剂涂布在覆盖层上，作为层压体的最外层表面；烘焙形成而导线布图；使用蚀刻液，按照光致抗蚀剂的图案，除去如覆盖层，防Ni扩散层，导电层和衬层等的金属层上的不需要部分，形成布线基片。优选蚀刻液是酸性水溶液，例如磷酸，硝酸，乙酸，硫酸或氢氯酸，或其混合，或硝酸铈铵，高氯酸或其混合物。
优选是磷酸，硝酸，乙酸，硫酸和水的混合溶液。更优选是磷酸，硝酸，乙酸和水的混合溶液。
形成布线基片时，要对层压体的每个层进行蚀刻，形成相同图案，例如(1)导电层/覆盖层，(2)衬层/导电层/覆盖层或(3)衬层/防Ni扩散层/导电层/防Ni扩散层/覆盖层的每一层。
层压体中具有ITO层时，可以使用蚀刻液在除去ITO层的同时，除去导电层/覆盖层。或者预先除去覆盖层和导电层，单独除去ITO层。或者预先对ITO层进行布图；溅射导电层和覆盖层；然后除去导线部分之外的覆盖层/导电层。
参见图1到3，说明利用本发明的层压体制造布线基片，来制造有机EL显示器件的较好例子。但本发明并不限于这些实施例。
首先，在玻璃基材1上形成ITO薄膜。蚀刻ITO薄膜，形成带状图案的ITO阳极3。然后通过溅射形成作为衬层的Ni-Mo合金层(未示出)，以覆盖玻璃基材的整个表面。在合金层上，按下面顺序溅射形成作为防Ni扩散层的Mo系列金属层(未示出)，作为导电层的Al-Nd合金层2a，作为防Ni扩散层的Mo系列金属层(未示出)和作为覆盖层的Ni-Mo层2b，获得用于制备布线基片的层压体。当然，ITO层可以形成于玻璃基材1的整个或部分表面上。
在层压体上涂布光致抗蚀剂。按照光致抗蚀剂的图案进行蚀刻，除去金属层的不需要部分。剥离光致抗蚀剂之后，获得由Ni-Mo合金层(衬层)，Mo系列金属层(防Ni扩散层)，Al-Nd合金层(导电层)2a，Mo系列金属层(防Ni扩散层)和Ni-Mo合金层(覆盖层)2b组成的导线2。然后用紫外线辐照和清洁整个层压体，进行紫外线-臭氧处理，或氧-等离子体处理。在用紫外线辐照和清洁的过程中，由紫外灯辐射出紫外线，除去有机物质。
然后在ITO阳极3上形成具有空穴转移层，发光层和电子转移层的有机层4。形成阴极隔板时，在真空沉积形成有机层4之前，用照相平版印刷方法形成隔板。
采用真空沉积方法形成作为阴极背电极的Al阴极5，在形成导线2，ITO阳极3和有机层4之后，垂直穿过ITO阳极3。
然后用树脂封闭虚线包围的部分，形成密封壳6。
因为本发明的布线基片中包括上述层压体，其中，以低电阻Al-Nd合金作为导电层，以高耐腐蚀性的Ni-Mo合金作为覆盖层，因此具有低电阻，基本上没有形成小丘，表面粗糙度小，具有极佳的耐碱性和耐腐蚀性，导线几乎不会发生劣化。
以下参考实施例具体说明本发明。但是本发明并不限于此。
实施例1
清洁厚0.7毫米，长100毫米，宽100毫米的钠钙玻璃基材。将玻璃基材固定在溅射设备上。使用氧化硅靶进行RF磁控管溅射，在基材底上形成厚20纳米的氧化硅层。由此制得具有氧化硅层的玻璃基材。
然后用ITO靶(以In2O3和SnO2总量为基准计，含有10质量％的SnO2)进行DC磁控管溅射，形成厚150纳米的ITO层，制得具有ITO层的玻璃基材(简称为基材)。使用含有0.5体积％O2气的Ar气作为溅射气体。
然后，在具有ITO层玻璃基材的整个表面上(不包括用于支撑衬底的部分)，采用DC磁控管溅射方法，使用74∶22∶4原子％的Ni-Mo-Fe合金靶，含有33体积％CO2气体的Ar气作为溅射气体，形成厚50纳米的Ni-Mo合金层(衬层)。背压是1.3×10-3帕，溅射气体压力是0.3帕，功率密度是4.3瓦/平方厘米。不加热衬底。用ESCA方法对衬层进行元素分析，原子比是Ni∶Mo∶Fe∶O∶C＝59∶20∶2∶11∶8。以下给出分析时所用ESCA设备的名称和测量条件。
然后，采用DC磁控管溅射方法，在Ar气氛中，使用99.8∶0.2原子％的Al-Nd合金靶，在衬层上形成厚370纳米的Al-Nd合金层(导电层)。所形成层的组成与靶组成相同。溅射气体压力是0.3帕，功率密度是4.3瓦/平方厘米。不加热衬底。
然后，在导电层上，采用DC磁控管溅射方法，在Ar气氛中，用90∶10原子％的Mo-Nb合金靶，形成厚30纳米的Mo-Nb合金层(防Ni扩散层)。所形成层的组成与靶组成相同。溅射气体压力是0.3帕，功率密度是1.4瓦/平方厘米。不加热衬底。
然后，在防Ni扩散层上，采用DC磁控管溅射方法，在Ar气氛中，使用74∶22∶4原子％的Ni-Mo-Fe合金靶，形成厚50纳米的Ni-Mo合金层(覆盖层)，获得用于制备布线基片的层压体。所形成层的组成与靶组成相同。溅射气体压力是0.3帕，功率密度是1.4瓦/平方厘米。不加热衬底。
采用以下方法，对用于制备布线基片的层压体进行表面粗糙度，耐碱性，刚完成沉积时的薄层电阻，以及热处理后薄层电阻(耐热性)的测量。结果如表2中所示。
测量方法如下。
(1)表面粗糙度：使用原子力显微镜(atomic forcemicroscope)(NanoScope 3a：由Digital Instrument制造)，测量按照JISB0601(2001)定义的算术平均高度(Ra)和最大高度(Rz)。事实上优选Ra最多12纳米，Rz最多150纳米。
(2)耐碱性：在室温下将层压体浸入2.38％的TMAH溶液中保持10分钟，测量薄层电阻变化进行评价。评价标准是：符号○代表薄层电阻的变化小于5％，符号×代表至少是5％。
(3)薄层电阻：使用Mitsubishi Chemical Corporation制造的Loresta IPMCP-T250，采用四探针法测量。实际优选最多为0.4欧/□。
(4)热处理之后的薄层电阻：使用恒温室(由Espec Corp.制造的PMS-P101)，使层压体在空气中于320℃保持1小时，使用上述Loresta IPMCP-T250以四探针法测量薄层电阻。实际上优选最多为0.2欧/□。
实施例2
按照与实施例1相同的方法和条件进行溅射，获得用于制备布线基片的层压体，区别在于，使用98∶2原子％的Al-Nd合金靶，形成厚400纳米的Al-Nd合金层(导电层)。层压体的厚度如表1中所示。测量算术平均高度(Ra)和最大高度(Rz)，耐碱性，刚完成沉积时的薄层电阻，以及热处理之后的薄层电阻。结果如表2中所示。
实施例3：对比例
按照与实施例1相同的方法和条件进行溅射，获得用于制备布线基片的层压体，区别在于，使用Al金属靶，形成厚360纳米的Al金属层(导电层)。测量算术平均高度(Ra)和最大高度(Rz)，耐碱性，刚完成沉积时的薄层电阻，以及热处理之后的薄层电阻。结果如表2中所示。
实施例4：对比例
按照与实施例1相同的方法和条件进行溅射，获得用于制备布线基片的层压体，区别在于，使用98.8∶1∶0.2原子％的Al-Si-Cu合金靶，形成厚430纳米的Al-Si-Cu合金层(导电层)。测量算术平均高度(Ra)和最大高度(Rz)，耐碱性，刚完成沉积时的薄层电阻，以及热处理之后的薄层电阻。结果如表2中所示。
(ESCA设备名称和进行元素分析时使用的测量条件)
XPS测量设备：JEOL JPS-9000MC(由JEOL制造)
X射线源：Ms-Std射线，束直径：6毫米
X射线输出：10千伏，10毫安
电荷校准：读数电子枪(flood gun)
阴极：-100伏
偏压：-10伏
灯丝：1.15安
测量：用Ar+以1纳米/秒的速率对10毫米直径的表面进行10纳米溅射蚀刻，测量其中央部分。蚀刻条件是：使用800电子伏特的Ar+离子束，区域直径为10毫米。光电子的检测角是90°。光电子进入能量分析器的入射能量是20电子伏特。测量Ni 3p3/2，Mo 3d，Fe 2p3/2，O 1s和C 1s的峰。求得峰面积，利用以下相对灵敏度系数，计算表面原子数比。
相对灵敏度系数：
Ni 3p3/2   47.089
Mo 3d       39.694
Fe 2p3/2   37.972
O  1s       10.958
C  1s       4.079
从表2中很明显地发现，如果导电层是Al层或Al-Si-Cu合金层，则最大高度(Rz)高达237纳米或213纳米，如果导电层是Al-Nd合金层，则Rz低至86纳米或60纳米。而且，如果导电层是Al-Nd合金层，则刚完成沉积时的薄层电阻增大，但是经过热处理之后，薄层电阻降低到与导电层是Al层的层压体相同的水平。而且，与实施例3(对比例)相比，证明实施例1和2(本发明工作实施例)中小丘的形成得到了抑制。
                                                表1
  实施例     基片结构                  层结构   层厚(纳米)    形成衬层(Ni-Mo层)时溅射气体流速(体积％)
    Ar     CO2
  1     玻璃/SiO2/ITO     Ni-Mo/Al-0.2Nd/Mo-10Nb/Ni-Mo   50/370/30/50     67     33
  2     玻璃/SiO2/ITO     Ni-Mo/Al-2Nd/Mo-10Nb/Ni-Mo   50/400/30/50     67     33
  3     玻璃/SiO2/ITO     Ni-Mo/Al/Mo-10Nb/Ni-Mo   50/360/30/50     67     33
  4     玻璃/SiO2/ITO     Ni-Mo/Al-Si-Cu/Mo-10Nb/Ni-Mo   50/430/30/50     67     33
                                   表2
  实施例   算术平均高度Ra(纳米) 最大高度Rz(纳米)     耐碱性   刚完成沉积时薄层电阻(欧/□)   热处理之后薄层电阻(欧/□)
    1     7     86     ○     0.12     0.09
    2     5     60     ○     0.26     0.11
    3     15     237     ×     0.10     0.10
    4     18     213     ×     0.11     0.08
使用本发明层压体制备的布线基片，具有低电阻，基本上没有形成小丘，表面粗糙度小，而且具有极佳的耐碱性和耐腐蚀性。而且能够制备高精度和高度可靠的显示器。特别适用于使用寿命长，并要求导线电阻低从而提高发光性能的有机EL显示器件。
于2004年3月10日提交的日本专利申请2004-067193，包括其说明书，权利要求，附图和摘要的全部公开内容都参考结合于此。

Claims (17)

1.一种用于制备布线基片的层压体，其中包括基材，在所述基材上形成的含Al-Nd合金作为主要组分且Nd含量以全部组分为基准计为0.1到6原子％的导电层，以及在导电层上形成的含Ni-Mo合金作为主要组分的覆盖层。
2.如权利要求1所述的层压体，其特征在于，导电层和基材之间，从基材侧开始以这种顺序排列有ITO层和衬层。
3.如权利要求2所述的层压体，其特征在于，所述衬层是包含Mo或Mo合金作为主要组分的层。
4.如权利要求1到3中任一项所述的层压体，其特征在于，所述导电层与覆盖层之间和/或导电层与衬层之间，形成有组成与覆盖层不同的防Ni扩散层。
5.如权利要求4所述的层压体，其特征在于，所述防Ni扩散层是含Mo，Mo-Nb合金或Mo-Ta合金作为主要组分的层。
6.如权利要求1到5中任一项所述的层压体，其特征在于，在所述覆盖层中，以全部组分为基准计，Ni含量为30到95原子％，Mo含量为5到70原子％。
7.如权利要求1到6中任一项所述的层压体，其特征在于，所述导电层的厚度是100到500纳米。
8.如权利要求1到7中任一项所述的层压体，其特征在于，所述覆盖层进一步含有一种或多种选自Fe，Ti，V，Cr，Co，Zr，Nb，Ta和W的金属。
9.如权利要求1到8中任一项所述的层压体，其特征在于，所述覆盖层的厚度是10到200纳米。
10.如权利要求1到9中任一项所述的层压体，其特征在于，所述导电层是通过溅射形成的。
11.如权利要求10所述的层压体，其特征在于，溅射时基材的温度为室温到400℃。
12.如权利要求1到11中任一项所述的层压体，其特征在于，层压体在热处理之前的薄层电阻最大为0.4欧/□。
13.如权利要求1到12中任一项所述的层压体，其特征在于，层压体在热处理之后的薄层电阻最大为0.2欧/□。
14.如权利要求1到13中任一项所述的层压体，其特征在于，层压体的Ra最大为12纳米。
15.如权利要求1到14中任一项所述的层压体，其特征在于，层压体的Rz最大为150纳米。
16.一种布线基片，包括如权利要求1到15中任一项所述的层压体，其中，层压体以平面形式布图。
17.一种制造布线基片的方法，包括：在基材上溅射形成含Al-Nd合金作为主要组分的导电层，在导电层上形成含Ni-Mo合金作为主要组分的覆盖层，获得用于制造布线基片的层压体，然后采用照相平版印刷方法以平面形式对层压体进行布图。
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