KR100994093B1

KR100994093B1 - 배선 부착 기판 형성용 적층체, 배선 부착 기판 및 그 형성방법

Info

Publication number: KR100994093B1
Application number: KR1020050019368A
Authority: KR
Inventors: 다케히코 히루마
Original assignee: 아사히 가라스 가부시키가이샤
Priority date: 2004-03-10
Filing date: 2005-03-08
Publication date: 2010-11-12
Also published as: CN1678148A; TW200541381A; KR20060043543A; US20050200274A1; TWI376978B

Abstract

저저항이고 힐록이 잘 발생하지 않으며, 표면 조도가 작고, 또한 내알칼리성, 내식성이 우수한 배선 부착 기판 형성용 적층체, 특히 유기 EL 소자 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이에 적합한 적층체, 그 적층체를 에칭하여 배선 부착 기판을 형성하는 방법 및 얻어진 배선 포함 기판의 제공.

기판 상에 Al/Nd 합금을 주성분으로 하고 Nd 함유량이 전체 성분에 대하여 0.1∼6원자% 인 도체층 및 그 도체층 상에 Ni-Mo 합금을 주성분으로 하는 캡층을 갖는 것을 특징으로 하는 배선 부착 기판 형성용 적층체, 그 적층체의 스퍼터링에 의한 형성방법 및 그 적층체에 평면형으로 패터닝한 배선 부착 기판.

기판, 적층체, 배선, 도체층, 캡층

Description

배선 부착 기판 형성용 적층체, 배선 부착 기판 및 그 형성방법{LAMINATE FOR FORMING SUBSTRATE WITH WIRES, SUCH SUBSTRATE WITH WIRES, AND METHOD FOR FORMING IT}

도 1 은 본 발명의 배선 부착 기판 형성용 적층체를 패터닝하여 얻어지는 배선 포함 기판의 일례를 나타내는 일부 절결 정면도.

도 2 는 도 1 의 A-A 선에서의 단면도.

도 3 은 도 1 의 B-B 선에서의 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

1 : 유리 기판 2 : 배선

2a : Al 계 금속층 2b : Ni-Mo 합금층

3 : ITO 양극 4 : 유기질층

5 : Al 음극 6 : 밀봉 캔

본 발명은 유기 일렉트로 루미네선스 (유기 EL) 소자 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이용 전극 배선으로 사용되는 배선 부착 기판과 그 형성 방법 및 이를 위해 적합하게 사용되는 배선 부착 기판 형성용 적층체에 관한 것이다.

플랫 패널 디스플레이는, 최근의 고도정보화에 따라, 점점 수요가 높아지고 있다. 최근, 자기발광형으로 저전압 구동이 가능한 유기 EL 소자 디스플레이가 고속응답성, 시인성, 휘도 등의 면에서, 종래의 LCD 나 PDP 에 비하여 훨씬 우수한 점에서, 차세대의 디스플레이로서 특히 주목되고 있다. 유기 EL 소자는 기본적으로는 주석 도프 산화인듐 (ITO) 의 투명전극 (양극) 과 금속전극 (음극) 사이에, 양극측으로부터 정공수송층, 발광층, 전자수송층 등의 유기질층이 형성된 구조를 가진다. 최근의 컬러화나 고정세화에는, ITO 층의 더한 저저항화가 필요하지만, LCD 등에 종래부터 사용되고 있는 ITO 층의 저저항화는 이미 한계에 근접했다. 따라서 박막 트랜지스터 (TFT) 액정 디스플레이 (LCD) 에 넓게 채용되어 있는 것과 같이, Al, Al 합금 등의 저저항 금속을 보조 배선으로 하고, ITO 층으로 이루어지는 전극과 조합함으로써, 실질적으로 소자 회로의 저저항화를 실현한다.

그런데, Al 또는 Al 합금은 저저항이다. 또, 표면에 Al 산화물이 형성되기 쉽고, 다른 금속과 전기적 컨택트를 취하려고 해도, 접촉저항이 높아, 그대로로는 사용할 수 없다는 문제점이 있었다. 이 때문에 대부분의 경우, Mo 또는 Mo 합금 (Cr, Ti, Ta, Zr, Hf, V) 으로 Al 또는 Al 합금을 캡(cap)하는 대응이 취해져 있다 (예를 들면 특허문헌 1). 또한 Mo 는 Al 과 동일한 에칭액에서의 에칭이 가능하고, 보조 배선을 형성하기 위한 포토리소 공정에서, Al 과 Mo 를 일괄하여 패터닝할 수 있다.

그러나 일반적으로 Mo 의 내습성은 낮아, 공기 중의 수분에 의해 부식되기 쉽기 때문에, Mo 를 FPD 의 배선 재료로 사용하면 배선이 열화되기 쉽다는 문제가 있었다. 한편, Cr 등의 내습성이 높은 금속으로 Al 을 캡하면, 후술하는 바와 같은 Al 과 동일한 에칭액으로 에칭할 수 없어, 일괄 패터닝이 곤란하자는 문제가 있었다.

[특허문헌 1] 일본 공개특허공보 평13-311954호

이와 같은 문제에 대해, Al 을 도체층으로 하고, 내습성이 높고, 또한 Al 과 일괄하여 패터닝 가능한 Ni-Mo 합금을 캡층으로 하는 적층체를 생각할 수 있다. 확실하게, 이 경우는 고습조건에 방치해도 사실상 배선의 열화는 없다. 그러나 이 적층체는 도체층의 형성시에 힐록 (돌기) 이 발생하기 쉽고, 그것에 기인하여 Ni-Mo 합금층의 피복성이 악화되어, Al 이 노출되기 때문에, 표시 소자를 형성하기 위한 세정시, 포토리소그래피 공정의 현상시 및 레지스트 박리시 등의 알칼리 처리에 의해, Al 이 구멍이 뚫리도록 용출되어, 배선의 저항이 증대된다는 문제가 있었다.

본 발명은 저저항이고, 힐록이 발생하기 어렵고, 표면 조도가 작고, 또한 내알칼리성이 우수한 배선 부착 기판 형성용 적층체, 이 적층체를 에칭하여 배선 부착 기판을 형성하는 방법 및 얻어진 배선 부착 기판를 제공하는 것이 목적이다. 특히 유기 EL 소자 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이에 사용하는 전극 배선용에 적합한 배선 부착 기판 형성용 적층체, 이 적층체를 에칭하여 배선 부착 기판을 형성하는 방법 및 얻어진 배선 부착 기판을 제공하는 것이 목적이다.

본 발명자는 종래 기술을 근거로 예의 검토하여, Al-Nd 합금을 도체층에 사용함으로써, 힐록이 잘 발생하지 않아 표면 조도가 작아지는 것과, 이 도체층 상에 Al 에칭액으로 에칭이 가능한 Ni-Mo 합금을 주성분으로 하는 캡층을 형성할 경우에는, 이 캡층이 도체층의 Al-Nd 합금의 노출을 강력하게 억제하기 때문에, 내알칼리성, 내식성이 향상되는 것을 발견하여, 결과적으로 저저항이고, 힐록이 잘 발생하지 않아 표면 조도가 작고, 또한 내알칼리성, 내식성이 우수한 배선 부착 기판을 얻기에 이르러 본 발명은 완성한 것이다.

따라서, 본 발명은 기판 상에, Al-Nd 합금을 주성분으로 하고, Nd 함유율이 전체 성분에 대해 0.1∼6 원자% 인 도체층 및 이 도체층 상에, Ni-Mo 합금을 주성분으로 하는 캡층을 갖는 것을 특징으로 하는 배선 부착 기판 형성용 적층체이다.

본 발명의 배선 부착 기판 형성용 적층체는, 기판 상에, Al-Nd 합금을 주성분으로 하고, Nd 함유율이 전체 성분에 대해 0.1∼3 원자% 인 도체층 및 이 도체층 상에, Ni-Mo 합금을 주성분으로 하는 캡층을 갖는 것이 바람직하다.

본 발명의 배선 부착 기판 형성용 적층체는 상기 도체층과 기판의 사이에 기판측으로부터 ITO 층과 하지층을 이 순서로 갖는 것이 바람직하다.

본 발명의 배선 부착 기판 형성용 적층체는 상기 하지층이 Mo 또는 Mo 합금을 주성분으로 하는 층인 것이 바람직하다.

본 발명의 배선 부착 기판 형성용 적층체는 상기 도체층과 상기 캡층의 사이 및/또는 상기 도체층과 상기 하지층의 사이에 캡층과는 다른 조성을 갖는 Ni 확산방지층을 갖는 것이 바람직하다.

본 발명의 배선 부착 기판 형성용 적층체는 상기 Ni 확산방지층이 Mo, Mo-Nb 합금 또는 Mo-Ta 합금을 주성분으로 하는 층인 것이 바람직하다.

본 발명의 배선 부착 기판 형성용 적층체는 상기 캡층에서의 Ni 함유율이 전체 성분에 대해 30∼95 원자% 이고, Mo 함유율이 전체 성분에 대해 5∼70 원자% 인 것이 바람직하다.

본 발명의 배선 부착 기판 형성용 적층체는 상기 Ni 확산방지층에서의 Mo 함유율이 전체 성분에 대해 80∼100 원자% 이고, Nb 또는 Ta 함유율이 전체 성분에 대해 0∼20 원자% 인 것이 바람직하다.

또, 본 발명은 상기 어느 하나의 적층체에 평면 형상으로 패터닝을 실시한 배선 부착 기판이다.

또한 본 발명의 배선 부착 기판는 유기 EL 표시소자에 적용되는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명은 기판 상에, 스퍼터법에 의해 Al-Nd 합금을 주성분으로 하는 도체층 및 그 도체층 상에 Ni-Mo 합금을 주성분으로 하는 캡층을 형성하여 배선 부착 기판 형성용 적층체를 얻고, 이어서 그 적층체에 포토리소그래프법에 의해 평면 형상으로 패터닝하는 것을 특징으로 하는 배선 부착 기판의 형성 방법이다.

발명의 효과

본 발명의 배선 부착 기판 형성용 적층체는 저저항이고, 힐록이 발생되기 어렵고, 표면 조도가 작고, 또한 내알칼리성, 내식성이 우수하므로, 그 적층체로부터 얻어진 배선 부착 기판을 사용하면, 표시 소자의 형성시 또는 포토리소 공정에 있어서, 도체층의 Al 이 용출되어 배선의 저항이 증대되는 경우가 없다. 그 때문에, 고정세(高精細)하고 신뢰성이 높은 디스플레이를 제작할 수 있다. 특히, 소자 수명을 길게 하고, 발광 특성을 향상시키기 위해, 배선의 저저항이 요망되는 유기 EL 디스플레이에 유효하게 사용할 수 있다.

발명을 실시하기 위한 최선의 형태

본 발명의 배선 부착 기판 형성용 적층체는 기판/도체층/캡층으로 이루어지는 적층체를 기본으로 하고, 기판과 도체층 사이에 기판측으로부터 ITO 층과 하지층을 갖는, 기판/ITO 층/하지층/도체층/캡층으로 이루어지는 적층체, 도체층과 캡층 사이 및/또는 하지층과 도체층 사이에 Ni 확산방지층을 갖는, 기판/ITO 층/하지층/Ni 확산방지층/도체층/Ni 확산방지층/캡층으로 이루어지는 적층체 등의 다층적층체를 포함한다.

본 발명에 사용되는 기판은 반드시 평면이고 판상일 필요는 없고, 곡면이어도 되고 이형 형상이어도 된다. 기판으로서는 투명 또는 불투명의 유리 기판, 세라믹기판, 플라스틱기판, 금속기판 등을 들 수 있다. 단, 기판측으로부터 발광시키는 구조의 유기 EL 소자에 사용하는 경우에는 기판은 투명한 것이 바람직하고, 특히 유리 기판이 강도 및 내열성의 관점에서 바람직하다. 유리 기판으로서는 무색 투명한 소다라임 유리 기판, 석영 유리 기판, 붕규산 유리 기판, 무알칼리 유리 기판이 예시된다. 유기 EL 소자에 사용하는 경우의 유리 기판의 두께는 0.2∼1.5mm 인 것이 강도 및 투과율의 관점에서 바람직하다.

본 발명의 배선 부착 기판 형성용 적층체는 기판 상에 Al-Nd 합금을 주성분으로 하는 도체층 (간단히 Al-Nd 합금층이라 함) 및 그 도체층 상에 Ni-Mo 를 주성분으로 하는 캡층 (간단히 Ni-Mo 합금층이라 함) 의 2 층을 반드시 포함하는 적층체이다.

본 발명의 적층체는 도체층이 Al-Nd 합금을 주성분으로 하기 때문에, 배선을 저저항으로 유지한 채로, 막의 형성시에 힐록을 발생하기 어렵게 할 수 있다. 또한, Al-Nd 합금을 주성분으로 하면, Ni-Mo 합금을 주성분으로 하는 캡층에 의한 피복성이 좋고, Al-Nd 합금의 노출이 억제되기 때문에, 적층체의 내알칼리성을 향상시킬 수 있다.

도체층을 구성하는 Al-Nd 합금층의 Al 함유율은 배선의 저항을 낮게 하는 점에서, 전체 성분에 대하여 94∼99.9 원자% 이고, Nd 함유율은 전체 성분에 대하여 0.1∼6 원자% 이다. Nd 함유율이 높아질수록, 막형성 직후의 저항이 증대되지만, 막형성 후에 열처리를 함으로써, Al 과 동등한 저항까지 저하시킬 수 있다. 유기 EL 표시소자 등은 일반적으로 보조배선 형성 후에 표시소자 형성을 위한 열처리를 할 필요가 있지만, 배선 형성용 적층체에 Al-Nd 합금을 사용하여 표시소자를 형성한 후에는 Nd 함유율이 0.1 원자% 보다 적으면 내힐록성이 충분하지 않고, 6 원자% 를 초과하면 열처리 후의 저항이 Al 의 저항보다 증대된다. 따라서, 0.1∼6 원자% 로 한정된다.

Al-Nd 합금층에는 불순물로서 Ti, Mn, Si, Na, O 등이 함유되어 있어도 되고, 그 함유량은 합계로 1 질량% 이하인 것이 바람직하다.

Al-Nd 합금층의 막두께는 충분한 도전성이나 양호한 패터닝성이 얻어지도록 100∼500nm 인 것이 바람직하고, 150∼400nm 인 것이 보다 바람직하다.

또, Al-Nd 층은 막형성 직후에는 약간 저항치가 높은 편이지만, 소성함으로써 저항치가 낮아지는 특성을 갖는다. 이는 막형성 직후에는 Nd 가 Al 과 섞여 있어 저항의 증대로 이어지던 것이, 열처리에 의해 Nd 가 입계로 이동하여 Nd 와 Al 로 분리됨으로써, 저항치가 낮아지는 것으로 추측된다.

도체층 상에 형성하는 캡층은 Ni-Mo 합금을 주성분으로 하는 층이다. Ni-Mo 합금층은 내습성이 우수하므로, 형성된 배선의 저저항을 유지할 수 있는 외에, 얻어진 배선 부착 기판을 사용한 전자장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 얻어지는 배선 부착 기판 형성용 적층체는 정세한 패터닝이 가능하다. 또한, 포토리소그래프를 사용하여 패터닝할 때에, 캡층 (Ni-Mo 합금층) 과 도체층 (Al-Nd 합금층) 을 동일한 에칭액 (산성 수용액) 으로 거의 동일한 속도로 에칭할 수 있다. 즉, 캡층과 도체층을 일괄적으로 패터닝할 수 있게 된다.

도체층과 캡층의 에칭속도가 크게 다르면, 배선을 형성할 때에 오버에칭이나 잔사의 원인이 되므로 바람직하지 못하다. Ni-Mo 합금층의 에칭속도는 에칭액의 종류에 따라 Ni 와 Mo 의 조성비를 바꿔 용이하게 조정할 수 있다. Ni 에 대한 Mo 의 비율이 큰 쪽이 그 속도가 빨라진다.

Ni-Mo 합금층의 Ni 함유율은 전체 성분에 대하여 바람직하게는 30∼95 원자%, 보다 바람직하게는 65∼85 원자% 이다. Ni 함유율이 30 원자% 미만이면 Ni-Mo 합금층의 내습성이 충분하지 않고, 95 원자% 를 초과하면 에칭액에 의한 에칭속 도가 느려, 도체층의 에칭속도와 같은 정도로 조정하기가 어려워진다. 또한 Ni-Mo 합금층의 Mo 의 함유율은 전체 성분에 대하여 바람직하게는 5∼70 원자%, 보다 바람직하게는 15∼35 원자% 이다. Mo 의 함유율이 5 원자% 미만이면 에칭액에 의한 에칭속도가 느려, 도체층의 에칭속도와 같은 정도로 조정하기가 어려워지고, 70 원자% 를 초과하면 Ni-Mo 합금층의 내습성이 불충분해진다. Ni-Mo 합금층의 Ni 및 Mo 의 함유율의 합계는 90∼100 원자% 인 것이 바람직하다.

Ni-Mo 합금층은 Fe, Ti, V, Cr, Co, Zr, Nb, Ta, W 등의 금속을 1 종 또는 2 종 이상, 내습성, 에칭성 등을 열화시키지 않는 범위, 예를 들어 10 원자% 이하 함유한다.

상기 캡층의 막두께는 내습성 및 패터닝성의 관점에서 바람직하게는 10∼200nm 이고, 보다 바람직하게는 15∼50nm 이다.

본 발명의 배선 부착 기판 형성용 적층체는 스퍼터법을 사용하여 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 유리 기판의 일방의 표면 상에, Al-Nd 합금 타깃을 사용하여 불활성 가스 분위기에서 스퍼터링함으로써, 도체층을 형성하는 공정 및 그 도체층 상에, Ni-Mo 합금 타깃을 사용하여 스퍼터링함으로써 캡층을 형성하는 공정의 조합에 의해 형성된다. 스퍼터법에 의해, 대면적에 걸쳐, 막두께가 균일한 배선 부착 기판 형성용 적층체를 용이하게 형성할 수 있다.

Al-Nd 합금 타깃은, 예를 들어 Nd 를 함유하는 Al 합금 타깃, Nd 를 함유하는 Al 비합금 타깃 등이다.

또한, Ni-Mo 합금 타깃은, 예를 들어 Ni-Mo 합금 타깃, Fe 를 함유-하는 Ni- Mo 합금 타깃, Fe 를 함유하는 Ni-Mo 비합금 타깃 등이다. Fe 를 함유하는 Ni-Mo 비합금 타깃으로는 예를 들어, 타깃면적보다 작은 Ni 판, Mo 판, Fe 판을 모자이크 형상으로 조합한 것이나, Ni-Mo 합금 타깃판과 Fe 판을 조합한 것도 포함한다.

본 발명의 배선 부착 기판 형성용 적층체는 구체적으로는 예를 들어 다음과 같은 방법에 의해 형성된다.

Al-Nd 합금 타깃 및 Ni-Mo 합금 타깃을 직류 마그네트론 스퍼터 장치의 캐소드에 따로따로 설치한다. 또한, 기판을 기판홀더에 설치한다. 이어서, 막형성실 내를 진공으로 배기 후, 스퍼터 가스로서 Ar 가스를 도입한다. Ar 가스 이외에 He, Ne, Kr 가스 등도 스퍼터 가스로서 사용할 수 있지만, 방전이 안정적이고 저렴한 Ar 가스가 바람직하다. 스퍼터 압력은 0.1∼2Pa 가 적당하다. 또한 배압은 1×10^－6∼1×10^－2Pa 인 것이 바람직하다. 기판온도는 실온∼400℃, 실온∼250℃ 가 바람직하고, 실온∼l50 ℃ 인 것이 특히 바람직하다.

우선, 기판 상에, 스퍼터링에 의해 Al-Nd 합금층을 도체층으로서 형성한다. 이어서, 도체층 상에, 스퍼터링에 의해 Ni-Mo 합금층을 캡층으로서 형성하여 배선 부착 기판 형성용 적층체를 형성한다.

Al-Nd 합금층을 형성할 때에는 Al 과 Nd 를 각각 따로따로의 타깃으로서 사용하여 합금층을 형성해도 되지만, 도체층의 조성의 제어성 및 균일성 향상의 관점에서 미리 소정 조성의 Al-Nd 합금을 제작하여 이것을 타깃으로서 사용하는 것이 바람직하다.

Ni-Mo 합금층을 형성할 때에는 Ni 와 Mo 를 각각 따로따로의 타깃으로서 사용하여 합금층을 형성해도 되지만, 미리 소정 조성의 Ni-Mo 합금을 제작하여 이것을 타깃으로서 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명의 배선 부착 기판 형성용 적층체는 Ni-Mo 합금층 (캡층) 과 Al-Nd 합금층 (도체층) 사이, 및/또는 Al-Nd 합금층 (도체층) 및 후술하는 바와 같은 Ni-Mo 합금층 (하지층) 사이에, 캡층과는 다른 조성을 갖는 Ni 확산방지층을 갖는다.

도체층과 캡층, 도체층과 하지층이 접하고 있을 때에 열처리하면, 캡층 및/또는 하지층에서 Ni 가 도체층으로 확산되어 도체층의 저항이 증대된다. 그 저항의 증대는 그 Ni 확산방지층에 의해 방지할 수 있다. 그 Ni 확산방지층도 스퍼터법에 의해 형성되는 것이 바람직하다.

Ni 확산방지층의 막두께는 배리어성 및 패터닝성의 관점에서 10∼200nm 가 바람직하고, 15∼50nm 가 보다 바람직하다.

Ni 확산방지층은 캡층 및 도체층과 일괄 에칭할 수 있다는 점에서, Mo 를 주성분으로 하는 Mo 계 금속층인 것이 바람직하다. 구체적으로는 Mo, Mo-Nb 합금, Mo-Ta 합금 등을 들 수 있다. 그 Mo 계 금속층의 Mo 함유율은 80∼100 원자% 인 것이 바람직하다. 또한, 그 Mo 계 금속층의 Nb 또는 Ta 함유율은 0∼20 원자% 인 것이 바람직하다.

상기 Mo 계 금속층을 Ni 확산방지층으로서 도체층과 캡층 사이에 형성하면, 패터닝 후의 패턴 단면부에서는 Mo 계 금속이 노출되지만, Mo 계 금속층의 대부분이 캡층과 도체층에 덮어져 있으므로, 내습성의 향상은 저해되지 않는다.

본 발명의 배선 부착 기판 형성용 적층체는 그 Ni-Mo 합금층 (캡층) 을, 산화, 질화, 산질화, 산탄화 또는 산질탄화 등의 처리를 함으로써, 요컨대 캡층 형성시에 그러한 처리를 실시함으로써도, 상기 Ni 확산방지층과 동일하게 저항 증대를 방지할 수 있다. 그 처리는 Ni-Mo 합금층을 스퍼터링에 의해 형성할 때에, 스퍼터 가스로서, O₂, N₂, CO, CO₂ 등의 반응성 가스와 Ar 가스의 혼합 가스를 사용하는 방법에 의해 실시된다. 그 처리를 함으로써, Ni-Mo 합금층 중에 산소, 질소, 탄소를 함유시킬 수 있다. 반응성 가스의 함유율은, Ni 확산방지 효과의 관점에서 5∼50체적% 인 것이 바람직하고, 20∼40체적% 인 것이 보다 바람직하다.

또한, 본 발명의 배선이 부착된 기판 형성용 적층체는, 주석 도프 산화인듐층 (ITO 층) 을 갖는다. 그 경우, Al-Nd 합금층은 ITO 층과의 접촉저항이 크다는 문제가 있기 때문에, 실제로는, 상기 하지층을 사이에 두고, 기판/ITO 층/하지층/도체층/캡층으로 하는 것이 바람직하다. ITO 층은 투명전극으로서 사용할 수 있기 때문에, 본 발명의 배선이 부착된 기판 형성용 적층체에 있어서, 기판 상에 ITO 층을 형성한 후에, 하지층, 도체층 및 캡층을 형성할 때에 필요 지점을 마스크해 두면, 마스크된 지점은 하지층, 도체층 및 캡층이 없이 ITO 층만으로 되기 때문에, 이것을 전극으로서 사용하여, 예를 들어, 필요한 경우는 그 위에 유기질층을 형성하여 유기 EL 소자로 할 수 있다. 한편, 마스크하지 않은 지점은, ITO 층 상에 하지층, 도체층 및 캡층이 형성되고, 전극인 ITO 층과 배선으로서의 하지층, 도체층 및 캡층이 단차없이 접속된다.

ITO 층은, 예를 들어 유리 기판 상에 ITO 층을 일렉트론빔법, 스퍼터법, 이온플레이팅법 등을 사용하여 막을 형성함으로써 형성된다. ITO 층은, 예를 들어 In₂O₃ 와 SnO₂ 와의 총량에 대하여 SnO₂ 가 3∼15질량% 함유되는 ITO 타깃을 사용하고, 스퍼터링에 의해 막형성하는 것이 바람직하다. 스퍼터링 가스는 O₂ 와 Ar 의 혼합가스인 것이 바람직하고, O₂ 가스 농도는 0.2∼2체적% 인 것이 바람직하다.

ITO 층의 막두께는 50∼300㎚ 가 바람직하고, 100∼200㎚ 가 보다 바람직하다.

그리고, 그 ITO 층 상에 스퍼터법에 의해, 추가로 하지층, 도체층 및 캡층을 형성함으로써 ITO 층을 갖는 배선이 부착된 기판 형성용 적층체를 얻을 수 있다.

도체층은 ITO 층과의 접촉저항이 크다는 문제가 있기 때문에, ITO 층을 기판과 도체층 사이에 형성할 때에는, ITO 층과 배선의 접촉저항 증대를 방지하기 위해 도체층 밑에 하지층을 형성한다. 하지층은 Mo 또는 Mo 합금을 주성분으로 하는 Mo 계 금속층인 것이 바람직하다. Mo 또는 Mo 합금을 주성분으로 하는 Mo 계 금속층이란, Mo 또는 Mo 합금의 함유율이 층 중에 90∼100원자% 인 것을 의미한다.

하지층의 막두께는 배리어성 및 패터닝성의 관점에서 10∼200㎚ 가 바람직하고, 15∼50㎚ 가 보다 바람직하다.

Mo 계 금속층으로는 Ni-Mo 합금층이 바람직하고, Ni-Mo 합금층을 하지층으로 하는 경우는, 그 합금층의 Ni 함유율이 전체 성분에 대하여 바람직하게는 30∼95원자%, 보다 바람직하게는 65∼85원자% 이고, Mo 함유율은 전체 성분에 대하여 바람직하게는 5∼70원자%, 보다 바람직하게는 15∼35원자% 이다. 그리고, Ti, V, Cr, Fe, Co, Zr, Nb, Ta, W 등의 금속이 1 종 또는 2 종 이상, 내습성, 에칭성 등을 열화시키지 않는 범위에서 함유된다.

도체층 밑에 형성된 하지층의 Ni-Mo 합금층의 조성은, 캡층의 Ni-Mo 합금층의 조성과 동일할 수도, 다를 수도 있다. 상하의 Ni-Mo 합금층의 조성을 조정하여, 에칭속도가 Ni-Mo 합금층 (캡층), Al-Nd 합금층 (도체층), Ni-Mo 합금층 (하지층) 의 순으로 빨라지도록 하면, 패터닝시에 패턴단면 형상을 테이퍼 형상으로 가공할 수 있다. 또한, 도체층과 하지층인 Ni-Mo 합금층 사이에 Ni 확산방지층을 형성한다. 그 Ni 확산방지층의 구성은, 전술한 도체층과 캡층 사이에 형성되는 Ni 확산방지층과 동일하다.

하지층에, 산화, 질화, 산질화, 산탄화 또는 산질탄화 등의 처리를 실시한다. 이러한 처리에 의해, 산소, 질소, 탄소 등이 하지층에 함유되기 때문에, 상기 Ni 확산방지층과 마찬가지로 저항 증대를 방지할 수 있다. 그 처리는, Ni-Mo 합금층을 스퍼터링법으로 형성하는 경우, 스퍼터 가스로서 O₂, N₂, CO, CO₂ 등의 반응성 가스와 Ar 가스와의 혼합가스를 사용하는 방법에 의해 실시된다. 반응성 가스의 함유율은, Ni 확산방지 효과면에서 5∼50체적%, 특히 20∼40체적% 인 것이 바람직하다. 하지층에 산소를 함유하고 있는 경우, 하지층 중의 산소의 함유량은, Ni 확산방지 효과면에서 막 중의 전체 원자에 대하여 5∼20원자% 인 것이 바람직하다. 하지층에 탄소를 함유하고 있는 경우, 하지층 중의 탄소의 함유량은, Ni 확산방지 효과면에서 막 중의 전체 원자에 대하여 0.1∼15원자% 인 것이 바람직하다.

Mo 계 금속층을 하지층으로서 도체층 밑에 형성하면, 패터닝 후의 패턴단면부에서는 Mo 계 금속이 노출되지만, Mo 계 금속층의 대부분이 기판 또는 ITO 막과 도체층에 의해 덮여 있기 때문에, 내습성의 향상이 방해받지 않는다.

또한, 본 발명의 배선이 부착된 기판 형성용 적층체는, 도체층과 기판 사이에 실리카층을 갖는다. 그 실리카층은 기판과 접하고 있어도 되고, 접하고 있지 않아도 된다. 그 실리카층은 통상 실리카 타깃을 사용하여 스퍼터링에 의해 형성된다. 기판이 유리 기판인 경우에는, 유리 기판 중의 알칼리성분이 도체층으로 이행하여 도체층이 열화되는 것을 방지한다. 막두께는 5∼30㎚ 인 것이 바람직하다.

본 발명의 배선이 부착된 기판 형성용 적층체는 저저항이고, 힐록이 잘 발생하지 않고, 표면 조도가 작으며, 또한 내알칼리성, 내식성이 우수하다. 이렇게 해서 얻어진 배선이 부착된 기판 형성용 적층체는, 바람직하게는 포토리소그래프법에 의해 에칭하여 배선이 부착된 기판으로 형성된다. 그리고, 그 배선이 부착된 기판을 사용하여, 예를 들어, 유기 EL 소자 디스플레이를 제조하면, 저저항이면서 신뢰성이 높은 배선으로 구성할 수 있어, 소자 수명도 길고 발광특성이 향상된 유기 EL 소자 디스플레이가 얻어진다.

본 발명의 배선이 부착된 기판 형성용 적층체는 Al 에 Nd 를 첨가한 Al-Nd 합금을 도체층으로 하고 있기 때문에, Al 을 도체층으로 한 적층체와 비교하여 막형성 직후의 시트 저항이 악화된다. 그러나, 본 발명의 적층체는 고온으로 열처리한 후에 저항이 저감되고, 열처리 후에는 Al 을 도체층으로 한 적층체와 동등한 시트 저항이 된다. 특히 유기 EL 소자로서 사용하는 경우, 음극 격벽의 공정에서 고온으로 할 필요가 있지만, 그 공정을 통과한 후에 원하는 저항이 유지되기 때문에 바람직하다. 적층체의 시트 저항치는, 열처리 전 0.4Ω/□ 이하, 열처리 후 (예를 들어, 대기 분위기하 320℃ 에서 1 시간) 0.2Ω/□ 이하인 것이 실용상 바람직하다.

본 발명의 배선이 부착된 기판 형성용 적층체는, 또한 도체층 형성시에 표면에 힐록이 잘 발생하지 않는 점에서 바람직하다. 표면에 힐록이 발생하면, 도체층 상에 막형성되는 캡층의 피복성이 악화되어 도체층이 노출되기 때문에, 표시소자를 형성하기 위한 세정시, 포트리소그래프 공정의 현상시 및 레지스트 박리시 등의 알칼리처리에 의해, 도체층에 구멍이 뚫리도록 용출되어 시트 저항이 증대한다. 본 발명의 배선이 부착된 기판 형성용 적층체는, 힐록이 잘 발생하지 않고, 알칼리처리를 실시한 경우에도 시트 저항이 변화하지 않는 점에서 바람직하다. 시트 저항치의 변화범위는 실용상 알칼리처리 전후에서 5% 이하인 것이 바람직하다. 또한, 그 적층체의 표면 조도는, JIS B 0601 (2001년) 에서 정의되는 산술 평균 높이 (Ra) 및 최대 높이 (Rz) 로서 정의한 경우, Ra 는 12㎚ 이하, Rz 는 15Onm 이하인 것이 바람직하다.

배선이 부착된 기판 형성용 적층체에 대하여, 그 최표면인 캡층 상에 포트레지스트를 도포하고, 배선 패턴을 노광하여, 포토레지스트의 패턴에 따라서 캡층, Ni 확산방지층, 도체층, 하지층 등의 금속층의 불필요한 부분을 에칭액에 의해 제거하여 배선이 부착된 기판이 형성된다. 에칭액은, 바람직하게는 산성 수용액이고, 인산, 질산, 아세트산, 황산, 염산 또는 이들의 혼합물, 질산세륨암모늄, 과염소산 또는 이들의 혼합물이다. 인산, 질산, 아세트산, 황산 및 물의 혼합용액이 바람직하고, 인산, 질산, 아세트산 및 물의 혼합용액이 보다 바람직하다.

배선이 부착된 기판의 형성시에, 배선이 부착된 기판 형성용 적층체의 각 층, 예를 들어 (1) 도체층/캡층, (2) 하지층/도체층/캡층, (3) 하지층/Ni 확산방지층/도체층/Ni 확산방지층/캡층의 각 층은 에칭액에 의해 동일 패턴으로 형성된다.

배선이 부착된 기판 형성용 적층체가 ITO 층을 갖는 경우에는, 도체층/캡층과 ITO 층을 함께 에칭액에 의해 제거해도 되지만, 캡층과 도체층을 먼저 제거하고, 따로 ITO 층을 제거해도 되며, 또한 ITO 층을 먼저 패터닝해 두고, 도체층 및 캡층을 스퍼터링한 다음, 배선 부분 이외의 도체층/캡층을 제거해도 된다.

다음에, 본 발명의 배선이 부착된 기판 형성용 적층체를 사용하여 배선이 부착된 기판을 형성하고, 유기 EL 소자 디스플레이를 제작하는 바람직한 예를 도 1 내지 도 3 을 사용하여 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다.

우선 유리 기판 (1) 상에 ITO 막을 형성한다. ITO 막을 에칭하여 스트라이프 형상의 패턴으로서 ITO 양극 (3) 을 형성한다. 다음에, 하지층으로서의 Ni-Mo 합금층 (미도시) 을 스퍼터링에 의해 유리 기판 (1) 전체면을 덮도록 형성한다. 그 합금층 상에, Ni 확산방지층으로서의 Mo 계 금속층 (미도시), 도체층으로서의 Al-Nd 합금층 (2a), 또 Ni 확산방지층으로서의 Mo 계 금속층 (미도시), 캡층으로서의 Ni-Mo 층 (2b) 을 이 순서대로 스퍼터링에 의해 형성하여, 배선이 부착된 기판 형성용 적층체를 얻었다. 물론, ITO 막은 유리 기판 (1) 의 전체면에 형성해도 되고, 일부에 형성해도 된다.

그 배선이 부착된 기판 형성용 적층체 상에 포토레지스트를 도포하고, 포토레지스트의 패턴에 따라서 금속층의 불필요한 부분을 에칭하여 레지스트를 박리하여, Ni-Mo 합금층 (하지층), Mo 계 금속층 (Ni 확산방지층), Al-Nd 합금층 (도체층: 2a), Mo 계 금속층 (Ni 확산방지층) 및 Ni-Mo 합금층 (캡층: 2b) 으로 이루어지는 배선 (2) 이 형성된다. 그 후, 자외선 조사 세정을 실시하여, 적층체 전체를 자외선-오존처리 또는 산소 플라즈마처리한다. 자외선 조사 세정은 통상 자외선 램프에 의해 자외선을 조사하고, 유기물을 제거한다.

다음으로 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 갖는 유기질층 (4) 을, ITO 양극 (3) 상에 형성한다. 캐소드 세퍼레이터 (격벽) 를 갖는 경우는, 유기질층 (4) 을 진공증착하기 전에 격벽을 포토리소그래프에 의해 형성한다.

캐소드 배면전극인 Al 음극 (5) 은, 배선 (2), ITO 양극 (3), 유기질층 (4) 이 형성된 후, ITO 양극 (3) 과 직교하도록 진공증착에 의해 형성한다.

다음으로, 파선으로 둘러싸인 부분을 수지밀봉하여 밀봉캔 (6) 으로 한다.

본 발명의 배선이 부착된 기판은 상기한 배선이 부착된 기판 형성용 적층체를 사용하기 때문에, 즉, 저저항의 Al-Nd 합금을 도체층으로 사용하고, 내식성이 높은 Ni-Mo 합금을 캡층으로 사용하기 때문에, 저저항이고, 힐록이 잘 발생하지 않으며, 표면 조도가 작고, 또한 내알칼리성, 내식성이 우수하여, 배선이 열화되지 않는다.

실시예

이하, 실시예를 사용하여 본 발명을 상세히 설명한다. 단, 본 발명이 이것에 한정되지 않음은 물론이다.

(예 1)

두께 0.7㎜×세로 100㎜×가로 100㎜ 의 소다라임 유리 기판을 세정 후, 스퍼터 장치에 세팅하고, 실리카 타깃을 이용하여 고주파 마그네트론 스퍼터법에 의해 두께 20㎚ 의 실리카층을 그 기판 상에 형성하고 실리카층이 부착된 유리 기판을 얻었다.

다음에, ITO (In₂O₃ 과 SnO₂ 의 총량에 대하여 SnO₂ 10질량% 함유) 타깃을 사용하여 직류 마그네트론 스퍼터법에 의해 두께 150㎚ 인 ITO 층을 형성하여 ITO 층이 부착된 유리 기판 (간단히 기판이라고도 함) 을 얻었다. 스퍼터 가스에는 O₂ 가스를 0.5체적% 함유하는 Ar 가스를 사용하였다.

다음에, 그 ITO 층이 부착된 유리 기판의 전체면 (단, 기판 유지를 위해 형성되지 않은 부분을 제외) 에, 원자 백분율 (%) 이 74 : 22 : 4 인 Ni-Mo-Fe 합금 타깃을 사용하고, 스퍼터 가스는 CO₂ 가스를 33체적% 함유하는 Ar 가스로 하여 직류 마그네트론 스퍼터법에 의해 두께 50㎚ 의 Ni-Mo 합금층 (하지층) 을 형성하였다. 배압은 1.3×10^-3Pa, 스퍼터 가스압은 0.3Pa 이고, 전력밀도는 4.3W/㎠ 이었다. 또, 기판은 가열하지 않았다. 하지층의 원소분석을 ESCA 를 사용하여 실시하였더니, 원자비는 Ni : Mo : Fe : O : C = 59 : 20 : 2 : 11 : 8 이었다. 분석에 사용한 ESCA 의 장치명 및 측정조건은 후술한다.

다음에, 하지층 상에, 원자백분율 (%) 이 99.8 : 0.2 인 Al-Nd 합금 타깃을 사용하여 직류 마그네트론 스퍼터법에 의해 Ar 가스 분위기에서 두께 370㎚ 의 Al-Nd 합금층 (도체층) 을 형성하였다. 막의 조성은 타깃의 조성과 동등하였다. 스퍼터 가스압은 0.3Pa 이고, 전력밀도는 4.3W/㎠ 이었다. 또, 기판은 가열하지 않았다.

계속하여, 그 도체층 상에, 원자백분율 (%) 이 90 : 10 인 Mo-Nb 합금 타깃을 사용하여 직류 마그네트론 스퍼터법에 의해 Ar 가스 분위기에서 두께 30㎚ 의 Mo-Nb 합금층 (Ni 확산방지층) 을 형성하였다. 막의 조성은 타깃의 조성과 동등하였다. 스퍼터 가스압은 0.3Pa 이고, 전력밀도는 1.4W/㎠ 이었다. 또, 기판은 가열하지 않았다.

그리고, 그 Ni 확산방지층 상에, 원자백분율 (%) 이 74 : 22 : 4 인 Ni-Mo-Fe 합금 타깃을 사용하고 Ar 가스 분위기에서 직류 마그네트론 스퍼터법에 의해 두께 50㎚ 의 Ni-Mo 합금층 (캡층) 을 형성하여, 배선 부착 기판 형성용 적층체를 얻었다. 막의 조성은 타깃의 조성과 동등하였다. 스퍼터 가스압은 0.3Pa 이 고, 전력밀도는 1.4W/㎠ 이었다. 또, 기판은 가열하지 않았다.

그 배선 부착 기판 형성용 적층체의 표면 조도, 내알칼리성, 막형성 직후의 시트 저항 및 열처리 후의 시트 저항 (내열성) 을 아래의 방법으로 측정하였다. 결과를 표 2 에 나타내었다.

측정방법은 아래와 같다.

(1) 표면 조도 : JIS B 0601 (2001년) 에 정의되는 산술 평균 높이 (Ra) 및 최대 높이 (Rz) 를 원자간력 현미경 (NanoScope 3a : 디지털인스트루먼트사 제조) 을 사용하여 측정하였다. Ra 는 12㎚ 이하, Rz 는 150㎚ 이하인 것이 실용상 바람직하다.

(2) 내알칼리성 : 그 적층체를 2.38% TMAH 용액 중에 실온 하 10min 침지하여 시트 저항의 변화를 측정함으로써 평가하였다. 시트 저항의 변화율이 5% 미만인 경우를

, 5% 이상인 경우를 ×로 평가하였다.

(3) 시트 저항 : 미츠비시카가쿠(주) 제조의 Loresta IP MCP-T250 을 사용하여 4탐침법으로 측정하였다. 0.4Ω/□ 이하인 것이 실용상 바람직하다.

(4) 열처리 후의 시트 저항 : 항온조 (PMS-P101: 에스펙(주) 제조) 를 사용하여 그 적층체를 대기 분위기 하 320℃ 에서 1h 방치한 후, 상기 Loresta IP MCP-T250 을 사용하여 4탐침법으로 측정하였다. 0.2Ω/□이하인 것이 실용상 바람직하다.

(예 2)

예 1 에서, 원자백분율 (%) 이 98 : 2 인 Al-Nd 합금 타깃을 사용하여 두께 400㎚ 의 Al-Nd 합금층 (도체층) 을 형성한 것 이외에는 예 1 과 동일한 방법과 조건으로 스퍼터링하여, 배선 부착 기판 형성용 적층체를 얻었다. 적층체의 막두께를 표 1 에 나타내었다. 산술 평균 높이 (Ra) 및 최대 높이 (Rz), 내알칼리성, 막형성 직후의 시트 저항 및 열처리 후의 시트 저항을 측정하였다. 결과를 표 2 에 나타내었다.

(예 3 : 비교예)

예 1 에 있어서, Al 금속 타깃을 사용하여 두께 360㎚ 의 Al 금속층 (도체층) 을 형성하는 것 이외에는 예 1 과 동일한 방법과 조건으로 스퍼터링하여, 배선 부착 기판 형성용 적층체를 얻었다. 산술 평균 높이 (Ra) 및 최대 높이 (Rz), 내알칼리성, 막형성 직후의 시트 저항 및 열처리 후의 시트 저항을 측정하였다. 결과를 표 2 에 나타내었다.

(예 4 : 비교예)

예 1 에서, 원자백분율 (%) 이 98.8 : 1 : 0.2 인 Al-Si-Cu 합금 타깃을 사용하여 두께 430㎚ 의 Al-Si-Cu 합금층 (도체층) 을 형성한 것 이외에는 예 1 과 동일한 방법과 조건으로 스퍼터링하여, 배선 부착 기판 형성용 적층체를 얻었다. 산술 평균 높이 (Ra) 및 최대 높이 (Rz), 내알칼리성, 막형성 직후의 시트 저항 및 열처리 후의 시트 저항을 측정하였다. 결과를 표 2 에 나타내었다.

(원소분석에 사용한 ESCA 의 장치명 및 측정조건)

XPS 측정장치 : JEOL JPS-9000MC (닛폰덴시(주) 제조)

X 선원 : Ms-Std 선, 빔 직경 6㎜Φ

X 선 출력 : 10kV, 10mA

대전보정 : 플랫 건

음극 -100V

바이어스 -10V

필라멘트 1.15A

측정 : 표면 10㎜Φ를 Ar⁺ 로 1㎚/sec 의 속도로 10㎚ 를 스퍼터 에칭하여 그 중앙 부근을 측정하였다. 에칭 조건은 800eV 의 Ar+ 이온 빔을 사용하며, 영역은 10㎜Φ이었다. 광전자의 검출각도는 90°이었다. 광전자의 에너지 분석기에 대한 입사 에너지 패스는 20eV 이었다. Ni3p_3/2, Mo 3d, Fe 2p_3/2, O 1s, C 1s 의 피크를 측정하였다. 피크면적을 구하고 이의 상대 감도 계수를 구하여 표면 원자수비를 산출하였다.

상대 감도 계수 :

Ni 3p_3/2 47.089,

Mo 3d 39.694,

Fe 2p_3/2 37.972,

O 1s 10.958,

C 1s 4.079.

표 2 로부터, 도체층이 Al 층 또는 Al-Si-Cu 합금층일 때, 최대 높이 (Rz) 가 237㎚ 또는 213㎚ 로 높고, 도체층이 Al-Nd 합금층일 때 Rz 가 86㎚ 또는 60㎚ 로 낮은 것을 알 수 있다. 또, 도체층이 Al-Nd 합금층인 경우, 막형성 직후의 시트 저항이 증대되는데, 열처리함으로써 도체층이 Al 층 적층체의 시트 저항과 동등 정도로 저하하는 것을 알 수 있다. 또, 예 3 (비교예) 과 비교하여 예 1 및 예 2 (실시예) 에서는 힐록의 발생이 억제되어 있는 것이 확인되었다.

예	기판의 구성	막의 구성	막두께(㎚)	하지층(Ni-Mo층) 형성시의 스퍼터 가스의 유량비 (체적%)
				Ar	CO₂
1	유리/SiO₂/ITO	Ni-Mo/Al-0.2Nd/Mo-10Nb/Ni-Mo	50/370/30/50	67	33
2	유리/SiO₂/ITO	Ni-Mo/Al-2Nd/Mo-10Nb/Ni-Mo	50/400/30/50	67	33
3	유리/SiO₂/ITO	Ni-Mo/Al/Mo-10Nb/Ni-Mo	50/360/30/50	67	33
4	유리/SiO₂/ITO	Ni-Mo/Al-Si-Cu/Mo-10Nb/Ni-Mo	50/430/30/50	67	33

예	산술 평균 높이 Ra (㎚)	최대 높이 Rz (㎚)	내알칼리성	막형성 직후의 시트 저항 (Ω/□)	열처리 후의 시트 저항 (Ω/□)
1	7	86		0.12	0.09
2	5	60		0.26	0.11
3	15	237	×	0.10	0.10
4	18	213	×	0.11	0.08

본 발명의 배선 부착 기판 형성용 적층체를 사용함으로써, 저저항이고 힐록이 잘 발생하지 않으며, 표면 조도가 작으면서 내알칼리성, 내식성이 우수한 배선 부착 기판 형성용 적층체를 형성할 수 있어 유용하다. 그리고, 고정세하고 신뢰성이 높은 디스플레이를 제작할 수 있다. 특히, 소자 수명을 길게 하고 발광 특성을 향상시키기 위하여 배선의 저저항화가 요망되는 유기 EL 표시소자에 유용하다.

Claims

기판 상에, Al-Nd 합금을 포함하고 Nd 함유율이 전체 성분에 대해 0.1∼6 원자% 인 도체층 및 상기 도체층 상에 Ni-Mo 합금을 포함하는 캡층을 갖는 배선 부착 기판 형성용 적층체로서,

상기 도체층과 상기 기판 사이에, 상기 기판측으로부터 ITO 층과 하지층을 이 순서로 갖고,

상기 도체층과 상기 캡층 사이 및/또는 상기 도체층과 상기 하지층 사이에, 상기 캡층과는 다른 조성을 갖는 Ni 확산방지층을 갖는 것을 특징으로 하는, 배선 부착 기판 형성용 적층체.
삭제
제 1 항에 있어서,

상기 하지층이 Mo 또는 Mo 합금을 포함하는 층인, 배선 부착 기판 형성용 적층체.
삭제
제 1 항에 있어서,

상기 Ni 확산방지층이 Mo, Mo-Nb 합금 또는 Mo-Ta 합금을 포함하는 층인, 배선 부착 기판 형성용 적층체.
제 1 항에 있어서,

상기 캡층에서의 Ni 함유율이 전체 성분에 대해 30∼95 원자% 이고, Mo 함유율이 전체 성분에 대해 5∼70 원자% 인, 배선 부착 기판 형성용 적층체.
제 1 항에 있어서,

상기 도체층의 막두께가 100∼500㎚ 인, 배선 부착 기판 형성용 적층체.
제 1 항에 있어서,

상기 캡층 중에 Fe, Ti, V, Cr, Co, Zr, Nb, Ta, W 의 금속을 1종 또는 2종 이상 추가로 함유하는, 배선 부착 기판 형성용 적층체.
제 1 항에 있어서,

상기 캡층의 막두께가 10∼200㎚ 인, 배선 부착 기판 형성용 적층체.
제 1 항에 있어서,

상기 도체층이 스퍼터법에 의해 형성되는, 배선 부착 기판 형성용 적층체.
제 10 항에 있어서,

스퍼터시의 기판 온도가 실온∼400℃ 인, 배선 부착 기판 형성용 적층체.
제 1 항에 있어서,

상기 적층체의 시트 저항치가 열처리 전에 0.4Ω/□ 이하인, 배선 부착 기판 형성용 적층체.
제 1 항에 있어서,

상기 적층체의 시트 저항치가 열처리 후에 0.2Ω/□ 이하인, 배선 부착 기판 형성용 적층체.
제 1 항에 있어서,

상기 적층체의 Ra 가 12㎚ 이하인, 배선 부착 기판 형성용 적층체.
제 1 항에 있어서,

상기 적층체의 Rz 가 150㎚ 이하인, 배선 부착 기판 형성용 적층체.
제 1 항에 기재된 상기 적층체에 평면형상으로 패터닝을 실시한, 배선 부착 기판.
기판 상에, 스퍼터법에 의해 Al-Nd 합금을 포함하는 도체층 및 상기 도체층 상에 Ni-Mo 합금을 포함하는 캡층을 형성하여 배선 부착 기판 형성용 적층체를 얻고, 이어서, 상기 적층체에 포토리소그래프법에 의해 평면형상으로 패터닝하는 배선 부착 기판의 형성방법으로서,

상기 도체층과 상기 기판 사이에, 상기 기판측으로부터 ITO 층과 하지층을 이 순서로 형성하고,

상기 도체층과 상기 캡층 사이 및/또는 상기 도체층과 상기 하지층 사이에, 상기 캡층과는 다른 조성을 갖는 Ni 확산방지층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 배선 부착 기판의 형성방법.